JP2585890B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2585890B2 JP2585890B2 JP3110939A JP11093991A JP2585890B2 JP 2585890 B2 JP2585890 B2 JP 2585890B2 JP 3110939 A JP3110939 A JP 3110939A JP 11093991 A JP11093991 A JP 11093991A JP 2585890 B2 JP2585890 B2 JP 2585890B2
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- JP
- Japan
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- resin
- lid
- semiconductor device
- silicone gel
- outside
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、パワーデバイス、特
にパワーモジュールの構造に関するものである。
にパワーモジュールの構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は先に本出願人の出願（特願平１−
４４３２２）に係るこの種の従来装置を示すものであ
り、これはパワーモジュールの内、樹脂封止構造では最
も一般的なシリコーンゲルなど柔軟な樹脂とエポキシ樹
脂等硬い樹脂との二層構造の問題点を克服するために提
案されたものである。
４４３２２）に係るこの種の従来装置を示すものであ
り、これはパワーモジュールの内、樹脂封止構造では最
も一般的なシリコーンゲルなど柔軟な樹脂とエポキシ樹
脂等硬い樹脂との二層構造の問題点を克服するために提
案されたものである。
【０００３】即ち、図３において、１はベース板、２は
絶縁板、３は端子、７はケース、８はシリコーンゲル、
９はエポキシ樹脂、１０は連通開口、１１は空間部、１
２は開口穴を示している。このようなものにおいて、パ
ワーモジュールが通電などによる発熱でケース全体の温
度が上昇した時、図３の例の場合の柔軟な樹脂であるシ
リコーンゲル８は硬い樹脂であるエポキシ樹脂９に比較
して熱膨張係数が約５０倍も大きいので、内部のシリコ
ーンゲルの膨張のために内圧が増大し、エポキシ樹脂層
を上部に押し上げる力が作用するため、エポキシ樹脂９
に固着されている端子類も同時に押し上げ、端子を接着
させている半田疲労を早期に生じさせることがある。図
３のものはその問題の解決を意図したものである。
絶縁板、３は端子、７はケース、８はシリコーンゲル、
９はエポキシ樹脂、１０は連通開口、１１は空間部、１
２は開口穴を示している。このようなものにおいて、パ
ワーモジュールが通電などによる発熱でケース全体の温
度が上昇した時、図３の例の場合の柔軟な樹脂であるシ
リコーンゲル８は硬い樹脂であるエポキシ樹脂９に比較
して熱膨張係数が約５０倍も大きいので、内部のシリコ
ーンゲルの膨張のために内圧が増大し、エポキシ樹脂層
を上部に押し上げる力が作用するため、エポキシ樹脂９
に固着されている端子類も同時に押し上げ、端子を接着
させている半田疲労を早期に生じさせることがある。図
３のものはその問題の解決を意図したものである。
【０００４】ここで図３において、内側壁７２によって
隔離された空隙部分７３は連通開口部１０によって内部
とつながり、シリコーンゲル８が空隙部分７３の内部に
も入っている。これによりこの空隙部分の上部には空間
１１が形成され、この空間１１は開口穴１２によって外
部に通じている。このため、シリコーンゲル８が温度上
昇により膨張しても、両側の空隙部分７３内のシリコー
ンゲルの面が若干上昇するのみで、内圧が増大すること
はなく、したがって半田疲労が早期に発生することもな
い。
隔離された空隙部分７３は連通開口部１０によって内部
とつながり、シリコーンゲル８が空隙部分７３の内部に
も入っている。これによりこの空隙部分の上部には空間
１１が形成され、この空間１１は開口穴１２によって外
部に通じている。このため、シリコーンゲル８が温度上
昇により膨張しても、両側の空隙部分７３内のシリコー
ンゲルの面が若干上昇するのみで、内圧が増大すること
はなく、したがって半田疲労が早期に発生することもな
い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３の
ものでは、基本的に外形、寸法を変更することなく内圧
増大を吸収する空隙部分を作ることができるようなスペ
ースの余裕が必要であり、スペースの余裕のないもの
は、寸法、形状を大きくすることが必要になる。
ものでは、基本的に外形、寸法を変更することなく内圧
増大を吸収する空隙部分を作ることができるようなスペ
ースの余裕が必要であり、スペースの余裕のないもの
は、寸法、形状を大きくすることが必要になる。
【０００６】即ち図２は上記のようなスペースの余裕の
ない従来例としてのパワーモジュールの概略断面図を示
したものである。銅ベース板２１上に、下から順に絶縁
基板２２、アノード端子２３、アノードモリブデン２
４、ダイオードチップ２５、カソードモリブデン板２
６、及びカソード端子２７が半田により固着されてい
る。そしてその全体を収容するように樹脂ケース２８が
銅ベース板２１に接着され、その中に、シリコーンゲル
２９が注入、キュアされ、そして樹脂のフタ３０がケー
ス２８にはめこまれた後、右の開口部３１からエポキシ
樹脂３２が注入され、フタ３０とケース２８とがエポキ
シ樹脂３２の硬化によって固着されている。この図の全
体の構造は、図３の空隙部分７３に相当する部分を形成
するスペースはない。
ない従来例としてのパワーモジュールの概略断面図を示
したものである。銅ベース板２１上に、下から順に絶縁
基板２２、アノード端子２３、アノードモリブデン２
４、ダイオードチップ２５、カソードモリブデン板２
６、及びカソード端子２７が半田により固着されてい
る。そしてその全体を収容するように樹脂ケース２８が
