JP2674406B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2674406B2 JP2674406B2 JP4019609A JP1960992A JP2674406B2 JP 2674406 B2 JP2674406 B2 JP 2674406B2 JP 4019609 A JP4019609 A JP 4019609A JP 1960992 A JP1960992 A JP 1960992A JP 2674406 B2 JP2674406 B2 JP 2674406B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係り，特に，陽極酸化膜を有する配線の形成方法に関す
る。
係り，特に，陽極酸化膜を有する配線の形成方法に関す
る。
【０００２】現在，半導体装置に多層配線が多く用いら
れている。多層配線では，配線に突起（hillock)の発生
することを防止しかつ配線の使用寿命を向上する目的で
表面に陽極酸化膜を形成することが行われている。
れている。多層配線では，配線に突起（hillock)の発生
することを防止しかつ配線の使用寿命を向上する目的で
表面に陽極酸化膜を形成することが行われている。
【０００３】
【従来の技術】図４（ａ）〜（ｅ）は陽極酸化膜を有す
る配線形成の従来例を示す工程順断面図であり、以下、
これらの図を参照しながら従来例について説明する。
る配線形成の従来例を示す工程順断面図であり、以下、
これらの図を参照しながら従来例について説明する。
【０００４】図４（ａ）参照 １は素子形成を終えたＳｉ基体であり、その上に絶縁膜
としてＳｉＯ2 膜2 を形成し、その上にＡｌＣｕ膜３を
堆積する。ＡｌＣｕ膜３の表面を陽極酸化して、厚さが
500 Å程度の陽極酸化膜４を形成する。
としてＳｉＯ2 膜2 を形成し、その上にＡｌＣｕ膜３を
堆積する。ＡｌＣｕ膜３の表面を陽極酸化して、厚さが
500 Å程度の陽極酸化膜４を形成する。
【０００５】図４（ｂ）参照 陽極酸化膜４上に配線形成のためのレジストマスク５を
形成する。 図４（ｃ）参照 レジストマスク５をマスクにして陽極酸化膜４をエッチ
ングして除去する。エッチング液は、例えば酢酸とフッ
化水素アンモニウムの混合液である。
形成する。 図４（ｃ）参照 レジストマスク５をマスクにして陽極酸化膜４をエッチ
ングして除去する。エッチング液は、例えば酢酸とフッ
化水素アンモニウムの混合液である。
【０００６】図４（ｄ）参照 レジストマスク５と陽極酸化膜４をマスクにしてＡｌＣ
ｕ膜３をエッチングして除去し、配線３ａを形成する。
エッチング液は、例えば燐酸である。
ｕ膜３をエッチングして除去し、配線３ａを形成する。
エッチング液は、例えば燐酸である。
【０００７】図４（ａ）参照 レジストマスク５を剥離する。このようにして表面に陽
極酸化膜４を有する配線を形成するが、陽極酸化膜４に
はＡｌＣｕ膜３のサイドエッチングにより庇４ａが発生
する。庇４ａが発生すると、それに起因する種々の問題
が発生する。
極酸化膜４を有する配線を形成するが、陽極酸化膜４に
はＡｌＣｕ膜３のサイドエッチングにより庇４ａが発生
する。庇４ａが発生すると、それに起因する種々の問題
が発生する。
【０００８】図５（ａ）、（ｂ）は従来例の問題点を説
明するための断面図である。６は層間絶縁膜で、例えば
ＰＳＧ膜、７は上層配線で、例えばＡｌＣｕ膜である。
陽極酸化膜４に庇４ａがあると、その上に形成する層間
絶縁膜、例えばＰＳＧ膜６が異常成長する（図５（ａ）
参照）。
明するための断面図である。６は層間絶縁膜で、例えば
ＰＳＧ膜、７は上層配線で、例えばＡｌＣｕ膜である。
陽極酸化膜４に庇４ａがあると、その上に形成する層間
絶縁膜、例えばＰＳＧ膜６が異常成長する（図５（ａ）
参照）。
【０００９】ＰＳＧ膜６が異常成長すると、その上に形
成する上層配線、例えばＡｌＣｕ膜７はカバレッジ不良
となり、庇４ａの周囲でクラック７ａが生じ、接続不良
となることがある（図５（ｂ）参照）。
成する上層配線、例えばＡｌＣｕ膜７はカバレッジ不良
