JP2602265B2 - 縦形炉 - Google Patents
縦形炉Info
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- JP2602265B2 JP2602265B2 JP63020830A JP2083088A JP2602265B2 JP 2602265 B2 JP2602265 B2 JP 2602265B2 JP 63020830 A JP63020830 A JP 63020830A JP 2083088 A JP2083088 A JP 2083088A JP 2602265 B2 JP2602265 B2 JP 2602265B2
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- Japan
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- furnace
- boat
- inner ring
- reaction tube
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は加熱用の管状炉（ヒータ）を垂直に置いて使
用する縦形炉、例えば半導体デバイス製造に使用する縦
形拡散,CVD装置などの縦形炉に係り、特に縦形炉の中へ
処理物（ウェーハ）を出し入れする炉口部に関する。
用する縦形炉、例えば半導体デバイス製造に使用する縦
形拡散,CVD装置などの縦形炉に係り、特に縦形炉の中へ
処理物（ウェーハ）を出し入れする炉口部に関する。
従来，半導体デバイスの製造に使用する拡散,CVD装置
は、Fe,Cr,Al系の丸線を螺旋状に巻いた抵抗加熱による
管状炉を水平（横形）に配置し、この管状炉内に石英，
セラミック製等の反応管を挿入し、ウェーハを反応管内
にて処理する装置である。
は、Fe,Cr,Al系の丸線を螺旋状に巻いた抵抗加熱による
管状炉を水平（横形）に配置し、この管状炉内に石英，
セラミック製等の反応管を挿入し、ウェーハを反応管内
にて処理する装置である。
また縦形炉においては、第４図示のように加熱用の管
状炉（ヒータ）１を垂直に配置し、この管状炉１内に石
英，セラミック製等の外側，内側の反応管2,3を挿設し
この両反応管2,3間を真空排気口９より排気させ、反応
管３内への空気の混入や塵埃の侵入を減少させるため
に、ウェーハ５の挿入口（炉口）16を下向きにし、多数
のウェーハ５を充填した石英、セラミック製等のボート
４をキヤップ６にのせ、またそれらを上下移動機構７に
のせて、内側反応管３内に搬入すると共に反応ガス導入
口8aより導入することにより管状炉１により加熱された
ボート４上のウェーハ５表面に生成膜を生成し、しかる
後，上下移動機構７により生成膜を生成した多数のウェ
ーハ５を充填したボート４を炉口16より搬出するもので
ある。
状炉（ヒータ）１を垂直に配置し、この管状炉１内に石
英，セラミック製等の外側，内側の反応管2,3を挿設し
この両反応管2,3間を真空排気口９より排気させ、反応
管３内への空気の混入や塵埃の侵入を減少させるため
に、ウェーハ５の挿入口（炉口）16を下向きにし、多数
のウェーハ５を充填した石英、セラミック製等のボート
４をキヤップ６にのせ、またそれらを上下移動機構７に
のせて、内側反応管３内に搬入すると共に反応ガス導入
口8aより導入することにより管状炉１により加熱された
ボート４上のウェーハ５表面に生成膜を生成し、しかる
後，上下移動機構７により生成膜を生成した多数のウェ
ーハ５を充填したボート４を炉口16より搬出するもので
ある。
このような縦形炉において処理されたウェーハ５上の
生成膜は、横形炉のものより空気の混入や塵埃の侵入を
防ぐことができることや、反応ガスの導入のしかたによ
って均一になる。
生成膜は、横形炉のものより空気の混入や塵埃の侵入を
防ぐことができることや、反応ガスの導入のしかたによ
って均一になる。
10,11はそれぞれ外側の反応管２と炉口フランジ14と
の間及び炉口フランジ14とシールキヤップ13との間をシ
ールするＯリング、12はヒータベースである。
の間及び炉口フランジ14とシールキヤップ13との間をシ
ールするＯリング、12はヒータベースである。
しかしながら、上記従来の縦形炉にあっては、第５図
示のように内側の反応管３の下端開口（炉口）16からボ
ート４を搬入、搬出する過程で炉口16から鎖線で示す如
く熱対流、ボート４の搬入時の乱流及びボート４の搬出
時の炉圧力と外気圧との差圧による空気に引き込みなど
により内側の反応管３内への空気の混入や塵埃の侵入15
が起こるため、ボート４に充填された多数のウェーハ５
上に異物を生成するという課題があった。
示のように内側の反応管３の下端開口（炉口）16からボ
ート４を搬入、搬出する過程で炉口16から鎖線で示す如
く熱対流、ボート４の搬入時の乱流及びボート４の搬出
時の炉圧力と外気圧との差圧による空気に引き込みなど
により内側の反応管３内への空気の混入や塵埃の侵入15
が起こるため、ボート４に充填された多数のウェーハ５
上に異物を生成するという課題があった。
本発明炉口部は上記の課題を解決するため、第１図示
