JP3690095B2 - 成膜方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスの成膜方法に関し、特に、成膜処理後に成膜対象物の支持手段を反応容器の外で加熱し、支持手段に付着する反応副生成物を気化させて、成膜後に残留する副生成物により排出経路が詰ってしまうことのない成膜方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
最近、半導体デバイスを形成する場合の絶縁膜として、LP−SiN膜が多用されている。このLP−SiN膜は、縦型減圧CVD装置を用い、反応ガスとしてNH3 ガスとSiH2 Cl2 ガスを使用して成膜するのが一般的である。この場合、成膜の反応は、2NH3 +SiH2 Cl2 →Si+2NH4 Clとなり、反応副生成物であるNH4 Cl(塩化アンモニウム)が発生する。この塩化アンモニウムは、温度が約100℃以下になると白い粉状になってパーティクル発生或いは配管詰りの原因となる。従って、この減圧CVD装置においてLP−SiN膜を成膜する場合には、反応炉内に塩化アンモニウムを入り込ませないようにすることがパーティクル低減のために重要である。
【0003】
ところで、一般のLP−CVD装置においては、成膜処理後の待機状態(スタンバイ状態)で、処理対象である半導体ウェーハが収納される石英ボートは反応炉内に挿入されず反応炉外に引き出されているが、このLP−SiNを形成するCVD装置において、石英ボートを反応炉外に引き出して待機させた場合、LP−SiN膜の成膜後に残留し石英ボート下部の石英ボート台等の形状が複雑な部分に付着したままの塩化アンモニウムが、反応炉外で冷却されて粉状になる。この粉状になった塩化アンモニウムは、次の処理工程において反応炉内に持込まれパーティクル発生源となってしまう。そのため、LP−SiNを形成するCVD装置では、石英ボート下部等に反応副生成物を付着させないようにするため、待機時には石英ボートを反応炉内に挿入したままにする。
【0004】
図6に示すように、LP−SiNを形成する従来のCVD装置1は、アウタチューブ2aとインナチューブ2bからなる反応炉2と、アウタチューブ2aの周囲に配置されたヒータ3と、アウタチューブ2aとインナチューブ2bのそれぞれ下端を接続するフランジ4に設けられた排気管5とを有している。反応炉2内で成膜処理される複数枚のウェーハ(図示しない)が複数段に積み重ねて搭載支持される石英ボート6は、石英ボート台7の上に保温筒7aを介して搭載され、成膜処理時、下端開口を石英ボート台7に閉鎖された反応炉2内に保温筒7aと共に挿入される。排気管5には、排気用の真空ポンプ8が接続されている。そして、この石英ボート6を反応炉2内に挿入したままの待機時に、反応炉2内において大気圧の下N2 フローによるパージが行われる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、石英ボート6を反応炉2内に挿入したままの待機時に、反応炉2内において大気圧の下N2 フローによるパージが行われると、反応副生成物である塩化アンモニウムによって排気管5に連通する排出経路が詰ってしまう。即ち、図7に示すように、N2 ガスによるパージの際、真空ポンプ8に通じる排気経路の弁が閉じられて反応炉2内は常圧となり、反応炉2内に送り込まれたN2 ガスと待機時に気化した塩化アンモニウムガスは共に排気ガスとして、パージ圧力により排気管5からベントライン9を経てLP−CVD装置1の外に排出される。その途中、細い排気配管からなるベントライン9で塩化アンモニウムによる詰りが生じてしまう。
【0006】
これは、LP−SiN膜の成膜後に反応副生成物として残留する塩化アンモニウムが石英ボート台7等の形状が複雑な部分に付着し、それが排気途中で冷却され粉状になってしまうためである。ベントライン9が詰ってしまった場合、詰りを解消するために装置のメンテナンスが必要となり、装置のダウンタイムが増加して稼働率が低下してしまう。
【0007】
一方、加熱処理中に石英ボート下部等への反応生成物の付着防止を図った熱処理装置が、特開平5−291158号公報に開示されている。この熱処理装置は、「被処理体を水平に複数枚支持する支持体を下方から挿入する開口部を有し導入される反応ガスにより前記被処理体の処理が行われる筒状反応容器と、前記筒状反応容器内を気密に保持する前記開口部の蓋体と、前記筒状反応容器を包囲して設けられる加熱部とを備えた熱処理装置において、前記蓋体の前記筒状反応容器内側面を加熱して反応生成物の付着を防止する加熱装置を設け」ている。この熱処理装置においては、反応容器の内側面に設けた加熱装置により反応容器内に支持体(石英ボート)が搬入されたまま蓋体が加熱され、反応容器の下方及び蓋体に反応生成物が付着することがないため、被処理体である半導体ウェーハの汚染源を発生させない。
【0008】
しかしながら、この公報記載の熱処理装置は、反応容器内に装着された石英ボートの下部を加熱してボート下部への反応生成物の付着を防止するものであり、加熱されたボート下部のガスは反応容器の配管を通して外部に排出される。従って、排気途中で冷却され粉状に固化して配管を詰らせるという上記技術的課題を示唆せず、その解決策は開示されない。
【0009】
本発明は、上記従来技術を考慮してなされたものであって、成膜後に残留する副生成物により排出経路が詰ってしまうことのない成膜方法及び成膜装置の提供を目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明においては、成膜対象を支持手段に搭載し、この支持手段が搬入された反応容器内に反応ガスを導入し、前記成膜対象に成膜処理を行う成膜方法において、成膜処理後に前記支持手段を前記反応容器の外に引き出し、前記支持手段をその下端側より加熱手段により加熱してこの支持手段に付着する反応副生成物を気化させるとともに、反応容器の開口を蓋で塞ぎ、前記反応容器をパージすることを特徴とする成膜方法を提供する。
【0011】
上記構成によれば、成膜終了後、反応容器から成膜対象を搭載した支持手段が引き出されて反応容器の外で支持手段の下端が加熱され、支持手段に付着する反応副生成物の気化が反応容器の外で行われる。これにより、成膜後に残留する反応副生成物により反応容器の排出経路が詰ってしまうことがない。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係るLP−SiNを形成する減圧CVD装置の概略説明図である。図2は、図1の反応炉に挿入された石英ボートと電熱ヒータを示す説明図である。図3は、図2の電熱ヒータの加熱による反応副生成物の気化状態の説明図である。
【0014】
図1に示すように、縦型のLP−CVD装置10は、装置ケース11内の上部に、ヒータ12に覆われた反応炉(反応容器)13を有し、この反応炉13の下方に、石英ボート(支持手段)14が配置されている。石英ボート14は、成膜処理対象の半導体ウェーハ(図示しない)を水平状態に複数枚搭載可能に形成され、その下端に、保温筒15を介して石英ボート台16が一体的に装着されている。石英ボート台16は、昇降機構及び回転機構(図示しない)により自在に昇降及び回転が可能であり、石英ボート台16の昇降により石英ボート14は保温筒15とともに反応炉13内に挿入され或いは反応炉13から引き出される。石英ボート14及び石英ボート台16は、例えば石英ガラス或いはSiC等により形成される。
【0015】
装置ケース11内の底部には、反応炉13から引き出されてヒータ12の下方に位置する石英ボート14下端の石英ボート台16を取り囲むように、反応炉13の外に円環状の電熱ヒータ(加熱手段)17が設置されている。電熱ヒータ17の側方には、半導体ウェーハを石英ボート14に搭載し或いは石英ボート14から取り出すウェーハ搬送機18が設置されている。装置ケース11の下部外表面には、操作パネル19が設けられている。
【0016】
図2に示すように、ヒータ12に囲まれた反応炉13は、アウタチューブ20とインナチューブ21のそれぞれ下端がフランジ22に接続され、下端が開口する二重構造の円筒状に形成される。フランジ22には、アウタチューブ20とインナチューブ21の間隙を介して反応炉13内の反応空間に連通する排気管23が取付けられている。この排気管23は、途中、ベントライン24(図3参照)に分岐後、排気用の真空ポンプ25(図3参照)に接続される。
【0017】
石英ボート14の上昇時、保温筒15とともに石英ボート14が反応炉13内に挿入状態となり、フランジ22の下端に石英ボート台16の上面が当接して反応炉13の下端開口を閉鎖する。石英ボート14の下降時、反応炉13の下方に移動した石英ボート14は、その下端の石英ボート台16が電熱ヒータ17に囲まれ、電熱ヒータ17への通電により石英ボート台16が加熱される。
【0018】
