JP2650306B2 - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ガスレーザ、半導体レーザ等の集束光を照
射させて光学的に情報の記録・再生、あるいは記録・再
生・消去を行う光ディスク、光磁気ディスク等光記録媒
体に係わり、特に、基板のトラック溝にのみ選択的に記
録層が設けられた光記録媒体の製造方法に関するもので
ある。

［従来の技術］ 従来の光記録媒体は、片面側に記録層を備えるタイプ
を例に挙げて説明すると、第２図〜第３図に示すように
フォーカシング及びトラッキングサーボ用のプリグルー
ブ（pre−groove）（ａ）が施された透明基板（ｂ）
と、この基板（ｂ）全面に設けられた記録層（ｃ）と、
この記録層（ｃ）全面に設けられた保護層（ｄ）とでそ
の主要部が構成され、かつ、この光記録媒体（ｅ）への
記録情報の入力は、第４図に示すように集光レンズ
（ｆ）により集光された半導体レーザ等光源からの記録
用集束光（ｇ）を上記記録層（ｃ）の所定部位へ照射
し、その照射部位について記録層（ｃ）の相変化、磁化
反転、あるいは変形等を起こさせ非照射部とは反射率、
若しくはカー回転角の異なる記録ドット（ｈ）（第３図
参照）を形成して行なわれるものである。この場合、光
源からの集束光（ｇ）を上記記録層（ｃ）の所定部位へ
確実に照射させるため上記プリグルーブ（ａ）を利用し
てフォーカシング、並びにトラッキングサーボ制御を行
うと共に、上記記録ドット（ｈ）の幅寸法（Ｂ）を第５
図に示すように記録用集束光スポット（ｉ）における強
度変化が最も急峻な値を示す半値幅（Ω２）程度に設定
し、略同一サイズの記録ドット（ｈ）が安定して形成さ
れるように調整されている。

一方、上記記憶情報の再生時においては、第６図〜第
７図に示すように再生用集束光（ｇ）を光記録媒体
（ｅ）の記録面へ照射し、この反射光を光ダイオード等
受光素子（ｊ）へ入力させて再生するものである。この
場合、再生用集束光スポット全体の光が再生に利用され
ており、第５図に示すように代表的には再生用集束光ス
ポット（ｉ）における1/e²全幅（Ωｅ）領域の光が再生
信号に寄与するものと考えられる。尚、第２図中（ｐ）
は再生用の光ヘッドを示しており、半導体レーザ（p1）
と、このレーザ光を光記録媒体（ｅ）面へ結像させる集
光レンズ（p2）と光記録媒体（ｅ）からの反射ビームを
偏光させるビームスプリッタ（p3）、ハーフミラー（p
4）と、サーボ信号検出器（p5）並びに再生信号受光器
（p6）とでその主要部が構成されているものである。

ところで、従来の光記録媒体（ｅ）は上述のように基
板（ｂ）の全面に記録層（ｃ）を備えているため、以下
に示すような種々の欠点を有するものであった。

先ず、光記録媒体（ｅ）におけるトラックピッチ（T
P）は再生信号に隣接トラック上の信号が混入しないと
ころまで狭く設定することができ、その最小値（T
P_min）は再生時における隣接トラックとのクロストーク
のみを考慮すると、第８図（ｄ）から （TP_min）＝B/2＋（Ωｅ−Ｂ）/2＋B/2 ＝（Ｂ＋Ωｅ）/2 により求めることができる。

但し、（Ｂ）は記録ドット（ｈ）の幅寸法、（Ωｅ）
は再生用集束光スポット（ｉ）における1/e²全幅を示し
ている。

一方、従来において記録ドット（ｈ）の幅寸法（Ｂ）
は上述のように記録用集束光スポット（ｉ）の半値幅
（Ω２）程度に設定されているため、光記録媒体におけ
るトラック密度を向上させるために、結局上記集束光
（ｇ）のスポット（Ωｅ、Ω２）を小さく設定するとい
った方法しか無く、かつ、上記スポット径（Ω２）につ
いてもこれを余り小さく設定すると基板表面の僅かな寸
法誤差で記録誤動作を起こすことから一定以下に設定で
きない制約があるため、上記密度向上には一定の限界を
有する欠点があった。

