JP2602179B2 - Resist stripper management system - Google Patents
Resist stripper management systemInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、液晶基板製造工程や半
導体製造工程などにおいて、レジストの剥離に用いられ
るレジスト剥離液の管理装置、詳しくは、レジスト剥離
液の循環使用における連続自動補給機構、アルカノール
アミン濃度調整機構、及びレジスト剥離で溶出したレジ
ストの濃縮化に伴うレジスト剥離性能の劣化抑制のため
のレジスト剥離液自動排出機構を併せて有する装置に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for managing a resist stripping solution used for stripping a resist in a liquid crystal substrate manufacturing process, a semiconductor manufacturing process, and the like. The present invention relates to an apparatus having an alkanolamine concentration adjusting mechanism and an automatic resist stripping liquid discharge mechanism for suppressing deterioration of resist stripping performance due to concentration of resist eluted by resist stripping.
【０００２】[0002]
【従来の技術】液晶基板や半導体などの製造工程におけ
るフォトリソグラフィ工程で使用されるレジスト材料に
は、露光によって可溶化するポジ型と、露光によって不
溶化するネガ型とがあり、主としてポジ型が多用されて
いる。ポジ型レジストの代表例として、ナフトキノンジ
アジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂（ノボラック樹
脂）を主成分とするものがある。フォトリソグラフィ工
程の最終段階では、レジストを基板から完全に剥離する
工程が必要である。液晶基板や半導体などのレジスト剥
離工程においては、レジスト剥離液として有機溶媒溶
液、有機アルカリ溶液、有機溶媒と有機アルカリの混合
溶液などが使用されている。例えば、ジメチルスルホキ
シド系の溶液、Ｎ−メチルピロリドン系の溶液、グライ
コールエーテルとアルカノールアミン系の混合溶液など
がスプレー方式あるいはディップ方式などで使用されて
いる。2. Description of the Related Art A resist material used in a photolithography process in a manufacturing process of a liquid crystal substrate or a semiconductor includes a positive type which is solubilized by exposure and a negative type which is insolubilized by exposure. Have been. As a typical example of a positive resist, there is a resist containing a naphthoquinonediazide-based photosensitive agent and an alkali-soluble resin (novolak resin) as main components. In the final stage of the photolithography step, a step of completely removing the resist from the substrate is required. In a resist stripping step for a liquid crystal substrate, a semiconductor, or the like, an organic solvent solution, an organic alkali solution, a mixed solution of an organic solvent and an organic alkali, or the like is used as a resist stripping solution. For example, a dimethylsulfoxide-based solution, an N-methylpyrrolidone-based solution, a mixed solution of glycol ether and an alkanolamine-based solution are used by a spray method or a dipping method.
【０００３】従来法では、レジスト剥離処理槽へ所定濃
度の一定量のレジスト剥離新液を充填してスタートし、
経験等にもとづく基板処理枚数などを指標として、レジ
スト剥離液が減量しつつ所定劣化濃度域に達したとき、
予め用意した新液と一挙に全量交換するバッチ操業の形
態をとっている。この液交換時期は槽容量や基板の種
類、枚数等により一定ではないが、およそ４日間前後に
１回の頻度で行なわれている。レジスト剥離液が劣化す
ると、一定の剥離速度が得られず剥離残渣が生じ歩留り
の低下を引き起こす。In the conventional method, a predetermined amount of a predetermined amount of a new resist stripping solution is charged into a resist stripping treatment tank and started.
As an index, such as the number of substrates processed based on experience, etc., when the resist stripper reaches a predetermined degradation concentration range while reducing the amount,
It is in the form of a batch operation in which the entire quantity is exchanged at once with a new liquid prepared in advance. The liquid exchange time is not constant depending on the tank capacity, the type of the substrate, the number of the substrates, and the like, but is performed once every about four days. When the resist stripping solution is deteriorated, a constant stripping speed cannot be obtained, and stripping residues are generated, thereby lowering the yield.
【０００４】レジスト剥離液として用いられる非水系溶
液は、通常７０〜９０℃で使用されている。レジスト剥
離液に使用される成分の沸点は、有機溶媒が１９０〜２
４０℃程度であり、アルカノールアミン、例えばモノエ
タノールアミン（以下、単にＭＥＡという）が１７１℃
である。従って、レジスト剥離溶液は、使用中にレジス
ト剥離槽の大気シールのためのパージ窒素ガスに同伴し
て低沸点のＭＥＡが優先的に蒸発することで、ＭＥＡ濃
度が下降して濃度変動を生じる。また、アルカリである
ＭＥＡが、溶解レジストの酸との反応、ならびに空気中
の炭酸ガスの吸収、反応により、あるいは分解により濃
度低下を生じる。そのため逐次レジスト剥離性能が低下
するが、従来はＭＥＡ濃度をリアルタイムで測定するこ
とが行なわれず、かつ所定濃度に一定に制御することが
行なわれていなかった。A non-aqueous solution used as a resist stripping solution is usually used at 70 to 90 ° C. The boiling point of the components used in the resist stripping solution is 190 to 2
Alkanolamine, for example, monoethanolamine (hereinafter simply referred to as MEA) at 171 ° C.
It is. Accordingly, during use, the low-boiling MEA preferentially evaporates along with the purge nitrogen gas for sealing the atmosphere of the resist stripping tank during use, so that the MEA concentration falls and the concentration fluctuates. The concentration of MEA, which is an alkali, is reduced by the reaction of the dissolved resist with the acid and the absorption and reaction of carbon dioxide gas in the air, or by decomposition. For this reason, although the resist stripping performance decreases sequentially, conventionally, the MEA concentration has not been measured in real time and has not been constantly controlled to a predetermined concentration.
【０００５】また、レジスト剥離処理によってレジスト
剥離液中に溶解したレジストは逐次濃縮し、レジスト剥
離性能劣化の一因となっているが、従来は溶解レジスト
濃度をリアルタイムで測定することが行なわれず、かつ
所定濃度に一定に制御することが行なわれていなかっ
た。Further, the resist dissolved in the resist stripping solution by the resist stripping process is sequentially concentrated, which causes deterioration of the resist stripping performance. However, conventionally, the concentration of the dissolved resist has not been measured in real time. In addition, constant control to a predetermined concentration has not been performed.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】従って、この間のＭＥ
Ａ濃度及び溶解レジスト濃度は経時的に変化して一定で
ないため、レジストの剥離残渣を生じ、液晶基板の高精
細寸法の精度制御が困難で、製品の品質を不安定にし、
歩留りを低下させていた。また液交換時の操業停止（ダ
ウンタイム）により大幅な稼動率低下をきたし、レジス
ト剥離液の交換作業に伴う労務コストが必要であった。Therefore, the ME during this time is required.