のように加熱用の管状炉１を垂直に設置し、この管状炉
１内に反応管３を挿設し、この反応管３内にウェーハ５
を載置したボート４を搬入し、反応ガスを導入すること
によりウェーハ５の表面に生成膜を生成する縦形炉にお
いて、炉口16の内側に筒状のインナーリングを設け、該
インナーリング17は、該インナーリング17とボート４と
の径方向の隙間がボート４と反応管３との径方向の隙間
よりも非常に小さく、且つインナーリング17の全長がボ
ート４の全長よりも短くなるよう設定されており、該イ
ンナーリング17を貫通してボート４が前記反応管３内へ
搬入される構成としたものである。
のように加熱用の管状炉１を垂直に設置し、この管状炉
１内に反応管３を挿設し、この反応管３内にウェーハ５
を載置したボート４を搬入し、反応ガスを導入すること
によりウェーハ５の表面に生成膜を生成する縦形炉にお
いて、炉口16の内側に筒状のインナーリングを設け、該
インナーリング17は、該インナーリング17とボート４と
の径方向の隙間がボート４と反応管３との径方向の隙間
よりも非常に小さく、且つインナーリング17の全長がボ
ート４の全長よりも短くなるよう設定されており、該イ
ンナーリング17を貫通してボート４が前記反応管３内へ
搬入される構成としたものである。
また、インナーリング17の上部には、炉口16の内側に
突出する炉口フランジ14に係止される突起部18を設ける
とよい。
突出する炉口フランジ14に係止される突起部18を設ける
とよい。
このように構成したので、ボート４の搬入、搬出時の
熱対流、ボート４の搬入時の乱流、ボート４の搬出時の
炉圧力と外気圧との差圧による空気の引き込みなどによ
る、反応管３内への空気の混入や塵埃の侵入をインナー
リング17によって減少させることができる。
熱対流、ボート４の搬入時の乱流、ボート４の搬出時の
炉圧力と外気圧との差圧による空気の引き込みなどによ
る、反応管３内への空気の混入や塵埃の侵入をインナー
リング17によって減少させることができる。
〔実施例〕 以下図面に基いて本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明炉口部の一実施例を適用した縦形炉の
簡略断面図、第２図は同じく下降または上昇途中の状態
を示す簡略断面図である。
簡略断面図、第２図は同じく下降または上昇途中の状態
を示す簡略断面図である。
第1,第２図中１は加熱用の管状炉（ヒータ）、12はヒ
ータベース、2,3はそれぞれこの管状炉１内に挿設され
た外側，内側の反応管（アウタチューブ，インナーチュ
ーブ）、９はこれらの反応管2,3間の空間部を排気する
ための真空排気口である。内側の反応管３内には多数の
ウェーハ５を載置したボート４が炉口16より搬入出され
る。７はその搬入出を行う上下移動機構、14は炉口フラ
ンジ、10,11はそれぞれ外側の反応管２と炉口フランジ1
4との間及び炉口フランジ14とシールキヤップ13との間
のシールするＯリングである。
ータベース、2,3はそれぞれこの管状炉１内に挿設され
た外側，内側の反応管（アウタチューブ，インナーチュ
ーブ）、９はこれらの反応管2,3間の空間部を排気する
ための真空排気口である。内側の反応管３内には多数の
ウェーハ５を載置したボート４が炉口16より搬入出され
る。７はその搬入出を行う上下移動機構、14は炉口フラ
ンジ、10,11はそれぞれ外側の反応管２と炉口フランジ1
4との間及び炉口フランジ14とシールキヤップ13との間
のシールするＯリングである。
炉口16の内側に筒状のインナーリング17を設け、筒状
のインナーリング17は、第１図の状態、即ちボート４を
内側の反応管３内に挿入した状態において、反応管３と
ボート４を支持するキャップとの間に挿設され、前記筒
状のインナーリング17は、上下移動機構７によって上下
動せしめられると共に、このインナーリング17の上部に
は炉口フランジ14の係止部14aに係止される突起部18が
設けられている（第３図参照）。インナーリング17は石
英またはセラミック製で、管状炉１の高温に耐える構造
となっている。19は突起部18の間に形成された反応ガス
ノズル８の逃げ部である。図示のように、インナーリン
グ17は、該インナーリング17とボート４との径方向の隙
間がボート４と反応管３との径方向の隙間よりも非常に
小さく、且つインナーリング17の全長がボート４の全長
よりも短くなるよう設定されている。
のインナーリング17は、第１図の状態、即ちボート４を
内側の反応管３内に挿入した状態において、反応管３と
ボート４を支持するキャップとの間に挿設され、前記筒
状のインナーリング17は、上下移動機構７によって上下
動せしめられると共に、このインナーリング17の上部に
は炉口フランジ14の係止部14aに係止される突起部18が
設けられている（第３図参照）。インナーリング17は石
英またはセラミック製で、管状炉１の高温に耐える構造
となっている。19は突起部18の間に形成された反応ガス
ノズル８の逃げ部である。図示のように、インナーリン
グ17は、該インナーリング17とボート４との径方向の隙
間がボート４と反応管３との径方向の隙間よりも非常に
小さく、且つインナーリング17の全長がボート４の全長