また、上記記録層（ｃ）を構成する記録材料は通常熱
伝導性を有しているため、この熱伝導性の影響により記
録スポットの走査が進むにつれ熱が周辺に漏れ易くなっ
て記録幅が増大し、第９図に示すような記録ドット
（ｈ）の形状が所謂『涙滴形ドット』となる場合があっ
た。このため、第16図においてαで示すように再生信号
が歪んでしまって大きなジッターが発生し易いと共に、
C/N比が低下するといった欠点があった。

更に、再生用集束光スポット（ｉ）の径寸法（Ωｅ）
は上述のように記録ドット（ｈ）の径寸法（Ｂ）より大
きく、しかも、上記光記録媒体（ｅ）についてはその基
板（ｂ）全面に記録層（ｃ）が設けられているため、再
生時において光記録媒体（ｅ）ノイズが再生信号に大き
く影響を及ぼすといった欠点があった。すなわち、第10
図に示すように光記録媒体（ｅ）の記録層（ｃ）面に
は、媒体自体の欠陥、結晶粒等に基因する反射率の異な
るノイズ発生部位（n1）〜（n1）が多数存在し、かつ、
上記記録ドット（ｈ）の周縁部にもドット形状のむらに
基因するノイズ発生部位（n2）〜（n2）が存在してこれ
等ノイズが再生信号に混入するため、再生信号における
C/N比向上の大きな障害となっていた（第18図において
αで示されたC/N比参照。但し、Ｃはキャリア信号レベ
ル、Ｎはノイズ信号レベルを夫々示している）。

更にまた、記録・再生・消去用の光記録媒体において
は、記録情報を消去する場合、経時劣化を基因とする記
録層の感度低下、消去用集束光の出力変動、並びにトラ
ッキングずれ等の原因によって第11図に示すように記録
情報を完全に消去できなくなるといった欠点があり、一
方、この欠点を解消するため消去用集束光のスポット径
（Ω）を記録用集束光のスポット（Ω２）より大きく設
定すると、トラック密度の低下を招くといった欠点があ
った。

また、従来の光記録媒体においてはその基板（ｂ）全
面に記録層（ｃ）が形成されているため、記録層（ｃ）
形成時におけるストレスや基板（ｂ）と記録層（ｃ）と
の膨張率の違い等によって、第12図に示すように記録層
（ｃ）に二次元的な内部ストレス（St）が加わり易く経
時的に記録性能が劣化し易い欠点があった。

そこで、本件出願人は上記諸欠点を解決すべく鋭意研
究を重ねた結果、トラック密度、C/N比等が高く、か
つ、再生ノイズ、サーボ信号ノイズが小さく、しかも長
期に亘って記録性能が劣化しない光記録媒体を既に提案
している。

すなわちこの光記録媒体（ｅ′）は、第13図に示すよ
うに基板（ｂ′）と、この基板（ｂ′）の一面上に複数
間隔を介して設けられたトラック溝（ａ′）と、このト
ラック溝（ａ′）内に設けられた記録層（ｃ′）と、必
要に応じ上記記録層（ｃ′）側に設けられた保護層
（ｄ′）とでその主要部を構成し、かつ、上記トラック
溝（ａ′）の幅寸法が記録用集束光スポットの半値幅程
度以下に設定されていることを特徴とするものである。

そして、第13図〜第14図に示すように上記トラック溝
（ａ′）を利用しフォーカシング、並びにトラッキング
制御を行いながら記録層（ｃ′）の所定部位に記録用集
束光を照射し、その径が記録用集束光スポットの半値幅
（Ω２）程度の記録ドット（ｈ′）を形成すると共に、
この記録ドット（ｈ′）を再生用集束光により読取って
再生信号を得るものである。

このように構成された光記録媒体（ｅ′）において
は、第14図（ｂ）及び（ｄ）に示すように上記記録ドッ
ト（ｈ′）の幅寸法（Ｂ）がトラック溝（ａ′）の幅寸
法（Ｔ）と同一となっており、かつ、この幅寸法（Ｔ）
は、記録用集束光スポットの半値幅（Ω２）以下に設定
されているため、この光記録媒体（ｅ′）のトラックピ
ッチの最小値（TP′_min）と、従来における光記録媒体
のトラックピッチの最小値（TP_min）との関係は、 （TP′_min）＜（TP_min） となり、トラックピッチ（TP）を小さく設定することが
可能となって、トラック密度の向上が図れる利点を有し
ている。

