JP2599753B2 - 耐食性を改善したｒ−ｔｍ−ｂ系永久磁石及び製造方法 - Google Patents
耐食性を改善したｒ−ｔｍ−ｂ系永久磁石及び製造方法Info
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- JP2599753B2 JP2599753B2 JP9649388A JP9649388A JP2599753B2 JP 2599753 B2 JP2599753 B2 JP 2599753B2 JP 9649388 A JP9649388 A JP 9649388A JP 9649388 A JP9649388 A JP 9649388A JP 2599753 B2 JP2599753 B2 JP 2599753B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、Ｒ−TM−Ｂ系永久磁石であって、特に多層
金属メッキ層により耐食性を著しく改善したものに関す
る。
金属メッキ層により耐食性を著しく改善したものに関す
る。
電気・電子機器の高性能・小型化に伴なって、その一
部品たる永久磁石にも同様の要求が強まってきた。すな
わち、以前の最強の永久磁石は希土類類・コバルト（Ｒ
−Co系）であったが、近年、より強力なＲ−TM−Ｂ系永
久磁石が台頭してきた（特公昭61−34242号公報）。こ
こにＲはＹを含む希土類元素の１種又は２種以上の組合
わせであり、TMはFe,Co等の遷移金属を中心として、一
部を他の金属元素又は非金属元素で置換したもの、Ｂは
硼素である。
部品たる永久磁石にも同様の要求が強まってきた。すな
わち、以前の最強の永久磁石は希土類類・コバルト（Ｒ
−Co系）であったが、近年、より強力なＲ−TM−Ｂ系永
久磁石が台頭してきた（特公昭61−34242号公報）。こ
こにＲはＹを含む希土類元素の１種又は２種以上の組合
わせであり、TMはFe,Co等の遷移金属を中心として、一
部を他の金属元素又は非金属元素で置換したもの、Ｂは
硼素である。
従来のＲ−Co系磁石は、Coを多量に含有するために、
元来耐食性があり表面処理を必要とするのは装飾品等に
限られていた。
元来耐食性があり表面処理を必要とするのは装飾品等に
限られていた。
すなわち、Ｒ−Co系磁石を無侵食脱脂したのち、下地
処理として無光沢ニッケルメッキを施し、次いで金メッ
キ等の各種メッキ処理を行う表面処理方法が知られてい
た（特開昭53−114737号）。
処理として無光沢ニッケルメッキを施し、次いで金メッ
キ等の各種メッキ処理を行う表面処理方法が知られてい
た（特開昭53−114737号）。
ここで、無侵食脱脂とは、例えばトリクロルエチレン
洗浄→乳化脱脂→水洗→煮沸脱脂→水洗という脱脂法を
いう。また無光沢ニッケルメッキとは、種々の方法があ
るが、ワット浴において光沢剤を添加することなく高速
度でメッキを行なうものであって、密着性が良く、歪の
少ないメッキである。
洗浄→乳化脱脂→水洗→煮沸脱脂→水洗という脱脂法を
いう。また無光沢ニッケルメッキとは、種々の方法があ
るが、ワット浴において光沢剤を添加することなく高速
度でメッキを行なうものであって、密着性が良く、歪の
少ないメッキである。
その他にメッキしたＲ−Co磁石として、脱脂したの
ち、銅メッキを施し、さらにニッケルメッキを施し発明
（特開昭57−66604号）や、各種メッキを行なうことに
より機械的郷土も併せて向上する発明（特開昭49−8689
6号）が知られている。
ち、銅メッキを施し、さらにニッケルメッキを施し発明
（特開昭57−66604号）や、各種メッキを行なうことに
より機械的郷土も併せて向上する発明（特開昭49−8689
6号）が知られている。
なお、多層メッキとして一般的鋼材の表面処理方法が
知られている。これはニッケルの自食作用を利用するも
のであって、素材表面にまずイオウ含有量が0.01％以下
の無光沢ニッケルメッキ（ワット浴のまま）あるいは、
半光沢ニッケルメッキを施す。この場合、半光沢ニッケ
ルメッキの光沢剤にはイオウを含まない第２光沢剤、例
えば1,4ブチンジオール、プロパギルアルコール等が使
用される。なおワット浴から析出させた無光沢ニッケル
メッキ膜中にはイオウが0.01％あるいはそれ以下の量が
共析している（金属表面技術協会編：金属表面技術便覧
P.286（1984））。次にその上層として光沢あるいは半
光沢ニッケルメッキ層を設けるものである。この場合、
光沢剤として、イオウを含有する光沢剤（主として第１
光沢剤）、例えばサッカリン、1,5ナフタリンジスルホ
ン酸ナトリウム等が使用され、ニッケルメッキ膜中に0.
