JP2650870B2 - 赤外窓の製造方法 - Google Patents
赤外窓の製造方法Info
- Publication number
- JP2650870B2 JP2650870B2 JP7099024A JP9902495A JP2650870B2 JP 2650870 B2 JP2650870 B2 JP 2650870B2 JP 7099024 A JP7099024 A JP 7099024A JP 9902495 A JP9902495 A JP 9902495A JP 2650870 B2 JP2650870 B2 JP 2650870B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sulfide
- zinc
- gallium
- infrared window
- coprecipitate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 34
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 29
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 20
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 17
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 16
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 claims description 16
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 claims description 15
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 14
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 9
- CHPZKNULDCNCBW-UHFFFAOYSA-N gallium nitrate Chemical compound [Ga+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O CHPZKNULDCNCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical group [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229940044658 gallium nitrate Drugs 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 claims description 4
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UYJXRRSPUVSSMN-UHFFFAOYSA-P ammonium sulfide Chemical compound [NH4+].[NH4+].[S-2] UYJXRRSPUVSSMN-UHFFFAOYSA-P 0.000 claims description 2
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GLNWILHOFOBOFD-UHFFFAOYSA-N lithium sulfide Chemical compound [Li+].[Li+].[S-2] GLNWILHOFOBOFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DPLVEEXVKBWGHE-UHFFFAOYSA-N potassium sulfide Chemical compound [S-2].[K+].[K+] DPLVEEXVKBWGHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 2
- 229910052979 sodium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N sodium sulfide (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[S-2] GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 claims description 2
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 claims description 2
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 claims description 2
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 claims 2
- FYWVTSQYJIPZLW-UHFFFAOYSA-K diacetyloxygallanyl acetate Chemical compound [Ga+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O FYWVTSQYJIPZLW-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- 229910000373 gallium sulfate Inorganic materials 0.000 claims 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- SBDRYJMIQMDXRH-UHFFFAOYSA-N gallium;sulfuric acid Chemical compound [Ga].OS(O)(=O)=O SBDRYJMIQMDXRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 52
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 52
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 24
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 21
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 9
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 3
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 3
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 150000002258 gallium Chemical class 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- YZYKBQUWMPUVEN-UHFFFAOYSA-N zafuleptine Chemical compound OC(=O)CCCCCC(C(C)C)NCC1=CC=C(F)C=C1 YZYKBQUWMPUVEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N Adamantane Natural products C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JRSWPRVQXOGTBG-UHFFFAOYSA-N [He].[Zn] Chemical compound [He].[Zn] JRSWPRVQXOGTBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- BVSHTEBQPBBCFT-UHFFFAOYSA-N gallium(iii) sulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[S-2].[Ga+3].[Ga+3] BVSHTEBQPBBCFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011872 intimate mixture Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000009700 powder processing Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000009790 rate-determining step (RDS) Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 1