よりも短くなるよう設定されている。
上記の構成において上下移動機構７によりキヤップ６
上のボート４及びインナーリング17を上動させ、ボート
４をインナーリング17に完全に貫通させて、炉口フラン
ジ14にシールキヤップ13を対接させた第１図示の状態、
即ちボート４を内側の反応管３内に搬入した状態にす
る。この状態で真空排気口９より外側，内側の反応管2,
3間の空間部を真空排気し、反応ガスを反応ガス導入口8
aより導入し、反応ガスノズル８より吐出させると共
に、ボート４上に載置した多数のウェーハ５を加熱用の
管状炉１により加熱することにより各ウェーハ５の表面
に生成膜が生成される。
上のボート４及びインナーリング17を上動させ、ボート
４をインナーリング17に完全に貫通させて、炉口フラン
ジ14にシールキヤップ13を対接させた第１図示の状態、
即ちボート４を内側の反応管３内に搬入した状態にす
る。この状態で真空排気口９より外側，内側の反応管2,
3間の空間部を真空排気し、反応ガスを反応ガス導入口8
aより導入し、反応ガスノズル８より吐出させると共
に、ボート４上に載置した多数のウェーハ５を加熱用の
管状炉１により加熱することにより各ウェーハ５の表面
に生成膜が生成される。
しかる後、上下移動機構７によりキヤップ６上のボー
ト４及びインナーリング17を下動させ、インナーリング
17が第２図示のように炉口フランジ14の係止部14aに対
接して係止された状態になり、更にキヤップ６上のボー
ト４を上下移動機構７により下動することによりボート
４とこれに載置され表面に生成膜が生成された多数のウ
ェーハ５を炉口16より搬出することができる。
ト４及びインナーリング17を下動させ、インナーリング
17が第２図示のように炉口フランジ14の係止部14aに対
接して係止された状態になり、更にキヤップ６上のボー
ト４を上下移動機構７により下動することによりボート
４とこれに載置され表面に生成膜が生成された多数のウ
ェーハ５を炉口16より搬出することができる。
内側の反応管３とキヤップ６との間に挿設されたイン
ナーリング17が、炉口16からボート４を搬入，搬出する
過程で、ボート４の搬入，搬出時の熱対流、ボート４の
搬入時の乱流、ボート４の搬出時の炉圧力と外気圧との
差圧による空気の引き込み等を抑制する役目を果し、内
側反応管３内への空気の混入や塵埃の侵入を減少させる
ことができる。
ナーリング17が、炉口16からボート４を搬入，搬出する
過程で、ボート４の搬入，搬出時の熱対流、ボート４の
搬入時の乱流、ボート４の搬出時の炉圧力と外気圧との
差圧による空気の引き込み等を抑制する役目を果し、内
側反応管３内への空気の混入や塵埃の侵入を減少させる
ことができる。
上述のように本発明によれば、加熱用の管状炉１を垂
直に設置し、この管状炉１内に反応管３を挿設し、この
反応管３内にウェーハ５を載置したボート４を搬入する
と共に反応ガスを反応ガス導入口8aより導入することに
よりウェーハ５の表面に生成膜を生成する縦形炉におい
て、炉口16の内側に筒状のインナーリング17を設け、該
インナーリング17は、該インナーリング17とボート４と
の径方向の隙間がボート４と反応管３との径方向の隙間
よりも非常に小さく、且つインナーリング17の全長がボ
ート４の全長よりも短くなるよう設定されており、該イ
ンナーリング17を貫通してボート４が前記反応管３内へ
搬入されるので、筒状のインナーリング17により反応管
３内への空気の混入や塵埃の侵入を大幅に減少させるこ
とができ、ウェーハ５の生成膜に異物が混入することを
回避することができるため、ウェーハ５上の生成膜を均
一にしかもクリーンにすることができる。
直に設置し、この管状炉１内に反応管３を挿設し、この
反応管３内にウェーハ５を載置したボート４を搬入する
と共に反応ガスを反応ガス導入口8aより導入することに
よりウェーハ５の表面に生成膜を生成する縦形炉におい
て、炉口16の内側に筒状のインナーリング17を設け、該
インナーリング17は、該インナーリング17とボート４と
の径方向の隙間がボート４と反応管３との径方向の隙間
よりも非常に小さく、且つインナーリング17の全長がボ
ート４の全長よりも短くなるよう設定されており、該イ
ンナーリング17を貫通してボート４が前記反応管３内へ
搬入されるので、筒状のインナーリング17により反応管
３内への空気の混入や塵埃の侵入を大幅に減少させるこ
とができ、ウェーハ５の生成膜に異物が混入することを
回避することができるため、ウェーハ５上の生成膜を均
一にしかもクリーンにすることができる。
第１図は本発明炉口部の一実施例を適用した縦形炉の簡
略断面図、第２図は同じく下降または上昇途中の状態を
示す簡略断面図、第３図は本発明におけるインナーリン
グ斜視図、第４図は縦形炉の従来例を示す簡略断面図、
第５図は同じく下降または上昇途中の状態を示す簡略断
面図である。 １……管状炉（ヒータ）、２……外側の反応管（アウタ
チューブ）、３……内側の反応管（インナーチュー
ブ）、４……ボート、５……ウェーハ、６……キヤッ
プ、７……上下移動機構、8a……反応ガス導入口、８…
…反応ガスノズル、９……真空排気口、13……シールキ