03〜0.08％のイオウが含有される（金属表面技術協会
編：金属表面技術便覧P.286（1984））。これは、上層
を犠牲メッキとして腐食を横方向に進め（このため犠牲
メッキの腐食は促進される）素材方向への腐食を食いと
めるものである。
知られている。これはニッケルの自食作用を利用するも
のであって、素材表面にまずイオウ含有量が0.01％以下
の無光沢ニッケルメッキ（ワット浴のまま）あるいは、
半光沢ニッケルメッキを施す。この場合、半光沢ニッケ
ルメッキの光沢剤にはイオウを含まない第２光沢剤、例
えば1,4ブチンジオール、プロパギルアルコール等が使
用される。なおワット浴から析出させた無光沢ニッケル
メッキ膜中にはイオウが0.01％あるいはそれ以下の量が
共析している（金属表面技術協会編：金属表面技術便覧
P.286（1984））。次にその上層として光沢あるいは半
光沢ニッケルメッキ層を設けるものである。この場合、
光沢剤として、イオウを含有する光沢剤（主として第１
光沢剤）、例えばサッカリン、1,5ナフタリンジスルホ
ン酸ナトリウム等が使用され、ニッケルメッキ膜中に0.
03〜0.08％のイオウが含有される（金属表面技術協会
編：金属表面技術便覧P.286（1984））。これは、上層
を犠牲メッキとして腐食を横方向に進め（このため犠牲
メッキの腐食は促進される）素材方向への腐食を食いと
めるものである。
ここで二層ニッケルメッキでの上層の厚さは全ニッケ
ルメッキの厚さのほぼ20％程度にするのが原則であると
言われている。
ルメッキの厚さのほぼ20％程度にするのが原則であると
言われている。
また、三層ニッケルメッキも知られている（金属表面
技術協会編；金属表面技術便覧p.287〜288（1984））。
技術協会編；金属表面技術便覧p.287〜288（1984））。
更にニッケルメッキにおいては、一般にスルファミン
酸浴を用いることにより展延性に富み、電着応力も低
く、厚づけ、電鋳に適することが知られている（同上p.
290）。
酸浴を用いることにより展延性に富み、電着応力も低
く、厚づけ、電鋳に適することが知られている（同上p.
