JPH10178081A

JPH10178081A - 半導体製造方法および装置

Info

Publication number: JPH10178081A
Application number: JP33782696A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Saito; 由雄斉藤; Masayuki Tsuda; 昌之都田; Takehisa Nitta; 雄久新田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1996-12-18
Filing date: 1996-12-18
Publication date: 1998-06-30
Anticipated expiration: 2016-12-18
Also published as: JP3628825B2

Abstract

(57)【要約】【課題】搬送空間を不活性な雰囲気で高清浄な密閉空間
に維持し、半導体ウエハの汚染を大幅に低減する。【解決手段】搬送路２に設けられたノズル６から噴射
される不活性ガスにより半導体ウエハＷを浮上させなが
ら反応室３まで非接触で搬送させる。反応室３における
処理時には処理ガスノズル８から酸素ガスなどの処理ガ
スを噴射させ、半導体ウエハＷを静止浮上させ、非接触
で酸化膜の形成を行う。その後、ノズル６から不活性ガ
スの供給をし、再び非接触により半導体ウエハＷを浮上
させながら次工程まで搬送する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造方法お
よび装置に関し、特に、半導体ウエハに酸化処理を行う
酸化装置に適用して有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】本発明者が検討したところによれば、半
導体ウエハを酸化拡散する酸化拡散工程では、反応室を
縦に配置した縦型酸化装置または反応室を横に配置した
横型酸化装置が広く用いられている。

【０００３】また、これら縦型酸化装置ならびに横型酸
化装置は、半導体ウエハを、たとえば、洗浄乾燥装置を
用いて前洗浄処理を行った後、人間または専用ロボット
により半導体ウエハを反応室に挿入および引き出しする
時に使用する専用ボードに移し変え、複数枚の半導体ウ
エハを一括処理している。

【０００４】なお、この種の半導体製造装置について詳
しく述べてある例としては、平成６年９月９日、株式会
社プレスジャーナル社発行、松下晋司（編）、月刊Ｓｅ
ｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ増刊号「Ｔｈｅ
ＥＱＵＩＰＭＥＮＴ」Ｐ７２〜Ｐ７５があり、この文献
には、酸化・拡散装置の構成などが記載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な酸化装置では、次のような問題点があることが本発明
者により見い出された。

【０００６】すなわち、半導体ウエハがセットされた専
用ボードを前述した酸化装置にセットする場合には、洗
浄乾燥装置などの酸化拡散工程の前工程および後工程の
処理装置と酸化装置とが接続されておらず、半導体ウエ
ハを大気中の雰囲気にさらすことになり、半導体ウエハ
表面の異物付着などの汚染ならびに自然酸化膜の形成に
よる酸化膜の制御性の低下などが問題となっている。

【０００７】本発明の目的は、半導体ウエハの搬送空間
を不活性な雰囲気で高清浄な密閉空間に維持することに
より、半導体ウエハの汚染を大幅に低減し、自然酸化膜
の形成を確実に抑制することのできる半導体製造方法お
よび装置を提供することにある。

【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１０】すなわち、本発明の半導体製造方法は、不
活性ガスを被処理物に噴射して浮上させながら搬送させ
る気流搬送により密閉雰囲気内の搬送路を非接触で所定
の位置まで搬送する工程と、該被処理物に所定の処理ガ
スを供給しながら被処理物を加熱し、所定の処理を行う
工程とを有したものである。

【００１１】それにより、被処理物を不活性ガスの雰囲
気により搬送することができ、被処理物の汚染や異物の
付着などを防止することができる。

【００１２】また、本発明の半導体製造装置は、被処理
物に所定の処理を行う処理室と、当該被処理物を密閉雰
囲気内で非接触により所定の位置まで搬送する非接触搬
送手段とよりなるものである。

【００１３】それにより、被処理物を密閉雰囲気内の非
接触搬送手段により処理室まで搬送できるので、搬送時
における被処理物の汚染や異物の付着などを防止するこ
とができる。

【００１４】さらに、本発明の半導体製造装置は、前記
非接触搬送手段が、中空状に形成された搬送路と、当該
搬送路の内壁低面に設けられた不活性ガスを噴射する複
数の不活性ガス噴射ノズルとよりなり、当該不活性ガス
噴射ノズルにより不活性ガスを被処理物に噴射すること
によって被処理物を浮上させながら搬送するものであ
る。

