JP2642462B2 - マトリクス形表示装置用基板および検査修正方法 - Google Patents

マトリクス形表示装置用基板および検査修正方法

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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、たとえばアクティブマトリクス形液晶表示
装置などに好適に用いられるマトリクス形表示装置用基
板および検査修正方法に関する。
従来の技術 ガラスなどの光透過性絶縁基板上に薄膜トランジスタ
（Thin Film Transistor:以下、TFTと略称する）などの
スイッチング手段をマトリクス状に配列して形成した表
示電極基板を用いるアクティブマトリクス駆動方式の液
晶表示装置の場合、液晶の応答速度が速く、また表示電
極基板として使用される光透過性絶縁基板の面積に制約
がなく反射型、透過型のいずれにも適用できるなどの利
点を持つため、近年盛んに実用に供されている。
ところが、上記表示電極基板は製造工程が複雑で、ま
た大面積に形成されるため（したがってスイッチング手
段の数もそれだけ多い）すべてのスイッチング手段を欠
陥なく形成することは困難であり、そのため表示電極基
板の製造歩留まりは低いのが実情である。
そこで、表示電極基板の製造歩留まりを向上させるた
めには、欠陥個所を検出してこれを修正することが重要
となる。その欠陥個所を検出する方法として、絶縁基板
上に信号電極や走査電極となるバスライン、スイッチン
グ手段および絵素電極が形成された段階で、バスライン
あるいは絵素電極にプローバを直接接触させて欠陥個所
を検出する触針法や、液晶封止を行ったあとで実際に全
面発光させる検査法などが従来より採用されている。
また、このような検査法に替わるものとして、最近、
表示電極基板上の数万個以上のスイッチング手段を迅速
に検査することのできる電着検査法と呼ばれる検査法が
開発されている。この電着検査法は、所定の高分子樹脂
と顔料とを溶融させた水溶液中に表示電極基板と対向電
極とを浸漬させ、表示電極基板と対向電極との間に一定
の直流電圧を印加して、電解反応により上記水溶液中の
高分子樹脂および顔料を表示電極基板上の電圧印加部に
析出させるものである。たとえば表示電極基板に形成さ
れているスイッチング手段がTFTであって、そのソース
電極が信号電極となるバスラインに接続され、ゲート電
極が走査電極となるバスラインに接続され、ドレイン電
極が絵素電極に接続されているとき、TFTがオフとなる
ような電圧を各バスラインに印加した条件下で上記電着
検査を行った結果、絵素電極に着色した高分子樹脂膜が
析出すると、その絵素電極に接続されているTFTにリー
ク欠陥があると判定できる。逆に、TFTがオンとなるよ
うな電圧を各バスラインに印加した条件下で電着検査を
行った結果、絵素電極に着色した高分子樹脂膜が析出さ
れない場合には、その絵素電極に接続されているTFTに
断線欠陥あるいはオン不良があるというように判定でき
る。
上記電着検査法においては、表示電極基板上の全TFT
を同時にオン状態あるいはオフ状態に設定するために、
信号電極となるバスラインの端部同士は共通の信号電極
短絡用端子によって接続され、また走査電極となるバス
ラインの端部同士も共通の走査電極短絡用端子によって
接続されている。
また、近年行われている表示電極基板の製造方法で
は、製造工程の途中で静電気によって表示電極基板上の
スイッチング手段が破壊されてしまうのを防止するため
ショートリングが、表示電極基板上のバスライン、スイ
ッチング手段などの形成領域の外側に形成される。
第５図は、そのようなショートリング１を形成した製
造工程の途中における表示電極基板の表面構造の一例を
示す平面図である。なお第５図および後述する第６図に
おいて、比較的抵抗値の小さい材料から成る領域は、斜
線を付して示す。第５図においてソースバスライン２は
信号電極となるバスラインであり、ゲートバスライン３
は走査電極となるバスラインであって、これらは絶縁基
板上において互いに直角に立体交差するように配列して
形成されている。ソースバスライン２とゲートバスライ
ン３の各交差位置の近傍にはそれぞれTFT4と絵素電極５
が形成され、TFT4のソース電極はソースバスライン２
に、ゲート電極はゲートバスライン３に、ドレイン電極
は絵素電極５にそれぞれ接続されている。また、奇数番