290）。
しかし、従来の表面処理は素材がそれ自体耐食性を有
するＲ−Co系磁石か、又は一般の鋼材の表面を対象とし
て開発されたものであったため、そのまま素材自体の耐
食性が著しく悪く、一般鋼材よりも劣るＲ−TM−Ｂ系磁
石に適用すると、以下のような問題点があった。
するＲ−Co系磁石か、又は一般の鋼材の表面を対象とし
て開発されたものであったため、そのまま素材自体の耐
食性が著しく悪く、一般鋼材よりも劣るＲ−TM−Ｂ系磁
石に適用すると、以下のような問題点があった。
（１） Ｒ−Co系磁石と比べて、Ｒ−TM−Ｂ系磁石は加
工による影響を受けやすく、加工変質層が厚い。従っ
て、従来の多層メッキをそのまま施したのでは、加工変
質層を起点として被覆層が全体的に剥離するという問題
点があった。
工による影響を受けやすく、加工変質層が厚い。従っ
て、従来の多層メッキをそのまま施したのでは、加工変
質層を起点として被覆層が全体的に剥離するという問題
点があった。
（２） また、素材とメッキ層との組合わせのちがいに
より、内部応力がＲ−Co系磁石の場合よりはるかに大き
く、その結果メッキ層に亀裂が入り、耐食性が著しく劣
化するという問題点もあった。
より、内部応力がＲ−Co系磁石の場合よりはるかに大き
く、その結果メッキ層に亀裂が入り、耐食性が著しく劣
化するという問題点もあった。
従って、本発明の目的は、耐食性の著しく改善された
Ｒ−TM−Ｂ系永久磁石を提供することにある。
Ｒ−TM−Ｂ系永久磁石を提供することにある。
本発明は、Ｒ（ここでＲは、Ｙを含む希土類元素の１
種又は２種以上の組合わせ）、TM（ここでTMは、Fe,Co
を中心とする遷移金属であって、一部を他の金属元素又
は非金属元素で置換してよい。）、Ｂ（硼素）からなる
Ｒ−TM−Ｂ系永久磁石において、該永久磁石体の表面に
無光沢金属メッキ層を設け、その上にピンホールの少な
い被覆層を１層以上設けたことを特徴とするＲ−TM−Ｂ
系永久磁石である。
種又は２種以上の組合わせ）、TM（ここでTMは、Fe,Co
を中心とする遷移金属であって、一部を他の金属元素又
は非金属元素で置換してよい。）、Ｂ（硼素）からなる
Ｒ−TM−Ｂ系永久磁石において、該永久磁石体の表面に
無光沢金属メッキ層を設け、その上にピンホールの少な
い被覆層を１層以上設けたことを特徴とするＲ−TM−Ｂ
系永久磁石である。
本発明において、TMの一部を置換する元素は、その添
加目的に応じて、Ga,Al,Ti,V,Cr,Mn,Zr,Hf,Nb,Ta,Mo,G
e,Sb,Sn,Bi,Ni他を添加でき、本発明はいかなるＲ−TM
−Ｂ系磁石にも適用できる。また、その製造方法は焼結
法、溶湯急冷法、あるいはそれらの変形法のいずれの方
法でもよい。
加目的に応じて、Ga,Al,Ti,V,Cr,Mn,Zr,Hf,Nb,Ta,Mo,G
e,Sb,Sn,Bi,Ni他を添加でき、本発明はいかなるＲ−TM
−Ｂ系磁石にも適用できる。また、その製造方法は焼結
法、溶湯急冷法、あるいはそれらの変形法のいずれの方
法でもよい。
本発明において、無光沢金属メッキ層はＲ−TM−Ｂ系
磁石本体との密着性が良好であるために必須の層であ
る。また残留応力が少なく良質である。製造方法として
は、フレオン等の有機溶剤による脱脂の後にスルファミ
ン酸ニッケルメッキあるいはワット浴ニッケルメッキを
施すのが良い。電流密度は１〜20A/dm2が良く、より好
ましくは1.5〜2A/dm2がよい。メッキ層の厚さは10〜15
μｍが最適である。
磁石本体との密着性が良好であるために必須の層であ
る。また残留応力が少なく良質である。製造方法として
は、フレオン等の有機溶剤による脱脂の後にスルファミ
ン酸ニッケルメッキあるいはワット浴ニッケルメッキを
施すのが良い。電流密度は１〜20A/dm2が良く、より好
ましくは1.5〜2A/dm2がよい。メッキ層の厚さは10〜15
μｍが最適である。
ここで重要なのは、Ｒ−TM−Ｂ系磁石素材の前処理で
あって、特に加工変質層の除去が重要である。すなわ
ち、Ｒ−TM−Ｂ系磁石は研削、切断等の加工を施される
が、この際に加工変質層が形成され、その厚みは一般に
60μｍ程度であり、Ｒ−Co系磁石のそれに比べて数倍厚
い。従来は、そのまま多層メッキを施されていたのであ
るが、それでは加工変質層のところから層状に被膜がは
がれてしまうことが多かった。
あって、特に加工変質層の除去が重要である。すなわ
ち、Ｒ−TM−Ｂ系磁石は研削、切断等の加工を施される
が、この際に加工変質層が形成され、その厚みは一般に
60μｍ程度であり、Ｒ−Co系磁石のそれに比べて数倍厚
い。従来は、そのまま多層メッキを施されていたのであ
るが、それでは加工変質層のところから層状に被膜がは
がれてしまうことが多かった。
そこで本発生者は、600〜900℃にＲ−TM−Ｂ系磁石素
材を加熱保持することにより加工変質層を著しく減少さ
せることができることを知見した。すなわち、一般に表
面に露出した結晶粒界に極めて参加しやすい希土類元素
が濃化（その結果、Nd−Fe共晶組成に近い組成を示
す。）するＲ−TM−Ｂ系磁石の特徴から、粒界が選択腐
食され、孔食の原因となり耐食性が悪化するのである
が、600℃以上の加熱によってNd−Fe共晶（共晶点温度
が640℃）に近い組成を有する粒界が局部に液晶とな
り、小孔を充填する結果、かかる小孔が消滅するためと
考えられる。なお、実際のＲ−TM−Ｂ系磁石においては
Nd−Fe共晶温度よりも少し低い600℃から本発明の効果
があるが、1000℃を越える場合は磁石表面の酸化が促進
させるので好ましくない。
材を加熱保持することにより加工変質層を著しく減少さ
せることができることを知見した。すなわち、一般に表
面に露出した結晶粒界に極めて参加しやすい希土類元素
が濃化（その結果、Nd−Fe共晶組成に近い組成を示
す。）するＲ−TM−Ｂ系磁石の特徴から、粒界が選択腐
食され、孔食の原因となり耐食性が悪化するのである
が、600℃以上の加熱によってNd−Fe共晶（共晶点温度
が640℃）に近い組成を有する粒界が局部に液晶とな
り、小孔を充填する結果、かかる小孔が消滅するためと
考えられる。なお、実際のＲ−TM−Ｂ系磁石においては
Nd−Fe共晶温度よりも少し低い600℃から本発明の効果
があるが、1000℃を越える場合は磁石表面の酸化が促進
させるので好ましくない。
次いでフレオン等の脱脂を施し、酸洗等のエッチング
を施し、無光沢金属メッキ処理を行なう。
を施し、無光沢金属メッキ処理を行なう。
無光沢金属メッキは素材との密着性が良く、また電着
応力も小さいものであるが、柱状晶組織を有するために
隙間が多く、この層だけでは耐食性が不十分である。
応力も小さいものであるが、柱状晶組織を有するために
隙間が多く、この層だけでは耐食性が不十分である。
そこで、本発明では、更にその上にピンホールの少な
い被覆層を１層以上設けることを特徴とする。ピンホー
ルの少ない被覆層としては金属メッキ層、化成皮膜層、
ライニング、コーティング等何でもよいが、光沢ニッケ
ルメッキ又は半光沢ニッケルメッキが適当である。下層
と同種金属の方が電気化学的腐食を生じるおそれがない
からである。光沢ニッケルメッキはワット浴、ホウフッ
化浴、スルファミン酸浴のいずれでもよく、ワット浴で
十分である。本発明において、光沢剤は第１光沢剤とし
ては、1,5ナフタレンジスルホン酸ナトリウム、1,3,6ナ
フタレントリスルホン酸ナトリウム、サッカリン、パラ