【００１５】それにより、被処理物を不活性ガスによっ
て非接触で搬送するので、搬送路内を高清浄に維持する
ことができ、被処理物の汚染、異物の付着ならびに自然
酸化膜の形成を防止することができる。

【００１６】また、本発明の半導体製造装置は、前記非
接触搬送手段の一部が、処理室を兼ねた構造よりなるも
のである。

【００１７】それにより、処理室への被処理物の出し入
れなどの機構が不要となり、非接触搬送手段の機構なら
びに構成を簡単にすることができ、且つ装置を低コスト
にすることができる。

【００１８】さらに、本発明の半導体製造装置は、前記
処理室の内壁低面に、被処理物の下方から上方にかけて
処理ガスを噴射して被処理物を静止浮上させながら処理
ガスを供給する第１の処理ガス噴射ノズルを設けたもの
である。

【００１９】それにより、処理室に設けられた処理ガス
噴射ノズルによって非接触で保持されるので、処理室内
も高清浄に維持することができ、被処理物の汚染、異物
の付着ならびに自然酸化膜の形成などを防止することが
できる。

【００２０】また、本発明の半導体製造装置は、前記処
理室の内壁低面に被処理物の下方から上方の方向に所定
の傾斜を付けて処理ガスを噴射し、前記被処理物を所定
の方向に回転浮上させながら処理ガスを供給する第２の
処理ガス噴射ノズルを設けたものである。

【００２１】それにより、処理室内で被処理物を所定の
方向に回転させながら所定の処理を行うことができるの
で、被処理物の面内均一性を向上させることができる。

【００２２】以上のことにより、被処理物の汚染、異物
の付着や自然酸化膜の形成などによる製造不良などを防
止することができ、半導体装置などの製品の信頼性を向
上させることができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００２４】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１による酸化装置の構成説明図、図２は、本発明の
実施の形態１による酸化装置の要部を断面で示す説明
図、図３は、本発明の実施の形態１による酸化装置の要
部の外観斜視図である。

【００２５】本実施の形態１において、半導体ウエハ
（図２）に酸化膜を形成させる酸化装置（半導体製造装
置）１は、たとえば、酸化拡散工程の前工程である洗浄
工程に用いられる洗浄乾燥装置ＷＭと酸化拡散工程の後
工程である成膜工程に用いられるＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置ＣＳと
の間に設けられている。

【００２６】また、この酸化装置１は、洗浄乾燥装置Ｗ
ＭとＣＶＤ装置ＣＳとを接続する、たとえば、石英や炭
化シリコン（ＳｉＣ）などからなる中空状に形成された
搬送路２が設けられている。

【００２７】さらに、この搬送路２の中央部などの所定
の位置には、半導体ウエハに酸化膜を形成する、たとえ
ば、石英や炭化シリコンなどからなる、同じく中空状に
形成された反応室３が設けられている。

【００２８】さらに、酸化装置１には、図２に示すよう
に、搬送路２の所定の位置に設けられた反応室３の加熱
を行う加熱装置４が、たとえば、反応室３の上方に設け
られており、この加熱装置４は、たとえば、カンタル線
などのヒータから構成されるホットウォールタイプある
いはランプなどのコールドウォールタイプが用いられて
いる。

【００２９】また、酸化装置１は、反応室３の端部の開
口部と搬送路２とを処理時に隔離するための、たとえ
ば、ステンレス製のバルブ５が設けられ、このバルブ５
の動作は、空気の圧力によって駆動が行われるエアバル
ブなどのパーティクルの発生が少ない駆動方式により駆
動されている。

【００３０】次に、搬送路２および反応室３の内壁の下
面には、窒素（Ｎ₂)ガスなどの不活性ガスである搬送ガ
スを酸化膜の形成が行われる半導体ウエハ（被処理物）
Ｗの裏面に噴射することによって浮上させながら搬送す
るノズル（不活性ガス噴射ノズル）６が一定間隔で設け
られている。そして、これら搬送路２、反応室３ならび
にノズル６によって非接触搬送手段が構成されている。

【００３１】また、このノズル６は、半導体ウエハＷを
搬送する方向に搬送ガスを噴射させるために、半導体ウ
エハＷのそれぞれの進行方向に傾斜が付けてられてい
る。

【００３２】たとえば、この酸化装置１の搬送路２およ
び反応室３では、半導体ウエハＷを洗浄乾燥装置ＷＭ
（図１）からＣＶＤ装置ＣＳ（図１）にかけて搬送する
ので、搬送路２には半導体ウエハＷを浄乾燥装置ＷＭか
らＣＶＤ装置ＣＳに搬送する方向に搬送ガスを噴射する
ようにノズル６が設けられている。

【００３３】また、反応室３の所定の位置には、反応室
３内の排気を行う排気口が設けられ、半導体ウエハＷの
処理時に処理ガスの排気が行われるようになっている。

【００３４】さらに、ノズル６から噴射される搬送ガス
は、図３に示すように、ノズル６の下部に設けられ、ノ
ズル６と接続されている配管７によって供給され、この
配管７への搬送ガスの供給は、たとえば、制御部により
自動制御が行われている。

【００３５】また、図２において、酸化膜形成時に半導
体ウエハＷが位置する反応室３の下部の内周壁には、酸
化膜を形成するための、たとえば、酸素（Ｏ₂)ガスなど
の処理ガスを導入する処理ガスノズル（第１の処理ガス
噴射ノズル）８が設けられ、これら処理ガスノズル８も
処理ガスを供給する処理ガス配管９と接続され、前述し
た制御部によりガス供給の制御が行われている。

【００３６】次に、本実施の形態の作用について、図１
〜図３を用いて説明する。

【００３７】まず、洗浄乾燥装置ＷＭにより洗浄乾燥が
行われた半導体ウエハＷは、酸化装置１の搬送路２ま
で、たとえば、洗浄乾燥装置ＷＭに設けられた搬送用ロ
ボットなどの搬送機構により搬送される。

【００３８】そして、搬送路２には、ノズル６から搬送
ガスが噴射されており、この搬送ガスにより半導体ウエ
ハＷを浮上させながら反応室３の方向に搬送されること
になる。

【００３９】次に、半導体ウエハＷが、加熱装置４によ
り加熱された搬送室３の所定の位置まで搬送されると、
バルブ５が駆動されて反応室３を搬送路２から分離す
る。

【００４０】その後、前述した制御部がノズル６から噴
射されている搬送ガスの供給を停止し、同時に、処理ガ
スの供給を開始して、処理ガスノズル８から酸素ガスな
どの処理ガスを噴射させる。

【００４１】また、半導体ウエハＷは、反応室３の下部
から上部にかけて処理ガスが噴射するように反応室３の
下部の内周壁に設けられた処理ガスノズル８から噴射さ
れる処理ガスによって浮上しながら酸化膜が形成される
ことになる。

【００４２】ここで、反応室３の下部の内周壁に設けら
れた処理ガスノズル８の近傍には、処理ガスノズル８か
ら噴射される処理ガスによって浮上している半導体ウエ
ハＷを回転させる処理ガスノズル（第２の処理ガス噴射
ノズル）を設けてもよい。

【００４３】この処理ガスノズルは、半導体ウエハＷを
回転させる方向に傾斜して設け、半導体ウエハＷを回転
させながら酸化膜を形成させるので、内面均一性を大幅
に向上させることができる。

【００４４】また、処理ガスノズル８を設けずに、たと
えば、ノズル６を搬送ガスおよび処理ガスの両方を噴射
できる構造とし、搬送路２ではノズル６から搬送ガスを
噴射し、半導体ウエハＷが反応室３内に搬送されると、
ノズル６から処理ガスを噴射するように前述した制御部
が自動的に切り換え、半導体ウエハＷを反応室３内で移
動させながら酸化膜の形成の処理を行い、その処理が終
了すると、再び制御部がノズル６から搬送ガスを噴射す
るように切り換えて半導体ウエハＷの搬送を行うように
してもよい。

【００４５】そして、酸化膜の形成などの処理が終了す
ると、バルブ５が再び駆動され、反応室３の分離を中止
し、制御部は、処理ガスノズル８から噴射されている処
理ガスの供給を停止し、同時に、ノズル６から搬送ガス
の供給を開始する。