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 1
- -1 sodium sulfate anhydride Chemical class 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- ZPEJZWGMHAKWNL-UHFFFAOYSA-L zinc;oxalate Chemical compound [Zn+2].[O-]C(=O)C([O-])=O ZPEJZWGMHAKWNL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C4/00—Compositions for glass with special properties
- C03C4/10—Compositions for glass with special properties for infrared transmitting glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
- C01G15/006—Compounds containing, besides gallium, indium, or thallium, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G9/00—Compounds of zinc
- C01G9/08—Sulfides
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/02—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of crystals, e.g. rock-salt, semi-conductors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/208—Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に広帯域赤外窓に
係り、特に、そのような窓を低価格で製造する方法に関
する。
係り、特に、そのような窓を低価格で製造する方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】最近、自動車及び他の大量用途のための
視野強化システムを開発するための努力がとられてき
た。そのようなシステムは、赤外線(IR)検出器を採
用し、例えば他の乗物の接近を早期に警告するために用
いられている。
視野強化システムを開発するための努力がとられてき
た。そのようなシステムは、赤外線(IR)検出器を採
用し、例えば他の乗物の接近を早期に警告するために用
いられている。
【0003】赤外線発生器−検出器アセンブリ−は、一
般に赤外成分を防御し、赤外線の透過を許容する窓を採
用している。一般に、赤外窓材料としては、硫化亜鉛
(ZnS)、セレン化亜鉛(ZnSe)、及びテルル化
カドミウム(CdTe)のようなII−VI族材料が採
用されてきた。
般に赤外成分を防御し、赤外線の透過を許容する窓を採
用している。一般に、赤外窓材料としては、硫化亜鉛
(ZnS)、セレン化亜鉛(ZnSe)、及びテルル化
カドミウム(CdTe)のようなII−VI族材料が採
用されてきた。
【0004】ZnS窓は、コダック社等によりセラミッ
ク粉末のホットプレスにより製造されていた。1964
年4月28日に発行された米国特許第3,131,23
8号を参照のこと。ZnS製造のための化学的気相成長
(CVD)法の進歩は、コストが重要な問題ではない軍
事用のZnSを製造する従来の方法を置き換えた。CV
Dにより製造されたZnSは、航空機の形状の要求に沿
うため平らか又は曲面の小片の形で製造することが出来
る。しかし、CVDプロセスによると、機械的特性の改
善はなかった。事実、CVDにより製造されたZnSが
アニ−ルされたとき、可視光領域ではより透過するが、
ZnSはまたより柔軟性となる。熱処理による高温(六
方晶)ウルツ相の除去はIR透過の増加にとって重要で
あり、大粒子の成長はその材料を軟質にすると信じられ
ている。ホットプレス及びCVDによるZnSの形成の
議論については、次の文献を参照のこと。J.A.Sa
vage,Infrared Optical Mat
erials and Their Antirefl
ection Coatings,Adam Hilg
er LTD., Bristol and Bost
on (1985), pp.95−111。
ク粉末のホットプレスにより製造されていた。1964
年4月28日に発行された米国特許第3,131,23
8号を参照のこと。ZnS製造のための化学的気相成長
(CVD)法の進歩は、コストが重要な問題ではない軍
事用のZnSを製造する従来の方法を置き換えた。CV
Dにより製造されたZnSは、航空機の形状の要求に沿
うため平らか又は曲面の小片の形で製造することが出来
る。しかし、CVDプロセスによると、機械的特性の改
善はなかった。事実、CVDにより製造されたZnSが
アニ−ルされたとき、可視光領域ではより透過するが、
ZnSはまたより柔軟性となる。熱処理による高温(六
方晶)ウルツ相の除去はIR透過の増加にとって重要で
あり、大粒子の成長はその材料を軟質にすると信じられ
ている。ホットプレス及びCVDによるZnSの形成の
議論については、次の文献を参照のこと。J.A.Sa
vage,Infrared Optical Mat
erials and Their Antirefl
ection Coatings,Adam Hilg
er LTD., Bristol and Bost
on (1985), pp.95−111。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】CVDプロセスは非常
に遅く、大量生産には不適切である。そして、典型的に
は、CVDの操作には1週間を必要とする。形成された
直後のCVDZnSは、吸収欠陥の存在のため、黄色を
有する。しかし、最も重要なことは、この方法により製
造されたIR窓を大量市場用に極めて高価なものにす
る、CVD製造の固有な高コストである。
に遅く、大量生産には不適切である。そして、典型的に
は、CVDの操作には1週間を必要とする。形成された
直後のCVDZnSは、吸収欠陥の存在のため、黄色を
有する。しかし、最も重要なことは、この方法により製
造されたIR窓を大量市場用に極めて高価なものにす
る、CVD製造の固有な高コストである。
【0006】硫化亜鉛を硬化するための硫化ガリウムの
使用は、次の文献により調査されている。即ち、J.Z
hang et al, ”Solid−State
Phase Equilibria in the Z
nS−Ga2 S3 System”,Journal o
f the American Ceramic So
ciety, Vol.73,No.[6],pp.1
544−1547(1990)である。ZnS−Ga2
S3 固溶体が50%を越える硬度及び破砕靭性の増加を
生ずることが見出だされた。気孔率及び第2相材料(Z
nGa2 S4 、チオガリウム酸亜鉛)と赤外領域の透過
率との相関を示すモデルが開発された。このモデルは、
気孔率がゼロ容量%に近付き、析出物のサイズが1ミク
ロンより小さいとき、硫化亜鉛の透過特性が変化しない
であろうことを予言した。
使用は、次の文献により調査されている。即ち、J.Z
hang et al, ”Solid−State
Phase Equilibria in the Z
nS−Ga2 S3 System”,Journal o
f the American Ceramic So
ciety, Vol.73,No.[6],pp.1
544−1547(1990)である。ZnS−Ga2
S3 固溶体が50%を越える硬度及び破砕靭性の増加を
生ずることが見出だされた。気孔率及び第2相材料(Z
nGa2 S4 、チオガリウム酸亜鉛)と赤外領域の透過
率との相関を示すモデルが開発された。このモデルは、
気孔率がゼロ容量%に近付き、析出物のサイズが1ミク
ロンより小さいとき、硫化亜鉛の透過特性が変化しない
であろうことを予言した。
【0007】Zhank et alの仕事は、バルク
の硫化亜鉛材料中への硫化ガリウムの添加に限定され
た。彼等は第2相としてチオガリウム酸亜鉛を形成する