となり、庇４ａの周囲でクラック７ａが生じ、接続不良
となることがある（図５（ｂ）参照）。
【００１０】また，陽極酸化膜４に庇4aがあると，その
部分が剥がれて不定形状となり，その上に成長する層間
絶縁膜に異常成長が生じやすい。
部分が剥がれて不定形状となり，その上に成長する層間
絶縁膜に異常成長が生じやすい。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑み，配線上の陽極酸化膜に庇が生じないような配線形
成方法を提供することを目的とする。
鑑み，配線上の陽極酸化膜に庇が生じないような配線形
成方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】図１(a) 〜(i) は第１の
実施例を示す工程順断面図、図２(a) 〜(f) は第２の実
施例を示す工程順断面図である。
実施例を示す工程順断面図、図２(a) 〜(f) は第２の実
施例を示す工程順断面図である。
【００１３】
【００１４】上記課題は、半導体基体１上の絶縁膜２上
に導電膜３を形成した後表面を陽極酸化して陽極酸化膜
４を形成する工程と、該陽極酸化膜４上に形成されたマ
スク５をマスクにして該陽極酸化膜４を選択的にエッチ
ングして除去する工程と、加熱により該マスク５の端部
を流動させて該陽極酸化膜４の側面を覆うだれたマスク
５ａを形成した後、該だれたマスク５ａをマスクにして
該導電膜３を等方的にエッチングし、該陽極酸化膜４を
露出させずに該導電膜３を除去する工程とを有し、上面
が陽極酸化膜４で覆われた導電膜の配線３ｃを形成する
半導体装置の製造方法によって解決される。
に導電膜３を形成した後表面を陽極酸化して陽極酸化膜
４を形成する工程と、該陽極酸化膜４上に形成されたマ
スク５をマスクにして該陽極酸化膜４を選択的にエッチ
ングして除去する工程と、加熱により該マスク５の端部
を流動させて該陽極酸化膜４の側面を覆うだれたマスク
５ａを形成した後、該だれたマスク５ａをマスクにして
該導電膜３を等方的にエッチングし、該陽極酸化膜４を
露出させずに該導電膜３を除去する工程とを有し、上面
が陽極酸化膜４で覆われた導電膜の配線３ｃを形成する
半導体装置の製造方法によって解決される。
【００１５】また、半導体基体１上の絶縁膜２上に導電
膜３を形成した後表面を陽極酸化して陽極酸化膜４を形
成する工程と、該陽極酸化膜４上に形成されたマスク５
をマスクにして該陽極酸化膜４を選択的にエッチングし
て除去する工程と、加熱により該マスク５の端部を流動
させて該陽極酸化膜４の側面を覆うだれたマスク５ａを
形成した後、該だれたマスク５ａをマスクにして該導電
膜３を等方的にエッチングして除去し、次いで、サイド
エッチングにより露出した陽極酸化膜４の庇の部分４ａ
をエッチングして除去する工程とを有し、上面が陽極酸
化膜４で覆われた導電膜の配線３ｅを形成する半導体装
置の製造方法によって解決される。
膜３を形成した後表面を陽極酸化して陽極酸化膜４を形
成する工程と、該陽極酸化膜４上に形成されたマスク５
をマスクにして該陽極酸化膜４を選択的にエッチングし
て除去する工程と、加熱により該マスク５の端部を流動
させて該陽極酸化膜４の側面を覆うだれたマスク５ａを
形成した後、該だれたマスク５ａをマスクにして該導電
膜３を等方的にエッチングして除去し、次いで、サイド
エッチングにより露出した陽極酸化膜４の庇の部分４ａ
をエッチングして除去する工程とを有し、上面が陽極酸
化膜４で覆われた導電膜の配線３ｅを形成する半導体装
置の製造方法によって解決される。
【００１６】
【００１７】
【作用】加熱により該マスク５の端部を流動させて陽極
酸化膜４の側面を覆うだれたマスク５ａを形成している
から、導電膜３のサイドエッチングがあっても、陽極酸
化膜４を露出させないようにすることができる。サイド
エッチングが進んで陽極酸化膜４が露出しそうになった
ら、エッチングを中止し、再び加熱によりだれたマスク
5ａの端部を流動させて陽極酸化膜４の側面を覆う厚さ
を大きくし、その後導電膜３のエッチングを続けるよう