目のソースバスライン２の各々の一端部と、偶数番目の
ソースバスライン２の各々の他端部と、奇数番目のゲー
トバスライン３の各々の一端部と、偶数番目のゲートバ
スライン３の各々の他端部とが、ソースバスライン２、
ゲートバスライン３、TFT4、および絵素電極５の形成領
域の外側に形成せれるリング状に閉じるショートリング
１によって互いに短絡されている。
この表示電極基板の構造では、静電気対策用のショー
トリング１がソースバスライン２、ゲートバスライン３
と同じ低い抵抗値を持つ材料によって形成されており、
上述した電着検査法による欠陥個所の検査のさいには、
第５図に破線で示すようにショートリング１の４箇所に
A,B,C,Dが切り離され、奇数番目のソースバスライン２
の各々の一端部同士を短絡させているショートリング断
片1aと偶数番目のソースバスライン２の各々の他端部同
士を短絡させているショートリング断片1bがそれぞれ上
述した信号電極短絡用端子として用いられ、また、奇数
番目のゲートバスライン３の各々の一端部同士を短絡さ
せているショートリング断片1cと偶数番目のゲートバス
ライン３の各々の他端部同士を短絡させているショート
リング断片1dがそれぞれ上述した走査電極短絡用端子と
して用いられる。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上述した従来の表示電極基板の構造に
おいては、電着検査法による欠陥個所の検査のさいに、
ショートリング１によって短絡されているソースバスラ
イン２のグループとゲートバスライン３のグループとの
間を１度切り離さなければならず、しかも上記検査が終
了すると切断個所を再度接続し直さなければならないの
で、製造工程が複雑になるという問題点を有する。
このような問題点を解決するために、本発明者は第６
図に示すように、奇数番目のソースバスライン２の各々
の一端部を共通の信号電極短絡用端子6aによって短絡
し、偶数番目のソースバスライン２の各々の他端部も別
の共通の信号電極短絡用端子6bによって短絡し、また奇
数番目のゲートバスライン３の各々の一端部を共通の走
査電極短絡用端子7aによって短絡し、偶数番目のゲート
バスライン３の各々の他端部の別の共通の走査電極短絡
用端子7bによって短絡する一方、これとは別にリンをド
ープしたアモルファスシリコン（比抵抗が1KΩ・cm）な
ど高い抵抗値を持つ材料を用いたショートリング８を全
てのソースバスライン２およびゲートバスライン３と交
差するように形成することを試みた。
この場合には、ソースバスライン２、ゲートバスライ
ン３（比抵抗が１×10-4Ω・cm）に比べて十分高い抵抗
値を持つショートリング８によって接続されているソー
スバスライン２とゲートバスライン３の間は、電極検査
法による欠陥個所の検査においてTFT4をオン状態あるい
はオフ状態に設定するためにソースバスライン２やゲー
トバスライン３に印加される電圧に対しては電気的に切
り離されているのと等価と見做し得るので、その検査に
際してショートリング８を切断する必要がない。また、
TFT4を破壊してしまうような静電気に起因する高電圧の
印加に対しては、ショートリング８は各ソースバスライ
ン２、ゲートバスライン３間を短絡する短絡配線として
働くので、静電気対策の手段として十分機能しているこ
とになる。
しかし、この場合にショートリング８はソースバスラ
イン２やゲートバスライン３と交差させて形成されてい
るため、一方の配線が他方の配線上を乗り越える形とな
り、その交差位置において断線が生じやすくなるという
問題点が残る。また、信号電極短絡用端子6a,6bや走査
電極短絡用端子7a,7bの形成位置からずらした位置にシ
ョートリング８が形成されているため、１つの表示電極
基板を得るのに大きな面積が必要となり、１枚の絶縁基
板素材から複数の表示電極基板を多面取りする場合に、
その数が少なくなりコストが高くつくという問題点も有
する。
また、上述した従来の表示電極基板の構造において
は、電極検査法による欠陥個所の検査において、電着液
の顔料としてすみれ色などの色彩のものが用いられてい
るため、透過型表示装置用として透明絶縁基板を使用し
て製造される表示電極基板の場合には、リーク欠陥のあ
ったTFT4に接続されている絵素電極５は同じすみれ色に
着色されることになる。この場合、リーク欠陥が１箇所
だけであっても、その絵素電極５はすみれ色に着色され
ているだけであるから、透過型表示装置として完成され
