JP4070832B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は反応炉を有する半導体製造装置、特に冷却特性を改良した半導体製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造の工程の1つにシリコンウェーハに不純物の拡散、或は化学気相成長による薄膜の生成等の処理、或はアニール処理等がある。これら工程は反応炉内にウェーハを装入し、所定の温度に維持した状態で反応ガスを導入して行われる。
【0003】
図8により従来の半導体製造用反応炉を説明する。
【0004】
上端が閉塞された筒状のヒータ1が立設され、該ヒータ1内に外部反応管2が配設され、該外部反応管2はベース5を遊嵌して立設され、該外部反応管2内には上端が開放された内部反応管3が同心に設けられている。前記内部反応管3内には多数のウェーハが装填されたボート4が装入される様になっており、該ボート4はボート支持台6を介して炉口蓋7に載設され、図示しないボートエレベータにより昇降される様になっている。前記ヒータ1の上端部には吸気管8が連通され、該吸気管8には上流側よりラジエタ9、ブロア10が設けられ、排熱系を構成している。
【0005】
ウェーハの処理は前記ヒータ1により所定温度に加熱された状態で図示しない排気管より外部反応管2内が排気された後、図示しない反応ガス供給管より反応ガスが導入されて行われる。
【0006】
ウェーハの無用な酸化等を防止する為、ヒータ1、外部反応管2等は所要の温度迄冷却し、その後ボート4の引出し、ウェーハの搬送、又次バッチ分の未処理ウェーハが装填されたボート4の装入を行っており、前記冷却は前記ブロア10により前記ヒータ1と外部反応管2間の空間11から空気を吸引し、前記ラジエタ9で冷却後排出していた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
前記空間11から空気を排出する場合の外気の吸引口は前記ベース5と外部反応管2間の間隙となり、更に前記ヒータ1のベース5貫通孔の周囲には断熱材12が巻付けられている等して前記吸引口は狭小なものとなっている。従って、前記ブロア10で吸引した場合の圧力損失が大きく、特に400℃以下になると流通空気の量が充分でなく、降温速度が著しく悪くなっており、冷却時間が装置のスループットの向上を阻害しているという問題があった。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は上端が閉塞された筒状のヒータがベースにリング状断熱材のヒータ台座を介して立設され、前記ヒータ内に反応管が配設され、前記ヒータと反応管との間に空間が形成され、前記反応管はベースを貫通して立設され、前記ヒータ台座に前記空間に連通する吹込み孔を所要数設け、前記空間の上端部に排熱系を連通した半導体製造装置、ヒータ台座の内径をヒータの内径より小径にし、吹込み孔の内端側を上向きにした半導体製造装置、ベースの反応管貫通孔と反応管とを断熱材により封止し、該断熱材と前記ヒータ台座とをインローとした半導体製造装置、外部反応管の外面、内面の少なくとも1面に所要数のフィンを設けた半導体製造装置、又更に内部反応管の外面、内面の少なくとも1面に所要数のフィンを設けた半導体製造装置に係るものであり、その為、降温速度を大きくでき、冷却時間を短縮できる。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態を説明する。
【0010】
尚、図1中、図8中で示したものと同一のものには同符号を付してある。
【0011】
上端が閉塞された筒状のヒータ1がベース5にリング状断熱材のヒータ台座14を介して立設されている。前記ヒータ1内に外部反応管2が配設され、該外部反応管2はベース5を貫通して立設され、該ベース5の貫通箇所は断熱材12により封止されている。
【0012】
前記ヒータ台座14は前記ヒータ1の内径よりも小径で内部に張出しており、前記ヒータ台座14には所要数の吹込み孔15が形成され、該吹込み孔15の内端部は気体の流れが上方に向く様傾斜し、更に内端口16は前記ヒータ台座14の内側張出し部の上面、即ち外部反応管2側の上面に形成され、前記内端口16は前記ヒータ1と外部反応管2間の空間11に開口している。
【0013】
前記外部反応管2内には上端が開放された内部反応管3が同心に設けられ、前記内部反応管3内には多数のウェーハが装填されたボート4が装入される様になっており、該ボート4はボート支持台6を介して炉口蓋7に載設され、図示しないボートエレベータにより昇降される様になっている。前記ヒータ1の上端部には吸気管8が連通され、該吸気管8には上流側よりラジエタ9、ブロア10が設けられ、排熱系を構成している。