にすればよい。このようにして導電膜３のエッチングを
すれば、配線上に陽極酸化膜の庇の生じることがない。
酸化膜４の側面を覆うだれたマスク５ａを形成している
から、導電膜３のサイドエッチングがあっても、陽極酸
化膜４を露出させないようにすることができる。サイド
エッチングが進んで陽極酸化膜４が露出しそうになった
ら、エッチングを中止し、再び加熱によりだれたマスク
5ａの端部を流動させて陽極酸化膜４の側面を覆う厚さ
を大きくし、その後導電膜３のエッチングを続けるよう
にすればよい。このようにして導電膜３のエッチングを
すれば、配線上に陽極酸化膜の庇の生じることがない。
【００１８】また，サイドエッチングが進んで陽極酸化
膜４が露出したとしても，露出した陽極酸化膜の部分を
エッチングして除去する工程を有するから，配線上に陽
極酸化膜の庇の生じることがない。
膜４が露出したとしても，露出した陽極酸化膜の部分を
エッチングして除去する工程を有するから，配線上に陽
極酸化膜の庇の生じることがない。
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【実施例】図１(a) 〜(i) は第１の実施例を示す工程順
断面図である。以下、これらの図を参照しながら第１の
実施例について説明する。 図１(a) 参照 １は素子形成を終えたＳｉ基体であり、その上に絶縁膜
として厚さが例えば4000ÅのＳｉＯ2 膜２を形成し、そ
の上に導電膜として、厚さが例えば１．１μmのＡｌＣ
ｕ膜３を堆積する。ＡｌＣｕ膜３の表面を陽極酸化し
て、厚さが 500Å程度の陽極酸化膜4 を形成する。
断面図である。以下、これらの図を参照しながら第１の
実施例について説明する。 図１(a) 参照 １は素子形成を終えたＳｉ基体であり、その上に絶縁膜
として厚さが例えば4000ÅのＳｉＯ2 膜２を形成し、そ
の上に導電膜として、厚さが例えば１．１μmのＡｌＣ
ｕ膜３を堆積する。ＡｌＣｕ膜３の表面を陽極酸化し
て、厚さが 500Å程度の陽極酸化膜4 を形成する。
【００２６】図１(b) 参照 陽極酸化膜４上に配線形成のためのレジストマスク５を
形成する。レジストマスク５をマスクにして陽極酸化膜
４をエッチングして除去する。エッチング液は、例えば
酢酸とフッ化水素アンモニウムの混合液である。
形成する。レジストマスク５をマスクにして陽極酸化膜
４をエッチングして除去する。エッチング液は、例えば
酢酸とフッ化水素アンモニウムの混合液である。
【００２７】図１ (c) 参照 175 ℃で２０分間ベーキングを行い、レジストマスク５
の端部を流動させ、だれたレジストマスク 5a を形成す
る。その後ＡｌＣｕ膜３の表面を３０秒間酸素プラズマ
でたたいて親水性を上げる。
の端部を流動させ、だれたレジストマスク 5a を形成す
る。その後ＡｌＣｕ膜３の表面を３０秒間酸素プラズマ
でたたいて親水性を上げる。
【００２８】図１（ｄ）参照 だれたマスク５ａをマスクにしてＡｌＣｕ膜３をエッチ
ングする。エッチング液は例えば燐酸と硝酸の混合液で
あり、液温５０℃、エッチング時間は３０秒とする。３
ｂはエッチングされた後のＡｌＣｕ膜を表し、ＡｌＣｕ
膜のサイドエッチングにより、陽極酸化膜４が露出する
前にエッチングを中断する。
ングする。エッチング液は例えば燐酸と硝酸の混合液で
あり、液温５０℃、エッチング時間は３０秒とする。３
ｂはエッチングされた後のＡｌＣｕ膜を表し、ＡｌＣｕ
膜のサイドエッチングにより、陽極酸化膜４が露出する
前にエッチングを中断する。
【００２９】図１(e) 参照 再び 175℃で２０分間ベーキングを行い、だれたマスク
５ａの端部をさらに流動させ、だれたレジストマスク５
ｂを形成する。その後ＡｌＣｕ膜３の表面を３０秒間酸
素プラズマでたたいて親水性を上げる。
５ａの端部をさらに流動させ、だれたレジストマスク５
ｂを形成する。その後ＡｌＣｕ膜３の表面を３０秒間酸
素プラズマでたたいて親水性を上げる。
【００３０】図１(f) 参照 だれたマスク５ｂをマスクにしてＡｌＣｕ膜３ｂをエッ
チングする。エッチング液は例えば燐酸と酢酸と硝酸の
混合物であり、液温５０℃、エッチング時間は９０秒と