Since the A concentration and the dissolved resist concentration change with time and are not constant, a resist peeling residue is generated, it is difficult to control the precision of the high-definition dimensions of the liquid crystal substrate, and the quality of the product becomes unstable,
The yield was decreasing. In addition, the operation rate was greatly reduced due to the stoppage of operation (downtime) at the time of liquid replacement, and labor costs associated with the replacement of the resist stripping solution were required.
【０００７】本発明は上記の諸点に鑑みなされたもの
で、本発明の目的は、液晶基板製造工程などの大量生産
に適した簡便な従来技術によるライン搬送方式の利点を
生かしながら、前述した従来技術の問題点を解消するも
のである。すなわち、本発明の目的は、有機溶媒とアル
カノールアミンの原液を用意しておけば、レジスト剥離
液を所定のアルカノールアミン濃度と溶解レジスト濃度
に自動制御し、かつレジスト剥離処理槽の液補給に対し
て適切な管理を行ない、もってレジスト剥離性能を常時
一定化するとともに、使用原液量を削減し、操業停止時
間を大幅に短縮して総合的な製造コストの低減を可能と
することにある。The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to make use of the advantages of the conventional conventional line transfer system suitable for mass production such as a liquid crystal substrate manufacturing process. It is to solve the technical problems. That is, the object of the present invention is to prepare a stock solution of an organic solvent and an alkanolamine, and to automatically control a resist stripping solution to a predetermined alkanolamine concentration and a dissolved resist concentration, and to supply a liquid in a resist stripping treatment tank. The purpose of the present invention is to provide an appropriate control to stabilize the resist stripping performance at all times, to reduce the amount of stock solution used, to significantly reduce the operation stop time, and to reduce the overall manufacturing cost.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、レジ
スト剥離処理槽のレジスト剥離液中に溶解したレジスト
濃度は、図８に示すように、その吸光度と相関関係にあ
ることを実験により確認したことから、溶解レジスト濃
度を吸光度測定により調整、制御し、さらにレジスト剥
離液中のＭＥＡ濃度が、図５に示すように、その吸光度
との間に相関関係にあることを実験によって確認したこ
とから、ＭＥＡ濃度を吸光度測定により調整、制御する
ようにしたものである。According to the present invention, it has been confirmed by an experiment that the concentration of a resist dissolved in a resist stripping solution in a resist stripping tank is correlated with its absorbance as shown in FIG. Therefore, the dissolved resist concentration was adjusted and controlled by absorbance measurement, and it was further confirmed by experiments that the MEA concentration in the resist stripping solution was correlated with the absorbance as shown in FIG. Therefore, the MEA concentration is adjusted and controlled by measuring the absorbance.
【０００９】すなわち、上記の目的を達成するために、
本発明のレジスト剥離液管理装置は、図１に示すよう
に、レジスト剥離液の溶解レジスト濃度を吸光光度計１
６により検出してレジスト剥離液を排出するレジスト剥
離液排出手段と、レジスト剥離液の液面レベルを液面レ
ベル計３により検出して有機溶媒とアルカノールアミン
とを補給する第一補給手段と、レジスト剥離液のアルカ
ノールアミン濃度を吸光光度計１５により検出して、有
機溶媒及びアルカノールアミンの少なくとも一方を補給
する第二補給手段とを備えたことを特徴としている。ま
た、本発明のレジスト剥離液管理装置は、第一補給手段
において、有機溶媒とアルカノールアミンとを補給する
代わりに、図２に示すように、有機溶媒とアルカノール
アミンとを予め調合したレジスト剥離新液をもって補給
するようにしたことを特徴としている。That is, in order to achieve the above object,
As shown in FIG. 1, the resist stripping liquid management apparatus of the present invention measures the dissolved resist concentration of the resist stripping liquid by an absorptiometer.
A resist stripper discharging means for detecting the resist stripper and discharging the resist stripper by 6; a first replenisher for detecting the liquid level of the resist stripper by the liquid level meter 3 and replenishing the organic solvent and the alkanolamine; A second replenishing means for detecting the alkanolamine concentration of the resist stripping solution with the absorptiometer 15 and replenishing at least one of the organic solvent and the alkanolamine is provided. Further, in the resist stripping liquid management apparatus of the present invention, instead of replenishing the organic solvent and the alkanolamine in the first replenishing means, as shown in FIG. It is characterized by being supplied with liquid.
【００１０】さらに、本発明のレジスト剥離液管理装置
は、図３に示すように、レジスト剥離液の溶解レジスト
濃度を吸光光度計１６により検出して有機溶媒とアルカ
ノールアミンとを補給する第三補給手段と、レジスト剥
離液のアルカノールアミン濃度を吸光光度計１５により
検出して有機溶媒及びアルカノールアミンの少なくとも
一方を補給する第二補給手段とを備えたことを特徴とし
ている。また、本発明のレジスト剥離液管理装置は、図
４に示すように、有機溶媒とアルカノールアミンとを補
給する第三補給手段において、有機溶媒とアルカノール
アミンとを補給する代わりに、有機溶媒とアルカノール
アミンとを予め調合したレジスト剥離新液を補給するよ
うにしたことを特徴としている。有機溶媒としては、例
えばジメチルスルホキシド系原液、Ｎ−メチルピロリド
ン系原液、グライコールエーテル系原液などが用いられ
る。また、アルカノールアミンとしては、モノエタノー
ルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミ
ン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ
−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールア
ミン、３−アミノ−１−プロパノールを挙げることがで
きる。Further, as shown in FIG. 3, the resist stripping solution management apparatus of the present invention detects the dissolved resist concentration of the resist stripping solution with an absorptiometer 16 and replenishes an organic solvent and alkanolamine. Means, and a second replenishing means for detecting the alkanolamine concentration of the resist stripping solution with the absorptiometer 15 and replenishing at least one of the organic solvent and the alkanolamine. Further, as shown in FIG. 4, the resist stripping liquid management apparatus of the present invention uses an organic solvent and an alkanolamine instead of an organic solvent and an alkanolamine in a third supply means for replenishing the organic solvent and the alkanolamine. A new resist stripping solution prepared in advance with an amine is supplied. As the organic solvent, for example, a dimethylsulfoxide-based stock solution, an N-methylpyrrolidone-based stock solution, a glycol ether-based stock solution, and the like are used. Examples of the alkanolamine include monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N, N-dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, aminoethylethanolamine, N-methyl-N, N-diethanolamine, N
-Dibutylethanolamine, N-methylethanolamine, 3-amino-1-propanol.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の好適な実施例
を、アルカノールアミンとしてモノエタノールアミン
（ＭＥＡ）を用いる場合について詳細に説明する。ただ
し、この実施例に記載されている構成機器の形状、その
相対配置などは、とくに特定的な記載がない限りは、本
発明の範囲をそれらのみに限定するものではなく、単な
る説明例にすぎない。図１は本発明の一実施例を示す装
置系統図である。図中の参照番号１〜１３は、従来の既
設のレジスト剥離処理装置を構成する機器である。すな
わち、この従来のレジスト剥離処理装置は、レジスト剥
離液を貯留するレジスト剥離処理槽１、オーバーフロー
槽２、液面レベル計３、レジスト剥離室フード４、レジ
スト剥離液スプレー７、レジスト剥離液スプレーへの送
液ポンプ８、レジスト剥離液中の微細粒子等を除去する
ためのフィルター９、基板を配置してレジスト剥離しつ
つ移動するローラーコンベアー５、基板６、及びレジス
ト剥離液の清浄化と攪拌のための循環ポンプ１１、微細
粒子除去用フィルター１３、ならびにＮ2 ガス、ＭＥＡ
等の配管類などからなっている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings, in which monoethanolamine (MEA) is used as an alkanolamine. However, the shapes of the components described in this embodiment, their relative arrangement, and the like are not intended to limit the scope of the present invention to them only, and are merely illustrative examples, unless otherwise specified. Absent. FIG. 1 is a system diagram showing an embodiment of the present invention. Reference numerals 1 to 13 in the drawing denote devices constituting a conventional existing resist stripping apparatus. That is, the conventional resist stripping apparatus includes a resist stripping processing tank 1 for storing a resist stripping liquid, an overflow tank 2, a liquid level meter 3, a resist stripping chamber hood 4, a resist stripping liquid spray 7, and a resist stripping liquid spray. Pump 8, filter 9 for removing fine particles and the like in the resist stripping solution, roller conveyor 5 which moves while disposing the resist by disposing the substrate, substrate 6, and cleaning and stirring of the resist stripping solution. Pump 11, filter 13 for removing fine particles, N 2 gas, MEA
It consists of plumbing etc.