手段を確立するため、ガリウムと硫化亜鉛との2相系の
相平衡についての追加の仕事を発行した。硫化亜鉛中の
ガリウムのための固溶体領域は、1,025℃の立方晶
から六方晶への相転移温度より低い温度で減少すること
がわかる。このように、低い温度では、W.W.Che
n et alらによる“Experimental
and Theoretical Studies o
f Second−Phase Scattering
in IR TransmittingZnS−Ba
sed Windouws”,Proceedings
ofSOIE, San Diego(1991)”
に記載されているように、ガリウムは第2相であるチオ
ガリウム酸亜鉛(ZnGa2 S4 )として析出すること
が考えられる。
の硫化亜鉛材料中への硫化ガリウムの添加に限定され
た。彼等は第2相としてチオガリウム酸亜鉛を形成する
手段を確立するため、ガリウムと硫化亜鉛との2相系の
相平衡についての追加の仕事を発行した。硫化亜鉛中の
ガリウムのための固溶体領域は、1,025℃の立方晶
から六方晶への相転移温度より低い温度で減少すること
がわかる。このように、低い温度では、W.W.Che
n et alらによる“Experimental
and Theoretical Studies o
f Second−Phase Scattering
in IR TransmittingZnS−Ba
sed Windouws”,Proceedings
ofSOIE, San Diego(1991)”
に記載されているように、ガリウムは第2相であるチオ
ガリウム酸亜鉛(ZnGa2 S4 )として析出すること
が考えられる。
【0008】低コストIR窓は、自動車及び他の大量用
途のための達成可能な視野強化システムを市販し得るた
めに、絶対に必要である。IR窓のコストは、一般的用
途にIRデバイスを提供する上で主要な因子である。運
転する公衆への潜在的安全性の利益には大きなものがあ
る。もしそのようなデバイスがリ−ゾナブルな価格で利
用し得るならば、多くの命が救われ、自動車の無用な破
壊が防止され得るであろう。
途のための達成可能な視野強化システムを市販し得るた
めに、絶対に必要である。IR窓のコストは、一般的用
途にIRデバイスを提供する上で主要な因子である。運
転する公衆への潜在的安全性の利益には大きなものがあ
る。もしそのようなデバイスがリ−ゾナブルな価格で利
用し得るならば、多くの命が救われ、自動車の無用な破
壊が防止され得るであろう。
【0009】従って、低コストIR窓の製造の必要が存
在する。
在する。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明によると、低価格
の広帯域赤外窓を製造する方法が提供される。この窓製
造方法は、窓材料の粉砕及び加工のコストを大きく減少
させるニアネットシェイプのプロセスを含む。硫化亜鉛
(ZnS)IR窓の製造は、高価なCVD法を避けるた
めに、セラミック粉末加工を用いる。更に、本発明は、
粉末プロセスの一部として、CVDで製造されたアンド
−プトZnSに匹敵するIR透過性能を有する、ZnS
を硬化させ、強化する手段を含む。
の広帯域赤外窓を製造する方法が提供される。この窓製
造方法は、窓材料の粉砕及び加工のコストを大きく減少
させるニアネットシェイプのプロセスを含む。硫化亜鉛
(ZnS)IR窓の製造は、高価なCVD法を避けるた
めに、セラミック粉末加工を用いる。更に、本発明は、
粉末プロセスの一部として、CVDで製造されたアンド
−プトZnSに匹敵するIR透過性能を有する、ZnS
を硬化させ、強化する手段を含む。
【0011】本発明に用いられる組成の修正は、ZnS
を強化し、硬化させる作用を行う第2相として、硫化ガ
リウム(Ga2 S3 )の導入を含む。本発明は、析出物
を非常に小さいサイズに制御する手段によって、IR透
過特性を劣化させることなく硬化効果を達成する。同時
に、IRの透過を大きく劣化させる気孔率は、十分な緻
密化により最小とされる。1つの態様では、原料のコス
トを下げるために及びその後のセラミックプロセスのた
めの適切なサブミクロン前駆体を得るために、共析出プ
ロセスによりガリウムがZnSに導入される。ガリウム
がド−プされたZnSは、次いで緻密化されてIR窓に
され、アニ−ルにより硬化相として第2相であるチオガ
リウム酸亜鉛(ZnGa2 S4 )が析出される。或い
は、ガリウム金属はアニ−ル前に緻密化されたZnS上
に堆積される。そのとき、アニ−ル操作はチオガリウム
酸亜鉛を形成する。
を強化し、硬化させる作用を行う第2相として、硫化ガ
リウム(Ga2 S3 )の導入を含む。本発明は、析出物
を非常に小さいサイズに制御する手段によって、IR透
過特性を劣化させることなく硬化効果を達成する。同時
に、IRの透過を大きく劣化させる気孔率は、十分な緻
密化により最小とされる。1つの態様では、原料のコス
トを下げるために及びその後のセラミックプロセスのた
めの適切なサブミクロン前駆体を得るために、共析出プ
ロセスによりガリウムがZnSに導入される。ガリウム
がド−プされたZnSは、次いで緻密化されてIR窓に
され、アニ−ルにより硬化相として第2相であるチオガ
リウム酸亜鉛(ZnGa2 S4 )が析出される。或い
は、ガリウム金属はアニ−ル前に緻密化されたZnS上
に堆積される。そのとき、アニ−ル操作はチオガリウム
酸亜鉛を形成する。
【0012】本発明の方法は、(a)(1)液体媒体中
に硫化物、亜鉛塩、及びガリウムド−パントの共析出物
を形成する工程、(2)この共析出物をダイ内で圧縮す
る工程、及び(3)圧縮された共析出物を熱間等静圧圧
縮により緻密化して緻密体を形成する工程、又は (b)(1)液体媒体中に硫化物、及び亜鉛塩の共析出
物を形成する工程、(2)この共析出物をダイ内で圧縮
する工程、(3)圧縮された共析出物を熱間等静圧圧縮
により緻密化して緻密体を形成する工程、及び(4)緻
密体の少なくとも1つの表面にガリウム金属の層を堆積
する工程、及び (c)緻密体をアニ−ルして、硬化相としてチオガリウ
ム酸亜鉛を含む第2相を形成する工程を具備する。
に硫化物、亜鉛塩、及びガリウムド−パントの共析出物
を形成する工程、(2)この共析出物をダイ内で圧縮す
る工程、及び(3)圧縮された共析出物を熱間等静圧圧
縮により緻密化して緻密体を形成する工程、又は (b)(1)液体媒体中に硫化物、及び亜鉛塩の共析出
物を形成する工程、(2)この共析出物をダイ内で圧縮
する工程、(3)圧縮された共析出物を熱間等静圧圧縮
により緻密化して緻密体を形成する工程、及び(4)緻
密体の少なくとも1つの表面にガリウム金属の層を堆積
する工程、及び (c)緻密体をアニ−ルして、硬化相としてチオガリウ
ム酸亜鉛を含む第2相を形成する工程を具備する。
【0013】共析出工程又はその後の緻密化工程のいず
れかにおいて、材料中にガリウムド−パントが導入され
る。もし共析出工程において導入されるならば、ガリウ
ム塩が硫化物及び亜鉛塩と結合する。緻密化後に導入さ
れるならば、緻密化されたZnSの表面へのガリウム金
属の蒸着が行われ、次いでアニ−ルされて、アニ−ルの
温度及び時間に応じた深さまで拡散される。
れかにおいて、材料中にガリウムド−パントが導入され
る。もし共析出工程において導入されるならば、ガリウ
ム塩が硫化物及び亜鉛塩と結合する。緻密化後に導入さ
れるならば、緻密化されたZnSの表面へのガリウム金
属の蒸着が行われ、次いでアニ−ルされて、アニ−ルの
温度及び時間に応じた深さまで拡散される。
【0014】本発明の主要な利点は、同じIR透過特性
を維持しつつ、改良された強度を有する低価格IR窓を
達成することである。より低い価格は、より高い潜在的
大量生産、より短いサイクル時間の操作工程の使用によ
り、高価なCVDプロセスの必要性を除去することによ
り、ニアネットシェイプの形状に成型して加工の必要性
をなくすことにより、そして比較的軟質で弱いZnSI
R窓を防御するための硬質被覆の必要性を減少させるこ
とにより達成される。
を維持しつつ、改良された強度を有する低価格IR窓を
達成することである。より低い価格は、より高い潜在的
大量生産、より短いサイクル時間の操作工程の使用によ
り、高価なCVDプロセスの必要性を除去することによ
り、ニアネットシェイプの形状に成型して加工の必要性
をなくすことにより、そして比較的軟質で弱いZnSI
R窓を防御するための硬質被覆の必要性を減少させるこ
とにより達成される。
【0015】気孔率と赤外領域の透過との関係を示すた
め、上述のチェン(Chen)及びダン(Dunn)に
より開発されたモデルは、図1に示されている。このモ
デルは、気孔率がゼロに近付き、ZnGa2 S4 の析出
が1ミクロン未満では、図2及び3に示すように、硫化
ガリウムの添加は透過特性を劣化させないであろう。
め、上述のチェン(Chen)及びダン(Dunn)に