する。ＡｌＣｕ膜のサイドエッチングにより陽極酸化膜
４が露出する前に、配線形成のエッチングはほぼ完了す
る。３ｃはエッチングされた後のＡｌＣｕ膜で配線を表
す。ところが、ＳｉＯ2 膜２上にＡｌＣｕ膜の残渣３ｄ
が生じる。
チングする。エッチング液は例えば燐酸と酢酸と硝酸の
混合物であり、液温５０℃、エッチング時間は９０秒と
する。ＡｌＣｕ膜のサイドエッチングにより陽極酸化膜
４が露出する前に、配線形成のエッチングはほぼ完了す
る。３ｃはエッチングされた後のＡｌＣｕ膜で配線を表
す。ところが、ＳｉＯ2 膜２上にＡｌＣｕ膜の残渣３ｄ
が生じる。
【００３１】図１（ｇ）参照 三たび 175℃で２０分間ベーキングを行い、だれたマス
ク５ｂの端部をさらに流動させ、だれたレジストマスク
５ｃを形成する。その後ＡｌＣｕ膜３の表面を３０秒間
酸素プラズマでたたいて親水性を上げる。
ク５ｂの端部をさらに流動させ、だれたレジストマスク
５ｃを形成する。その後ＡｌＣｕ膜３の表面を３０秒間
酸素プラズマでたたいて親水性を上げる。
【００３２】図１（ｈ）参照 だれたマスク５ｃをマスクにしてＡｌＣｕ膜の残渣３ｄ
をエッチングして除去する。エッチング液は例えば燐酸
と酢酸と硝酸の混合液であり、液温５０℃、エッチング
時間は１５秒とする。
をエッチングして除去する。エッチング液は例えば燐酸
と酢酸と硝酸の混合液であり、液温５０℃、エッチング
時間は１５秒とする。
【００３３】図１（ｉ）参照 だれたマスク５ｃを剥離する。このようにして、陽極酸
化膜４に覆われ、陽極酸化膜の庇のない配線３ｃが形成
された。
化膜４に覆われ、陽極酸化膜の庇のない配線３ｃが形成
された。
【００３４】図２（ａ）〜（ｆ）は第２の実施例を示す
工程順断面図である。以下これらの図を参照しながら第
２の実施例について説明する。 図２（ａ）参照 １は素子形成を終えたＳｉ基体であり、その上に絶縁膜
として厚さが、例えば4000ÅのＳｉＯ2 膜２を形成し、
その上に導電膜として、厚さが例えば１．１μm のＡｌ
Ｃｕ膜３を堆積する。ＡｌＣｕ膜３の表面を陽極酸化し
て、厚さが500Å程度の陽極酸化膜４を形成する。
工程順断面図である。以下これらの図を参照しながら第
２の実施例について説明する。 図２（ａ）参照 １は素子形成を終えたＳｉ基体であり、その上に絶縁膜
として厚さが、例えば4000ÅのＳｉＯ2 膜２を形成し、
その上に導電膜として、厚さが例えば１．１μm のＡｌ
Ｃｕ膜３を堆積する。ＡｌＣｕ膜３の表面を陽極酸化し
て、厚さが500Å程度の陽極酸化膜４を形成する。
【００３５】図２（ｂ）参照 陽極酸化膜４上に配線形成のためのレジストマスク５を
形成する。レジストマスク５をマスクにして陽極酸化膜
４をエッチングして除去する。エッチング液は、例えば
酢酸とフッ化水素アンモニウムの混合液である。
形成する。レジストマスク５をマスクにして陽極酸化膜
４をエッチングして除去する。エッチング液は、例えば
酢酸とフッ化水素アンモニウムの混合液である。
【００３６】図２（ｃ）参照 175 ℃で２０分間ベーキングを行い、レジストマスク５
の端部を流動させ、だれたレジストマスク５ａを形成す
る。その後ＡｌＣｕ膜３の表面を３０秒間酸素プラズマ
でたたいて親水性を上げる。
の端部を流動させ、だれたレジストマスク５ａを形成す
る。その後ＡｌＣｕ膜３の表面を３０秒間酸素プラズマ
でたたいて親水性を上げる。
【００３７】ここまでは第１の実施例と同じである。 図２（ｄ）参照 だれたマスク5aをマスクにしてＡｌＣｕ膜３をエッチン
グして除去し、配線3eを形成する。エッチング液は、例
えば燐酸と酢酸と硝酸の混合液であり、液温は５０℃、
エッチング時間は１４５秒とする。ＡｌＣｕ膜３は除去
されて残渣も生じない。しかし、サイドエッチングはだ
れたマスク５ａが陽極酸化膜４の側面を覆う厚さよりも
大きく進み、陽極酸化膜４が一部露出して庇４ａを形成
する。
グして除去し、配線3eを形成する。エッチング液は、例
えば燐酸と酢酸と硝酸の混合液であり、液温は５０℃、
エッチング時間は１４５秒とする。ＡｌＣｕ膜３は除去
されて残渣も生じない。しかし、サイドエッチングはだ
