JP2614764B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP2614764B2 JP2614764B2 JP1111138A JP11113889A JP2614764B2 JP 2614764 B2 JP2614764 B2 JP 2614764B2 JP 1111138 A JP1111138 A JP 1111138A JP 11113889 A JP11113889 A JP 11113889A JP 2614764 B2 JP2614764 B2 JP 2614764B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- control element
- sealing resin
- power element
- case
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に関し、特に制御用の素子と、
電力用の素子とを有する半導体装置に関するものであ
る。
電力用の素子とを有する半導体装置に関するものであ
る。
第４図は従来の半導体装置の構造を示す断面図であ
る。図において、（１）は上側表面に絶縁層を設けた金
属よりなるベース板で、その下側表面を放熱板に密着し
て取り付けられる。（２）はこのベース板（１）上に設
けられるパワー素子である。（３）はこのパワー素子
（２）の出力を外部に伝える出力端子、（４）は前記ベ
ース板（１）の上部に配設される絶縁材よりなる制御基
板、（５）はこの制御基板（４）上に取り付けられる能
動素子である制御素子、（６）は前記制御素子（５）に
外部からの入力信号を伝える入力端子である。（７）は
前記制御素子（５）が出力する制御信号を前記パワー素
子（２）に伝える、金属よりなる接続端子である。
（８）は前記ベース板（１）、制御基板（４）の周縁部
を囲繞するように形成される絶縁材よりなるケースであ
る。（９）はこのケース（８）内に注入され加熱するこ
とにより硬化する熱硬化性の樹脂である。
る。図において、（１）は上側表面に絶縁層を設けた金
属よりなるベース板で、その下側表面を放熱板に密着し
て取り付けられる。（２）はこのベース板（１）上に設
けられるパワー素子である。（３）はこのパワー素子
（２）の出力を外部に伝える出力端子、（４）は前記ベ
ース板（１）の上部に配設される絶縁材よりなる制御基
板、（５）はこの制御基板（４）上に取り付けられる能
動素子である制御素子、（６）は前記制御素子（５）に
外部からの入力信号を伝える入力端子である。（７）は
前記制御素子（５）が出力する制御信号を前記パワー素
子（２）に伝える、金属よりなる接続端子である。
（８）は前記ベース板（１）、制御基板（４）の周縁部
を囲繞するように形成される絶縁材よりなるケースであ
る。（９）はこのケース（８）内に注入され加熱するこ
とにより硬化する熱硬化性の樹脂である。
このような半導体装置は、例えばモーターの駆動に用
いられるもので、入力端子（６）に入れられた入力信号
に従って、制御素子（５）が接続端子（７）を通して、
制御信号をパワー素子（２）へ出力する。この制御信号
に従ってパワー素子（２）がモーターの接続された出力
端子（３）に出力する。そして、パワー素子（２）の発
生する熱をベース板（１）からこのベース板（１）が密
着して取り付けられた放熱板を通して放熱する。
いられるもので、入力端子（６）に入れられた入力信号
に従って、制御素子（５）が接続端子（７）を通して、
制御信号をパワー素子（２）へ出力する。この制御信号
に従ってパワー素子（２）がモーターの接続された出力
端子（３）に出力する。そして、パワー素子（２）の発
生する熱をベース板（１）からこのベース板（１）が密
着して取り付けられた放熱板を通して放熱する。
従来の半導体装置は、以上のように構成されており制
御素子（５）がパワー素子（２）の上部にあり、このパ
ワー素子（２）の発生する熱によりパワー素子（２）の
上部に載置される制御素子（５）の温度が上昇し、その
機能がベース板（１）の温度で規制されていた。
御素子（５）がパワー素子（２）の上部にあり、このパ
ワー素子（２）の発生する熱によりパワー素子（２）の
上部に載置される制御素子（５）の温度が上昇し、その
機能がベース板（１）の温度で規制されていた。
本発明は、上記のような欠点を解消するためになされ
たもので、制御素子の温度上昇を抑止できる半導体装置
を得ることを目的とする。
たもので、制御素子の温度上昇を抑止できる半導体装置
を得ることを目的とする。
本発明に係る半導体装置は、パワー素子が載置される
第１の基板と、この第１の基板の上方に間隔をおいて配
設され制御素子が載置される第２の基板と、第１および
第２の基板の周縁部をそれぞれ囲繞するケースと、この
ケース内に充填されパワー素子を第１の基板上に、制御
素子を第２の基板上にそれぞれ封止する封止樹脂とを備
え、第２の基板に制御素子が載置される水平方向領域
と、第１の基板にパワー素子が載置される水平方向領域