より開発されたモデルは、図1に示されている。このモ
デルは、気孔率がゼロに近付き、ZnGa2 S4 の析出
が1ミクロン未満では、図2及び3に示すように、硫化
ガリウムの添加は透過特性を劣化させないであろう。
【0016】特に、図1において、残留気孔率を除去す
ることの重要性は、透過率対IRの波長のプロットにお
いて示されている。透過率曲線は、99.00〜99.
99%の理論的密度を有する仮説のZnS窓についてす
べて計算されている。
ることの重要性は、透過率対IRの波長のプロットにお
いて示されている。透過率曲線は、99.00〜99.
99%の理論的密度を有する仮説のZnS窓についてす
べて計算されている。
【0017】図2は、透過率に対する気孔サイズの効果
を示している。1μmの気孔サイズは多くの散乱を生ぜ
しめるので、ほぼすべての波長8μm以下のIRの透過
が除去される。しかし、気孔サイズが0.025μmほ
ど小さいと、透過率は理論的レベルのほぼ70〜75%
である。
を示している。1μmの気孔サイズは多くの散乱を生ぜ
しめるので、ほぼすべての波長8μm以下のIRの透過
が除去される。しかし、気孔サイズが0.025μmほ
ど小さいと、透過率は理論的レベルのほぼ70〜75%
である。
【0018】図3は、1、2、及び5モル%の理論的添
加量のチオガリウム酸亜鉛についての波長に体するIR
透過を示している。このプロットは計算された曲線では
あるが、チオガリウム酸亜鉛第2相の存在下でさえ、I
Rの透過を維持し得ることを示している。
加量のチオガリウム酸亜鉛についての波長に体するIR
透過を示している。このプロットは計算された曲線では
あるが、チオガリウム酸亜鉛第2相の存在下でさえ、I
Rの透過を維持し得ることを示している。
【0019】本発明の方法では、硫化亜鉛結晶格子の一
体的部分としてガリウムの共析出により硫化亜鉛を硬化
させるために添加されている。(Zn,Ga)S固溶体
は、次いで、バルク成分、表面濃縮成分、又は濃度勾配
の一部として純ZnSと混合され得る。
体的部分としてガリウムの共析出により硫化亜鉛を硬化
させるために添加されている。(Zn,Ga)S固溶体
は、次いで、バルク成分、表面濃縮成分、又は濃度勾配
の一部として純ZnSと混合され得る。
【0020】IR窓、特にZnS窓を製造するための従
来のCVDプロセスは、高価であり、窓1つあたり40
〜80ドル(1993年ドル)であり、遅く、かつ少量
生産に導く。これに対し、本発明の方法は比較的安価で
あり、窓1つあたり15〜25ドルであり、大量生産に
導く。加えて、大量生産のための装置のスケ−ルアップ
の主要なコストは、CVDプロセスの場合と比較して、
本発明の方法によると非常に少ない。
来のCVDプロセスは、高価であり、窓1つあたり40
〜80ドル(1993年ドル)であり、遅く、かつ少量
生産に導く。これに対し、本発明の方法は比較的安価で
あり、窓1つあたり15〜25ドルであり、大量生産に
導く。加えて、大量生産のための装置のスケ−ルアップ
の主要なコストは、CVDプロセスの場合と比較して、
本発明の方法によると非常に少ない。
【0021】従来のCVDプロセスは、溶融Znとガス
状硫化水素(H2 S)から開始される。これらの反応体
は、約1週間かかるむしろ遅い堆積プロセスでZnSの
窓を形成するために使用される。得られたCVDZnS
は、次いでアニ−ルされ、加工され、粉砕され、研磨さ
れる。次いで、窓に硬質被覆が付与され、更に反射防止
被覆が形成される。化学的蒸着は、このプロセスでは律
速段階である。
状硫化水素(H2 S)から開始される。これらの反応体
は、約1週間かかるむしろ遅い堆積プロセスでZnSの
窓を形成するために使用される。得られたCVDZnS
は、次いでアニ−ルされ、加工され、粉砕され、研磨さ
れる。次いで、窓に硬質被覆が付与され、更に反射防止
被覆が形成される。化学的蒸着は、このプロセスでは律
速段階である。
【0022】本発明のニアネットシェイプ(粉末)プロ
セスは、非常に小さい粒径のZnS粒子(0.2μm未
満)を形成するために、第1の共析出を含む。本発明の
好ましい態様に使用される反応体は、水溶液中の硫化ナ
トリウム及び酢酸亜鉛である。しかし、本発明の実施に
おいては、硫化アンモニウム、硫化リチウム、硫化カリ
ウム、硫化水素のような他の硫化物、及び硝酸亜鉛、塩
化亜鉛、及び硫酸亜鉛のような他の亜鉛塩を採用しても
よい。
セスは、非常に小さい粒径のZnS粒子(0.2μm未
満)を形成するために、第1の共析出を含む。本発明の
好ましい態様に使用される反応体は、水溶液中の硫化ナ
トリウム及び酢酸亜鉛である。しかし、本発明の実施に
おいては、硫化アンモニウム、硫化リチウム、硫化カリ
ウム、硫化水素のような他の硫化物、及び硝酸亜鉛、塩
化亜鉛、及び硫酸亜鉛のような他の亜鉛塩を採用しても
よい。
【0023】pH、濃度、温度、生成物除去速度、及び
混合条件を制御することにより、粒径分布を制御するこ
とが出来る。本発明の方法は、反応容器中へのH2 Sの
導入の必要性を避けるものである。しかし、H2 Sは、
副生成物として生成され、回収され、稀薄水酸化ナトリ
ウム溶液を用いて中和される。その化学反応は次の通り
である。
混合条件を制御することにより、粒径分布を制御するこ
とが出来る。本発明の方法は、反応容器中へのH2 Sの
導入の必要性を避けるものである。しかし、H2 Sは、
副生成物として生成され、回収され、稀薄水酸化ナトリ
ウム溶液を用いて中和される。その化学反応は次の通り
である。
【0024】 Na 2 S + Zn(酢酸塩) 2 → ZnS↓ + 2Na(酢酸塩) 次いで、 ZnS + H 2 O → ZnO + H2 S↑ 硫化物と亜鉛塩の濃度は、それぞれ約0.02〜0.5
モルである。次の矛盾が生ずる。即ち、濃度が低くなる
と、より小さい粒径の共析出が促進され、一方、より高
い濃度は、より高い収率を促進する。これは、大量の水
溶液の取扱により生ずる機械的損失による。これらを均
衡させる最適な濃度は、約0.4モルである。化学量論
的反応に対しては、硫化物及び亜鉛塩は、1:1の原子
硫黄:原子亜鉛の比を達成するために、同一の濃度を採
用することが好ましい。
モルである。次の矛盾が生ずる。即ち、濃度が低くなる
と、より小さい粒径の共析出が促進され、一方、より高
い濃度は、より高い収率を促進する。これは、大量の水
溶液の取扱により生ずる機械的損失による。これらを均
衡させる最適な濃度は、約0.4モルである。化学量論
的反応に対しては、硫化物及び亜鉛塩は、1:1の原子
硫黄:原子亜鉛の比を達成するために、同一の濃度を採
用することが好ましい。
【0025】共析出プロセスは、ド−パントであるガリ
ウム(Ga)の導入に導く。Gaは、ZnSの機械的強
度である破砕靭性、及び硬度を実質的に50%改善する
ことが示されている。
ウム(Ga)の導入に導く。Gaは、ZnSの機械的強
度である破砕靭性、及び硬度を実質的に50%改善する
ことが示されている。
【0026】ガリウムは、硫化物及び亜鉛塩の混合物
に、ガリウムの硝酸塩、酢酸塩、塩化物、及び硫酸塩の
ようなガリウム塩の1〜9モル%を添加することにより
導入される。このガリウムの添加は、適当な比での亜鉛
塩との混合である。得られた析出物は、遠心分離器によ
り遠心分離され、別の水洗及び遠心分離操作により副生
成物である酢酸ナトリウムが除去される。
に、ガリウムの硝酸塩、酢酸塩、塩化物、及び硫酸塩の
ようなガリウム塩の1〜9モル%を添加することにより
導入される。このガリウムの添加は、適当な比での亜鉛
塩との混合である。得られた析出物は、遠心分離器によ
り遠心分離され、別の水洗及び遠心分離操作により副生
成物である酢酸ナトリウムが除去される。
【0027】このプロセスのその後の工程は、それがコ
−ルドプレスならば焼結中での予想される収縮に対する
許容度をもって、ダイにおける所望の形状への圧縮であ
る。ホットプレスは収縮を生ずることはなく、そのため
ダイは、ネットシェイプの、所望の窓構造のサイズとす
ることが出来る。
−ルドプレスならば焼結中での予想される収縮に対する
許容度をもって、ダイにおける所望の形状への圧縮であ
る。ホットプレスは収縮を生ずることはなく、そのため
ダイは、ネットシェイプの、所望の窓構造のサイズとす
ることが出来る。
【0028】ホットプレスは、約500〜980℃の温
度、約2,000〜25,000psi(140.6〜
1,758.5Kg/cm2 )の圧力、約5〜240分
の時間、行なわれる。ホットプレスは、50ミリトル以
下のオ−ダ−の機械的ポンプにより引かれた、真空中で
行なわれる。
度、約2,000〜25,000psi(140.6〜
1,758.5Kg/cm2 )の圧力、約5〜240分
の時間、行なわれる。ホットプレスは、50ミリトル以
下のオ−ダ−の機械的ポンプにより引かれた、真空中で
行なわれる。