れたマスク５ａが陽極酸化膜４の側面を覆う厚さよりも
大きく進み、陽極酸化膜４が一部露出して庇４ａを形成
する。
【００３８】図２（ｅ）参照 ＣＦ4 ガスにより庇４ａを等方的にドライエッチングし
て除去する。ドライエッチングに替えて、酢酸とフッ化
水素アンモニウムの混合液によるウエットエッチングを
採用してもよい。
て除去する。ドライエッチングに替えて、酢酸とフッ化
水素アンモニウムの混合液によるウエットエッチングを
採用してもよい。
【００３９】図２（ｆ）参照 だれたマスク５ａを剥離する。このようにして、陽極酸
化膜４に覆われ、陽極酸化膜の庇のない配線３ｅが形成
された。
化膜４に覆われ、陽極酸化膜の庇のない配線３ｅが形成
された。
【００４０】図３（ａ）〜（ｆ）は第３の実施例を示す
工程順断面図である。以下、これらの図を参照しながら
第３の実施例について説明する。 図３（ａ）参照 この図は１（ｃ）の再掲であり、ここまでの工程は第１
の実施例と同じであるので、説明を省略する。
工程順断面図である。以下、これらの図を参照しながら
第３の実施例について説明する。 図３（ａ）参照 この図は１（ｃ）の再掲であり、ここまでの工程は第１
の実施例と同じであるので、説明を省略する。
【００４１】図３（ｂ）参照 だれたマスク５ａをマスクにしてＡｌＣｕ膜３をエッチ
ングする。３ｆはエッチング後のＡｌＣｕ膜を表す。エ
ッチング液は、例えば燐酸と酢酸と硝酸の混合液であ
り、液温は５０℃、エッチング時間は６０秒とする。Ａ
ｌＣｕ膜３は厚さの約１／２がエッチングされ、サイド
エッチングにより陽極酸化膜４の一部が露出し庇４ａが
形成される。
ングする。３ｆはエッチング後のＡｌＣｕ膜を表す。エ
ッチング液は、例えば燐酸と酢酸と硝酸の混合液であ
り、液温は５０℃、エッチング時間は６０秒とする。Ａ
ｌＣｕ膜３は厚さの約１／２がエッチングされ、サイド
エッチングにより陽極酸化膜４の一部が露出し庇４ａが
形成される。
【００４２】図３（ｃ）参照 ＣＦ4 ガスにより庇部４ａヲ等方的にドライエッチング
して除去する。ドライエッチングに替えて、酢酸とフッ
化水素アンモニウムの混合液によるウエットエッチング
を採用してもよい。
して除去する。ドライエッチングに替えて、酢酸とフッ
化水素アンモニウムの混合液によるウエットエッチング
を採用してもよい。
【００４３】図３（ｄ）参照 175 ℃で２０分間ベーキングを行い、だれたマスク５ａ
の端部をさらに流動させ、だれたレジストマスク５ｂを
形成する。その後ＡｌＣｕ膜３ｆの表面を３０秒間酸素
プラズマでたたいて親水性を上げる。
の端部をさらに流動させ、だれたレジストマスク５ｂを
形成する。その後ＡｌＣｕ膜３ｆの表面を３０秒間酸素
プラズマでたたいて親水性を上げる。
【００４４】図３（ｅ）参照 だれたマスク５ｂをマスクにしてＡｌＣｕ膜３ｆをエッ
チングする。エッチング液は例えば燐酸と酢酸と硝酸の
混合液であり、液温５０℃、エッチング時間は７５秒と
する。３ｇはこのエッチングにより形成された配線を表
す。ＡｌＣｕ膜のサイドエッチングにより陽極酸化膜４
が露出する前に、配線形成のエッチングは完全に終了す
る。
チングする。エッチング液は例えば燐酸と酢酸と硝酸の
混合液であり、液温５０℃、エッチング時間は７５秒と
する。３ｇはこのエッチングにより形成された配線を表
す。ＡｌＣｕ膜のサイドエッチングにより陽極酸化膜４
が露出する前に、配線形成のエッチングは完全に終了す
る。
【００４５】図３（ｆ）参照 だれたマスク５ｂを剥離する。このようにして、陽極酸
化膜４に覆われ、陽極酸化膜の庇のない配線３ｇが形成
された。
化膜４に覆われ、陽極酸化膜の庇のない配線３ｇが形成
された。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
配線を覆う陽極酸化膜に庇の生じないようにすることが
できる。その結果，配線上の層間絶縁膜の異常成長がな
くなり，上層配線のカバレッジ不良がなくなる。それに
伴いウエハーの歩留りが向上する。
配線を覆う陽極酸化膜に庇の生じないようにすることが