た場合、その欠陥個所の絵素は常に発光状態を呈するこ
とになって表示品位を著しく低下させることになる。し
たがって、ただ１箇所にリーク欠陥がある場合でも、そ
の表示電極基板は不良品としなければならず製造歩留ま
りの低下の一因となるという問題点があった。
したがって、本発明の目的は、工程が簡単で製造歩留
まりを向上させることのできるマトリクス形表示装置用
基板および検査修正方法を提供することである。
課題を解決するための手段 本発明は、電気絶縁性基板上に、相互に平行な複数の
第１電極と、第１電極と交差する方向に延びる複数の第
２電極と、第２電極における信号レベルによって、導通
／遮断され、前記第１電極と第２電極とによって囲まれ
る複数の単位領域毎に設けられるスイッチング手段と、
該スイッチング手段を介して第１電極と導通／遮断され
る表示用電極とを含むマトリクス形表示装置用基板にお
いて、 リーク欠陥のあるスイッチング手段に接続されている
表示用電極には、黒色顔料が電着析出されて欠陥修正さ
れており、 リーク欠陥のないスイッチング手段を介して第１電極
と導通／遮断される表示用電極には、黒色顔料が電着析
出されていないことを特徴とするマトリクス形表示装置
用基板である。
また本発明は、電気絶縁性基板上に、相互に平行な複
数の第１電極と、第１電極と交差する方向に延びる複数
の第２電極と、第２電極における信号レベルによって、
導通／遮断され、前記第１電極と第２電極とによって囲
まれる複数の単位領域毎に設けられるスイッチング手段
と、該スイッチング手段を介して第１電極と導通／遮断
される表示用電極とを含むマトリクス形表示装置用基板
の電気的接続状態を検査して修正するための方法におい
て、 前記マトリクス形表示装置用基板と前記マトリクス形
表示装置用基板に対して間隔をあけて配置された検査用
の対向電極とを、水溶液中でイオン化した高分子樹脂と
黒色顔料とを含む電着液に、浸漬した状態で、 前記第１電極、前記第２電極および前記対向電極にリ
ーク欠陥検査用電圧を印加して、リーク欠陥のあるスイ
ッチング手段に接続されている表示用電極に黒色顔料を
析出させ、前記表示用電極に電着された黒色顔料を、後
も残すことで表示装置として製造することを特徴とする
マトリクス形表示装置用基板の検査修正方法である。
作 用 本発明に従えば、リーク欠陥のあるスイッチング手段
に接続されている表示用電極には、黒色顔料が電着によ
って析出されて欠陥修正されているので、その表示用電
極に対応する絵素が常時発光状態となるのを防止するこ
とができる。またリーク欠陥のないスイッチング手段を
介して第１電極と導通／遮断される表示用電極には、黒
色顔料が電着によって析出されておらず、正常に絵素を
表示することができる。こうしてリーク欠陥のあった個
所が実質的に修正されることになり、それだけ製造歩留
りが向上する。
また本発明に従えば、マトリクス形表示装置用基板と
それに間隔をあけて配置された対向電極とを、水溶液中
でイオン化した高分子樹脂と黒色顔料とを含む電着液に
浸漬した状態で、第１電極、第２電極および対向電極の
間にリーク欠陥検出用電圧を印加し、これによって正常
であれば遮断しているスイッチング手段にリーク欠陥が
あれば、表示用電極に黒色顔料が析出されることにな
る。これによって上述のように表示用電極が不所望に発
光状態となるのを防止することができる。
作 用 本発明に従えば、たとえば静電気等に起因する高電圧
に対しては、検査用部材は、全第１電極および全第２電
極を短絡する短絡用配線として機能し、静電気によって
電極間に発生する高電圧に起因するスイッチング手段を
破壊を防止することができる。したがって、静電気対策
用の短絡用配線を別途に形成する場合に比較して、マト
リクス形表示用基板の製造に要する面積を小さく抑える
ことができる。また第１電極および第２電極は、この短
絡用配線と交差して形成されないので、従来の技術に関
連して述べたような断線欠陥の発生を減少することがで
きる。しかも、この検査用部材において、第１導電性部
分と第２導電性部分との間には、これらの部分よりも高
い抵抗値を持つ材料から成る高抵抗部分が介在されてお
り、電着検査法による欠陥個所の検査において、検査用
部材の切断および接続などの繁雑な作業を省くことがで
きる。
また本発明に従えば、電着検査法による欠陥個所の検
査において、リーク欠陥のあったスイッチング手段に接
続された表示用電極は黒色に着色されるため、その表示