また、この光記録媒体（ｅ′）においてはその記録層
（ｃ′）がトラック溝（ａ′）の形状に規制されるた
め、第15図に示すように従来の『涙滴形状』と異なって
矩形状に近い形状の記録ドット（ｈ′）を形成すること
ができる。

従って、第16図においてβで示すように再生時におけ
る再生信号波形が歪まないため、C/N比、及びジッター
共向上する利点を有している。

更に、この光記録媒体（ｅ′）においては上記トラッ
ク溝（ａ′）以外の部位に記録層（ｃ′）を有していな
いため、媒体ノイズが低減し、かつ、記録ドット
（ｈ′）の形状はトラック溝（ａ′）により規制されて
ばらつかないため、記録ドット（ｈ′）の境界部におけ
る反射率むらや磁区分布むらが低減して再生信号におけ
るC/N比が向上する長所を有している。すなわち、再生
時における再生信号ノイズは、半導体レーザ等光源のノ
イズを充分に押えた場合、一般的には光記録媒体の欠
陥、結晶粒等に基因する媒体ノイズと、記録ドット形状
のむらに基因する記録ノイズとが支配的となる。そして
この光記録媒体（ｅ′）においては、トラック溝
（ａ′）以外の部位に記録層（ｃ′）を有していないた
め上記媒体ノイズが低減すると共に、第17図に示すよう
に記録層（ｃ′）の両側縁は高い精度で形成されたトラ
ック溝（ａ′）により規制されて記録ドット（ｈ′）の
形状むらが起こし難いため記録ノイズも低減する。従っ
て、再生信号に上記のノイズ信号が混入し難くなるた
め、第18図においてβにて示すようにC/N比が著しく向
上する長所を有している。

また更に、従来の記録・再生・消去用の光記録媒体に
おいては、経時劣化を基因とする記録層の感度低下、消
去用集束光の出力変動、並びにトラッキングずれ等の原
因によって記録情報を完全に消去できなくなるといった
欠点が存したが、第19図に示すように消し残りが発生す
る領域には記録層（ｃ′）が存在しないため、消し残り
が生じない長所を有している。

また、トラック溝（ａ′）内の記録層（ｃ′）は、そ
の長さ方向においてのみ連続し幅方向においては連続し
ていないため、第19図に示すように記録層（ｃ′）の内
部ストレス（St）が一次元的となって大幅に緩和される
と共に、記録材料が相変化タイプの場合、記録消去工程
における結晶化、アモルファス化という原子移動過程も
一次元的に進行するため、記録層（ｃ′）内の組成変動
や組成の面内ばらつきが生じ難くなり、記録層（ｃ′）
や記録ビットの安定性のに他、繰返し書換え性も改善さ
れ長期に亘って記録性能が安定する長所を有しており、
かつ、一次元的に記録・消去の過程が進行するため、各
過程の高速化が図れて高速の記録・消去が可能となる等
種々の長所を有している。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、この改良された光記録媒体を製造するに当
っては、基板全面に記録層を設ける従来の光記録媒体と
異なり、基板に設けられたトラック溝にのみ選択的に記
録層を形成する必要があった。

しかし、上記トラック溝の幅寸法については極めて小
さな値に設定されているため、上記記録層の形成操作に
は困難が伴い、精度良く、かつ、効率的にも製造し難い
といった問題点があった。

しかも、誤って上記トラック溝以外の部位にも記録層
が形成された場合、この部位の記録層が上記媒体ノイ
ズ、記録ノイズを引起こす原因となるため、従来におけ
る光記録媒体と同様、C/N比が低下するといった問題点
があった。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は以上の問題点に着目してなされたもので、そ
の課題とするところは、生産性が良好で、しかも記録精
度良好な光記録媒体の製造方法を提供することにある。

すなわち本発明は、集束光を照射させて光学的に情報
の記録再生、あるいは記録再生消去を行う光記録媒体で
あって、基板と、この基板の少なくとも一面に複数間隔
を介し形成されたトラック溝と、このトラック溝内に形
成された記録層とを備えた光記録媒体の製造方法を前提
とし、 上記トラック溝を有する基板を作成する基板作成工
程、 上記トラック溝の設けられた側の基板全面に厚さが略
均一の記録層形成膜を形成する記録膜形成工程、 上記トラック溝内に形成される保護樹脂層の厚さを他
の部位より大きく設定してこの保護樹脂層を記録層形成
膜全面に形成する樹脂層形成工程、 上記トラック溝内の記録層形成膜及び保護樹脂層を残
して他の部位の記録層形成膜及び保護樹脂層を除去する
除去工程、及び、 上記トラック溝内の保護樹脂層を記録材料を溶解しな
い溶媒により溶出する溶出法により除去しトラック溝内
の記録層形成膜を露出させて記録層とする記録層形成工
程、 の各工程を具備することを特徴とするものである。

この様な技術的手段において、上記基板作成工程にお
ける基板としては、この基板側から集束光を照射させる
関係上光透過性の材料が望ましく、例えば、ガラス、ポ
リカーボネート、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリ
ル酸メチル、エポキシ樹脂、ポリペンテン等が挙げられ
る。また、単一の光透過性材料でもって上記基板を構成
してもよく、あるいは上記光透過性材料を複数積層して
基板としても当然のことながらよい。更に、上記基板の
形状については通常円形状とするが、カード型の光記録
媒体とする場合には矩形状とするのが好ましい。尚、基
板の反対側から集束光を照射させて記録・再生、あるい
は記録・再生・消去を行う光記録媒体においては、当然
のことながら上記光透過性以外の光不透過性の材料でも
って基板を構成してもよい。

また、上記基板の少なくとも一面に複数間隔を介し形
成するトラック溝は、従来においてフォーカシング、ト
ラッキングサーボ制御用に形成されるプリグルーブと同
様のもので、円形基板においては渦巻き状、若しくは同
心円状に形成され、一方、矩形基板においては互いに平
行に形成された凹溝郡により構成するものである。そし
てこのトラック溝の形成法としては、基板に直接凹溝を
形成する方法と、基板上に複数の凸條を固着しこの凸條
と基板とで凹溝を形成する方法が挙げられる。すなわ
ち、前者の方法としては、例えばガラス基板上に紫外線
硬化型等の硬化型樹脂を塗布し、この塗布面に予めレー
ザカッティングマシーン等の精密機器により作成したマ
スター盤を密着させてその溝パターンを転写形成し、次
いで上記樹脂を硬化させて直接凹溝を形成する、所謂2P
（Photo−Polymer）法、上記マスター盤を元に作成した
成形型内に熱可塑性樹脂を流し込み、直接凹溝の形成さ
れた基板を得るインジェクション法、キャスティング
法、あるいはガラス基板上にフォトレジストをパターン
状に形成しこれをエッチングして直接凹溝を形成するエ
ッチング法等があり、一方、後者の方法としては、ガラ
ス基板上に上記硬化型樹脂の薄層を形成すると共に、こ
の薄層をパターン状に除去して凸條を形成し、この凸條
と基板とで凹溝を形成する方法等がある。また、このト
ラック溝の幅寸法Ｔについてトラック密度、C/N比等を
上げるためには、記録用集束光スポットの半値幅（Ω
２）程度以下、好ましくはΩ2/3〜２×Ω2/3程度に設定
するとよく、一方、上記トラック溝間距離TPについてト
ラック密度を上げるためには、記録用集束光スポットの
1/e2全幅をΩｅとした場合、略（Ｔ＋Ωｅ）/2に設定す
ることが望ましい。但し、記録層の内部ストレスを低減
し記録性能の安定化だけを図るような目的の場合には、
当然のことながら上記設定範囲に限定されるものではな
い。更に、上記トラック溝の深さについては、以下の除
去工程時における処理に対しトラック溝内の記録層形成
膜を保護するに充分な厚さの保護樹脂層が形成可能な程
度の深さを必要とし、その深さ寸法は除去工程としてド
ライエッチング法を選択した場合と機械的研磨法を選択
した場合とで若干異なり、かつ、ドライエッチング法を
選択した場合においても使用する保護樹脂層の種類やエ
ッチング材料の種類等で異なるが、通常500〜7000オン
グストローム、好ましくは2000〜5000オングストローム
程度に設定するものである。