できる。その結果，配線上の層間絶縁膜の異常成長がな
くなり，上層配線のカバレッジ不良がなくなる。それに
伴いウエハーの歩留りが向上する。
【００４７】また，陽極酸化膜に庇の生じないので陽極
酸化膜の剥がれがなくなる。その結果，配線上の層間絶
縁膜の異常成長がなくなり，上層配線のカバレッジ不良
がなくなる。それに伴いウエハーの歩留りが向上する。
酸化膜の剥がれがなくなる。その結果，配線上の層間絶
縁膜の異常成長がなくなり，上層配線のカバレッジ不良
がなくなる。それに伴いウエハーの歩留りが向上する。
【図１】（ａ）〜（ｉ）は第１の実施例を示す工程順断
面図である。
面図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は第２の実施例を示す工程順断
面図である。
面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は第３の実施例を示す工程順断
面図である。
面図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は従来例を示す工程順工程断面
図である。
図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は従来例の問題点を説明するた
めの断面図である。
めの断面図である。
１は半導体基板であってＳｉ基体 ２は絶縁膜であってＳｉＯ2膜 ３，３ｂ，３ｆは導電膜であってＡｌＣｕ膜 ３ａ，３ｃ，３ｅ，３ｇは導電膜でありＡｌＣｕ膜であ
って配線 ３ｄは残渣であってＡｌＣｕ膜の残渣 ４は陽極酸化膜 ４ａは庇であって陽極酸化膜の庇 ５はマスクであってレジストマスク ５ａ，５ｂはだれたマスク ６は層間絶縁膜であってＰＳＧ膜 ７は上層配線であってＡｌＣｕ膜
って配線 ３ｄは残渣であってＡｌＣｕ膜の残渣 ４は陽極酸化膜 ４ａは庇であって陽極酸化膜の庇 ５はマスクであってレジストマスク ５ａ，５ｂはだれたマスク ６は層間絶縁膜であってＰＳＧ膜 ７は上層配線であってＡｌＣｕ膜
フロントページの続き (72)発明者 斉藤 智之 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭52−136590（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−138260（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基体上の絶縁膜上に導電膜を形成
した後表面を陽極酸化して陽極酸化膜を形成する工程
と、 該陽極酸化膜上に形成されたマスクをマスクにして該陽
極酸化膜を選択的にエッチングして除去する工程と、加熱により該マスクの端部を流動させて該陽極酸化膜の
側面を覆うだれたマスクを形成した後、該だれたマスク
をマスクにして該導電膜を等方的にエッチングし、該陽
極酸化膜を露出させずに該導電膜を除去する工程とを有
し、 上面が陽極酸化膜で覆われた導電膜の配線を形成するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体基体上の絶縁膜上に導電膜を形成
した後表面を陽極酸化して陽極酸化膜を形成する工程
と、 該陽極酸化膜上に形成されたマスクをマスクにして該陽
極酸化膜を選択的にエッチングして除去する工程と、 加熱により該マスクの端部を流動させて該陽極酸化膜の
側面を覆うだれたマスクを形成した後、該だれたマスク
をマスクにして該導電膜を等方的にエッチングして除去
し、次いで、サイドエッチングにより露出した陽極酸化
膜の庇の部分をエッチングして除去する工程とを有し、
上面が陽極酸化膜で覆われた導電膜の配線を形成するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4019609A JP2674406B2 (ja) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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