ヤップ、14……炉口フランジ、14a……係止部、16……
炉口、17……筒状のインナーリング、18……突起部。
略断面図、第２図は同じく下降または上昇途中の状態を
示す簡略断面図、第３図は本発明におけるインナーリン
グ斜視図、第４図は縦形炉の従来例を示す簡略断面図、
第５図は同じく下降または上昇途中の状態を示す簡略断
面図である。 １……管状炉（ヒータ）、２……外側の反応管（アウタ
チューブ）、３……内側の反応管（インナーチュー
ブ）、４……ボート、５……ウェーハ、６……キヤッ
プ、７……上下移動機構、8a……反応ガス導入口、８…
…反応ガスノズル、９……真空排気口、13……シールキ
ヤップ、14……炉口フランジ、14a……係止部、16……
炉口、17……筒状のインナーリング、18……突起部。
Claims (2)
- 【請求項１】加熱用の管状炉を垂直に設置し、この管状
炉内に反応管を挿設し、この反応管内にウェーハを載置
したボートを搬入し、反応ガスを導入することによりウ
ェーハの表面に生成膜を生成する縦形炉において、炉口
の内側に筒状のインナーリングを設け、該インナーリン
グは、該インナーリングとボートとの径方向の隙間がボ
ートと反応管との径方向の隙間よりも非常に小さく、且
つインナーリングの全長がボートの全長よりも短くなる
よう設定されており、該インナーリングを貫通してボー
トが前記反応管内へ搬入されることを特徴とする縦形
炉。 - 【請求項２】前記インナーリングの上部には、炉口の内
側に突出する炉口フランジに係止される突起部を設けて
なる請求項１記載の縦形炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63020830A JP2602265B2 (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 縦形炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63020830A JP2602265B2 (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 縦形炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01194415A JPH01194415A (ja) | 1989-08-04 |
| JP2602265B2 true JP2602265B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=12037965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63020830A Expired - Lifetime JP2602265B2 (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 縦形炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2602265B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06151340A (ja) * | 1992-11-13 | 1994-05-31 | Nippon Ee S M Kk | 熱処理装置 |
| JP3753985B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2006-03-08 | セイコーインスツル株式会社 | 減圧気相成長装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6120318A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-01-29 | Toshiba Corp | 縦型拡散炉 |
| JPS62186421U (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-27 | ||
| JPS6319817A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPS647517A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 | Nec Corp | Heat treatment device for semiconductor substrate |
| JP2686456B2 (ja) * | 1988-01-21 | 1997-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
-
1988
- 1988-01-29 JP JP63020830A patent/JP2602265B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01194415A (ja) | 1989-08-04 |
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