JP2600689B2 - 半導体装置用中空パッケージ - Google Patents
半導体装置用中空パッケージInfo
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- resin substrate
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置用中空パッケージに関し、特に
リードインダクタンスの小さい高周波トランジスタ用パ
ッケージに関する。
リードインダクタンスの小さい高周波トランジスタ用パ
ッケージに関する。
本発明は、半導体装置用中空パッケージにおいて、半
導体チップとワイヤボンド部とが樹脂基板の上面に露出
されると共にリードがこの樹脂基板を貫通し、かつこの
樹脂基板の底面に沿ってリードの延長部が延在して露出
される如く樹脂モールドして、このリードと樹脂との界
面に沿って外部から浸入する水分の浸入経路及びリーク
パスを長くし、この樹脂基板の上面にこの半導体チップ
とワイヤボンド部とを保護する中空を有するキャップを
設けたものであって、インダクタンスが小さく、かつ耐
湿性に優れたパッケージである。
導体チップとワイヤボンド部とが樹脂基板の上面に露出
されると共にリードがこの樹脂基板を貫通し、かつこの
樹脂基板の底面に沿ってリードの延長部が延在して露出
される如く樹脂モールドして、このリードと樹脂との界
面に沿って外部から浸入する水分の浸入経路及びリーク
パスを長くし、この樹脂基板の上面にこの半導体チップ
とワイヤボンド部とを保護する中空を有するキャップを
設けたものであって、インダクタンスが小さく、かつ耐
湿性に優れたパッケージである。
従来、高周波トランジスタのパッケージは、リード間
の容量が小さく、インピーダンスの小さい小型中空パッ
ケージが用いられていた。このパッケージは、第3図に
示すように基板材としてセラミックまたは樹脂を用い
る。この基板上に接着剤を用いてリードを接着し、この
リードの一端のタブに半導体チップを置載し、金属細線
を用いて他のリード先端部に接続する。その後、セラミ
ック製キャップを接着剤で接着する。接着剤は、パッケ
ージの気密性を保持するため、リークの少ない、低融点
ガラスや樹脂等が用いられる。また、リードの引抜き強
度を向上させるために、実公昭52−36536に示されてい
るように、中空モールド内部で凹状にリードを屈曲さ
せ、引抜き強度の改善をはかったものもある。
の容量が小さく、インピーダンスの小さい小型中空パッ
ケージが用いられていた。このパッケージは、第3図に
示すように基板材としてセラミックまたは樹脂を用い
る。この基板上に接着剤を用いてリードを接着し、この
リードの一端のタブに半導体チップを置載し、金属細線
を用いて他のリード先端部に接続する。その後、セラミ
ック製キャップを接着剤で接着する。接着剤は、パッケ
ージの気密性を保持するため、リークの少ない、低融点
ガラスや樹脂等が用いられる。また、リードの引抜き強
度を向上させるために、実公昭52−36536に示されてい
るように、中空モールド内部で凹状にリードを屈曲さ
せ、引抜き強度の改善をはかったものもある。
この高周波トランジスタをプリント基板等に実装する
には、パッケージの側面から導出されている外部リード
を、樹脂基板底面方向へ折り曲げ、プリント基板に半田
づけ等により取付ける。
には、パッケージの側面から導出されている外部リード
を、樹脂基板底面方向へ折り曲げ、プリント基板に半田
づけ等により取付ける。
しかしながら、近年、マイクロウーブ領域で使用され
る高周波トランジスタの寸法は、インダクタンスを極力
小さくするために、リードの長さを短くする必要があ
る。従来の中空パッケージにおいては、リードがパッケ
ージの側面から導出されて、外部リードの導出部を樹脂
基板底面方向へ折り曲げて使用するため、リードの長さ
を短くすることが困難であった。また、導出部での折り
曲げ時に力が加わるため、リードと樹脂の界面に歪を生
じ、耐湿性が低下する恐れがあった。
る高周波トランジスタの寸法は、インダクタンスを極力
小さくするために、リードの長さを短くする必要があ
る。従来の中空パッケージにおいては、リードがパッケ
ージの側面から導出されて、外部リードの導出部を樹脂
基板底面方向へ折り曲げて使用するため、リードの長さ
を短くすることが困難であった。また、導出部での折り
曲げ時に力が加わるため、リードと樹脂の界面に歪を生
じ、耐湿性が低下する恐れがあった。
本発明は、前記問題点を解決するために、半導体チッ
プとワイヤボンド部とが樹脂基板の上面に露出されると
共にリードがこの樹脂基板を貫通し、かつこの樹脂基板
の底面に沿って、このリードの延長部が延在して露出さ
れる如く樹脂モールドして、このリードと樹脂との界面
に沿って外部から浸入する水分の浸入経路及びリークパ
スを長くし、この樹脂基板の上面にこの半導体チップと
ワイヤボンド部とを保護する中空を有するキャップを設
けたものである。
プとワイヤボンド部とが樹脂基板の上面に露出されると
共にリードがこの樹脂基板を貫通し、かつこの樹脂基板
の底面に沿って、このリードの延長部が延在して露出さ
れる如く樹脂モールドして、このリードと樹脂との界面
に沿って外部から浸入する水分の浸入経路及びリークパ
スを長くし、この樹脂基板の上面にこの半導体チップと
ワイヤボンド部とを保護する中空を有するキャップを設
けたものである。
本発明によれば、外部リードを樹脂基板底面から取り
出すことにより、リードの長さを短くすることが出来
る。かつ、内部リードは樹脂基板内を貫通しているた
め、リードと樹脂の界面に沿って外部から浸入する水分
の浸入経路、すなわちリークパスを長くすることが出来
る。このことによってインダクタンスが小さく、かつ耐
湿性の優れた高周波トランジスタ用中空パッケージを実
現することが出来る。
出すことにより、リードの長さを短くすることが出来
る。かつ、内部リードは樹脂基板内を貫通しているた
め、リードと樹脂の界面に沿って外部から浸入する水分
の浸入経路、すなわちリークパスを長くすることが出来
る。このことによってインダクタンスが小さく、かつ耐
湿性の優れた高周波トランジスタ用中空パッケージを実
現することが出来る。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳
細に説明する。
細に説明する。
第1図は、本発明の第1の実施例のパッケージの断面
図である。
図である。
まず、第1図に示す、リード先端部12aおよびダイパ
ッド12eから外部導出部12bにいたるリードの形状を、樹
脂基板11の上面から底面にいたる高さになるように成形
する。次に、半導体チップ13をダイパッドの電極とリー
ド先端部との間を金属細線14によってワイヤボンドす
る。
ッド12eから外部導出部12bにいたるリードの形状を、樹
脂基板11の上面から底面にいたる高さになるように成形
する。次に、半導体チップ13をダイパッドの電極とリー
ド先端部との間を金属細線14によってワイヤボンドす
る。
半導体チップが置載されたリードを、金型を用いて樹
脂モールドする。このとき、半導体チップとワイヤボン
ド部が樹脂基板の上面に露出し、かつ、樹脂基板底面に
外部リードが露出する寸法に設計されている。
脂モールドする。このとき、半導体チップとワイヤボン
ド部が樹脂基板の上面に露出し、かつ、樹脂基板底面に
外部リードが露出する寸法に設計されている。
さらに、樹脂基板の上面に露出している半導体チップ
および金属細線を保護するため、中空17を有するキャッ
プ16を接着剤15を用いて接着する。このキャップシール
は、耐湿性の向上と、接着強度を確保するために、接着
剤溜18を形成しておくのが好ましい。
および金属細線を保護するため、中空17を有するキャッ
プ16を接着剤15を用いて接着する。このキャップシール
は、耐湿性の向上と、接着強度を確保するために、接着
剤溜18を形成しておくのが好ましい。
他の実施例として、第2図に示すように、樹脂基板
に、第1の樹脂基板11aと、第2の樹脂基板11bを用いた
二重モールド構造のパッケージを用いることによって、
製造方法を容易にし、かつ確実にすることが出来る。
に、第1の樹脂基板11aと、第2の樹脂基板11bを用いた
二重モールド構造のパッケージを用いることによって、
製造方法を容易にし、かつ確実にすることが出来る。
第2図において、まず、成形されたリードを、第1の
樹脂でモールドする。次に、ダイボンド、ワイヤボンド
を第1の実施例のように行う。第1の樹脂基板は、ダイ
ボンド、ワイヤボンド時に下方からの加熱支持柱を挿入
出来るように、ダイパッドおよびリード先端部の裏面近
傍に空間を設ける。加熱支持柱によって、ダイボンドお
よびワイヤボンド時の熱や圧力条件を自由に設定するこ
とが出来る。次に、第2の樹脂を用いて、第1の樹脂の
外周を覆うようにモールドする。
樹脂でモールドする。次に、ダイボンド、ワイヤボンド
を第1の実施例のように行う。第1の樹脂基板は、ダイ
ボンド、ワイヤボンド時に下方からの加熱支持柱を挿入
出来るように、ダイパッドおよびリード先端部の裏面近
傍に空間を設ける。加熱支持柱によって、ダイボンドお
よびワイヤボンド時の熱や圧力条件を自由に設定するこ
とが出来る。次に、第2の樹脂を用いて、第1の樹脂の
外周を覆うようにモールドする。
第1の樹脂と第2の樹脂は、特にリードとの接着強度
および熱膨張率の差の小さい熱可塑性樹脂を用いる。例
えばPPS(ポリフェニレンサルファイド)は、二重モー
ルドに使用して好適な熱可塑性樹脂である。
および熱膨張率の差の小さい熱可塑性樹脂を用いる。例
えばPPS(ポリフェニレンサルファイド)は、二重モー
ルドに使用して好適な熱可塑性樹脂である。
本発明によれば、リードが樹脂基板内を貫通し外部に
導出しているので、従来側面から取り出し折り曲げて接
続していたリードの長さよりも短くすることが出来るの
で、インダクタンスを小さくすることが出来る。また、
リードと樹脂基板とが一体成形されているので密着性も
良く耐湿性の向上に寄与する。
導出しているので、従来側面から取り出し折り曲げて接
続していたリードの長さよりも短くすることが出来るの
で、インダクタンスを小さくすることが出来る。また、
リードと樹脂基板とが一体成形されているので密着性も
良く耐湿性の向上に寄与する。
第1図は本発明の第1の実施例の断面図、第2図は本発
明の他の実施例の断面図、第3図は従来例を示す中空パ
ッケージの断面図を示す。 11、1……樹脂基板 11a……第1の樹脂 11b……第2の樹脂 12a、2a……リード先端部 12b、2b……外部導出部 12c、2c……内部リード 12d、2d……外部リード 12e、2e……ダイパッド 13、3……半導体チップ 14、4……金属細線 15、5……接着剤 16、6……キャップ 17、7……中空 18……接着剤溜
明の他の実施例の断面図、第3図は従来例を示す中空パ
ッケージの断面図を示す。 11、1……樹脂基板 11a……第1の樹脂 11b……第2の樹脂 12a、2a……リード先端部 12b、2b……外部導出部 12c、2c……内部リード 12d、2d……外部リード 12e、2e……ダイパッド 13、3……半導体チップ 14、4……金属細線 15、5……接着剤 16、6……キャップ 17、7……中空 18……接着剤溜
Claims (1)
- 【請求項1】半導体チップとワイヤボンド部とが樹脂基
板の上面に露出されると共にリードが前記樹脂基板を貫
通し、かつ前記樹脂基板の底面に沿って前記リードの延