図3に示すように、LP−SiN膜の成膜終了後、反応炉13から石英ボート14が引き出されるとともに、反応炉13内において大気圧の下N2 フローによるパージが行われる。石英ボート14が反応炉13の外に出ると、反応炉13の下端開口は、反応炉13に備えられた蓋(図示しない)により塞がれる。石英ボート14が反応炉13の外に出て電熱ヒータ17に囲まれた石英ボート台16は、電熱ヒータ17により100℃以上に加熱された状態で待機する。
【0019】
N2 ガスによるパージの際、真空ポンプ25に通じる排気経路の弁が閉じられて反応炉13内は常圧となる。このため、石英ボート14の下降中、N2 ガスはパージ圧力で反応炉13の下端から反応炉13外に排出されるが、下端開口が塞がれる石英ボート14の待機中は、N2 ガスは同様にパージ圧力で排気管23からベントライン24へと送り出されLP−CVD装置10外へと排出される。
【0020】
石英ボート台16が加熱されることにより、LP−SiN膜の成膜後に反応副生成物として残留し石英ボート台16等の形状が複雑な部分に付着した塩化アンモニウム(NH4 Cl)が、塩化アンモニウムガスとなって気化・拡散する。この気化・拡散する塩化アンモニウムガスは、石英ボート台16の加熱が反応炉13の外で行われるため、反応炉13に連通する排気管23に流れ込むことはなく、排気管23を通って排気される途中で冷却され粉状になることがない。従って、粉状になった塩化アンモニウムにより、細い排気配管からなるベントライン24が詰ることもない。
【0021】
図4は、電熱ヒータの代りに加熱体を用いた図2と同様の説明図であり、図5は、図4の加熱体の加熱による反応副生成物の気化状態の説明図である。この例では、加熱手段として電熱ヒータの代りに加熱流体を循環させる加熱体が用いられる。
【0022】
図4に示すように、加熱体26は、石英ボート台16を埋設状態に載置可能な凹形状に形成され、導入管27から導入されて排出管28から排出される加熱流体の循環により石英ボート台16の底面及び側面を加熱することができる。図5に示すように、LP−SiN膜の成膜終了後、石英ボート14が下降して石英ボート14が反応炉13の外に出るとともに石英ボート台16が加熱体26に載置され、石英ボート台16は加熱体26により100℃以上に加熱される。
【0023】
このように、反応炉13の外で石英ボート台16が加熱されることにより、LP−SiN膜の成膜後に反応副生成物として残留し石英ボート台16等の形状が複雑な部分に付着した塩化アンモニウムが、塩化アンモニウムガスとなって気化・拡散する際に、反応炉13に連通する排気管23に流れ込むことがない。その他の構成及び作用効果は前記図2及び図3の実施の形態と同様である。
【0024】
以上、電熱ヒータ17或いは加熱体26により、石英ボート台16は反応炉13の外でしか加熱されず、LP−SiN膜の成膜後に反応副生成物として残留し石英ボート台16等に付着した塩化アンモニウムは、反応炉13の外で塩化アンモニウムガスとなって気化・拡散する。従って、パーティクル発生源である塩化アンモニウムが反応炉13内に入り込まないので、パーティクルの低減が可能となり半導体デバイスの品質向上をもたらす。また塩化アンモニウムにより反応炉13の排出経路であるベントライン24が詰ることがないので、詰りを解消するためのLP−SiNを形成するCVD装置10のメンテナンス頻度が低減し、装置の稼働率が向上する。
【0025】
なお、本発明においては、上述した縦型減圧CVD装置に限らず、横型減圧CVD装置においても同様の効果が得られる。また、電熱ヒータ17或いは加熱体26に限らず他の加熱方法により石英ボート台16を加熱してもよい。
【0026】
また、SiN膜の成膜に限らず、他の各種反応ガスを用いた成膜プロセスに適用可能である。また、CVD装置に限らず、アニールや拡散処理等のための加熱炉に対しても適用可能である。
【0027】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る成膜方法によれば、成膜終了後、反応容器から成膜対象を搭載した支持手段が引き出されて反応容器の外で支持手段の下端が加熱され、支持手段に付着する反応副生成物の気化が反応容器の外で行われるので、パーティクル発生源である反応副生成物が反応容器内に入り込まず、パーティクルの低減が可能となり半導体デバイスの品質向上をもたらす。また、反応副生成物により反応容器の排出経路が詰ることがないので、詰りを解消するための装置のメンテナンス頻度が低減し、装置の稼働率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態に係るLP−SiNを形成する減圧CVD装置の概略説明図。