銅ベース板２１に接着され、その中に、シリコーンゲル
２９が注入、キュアされ、そして樹脂のフタ３０がケー
ス２８にはめこまれた後、右の開口部３１からエポキシ
樹脂３２が注入され、フタ３０とケース２８とがエポキ
シ樹脂３２の硬化によって固着されている。この図の全
体の構造は、図３の空隙部分７３に相当する部分を形成
するスペースはない。
【０００７】この発明は以上のような問題点を解決し、
スペースの余裕のないパワーモジュールにも、図３と同
様の効果を得ようとするものである。
スペースの余裕のないパワーモジュールにも、図３と同
様の効果を得ようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、樹脂容器内に、半導体チップを覆って保護するよ
うに充填された柔軟な樹脂と硬い樹脂を備えたものにお
いて、上記硬い樹脂層の上にかぶせて装着されるフタの
下部に突起部を設けるとともに、この突起部と外部とを
連通する貫通穴を配設したものである。
置は、樹脂容器内に、半導体チップを覆って保護するよ
うに充填された柔軟な樹脂と硬い樹脂を備えたものにお
いて、上記硬い樹脂層の上にかぶせて装着されるフタの
下部に突起部を設けるとともに、この突起部と外部とを
連通する貫通穴を配設したものである。
【０００９】
【作用】この発明においては、硬い樹脂層の上に被着さ
れたフタに、下層の柔軟な樹脂層に達する突起部、及び
外部と連通する貫通穴を設けたことにより、内部の柔軟
な樹脂の膨張のために内圧が増大しても、上記突起部か
ら貫通穴を通して外部に逃げる作用をなす。
れたフタに、下層の柔軟な樹脂層に達する突起部、及び
外部と連通する貫通穴を設けたことにより、内部の柔軟
な樹脂の膨張のために内圧が増大しても、上記突起部か
ら貫通穴を通して外部に逃げる作用をなす。
【００１０】
【実施例】以下この発明の一実施例を図１について説明
する。全体構造は図２とほぼ同様であるが、相違してい
る部分は、フタ３０に管状突起部30ａと貫通穴30ｂがあ
る点である。この突起部30ａはフタ３０の一部として形
成され、図のようにエポキシ樹脂層３２を貫通してシリ
コーンゲル層２９に達している。そして管状突起部30ａ
の内部は、モジュールの外部と通じる貫通穴30ｂが形成
され、図３の開口穴１２の場合と同様の役割を果たして
いる。
する。全体構造は図２とほぼ同様であるが、相違してい
る部分は、フタ３０に管状突起部30ａと貫通穴30ｂがあ
る点である。この突起部30ａはフタ３０の一部として形
成され、図のようにエポキシ樹脂層３２を貫通してシリ
コーンゲル層２９に達している。そして管状突起部30ａ
の内部は、モジュールの外部と通じる貫通穴30ｂが形成
され、図３の開口穴１２の場合と同様の役割を果たして
いる。
【００１１】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、スペー
スの余裕のないパワーモジュールにおいても、簡単な構
成で、内圧増大を吸収することのできる、信頼性の高い
半導体装置が得られる効果がある。
スの余裕のないパワーモジュールにおいても、簡単な構
成で、内圧増大を吸収することのできる、信頼性の高い
半導体装置が得られる効果がある。
【図１】この発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】従来例を示す断面図である。
【図３】 先行技術としての先願のものの断面図であ
る。
る。
２１ 銅ベース板 ２２ 絶縁基板 ２３ アノード端子 ２４ アノードモリブデン板 ２５ ダイオードチップ ２６ カソードモリブデン板 ２７ カソード端子 ２８ ケース ２９ シリコーンゲル ３０ フタ 30ａ 突起部 30ｂ 貫通穴 ３１ 開口部 ３２ エポキシ樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】 樹脂容器内に収容された半導体チップの
周辺を柔軟な樹脂で覆い、更にその外部に硬い樹脂を充
填して、その上部からフタをかぶせて、容器とフタとを
固着した半導体装置において、上記フタの下部に上記硬
い樹脂層を貫通して柔軟な樹脂層に達する突起部を設
け、該突起部には外部と通じる貫通穴を配置したことを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3110939A JP2585890B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3110939A JP2585890B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04316354A JPH04316354A (ja) | 1992-11-06 |
| JP2585890B2 true JP2585890B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=14548408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3110939A Expired - Lifetime JP2585890B2 (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2585890B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2017891A1 (en) * | 2007-07-20 | 2009-01-21 | ABB Technology AG | Semiconductor module |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP3110939A patent/JP2585890B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04316354A (ja) | 1992-11-06 |
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