用電極に対応する絵素が常時発光状態となるのを防止で
きる。すなわち、リーク欠陥のあった個所が実質的に修
正されたことになり、それだけ製造歩留まりが向上す
る。
実施例 第１図は本発明の表示電極基板の製造方法の一実施例
における製造工程の途中で得られ、マトリクス形表示用
基板の半製品（以下、「表示電極基板」と称する）の表
面構造を示す平面図である。第１図において斜線部分
は、比較的電気抵抗値の小さい材料から成る部分を示
す。第１図示の構造は、アクティブマトリクス駆動方式
の液晶装置に使用される表示電極基板の構造であって、
その表示電極基板の半製品の段階では、第１図に示すよ
うにガラスなどの透明の電気絶縁性基板上に信号電極と
なり、第１電極である複数のソースバスライン12と走査
電極となり、第２電極である複数のゲートバスライン13
とが互いに直角に立体交差するように配列して形成され
る。またソースバスライン12とゲートバスライン13の各
交差位置の近傍には、スイッチング手段であるTFT14と
表示用電極である絵素電極15とがそれぞれ形成され、TF
T14のソース電極はソースバスライン12に、ゲート電極
はゲートバスライン13に、ドレイン電極は絵素電極15に
それぞれ接続される。上記TFT14はソースバスライン12
およびゲートバスライン13を介して与えられる電圧に基
づき液晶表示装置の各絵素に対応する上記絵素電極15へ
の電圧の印加／非印加を制御するスイッチング手段とし
て働く。
また、奇数番目のソースバスライン12の各々の一端部
は共通の信号電極短絡用端子16aによって短絡され、偶
数番目のソースバスライン12の各々の一端部も別の共通
の信号電極短絡用端子16bによって短絡される。信号電
極短絡用端子16a,16bが第１導電性部分を構成してい
る。
同様に、奇数番目のゲートバスライン13の各々の一端
部は共通の走査電極短絡用端子17aによって短絡され、
偶数番目のゲートバスライン13の各々の一端部も別の共
通の走査電極短絡用端子17bによって短絡される。走査
電極短絡用端子17a,17bが、第２導電性部分を構成して
いる。
上記信号電極短絡用端子16a,16bおよび走査電極短絡
用端子17a,17bはソースバスライン12およびゲートバス
ライン13とほぼ同程度の低い抵抗値（比抵抗が１×10-4
KΩ・cm）を持つ材料によって形成される。したがっ
て、信号電極短絡用端子16a,16bおよび走査電極短絡用
端子17a,17bは、TFT14のゲート電極またはソース電極、
ドレイン電極を形成する際に、同時にパターン形成する
ことができる。
さらに、信号電極短絡用端子16aの一端部とこれに近
い走査電極短絡用端子17aの一端部との間は、たとえ
ば、リンをドープしたアモルファスシリコンなどの高い
抵抗値（比抵抗が1KΩ・cm）を持つ材料から成り、高抵
抗部分である高抵抗配線部18aによって接続される。同
様にして、信号電極短絡用端子16aの他端部とこれに近
い走査電極短絡用端子17bの一端部との間は別の高抵抗
配線部18bによって、また走査電極短絡用端子17bの他端
部と、これに近い信号電極短絡用端子16bの一端部との
間は別の高抵抗配線部18cによって、さらに信号電極短
絡用端子16bの他端部とこれに近い走査電極短絡用端子1
7aの他端部との間は別の高抵抗配線部18dによってそれ
ぞれ接続される。このようにして、ソースバスライン1
2、ゲートバスライン13、TFT14、素子電極15の形成領域
の外側に、この領域を取り囲むように信号電極短絡用端
子16,16b、走査電極短絡用端子17a,17b、高抵抗配線部1
8a,18b,18c,18dからなるリング状に閉じた検査部材であ
るショートリング11が形成される。このショートリング
11は静電気によってTFT14が破壊されるのを防止する役
割を担うものである。第２図は第１図におけるショート
リング11のII−II矢視断面図を示す。ショートリング11
がこのように形成されることによって、ショートリング
11とソースバスライン12やゲートバスライン13との交差
部は生じなくなり、したがって断線欠陥を少なくするこ
とができる。
ショートリング11は上述したように形成する場合のほ
か、次のように形成してもよい。すなわち、上記高抵抗
配線部18a,18b,18c,18dと同じ高抵抗の材料によって透
明絶縁基板上に第１図の場合と同じリング状に閉じたパ
ターンを形成して、これをショートリング11とするもの