【図2】 図1の反応炉に挿入された石英ボートと電熱ヒータを示す説明図。
【図3】 図2の電熱ヒータの加熱による反応副生成物の気化状態の説明図。
【図4】 電熱ヒータの代りに加熱体を用いた図2と同様の説明図。
【図5】 図4の加熱体の加熱による反応副生成物の気化状態の説明図。
【図6】 従来のLP−CVD装置の概略説明図。
【図7】 図6のLP−CVD装置における気化した反応副生成物の流れを示す説明図。
【符号の説明】
10:LP−CVD装置、11:装置ケース、12:ヒータ、13:反応炉、
14:石英ボート、15:保温筒、16:石英ボート台、17:電熱ヒータ、
18:ウェーハ搬送機、19:操作パネル、20:アウタチューブ、
21:インナチューブ、22:フランジ、23:排気管、24:ベントライン、
25:真空ポンプ、26:加熱体、27:導入管、28:排出管。
Claims (3)
- 成膜対象を支持手段に搭載し、この支持手段が搬入された反応容器内に反応ガスを導入し、前記成膜対象に成膜処理を行う成膜方法において、
成膜処理後に前記支持手段を前記反応容器の外に引き出し、前記支持手段をその下端側より加熱手段により加熱してこの支持手段に付着する反応副生成物を気化させるとともに、反応容器の開口を蓋で塞ぎ、前記反応容器をパージすることを特徴とする成膜方法。 - 前記反応容器のパージは真空ポンプの上流側の排気管より分岐されたベントラインを介してパージガスを排出する
ことを特徴とする請求項1記載の成膜方法。 - 前記反応容器のパージは前記反応容器内が常圧となる
ことを特徴とする請求項1記載の成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35273597A JP3690095B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35273597A JP3690095B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11186170A JPH11186170A (ja) | 1999-07-09 |
JP3690095B2 true JP3690095B2 (ja) | 2005-08-31 |
Family
ID=18426084
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35273597A Expired - Fee Related JP3690095B2 (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3690095B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10228990A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-15 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Integriertes, kontinuierliches Verfahren zur Herstellung molekularer Einkomponentenvorläufer mit Stickstoff-Brückenfunktion |
US20130291797A1 (en) | 2010-12-21 | 2013-11-07 | Masaki Kusuhara | Vaporizer |
WO2012118019A1 (ja) | 2011-02-28 | 2012-09-07 | 株式会社渡邊商行 | 気化器および気化器に用いられるセンターロッド、ならびにキャリアガスに同伴される原料などの気化方法 |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP35273597A patent/JP3690095B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11186170A (ja) | 1999-07-09 |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040108 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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