長部が延在して露出される如く樹脂モールドして、前記
リードと樹脂との界面に沿って外部から浸入する水分の
浸入経路及びリークパスを長くし、前記樹脂基板の上面
に前記半導体チップとワイヤボンド部とを保護する中空
を有するキャップを設けたことを特徴とする半導体装置
用中空パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62167008A JP2600689B2 (ja) | 1987-07-06 | 1987-07-06 | 半導体装置用中空パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62167008A JP2600689B2 (ja) | 1987-07-06 | 1987-07-06 | 半導体装置用中空パッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6411356A JPS6411356A (en) | 1989-01-13 |
JP2600689B2 true JP2600689B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=15841670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62167008A Expired - Fee Related JP2600689B2 (ja) | 1987-07-06 | 1987-07-06 | 半導体装置用中空パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2600689B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1096566A2 (en) | 1999-10-26 | 2001-05-02 | Nec Corporation | Electronic part and method of assembling the same |
US7004325B2 (en) | 2001-05-08 | 2006-02-28 | Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Resin-molded package with cavity structure |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69131784T2 (de) * | 1990-07-21 | 2000-05-18 | Mitsui Chemicals, Inc. | Halbleiteranordnung mit einer Packung |
JP2842355B2 (ja) * | 1996-02-01 | 1999-01-06 | 日本電気株式会社 | パッケージ |
KR100541654B1 (ko) * | 2003-12-02 | 2006-01-12 | 삼성전자주식회사 | 배선기판 및 이를 이용한 고체 촬상용 반도체 장치 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61208853A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Toshiba Corp | Icパツケ−ジ |
JPS61269344A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-28 | Hitachi Ltd | リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置 |
JPH069223B2 (ja) * | 1985-10-05 | 1994-02-02 | 山一電機工業株式会社 | Icパッケ−ジ |
-
1987
- 1987-07-06 JP JP62167008A patent/JP2600689B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1096566A2 (en) | 1999-10-26 | 2001-05-02 | Nec Corporation | Electronic part and method of assembling the same |
US6518501B1 (en) | 1999-10-26 | 2003-02-11 | Nrs Technologies Inc. | Electronic part and method of assembling the same |
US7004325B2 (en) | 2001-05-08 | 2006-02-28 | Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. | Resin-molded package with cavity structure |
US7187073B2 (en) | 2001-05-08 | 2007-03-06 | Nec Electronics Corporation | Resin-molded package with cavity structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6411356A (en) | 1989-01-13 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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