である。このあと、このショートリング11上に重ねて第
１図に示すそれぞれの信号電極短絡用端子16a,16bおよ
び走査電極短絡用端子17a,17bを形成するのである。勿
論、この場合の信号電極短絡用端子16a,16bおよび走査
電極短絡用端子17a,17bは先の場合と同様の低抵抗材料
が用いられる。第３図はこの場合のショートリング11の
構造を第２図と同じ位置から見た断面図を示す。この場
合にもショートリング11とソースバスライン12やゲート
バスライン13との交差部は生じないので、断線欠陥を少
なくすることができる。このようにショートリング11を
形成した後に、信号電極短絡用端子16a,16bおよび走査
電極短絡用端子17a,17bに形成してもよいし、逆に信号
電極短絡用端子16a,16bおよび走査電極短絡用端子17a,1
7bを形成した後に、高抵抗配線部を形成するようにして
もよい。また高抵抗配線部と信号電極短絡用端子16a,16
bおよび走査電極短絡用端子17a,17bとは、同時にエッチ
ングして形成することもできる。
このようにして得られた表示電極基板の半製品は、次
に、電着検査法による欠陥検査に供される。
第４図は本発明の前提となる欠陥検査工程を示す説明
図である。第４図において、電着槽21にはイオン化した
高分子樹脂（ここではカルボキシルアニオンＲ・COO-）
とたとえばすみれ色の顔料とを水溶液中に溶融させて電
着液22が満たされ、この電着液22中に表示電極基板260
と対向電極23とが浸漬される。
いま、表示電極基板20に形成されているTFT14がＮチ
ャンネルであるとき、次の手順によってTFT14のリーク
欠陥や断線欠陥、オン不良などが検査される。
（１）表示電極基板20の信号電極短絡用端子16a,16b
（つまりソースバスライン12）に30V程度の直流電源24
の正極側が接続され、対向電極23には直流電源24の負極
側が接続され、リーク欠陥検査用電圧が印加される。こ
のとき表示電極基板20と対向電極23の間に印加された電
圧によって、表示電極基板20上に次式で示す電解反応が
起こる。
2H2O→4H+＋O2↑＋4e- …（１） Ｒ・COO-＋H+→Ｒ・COOH（析出） …（２） すなわち、電着液22中のカルボキシルアニオンＲ・CO
O-が表示電極基板20上の正電圧印加部に析出して高分子
樹脂膜が形成される。このとき、上記高分子樹脂ととも
に電着液22中の顔料も引き寄せられるので、析出された
高分子樹脂膜はすみれ色に着色される。この場合、TFT1
4にリーク欠陥があると、このTFT14に接続されている絵
素電極15にはすみれ色の高分子樹脂膜が電着され、これ
によってリーク欠陥個所が検出される。
上記検査において、信号電極短絡用端子16a,16bと走
査電極短絡用端子17a,17bとの間には高抵抗配線部18a,1
8b,18c,18dまたはショートリング11によって接続されて
いるけれども、この場合30V程度電圧印加状況のもとで
は、信号電極短絡用端子16a,16bと走査電極短絡用端子1
7a,17bの間は絶縁されていると見做すことができるの
で、これらの間を切断しなくてもTFT14は遮断してお
り、検査上何ら支障はない。
（２）次に表示電極基板20の走査電極短絡用端子17a,17
b（つまりゲートバスライン13）に直流電源24の正極側
が接続され、対向電極23には直流電源24の負極側が接続
されて、（１）の場合と同様にリーク欠陥の検査が行わ
れる。
この場合、信号電極短絡用端子16a,16bには、電圧は
印加されない。もしも仮に、それらの端子16a,16bに電
圧が印加されるとすれば、正常なTFT14は導通してしま
い、リーク欠陥の検査が不可能となってしまうからであ
る。
（３）次には、表示電極基板20の信号電極短絡用端子16
a,16bに上記直流電源24によって30V程度の正電圧が印加
される一方、走査電極短絡用端子17a,17bには別の直流
電源25によってTFT14のしきい値電圧を下まわる20V程度
の正電圧が印加され、これによって同様にリーク欠陥の
検査が行われる。
（４）以上の検査によってリーク欠陥の検出されなかっ
た表示電極基板20については、次の電圧印加条件によっ
て断線およびオン不良の欠陥が検出される。すなわち、
表示電極基板20の信号電極短絡用端子16a,16bに30V程度
の正電圧が直流電源24によって印加される一方、走査電
極短絡用端子17a,17bには別の直流電源25によってTFT14