【００４６】ノズル６から搬送ガスの噴射が開始される
と、半導体ウエハＷは浮上しながら次工程である、たと
えば、ＣＶＤ装置ＣＳに設けられた搬送用ロボットなど
の搬送機構まで搬送が行われ、このＣＶＤ装置ＣＳによ
り所定の処理が行われることになる。

【００４７】それにより、本実施の形態１では、酸化装
置１に設けられたノズル６、処理ガスノズル８によって
非接触で搬送ならびに酸化膜形成を行うので、半導体ウ
エハＷの搬送時や処理時における汚染、異物の付着なら
びに自然酸化膜の形成を防止でき、半導体装置の信頼性
を向上させることができる。

【００４８】（実施の形態２）図４は、本発明の実施の
形態２による酸化装置の構成説明図、図５は、本発明の
実施の形態２による酸化装置の要部の断面説明図であ
る。

【００４９】本実施の形態２において、たとえば、前工
程の洗浄乾燥装置ＷＭと後工程のＣＶＤ装置ＣＳとの間
に設けられた半導体ウエハに酸化膜を形成させる酸化装
置（半導体製造装置）１ａは、搬送路２が互いに直角を
なすようにＴ字状に設けられ、Ｔ字状の縦棒に相当する
部分の端部に反応室３が位置している。

【００５０】また、反応室３の上方などの所定の位置に
は、反応室３の加熱を行う加熱装置４が設けられてお
り、この加熱装置４は、たとえば、カンタル線などのヒ
ータから構成されるホットウォールタイプあるいはラン
プなどのコールドウォールタイプが用いられている。

【００５１】さらに、酸化装置１は、図５に示すよう
に、搬送路２と反応室３を処理時に隔離するための、た
とえば、ステンレス製のバルブ５ａが設けられ、このバ
ルブ５ａの動作は、空気の圧力によって駆動が行われる
エアバルブなどのパーティクルの発生が少ない駆動方式
により駆動されている。

【００５２】また、反応室３の半導体ウエハＷを処理す
る所定の位置には、処理時に半導体ウエハＷを載置す
る、たとえば、0.３ｍｍ程度以下の突起部３ａが設けら
れている。

【００５３】さらに、反応室３の所定の位置には、処理
中に反応室３内の排気を行う排気口３ｂが設けられてい
る。

【００５４】次に、反応室３および搬送路２の下部の内
壁面には、図４、図５に示すように半導体ウエハＷを不
活性ガスなどの搬送ガスを噴射させて浮上させながら搬
送するノズル（不活性ガス噴射ノズル）６ａ，６ｂ，６
ｃ，６ｄが一定間隔で設けられている。

【００５５】そして、搬送路２、反応室３ならびにノズ
ル６ａ〜６ｄによって非接触搬送手段が構成されてい
る。

【００５６】また、このノズル６ａ〜６ｄは、半導体ウ
エハＷを搬送する方向に搬送ガスを噴射させるために、
半導体ウエハＷのそれぞれの進行方向に傾斜が付けてら
れている。

【００５７】たとえば、Ｔ字状の横棒に相当する部分の
搬送路２は、半導体ウエハＷを洗浄乾燥装置ＷＭからＣ
ＶＤ装置ＣＳにかけて移動する方向に傾斜してノズル６
ａが設けられている。

【００５８】また、搬送路２が互いに直角をなす近傍部
分には、半導体ウエハＷをＴ字状の横棒に相当する部分
の搬送路２とＴ字状の縦棒に相当する部分の搬送路２と
の間を移動させる方向に傾斜してノズル６ｂが設けられ
ている。

【００５９】さらに、Ｔ字状の縦棒に相当する部分の搬
送路２の端部に設けられている反応室３およびその近傍
の搬送路２は、反応室３に半導体ウエハＷを出し入れす
るので、半導体ウエハＷを搬送路２から反応室３に搬入
する方向に傾斜して設けられたノズル６ｃと、半導体ウ
エハＷを反応室３から搬送路に搬出する方向に傾斜して
設けられたノズル６ｄとの２種類が設けられている。

【００６０】また、ノズル６ａ〜６ｄから噴射される搬
送ガスは、たとえば、ノズル６ａ〜６ｄの下部に設けら
れ、ノズル６ａ〜６ｄと接続されている配管によって供
給されており、この配管への搬送ガスの供給は、たとえ
ば、制御部により自動制御が行われている。