【００１２】本発明にもとづき、上記レジスト剥離処理
装置に付設される機器は、吸光光度計１５、吸光光度計
１６、液排出ポンプ１８、及び有機溶媒原液供給缶１
９、有機溶媒供給用の流量調節弁２１、ＭＥＡ原液（Ｍ
ＥＡを主成分とし有機溶媒を混合した溶液も含む）供給
缶２９、ＭＥＡ供給用の流量調節弁２２と、これら各機
器を接続する配管類、電気計装類又は空気計装類などで
ある。The apparatus attached to the resist stripping apparatus according to the present invention includes an absorptiometer 15, an absorptiometer 16, a liquid discharge pump 18, and an organic solvent stock solution can 1
9. Flow control valve 21 for supplying organic solvent, MEA stock solution (M
A supply can 29, a flow control valve 22 for supplying the MEA, and piping, electric instrumentation, or air instrumentation for connecting these devices.
【００１３】レジスト剥離処理槽１に貯留される液量
は、レジスト剥離液スプレー７の所要量を供給できれば
足りるが、工程の安定上からは制御されることが必要で
ある。液面レベル計３は、レジスト剥離処理中に基板に
付着して系外に持ち出されることで自然減量することに
よる液面レベル低下を検出し、あるいはレジスト剥離性
能が劣化した液を強制排出したときの液面レベル低下を
検出し、レジスト剥離処理槽１の液量を一定範囲に管理
する。ここで、レジスト剥離劣化液は、排出ポンプ１８
を作動することによりドレン用配管に流下する。なお、
劣化液をドレン用配管を経由せずに直接系外に抜き出す
場合もある。The amount of liquid stored in the resist stripping tank 1 is sufficient if a required amount of the resist stripping liquid spray 7 can be supplied, but it must be controlled from the viewpoint of process stability. The liquid level meter 3 detects a drop in the liquid level due to a natural decrease due to being attached to the substrate and being taken out of the system during the resist stripping process, or when the liquid whose resist stripping performance is deteriorated is forcibly discharged. The liquid level in the resist stripping tank 1 is controlled within a certain range. Here, the resist stripping deterioration liquid is supplied to the discharge pump 18.
Activate to flow down the drain pipe. In addition,
In some cases, the deteriorated liquid is directly drawn out of the system without passing through the drain pipe.
【００１４】有機溶媒、例えば、ブチルジグリコール
（以下、ＢＤＧと略称する。沸点は、２３０．６℃であ
る。）を貯留する有機溶媒原液供給缶１９は、配管２０
からのＮ2 ガスで１〜２Kgf ／cm2 に加圧されており、
有機溶媒流量調節弁２１の開により圧送される。また、
ＭＥＡを貯留するＭＥＡ原液供給缶２９は、配管３０か
らのＮ2 ガスで１〜２Kgf ／cm2 に加圧されており、Ｍ
ＥＡ流量調節弁２２の開により送液される。この有機溶
媒及びＭＥＡはそれぞれの弁を自動調節して送液され、
管路２３で合流して管路１２に流入し、循環流とともに
混合されながらレジスト剥離処理槽１に入る。なお、有
機溶媒とＭＥＡとを合流させずに、管路１２又はレジス
ト剥離処理槽１にそれぞれ連結することも可能である。
しかし、図１に示すように有機溶媒とＭＥＡとを管路２
３で合流させた後、循環管路１２に流入させるのが、十
分な混合がなされるので望ましい。An organic solvent stock solution supply tank 19 for storing an organic solvent, for example, butyl diglycol (hereinafter abbreviated as BDG, having a boiling point of 230.6 ° C.) is connected to a pipe 20.
Pressurized to 1-2 kgf / cm 2 with N 2 gas from
The pressure is fed by opening the organic solvent flow control valve 21. Also,
The MEA stock solution supply can 29 for storing the MEA is pressurized to 1-2 kgf / cm 2 with N 2 gas from a pipe 30.
The liquid is sent by opening the EA flow control valve 22. This organic solvent and MEA are sent by automatically adjusting the respective valves,
Merges in the pipe 23, flows into the pipe 12, and enters the resist stripping tank 1 while being mixed with the circulating flow. The organic solvent and the MEA may be connected to the pipe 12 or the resist stripping tank 1 without merging.
However, as shown in FIG.
It is desirable that the fluid flow is made to flow into the circulation line 12 after being merged in Step 3 because sufficient mixing is achieved.
【００１５】また、レジスト剥離液スプレー用の管路１
０にオンラインで設置した吸光光度計１５と吸光光度計
１６（例えば、両器は一体構成）には、管路１４から試
料液が導入されて両者の吸光度が連続測定され、測定済
み液は管路１７から管路１０に戻される。なお、吸光光
度計１５と吸光光度計１６とを別体として設置すること
も可能である。A line 1 for spraying a resist stripping solution
A sample liquid is introduced into the absorption spectrophotometer 15 and the absorption spectrophotometer 16 (for example, both instruments are integrated) which are installed online at 0, and the absorbances of both are continuously measured. It is returned from line 17 to conduit 10. In addition, it is also possible to install the absorptiometer 15 and the absorptiometer 16 separately.