のしきい値電圧を上まわる30V程度の正電圧が印加され
る。つまり、表示電極基板20の全TFT14がオン動作する
ような電圧印加条件が設置される。この場合、TFT14に
断線やオン不良があったり、ソースバスライン12、ゲー
トバスライン13の途中に断線があると、断線やオン不良
おあるTFT14に接続されている絵素電極15や、バスライ
ンの断線個所以降の部分に接続されている絵素電極15に
は着色した高分子樹脂膜が電着されないので、これによ
ってTFT14の断線・オン不良やソースバスライン12、ゲ
ートバスライン13の断線が検出される。
この断線・オン不良の検査が終了すると、電着した高
分子樹脂膜がブチルセロソルブなどで剥離され、さらに
イソプロピルアルコール、純水で洗浄されて検査工程が
終了する。
また、製造工程の途中で、TFT4の破壊につながるよう
な静電気が表示電極基板20に加わっても、このとき高抵
抗配線部18a,18b,18c,18dまたは高抵抗材料からなるシ
ョートリング11によって、各信号電極短絡用端子16a,16
bおよび走査電極短絡用端子17a,17b間つまりすべてのソ
ースバスライン12とゲートバスライン13の間は短絡され
ているのと等価であると見做されるので、TFT14が静電
気による破壊から守られることになる。
次に、本発明の表示電極基板の製造方法の一実施例に
ついて説明する。この実施例は上述した構成における欠
陥検査工程において、電着検査法に用いる電着液22中の
顔料として黒色の顔料を使用するものである。この場
合、上述した（４）の断線・オン不良の検査が先に行わ
れ、（１）〜（３）のリーク欠陥検査は後に行われる。
すなわち、（４）の断線・オン不良の検査において、欠
陥の検出されなかった表示電極基板20については、その
検査によって電着した高分子樹脂膜が剥離され、さらに
洗浄されてリーク欠陥検査が行われる。
この場合、TFT14にリーク欠陥があると、このTFT14に
接続されている絵素電極15には黒色の高分子樹脂膜が電
着され、これによってリーク欠陥個所が検出される。リ
ーク欠陥が複数個所にわたって存在するような場合には
問題外であるが、たとえばリーク欠陥が１個所だけの場
合には、その表示電極基板20を良品として液晶表示装置
に用いることができる。なぜなら、リーク欠陥個所の絵
素電極15には上述したように黒色の高分子樹脂膜が電着
されるので、その部分の絵素が常時発光状態を呈するこ
とがなく、表示品位を低下させることにならないからで
ある。すなわち、上述したリーク欠陥の検査では自動的
にリーク欠陥が修正されることになる。このことから、
表示電極基板20の製造歩留まりが大幅に向上する。その
ほかの手順・工程については先の構成と同様であるの
で、ここではその説明を省略する。
なお、上記実施例において、表示電極基板20に信号蓄
積キャパシタが形成される場合には、それら信号蓄積キ
ャパシタから引き出されるバスラインの端部も上述した
ショートリング11に接続される。
また、上記実施例では表示電極基板20にスイッチング
手段としてＮチャンネルのTFT14が形成される場合につ
いて説明したが、ＰチャンネルのTFTの場合でも同様の
工程によって欠陥検査を行うことができ、さらにスイッ
チング手段として非線形素子を形成する場合でも同様で
ある。
発明の効果 本発明によれば、リーク欠陥のあるスイッチング手段
に接続されている表示用電極には、黒色顔料が電着析出
されて欠陥修正されるので、その表示用電極が常時発光
状態となるのを防止し、表示品質の低下を防ぎ、修正を
行うことができ、製造歩留りが向上されることになる。
また本発明によれば、電着検査法による欠陥個所の検
査において、リーク欠陥のあったスイッチング手段に接
続されている表示用電極が上述のように電着によって黒
色顔料が析出されるので、リーク欠陥のあった個所を検
査することができるとともに、そのリーク欠陥のあった
個所が実質的に修正されたことになり、それだけ製造歩
留りが向上する。
こうして本発明によれば、マトリクス形表示装置用基
板と対向電極とを、水溶液中でイオン化した高分子樹脂
と黒色顔料とを含む電着液に、浸漬した状態で、第１電
極、第２電極および対向電極とにリーク欠陥検査用電圧
を印加して、正常であれば遮断しているスイッチング手
段にリーク欠陥があることによって、そのリーク欠陥の
あるスイッチング手段に接続されている表示用電極に黒
色顔料を析出させ、それを後も残す。したがってその表