【００６１】また、反応室３の所定の側面ならびに反応
室３の酸化膜形成時に半導体ウエハＷが位置する下部の
内壁面には、酸化膜を形成するための、たとえば、酸素
ガスなどの処理ガスを導入する処理ガスノズル（第１の
処理ガス噴射ノズル）８ａが設けられている。

【００６２】次に、本実施の形態の作用について説明す
る。

【００６３】まず、洗浄乾燥装置ＷＭにより洗浄乾燥が
行われた半導体ウエハＷは、酸化装置１の搬送路２ま
で、たとえば、洗浄乾燥装置ＷＭに設けられた搬送用ロ
ボットなどの搬送機構により搬送される。

【００６４】そして、搬送路２には、ノズル６ａから搬
送ガスが噴射されており、この搬送ガスにより半導体ウ
エハＷを浮上させながらＣＶＤ装置ＣＳの方向に搬送を
行う。

【００６５】次に、半導体ウエハＷが搬送路２が互いに
直角をなす近傍部分にさしかかると、半導体ウエハＷは
ノズル６ｂから噴射されている搬送ガスによりＴ字状の
縦棒に相当する部分の搬送路２に方向に転換される。

【００６６】その後、半導体ウエハＷは、ノズル６ｃか
ら噴射されている搬送ガスによって反応室３まで搬送が
行われる。また、この時、ノズル６ｄからは搬送ガスが
噴射されないように前述した制御部によって制御が行わ
れている。

【００６７】そして、加熱装置４により加熱された搬送
室３の所定の位置まで搬送されると、バルブ５が駆動さ
れて反応室３を搬送路２から分離し、制御部がノズル６
ｃから噴射されている搬送ガスの供給を停止することに
よって半導体ウエハＷを突起部３ａに載置する。

【００６８】次に、酸素ガスなどの処理ガスを供給し、
たとえば、反応室３の所定の側面の内壁面に設けられて
いる処理ガスノズル８ａから噴射させる。

【００６９】また、処理ガスは、たとえば、反応室３の
下部の内壁面に設けられた処理ガスノズル８ａを用いて
もよい。

【００７０】この場合、半導体ウエハＷは、反応室３の
下部の内周壁に設けられた処理ガスノズル８ａから噴射
される処理ガスによって浮上しながら酸化膜が形成され
ることになる。

【００７１】そして、酸化膜の形成などの処理が終了す
ると、バルブ５が再び駆動され、反応室３を開放し、制
御部は、処理ガスノズル８ａから噴射されている処理ガ
スの供給を停止し、同時に、ノズル６ｄから搬送ガスの
供給を開始する。

【００７２】ノズル６ｄから搬送ガスの噴射が開始され
ると、半導体ウエハＷは浮上しながら搬送が行われ、搬
送路２が互いに直角をなす近傍部分に半導体ウエハＷが
さしかかると、ノズル６ｂから噴射されている搬送ガス
によってＴ字状の縦棒に相当する部分の搬送路２に方向
に転換される。

【００７３】その後、Ｔ字状の縦棒に相当する部分の搬
送路２に設けられたノズル６ａから噴射される搬送ガス
によって次工程である、たとえば、ＣＶＤ装置ＣＳに設
けられた搬送用ロボットなどの搬送機構まで搬送が行わ
れ、このＣＶＤ装置ＣＳにより所定の処理が行われる。

【００７４】それにより、本実施の形態２においては、
反応室３をＴ字状の縦棒に相当する部分の端部に設ける
ことにより、酸化装置１ａをより小型化しながら半導体
ウエハＷの搬送時や処理時における汚染、異物の付着な
らびに自然酸化膜の形成を防止でき、半導体装置の信頼
性を向上させることができる。

【００７５】また、本実施の形態２では、１つの反応室
３を設けただけであったが、たとえば、図６に示すよう
に、複数のＴ字状の搬送路２を形成し、それぞれの端部
に複数の反応室３を設けることにより、半導体ウエハの
処理能力を大幅に向上させることができる。

【００７６】また、図７に示すように、バルブ５ａ（図
５）を廃止し、搬送路２と反応室３とを分離する底面に
排気口３ｃを設け、その排気口の３ｃ上方に、たとえ
ば、突起などの搬送路２と反応室３との接続空間をせば
める固定式のシャッタ１０を設けるようにしてもよい。

