JPS6076179A - 熱電変換装置 - Google Patents

熱電変換装置

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Publication number
JPS6076179A
JPS6076179A JP58183725A JP18372583A JPS6076179A JP S6076179 A JPS6076179 A JP S6076179A JP 58183725 A JP58183725 A JP 58183725A JP 18372583 A JP18372583 A JP 18372583A JP S6076179 A JPS6076179 A JP S6076179A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat
metal plate
insulating film
metallic plate
conversion device
Prior art date
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Pending
Application number
JP58183725A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiaki Tanaka
利明 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SAAMOBONITSUKU KK
Thermovonics Co Ltd
Original Assignee
SAAMOBONITSUKU KK
Thermovonics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SAAMOBONITSUKU KK, Thermovonics Co Ltd filed Critical SAAMOBONITSUKU KK
Priority to JP58183725A priority Critical patent/JPS6076179A/ja
Publication of JPS6076179A publication Critical patent/JPS6076179A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/13Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the heat-exchanging means at the junction

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は多数の熱電変換用の半導体素子を有した熱雷変
換装置に関する。
熱雷変換用のN型半導体素子とP型半導体装置とを電気
的に直列に接続してなる熱雷変換素子を更に電気的に直
列に接続して所望の吸熱・発熱作用又は電力を得るよう
にした熱雷変換装置においては、これら多数の熱電変換
素子をしっかりと保持して固定する保持部材、1−なわ
ち保持板を必要とする。このような保持板としては、従
来では例えばアルミナの焼結体からなるセラミック板が
用いられている。ところでこの保持板では、それ自体に
よって熱雷変換素子と他の取付部材との間の電気的絶縁
を行い得るが、その熱伝導率が0.2ないし0.3W/
cm・℃程度の低い値であるため、所定の機械的強度が
得られるようにすると吸熱、放熱を効果的に行うことが
困難であり、加えて比較的もろい故に、熱歪により割れ
が生じたりするため、急冷、急加熱されるようなものに
は使用し難く、それ程満足し得るものではない。
本発明は前記諸点に鑑みなされたものであり、その目的
と覆るところは、吸熱、放熱を効果的に行い得ると共に
同時に他の部材との電気的絶縁を達成し得、熱源、放熱
源への取り付t−1を容易に行い得、加えて機械的な強
度をも十分に得られ熱歪による割れ等が生じない熱雷変
換装置を提供することにある。
本発明ににれば前記目的は、高熱伝導率を有すると共に
所望の機械的強度を有する金属板と、この金属板の一方
の面を電気的に絶縁すべく、この金属板の一方の面に接
着されており、比較的高熱伝導率を有する絶縁膜ど、互
いに分離されてこの絶縁膜に接着された多数の電極箔と
から夫々がなる一対の吸熱・放熱板の間に、多数の熱雷
変換用の半導体素子の夫々が、互いに対面する前記電極
箔の夫々に一端面で接着されて配置されてなる熱雷変換
装置により達成される。
本発明による熱電変換装置では、金属板が実質的に保持
板として機能Jる故に、熱抵抗を小さくし1q、吸熱、
放熱効果を満足し得る程度に得ることかできる。その上
