JP2600689B2 - 半導体装置用中空パッケージ - Google Patents

半導体装置用中空パッケージ

Info

Publication number
JP2600689B2
JP2600689B2 JP62167008A JP16700887A JP2600689B2 JP 2600689 B2 JP2600689 B2 JP 2600689B2 JP 62167008 A JP62167008 A JP 62167008A JP 16700887 A JP16700887 A JP 16700887A JP 2600689 B2 JP2600689 B2 JP 2600689B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
resin
resin substrate
package
hollow
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP62167008A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6411356A (en
Inventor
英治 小滝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP62167008A priority Critical patent/JP2600689B2/ja
Publication of JPS6411356A publication Critical patent/JPS6411356A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2600689B2 publication Critical patent/JP2600689B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30107Inductance

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置用中空パッケージに関し、特に
リードインダクタンスの小さい高周波トランジスタ用パ
ッケージに関する。
〔発明の概要〕
本発明は、半導体装置用中空パッケージにおいて、半
導体チップとワイヤボンド部とが樹脂基板の上面に露出
されると共にリードがこの樹脂基板を貫通し、かつこの
樹脂基板の底面に沿ってリードの延長部が延在して露出
される如く樹脂モールドして、このリードと樹脂との界
面に沿って外部から浸入する水分の浸入経路及びリーク
パスを長くし、この樹脂基板の上面にこの半導体チップ
とワイヤボンド部とを保護する中空を有するキャップを
設けたものであって、インダクタンスが小さく、かつ耐
湿性に優れたパッケージである。
〔従来の技術〕
従来、高周波トランジスタのパッケージは、リード間
の容量が小さく、インピーダンスの小さい小型中空パッ
ケージが用いられていた。このパッケージは、第3図に
示すように基板材としてセラミックまたは樹脂を用い
る。この基板上に接着剤を用いてリードを接着し、この
リードの一端のタブに半導体チップを置載し、金属細線
を用いて他のリード先端部に接続する。その後、セラミ
ック製キャップを接着剤で接着する。接着剤は、パッケ
ージの気密性を保持するため、リークの少ない、低融点
ガラスや樹脂等が用いられる。また、リードの引抜き強
度を向上させるために、実公昭52−36536に示されてい
るように、中空モールド内部で凹状にリードを屈曲さ
せ、引抜き強度の改善をはかったものもある。
この高周波トランジスタをプリント基板等に実装する
には、パッケージの側面から導出されている外部リード
を、樹脂基板底面方向へ折り曲げ、プリント基板に半田
づけ等により取付ける。
〔本発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、近年、マイクロウーブ領域で使用され
る高周波トランジスタの寸法は、インダクタンスを極力
小さくするために、リードの長さを短くする必要があ
る。従来の中空パッケージにおいては、リードがパッケ
ージの側面から導出されて、外部リードの導出部を樹脂
基板底面方向へ折り曲げて使用するため、リードの長さ
を短くすることが困難であった。また、導出部での折り
曲げ時に力が加わるため、リードと樹脂の界面に歪を生
じ、耐湿性が低下する恐れがあった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、前記問題点を解決するために、半導体チッ
プとワイヤボンド部とが樹脂基板の上面に露出されると
共にリードがこの樹脂基板を貫通し、かつこの樹脂基板
の底面に沿って、このリードの延長部が延在して露出さ
れる如く樹脂モールドして、このリードと樹脂との界面
に沿って外部から浸入する水分の浸入経路及びリークパ
スを長くし、この樹脂基板の上面にこの半導体チップと
ワイヤボンド部とを保護する中空を有するキャップを設
けたものである。
〔作用〕
本発明によれば、外部リードを樹脂基板底面から取り
出すことにより、リードの長さを短くすることが出来
る。かつ、内部リードは樹脂基板内を貫通しているた
め、リードと樹脂の界面に沿って外部から浸入する水分
の浸入経路、すなわちリークパスを長くすることが出来
る。このことによってインダクタンスが小さく、かつ耐
湿性の優れた高周波トランジスタ用中空パッケージを実
現することが出来る。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳
細に説明する。
第1図は、本発明の第1の実施例のパッケージの断面
図である。
まず、第1図に示す、リード先端部12aおよびダイパ
ッド12eから外部導出部12bにいたるリードの形状を、樹
脂基板11の上面から底面にいたる高さになるように成形
する。次に、半導体チップ13をダイパッドの電極とリー
ド先端部との間を金属細線14によってワイヤボンドす
る。
半導体チップが置載されたリードを、金型を用いて樹
脂モールドする。このとき、半導体チップとワイヤボン
ド部が樹脂基板の上面に露出し、かつ、樹脂基板底面に
外部リードが露出する寸法に設計されている。
さらに、樹脂基板の上面に露出している半導体チップ
および金属細線を保護するため、中空17を有するキャッ
プ16を接着剤15を用いて接着する。このキャップシール
は、耐湿性の向上と、接着強度を確保するために、接着
剤溜18を形成しておくのが好ましい。
他の実施例として、第2図に示すように、樹脂基板
に、第1の樹脂基板11aと、第2の樹脂基板11bを用いた
二重モールド構造のパッケージを用いることによって、
製造方法を容易にし、かつ確実にすることが出来る。
第2図において、まず、成形されたリードを、第1の
樹脂でモールドする。次に、ダイボンド、ワイヤボンド
を第1の実施例のように行う。第1の樹脂基板は、ダイ
ボンド、ワイヤボンド時に下方からの加熱支持柱を挿入
出来るように、ダイパッドおよびリード先端部の裏面近
傍に空間を設ける。加熱支持柱によって、ダイボンドお
よびワイヤボンド時の熱や圧力条件を自由に設定するこ
とが出来る。次に、第2の樹脂を用いて、第1の樹脂の
外周を覆うようにモールドする。
第1の樹脂と第2の樹脂は、特にリードとの接着強度
および熱膨張率の差の小さい熱可塑性樹脂を用いる。例
えばPPS(ポリフェニレンサルファイド)は、二重モー
ルドに使用して好適な熱可塑性樹脂である。
〔発明の効果〕
本発明によれば、リードが樹脂基板内を貫通し外部に
導出しているので、従来側面から取り出し折り曲げて接
続していたリードの長さよりも短くすることが出来るの
で、インダクタンスを小さくすることが出来る。また、
リードと樹脂基板とが一体成形されているので密着性も
良く耐湿性の向上に寄与する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例の断面図、第2図は本発
明の他の実施例の断面図、第3図は従来例を示す中空パ
ッケージの断面図を示す。 11、1……樹脂基板 11a……第1の樹脂 11b……第2の樹脂 12a、2a……リード先端部 12b、2b……外部導出部 12c、2c……内部リード 12d、2d……外部リード 12e、2e……ダイパッド 13、3……半導体チップ 14、4……金属細線 15、5……接着剤 16、6……キャップ 17、7……中空 18……接着剤溜

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体チップとワイヤボンド部とが樹脂基
    板の上面に露出されると共にリードが前記樹脂基板を貫
    通し、かつ前記樹脂基板の底面に沿って前記リードの延
    長部が延在して露出される如く樹脂モールドして、前記
    リードと樹脂との界面に沿って外部から浸入する水分の
    浸入経路及びリークパスを長くし、前記樹脂基板の上面
    に前記半導体チップとワイヤボンド部とを保護する中空
    を有するキャップを設けたことを特徴とする半導体装置
    用中空パッケージ。
JP62167008A 1987-07-06 1987-07-06 半導体装置用中空パッケージ Expired - Fee Related JP2600689B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62167008A JP2600689B2 (ja) 1987-07-06 1987-07-06 半導体装置用中空パッケージ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62167008A JP2600689B2 (ja) 1987-07-06 1987-07-06 半導体装置用中空パッケージ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6411356A JPS6411356A (en) 1989-01-13
JP2600689B2 true JP2600689B2 (ja) 1997-04-16

Family

ID=15841670

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62167008A Expired - Fee Related JP2600689B2 (ja) 1987-07-06 1987-07-06 半導体装置用中空パッケージ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2600689B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1096566A2 (en) 1999-10-26 2001-05-02 Nec Corporation Electronic part and method of assembling the same
US7004325B2 (en) 2001-05-08 2006-02-28 Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. Resin-molded package with cavity structure

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69131784T2 (de) * 1990-07-21 2000-05-18 Mitsui Chemicals, Inc. Halbleiteranordnung mit einer Packung
JP2842355B2 (ja) * 1996-02-01 1999-01-06 日本電気株式会社 パッケージ
KR100541654B1 (ko) * 2003-12-02 2006-01-12 삼성전자주식회사 배선기판 및 이를 이용한 고체 촬상용 반도체 장치

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61208853A (ja) * 1985-03-14 1986-09-17 Toshiba Corp Icパツケ−ジ
JPS61269344A (ja) * 1985-05-24 1986-11-28 Hitachi Ltd リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置
JPH069223B2 (ja) * 1985-10-05 1994-02-02 山一電機工業株式会社 Icパッケ−ジ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1096566A2 (en) 1999-10-26 2001-05-02 Nec Corporation Electronic part and method of assembling the same
US6518501B1 (en) 1999-10-26 2003-02-11 Nrs Technologies Inc. Electronic part and method of assembling the same
US7004325B2 (en) 2001-05-08 2006-02-28 Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. Resin-molded package with cavity structure
US7187073B2 (en) 2001-05-08 2007-03-06 Nec Electronics Corporation Resin-molded package with cavity structure

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6411356A (en) 1989-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930004246B1 (ko) 수지밀봉형 반도체장치
KR930020649A (ko) 리이드프레임 및 그것을 사용한 반도체집적회로장치와 그 제조방법
US6114750A (en) Surface mount TO-220 package and process for the manufacture thereof
US6184575B1 (en) Ultra-thin composite package for integrated circuits
JPS6132452A (ja) リ−ドフレ−ムとそれを用いた電子装置
JPH03116948A (ja) 超高周波ic用窒化アルミニウムパッケージ
JP2600689B2 (ja) 半導体装置用中空パッケージ
EP0750342A2 (en) Semiconductor device having the inner end of connector leads placed onto the surface of semiconductor chip
JPH0815165B2 (ja) 樹脂絶縁型半導体装置の製造方法
JPS611042A (ja) 半導体装置
JPH065726A (ja) 樹脂製中空パッケージを用いた半導体装置
KR100237912B1 (ko) 패키지 반도체, 그것을 이용한 반도체 장치 및 그 제조방법
JP2001177007A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2589520B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2795069B2 (ja) 半導体装置
KR200286322Y1 (ko) 반도체패키지
JPS635253Y2 (ja)
JPS6336699Y2 (ja)
KR0134168Y1 (ko) 반도체 패키지
KR200169730Y1 (ko) 반도체 패키지의 리드프레임
KR100481927B1 (ko) 반도체패키지및그제조방법
JP2513044Y2 (ja) 半導体装置
JPH08162596A (ja) リードフレーム及び半導体装置
JPS61240664A (ja) 半導体装置
KR200161954Y1 (ko) 범프가 있는 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees