JPH04165354A - たわみ補正可能なマスク - Google Patents

たわみ補正可能なマスク

Info

Publication number
JPH04165354A
JPH04165354A JP2290914A JP29091490A JPH04165354A JP H04165354 A JPH04165354 A JP H04165354A JP 2290914 A JP2290914 A JP 2290914A JP 29091490 A JP29091490 A JP 29091490A JP H04165354 A JPH04165354 A JP H04165354A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
mask pattern
gap
deflection
exposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2290914A
Other languages
English (en)
Inventor
Kanji Ikegaya
池ケ谷 款治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Topcon Corp
Original Assignee
Topcon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Topcon Corp filed Critical Topcon Corp
Priority to JP2290914A priority Critical patent/JPH04165354A/ja
Publication of JPH04165354A publication Critical patent/JPH04165354A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ この発明は、たわみ補正可能なマスクに関する。
[従来の技術] たとえば、縮小投影露光装置(ステッパー)では倍率補
正を行なうためレンズ同志の間隔を圧力制御している。
一方、プロキシミティー露光装置では、光来使用してい
るマスクが小さいために、マスクの自重によるたわみは
問題となるレベルではなかった。
[発明が解決しようとする課題] ところが、たとえば液晶表示装置を構成する被露光部材
が大型化している。このためマスクが大きくなり、マス
クの自重によるたわみ量が露光性能に影響を及ぼすほど
になった場合に、何らかの補正を行わなければ従来と同
等の露光性能が得られない。つまり、プロキシミティー
露光では、マスクと被露光部材の間隔が小さいほど正確
なパターンが被露光部材に形成できる。しかしマスクが
たわむと、少なくともたわんだ分マスクから被露光部材
を離して配置しなければならず、結果的に露光性能が下
がる。
プロキシミティー露光においては、マスクと露光部材と
の間隔をできるだけ小さくすることにより解像度の向上
につながり、また間隔をマスク全面にわたり均一に保つ
ことにより線幅のムラのないパターンを形成することが
できるので、重要である。
[発明の目的] この発明は上述の課題を解決し、たわみを除去して優れ
た解像度でムラのないパターンを形成でき、しかも交換
のかんたんなたわみ補正可能なマスクを提供することを
目的とする。
[発明の要旨] この発明は特許請求の範囲に記載されたたわみ補正可能
なマスクを要旨としている。
[課題を解決するための手段] 第1図を参照する。
マスクパターン部4には露光パターンが形成されている
被露光部材8はマスクパターン部4に対面して配置され
る。マスクパターン部4と被露光部材8との間でいわゆ
るプロキシミティー露光をするようになっている。
空隙設定部材を構成するガラス板6とスペーサ7は、マ
スクパターン部4の被露光部材8に対面しない側にマス
クパターン部4の露光対象部分の上方に密閉状態で所定
の空隙9をあけて配置される。
このマスクパターン部4または空隙設定部材には、圧力
調整手段である圧力調整部10と差圧センサ25を接続
するために、接続部70.71.72を備える。第1図
では空隙設定部材のガラス板6に接続部70.71.7
2が設定されている。
[作用] 第1図においては、圧力調整部10の作動をしてマスク
パターン部4の中央部のたわみ量をできるだけなくシ、
マスクパターン部4と被露光部材8をより近ずけること
ができる。
マスク55を交換するときは接続部70.71.72に
おいてチューブ22.15.32をはずす。
[実施例1] 第1図はプロキシミティー露光用のたわみ補正可能なマ
スクを備えた実施例1を示している。
支持ベース1は固定部2に固定されている。
支持ベース1の上にはマスクホルダ3が保持されている
。マスクホルダ3の上にはマスク55が支持されている
。このマスク55はマスクパターン部4と空隙設定部材
を有する。
マスクパターン部4のたわみを補正するた□ めに用い
る空隙設定部材は、たわみ補正用のガラス板6とスペー
サ7から成る。これによりマスクパターン部4と、たわ
み補正用ガラス板6およびスペーサ7とは、密閉状態で
あり所定の空隙9が形成されている。なお、これら3者
をより良好に密閉するために好ましくは真空チャック(
図示せず)を用いる。