とが上下方向において重ならないようにしたものであ
る。
第１の基板と、この第１の基板の上方に間隔をおいて配
設され制御素子が載置される第２の基板と、第１および
第２の基板の周縁部をそれぞれ囲繞するケースと、この
ケース内に充填されパワー素子を第１の基板上に、制御
素子を第２の基板上にそれぞれ封止する封止樹脂とを備
え、第２の基板に制御素子が載置される水平方向領域
と、第１の基板にパワー素子が載置される水平方向領域
とが上下方向において重ならないようにしたものであ
る。
また、第２の基板の制御素子が載置される水平方向領
域の下側面を封止樹脂を介しケースで覆うとともに、そ
の部分の封止樹脂の厚さを、第１の基板と第２の基板と
の間の封止樹脂の厚さより薄くし、その下部のケースの
外側面が外気に接するようにしたものである。
域の下側面を封止樹脂を介しケースで覆うとともに、そ
の部分の封止樹脂の厚さを、第１の基板と第２の基板と
の間の封止樹脂の厚さより薄くし、その下部のケースの
外側面が外気に接するようにしたものである。
本発明によれば、第２の基板に制御素子が載置される
水平方向領域と、第１の基板にパワー素子が載置される
水平方向領域とが上下方向において重ならないように配
置することにより、パワー素子からの熱影響を阻止して
制御素子の温度上昇を防止する。
水平方向領域と、第１の基板にパワー素子が載置される
水平方向領域とが上下方向において重ならないように配
置することにより、パワー素子からの熱影響を阻止して
制御素子の温度上昇を防止する。
また、第２の基板の制御素子が載置される水平方向領
域の下方の封止樹脂の厚さを薄くし、その下部のケース
の外側面が外気と接するように配置することにより、外
気による空冷効果で制御素子の温度上昇を防止する。
域の下方の封止樹脂の厚さを薄くし、その下部のケース
の外側面が外気と接するように配置することにより、外
気による空冷効果で制御素子の温度上昇を防止する。
以下、本発明の実施例を図に従って説明する。
なお、従来の技術と重複する部分は、適宜その説明を
省略する。
省略する。
第１図は本発明の一実施例を示した断面図である。図
において、（２）〜（７）及び（９）は従来のものと同
じものである。（10）は第１の基板とある、上側表面に
絶縁層を設けた金属よりなるベース板、（11）は前記ベ
ース板（10）、第２の基板として制御基板（４）を取り
囲むように形成される絶縁材よりなるケースである。
において、（２）〜（７）及び（９）は従来のものと同
じものである。（10）は第１の基板とある、上側表面に
絶縁層を設けた金属よりなるベース板、（11）は前記ベ
ース板（10）、第２の基板として制御基板（４）を取り
囲むように形成される絶縁材よりなるケースである。
このような半導体装置は、例えばモーターの駆動に用
いられるもので、入力端子（６）に入れられた入力信号
に従って制御素子（５）が接続端子（７）を通して制御
信号をパワー素子（２）へ出力する。この制御信号に従
ってパワー素子（２）がモーターの接続された出力端子
（３）に出力する。そして、パワー素子（２）の発生す
る熱をベース板（10）からこのベース板（10）が密着し
て取り付けられた放熱板を通して放熱する。
いられるもので、入力端子（６）に入れられた入力信号
に従って制御素子（５）が接続端子（７）を通して制御
信号をパワー素子（２）へ出力する。この制御信号に従
ってパワー素子（２）がモーターの接続された出力端子
（３）に出力する。そして、パワー素子（２）の発生す
る熱をベース板（10）からこのベース板（10）が密着し
て取り付けられた放熱板を通して放熱する。
このように、制御素子（５）が載置される水平方向領
域を、パワー素子（２）が載置される水平方向領域と上
下方向において重ならないように配置することにより、
制御素子（５）の温度上昇を防止することができる。
域を、パワー素子（２）が載置される水平方向領域と上
下方向において重ならないように配置することにより、
制御素子（５）の温度上昇を防止することができる。
なお、パワー素子（２）が載置される水平方向領域と
は、パワー素子（２）が１個の場合はベース板（10）、
即ち第１の基板上においてパワー素子（２）が占有する
領域を、また、パワー素子（２）が複数個の場合におい
ては、その複数個のパワー素子（５）で囲まれる領域を
意味し、 また、制御素子（５）が載置される水平方向領域と
は、制御素子（５）が１個の場合は制御基板（４）、即
ち第２の基板上において制御素子（５）が占有する領域
を、また、制御素子（５）が複数個の場合においては、
その複数個の制御素子（５）が囲まれる領域を意味す
る。
は、パワー素子（２）が１個の場合はベース板（10）、
即ち第１の基板上においてパワー素子（２）が占有する
領域を、また、パワー素子（２）が複数個の場合におい
ては、その複数個のパワー素子（５）で囲まれる領域を
意味し、 また、制御素子（５）が載置される水平方向領域と
は、制御素子（５）が１個の場合は制御基板（４）、即
ち第２の基板上において制御素子（５）が占有する領域