次に、上記記録膜形成工程における記録材料として
は、光記録材料として広く知られている全ての材料を使
用することができる。

すなわち、Te、Se、Ｓ、Sb、As、Ｐ、Pb、Sn、Ge、S
i、Tl、In、Ga、Al、Zn、Au、Ag、Cu、Pt、Mo、Ti、N
i、Cr、及びＷ等の元素のうち少なくとも一成分以上を
含む単体、若しくは化合物、あるいはそれらが他の材料
中に分散された材料を使用することができる。このうち
Te、Se−Te、Pb−Se−Te、Te−Ｃ等は書換不能な記録・
再生タイプである穴開け形の材料に適しており、TeO_x、
TeO_x（Ge、Sn添加）、In−Se、In−Sb、In−Te、Sb₂S
e、Te−Ge−Sn、Te−Ge−Sn−Au、As₂S₃、Sb−Te、Te−
Ｎ、Ge−Te、Ag−In、Ag−Zn、Cu−Al、Ag−Al−Cu、Cu
−Al−Ni、Au−Ti、及びCr−Ti等は書換可能な記録・再
生・消去タイプである相変化形記録材料に適している。

また、書換可能な光磁気記録材料としては、Fe、Co、
Ni、Mn等の遷移金属、及びTb、Gd、Nd、Pm、Sm、En、D
y、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等の希土類元素のうち少なくと
も一成分以上を含む磁気材料、代表的にはTb−Fe−Co、
Tb−Fe、Dy−Fe、Mn−Bi、Pt−Mn−Sb等が適用できる。

更に、記録層を構成する材料としては、上記以外にシ
アニン色素、フタロシアニン、ナフトキノン、スクアリ
リウム、ポリチオフェン、ポリジアセチレンに代表され
る有機色素材料、及びスピロピラン、フルギド、アゾベ
ンゼン等に代表されるフォトクロミック材料等が使用可
能である。

また、上記基板全面に厚さが略均一の記録層形成膜を
形成する手段としては、例えば、ジクロルメタン、ベン
ゼン、エチルアルコール、メチルアルコール等の溶剤に
溶解若しくは分散させた上記シアニン色素、フタロシア
ニン色素、ナフトキノン色素等の記録材料を基板上に塗
布形成するウエットプロセスが、また、上記TeO_x、In−
Se、In−Sb等の記録材料を直接基板上に形成する蒸着
法、スパッタリング法等のドライプロセスが適用でき
る。尚、上記基板と記録材料との親和性が弱い場合に
は、必要に応じ、基板上に記録材料と親和性を有する下
地材料を塗布形成するとよい。

次に、上記樹脂層形成工程は、記録層形成膜全面にそ
のトラック溝内の厚さを大きく設定して保護樹脂層を形
成し、上記トラック溝内に設けられた記録層形成膜を保
護するための処理工程で、この工程に適する樹脂材料と
しては次工程における除去工程によって容易に除去でき
る材料が好ましく、具体的にはノボラック樹脂とｏ−キ
ノンジアジドの混合物からなるフォトレジスト材料等が
ある。また、この保護樹脂層の形成方法としてはスピン
コート法等が適している。

また、上記除去工程においてトラック溝以外の部位の
記録層形成膜及び保護樹脂層を除去する方法としては、
エッチング材料により記録層形成膜と保護樹脂層との両
者を溶解除去するドライエッチング法や、上記基材の保
護樹脂層面上をバフ研磨しトラック溝以外の部位の記録
層形成膜等を除去する機械的研磨法等が適しており、前
者におけるエッチング材料としてはCF₄、CCl₂H₂、ある
いはCCl₄をベースにO₂、H₂、N₂を適量添加したガス等が
使用できる。この場合、トラック溝内に形成される保護
樹脂層の厚さは他の部位より大きく設定されており、他
の部位の保護樹脂層と記録層形成膜とがエッチング処理
により除去された後においても上記トラック溝内の保護
樹脂層は残留することとなるため、トラック溝内の記録
層形成膜はこの保護樹脂層により確実に保護されること
となる。

更に、記録層形成工程において上記トラック溝内に残
留する保護樹脂層を除去し、その下方に存する記録層形
成膜を露出させる手段としては、保護樹脂層を溶解し記
録材料を溶解しない溶媒を用いた溶出法を適用し、この
方法に適した溶媒としてアセトン等の有機溶剤がある。

またこの技術的手段は、片面側にのみ記録層を備える
光記録媒体の製造方法に適用できる他、両面側に記録層
を備える光記録媒体の製造方法にも適用できる。この場
合後者のものは、記録層を向い合せにし接着剤を介し、
あるいはスペーサを介し２枚貼り合せて形成することが
でき、また、この接着剤としては、ウレタン系接着剤、
エポキシ系接着剤、硬化性シリコーン樹脂、エチレン−
酢酸ビニル樹脂等のホットメルト型接着剤、ポリ塩化ビ
ニル樹脂等の高周波接着剤等が利用できる。