示用電極が常時発光状態となるのを防止し、表示品質の
低下を防ぎ、修正を行うことが上述のように可能にな
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例である表示電極基板の製造方
法の工程途中における表示電極基板表面の構造を示す平
面図、第２図は第１図のII−II矢視断面図、第３図は異
なる実施態様における表示電極基板を第２図と同じ位置
から見た断面図、第４図は本発明の前提となる製造方法
における欠陥検査工程を示す説明図、第５図は従来の表
示電極基板の製造方法の工程途中における表示電極基板
表面の構造を示す平面図、第６図は従来の別の表示電極
基板の製造方法の工程途中における表示電極基板表面の
構造を示す平面図である。 11……ショートリング、12……ソースバスライン、13…
…ゲートバスライン、14……TFT、15……絵素電極、16
a,16b……信号電極短絡用端子、17a,17b……走査電極短
絡用端子、18a,18b,18c,18d……高抵抗配線部、20……
表示電極基板、21……電着槽、22……電着液、23……対
向電極、24,25……直流電源
フロントページの続き (72)発明者 音琴 秀則 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 高松 敏明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 森本 弘 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−59269（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−285476（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−258490（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−303416（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−70596（ＪＰ，Ｕ)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】電気絶縁性基板上に、相互に平行な複数の
    第１電極と、第１電極と交差する方向に延びる複数の第
    ２電極と、第２電極における信号レベルによって、導通
    ／遮断され、前記第１電極と第２電極とによって囲まれ
    る複数の単位領域毎に設けられるスイッチング手段と、
    該スイッチング手段を介して第１電極と導通／遮断され
    る表示用電極とを含むマトリクス形表示装置用基板にお
    いて、 リーク欠陥のあるスイッチング手段に接続されている表
    示用電極には、黒色顔料が電着析出されて欠陥修正され
    ており、 リーク欠陥のないスイッチング手段を介して第１電極と
    導通／遮断される表示用電極には、黒色顔料が電着析出
    されていないことを特徴とするマトリクス形表示装置用
    基板。
  2. 【請求項２】電気絶縁性基板上に、相互に平行な複数の
    第１電極と、第１電極と交差する方向に延びる複数の第
    ２電極と、第２電極における信号レベルによって、導通
    ／遮断され、前記第１電極と第２電極とによって囲まれ
    る複数の単位領域毎に設けられるスイッチング手段と、
    該スイッチング手段を介して第１電極と導通／遮断され
    る表示用電極とを含むマトリクス形表示装置用基板の電
    気的接続状態を検査して修正するための方法において、 前記マトリクス形表示装置用基板と前記マトリクス形表
    示装置用基板に対して間隔をあけて配置された検査用の
    対向電極とを、水溶液中でイオン化した高分子樹脂と黒
    色顔料とを含む電着液に、浸漬した状態で、 前記第１電極、前記第２電極および前記対向電極にリー
    ク欠陥検査用電圧を印加して、リーク欠陥のあるスイッ
    チング手段に接続されている表示用電極に黒色顔料を析
    出させ、前記表示用電極に電着された黒色顔料を、後も
    残すことで表示装置として製造することを特徴とするマ
    トリクス形表示装置用基板の検査修正方法。
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