【0014】
冷却を行う場合は、前記吹込み孔15より空気等の冷却媒体を吹込み、更に前記ブロア10により空間11内の雰囲気ガスを吸引排出する。前記吹込み孔15は充分な量の冷却媒体を吹き込むに充分な開口面積を有し、又吹込み孔15より積極的に冷却媒体を吹込むことで、空間11内を流れる冷却媒体の流量が充分に確保される。尚、前記吹込み孔15を形成し、充分な開口面積を確保しているので前記吹込み孔15より冷却媒体を積極的に吹込まなくても前記ブロア10による吸引で充分降温特性の改善は見られる。
【0015】
前記した様に、吹込み孔15の内端部を上向きにしたことで、吹込み孔15での圧力損失を少なくできると共に前記断熱材12と外部反応管2間の隙間からの冷却媒体の漏れを少なくできる。
【0016】
図2は他の実施の形態を示しており、該他の実施の形態では吹込み孔15の内端部の傾斜を曲面とし、冷却媒体の流れが上向きになるのを更に円滑にし、又前記ヒータ台座14と前記断熱材12とをインロー方式とし、ヒータ台座14と断熱材12間の間隙より冷却媒体が漏出するのを抑止したものである。
【0017】
次に、炉内の放熱効果を高めた実施の形態について図3、図4により説明する。
【0018】
外部反応管2の外面に、母線方向に沿って延びるフィン17を円周に沿って所要のピッチで複数枚(本実施の形態では12枚)固着する。前記フィン17を固着することで、前記外部反応管2の放熱面積が増大し、放熱特性が改善される。
【0019】
又図5、図6は内部反応管3にフィン18を設けた例を示しており、内部反応管3の外面に、母線方向に沿って延びるフィン18を円周に沿って所要のピッチで複数枚(本実施の形態では12枚)固着したものである。本実施の形態でも内部反応管3の放熱面積が増大し、放熱特性が向上する。尚、フィンは前記外部反応管2、内部反応管3の内面に設けてもよく、或は外面と内面の両面に設けてもよい。
【0020】
前記外部反応管2にフィン17を設けた場合の本実施の形態での降温特性と従来の降温特性の比較を図7により説明する。本実施の形態の実測降温特性をAで、又平均降温特性をA′で示し、又従来の実測降温特性をBで、又平均降温特性をB′で示している。
【0021】
実測値に於いて400℃から100℃迄降下する時間を比較すると、本実施の形態と従来例では本実施の形態が約4000sec 、従来例が約5100sec と大幅に短縮しているのが分かる。又平均降温速度は本実施の形態が4.65℃/min 、従来例が3.58℃/min であり、向上したことが分かる。
【0022】
【発明の効果】
以上述べた如く本発明によれば、降温速度を大きくでき冷却時間を短縮できるので、半導体製造装置のスループットを改善できるという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示す一部を破断した立断面図である。
【図2】同前他の実施の形態を示す部分断面図である。
【図3】本実施の形態に用いられる外部反応管の一例を示す断面図である。
【図4】同前平面図である。
【図5】本実施の形態に用いられる内部反応管の一例を示す断面図である。
【図6】同前平面図である。
【図7】本実施の形態と従来例の降温特性を示すグラフである。
【図8】従来例の立断面図である。
【符号の説明】
1 ヒータ
2 外部反応管
3 内部反応管
5 ベース
8 吸気管
9 ラジエタ
10 ブロア
14 ヒータ台座
15 吹込み孔
16 内端口
17 フィン
18 フィン
Claims (1)
- 反応管と、該反応管を収納し、上端が閉塞された筒状のヒータと、前記反応管が貫通する貫通孔を有するベースと、該ベースの貫通孔と前記反応管との間隙を封止する様に設けられた断熱材とを備え、前記ヒータは前記ベースにヒータ台座を介して立設され、冷却媒体である気体が前記反応管と前記ヒータとの間を流通する半導体製造装置であって、前記ヒータ台座は該ヒータ台座の外壁面に開口し、該外壁面の開口と前記ヒータ台座の前記反応管側の上面に開口した内端口に亘って形成された流路を具備し、該流路の前記反応管側の端部は、前記外壁面の開口から流入した気体の流れが前記内端口から上方に向く様に形成され、前記ヒータ台座は、前記断熱材にインロー方式で係合されていることを特徴とする半導体製造装置。
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1996
- 1996-02-13 JP JP04947596A patent/JP4070832B2/ja not_active Expired - Lifetime
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