【００１６】図２は、本発明の他の実施例を示す装置系
統図である。本実施例は、レジスト剥離液の液面レベル
を液面レベル計３により検出して有機溶媒とＭＥＡとを
補給する代わりに、図２に示すように、レジスト剥離液
の液面レベルを液面レベル計３により検出して有機溶媒
とＭＥＡとを予め調合したレジスト剥離新液を補給する
ように構成したものである。２７はレジスト剥離新液供
給缶、２８は新液流量調節弁である。他の構成は図１の
場合と同様である。FIG. 2 is an apparatus system diagram showing another embodiment of the present invention. In the present embodiment, instead of detecting the liquid level of the resist stripping liquid by the liquid level meter 3 and replenishing the organic solvent and the MEA, as shown in FIG. It is configured to supply a new resist stripping solution in which an organic solvent and MEA are previously detected and detected by the level meter 3. Reference numeral 27 denotes a new resist stripping liquid supply can, and reference numeral 28 denotes a new liquid flow rate control valve. Other configurations are the same as those in FIG.
【００１７】図３は、本発明の他の実施例を示す装置系
統図である。本実施例は、レジスト剥離液の溶解レジス
ト濃度を吸光光度計１６により検出して有機溶媒とＭＥ
Ａとを補給するように構成したものである。図３に示す
ように、通常において、液面レベルはオーバーフロー用
の堰の位置付近にあり、有機溶媒及びＭＥＡの少なくと
も一方が補給された場合は、オーバーフロー用の堰から
劣化したレジスト剥離液がオーバーフローして自動排出
される。なお、排出ポンプ１８は必ずしも必要ではな
く、排出ポンプ１８の代わりに弁を設けてもよい。他の
構成は図１の場合と同様である。FIG. 3 is a system diagram showing another embodiment of the present invention. In this example, the dissolved resist concentration of the resist stripping solution was detected by the absorptiometer 16 to determine whether the organic solvent
A is supplied. As shown in FIG. 3, normally, the liquid level is near the position of the overflow weir, and when at least one of the organic solvent and MEA is replenished, the deteriorated resist stripper overflows from the overflow weir. Automatically ejected. Note that the discharge pump 18 is not always necessary, and a valve may be provided instead of the discharge pump 18. Other configurations are the same as those in FIG.
【００１８】図４は、本発明のさらに他の実施例を示す
装置系統図である。本実施例は、レジスト剥離液の溶解
レジスト濃度を吸光光度計１６により検出して補給する
第三補給手段において、有機溶媒とＭＥＡとを補給する
代わりに、図４に示すように、有機溶媒とＭＥＡとを予
め調合したレジスト剥離新液を補給するように構成した
ものである。他の構成は図３の場合と同様である。FIG. 4 is an apparatus system diagram showing still another embodiment of the present invention. In this embodiment, instead of replenishing the organic solvent and MEA with the third replenishing means for detecting and replenishing the dissolved resist concentration of the resist stripping solution with the absorptiometer 16, as shown in FIG. It is configured to supply a new resist stripping solution prepared in advance with MEA. Other configurations are the same as those in FIG.
【００１９】次に図１に示す実施例装置の制御系統につ
いて説明する。液面レベル計３とレジスト剥離処理槽１
の液面レベル、吸光光度計１５とレジスト剥離液のＭＥ
Ａ濃度、吸光光度計１６とレジスト剥離液の溶解レジス
ト濃度の３者は、本質的にはそれぞれ独立機能として作
用するが、本発明においては、これらを相互の補完的な
関連において機能させることを特徴としている。また、
はじめに製品基板の品質管理上で必要なレジスト剥離液
のＭＥＡ濃度の目標値、溶解レジスト濃度の濃縮限界値
などは、操業実績又は計算に基づき予め各制御器に設定
しておかねばならない。Next, a control system of the embodiment shown in FIG. 1 will be described. Liquid level meter 3 and resist stripping tank 1
Liquid level, absorption photometer 15 and resist stripper ME
The A concentration, the absorbance photometer 16 and the dissolved resist concentration of the resist stripping solution essentially function as independent functions, respectively. In the present invention, it is necessary to make these function in a mutually complementary relationship. Features. Also,
First, the target value of the MEA concentration of the resist stripping solution and the concentration limit value of the dissolved resist concentration necessary for quality control of the product substrate must be set in advance in each controller based on operation results or calculations.
【００２０】以下、レジスト剥離液としてＢＤＧとＭＥ
Ａの混合溶液を使用した実施例について説明する。通
常、約８０℃の一定液温に保持されたレジスト剥離液の
ＭＥＡ濃度は、主としてパージＮ2 ガスに同伴して低沸
点のＭＥＡが優先的に蒸発することにより、基板処理枚
数の増加とともに減少するので、レジスト剥離液のレジ
スト剥離性能が劣化してくる。このため、ＭＥＡ濃度は
所定の目標値、例えば３９．０±１．０％に管理する必
要がある。従来は、経験からの基板処理枚数との相関あ
るいは化学分析等によって、レジスト剥離液劣化の程度
を判定していたが、迅速かつ正確な把握が困難であっ
た。Hereinafter, BDG and ME are used as a resist stripper.
An example using the mixed solution of A will be described. Normally, the MEA concentration of the resist stripper maintained at a constant temperature of about 80 ° C. decreases with an increase in the number of substrates processed, mainly due to the preferential evaporation of low boiling point MEAs accompanying the purge N 2 gas. Therefore, the resist stripping performance of the resist stripping solution deteriorates. For this reason, the MEA concentration needs to be controlled to a predetermined target value, for example, 39.0 ± 1.0%. Conventionally, the degree of deterioration of the resist stripper has been determined based on experience based on correlation with the number of processed substrates or chemical analysis, but it has been difficult to quickly and accurately determine the degree of deterioration.