【0029】約500℃未満の温度では、材料は塑性と
してではなく、充分に緻密な材料を構成する。上限より
高い温度では、約1,020℃で立方晶から六方晶への
相転移があり、これは避けなければならない。
してではなく、充分に緻密な材料を構成する。上限より
高い温度では、約1,020℃で立方晶から六方晶への
相転移があり、これは避けなければならない。
【0030】2,000psi(140.6Kg/cm
2 )未満の圧力は、開気孔を有し、緻密性が低い圧縮物
を生じ、一方、約25,000psi(1,758.5
Kg/cm2 )を越える圧力は、高価なダイを必要と
し、本発明の実施には不必要である。
2 )未満の圧力は、開気孔を有し、緻密性が低い圧縮物
を生じ、一方、約25,000psi(1,758.5
Kg/cm2 )を越える圧力は、高価なダイを必要と
し、本発明の実施には不必要である。
【0031】ホットプレスとは別のプロセスでは、共析
出された粉末は、コ−ルドプレスされ、次いで真空焼結
される。コ−ルドプレスは、室温から約300℃の温
度、約5,000〜40,000psi(351.5〜
1,212Kg/cm2 )の圧力で、約10分から2時
間行なわれる。
出された粉末は、コ−ルドプレスされ、次いで真空焼結
される。コ−ルドプレスは、室温から約300℃の温
度、約5,000〜40,000psi(351.5〜
1,212Kg/cm2 )の圧力で、約10分から2時
間行なわれる。
【0032】本発明の他の特徴は、研磨されたダイプラ
テンの使用にあり、そのため、最終製品が研磨の少ない
必要性をもって複製される。ダイプラテンは、0.5μ
mサイズの硬質材料を用いて研磨される。ネットシェイ
プ及びサイズに成形することにより、CVDプロセスの
場合に必要とする初期の加工の必要性が除去される。
テンの使用にあり、そのため、最終製品が研磨の少ない
必要性をもって複製される。ダイプラテンは、0.5μ
mサイズの硬質材料を用いて研磨される。ネットシェイ
プ及びサイズに成形することにより、CVDプロセスの
場合に必要とする初期の加工の必要性が除去される。
【0033】約800〜1,015℃の温度、約5,0
00〜60,000psi(351.5〜4,218K
g/cm2 )の圧力、約5〜360分の時間、アルゴン
又は窒素のような不活性雰囲気内での熱間等静圧圧縮
(HIP)により、十分な理論的密度まで緻密化するこ
とにより、気孔は除去される。
00〜60,000psi(351.5〜4,218K
g/cm2 )の圧力、約5〜360分の時間、アルゴン
又は窒素のような不活性雰囲気内での熱間等静圧圧縮
(HIP)により、十分な理論的密度まで緻密化するこ
とにより、気孔は除去される。
【0034】次いで、その後のアニ−ルにより、所望の
チオガリウム酸亜鉛相が達成される。アニ−ルは熱間等
静圧圧縮中により行なうことが出来る。あるいは、この
装置の利用を最大にするために、雰囲気が制御された別
の炉でアニ−ルを実施することが出来る。アニ−ルは、
約550〜850℃の温度、約1〜4時間、行なわれ
る。硫化亜鉛の窓の酸化は、不活性又は還元雰囲気の使
用により防止され、適切な雰囲気としては、アルゴンが
挙げられる。
チオガリウム酸亜鉛相が達成される。アニ−ルは熱間等
静圧圧縮中により行なうことが出来る。あるいは、この
装置の利用を最大にするために、雰囲気が制御された別
の炉でアニ−ルを実施することが出来る。アニ−ルは、
約550〜850℃の温度、約1〜4時間、行なわれ
る。硫化亜鉛の窓の酸化は、不活性又は還元雰囲気の使
用により防止され、適切な雰囲気としては、アルゴンが
挙げられる。
【0035】粒子サイズは、より低い圧縮温度及びより
短い浸漬時間を用いることにより、小さく維持すること
が出来る。矛盾は、許容し得るIRの透過とともに充分
緻密なZnSを達成するためには、最低の温度と最小の
時間が必要であることである。
短い浸漬時間を用いることにより、小さく維持すること
が出来る。矛盾は、許容し得るIRの透過とともに充分
緻密なZnSを達成するためには、最低の温度と最小の
時間が必要であることである。
【0036】他の態様では、共析出工程ではガリウムド
−パントは結合されない。むしろ、硫化物と亜鉛塩のみ
が共析出され、共析出物はホットプレスされ、次いで熱
間等静圧圧縮される。この緻密化に引き続き、ZnS体
の表面にガリウム金属が蒸着され、次いで上述の条件で
アニ−ルされ、ガリウム金属が時間及び温度に対応する
深さに拡散され、それによって表面チオガリウム酸亜鉛
相が形成される。
−パントは結合されない。むしろ、硫化物と亜鉛塩のみ
が共析出され、共析出物はホットプレスされ、次いで熱
間等静圧圧縮される。この緻密化に引き続き、ZnS体
の表面にガリウム金属が蒸着され、次いで上述の条件で
アニ−ルされ、ガリウム金属が時間及び温度に対応する
深さに拡散され、それによって表面チオガリウム酸亜鉛
相が形成される。
【0037】このように、本発明の全プロセスは、従来
のCVDプロセスよりもかなり短いことがわかる。
のCVDプロセスよりもかなり短いことがわかる。
【0038】HIPがホットプレスにおいて残留する気
孔を除去した後に本発明から生じたIR透過の改良は、
図4に示されている。曲線10及び12は、本発明のプ
ロセスの一部を採用する、反射防止(A−R)被覆のな
いIR窓の結果を示している。曲線10は、HIPサイ
クルを伴うIR窓の透過率とホットプレスのみの後のI
R窓の透過率(曲線12)とを比較しており、両方とも
同一のサンプルについて測定されている。CVD処理さ
れたIR窓の透過率が、比較のために含まれている(図
14)。ゴ−ルは、A−R被覆のない場合の60%の透
過率である。HIPサイクルは、サイクルの一部として
アニ−ル工程を含む。アニ−ルは、HIP炉の冷却中に
サンプルを550℃で2時間保持することを含む。
孔を除去した後に本発明から生じたIR透過の改良は、
図4に示されている。曲線10及び12は、本発明のプ
ロセスの一部を採用する、反射防止(A−R)被覆のな
いIR窓の結果を示している。曲線10は、HIPサイ
クルを伴うIR窓の透過率とホットプレスのみの後のI
R窓の透過率(曲線12)とを比較しており、両方とも
同一のサンプルについて測定されている。CVD処理さ
れたIR窓の透過率が、比較のために含まれている(図
14)。ゴ−ルは、A−R被覆のない場合の60%の透
過率である。HIPサイクルは、サイクルの一部として
アニ−ル工程を含む。アニ−ルは、HIP炉の冷却中に
サンプルを550℃で2時間保持することを含む。
【0039】本発明におけるGaのド−ピングによる表
面硬化の効果は、実際にIR透過率を増加させることで
ある。屈折率のすこしの減少が、図5に示されている、
この改良に寄与しているかどうかは明確ではない。曲線
16は、アニ−ルにより発生したチオガリウム酸亜鉛第
2相による改良を示している。
面硬化の効果は、実際にIR透過率を増加させることで
ある。屈折率のすこしの減少が、図5に示されている、
この改良に寄与しているかどうかは明確ではない。曲線
16は、アニ−ルにより発生したチオガリウム酸亜鉛第
2相による改良を示している。
【0040】特に、より低い曲線(曲線10)は、圧縮
され、熱間等静圧圧縮され、研磨された、アルドリッチ
(Aldrich )社から市販されている、一般に製
造されたZnS粉末から誘導されたものである。次のよ
り高い透過率の曲線(曲線16)は、曲線10を生成す
るために使用された同一のサンプルがGa金属の蒸着に
供された後の透過率であり、次いで、GaをZnS中に
拡散させ、チオガリウム塩亜鉛を形成するために、溶融
石英管内でアニ−ルされる。アニ−ルは、不活性雰囲気
(アルゴン)中、650℃で行なわれた。全スペクトル
にわたって約10%透過率が改善されたという事実は、
低い屈折率を有する相の形成によるものであった。しか
し、最も重要なことには、少なくともIR透過率は硬化
プロセスにより劣化されなかった。
され、熱間等静圧圧縮され、研磨された、アルドリッチ
(Aldrich )社から市販されている、一般に製
造されたZnS粉末から誘導されたものである。次のよ
り高い透過率の曲線(曲線16)は、曲線10を生成す
るために使用された同一のサンプルがGa金属の蒸着に
供された後の透過率であり、次いで、GaをZnS中に
拡散させ、チオガリウム塩亜鉛を形成するために、溶融
石英管内でアニ−ルされる。アニ−ルは、不活性雰囲気
(アルゴン)中、650℃で行なわれた。全スペクトル
にわたって約10%透過率が改善されたという事実は、
低い屈折率を有する相の形成によるものであった。しか
し、最も重要なことには、少なくともIR透過率は硬化
プロセスにより劣化されなかった。
【0041】チオガリウム塩亜鉛によるバルクの強靭化
について、硬度の改良を表1に示す。
について、硬度の改良を表1に示す。