マスクパターン部4は必要なパターンが形成されたガラ
ス板である。スペーサ7もガラス製である。マスクパタ
ーン部4の下には、たとえば大型液晶表示装置に用いる
被露光部材8が近接して配置されている。この被露光部
材8は取付基準板8aの上に配置されている。このため
被露光部材8は反らない。
圧力調整部10は、マスクパターン部4の下面11、す
なわち被露光部材8に対面している面が平面になるよう
にするための装置である。圧力調整部10は、次のよう
になっている。
コンプレッサ12は、チューブ14を介してレギュレー
タ13に接続され、レギュレータ13はチューブ15と
、接続部71と、ガラス板6の加圧ポート16を介して
空隙9に通じている。つまりチューブ15は接続部71
に着脱自在に接続されている。接続部71は加圧ボート
16に挿入されている。コンプレッサ12から正圧はレ
ギュレータ13で調整され、空隙9に与えることができ
る。
チューブ14はエジェクタ式の真空発生器17にチュー
ブ18を介して接続されている。
比例弁20と真空発生器17はチューブ21を介して接
続されている。比例弁20のチューブ22は接続部70
と減圧(または負圧)ポート23を介して空隙9に通じ
ている。接続部70はポート23に挿入されている。チ
ューブ22は接続部70に着脱自在に接続されている。
差圧センサ25は、大気と空隙9との圧力差を検出する
。差圧センサ25のチューブ32は、接続部72とガラ
ス板6のボート33を介して空隙9に通じている。接続
部72はボート33に挿入されている。チューブ32は
接続部72に着脱自在に接続されている。
接続部70.71.72においてはチューブ22.15
.32は途中からはずすことができる。
電気マイクロメータ26は、プローブ26aを用いてマ
スクパターン部4の下面11の特に中央に生じているた
わみを検出する。
記憶部を兼ねるコントローラ30は、露光前にて電気マ
イクロメータ26の出力をオペレータが見て、圧力調整
部10を動作してマスクを適正な位置に調整したときに
大気と空隙9との圧力差を記憶する。このコントローラ
30は、差圧センサ25、レギュレータ13および比例
弁20およびコンプレッサ12をもコントロールする。
また、コントローラ35は比例弁20、レギュレータ1
3、差圧センサ25から成る。
[実施例1の動作] 第1図と第2図を参照する。
(1)準備段階 まず取付基準板8aをマスクパターン部4の下から退出
しておく。電気マイクロメータ26をマスクパターン部
4の下面11の中央部に配置して中央部のたわみ量を検
出する。
たわみ量をオペレータがみて所定値より第1図に示す「
+」の場合には、コンプレッサ12のレギュレータ13
を操作して正圧を空隙9に与える。
そうでなくて、たわみ量が所定値より「−」の場合には
、真空発生器17の比例弁20を操作して負圧を空隙9
に与える。
マスクパターン部4のたわみ量が所定値になったところ
で、大気圧と空隙9内の圧力との圧力差を差圧センサ2
5で検知して記憶部兼コントローラ30で記憶しておく
そして電気マイクロメータ26を除去し、マスクパター
ン部4の下に取付基準板8aの被露光部材8を配置する
露光段階 露光作業は、露光りを照射することで行う。
この露光作業の際に、差圧センサ25の検出する圧力差
が、記憶部兼コントローラ30がすでに記憶している圧
力差より大きいときには、コンプレッサ12のレギュレ
ータ13を操作して正圧を空隙9に与える。一方、差圧
センサ25が検出する圧力差が、すでに記憶している圧
力差より小さいときには、真空発生器17の比例弁20
を操作して負圧を空隙9に与える。そして露光を終了す
る。
たとえば、たてXよこX厚みが508(mm)x610
 (mm) x5 (+nm)であるマスクパターン部
4を使用したときには、マスクパターン部4の中央部で
は自重により計算上10数μmのたわみを生じる。この
ためマスクパターン部4と被露光部材8の間隔(プロキ
シミティギャップ)は、中央部と周辺部とでは10数μ
m異なる。
被露光部材8に対して通常10〜20μm程度のパター
ニングを行う場合、プロキシミティギャップは約50μ
m以下が要求される。
もし周辺部を50μmに設定すると、中央部は約30μ
mになってしまう。このためマスクパターン部4の中央
部は被露光部材8と接触の危険性が高まる。
本発明ではこの点に対し、中央部、周辺部のいずれにお
いても同じ量のプロキシミテイギャップが設定できるの
でパターニングの品質向上及び接触によるマスクの汚れ
などの危険性が大幅に軽減できる。
なお、第1図におけるエジェクタ式の真空発生器17は
、圧縮空気から負圧を発生させているだけであり、真空
ポンプに代えて差つかえない。また電気マイクロメータ
26の検出値は記憶部兼コントローラ30にフィードバ
ックしてもよい。マイクロメータは電気式のものに限ら
ない。
第5図を参照する。第5図では、マスク、(ターン部4
がガラス板6とスペーサ7に対して真空チャックにより
固定されている場合(チャックON)と固定されていな
い場合(チャック0FF)において、マスクパターン部
4のたわみ量と差圧(圧力差)の関係を示している。
このグラフによれば、マスクパターン部のたわみ量と差
圧は直線的な関係になっている。
従って差圧を設定することにより、マスクパターン部4
の下面11の位置を所望するたわみ量に設定することが
