JP2664910B2 - デイスプレイ - Google Patents

デイスプレイ

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JP2664910B2
JP2664910B2 JP27188987A JP27188987A JP2664910B2 JP 2664910 B2 JP2664910 B2 JP 2664910B2 JP 27188987 A JP27188987 A JP 27188987A JP 27188987 A JP27188987 A JP 27188987A JP 2664910 B2 JP2664910 B2 JP 2664910B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶等を用いた平面形デイスプレイに係り、
特にTFT(薄膜トランジスタ)を用いた駆動回路内蔵形
アクテイブマトリクス液晶デイスプレイ等のデイスプレ
イに関する。 〔従来の技術〕 従来のTFTを用いたアクテイブマトリクスデイスプレ
イは同一基板上に表示部と周辺駆動回路とを集積でき、
外部駆動用のLSIやその接続点数を低減することにより
デイスプレイの小形化と低価格化が実現できる。この種
の周辺駆動回路に関しては特公昭54−18886号あるいは
特開昭56−92573号に記載されたような回路が提案され
ていて、これらの回路は少ないTFT素子で表示部を駆動
可能にしているという点で有効であるが、しかし特に中
間調表示を行う場合には次のような点で改良の望まれる
余地がある。まず表示部に印加する信号電圧レベルの変
動をTFT素子の出力により小さく抑えて中間調表示のば
らつきを小さくするため、一本の水平走査配線が選択さ
れた場合に走査期間が終了するまで信号側駆動回路の出
力用TFT素子がオン状態になつていることが望ましく、
つぎに特に大面積デイスプレイの場合に静電容量分割方
式の駆動能力が不足しやすいため、信号側駆動回路の出
力部が静電容量分割方式でない方が望ましいなどの点が
ある。 第11図は従来のデイスプレイの一例を示す信号側駆動
回路の1ブロツクの構成図である。第11図において、1
はサンプリング用TFT素子、2はマルチプレクサ用TFT素
子、3はデータ入力バスライン、4はブロツク走査ライ
ン、5は中間調電圧ライン、6は出力配線、7はメモリ
用静電容量である。データ入力バスライン3とブロツク
走査ライン4との交点にデータサンプリング用TFT素子
1を形成し、中間調電圧ライン5とサンプリング用TFT
素子1の出力線との交点にマルチプレクサ用TFT素子2
を形成し、マルチプレクサ用TFT素子2の出力線を4個
ずつ共通結線して出力配線6(L1,L2,L3…)を構成す
る。 上記構成で、ブロツク走査ライン4にブロツク走査電
圧Vφを印加するタイミングに合わせて、データ入力バ
スライン3に並列に入力データ電圧を印加し、メモリ用
静電容量7にデータ電圧を保持する。このブロツク走査
電圧Vφの印加期間が終了しても、メモリ用静電容量7
に保持された電圧により、マルチプレクサ用TFT素子2
は動作し続け、出力配線L1,L2,L3…には中間調電圧V
(V1,V2,V3,V4)が出力され続ける。このように動作す
る上記構成を1ブロツクB1として、データ入力バスライ
ン3および中間調電圧ライン4を共通とするように多数
のブロツクB1,B2,B3,…を接続して構成する信号側駆動
回路では、各ブロツクBごとに各ブロツク走査電圧Vφ
の印加タイミングに合わせて順次に同様な動作をくり返
すことにより、全ての出力配線6から表示部の信号配線
を駆動可能な電圧を出力することができる。しかしこの
従来例では、まずデータ入力バスライン3の各ラインが
サンプリング用TFT素子1の各1個ずつに接続する構成
になつているため、データ入力バスライン3のライン数