金属板であるため、比較的延性に優れ、よって熱歪等に
よって割れが生じる等の事故をなりシ17、加えて絶縁
膜の可撓性と相俟って種々の形状に変形し得る結果、平
板状、角柱状、円筒状、球状等の種々の形状の熱雷変換
装置を提供し得る。
本発明の金属板としては、鉄、好ましくは、アルミニウ
ム、銅又はこれらの合金等を用いることができ、軽量化
を翳する場合にはアルミニウム又はこれの合金が好まし
い。また金属板の厚みは、熱時定数、機械的強度の観点
から種々の値を採用し得、好ましい具体例ではこの1g
さは、0.51IIl〜2ml0であり、吸熱、放熱特
性を向上さμるべく、絶縁膜が形成される面と反対の面
に多数の吸熱フィン、放熱フィンを一体的又は別体で設
番ノでもよく、このようにフィンを設けると金属板の機
械的強度が増し、薄い金属板でも具体化し得ると同時に
実質的な熱時定数を小iくしm、好ましい特性を得るこ
とかできる。
本発明の熱電変換装置にtjGノる絶縁膜どしては、好
ましくは耐熱性に優れたポリイミド樹脂、特に好ましく
はデュポン社製のケブトン(商品名)がよい。この絶縁
膜すなわちフィルムは熱伝尋性の観点からできるだけ薄
く形成するのがよいが、一つの具体例では約20μm程
度の値とされる。前記クブトンの熱伝導率は0.24 
xlOW/cm・℃程度であり、厚みが20μm程度の
場合にはこの程度の熱伝導率でも十分に初JIJの目的
を達成し得る。
尚、耐熱性を有している他の樹脂をも使用し得、必要に
応じて高熱伝導性のフィラー材を樹脂に混入して耐熱性
に加えて高熱伝導性を得るにうにしt’ G J、く、
フィラー材としては例えばアルミナ等を用いることがで
きる。このような絶縁膜を金属板に接着する場合、耐熱
性のエポ4ニジ樹脂からなる接着剤を用いて行うとよい
。この接着剤には、絶縁膜と同様に、熱伝導を良くする
ためにアルミナ等のフィラー祠を混入してもよく、これ
により1xlOW/cm・℃程度の熱伝導率を得ること
ができる。一つの好ましい具体例では接着剤層の厚みは
40μm程度である。
本発明の電極箔としては、銅、ニッケル、スズ等を好ま
しく用いることができ、これらの金属からなる箔すなわ
ちフィルムが絶縁膜に接着剤により接着されて電極箔が
形成されている。好ましい−具体例ではこの電極箔は厚
み100μ…の銅箔から形成されている。電極箔と絶縁
膜との接着は前述の接着剤を同様に適用−4るとよく、
この接着剤の層の厚みも、一つの具体例では40μm程
度である。
互いに分離された電極箔を(9るためには、いわゆるプ
リント基板のパターン製造技術を適用し得る。すなわち
、絶縁膜の一方の面全体を覆って例えば銅箔を接着し、
その後エツヂング処理をこの銅箔に施して不必要な銅箔
を除去し、互いに分離された電極箔を形成する。
本発明にお番)る半導体素子は、結晶又は焼結半導体か
らなり、直列接続の場合には、P型半導体素子とN型半
導体素子とが交互に配列されて電極箔にそれぞれ一端面
で電気的に接続される。電極箔と半導体素子どの電気的
な接続には、ハンダが用いられる。
以下本発明を、図面に示す好ましい具体例を用いてより
詳細に説明する。
図において、アルミ製の一対の金属板1及び2の夫々対
向する一方の面3及び4には、比較的熱伝導率の高いポ
リイミド樹脂のフィルムからなる絶縁l!!5及び6が
接着されている。金属板1と絶縁膜5との間の接着剤層
7の厚み8は約40μmであり、金属板2と絶縁膜6と
の間の接着剤層9の厚み10も同程度である。層7及び
9を形成する接着剤としてはアルミナが混入された。耐
熱エポキシ樹脂が適用されている。尚、金属板1及び2
の厚み11及び12は本具体例では夫々1mll1であ
り、絶縁膜5及び6の厚み13及び14は約20μmで
ある。絶縁膜5及び6の夫々の一方の面15及び16に
は、互いに分離された多数の電極箔11及び18が接着
されており、銅製の電極箔17及び18の厚み19及び
20は夫々的100μmである。電極箔17及び18と
絶縁膜5及び6との夫々の間には、接着剤層7及び9ど
同様の接着剤層21及び22が介在している。絶縁膜5
及び6により電極箔11及び18は夫々金属板1及び2
から電気的に絶縁されている。このように金属板1、絶
縁膜5及び電極箔11からなる一方の吸熱・放熱板23
と金属板2、絶縁膜6及び電極箔18からなる他方の吸
熱・放熱板24との間には、熱電変換用のP型半シ9体
素子25どN型半導体素子26とが交互に配置されてJ
3す、半導体素子25及び26は人々一端面で互いに体
面する電極11及び18にハンダ付けにより接着されて
おり、端子21及び28間で交Hに配置された半導体素
子25及び26は電気的に直列に接続されている。
以上のように構成された熱雷変換装置3oにおいて、直
流電源31を図示のように接続すると、金属板1側が冷