【0042】 表I ZnSについてのミクロ押込硬度の測定 材料 プロセス 硬度 II- VI−アンド−プト CVD−ベ−スライン 1.95±0.03 未処理 ホットプレス 1.92±0.03 未処理 ホットプレス 2.44±0.02 1%バルクド−ピング HIP 2.54±0.05 9%バルクド−ピング HIP 3.08±0.24 実験は、このプロセスを示すことによって本発明を実施
せしめるものである。本発明の好ましい態様を用いた結
果として、透過率及び硬度に測定可能な改良が観察され
た。
せしめるものである。本発明の好ましい態様を用いた結
果として、透過率及び硬度に測定可能な改良が観察され
た。
【0043】本発明では、表面拡散イオン又は表面被覆
としてガリウムが添加された。表面がド−プされたZn
Sの微細構造を分析するために、走査型電子顕微鏡が使
用された。同一の領域の電子分散X線(EDAX)イオ
ンマップオ−バ−レイにより決定されたように、ZnS
へのガリウムの拡散の程度は、約40μmであることが
わかった。本発明において、ガリウムを導入する他の低
コストの方法は、硫化亜鉛と硫化ガリウムの緊密な混合
物を形成する硫化亜鉛結晶格子の一体的部分としてガリ
ウムの共析出の方法である。亜鉛及び硫化ガリウムは、
次いでバルク成分として、又は表面濃縮成分として、純
ZnSと混合され得る。
としてガリウムが添加された。表面がド−プされたZn
Sの微細構造を分析するために、走査型電子顕微鏡が使
用された。同一の領域の電子分散X線(EDAX)イオ
ンマップオ−バ−レイにより決定されたように、ZnS
へのガリウムの拡散の程度は、約40μmであることが
わかった。本発明において、ガリウムを導入する他の低
コストの方法は、硫化亜鉛と硫化ガリウムの緊密な混合
物を形成する硫化亜鉛結晶格子の一体的部分としてガリ
ウムの共析出の方法である。亜鉛及び硫化ガリウムは、
次いでバルク成分として、又は表面濃縮成分として、純
ZnSと混合され得る。
【0044】
実施例1 0.7モル(153g)の酢酸亜鉛(酢酸亜鉛2水和
物、スペクトルZ1045)、脱ガスされたH2 Oの1
リットル中0.028モル(10.2g)の硝酸ガリウ
ム(硝酸ガリウム6水和物、Johnson Math
ey11150)を、脱ガスされたH2 Oの1リットル
中0.728モル(175g)の硫酸ナトリウム(硫酸
ナトリウム無水物、スペクトルS1465)と混合し、
次いで2.5リットルの脱ガスされたH2 Oを加え、機
械的に撹拌した。添加期間は1時間であった。析出媒体
中に常に過剰の塩基溶液(硫化物)を有するように、注
意が払われた。2個の1リットルの容器内のスラリ−を
遠心分離器により濃縮して(3,000rpmで15分
間)、粉末を分離した。遠心分離された粉末を連続した
振とう及び遠心分離により、脱ガスされたH2 Oを用い
て5回水洗した。
物、スペクトルZ1045)、脱ガスされたH2 Oの1
リットル中0.028モル(10.2g)の硝酸ガリウ
ム(硝酸ガリウム6水和物、Johnson Math
ey11150)を、脱ガスされたH2 Oの1リットル
中0.728モル(175g)の硫酸ナトリウム(硫酸
ナトリウム無水物、スペクトルS1465)と混合し、
次いで2.5リットルの脱ガスされたH2 Oを加え、機
械的に撹拌した。添加期間は1時間であった。析出媒体
中に常に過剰の塩基溶液(硫化物)を有するように、注
意が払われた。2個の1リットルの容器内のスラリ−を
遠心分離器により濃縮して(3,000rpmで15分
間)、粉末を分離した。遠心分離された粉末を連続した
振とう及び遠心分離により、脱ガスされたH2 Oを用い
て5回水洗した。
【0045】800〜950℃で30〜180分の滞留
時間、ホットプレスを行なった。熱間等静圧圧縮の条件
は、825〜995℃で25,000〜30,000
(1,757.5〜2,109Kg/cm2 )の圧力、
及び20〜120分の滞留時間であった。塊状化の問題
により、理論的密度は達成されなかった。しかし、硬度
は典型的には表Iに示されている。
時間、ホットプレスを行なった。熱間等静圧圧縮の条件
は、825〜995℃で25,000〜30,000
(1,757.5〜2,109Kg/cm2 )の圧力、
及び20〜120分の滞留時間であった。塊状化の問題
により、理論的密度は達成されなかった。しかし、硬度
は典型的には表Iに示されている。
【0046】実施例2 脱ガスされたH2 Oの1.5リットル中1.46モル
(320g)の酢酸亜鉛(酢酸亜鉛2水和物、スペクト
ルZ1045)及び脱ガスされたH2 Oの1.5リット
ル中1.5モル(360g)の硫酸ナトリウム(硫酸ナ
トリウム無水物、スペクトルS1465)を2リットル
のH2 Oに加え、撹拌した。残りの析出及び緻密化工程
は、実施例1と同様に行なわれた。硬度は典型的には表
Iに示されている。
(320g)の酢酸亜鉛(酢酸亜鉛2水和物、スペクト
ルZ1045)及び脱ガスされたH2 Oの1.5リット
ル中1.5モル(360g)の硫酸ナトリウム(硫酸ナ
トリウム無水物、スペクトルS1465)を2リットル
のH2 Oに加え、撹拌した。残りの析出及び緻密化工程
は、実施例1と同様に行なわれた。硬度は典型的には表
Iに示されている。
【0047】このように、赤外窓の製造方法が説明され
た。本発明の範囲を逸脱することなく、様々な修正及び
変形が可能であることは、当業者に明らかであろう。そ
のような修正及び変形は、特許請求の範囲に記載する発
明の範囲内のものである。
た。本発明の範囲を逸脱することなく、様々な修正及び
変形が可能であることは、当業者に明らかであろう。そ
のような修正及び変形は、特許請求の範囲に記載する発
明の範囲内のものである。
【図1】透過率と波長(μm)の座標上にとる、体積分
率気孔率の関数としての、0.3μmの気孔を含む2m
mの厚さの仮説のZnS平行スラブの透過率曲線のプロ
ット。
率気孔率の関数としての、0.3μmの気孔を含む2m
mの厚さの仮説のZnS平行スラブの透過率曲線のプロ
ット。
【図2】透過率と波長(μm)の座標上にとる、ZnG
a2 S4 粒子のサイズの関数としての、固定された5モ
ル%を含む2mmの厚さの仮説のZnS平行スラブの透
過率曲線のプロット。
a2 S4 粒子のサイズの関数としての、固定された5モ
ル%を含む2mmの厚さの仮説のZnS平行スラブの透
過率曲線のプロット。
【図3】透過率と波長(μm)の座標上にとる、モル%
の関数としての、ほぼ500オングストロ−ム(50n
m)径のZnGa2 S4 粒子を含む2mmの厚さの仮説
のZnS平行スラブの透過率曲線のプロット。
の関数としての、ほぼ500オングストロ−ム(50n
m)径のZnGa2 S4 粒子を含む2mmの厚さの仮説
のZnS平行スラブの透過率曲線のプロット。
【図4】透過率と波長(μm)の座標上にとる、従来の
化学的気相成長プロセスにより形成されたZnSと比較
した、本発明によるホットプレス後の、次いで熱間等静
圧圧縮後の、2〜14μmの波長にわたるZnSの赤外
透過率のプロット。
化学的気相成長プロセスにより形成されたZnSと比較
した、本発明によるホットプレス後の、次いで熱間等静
圧圧縮後の、2〜14μmの波長にわたるZnSの赤外
透過率のプロット。
【図5】透過率と波長(μm)の座標上にとる、従来の
化学的気相成長プロセスにより形成されたZnSと比較
した、本発明による熱間等静圧圧縮、及び強靭化後の、
2〜14μmの波長にわたるZnSの赤外透過率のプロ
ット。
化学的気相成長プロセスにより形成されたZnSと比較
した、本発明による熱間等静圧圧縮、及び強靭化後の、
2〜14μmの波長にわたるZnSの赤外透過率のプロ
ット。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トーマス・ケー・ドゥアティー アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90293、プラヤ・デル・レイ、ナンバー 1417、マンチェスター・ブールバード 7600 (56)参考文献 特開 平2−26826(JP,A) 特開 昭57−11824(JP,A)
Claims (11)
- 【請求項1】 (a)(1)液体媒体中に硫化物、亜鉛
塩、及びガリウムド−パントの共析出物を形成する工
程、(2)この共析出物をダイ内で圧縮する工程、及び
(3)圧縮された共析出物を熱間等静圧圧縮により緻密
化して緻密体を形成する工程、及び (b)緻密体をアニ−ルして、硬化相としてチオガリウ
ム酸亜鉛を含む第2相を形成する工程を具備する赤外窓
の製造方法。 - 【請求項2】 (a)(1)液体媒体中に硫化物及び亜
鉛塩の共析出物を形成する工程、(2)この共析出物を
ダイ内で圧縮する工程、(3)圧縮された共析出物を熱
間等静圧圧縮により緻密化して緻密体を形成する工程、