が多くなるとともに、これらにデータ電圧を印加する回
路数も多くなり、つぎにマルチプレクサ用TFT素子2を
駆動する方法として、出力配線6に共通接続する4個の
マルチプレクサ用TFT素子2のうち1個だけを選択的に
オン状態にすることにより、中間調電圧V1〜V4のいずれ
か1つを表示部の信号配線に印加するようにしているた
め、中間調電圧レベルが制限される問題がある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来技術は大面積・高精細デイスプレイに対して
中間調表示用の信号側駆動回路を形成する場合の表示の
均一性と駆動能力の点について配慮がされておらず、表
示品質が低下する問題があつた。またデータ入力方式お
よび出力部のマルチプレクサの駆動方式について十分な
配慮がされておらず、多くのデータ入力バスラインを必
要としてかつ中間調表示レベルが多くとりにくい問題が
あつた。 本発明の目的は大面積・高精細デイスプレイに対する
表示品質の向上が期待でき、かつ簡単な回路構成で表示
部の大きな駆動能力および多階調の中間調表示が可能と
なる信号側駆動回路を備えたデイスプレイを提供するに
ある。 〔問題点を解決するための手段〕 上記目的は、表示部を駆動する信号側駆動回路に複数
のデータ入力ラインと複数のブロツク走査電圧ラインと
の交点に形成した複数のサンプリング用TFT素子と、複
数の中間調電圧ラインと上記サンプリング用TFT素子の
出力との交点に形成した複数のマルチプレクサ用TFT素
子と、該マルチプレクサ用TFT素子の出力の複数個ずつ
を共通結線して上記表示用の信号配線へ接続する出力配
線とを備え、上記各データ入力ラインより上記サンプリ
ング用TFT素子の隣接複数個ずつに連続複数データをシ
リアルにそれぞれ入力し、上記複数の中間調電圧ライン
の中間調電圧を組み合せた階調電圧を上記各出力配線よ
り出力する構成としたデイスプレイにより達成される。 〔作用〕 上記デイスプレイの信号側駆動回路は各データ入力ラ
インよりサンプリング用TFT素子の相互に隣接する複数
個分の連続した複数データをシリアルにそれぞれ入力す
る方式によりデータ入力ライン数を低減しており、かつ
各中間調電圧ラインの中間調電圧レベルをマルチプレク
サ用TFT素子の複数個のオン・オフ状態により選択して
組み合せた電圧を出力配線より出力する駆動方式により
中間調電圧レベル数よりも格段に多い階調数の中間調表
示が可能となる。 〔実施例〕 以下に本発明の実施例を第1図から第10図により説明
する。 第1図は本発明によるデイスプレイの一実施例を示す
信号側駆動回路の1ブロツクの構成図である。第1図に
おいて、デイスプレイの表示部のl本の信号配線を駆動
する信号側駆動回路の1個のブロツクB1の回路構成を示
し、1はデータサンプリング用TFT素子、2はマルチプ
レクサ用TFT素子、3はデータ入力バスライン、4はブ
ロツク走査ライン、5は中間調電圧ライン、6は出力配
線、7はメモリ用静電容量、8はメモリ用共通配線であ
る。この回路の入力部を形成するデータ入力バスライン
3(1,2,3,…k)とブロツク走査ライン4との交点にサ
ンプリング用TFT素子1(Ta1,Ta2,Ta3,…Ta2k)を形成
し、そのサンプリング用TFT素子1のそれぞれ1個おき
のゲート電極を共通に結線してそれぞれブロツク走査ラ
イン4の別々のブロツク走査電圧Vφ1,Vφラインに
接続し、同TFT素子1の隣接2個ずつのドレイン電極を
共通に結線してそれぞれデータ入力バスライン3の各ラ
イン1,2,3,…kに接続し、かつ同TFT素子1の出力であ
る各ソース電極の出力線とメモリ用共通配線8との間に
各メモリ用静電容量7を接続するとともに、この回路の
出力部を形成する中間調電圧ライン5の各中間調電圧
V1,V2,V3,V4ラインと上記サンプリング用TFT素子1の出