を、また、制御素子（５）が複数個の場合においては、
その複数個の制御素子（５）が囲まれる領域を意味す
る。
第２図は本発明の他の実施例を示した断面図である。
図において、（２）〜（７）及び（９）は従来のものと
同じもの、（10）は第１図に示すものと同じものであ
る。（12）は前記制御基板（４）を取り囲み、前記制御
素子（５）が載置された領域の下部に凹部を設けた構造
の絶縁材よりなるケースである。
図において、（２）〜（７）及び（９）は従来のものと
同じもの、（10）は第１図に示すものと同じものであ
る。（12）は前記制御基板（４）を取り囲み、前記制御
素子（５）が載置された領域の下部に凹部を設けた構造
の絶縁材よりなるケースである。
このように、制御素子（５）が載置される水平方向領
域の下方の封止樹脂（９）の厚さを薄くし、その下部の
ケース（12）の外側面が外気と接するように配置するこ
とにより、外気による空冷効果で制御素子（５）の温度
上昇を防止することができる。
域の下方の封止樹脂（９）の厚さを薄くし、その下部の
ケース（12）の外側面が外気と接するように配置するこ
とにより、外気による空冷効果で制御素子（５）の温度
上昇を防止することができる。
第３図は本発明のさらに他の実施例を示した断面図で
ある。図においては、（２）〜（７）及び（９）は従来
のものと同じもの、（10）、（12）は第２図に示すもの
と同じものである。（13）は前記制御基板（４）の一表
面に当接され一部が前記ケース（12）の外に突出する放
熱板である。
ある。図においては、（２）〜（７）及び（９）は従来
のものと同じもの、（10）、（12）は第２図に示すもの
と同じものである。（13）は前記制御基板（４）の一表
面に当接され一部が前記ケース（12）の外に突出する放
熱板である。
このように、制御基板（４）の一表面に当接され一部
がケース（12）の外に突出する放熱板（13）を配置する
ことにより、放熱板（13）による放熱効果で制御素子
（５）の温度上昇を防止することができる。
がケース（12）の外に突出する放熱板（13）を配置する
ことにより、放熱板（13）による放熱効果で制御素子
（５）の温度上昇を防止することができる。
以上のように本発明によれば、パワー素子が載置され
る第１の基板と、この第１の基板の上方に間隔をおいて
配設され制御素子が載置される第２の基板と、第１およ
び第２の基板の周縁部をそれぞれ囲繞するケースと、こ
のケース内に充填されパワー素子を第１の基板上に、制
御素子を第２の基板上にそれぞれ封止する封止樹脂とを
備え、第２の基板に制御素子が載置される水平方向領域
と、第１の基板にパワー素子が載置される水平方向領域
とが上下方向において重ならないようにしたことによ
り、制御素子の温度上昇を防止し信頼性を向上させるこ
とができる。
る第１の基板と、この第１の基板の上方に間隔をおいて
配設され制御素子が載置される第２の基板と、第１およ
び第２の基板の周縁部をそれぞれ囲繞するケースと、こ
のケース内に充填されパワー素子を第１の基板上に、制
御素子を第２の基板上にそれぞれ封止する封止樹脂とを
備え、第２の基板に制御素子が載置される水平方向領域
と、第１の基板にパワー素子が載置される水平方向領域
とが上下方向において重ならないようにしたことによ
り、制御素子の温度上昇を防止し信頼性を向上させるこ
とができる。
また、第２の基板の制御素子が載置される水平方向領
域の下側面を封止樹脂を介しケースで覆うとともに、そ
の部分の封止樹脂の厚さを、第１の基板と第２の基板と
の間の封止樹脂の厚さより薄くし、その下部のケースの
外側面が外気に接するようにしたことにより、制御素子
の温度上昇を防止し信頼性を向上させることができる。
域の下側面を封止樹脂を介しケースで覆うとともに、そ
の部分の封止樹脂の厚さを、第１の基板と第２の基板と
の間の封止樹脂の厚さより薄くし、その下部のケースの
外側面が外気に接するようにしたことにより、制御素子
の温度上昇を防止し信頼性を向上させることができる。
第１図、第２図、第３図は本発明の一実施例の半導体装
置の構造を示す断面図、第４図は従来の半導体装置の構
造を示す断面図である。 図において、（１）、（10）……第１の基板としてのベ
ース板、（２）……パワー素子、（４）……第２の基板
としての制御基板、（５）……制御素子、（８）、（1
1）、（12）……ケース、（13）……放熱板である。 なお、各図中同一符号は同一、または相当部分を示す。
置の構造を示す断面図、第４図は従来の半導体装置の構
造を示す断面図である。 図において、（１）、（10）……第１の基板としてのベ
ース板、（２）……パワー素子、（４）……第２の基板
としての制御基板、（５）……制御素子、（８）、（1
1）、（12）……ケース、（13）……放熱板である。 なお、各図中同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】パワー素子が載置される第１の基板、この
第１の基板の上方に該第１の基板と間隔をおいて配設さ
れ、且つ制御素子が載置される第２の基板、前記第１お