及び(4)緻密体の少なくとも1つの表面にガリウム金
属の層を堆積する工程、及び (b)緻密体をアニ−ルして、硬化相としてチオガリウ
ム酸亜鉛を含む第2相を形成する工程を具備する赤外窓
の製造方法。 - 【請求項3】 前記共析出物は、前記硫化物、亜鉛塩、
及びガリウムドーパントを水性溶媒中で混合することに
より形成される請求項1に記載の赤外窓の製造方法。 - 【請求項4】 前記共析出物は、前記硫化物及び亜鉛塩
を水性溶媒中で混合することにより形成される請求項2
に記載の赤外窓の製造方法。 - 【請求項5】 前記硫化物は、硫化ナトリウム、硫化ア
ンモニウム、硫化リチウム、硫化カリウム、及び硫化水
素からなる群から選択されたものであり、前記亜鉛塩
は、酢酸亜鉛、硝酸亜鉛、塩化亜鉛、硫酸亜鉛からなる
群から選択されたものである請求項3又は4のいずれか
1項に記載の赤外窓の製造方法。 - 【請求項6】 前記硫化物及び亜鉛塩のそれぞれの量
は、約0.02〜0.5モルであり、前記硫化物と亜鉛
塩の比は、原子硫黄対原子亜鉛で約1:1である請求項
3又は4のいずれか1項に記載の赤外窓の製造方法。 - 【請求項7】 前記ガリウムドーパントは、酢酸ガリウ
ム、硝酸ガリウム、塩化ガリウム、硫酸ガリウムからな
る群から選択されたものである請求項3に記載の赤外窓
の製造方法。 - 【請求項8】 前記ガリウムドーパントの量は、約1な
いし9モル%である請求項3に記載の赤外窓の製造方
法。 - 【請求項9】 前記圧縮工程は、約500〜980℃の
温度、約2,000〜25,000psi(140.6
〜1,757.5Kg/cm2 )の圧力、約5〜24
0分の時間、約50mTorr又はそれ以下の真空中で
行なわれるか、又は室温から約300℃までの温度、約
5,000〜40,000psi(351.5〜2,8
12Kg/cm2 )の圧力、約2分の時間行なわれ、次
いで、前記共析出物は、約600〜850℃の温度、約
10分〜2時間の真空焼結が行われる請求項1又は2の
いずれか1項に記載の方法。 - 【請求項10】 前記熱間等静圧圧縮は、約800〜
1,015℃の温度、約5,000〜60,000ps
i(351.5〜4,218Kg/cm2)の圧力、約
5〜360分の時間、不活性雰囲気内で行なわれる請求
項1又は2のいずれか1項に記載の方法。 - 【請求項11】 前記アニールは、約550〜850℃
の温度、約2〜24時間、不活性雰囲気又は還元雰囲気
内で行われる請求項1又は2のいずれか1項に記載の方
法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US232897 | 1994-04-22 | ||
US08/232,897 US5575959A (en) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | Process for making low cost infrared windows |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0834639A JPH0834639A (ja) | 1996-02-06 |
JP2650870B2 true JP2650870B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=22875039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7099024A Expired - Lifetime JP2650870B2 (ja) | 1994-04-22 | 1995-04-24 | 赤外窓の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5575959A (ja) |
EP (1) | EP0678760A1 (ja) |
JP (1) | JP2650870B2 (ja) |
KR (1) | KR950029212A (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6066445A (en) * | 1996-12-19 | 2000-05-23 | Eastman Kodak Company | Thermographic imaging composition and element comprising said composition |
JPH10310770A (ja) * | 1997-03-10 | 1998-11-24 | Sony Corp | 発光体の製造方法 |
US5922528A (en) * | 1998-03-20 | 1999-07-13 | Eastman Kodak Company | Thermographic imaging element |
US5928856A (en) * | 1998-03-20 | 1999-07-27 | Eastman Kodak Company | Thermographic imaging element |
US5928855A (en) * | 1998-03-20 | 1999-07-27 | Eastman Kodak Company | Thermographic imaging element |
US5994052A (en) * | 1998-03-20 | 1999-11-30 | Eastman Kodak Company | Thermographic imaging element |
JP4304733B2 (ja) * | 1998-04-14 | 2009-07-29 | 住友電気工業株式会社 | 多結晶硫化亜鉛光学部品及びその製造方法 |
US6045728A (en) * | 1998-10-09 | 2000-04-04 | Raytheon Company | Method of treating a zinc sulfide body formed by chemical vapor deposition to increase its rain erosion durability |
DE10023062B4 (de) * | 2000-05-11 | 2015-10-15 | Volkswagen Ag | Messeinrichtung zur Konzentrationsbestimmung von Gaskomponenten im Abgas einer Brennkraftmaschine und Verfahren zur Steuerung eines Betriebs der Messeinrichtung |
JP5257642B2 (ja) * | 2000-12-04 | 2013-08-07 | 住友電気工業株式会社 | セラミックス光学部品及びその製造方法 |
US6485562B1 (en) | 2001-08-16 | 2002-11-26 | Ceramoptec Industries, Inc. | Production of material with improved infrared transmission |
TW546487B (en) * | 2001-09-27 | 2003-08-11 | Sumitomo Electric Industries | Ceramics optical part and manufacture method of the same |
TWI280954B (en) * | 2001-12-26 | 2007-05-11 | Sumitomo Electric Industries | Method for producing ceramic optical parts |
US7148480B2 (en) * | 2004-07-14 | 2006-12-12 | The Regents Of The University Of California | Polycrystalline optical window materials from nanoceramics |
US20090000700A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Hogan Patrick K | Treatment method for optically transmissive body |
US7790072B2 (en) * | 2007-12-18 | 2010-09-07 | Raytheon Company | Treatment method for optically transmissive bodies |
WO2009142238A1 (ja) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | 住友電気工業株式会社 | 焼結体およびその製造方法ならびに光学部品 |
US11242262B2 (en) | 2011-02-11 | 2022-02-08 | Texas Biochemicals Inc. | Self-propagating low-temperature synthesis and pre-treatment of chalcogenides for spark plasma sintering |
US9575219B2 (en) | 2011-02-11 | 2017-02-21 | Duraiswamy Ravichandran | Ultra-high densification of ZnS for nano-grain optical windows |
US8426817B2 (en) | 2011-03-02 | 2013-04-23 | Texas Biochemicals, Inc. | Monodispersed and spherical ZnS for nano-grain optical windows |
US20130271610A1 (en) | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Keith Gregory ROZENBURG | Polycrystalline chalcogenide ceramic material |
TWI583629B (zh) | 2013-09-26 | 2017-05-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 增加硫化鋅硬度之方法 |
US11814326B2 (en) * | 2016-04-08 | 2023-11-14 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Doped materials/alloys and hot isostatic pressing method of making same |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3131238A (en) * | 1959-10-29 | 1964-04-28 | Eastman Kodak Co | Process for molding zinc sulfide |
US3131025A (en) * | 1959-10-29 | 1964-04-28 | Eastman Kodak Co | Zinc sulfide optical element |
JPS5711824A (en) * | 1980-06-23 | 1982-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of semiconductive zinc sulfide |
US4944900A (en) * | 1983-03-16 | 1990-07-31 | Raytheon Company | Polycrystalline zinc sulfide and zinc selenide articles having improved optical quality |
US5126081A (en) * | 1980-12-29 | 1992-06-30 | Raytheon Company | Polycrystalline zinc sulfide and zinc selenide articles having improved optical quality |
JPH0226826A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-29 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 硫化亜鉛の熱処理法 |
-
1994
- 1994-04-22 US US08/232,897 patent/US5575959A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-04-22 KR KR1019950009519A patent/KR950029212A/ko active IP Right Grant
- 1995-04-24 JP JP7099024A patent/JP2650870B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-04-24 EP EP95106133A patent/EP0678760A1/en not_active Ceased
- 1995-08-07 US US08/511,670 patent/US5643505A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0834639A (ja) | 1996-02-06 |
EP0678760A1 (en) | 1995-10-25 |
US5643505A (en) | 1997-07-01 |
KR950029212A (ko) | 1995-11-22 |
US5575959A (en) | 1996-11-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2650870B2 (ja) | 赤外窓の製造方法 | |
US8277878B2 (en) | Hot-pressed transparent ceramics and ceramic lasers | |
EP0332393B1 (en) | Method of producing a light-transmitting spinel sintered body | |
US5075267A (en) | Light transmitting yttria sintered body and its preparation | |
JPS63201061A (ja) | 透光性酸化イットリウム | |
JP3285620B2 (ja) | 透光性イットリウム−アルミニウム−ガーネット焼結体の製造方法 | |
JP2001322871A (ja) | 希土類元素を含有する酸化物焼結体およびその製造方法 | |
Li et al. | Influences of hot‐pressing conditions on the optical properties of lanthanum sulfide ceramics | |
US5658504A (en) | Method of producing an infrared transmitting barium fluoride sintered body | |
JP2964786B2 (ja) | 透光性フッ化バリウム焼結体の製造方法 | |
JP3000685B2 (ja) | 透光性イットリア焼結体及びその製造方法 | |
US4619792A (en) | Process for making an optically transmissive body | |
Yuan et al. | Synthesis and characterization of Nd3+-doped CaF2 nanoparticles | |
JP2673161B2 (ja) | イットリウムアルミニウムガーネットの製造方法 | |
US4765931A (en) | Optical material and process for making the same | |
JPH08268751A (ja) | イットリウム−アルミニウム−ガーネット仮焼粉末及びこれを用いたイットリウム−アルミニウム−ガーネット焼結体の製造方法 | |
JP3214927B2 (ja) | 透光性イットリウム−アルミニウム−ガーネット焼結体およびその製造方法並びに時計用窓材 | |
JP2866891B2 (ja) | 多結晶透明イットリウムアルミニウムガーネット焼結体及びその製造方法 | |
JPH03275561A (ja) | 透光性yag焼結体及びその製造方法 | |
JP2984581B2 (ja) | インジウム−スズ酸化物からなる部材およびその製造法 | |
JP3245234B2 (ja) | 透光性イットリウム−アルミニウム−ガーネット焼結体の製造方法 | |
JP2000239065A (ja) | 透光性を有する耐蝕性材料及びその製造方法 | |
JP2952978B2 (ja) | 透光性イツトリア焼結体及びその製造方法 | |
JPH04202051A (ja) | 透光性ggg焼結体及びその製造方法 | |
JPH0323269A (ja) | 透光性酸窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |