JP2608672B2 - ワークの切削加工方法 - Google Patents

ワークの切削加工方法

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JP2608672B2
JP2608672B2 JP5899593A JP5899593A JP2608672B2 JP 2608672 B2 JP2608672 B2 JP 2608672B2 JP 5899593 A JP5899593 A JP 5899593A JP 5899593 A JP5899593 A JP 5899593A JP 2608672 B2 JP2608672 B2 JP 2608672B2
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JP
Japan
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cutting
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grindstone
cut
processing
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孝治 加藤
博己 嶋田
宏次 泉谷
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NGK Insulators Ltd
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NGK Insulators Ltd
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  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、ナトリウム
(Na)−硫黄(S)電池の固体電解質管に使用される
セラミックパイプ等のワークの切削加工方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のセラミックパイプの切断
加工は、まず、第1加工工程でセラミックパイプW1が
刃幅1〜2mm程度の平砥石31により所定の長さで切
断される(図10参照)。このとき、セラミックパイプ
W1の切断部内面にはチッピングKが発生する。このチ
ッピングKは、パイプW1の切断部の肉厚が薄くなった
際に、平砥石31の送りにともなう押圧力により発生す
る。次の第2加工工程では、片刃砥石32により所定の
加工代L1でパイプW1の端面が切削されてチッピング
Kが取り除かれ、パイプW1は所定の長さに仕上げられ
る(図11参照)。これらの加工工程を経て、所望の固
体電解質管が形成される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記セ
ラミックパイプW1の切断加工方法では、第1加工工程
時に発生するチッピングKの長さが、図4のグラフに示
すように、その時々の切削条件にて異なることから、予
め実験等にて確認された最も長いチッピングKの場合を
想定して、端面加工時の加工代L1が設定されている。
【0004】従って、当然この加工代よりも少ない加工
代により取り除かれるチッピングKもあれば、上記の加
工代L1で取り除くことのできないチッピングKもあ
る。そのため、切削量が多くなって余分な材料を必要と
したり、歩留りが悪くなるという問題がある。
【0005】前記チッピングKの発生を防止する手段と
して、切削速度を下げてセラミックパイプW1の第1加
工工程を行うことが考えられる。すなわち、平砥石31
の送り量を少なくして切断することが考えられるが、こ
の場合、生産効率が低下するため、コストが高くなると
いう問題がある。また、他の手段として、平砥石31の
幅を小さくすることも考えられる。しかし、この場合に
は、平砥石31の剛性が低下するため、切削速度を遅く
しなければならない。従って、この場合にも生産効率が
低下するため、コストが高くなるという問題がある。
【0006】本発明は上記問題点を解消するためになさ
れたものであって、その目的は加工速度を上げても、ワ
ークにチッピングを発生させない、ワークの切削加工方
法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、切込み終了側に凸部を残してワークを切断する第1
加工工程と、その第1加工工程にて切断されたワークの
切断面の凸部を切削する第2加工工程とよりワークの加
工を行うことをその要旨とする。
【0008】
【作用】本発明によれば、まず、第1加工工程で、切込
み終了側に凸部を残してワークが所定の長さで切断され
る。次の第2加工工程では、第1加工工程にて切断され
たワークの切断面の凸部が切削仕上げされ、所定の製品
が形成される。
【0009】
【実施例】
(第1実施例)以下、本発明をナトリウム−硫黄電池の
固体電解質管に使用されるセラミックパイプの切断加工
方法で具体化した一実施例を図面に基づいて説明する。
【0010】図3はナトリウム−硫黄電池1の模式的な
断面図であって、固体電解質管2は、陽極用導電材3及
び高抵抗層4を介して陽極容器5に収容されている。こ
の固体電解質管2内にはナトリウム6が所定量収容され
ている。
【0011】前記固体電解質管2は、外径40mm、内
径36mmのセラミックパイプから形成され、このセラ
ミックパイプを所定の長さに切削加工することで固体電
解質管2が形成される。
【0012】次にセラミックパイプの切削加工時の作用
について説明する。まず、本実施例で使用される切削砥
石について説明する。本実施例では従来とは異なり、第
1加工工程にて使用する切削砥石11は、先端傾き角α
(α=30〜60°)が設けられているものを使用した
(図1参照)。そして、本実施例では製品の切込み終了
側にL2=1mm程度(図2参照)の凸部12を残し
て、セラミックパイプW1を切断した。その結果、図4
から明らかなように、切断速度を速くしても本実施例の
第1加工工程では、製品側のセラミックパイプW1にチ
ッピングは発生しなかった。
【0013】この第1加工工程を完了した後、次の第2
加工工程においては、従来と同様の片刃砥石13を使用
してセラミックパイプW1の端面加工が行われる(図2
参照)。このとき、切削される本実施例の加工代L2
は、前記凸部12の先端12aから端面Tまでの距離と
なる。
【0014】本実施例の加工代L2と従来の加工代L1
とを比較した場合、その距離は大幅に本実施例の加工代
L2の方が短い。また、凸部12の形成量はチッピング
に比べ、コントロールしやすいため、バラツキを小さく
することができる(図5参照)。すなわち、本実施例で
は、第2加工工程の加工時間が従来よりも大幅に短縮さ
れる。
【0015】ここで、具体的な数字を述べて説明する
と、本実施例及び従来での第1加工工程における切削時
間は、共に15秒、また、第2加工工程における切削時
間は、本実施例では14秒であるのに対し、従来は20
秒であった。このように、従来では第1加工工程から第
2加工工程までに費やした時間はトータルで35秒であ
るのに対し、本実施例ではトータルで29秒である。こ
の数値からみても圧倒的に本実施例の切削加工方法が短
時間で固体電解質管2を形成することができる。従っ
て、固体電解質管2の製造コストを大幅に抑えることが
できる。
【0016】また、本実施例の切削加工方法によれば、
第1加工工程においてセラミックパイプW1にチッピン
グが発生することがないので、第2加工工程で切削され
る加工代L2を少なめに設定することができる。その結
果、切削量が少なくなることから、材料費の削減を図る
ことができるとともに、チッピングによる不良品の発生
がないため、ここでも製造コストの低減を図ることが可
能となる。
【0017】(第2実施例)次に、本発明をセラミック
プレートへの穴あけ作業で具体化した一実施例を図面に
基づいて説明する。
【0018】ワークとしてのセラミックプレートW2へ
の穴あけ作業は、まず、第1の穴あけ工程(第1加工工
程)から行われる。第1の穴あけ工程においては、先端
角βが設けられた穿孔用砥石22aにより凸部23をL
3=0.2mm程度残した状態で、セラミックプレート
W2の穴あけを行った(図6参照)。
【0019】次に、この第1の穴あけ工程終了後、第1
工程にてあいた穴径よりやや小さい径の円筒形砥石22
bを穴Hに挿入し、同砥石22bをθ中心に回転させな
がら半径方向に切り込んで、所望の内径の穴Hを形成し
た(図7参照)。その結果、穴Hの内壁にはチッピング
は発生しなかった。従って、本実施例によれば、セラミ
ックプレートW2の穴あけ加工においても優れている。
【0020】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で例えば次の
ように構成することもできる。 (1)第1実施例の第1加工工程にて使用する切削砥石
を、図8に示す刃先の両側に先端傾き角が設けられた切
削砥石26としてもよい。この切削砥石26を使用した
場合においても、上記第1実施例と同様の効果を得るこ
とができる。
【0021】(2)第1実施例の第1加工工程にて使用
する切削砥石を図9に示すように、刃先に平らな面が形
成された切削砥石27を使用してもよい。 (3)上記実施例では、ワークとしてセラミックパイプ
W1を切削する場合について具体化したが、これを中空
の角材等を切削する場合で具体化してもよい。
【0022】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
加工速度を上げても、ワークにチッピングが発生しない
ので、製造コストの低減を図ることができるという優れ
た効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を具体化した第1実施例を示す、第1加
工工程時におけるセラミックパイプ及び切削砥石の部分
断面図である。
【図2】第2加工工程におけるセラミックパイプ及び片
刃砥石の部分断面図である。
【図3】ナトリウム−硫黄電池の模式的な断面図であ
る。
【図4】切断工程時における切削時間に対するチッピン
グ長さの関係を示すグラフである。
【図5】本実施例の加工方法により形成された凸部量
と、従来の加工方法により形成されたチッピング量とを
比較した表である。
【図6】第2実施例での、第1の穴あけ工程におけるセ
ラミックプレート及び砥石の部分断面図である。
【図7】第2の穴あけ工程におけるセラミックプレート
及び砥石の部分断面図である。
【図8】第1実施例で使用した切削砥石とは別の切削砥
石の形状を示す切削砥石及びセラミックパイプの部分断
面図である。
【図9】同じく第1実施例で使用した切削砥石とは別の
切削砥石の形状を示す切削砥石及びセラミックパイプの
部分断面図である。
【図10】従来の第1加工工程時におけるセラミックパ
イプ及び切削砥石の部分断面図である。
【図11】従来の第2加工工程におけるセラミックパイ
プ及び片刃砥石の部分断面図である。
【符号の説明】
12,23…凸部、W1…ワークとしてのセラミックパ
イプ,W2…ワークとしてのセラミックプレート

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 切込み終了側に凸部を残してワークを切
    断する第1加工工程と、その第1加工工程にて切断され
    たワークの切断面の凸部を切削する第2加工工程とより
    ワーク加工を行うワークの切削加工方法。
JP5899593A 1993-03-18 1993-03-18 ワークの切削加工方法 Expired - Lifetime JP2608672B2 (ja)

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JPH06262499A JPH06262499A (ja) 1994-09-20
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9073234B2 (en) 2011-03-30 2015-07-07 Ngk Insulators, Ltd. Cutting method of honeycomb dried body and honeycomb dried body cutting device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US9073234B2 (en) 2011-03-30 2015-07-07 Ngk Insulators, Ltd. Cutting method of honeycomb dried body and honeycomb dried body cutting device

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