却され、金属板2側が発熱される一方、電源31を逆に
接続すると金属板1側が発熱され、金属板2側が冷却さ
れる。また電源31の代わりに端子21及び28問に負
荷を接続し、金属板1側を加熱又は冷iJJ L、金属
板2側を冷却又は加熱すると、負荷に所定の電力を供給
することができる。
従つ°C1このような熱電変換装置30の動作において
、半導体素子25及び20を保持する金属板1及び2が
セラミックス等の保持板と比較して効率のよい吸熱板又
は放熱板として機能し得るため、加熱冷却及び発電を効
果的に行い得る。
次にこのような熱雷変換装置30の製造方法について説
明すると、まず、第3図に示すような金属板40の一方
の面に絶縁膜5又は6となる絶縁膜ずなわも絶縁フィル
ム41が接着され、この絶縁膜41の一方の面全体に銅
箔42が接着された板43を2枚準備し、次に銅箔42
に対してエツチング処理を施して不要部の銅箔42を除
去して吸熱・放熱板23又は24となる第4図に示すよ
うな板44を2枚得る。
尚、板44が得られた段階で重積17又は18となる銅
箔の表面に対してニラカルメッキを施すと、以後のハン
ダ付は工程を困難なしに行い得好ましい。
次に2枚の板44の銅箔の表面にスクリーンプリントに
よりハンダをプリントし、このハンダプリントされた一
方の板44の表面に、第5図に示すようにP型及びN型
半導体素子25及び26を載置し、その上に残る他方の
板44を載置し、両板44を互い向って押圧しながらハ
ンダの溶解温度まで加熱して半導体素子25&び26を
夫々銅箔に接着し、その後、冷n」すると熱電変換装置
30を得ることができる。
前記の如く、本発明によれば、保持部材として金属板を
用いているため、吸熱、放熱を効率よく行いlE’Jる
上に、吸熱源、放熱源に簡単に取り付()られ得、加え
て、セラミックに比較して変形が容易であるため、種々
の形状の装置を得られ得る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による好ましい一員体例の斜視図、第2
図は第1図に示す具体例の一部拡大説明図、第3図から
第5図は第1図に示す具体例の装置の製造方法の説明図
である。 1.2・・・金属板 5.6・・・絶縁膜17、18・
・・電極箔 25.26・・・半導体装置第2図 第3図 3 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1) 高熱伝導率を有すると共に所望の機械的強度を
    有づる金属板と、この金属板の一方の面を電気的に絶縁
    ジべく、この金属板の一方の面に接着されており、比較
    的高熱伝導率を右する絶縁膜と、互いに分離されてこの
    絶縁膜に接着された多数の電極箔とから夫々がなる一対
    の吸熱・放熱板の間に、多数の熱雷変換用の半導体素子
    の夫々が、互いに対rK1iする前記電極箔の夫々に一
    端面で接着されて配置されてなる熱電変換装置。 (2・) 金属板はアルミニウムからなる特許請求の範
    囲第1項に記載の熱雷変換装置。 (3) 金属板は鉄からなる特許請求の範囲第1項に記
    載の熱雷変換装置。 (4) 金属板は銅からなる特許請求の範囲第1項に記
    載の熱電変換装置。 (5) 絶縁膜はポリイミド樹脂からなる特許請求の範
    囲第1項から第4項のいずれかに記載の熱雷変換装置。 (6) 金属板と絶縁膜とは耐熱性1ポキシ樹脂からな
    る接着剤により接着されている特許請求の範囲第1項か
    ら第5項のいずれかに記載の熱雷変換装置。 (7) 絶縁膜ど電極箔とは耐熱性エポキシ樹脂からな
    る接着剤により接着されている特許請求の範囲m I 
    Jnから第6項のいずれかに記載の熱雷変換装置。
JP58183725A 1983-09-30 1983-09-30 熱電変換装置 Pending JPS6076179A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62178555U (ja) * 1986-04-30 1987-11-12
JPS62178554U (ja) * 1986-04-30 1987-11-12
JPH01256180A (ja) * 1988-04-05 1989-10-12 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 熱電モジュールおよびその製造方法
JPH0690030A (ja) * 1992-09-08 1994-03-29 Agency Of Ind Science & Technol 熱電素子シート

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