【００７７】この場合、シャッタ１０によって搬送路２
と反応室３との接続空間を小さくした部分を排気口３ｃ
によって排気することにより、搬送路２と反応室３との
境界部にエアカーテンが形成されて反応室３が分離され
ることになる。

【００７８】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。

【００７９】たとえば、前記実施の形態１、２では、半
導体ウエハに酸化膜を形成する酸化装置について記載し
たが、処理ガスなどを変更することにより、ＣＶＤドラ
イエッチ処理、スパッタエッチ処理ならびにアニール処
理などの各種処理やＬＣＤ（ＬｑｕｉｄＣｒｙｓｔａ
ｌＤｉｓｐｌａｙ）の製造工程などの製造装置に用い
るようにしてもよい。

【００８０】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００８１】（１）本発明によれば、被処理物を非接触
で搬送ならびに処理するので搬送路内、処理室内を高清
浄に維持することができ、被処理物の汚染や異物の付着
などを防止することができる。

【００８２】（２）また、本発明では、非接触搬送手段
の一部が処理室を兼ねることにより、半導体製造装置を
小型化で低コストとすることができる。

【００８３】（３）さらに、本発明においては、上記
（１),（２）により、半導体装置などの製品の信頼性を
向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１による酸化装置の構成説
明図である。

【図２】本発明の実施の形態１による酸化装置の要部を
断面で示す説明図である。

【図３】本発明の実施の形態１による酸化装置の要部の
外観斜視図である。

【図４】本発明の実施の形態２による酸化装置の構成説
明図である。

【図５】本発明の実施の形態２による酸化装置の要部を
断面で示す説明図である。

【図６】本発明の他の実施の形態による酸化装置の構成
説明図である。

【図７】本発明の他の実施の形態による酸化装置の要部
を断面で示す説明図である。

【符号の説明】

１酸化装置（半導体製造装置）１ａ酸化装置（半導体製造装置）２搬送路３反応室４加熱装置５バルブ６〜６ｄノズル（不活性ガス噴射ノズル）７配管８処理ガスノズル（第１の処理ガス噴射ノズル）８ａ処理ガスノズル（第１の処理ガス噴射ノズル）９処理ガス配管１０シャッタＷ半導体ウエハ（被処理物）ＷＭ洗浄乾燥装置ＣＳＣＶＤ装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】不活性ガスを被処理物に噴射して前記被
処理物を搬送させる気流搬送により密閉雰囲気となった
搬送路内を非接触で所定の位置まで搬送する工程と、前
記被処理物に所定の処理ガスを供給しながら前記被処理
物を加熱し、所定の処理を行う工程とを有したことを特
徴とする半導体製造方法。
【請求項２】被処理物に所定の処理を行う処理室と、
前記被処理物を密閉雰囲気内で非接触により所定の位置
まで搬送する非接触搬送手段とよりなることを特徴とす
る半導体製造装置。
【請求項３】請求項２記載の半導体製造装置におい
て、前記非接触搬送手段が、中空状に形成された搬送路
と、前記搬送路の内壁低面に設けられた不活性ガスを噴
射する複数の不活性ガス噴射ノズルとよりなり、前記不
活性ガス噴射ノズルにより前記不活性ガスを前記被処理
物に噴射することによって前記被処理物を浮上させなが
ら搬送することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】請求項２または３記載の半導体製造装置
において、前記非接触搬送手段の一部が、前記処理室を
兼ねた構造であることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】請求項２〜４のいずれか１項に記載の半
導体製造装置において、前記処理室の内壁低面に、前記
被処理物の下方から上方にかけて処理ガスを噴射し、前
記被処理物を静止浮上させながら処理ガスを供給する第
１の処理ガス噴射ノズルを設けたことを特徴とする半導
体製造装置。
【請求項６】請求項２〜５のいずれか１項に記載の半
導体製造装置において、前記処理室の内壁低面に、前記
被処理物の下方から上方の方向に所定の傾斜を付けて処
理ガスを噴射し、前記被処理物を所定の方向に回転浮上
させながら処理ガスを供給する第２の処理ガス噴射ノズ
ルを設けたことを特徴とする半導体製造装置。