可能である。なお、マスクパターン部4の厚みはたわみ
補正用ガラス板6の厚みより薄くすることで、マスクパ
ターン部4のみ変位する様応答性を高めている。
[実施例2] 第3図は実施例2を示している。
支持部101の上には、マスク155が載っている。マ
スク155はガラス板106と空隙設定部材を有する。
ガラス板106にはスペーサ107を介してマスクパタ
ーン部104が載っている。ガラス板106とスペーサ
107は空隙設定部材を構成するのである。
これらマスクパターン部104、スペーサ107および
ガラス板106の間には空隙109が形成されている。
ガラス板106の正圧ボート116には接続部171を
介してチューブ115が接続されている。負圧ボート1
23には接続部172を介してチューブ122が接続さ
れている。
チューブ115には正圧源200が、チューブ122に
は負圧源210が接続されている。
コントローラ250は正圧源200と負圧源210をコ
ントロールする。これら接続部171.172において
もチューブ115.122をはずすことができる。
光位置検出器340は、光源300、スリットS1 レ
ンズ310.320、す・ニアセンサ330を有する。
光源300がマスクパターン部104より下方に配置さ
れている。光源300の光PはスリットSとレンズ3]
−〇を通りマスクパターン部104の中央の上面で反射
し、かつ被露光部材8の下面でそれぞれ反射して、反射
光P1、P2となりレンズ320を通りリニアセンサ3
30に入射する。
この光位置検出器340の光P1は、マスクパターン部
104のパターンが形成されていない中央部において反
射される。
リニアセンサ330の信号はコントローラ250に入る
。なお被露光部材8はマスクパター、7部104の上方
に近接して配置される。
反射光PL、I)2の11ニアセンサ330における間
隔から被露光部材8とマスクパターン部104の間隔り
を求めることができる。もともと、被露光部材8は取付
基準板8aにたわみのないように取付けられている。こ
のため、マスクパターン部104が「+」または「−」
方向にたわめば、たわみ量はこのリニアセンサ330で
得られた間隔りから判かる。
「実施例2の動作」 第3図と第4図を参照する。露光りをドから照射する。
光位置検出器340(いわゆる光てこ)でマスクパター
ン部104のたわみを検出する。
たわみ量か所定値より「+」のときは、コントローラ2
50が正圧源2θOを操作し、て空隙109に正圧を与
える。一方、たわみ量が所定値よりr−、jのときは、
コントローラ250が負圧源210を操作して空隙10
9に負圧を与える。そして露光を終了する。
ところでこの発明は上述の実施例に限定されない。
実施例1.2ではガラス板6または106側に接続部7
0.71.72を介して圧力調整手段を接続しているが
、マスクパターン部4または104側に接続部を設けて
圧力調整手段を接続するようにしてもよい。
第1図で示したようにガラス板6がマスクパターン部4
より上に設定される場合に、第3図の光位置検出器34
0を適用してマスクパターン部4の中央部のたわみを検
出することもできる。
また、第3図に示したようにガラス板106がマスクパ
ターン部104より下に設定される場合に、第1図の電
気マイクロメータ26のプローブ26aを用いてマスク
パターン部104の中央部のたわみを検出してもよい。
そ1−で、第1図に示した大気と空隙との圧力差を検出
する圧力検出部としての差圧センサ25と、露光前に電
気マイクロメータ26の出力に従って圧力調整部10を
動作してマスクパターン部104を適正な位置に調整し
たときに大気と空隙との圧力差を記憶する記憶部兼コン
トローラ30を備え、露光時には大気と空隙内の圧力の
差が記憶部兼コントローラ30に記憶された圧力差にな
るようにしてもよい。
なお、大型マスクの自重によるたわみが問題となるのは
、横においた場合であり、縦におけばこの問題は解消さ
れる。しかしこの場合、露光装置などの他の装置の構造
が複雑になる。ガラス製のマスクの厚みは5〜6 mm
が限界である。
[発明の効果] 以上説明したようにこの発明のマスクによれば、たわみ
をできるだけおさえて、マスクパターン部と半導体ウェ
ハのような被露光部材との間隔をできるだけ小さくする
ことにより、露光の解像度を上げることができる。
また、接続部において圧力調整手段とパターン部または
空隙設定部材に対して接続したりはずしたりすることが
できる。このためマスク交換がかんたんにできる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明のたわみ補正可能なマスクを備える実
施例1を示す図、第2図は実施例1の動作図、第3図は
実施例2を示す図、第4図は実施例2の動作図、第5図
はマスクのたわみ量と差圧センサの読みにおける直線性
を示す図である。 4・・・・・・・・・マスクパターン部6・・・・・・
・・・ガラス板 7・・・・・・・・・スペーサ 8・・・・・・・・・被露光部材 8a・・・・・・取付基準板 10・・・・・・圧力調整部 12・・・・・・コンプレッサ 17・・・・・・真空発生器 30・・・・・・記憶部兼コントローラ55・・・・・
・マスク L・・・・・・・・・露光 340・・・光位置検出器 αコ +  1   、@ 図面の浄書 Fig、4 13.8mmH2O 手続補正書働創 平成3年2月22日

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 露光パターンが形成され、被露光部材(8)に対面して
    配置されるパターン部(4)と、上記パターン部(4)
    の被露光部材(8)に対面しない側に、所定の空隙部(
    9)を形成する空隙設定部材(6、7)と、 上記パターン部(4)又は空隙設定部材(6、7)にそ
    の空隙部(9)の圧力を調整するために圧力調整手段(
    10、25)と接続する接続部(4)と、を有するたわ
    み補正可能なマスク。
JP2290914A 1990-10-30 1990-10-30 たわみ補正可能なマスク Pending JPH04165354A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2290914A JPH04165354A (ja) 1990-10-30 1990-10-30 たわみ補正可能なマスク

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2290914A JPH04165354A (ja) 1990-10-30 1990-10-30 たわみ補正可能なマスク

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04165354A true JPH04165354A (ja) 1992-06-11

Family

ID=17762145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2290914A Pending JPH04165354A (ja) 1990-10-30 1990-10-30 たわみ補正可能なマスク

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04165354A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7355680B2 (en) 2005-01-05 2008-04-08 International Business Machines Corporation Method for adjusting lithographic mask flatness using thermally induced pellicle stress
JP2013054343A (ja) * 2011-08-10 2013-03-21 Nsk Technology Co Ltd 近接露光装置及び近接露光方法
CN106773557A (zh) * 2017-03-23 2017-05-31 合肥京东方光电科技有限公司 接近式曝光装置及其曝光方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7355680B2 (en) 2005-01-05 2008-04-08 International Business Machines Corporation Method for adjusting lithographic mask flatness using thermally induced pellicle stress
US7826038B2 (en) 2005-01-05 2010-11-02 International Business Machines Corporation Method for adjusting lithographic mask flatness using thermally induced pellicle stress
JP2013054343A (ja) * 2011-08-10 2013-03-21 Nsk Technology Co Ltd 近接露光装置及び近接露光方法
CN106773557A (zh) * 2017-03-23 2017-05-31 合肥京东方光电科技有限公司 接近式曝光装置及其曝光方法
US10209632B2 (en) 2017-03-23 2019-02-19 Boe Technology Group Co., Ltd. Proximity exposure device and exposure method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4444492A (en) Apparatus for projecting a series of images onto dies of a semiconductor wafer
JP3301153B2 (ja) 投影露光装置、露光方法、及び素子製造方法
US7225048B2 (en) Gap adjustment apparatus and gap adjustment method for adjusting gap between two objects
US20030035090A1 (en) Scanning exposure method and apparatus
JPH0257333B2 (ja)
JPH0578930B2 (ja)
JPH08316123A (ja) 投影露光装置
US8400618B2 (en) Method for arranging an optical module in a measuring apparatus and a measuring apparatus
JPH0697301B2 (ja) 投影露光装置
JP4249125B2 (ja) リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびそれにより製造したデバイス
TW552469B (en) Apparatus and method of holding mask, and exposure apparatus
JPH04165354A (ja) たわみ補正可能なマスク
JPH08124842A (ja) 露光装置
JPH04130711A (ja) 投影光学装置、露光方法、および回路製造方法
JPH04110855A (ja) たわみ補正機構付きマスク支持装置
US5917581A (en) Projection exposure method and apparatus therefor
JP2001523843A (ja) マイクロリソグラフィにおける基板を平坦に保持する装置および方法
JP2672535B2 (ja) 露光装置
JP2002299231A (ja) 露光装置
JPH06275489A (ja) マスク支持装置
JP2676526B2 (ja) X線露光装置
JPS62159425A (ja) 荷電ビ−ム描画方法
JPH088173A (ja) 露光装置及び露光システム
JP2859809B2 (ja) 露光方法およびその装置
JPS61168919A (ja) 投影光学装置