よび第２の基板の周縁部を囲繞するケース、およびこの
ケース内に充填され前記パワー素子を前記第１の基板上
に、前記制御素子を前記第２の基板上にそれぞれ封止す
る封止樹脂を備えた半導体装置において、前記第２の基
板に前記制御素子が載置される水平方向領域と前記第１
の基板に前記パワー素子が載置される水平方向領域とが
上下方向において重ならないようにしたことを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項２】第２の基板の制御素子が載置される水平方
向領域の下側面を封止樹脂を介しケースで覆うととも
に、その部分の前記封止樹脂の厚さを、第１の基板と前
記第２の基板との間の封止樹脂の厚さより薄くし、その
下部の前記ケースの外側面が外気に接するようにしたこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1111138A JP2614764B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1111138A JP2614764B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02291160A JPH02291160A (ja) | 1990-11-30 |
| JP2614764B2 true JP2614764B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=14553421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1111138A Expired - Lifetime JP2614764B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2614764B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101524545B1 (ko) * | 2008-02-28 | 2015-06-01 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 전력 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0719167Y2 (ja) * | 1989-08-03 | 1995-05-01 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
| JP2543452Y2 (ja) * | 1990-12-21 | 1997-08-06 | 富士通テン株式会社 | 半導体装置 |
| DE102006033175A1 (de) * | 2006-07-18 | 2008-01-24 | Robert Bosch Gmbh | Elektronikanordnung |
| JP5319908B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2013-10-16 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 回路装置 |
| JP5222838B2 (ja) * | 2009-12-21 | 2013-06-26 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 制御装置 |
| JP2018195621A (ja) * | 2017-05-12 | 2018-12-06 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路装置 |
| WO2024095830A1 (ja) * | 2022-11-04 | 2024-05-10 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6216554A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Sharp Corp | 制御回路内蔵型電力半導体装置 |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP1111138A patent/JP2614764B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101524545B1 (ko) * | 2008-02-28 | 2015-06-01 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 전력 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02291160A (ja) | 1990-11-30 |
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