また、この製造方法により得られた光記録媒体の記録
層へ集束光を照射させて情報の記録・再生、あるいは記
録・再生・消去を行う光源としては、従来法において利
用されている光源が使用でき、具体的にはGaAlAs系半導
体レーザ、GaAlInP系半導体レーザ、GaInAsP系半導体レ
ーザ等の半導体レーザや、He−Neレーザ、Arレーザ、He
−Cdレーザ等のガスレーザ等が挙げられる。

更に、本発明により製造された光記録媒体は、コンパ
クトディスク等の音楽用、ビデオデスク等の画像用に加
えて計算機用光ディスク等各種用途に適用できる。

［作用］ 上述したような技術的手段によれば、基板全面に記録
層形成膜を形成する記録膜形成工程によりトラック溝内
に記録層形成膜が設けられ、除去工程により上記トラッ
ク溝以外の部位の記録層形成膜と樹脂層形成工程により
形成された保護樹脂層とが除去され、かつ、記録層形成
工程によりトラック溝内の保護樹脂層が記録材料を溶解
しない溶媒により溶出除去されてトラック溝内にのみ精
度良く、かつ、確実に記録層を形成することが可能とな
る。

［実施例］ 以下、片面側に記録層を備える光記録媒体に本発明を
適用した実施例について図面を参照して詳細に説明す
る。

まず、円形状のガラス板（10）上に紫外線硬化型樹脂
（例えば、アクリレートに1,1−ジメチル−１−フェニ
ルアセトフェノンを添付した樹脂）（11）を塗布形成
し、この塗布面に予めレーザカッティングマシーンによ
り作成したマスター盤（図示せず）を密着させてその溝
パターンを転写形成し、次いで、紫外線を照射させ上記
樹脂（11）を硬化させてトラック溝（３）を有する基板
（２）を作成する（第１図ａ参照）。ここで、上記トラ
ック溝（３）の幅寸法（Ｔ）は5000オングストローム、
その深さ寸法は3000オングストロームに設定されてい
る。

次いで、上記基板（２）の紫外線硬化型樹脂（11）面
上に300オングストローム厚のTeO_x薄層（12）を蒸着法
により均一に形成する（第１図ｂ参照）。尚、この薄層
（12）の層厚は記録材料の種類により異なるが、通常10
0〜2000オングストローム程度に設定される。また、上
記樹脂（11）面と記録材料との親和性が弱い場合には、
必要に応じ樹脂（11）面上に下地材料を塗布形成すると
よい。

次に、上記樹脂（11）面上にスピンコート法によりフ
ォトレジスト材料（ヘキスト社製 商品名AZ 1350J）を
塗布して5000オングストローム厚のフォトレジスト層
（13）を形成（第１図ｃ参照）すると共に、このフォト
レジスト層（13）側からドライエッチング処理を施して
上記トラック溝（３）以外の部位に存在するTeO_x薄層
（12）とフォトレジスト層（13）を除去する（第１図ｄ
参照）。すなわち、上記トラック溝（３）以外の部位の
フォトレジスト層（13）はトラック溝（３）内のフォト
レジスト層（13）と較べてその膜厚が小さいため、上記
エッチング処理によってその部位のフォトレジスト層
（13）が除去されると共にその下方側に形成されたTeO_x
薄層（12）も除去されることとなるが、トラック溝
（３）内のフォトレジスト層（13）については、このエ
ッチング処理によっては全層が除去されずその下方側に
形成されたTeO_x薄層（12）を保護することとなり、結果
的に第１図（ｄ）に示すようにトラック溝（３）以外の
部位に存在するTeO_x薄層（12）とフォトレジスト層（1
3）とが除去されることとなる。尚、上記ドライエッチ
ング条件については、 エッチング材料:CCl₂H₂ガス、 ガス圧:10^-2〜10¹TOrr、 パワー密度:0.5W/cm² に設定してある。

次いで、上記トラック溝（３）内に存在する余分なフ
ォトレジスト層（13）をアセトンにより溶解除去（第１
図ｅ参照）した後、上記樹脂（11）面上にSiO₂にて構成
される保護層（５）を均一に形成し、第１図（ｆ）に示
すようにトラック溝（３）にのみ記録層（４）を有する
光記録媒体（１）を製造した。