【００２１】本発明者は、レジスト剥離液のＭＥＡ濃度
と吸光度との関係を実験により検討し、図５に示す如
く、ＭＥＡ濃度は、測定波長λ＝１０４８nmの吸光度と
は溶解レジスト濃度などの影響なしに高度な直線関係に
あり、正確に測定できることを確認した。管路１０にオ
ンラインで設置した吸光光度計１５は、測定誤差を最小
限とするための諸補償機能と吸光度制御器２５を備えて
いる。管路１０から導入した試料液の吸光度測定値を、
吸光度制御器２５に入力して、その値が目標値になるよ
うに、出力信号により有機溶媒及びＭＥＡの少なくとも
一方を、流量調節弁２１、２２によりそれぞれ自動制御
して、ＭＥＡ濃度を目標値に調整するまで補給する。The present inventor has examined the relationship between the MEA concentration and the absorbance of the resist stripping solution by experiments. As shown in FIG. 5, the MEA concentration is different from the absorbance at the measurement wavelength λ = 1048 nm by the influence of the dissolved resist concentration and the like. It was confirmed that there was a high degree of linear relationship and that measurement could be performed accurately. The absorptiometer 15 installed on-line in the conduit 10 has various compensation functions for minimizing measurement errors and an absorptivity controller 25. The absorbance measurement value of the sample liquid introduced from the pipe 10 is
Input to the absorbance controller 25, at least one of the organic solvent and MEA is automatically controlled by the output signal by the flow control valves 21 and 22 so that the value becomes the target value, and the MEA concentration becomes the target value. Replenish until adjusted.
【００２２】レジスト剥離性能の劣化は上述のＭＥＡ濃
度によるほか、溶解レジスト濃度も関与している。基板
処理のレジスト剥離液は、送液ポンプ８によりレジスト
剥離処理槽１から取り出され、レジスト剥離液スプレー
７を経て循環使用されるため、溶解物質がレジスト剥離
液中に漸次濃縮してくる。その主な溶解物質はレジスト
であり、図６に操業例として示すように、基板処理枚数
の増加により濃縮されており、結果的にレジスト剥離性
能を著しく劣化させている。従来は、この濃度変化をリ
アルタイムで測定することが行なわれておらず、かつレ
ジスト剥離性能を一定値で管理することが行なわれてい
なかった。すなわち、基板の処理枚数を劣化指標とした
りしているが、基板の形状やレジストの膜厚やレジスト
剥離パターンが一定でないため、基板種類毎の溶解レジ
スト量も異なってくるので、処理枚数を判定要因とする
ことには無理がある。The deterioration of the resist stripping performance depends not only on the MEA concentration but also on the dissolved resist concentration. The resist stripper for substrate processing is taken out of the resist stripper 1 by the liquid feed pump 8 and is circulated through the resist stripper spray 7, so that the dissolved substances gradually concentrate in the resist stripper. The main dissolved substance is a resist, and as shown in an operation example in FIG. 6, the resist is concentrated due to an increase in the number of processed substrates, and as a result, the resist stripping performance is significantly deteriorated. Conventionally, this concentration change has not been measured in real time, and the resist stripping performance has not been managed at a constant value. That is, although the number of processed substrates is used as a degradation index, the number of processed resists is determined because the shape of the substrate, the thickness of the resist, and the resist peeling pattern are not constant, and the amount of dissolved resist for each type of substrate is different. It is impossible to make it a factor.
【００２３】本発明者は、レジスト剥離液中のレジスト
濃縮による汚染状態の研究から、レジスト濃度を吸光度
との関係において測定することに着目し、実験により図
７及び図８に示すような結果を得た。図８に見る如く、
溶解レジスト濃度と吸光度とはＭＥＡ濃度などの影響な
しに高度な直線関係にあり、基板処理枚数によらない、
溶解レジスト濃度自体によるレジスト剥離性能限界値が
判定可能となった。なお、溶解レジスト濃度の妥当な測
定波長としてはλ＝５５０nmを使用した。従って、管路
１０に吸光光度計１５と一体又は別体で設置した吸光光
度計１６が、レジスト剥離液の溶解レジスト濃度を連続
測定して劣化限界値を超えたことを検出し、吸光度制御
器２６の出力信号により排出ポンプ１８が作動し、劣化
したレジスト剥離液をレジスト剥離処理槽１から抜き出
してドレン管に廃棄するか、又は直接系外に廃棄する。
その結果、減量したレジスト剥離処理槽１には、直ちに
液面レベル計３が下降した液面レベルを検出することに
よって、新鮮なレジスト剥離液が補給され、溶解レジス
ト濃度は劣化限界値に希釈されることでレジスト剥離性
能が回復し、排出ポンプ１８は停止する。The present inventor paid attention to measuring the resist concentration in relation to the absorbance from the study of the contamination state due to the concentration of the resist in the resist stripping solution, and obtained the results shown in FIGS. 7 and 8 through experiments. Obtained. As seen in FIG.
The dissolved resist concentration and the absorbance are in a highly linear relationship without the influence of the MEA concentration and the like, and do not depend on the number of processed substrates.
The limit value of resist stripping performance based on the dissolved resist concentration itself can be determined. Note that λ = 550 nm was used as an appropriate measurement wavelength for the dissolved resist concentration. Therefore, the absorption spectrophotometer 16 installed in the pipe 10 integrally with or separately from the absorption spectrophotometer 15 continuously measures the dissolved resist concentration of the resist stripping solution, detects that the concentration exceeds the degradation limit value, and detects the absorption limit. The discharge pump 18 is operated by the output signal of 26, and the deteriorated resist stripping solution is extracted from the resist stripping tank 1 and discarded in a drain pipe or directly discarded outside the system.
As a result, a fresh resist stripping solution is supplied to the reduced resist stripping tank 1 by immediately detecting the lowered liquid level by the liquid level meter 3, and the dissolved resist concentration is diluted to the deterioration limit value. As a result, the resist peeling performance is recovered, and the discharge pump 18 stops.
【００２４】ここで、図１に示す本実施例装置が意図し
た制御系統の機能的関連について述べる。レジスト剥離
処理槽１が空の建浴時においては、液面レベル計３が空
であることを検出して、液面レベル制御器２４の出力信
号により、有機溶媒及びＭＥＡが適正な流量比におい
て、流量調節弁２１，２２により弁開度を調節して送液
される。ついで、吸光光度計１５が建浴レジスト剥離液
の吸光度を連続測定して、吸光度制御器２５の出力信号
により、有機溶媒及びＭＥＡの少なくとも一方が適正な
微少流量において、流量調節弁２１及び２２の少なくと
も一方により弁開度を調節して送液され、目標値のＭＥ
Ａ濃度になるよう自動制御される。Here, the functional relationship of the control system intended by the apparatus of this embodiment shown in FIG. 1 will be described. When the resist stripping tank 1 is empty, the liquid level meter 3 detects that the liquid level gauge 3 is empty, and the output signal of the liquid level controller 24 allows the organic solvent and MEA to be mixed at an appropriate flow rate ratio. The liquid is sent while the valve opening is adjusted by the flow control valves 21 and 22. Next, the absorptiometer 15 continuously measures the absorbance of the bath remover, and the output signal of the absorbance controller 25 causes at least one of the organic solvent and the MEA to have an appropriate minute flow rate so that the flow control valves 21 and 22 The liquid is sent by adjusting the valve opening degree by at least one of them, and the target value ME
It is automatically controlled so that the concentration becomes A.
【００２５】次にレジスト剥離処理が開始されると、Ｍ
ＥＡ濃度の下降、基板の持ち出しによる液の減量及び溶
解レジスト濃縮が進行する。ＭＥＡ濃度下降の場合は、
吸光光度計１５がレジスト剥離液の吸光度を連続測定し
て、吸光度制御器２５の出力信号により、ＭＥＡが適正
な微少流量において流量調節弁２２により弁開度を調節
して送液され、目標値のＭＥＡ濃度になるよう自動制御
される。基板の持ち出しによる液の減量の場合は、液面
レベル計３が下降した液面レベルを検出して、液面レベ
ル制御器２４の出力信号により、有機溶媒及びＭＥＡが
適正な流量比において、流量調節弁２１，２２により弁
開度を調節して送液される。Next, when the resist stripping process is started, M
The EA concentration decreases, the amount of the solution is reduced by taking out the substrate, and the concentration of the dissolved resist proceeds. In case of MEA concentration drop,
The absorptiometer 15 continuously measures the absorbance of the resist stripping solution, and the MEA is sent by adjusting the valve opening by the flow control valve 22 at an appropriate minute flow rate according to the output signal of the absorbance controller 25 to obtain the target value. Is controlled automatically so that the MEA concentration becomes. When the liquid level is reduced by taking out the substrate, the liquid level meter 3 detects the lowered liquid level, and the output signal of the liquid level controller 24 allows the organic solvent and the MEA to flow at an appropriate flow ratio. The liquid is sent by adjusting the valve opening degree by the control valves 21 and 22.
【００２６】溶解レジスト濃度が濃縮されて劣化限界値
に達した場合は、吸光光度計１６がレジスト剥離液の溶
解レジスト濃度を連続測定して劣化限界値を超えたこと
を検出し、吸光度制御器２６の出力信号により排出ポン
プ１８が作動し、劣化したレジスト剥離液をレジスト剥
離処理槽１から抜き出してドレン管に廃棄するか、又は
直接系外に廃棄する。その結果、液面レベルが低下する
ので、液面レベル計３が下降した液面レベルを検出し
て、液面レベル制御器２４の出力信号により、有機溶媒
及びＭＥＡが適正な流量比において流量調節弁２１，２
２により弁開度を調節して送液される。レジスト剥離処
理槽１には、新鮮なレジスト剥離液が補給されるので、
溶解レジスト濃度は劣化限界値に希釈されることでレジ
スト剥離性能が回復し、排出ポンプ１８は停止する。液
面レベル計３より上部に、オーバーフロー用の堰が通常
ではオーバーフローしない位置に設けられてあるが、若
干オーバーフローすることがあってもよい。When the concentration of the dissolved resist reaches the deterioration limit value due to concentration, the absorptiometer 16 continuously measures the dissolved resist concentration of the resist stripping solution and detects that the concentration exceeds the deterioration limit value. The discharge pump 18 is operated by the output signal of 26, and the deteriorated resist stripping solution is extracted from the resist stripping tank 1 and discarded in a drain tube or directly discarded outside the system. As a result, the liquid level decreases, so the liquid level meter 3 detects the lowered liquid level, and the output signal of the liquid level controller 24 allows the organic solvent and the MEA to adjust the flow rate at an appropriate flow rate ratio. Valves 21, 2
The liquid is sent by adjusting the valve opening degree by 2. Since a fresh resist stripping solution is supplied to the resist stripping tank 1,
The resist stripping performance is restored by diluting the dissolved resist concentration to the deterioration limit value, and the discharge pump 18 stops. Although an overflow weir is provided above the liquid level meter 3 at a position where the overflow does not normally occur, an overflow may occur slightly.
【００２７】次に、図３に示す実施例装置が意図した制
御系統の機能的関連について述べる。レジスト剥離処理
槽１が空の建浴時においては、手動操作により、有機溶
媒及びＭＥＡが適正な流量比において、流量調節弁２
１，２２により弁開度を調節して所定の液面レベルに達
するまで送液される。次いで、吸光光度計１５が建浴レ
ジスト剥離液の吸光度を連続測定して、吸光度制御器２
５の出力信号により、有機溶媒及びＭＥＡの少なくとも
一方が適正な微少流量において、流量調節弁２１及び２
２の少なくとも一方により弁開度を調節して送液され、
目標値のＭＥＡ濃度になるように自動制御させる。Next, the functional relationship of the control system intended by the apparatus shown in FIG. 3 will be described. When the resist stripping treatment tank 1 is empty, the organic solvent and MEA are manually operated at an appropriate flow ratio so that the flow rate control valve 2 is opened.
The liquid is fed until the predetermined liquid level is reached by adjusting the valve opening degree by means of 1 and 22. Next, the absorptiometer 15 continuously measures the absorbance of the building bath resist stripping solution, and the absorbance controller 2
5, at least one of the organic solvent and the MEA is controlled to flow at an appropriate minute flow rate.
The liquid is sent by adjusting the valve opening by at least one of the two methods,
Automatic control is performed so that the MEA concentration reaches the target value.
【００２８】次にレジスト剥離処理が開始されると、Ｍ
ＥＡ濃度下降、基板の持ち出しによる液の減量及び溶解
レジスト濃縮が進行する。ＭＥＡ濃度下降の場合は、吸
光光度計１５がレジスト剥離液の吸光度を連続測定し
て、吸光度制御器２５の出力信号により、ＭＥＡが適正
な微少流量において、流量調節弁２２により弁開度を調
節して送液され、目標値のＭＥＡ濃度になるよう自動制
御される。基板の持ち出しによる液の減量の場合は、液
面レベル計はオーバーフロー用の堰の位置より若干低下
する。Next, when the resist stripping process is started, M
The EA concentration decreases, the amount of the solution is reduced by taking out the substrate, and the concentration of the dissolved resist proceeds. In the case of a decrease in the MEA concentration, the absorptiometer 15 continuously measures the absorbance of the resist stripping solution, and the output signal of the absorbance controller 25 allows the MEA to adjust the valve opening by the flow control valve 22 at an appropriate minute flow rate. And the liquid is automatically controlled to reach the target value of the MEA concentration. When the amount of liquid is reduced by taking out the substrate, the liquid level meter is slightly lower than the position of the overflow weir.
【００２９】溶解レジスト濃度が、濃縮されて劣化限界
値に達した場合は、吸光光度計１６がレジスト剥離液の
溶解レジスト濃度を連続測定して劣化限界値を超えたこ
とを検出し、吸光度制御器２６の出力信号により、有機
溶媒及びＭＥＡが適正な流量比において、流量調節弁２
１及び２２により弁開度を調節して送液される。新鮮な
レジスト剥離液が補給されるので、溶解レジスト濃度は
劣化限界値に希釈されてレジスト剥離性能が回復する。When the concentration of the dissolved resist reaches the deterioration limit value due to concentration, the absorptiometer 16 continuously measures the dissolved resist concentration of the resist stripping solution and detects that the concentration exceeds the deterioration limit value. The output signal of the vessel 26 allows the organic solvent and the MEA to flow at the proper flow rate ratio, and the flow control valve 2
The liquid is sent by adjusting the valve opening by 1 and 22. Since a fresh resist stripping solution is supplied, the dissolved resist concentration is diluted to the deterioration limit value, and the resist stripping performance is restored.
【００３０】液面レベルは、オーバーフロー用の堰の位
置付近にあり、有機溶媒又はＭＥＡが補給されたとき
は、オーバーフロー用の堰から劣化したレジスト剥離液
がオーバーフローする。本発明者は、以上のように各制
御機能に基づく結果を相互補完的な関連で運用すること
によって、総合的にレジスト剥離性能の回復、連続操
業、及びレジスト剥離液使用量の削減を容易に実現する
ことができることを実験により知見している。The liquid level is near the position of the overflow weir, and when the organic solvent or MEA is replenished, the deteriorated resist stripper overflows from the overflow weir. The present inventor can easily recover the resist stripping performance, continuously operate, and reduce the amount of the resist stripping liquid to be used comprehensively by operating the results based on the respective control functions in a mutually complementary relationship as described above. I know through experiments that it can be realized.
【００３１】次に、概念的理解のために、本発明と従来
法の操業パターンの効果の比較を図９〜図１２に示す。
従来法では、図９に示すようにスタート時のＭＥＡ濃度
が、例えば４０．０wt％で、その濃度が時間の経過につ
れて下降して、例えば３０．０wt％（化学分析値）に達
したときに液交換を行なっていた。この場合、ＭＥＡ濃
度の経時変化は鋸歯状になり、その濃度に変化幅が生じ
るので、レジスト剥離性能が一定しなかった。しかし、
本発明の装置を用いれば、図１０に示すようにＭＥＡ濃
度は時間が経過しても、例えば３９．０±１．０wt％で
一定であり、レジスト剥離性能が安定するとともに、液
交換作業の必要もなくなる。Next, for the purpose of conceptual understanding, comparisons between the effects of the operation patterns of the present invention and the conventional method are shown in FIGS.
In the conventional method, as shown in FIG. 9, when the MEA concentration at the start is, for example, 40.0 wt%, the concentration decreases with the passage of time and reaches, for example, 30.0 wt% (chemical analysis value). Liquid exchange had been performed. In this case, the time-dependent change in the MEA concentration became a saw-tooth shape, and the change width occurred in the concentration, so that the resist stripping performance was not constant. But,
Using the apparatus of the present invention, as shown in FIG. 10, the MEA concentration is constant at, for example, 39.0 ± 1.0 wt% even after a lapse of time. There is no need.
【００３２】また、従来法では、図１１に示すように、
スタート時から溶解レジスト濃度が時間の経過とともに
増加し、この濃度がレジスト剥離性能を低下させる領域
値に達して液交換を行なっていた。この場合、図１１に
示すように、溶解レジスト濃度の経時変化は鋸歯状にな
り、溶解レジスト濃度の変化幅が生じるので、レジスト
剥離性能が一定しなかった。しかし、本発明の装置を用
いれば、図１２に示すように、溶解レジスト濃度はある
時間の経過後は一定となり、したがってレジスト剥離性
能が安定するとともに、液交換作業の必要もなくなる。
なお以上において、本発明は、レジスト剥離液としてＢ
ＤＧとＭＥＡの混合溶液を使用した場合に限らず、レジ
スト剥離液としてＢＤＧ以外の有機溶媒溶液とＭＥＡ又
はＭＥＡ以外のアルカノールアミン溶液の混合溶液を使
用した場合にも適用できる。In the conventional method, as shown in FIG.
From the start, the dissolved resist concentration increased with the passage of time, and this concentration reached a region value that reduced the resist stripping performance, and the liquid exchange was performed. In this case, as shown in FIG. 11, the change with time of the dissolved resist concentration was saw-toothed, and the range of change in the dissolved resist concentration occurred, so that the resist stripping performance was not constant. However, when the apparatus of the present invention is used, as shown in FIG. 12, the concentration of the dissolved resist becomes constant after a certain period of time, so that the resist peeling performance is stabilized and the necessity of the liquid exchange operation is eliminated.
In the above, the present invention relates to a resist stripping solution containing B
The present invention can be applied not only to the case where a mixed solution of DG and MEA is used, but also to the case where a mixed solution of an organic solvent solution other than BDG and an MEA or an alkanolamine solution other than MEA is used as a resist stripping solution.
【００３３】[0033]
【発明の効果】本発明は、上記のように構成されている
ので、つぎのような効果を奏する。 （１） 本発明を、液晶基板や半導体などのレジスト剥
離工程に適用することにより、レジスト剥離液のアルカ
ノールアミン濃度及び溶解レジスト濃度を常時監視して
所望の目標値に制御し、かつ安定した液面レベルにおい
て長時間の連続操業を可能とする。 （２） レジスト剥離液品質を一定に制御することがで
きるので、レジスト剥離性能も安定化し、従って、液晶
基板製造工程や半導体製造工程などに適用する場合は、
液使用量の大幅削減、歩留りの向上、操業停止時間の減
少及び労務コストの低減という総合的効果も達成でき
る。Since the present invention is configured as described above, it has the following effects. (1) By applying the present invention to a resist stripping process of a liquid crystal substrate, a semiconductor, or the like, the alkanolamine concentration and the dissolved resist concentration of the resist stripping solution are constantly monitored and controlled to desired target values, and a stable solution is obtained. Enables long-term continuous operation at the surface level. (2) Since the quality of the resist stripping solution can be controlled to be constant, the resist stripping performance is also stabilized. Therefore, when applied to a liquid crystal substrate manufacturing process, a semiconductor manufacturing process, or the like,
The overall effect of greatly reducing the amount of liquid used, improving the yield, reducing the downtime of operation, and reducing labor costs can also be achieved.
【図１】本発明の一実施例を示すレジスト剥離液管理装
置の系統図である。FIG. 1 is a system diagram of a resist stripping liquid management apparatus showing one embodiment of the present invention.
【図２】本発明の他の実施例を示すレジスト剥離液管理
装置の系統図である。FIG. 2 is a system diagram of a resist stripping liquid management apparatus according to another embodiment of the present invention.
【図３】本発明の他の実施例を示すレジスト剥離液管理
装置の系統図である。FIG. 3 is a system diagram of a resist stripping liquid management apparatus showing another embodiment of the present invention.
【図４】本発明のさらに他の実施例を示すレジスト剥離
液管理装置の系統図である。FIG. 4 is a system diagram of a resist stripping liquid management apparatus showing still another embodiment of the present invention.
【図５】本発明に係わるレジスト剥離液のＭＥＡ濃度と
吸光度との関係を示す実施例のグラフである。FIG. 5 is a graph of an example showing the relationship between the MEA concentration and the absorbance of the resist stripping solution according to the present invention.
【図６】レジスト剥離処理枚数と溶解レジスト濃度との
関係を示す操業例のグラフである。FIG. 6 is a graph of an operation example showing the relationship between the number of resist stripping treatments and the dissolved resist concentration.
【図７】本発明に係わるレジスト剥離処理枚数とレジス
ト剥離液の吸光度との関係を示すグラフである。FIG. 7 is a graph showing the relationship between the number of resist stripping treatments and the absorbance of a resist stripping solution according to the present invention.
【図８】本発明に係わるレジスト剥離液の溶解レジスト
濃度と吸光度との関係を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing the relationship between the dissolved resist concentration and the absorbance of the resist stripping solution according to the present invention.
【図９】従来法におけるＭＥＡ濃度と操業時間との関係
を示すグラフである。FIG. 9 is a graph showing the relationship between MEA concentration and operation time in a conventional method.
【図１０】本発明の装置を用いた場合におけるＭＥＡ濃
度と操業時間との関係を示すグラフである。FIG. 10 is a graph showing the relationship between the MEA concentration and the operation time when the apparatus of the present invention is used.
【図１１】従来法における溶解レジスト濃度と操業時間
との関係を示すグラフである。FIG. 11 is a graph showing a relationship between a dissolved resist concentration and an operation time in a conventional method.
【図１２】本発明の装置を用いた場合における溶解レジ
スト濃度と操業時間との関係を示すグラフである。FIG. 12 is a graph showing a relationship between a dissolved resist concentration and an operation time when the apparatus of the present invention is used.
１ レジスト剥離処理槽 ３ 液面レベル計 ５ ローラーコンベアー ６ 基板 ７ レジスト剥離液スプレー ８ 送液ポンプ １１ 循環ポンプ １５ 吸光光度計 １６ 吸光光度計 １８ 排出ポンプ １９ 有機溶媒原液供給缶 ２１ 有機溶媒流量調節弁 ２２ ＭＥＡ流量調節弁 ２４ 液面レベル制御器 ２５ 吸光度制御器 ２６ 吸光度制御器 ２７ レジスト剥離新液供給缶 ２８ 新液流量調節弁 ２９ ＭＥＡ原液供給缶 REFERENCE SIGNS LIST 1 resist stripping tank 3 liquid level meter 5 roller conveyor 6 substrate 7 resist stripping liquid spray 8 liquid feed pump 11 circulation pump 15 absorption spectrophotometer 16 absorption spectrophotometer 18 discharge pump 19 organic solvent stock solution supply can 21 organic solvent flow control valve 22 MEA flow control valve 24 Liquid level controller 25 Absorbance controller 26 Absorbance controller 27 New resist remover supply can 28 New liquid flow control valve 29 MEA stock solution supply can
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 修 東京都中央区日本橋小舟町５番１号 長 瀬産業株式会社内 (72)発明者 佐藤 嘉高 東京都中央区日本橋小舟町５番１号 長 瀬産業株式会社内 (72)発明者 塩津 信一郎 兵庫県竜野市竜野町中井236 ナガセ電 子化学株式会社 兵庫工場内 (56)参考文献 特開 平４−130505（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−227009（ＪＰ，Ａ) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Osamu Ogawa 5-1, Nihonbashi-Kofunacho, Chuo-ku, Tokyo Inside Nagase Sangyo Co., Ltd. (72) Yoshitaka Sato 5-1, Nihonbashi-Kofunacho, Chuo-ku, Tokyo Inside Nagase Sangyo Co., Ltd. (72) Inventor Shinichiro Shiotsu 236 Nakai, Tatsuno-cho, Tatsuno-shi, Hyogo Nagase Electronic Chemical Co., Ltd. Hyogo Plant (56) References JP-A-4-130505 (JP, A) JP-A-3 −227009 (JP, A)
Claims (4)
光光度計（１６）により検出してレジスト剥離液を排出
するレジスト剥離液排出手段と、レジスト剥離液の液面
レベルを液面レベル計（３）により検出して有機溶媒と
アルカノールアミンとを補給する第一補給手段と、レジ
スト剥離液のアルカノールアミン濃度を吸光光度計（１
５）により検出して有機溶媒及びアルカノールアミンの
少なくとも一方を補給する第二補給手段とを備えたこと
を特徴とするレジスト剥離液管理装置。A resist stripper discharging means for detecting the dissolved resist concentration of the resist stripper with an absorptiometer and discharging the resist stripper; and a liquid level meter for measuring the liquid level of the resist stripper. ) And a first replenishing means for replenishing the organic solvent and the alkanolamine, and an absorptiometer (1)
And a second replenishing means for replenishing at least one of the organic solvent and the alkanolamine detected according to 5).
カノールアミンとを補給する代わりに、有機溶媒とアル
カノールアミンとを予め調合したレジスト剥離新液を補
給するようにしたことを特徴とする請求項１記載のレジ
スト剥離液管理装置。2. The method according to claim 1, wherein the first replenishing means replenishes a new resist stripping solution prepared in advance with the organic solvent and the alkanolamine, instead of replenishing the organic solvent and the alkanolamine. 2. The resist stripping liquid management device according to 1.
光光度計（１６）により検出して有機溶媒とアルカノー
ルアミンとを補給する第三補給手段と、レジスト剥離液
のアルカノールアミン濃度を吸光光度計（１５）により
検出して有機溶媒及びアルカノールアミンの少なくとも
一方を補給する第二補給手段とを備えたことを特徴とす
るレジスト剥離液管理装置。3. A third replenishing means for detecting the dissolved resist concentration of the resist stripping solution by an absorptiometer (16) and replenishing the organic solvent and the alkanolamine, and measuring the alkanolamine concentration of the resist stripping solution by an absorptiometer (3). 15. A resist stripping liquid management device, comprising: a second replenishing means for replenishing at least one of an organic solvent and an alkanolamine detected by the method according to 15).
カノールアミンとを補給する代わりに、有機溶媒とアル
カノールアミンとを予め調合したレジスト剥離新液を補
給するようにしたことを特徴とする請求項３記載のレジ
スト剥離液管理装置。4. The third replenishing means, in place of replenishing the organic solvent and the alkanolamine, replenishing a new resist stripping solution prepared in advance with the organic solvent and the alkanolamine. 3. The resist stripping liquid management device according to 3.
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