力である各ソース電極の出力線との交点にマルチプレク
サ用TFT素子2(Tb1,Tb2,Rb3,…Tb2k)を形成し、その
マルチプレクサ用TFT素子2の各ゲート電極をサンプリ
ング用TFT素子1の各ソース電極の出力線に接続し、同T
FT素子2のそれぞれ3個おきのドレイン電極を共通に結
線して中間調電圧ライン5の各中間調電圧V1,V2,V3,V4
ラインに接続し、同TFT素子2のそれぞれ隣接4個ずつ
のソース電極を共通に結線して出力配線6の各出力配線
L1,L2,L3,…Llに接続して回路を構成する。 第2図は本発明によるデイスプレイの一実施例を示す
信号側駆動回路のブロツク構成図である。第2図におい
て、第1図と同一符号は同一または相当部分を示し、9
は基板、10は信号側駆動回路、11は走査側駆動回路、12
は表示部、13は信号配線、14は走査配線、15はTFT素
子、16は液晶てある。この信号側駆動回路10は第1図の
構成のブロツクB1,B2,B3,…Bnbのnb個を用いて、そのブ
ロツク走査ライン4をそれぞれブロツク走査電圧(Vφ
1,Vφ),(Vφ3,Vφ),(Vφ5,Vφ),…
(Vφ2nb1,Vφ2nb)ラインとし、そのデータ入力バ
スライン3(1,2,3,…k)および中間調電圧ライン5
(電圧V1,V2,V3,V4)を各ブロツク共通とするように接
続して構成し、その出力配線1の配線L1〜Ll,Ll〜L
2l,L2l〜L3l,…L(nb〜Lnblを表示部
12の信号配線13に接続する。第1図の構成の1ブロツク
B1は表示部12の1本の信号配線13を1本の出力配線6に
より駆動するために4個のサンプリング用TFT素子1と
4個のマルチプレクサ用TFT素子2を用いており、表示
部12のl本の信号配線13をl本の出力配線6(L1〜Ll
により駆動するためにはサンプリング用TFT素子1とマ
ルチプレクサ用TFT素子2はそれぞれ2k=l×4個が必
要であり、またデータ入力バスライン3はk本で、ブロ
ツク走査ライン4は2本で、中間調電圧ライン5は4本
が必要である。したがつて第1図の構成を1ブロツクB1
として第2図のようにnb個のブロツクを接続して構成し
た信号側駆動回路10は、表示部12の信号配線13の総数l
×nb本を駆動するための出力配線6の総数l×nb本と、
データ入力バスライン3のk本と、ブロツク走査ライン
4の総数2×nb本と、中間調電圧ライン5の4本とが必
要であり、この回路10を駆動するために必要な入力配線
の総数はk+2×nb+4本となる。たとえば表示部12の
水平方向画素数1920画素のデイスプレイを駆動する場合
には、k=48本とするとl=24本、nb=1920÷24=80個
で、入力配線の総数は48+2×80+4=212本であり、
この回路10の駆動線数を大幅に低減できる。これらの数
はデータ入力線数kの設定値により変化するが、外部接
続線数を低減する観点からkの値を設定したり、外部の
接続回路の個数の制限からkの値を設定したり、または
信号側駆動回路10の動作周波数の観点からkの値を設定
したりすることができる。なお第1図の構成で隣接する
奇数番目と偶数番目のサンプリング用TFT素子1たとえ
ば素子Ta1とTa2などのドレイン電極を共通に結線してい
るが、これはデータ入力バスライン3の印加電圧波形を
次に示す2個連結パルスとして駆動することにより、外
付けの入力線数を低減するためである。 第3図は第1図および第2図の信号側駆動回路10の入
力部の駆動波形を示すタイミング図である。第3図にお
いて、Vsc1は走査側駆動回路11による表示部12の第1本
目の水平走査配線14の選択電圧波形、Vsc2は第2本目の
水平走査配線14の選択電圧波形を示しており、その選択
電圧波形Vsc(Vsc1,Vsc2,…VscN)の選択パルス幅Tsc
(Tsc1,Tsc2,…TscN)はフレーム周波数〔Hz〕とし
て水平走査線数NとするとTsc(=Tsc1=Tsc2=…Ts
cN)=1/(×N)〔sec〕となる。この電圧波形Vsc
(Vsc1,Vsc2,…VscN)は表示部12の水平走査配線14(1,
2,…N)に接続したTFT素子15の各ゲート電極をオンす
るための電圧である。Vφ1,Vφ2,Vφ3,…Vφ2n1,V
φ2nbは各ブロツクB1,B2,B3…Bnbを走査するブロツク走
査ライン4の各2個のブロツク走査電圧であり、このパ
ルス幅Taのブロツク走査電圧Vφ(Vφ〜Vφ2nb
は水平走査配線14の選択期間(パルス幅)Tsc(Tsc1〜T
scN)よりも短い期間T1の間に全て完了するようなタイ
ミングで印加する。なおその残りの期間T2は次段の出力
部の回路に電圧を印加する期間であり、ブロツク走査電
圧Vφによりサンプリング用TFT素子1を通して出力部
に印加された電圧はメモリ用静電容量7に保持されて、
次の入力データが印加されるまで変化しないものとす
る。この静電容量7は次段の回路の入力部の静電容量あ
るいは電圧保持用に酸化膜と金属配線を用いて形成した
静電容量であつてもよい。Vdt1,Vdt2,…Vdtkはデータ入
力バスライン3(1,2,…k)の入力データ電圧で、ブロ
ツク走査ライン4のブロツク走査電圧Vφ(Vφ〜V
φ2nb)が印加されるタイミングに同期して、サンプリ
ング用TFT素子1の各隣接2個ずつのドレイン電極に印
加される。このブロツク走査電圧Vφが1回印加された
時にk個のデータ電圧Vdt(Vdt1〜Vdtk)が同時にデー
タ入力バスライン3(1〜k)に同時に印加され、すな
わち1個のブロツク走査電圧Vφ印加によりkビツトの
データが入力される。こうしてブロツク走査電圧Vφ1,
2,…Vφ2nbの順に印加するタイミングに合せてデー
タ電圧Vdt(Vdt1〜Vdtk)を並列に入力することによ
り、表示部12の水平方向の画素のデータを入力する。こ
こで第1図に示すようにサンプリング用TFT素子1のド
レイン電極を(隣接)2個ずつ共通に結線していて、こ
れに入力データ電圧Vdtを2個連続に同一データ入力バ
スライン3から印加することにより、データ入力バスラ
イン3の線数を第11図の従来例の1/2に減らすことがで
きる。このときの同一データ入力バスライン3に連続し
て入力するデータ電圧Vdt(Vdt1〜Vdtk)は3図の下方
に部分拡大して示すように各ブロツクB1,B2,…Bnbごと
に順次に2個連続のデータD1,D2が入力する。なおこの
ようなデータ電圧Vdtを発生させるためには、外部から
データ入力バスライン3を駆動する回路として、サンプ
ル・ホールド回路やシフトレジスタとラツチ回路との組
合せ回路のように、シリアルに入力するデータをパラレ
ルに変換する回路が必要であり、この回路はTFT素子に
より構成してガラス基板上に集積することも可能である
が、高速動作特性が要求されることから既存の高速動作
特性を有するICやLSIを用いて外付けする構成でもよ
い。 第4図は第1図および第2図の信号側駆動回路10の中
間調電圧ライン5の中間調電圧波形を示すタイミング図
である。第4図において、V1,V2,V3,V4は中間調電圧ラ
イン5の各ラインの中間調電圧波形を示す。この中間調
電圧ライン5の中間調電圧V(V1,V2,V3,V4)は出力部
に形成したマルチプレクサ用TFT素子2の各3個おきの
ドレイン電極にそれぞれ接続し、入力部のサンプリング
用TFT素子1の出力に対応してマルチプレクサ用TFT素子
2をオン・オフすることにより、各中間調電圧Vをオン
状態のTFT素子2を通して出力配線6(L1〜L1・nb
より表示部12の信号配線13に出力する。中間調電圧V
(V1〜V4)レベルとしては液晶16の透過率が最大になる
電圧と最小になる電圧の間を等分割した電圧レベルか、
あるいは表示する階調のガンマ補正に合わせて形成した
電圧レベルを用いる。また中間調電圧波形V1〜V4は第4
図に示すように振幅の異なる矩形波電圧などがある。こ
の矩形波電圧V1〜V4は破線で示す波形の中心値レベル
(このレベルはたとえば中間調電圧V1と等レベルに設定
する)に対して対称波形とすることにより、液晶16に交
流電圧波形を印加して液晶材料の劣化を防止することが
できる。なお第4図の例では液晶16に印加する中間調電
圧V1の設定値の最小値がゼロの場合を示したが、この中
間調電圧V1に振幅をもたせて最小値をバイアスさせるこ
とも可能であり、この電圧レベルの設定は液晶材料の電
圧輝度特性に合わせて設定する。また矩形波電圧V1〜V4
の電圧反転の期間TRVはたとえば1フレームの期間に設
定したり、複数の水平走査電極の選択期間としたり、あ
るいは1本の水平走査電極の期間とほぼ同じく設定する
こともある。またこの電圧反転のタイミングとしては前
後のフレームに対して液晶16に印加する電圧の極性が反
転するようにすればよい。 第5図は第1図および第2図の信号側駆動回路10の出
力部のマルチプレクサ部分構成図である。第5図におい
て、各図面を通じて同一符号は同一または相当部分を示
すものとし、中間調電圧ライン5は中間調電圧V1〜V4
インに限定せずに中間調電圧V1〜Vmラインとして示す。
また第6図は第5図の等価回路図である。このマルチプ
レクサ用TFT素子2を駆動する方式として、まず従来例
の方式では出力配線6(L1〜Ll)に共通に接続する複数
m個のマルチプレクサ用TFT素子2のうちの1個だけを
入力部のサンプリング用TFT素子1の出力D1〜Dmにより
選択的にオン状態にして、中間調電圧V1〜Vmのいずれか
1つを出力配線6より表示部12の信号配線13に印加する
方式があり、これは通常のマルチプレクサ回路の駆動す
る方式と同じである。つぎに本発明によるマルチプレク
サ用TFT素子2を駆動する方式として、複数m個のマル
チプレクサ用TFT素子2のうちの1個だけに限定せずに
選択的に組み合せてオン状態にして中間調電圧V1〜Vm
中間状態の電圧レベルも出力可能にする方式がある。い
ま第6図の等価回路により各マルチプレクサ用TFT素子
2のオン抵抗をROn1,ROn2,…ROnmとすると、全てのTFT
素子2がオン状態(全てのスイツチが導通状態)の場合
の出力配線6の電圧Voutは次式で表わされる。 もしTFT素子2がオフ状態の場合には、簡単にはオフ
状態のTFT素子2の抵抗ROnを無限大として計算すればよ
く、オフ抵抗が有限の場合にはオン抵抗値の代りにオフ
抵抗値を用いて計算すればよい。本方式によると例えば
4個の中間調電圧V1〜V4と4個のマルチプレクサ用TFT
素子2により16階調の出力電圧を発生させることができ
る(ただし全ての素子2がオフ状態の場合も含む)。ま
た上記のマルチプレクサの従来と本発明の駆動方式では
マルチプレクサ用TFT素子2の設計と各中間調電圧V1〜V
mレベルの設定が異なる。すなわち従来方式ではTFT素子
2のオン抵抗が全て等しくなるようにチヤネル長とチヤ
ネル幅との比を全て等しく設計し、中間調電圧レベルは
最大値と最小値との間を等分割した値に設定するのが一
般的であるのに対して、本発明方式では(1)式に示す
ように出力電圧はTFT素子2のオン抵抗ROnにも依存して
変化するため、各TFT素子2のチヤネル長とチヤネル幅
をそれぞれ異なるように設計することもできる。たとえ
ばオン抵抗ROnがTFT素子Tb1からTFT素子Tbmまで等比級
数的に変化するように設計し、中間調電圧V1〜Vmも等比
級数的に変化するように設定する方法や、出力電圧が各
階調に対して最も直線的な変化を示すべく設定する方法
や、さらには回路の応答速度を速くし消費電力を小さく
するように設定する方法もある。いずれの方法でも従来
方式に比べて本発明方式は少数のマルチプレクサ用TFT
素子2により多くの階調電圧を出力することができるの
で、中間調表示には有効な方式である。 第7図は本発明によるデイスプレイの一実施例を示す
構成図である。第7図において、17はデータ電圧発生回
路、18は外部からの入力データ電圧、19はブロツク走査
電圧発生回路、20はクロツク発生回路である。表示部12
は表示部12内に部分拡大して示すように複数の信号配線
13と、それに交差する複数の走査配線14と、それらの交
点に形成したTFT素子15および透明電極と、それらの上
に積層した液晶16などの電気光学物質とから成り、この
表示部12を駆動するための信号配線13に信号電圧を印加
する信号側駆動回路10と、表示部12の走査配線14に走査
電圧を印加する走査側駆動回路11とを同一基板9上に周
辺回路として形成し、これにより駆動回路内蔵形のデイ
スプレイを構成する。この基板9には信号側駆動回路10
のデータ入力バスライン3に外部からの入力データ電圧
18を印加するデータ電圧発生回路17と、信号側駆動回路
10のブロツク走査ライン4にブロツク走査電圧Vφを印
加するブロツク走査電圧発生回路(LSI)19と、走査側
駆動回路11にクロツク信号を印加するクロツク発生回路
20とが外付けされる。第8図は第7図のデータ電圧発生
回路17の構成図である。第8図において、21はA/D変換
回路、22はエンコーダ回路、23はメモリ回路である。外
部からの入力データ電圧18としてアナログ電圧がデータ
電圧発生回路17に入力する場合に、入力アナログ電圧は
A/D変換回路21によりA/D変換後に、上記の信号側駆動回
路10のマルチプレクサ用TFT素子2のオン・オフの組合
せを決定するためのエンコーダ回路22を通して、メモリ
回路23に記憶することにより、並列にデータ入力バスラ
イン3に出力する。なお従来のマルチプレクサの駆動方
式の場合のデータ電圧発生回路17では特にエンコーダ回
路22は必要としないが、本発明のマルチプレクサの駆動
方式ではマルチプレクサ用TFT素子2のオン・オフ状態
の組合せを決定するためのエンコーダ回路22が必要であ
る。本実施例のデイスプレイによれば、出力部のマルチ
プレクサをオンするTFT素子2を組み合せて駆動する方
式により、たとえばマルチプレクサを4個のTFT素子2
で構成して表示部12はR,G,B3色の組合せで表示する場合
に4096色もの表示色が実現でき、中間調表示デイスプレ
イとしての効果がある。 第9図は本発明によるデイスプレイの他の実施例を示
す信号側駆動回路の1ブロツクの構成図である。第9図
において、この回路の入力部を形成するサンプリング用
TFT素子1のそれぞれ3個おきのゲート電極を共通に結
線してそれぞれブロツク走査ライン4の別々のブロツク
走査電圧Vφ1,Vφ2,Vφ3,Vφラインに接続し、同TFT
素子1の隣接4個ずつのドレイン電極を共通に結線して
それぞれデータ入力ライン3の各ラインに接続し、その
出力部は第1図と同様にして回路を構成する。この実施
例ではデータ入力バスライン3の数を従来例の1/4に減
らすことができるとともに、マルチプレクサ用TFT素子
2と同数4個のサンプリング用TFT素子1を1組みにま
とめているため、1本のデータ入力バスライン3に対し
4連のデータを入力して、4個のサンプリング用TFT素
子1により4個のマルチプレクサ用TFT素子2を駆動し
ており、これによりデータ入力のタイミングがよくなる
という効果がある。 第10図は本発明によるデイスプレイのさらに他の実施
例を示す信号側駆動回路の1ブロツクの構成図である。
第10図において、24はトランスフアゲート用TFT素子、2
5はトランスフア電圧ライン、26はメモリ用静電容量、2
7はメモリ用共通配線である。この回路は第9図のサン
プリング用TFT素子1の出力部にトランスフアゲート用T
FT素子24と、同TFT素子24の各ゲート電極に電圧を印加
するトランスフア電圧ライン25と、メモリ用静電容量26
と、メモリ用共通配線27を設けて構成する。第9図の入
力部の駆動方式によりサンプリング用TFT素子1から出
力された電圧は第10図のトランスフアゲート用TFT素子2
4の入力部の静電容量7に保持され、トランスフア電圧
ライン25に印加されるトランスフア電圧によりトランス
フアゲート用TFT素子24を通して一斉に出力部のマルチ
プレクサ用TFT素子2に出力される。これにより出力部
のマルチプレクサは出力配線6から表示部12の信号配線
13へ水平走査配線14の選択期間Tscのほぼ全期間にわた
つて信号電圧を出力することが可能となるため、表示品
質の向上が期待できる効果がある。 〔発明の効果〕 本発明によれば、中間調表示デイスプレイのTFTを用
いた信号側駆動回路が簡単な回路構成で大きな表示部駆
動能力を実現でき、特に1本のデータ入力バスラインよ
り隣接複数個のサンプリング用TFT素子に連続複数個の
データをシリアルに入力する方式によりデータ入力バス
ライン数を複数分の1に低減できるとともに、出力部の
マルチプレクサをオンするマルチプレクサ用TFT素子を
組み合せて駆動する方式により多階調の表示が可能とな
るので、大面積・高精細中間調表示デイスプレイの表示
品質の向上が経済的に期待できる効果がある。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明によるデイスプレイの一実施例を示す信
号側駆動回路の1ブロツクの構成図、第2図は同じく信
号側駆動回路のブロツク構成図、第3図は第1図(第2
図)の駆動波形図、第4図は同じく中間調電圧波形図、
第5図は同じくマルチプレクサ部分構成図、第6図は第
5図の等価回路図、第7図は本発明によるデイスプレイ
の一実施例を示す構成図、第8図は第7図のデータ電圧
発生回路構成図、第9図は本発明によるデイスプレイの
他の実施例を示す信号側駆動回路の1ブロツクの構成
図、第10図は本発明によるデイスプレイのさらに他の実
施例を示す信号側駆動回路の1ブロツクの構成図、第11
図は従来のデイスプレイの一例を示す信号側駆動回路の
1ブロツクの構成図である。 1……サンプリング用TFT素子、2……マルチプレクサ
用TFT素子、3……データ入力バスライン、4……ブロ
ツク走査ライン、5……中間調電圧ライン、6……出力
配線、9……基板、10……信号側駆動回路、11……走査
側駆動回路、12……表示部。

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 1.相互に交差する複数の信号配線および走査配線とこ
    れらの交点に形成した複数のTFT素子および液晶などの
    電気光学物質とからなる表示部と、該表示部を駆動する
    信号側駆動回路および走査側駆動回路とを備えたデイス
    プレイにおいて、上記信号側駆動回路は複数のデータ入
    力ラインと複数のブロツク走査電圧ラインとの交点に形
    成した複数のサンプリング用TFT素子と、複数の中間調
    電圧ラインと上記サンプリング用TFT素子の出力との交
    点に形成した複数のマルチプレクサ用TFT素子と、該マ
    ルチプレクサ用TFT素子の出力の複数個ずつを共通結線
    して上記表示部の信号配線へ接続する出力配線とを備
    え、上記各データ入力ラインより上記サンプリングTFT
    素子の隣接複数個ずつに連続複数データをシリアルにそ
    れぞれ入力し、上記複数の中間調電圧ラインの中間調電
    圧を組み合せた階調電圧を上記各出力配線より出力する
    構成としたデイスプレイ。
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