［発明の効果］ 本発明によれば、基板全面に記録層形成膜を形成する
記録膜形成工程によりトラック溝内に記録層形成膜が設
けられ、除去工程により上記トラック溝以外の部位の記
録層形成膜と樹脂層形成工程により形成された保護樹脂
層とが除去され、かつ、記録層形成工程によりトラック
溝内の保護樹脂層が記録材料を溶解しない溶媒により溶
出除去されてトラック溝内にのみ精度良く、かつ、確実
に記録層を形成することが可能となる。

従って、トラック溝内にのみ記録層を有する光記録媒
体を簡便に、かつ、効率的に製造できる効果を有してい
る。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の実施例を示しており、
この実施例に係る光記録媒体製造工程を示す工程説明図
であり、また、第２図〜第12図は従来における光記録媒
体を示しており、第２図はその斜視図、第３図及び第６
図はその部分断面斜視図、第４図は半導体レーザ等光源
の照度分布とその収束光スポットの照度分布、第５図は
第４図におけるＩ部分の拡大図、第７図は光記録媒体の
再生時における説明図、第８図（ａ）は光記録媒体の部
分断面図、第８図（ｂ）はその部分平面図、第８図
（ｃ）は記録、再生用半導体レーザスポットの照度分
布、第８図（ｄ）はトラックピッチを最小にした場合の
光記録媒体の部分平面図、第９図〜第11図はトラック、
記録層、及び記録ドットの形状を示す平面図、第12図は
記録層に加わる内部ストレスを示す説明図、また、第13
図〜第19図は他の従来における光記録媒体を示してお
り、第13図はこの部分断面斜視図、第14図（ａ）はこの
光記録媒体の部分断面図、第14図（ｂ）はその部分平面
図、第14図（ｃ）は記録、再生用半導体レーザスポット
の照度分布、第14図（ｄ）はトラックピッチを最小にし
た場合の光記録媒体の部分平面図、第15図、第17図、及
び第19図はトラック溝、記録層、及び記録ドットの形状
を示す平面図、第16図は再生信号レベルと時間との関係
図、第18図は再生信号におけるキャリア信号レベルとノ
イズ信号レベルとの関係を示す関係図を夫々示してい
る。 ［符号説明］ （１）……光記録媒体 （２）……基板 （３）……トラック溝 （４）……記録層 （５）……保護層

フロントページの続き (72)発明者 堀田 宏之 神奈川県海老名市本郷2274番地 富士ゼ ロックス株式会社海老名事業所内 (56)参考文献 特開 昭58−28853（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−88443（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−30045（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−64880（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−223828（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−39835（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−107420（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−62451（ＪＰ，Ｕ)

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】集束光を照射させて光学的に情報の記録再
   生あるいは記録再生消去を行う光記録媒体であって、基
   板と、この基板の少なくとも一面に複数間隔を介し形成
   されたトラック溝と、このトラック溝内で該トラック溝
   の両側面に沿って形成された記録層とを備えた光記録媒
   体の製造方法において、 上記トラック溝を有する基板を作成する基板作成工程、 上記トラック溝の設けられた側の基板全面に厚さが略均
   一の記録層形成膜を形成する記録膜形成工程、 上記トラック溝内に形成される保護樹脂層の厚さを他の
   部位より大きく設定してこの保護樹脂層を記録層形成膜
   全面に形成する樹脂層形成工程、 上記トラック溝内の記録層形成膜及び保護樹脂層を残し
   て他の部位の記録層形成膜及び保護樹脂層を除去する除
   去工程、及び、 上記トラック溝内の保護樹脂層を記録材料を溶解しない
   溶媒により溶出する溶出法により除去しトラック溝内の
   記録層形成膜を露出させて記録層とする記録層形成工
   程、 の各工程を具備することを特徴とする光記録媒体の製造
   方法。
2. 【請求項２】上記記録膜形成工程が、記録材料の蒸着法
   により構成されていることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の光記録媒体の製造方法。
3. 【請求項３】上記記録膜形成工程が、記録材料のスパッ
   タリング法により構成されていることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の光記録媒体の製造方法。
4. 【請求項４】上記除去工程が、ドライエッチング法によ
   り構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の光記録媒体の製造方法。
5. 【請求項５】上記除去工程が、機械的研磨法により構成
   されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の光記録媒体の製造方法。