トルエンスルホンアミド等が、第２光沢剤としてはホル
ムアルデヒド、1,4ブチンジオール、プロパギルアルコ
ール、エチレンシアンヒドリン等が使える。
い被覆層を１層以上設けることを特徴とする。ピンホー
ルの少ない被覆層としては金属メッキ層、化成皮膜層、
ライニング、コーティング等何でもよいが、光沢ニッケ
ルメッキ又は半光沢ニッケルメッキが適当である。下層
と同種金属の方が電気化学的腐食を生じるおそれがない
からである。光沢ニッケルメッキはワット浴、ホウフッ
化浴、スルファミン酸浴のいずれでもよく、ワット浴で
十分である。本発明において、光沢剤は第１光沢剤とし
ては、1,5ナフタレンジスルホン酸ナトリウム、1,3,6ナ
フタレントリスルホン酸ナトリウム、サッカリン、パラ
トルエンスルホンアミド等が、第２光沢剤としてはホル
ムアルデヒド、1,4ブチンジオール、プロパギルアルコ
ール、エチレンシアンヒドリン等が使える。
この被覆層の厚さは10〜15μｍ程度が好適であり、公
知の多層ニッケルメッキの場合には、この層となる上層
メッキの厚さは全ニッケルメッキの厚さのほぼ30％程度
にするのが原則であるが、本発明においてはそのような
制約はない。これは、本発明の多層メツキが、いわゆる
自食作用による犠牲メッキではなく、無光沢メッキ層と
相補って発明の効果を紹来するためと考えられる。
知の多層ニッケルメッキの場合には、この層となる上層
メッキの厚さは全ニッケルメッキの厚さのほぼ30％程度
にするのが原則であるが、本発明においてはそのような
制約はない。これは、本発明の多層メツキが、いわゆる
自食作用による犠牲メッキではなく、無光沢メッキ層と
相補って発明の効果を紹来するためと考えられる。
事実、本発明に係るＲ−TM−Ｂ系磁石は、耐食性試験
においても両層とも腐食されることなく素材を保護する
効果が確認された。
においても両層とも腐食されることなく素材を保護する
効果が確認された。
なお、本発明において、多層メッキ層は２層に限定さ
れず、素材表面にNi,Cr等の無光沢メッキ層を設けれ
ば、その上層はピンホールをなくすればよく、クロメー
ト処理ののちに樹脂コーティングすることにより更に耐
食性は改善される。
れず、素材表面にNi,Cr等の無光沢メッキ層を設けれ
ば、その上層はピンホールをなくすればよく、クロメー
ト処理ののちに樹脂コーティングすることにより更に耐
食性は改善される。
また、本発明においては、メッキ層における残留水素
に著しく少なく、水素脆性がない。従来のメッキにおい
てはメッキ直後に200℃前後の数時間ベーキングを必要
としていたのと比べると、工程が省略され、かつ耐食性
も顕著に向上する。水素残留量が少ない原因は不明であ
るが、Nd2Fe14B金属間化合物を主体とする主相と、Ｒが
濃化したＲリッチ相と、Feが濃化したFeリッチ相からな
り、化学的に活性な希土類元素と鉄から大部分なるＲ−
TM−Ｂ系磁石の粒界構造と何かの関連がありそうであ
る。というのは、SmCo磁石においては本発明の効果が生
じないからである 〔実施例〕 （実施例１） Nd（Fe0.70Co0.2Ｂ0.07Ga0.03）6.5なる組成の合金を
アーク溶解にて作製し、得られたインゴットをスタンプ
ミル及びディスクミルで粗粉砕した。粉砕媒体としてN2
ガスを用いジェットミルで微粉砕を行ない粉砕粒度3.5
μｍ（FSSS）の微粉砕粉を得た。
に著しく少なく、水素脆性がない。従来のメッキにおい
てはメッキ直後に200℃前後の数時間ベーキングを必要
としていたのと比べると、工程が省略され、かつ耐食性
も顕著に向上する。水素残留量が少ない原因は不明であ
るが、Nd2Fe14B金属間化合物を主体とする主相と、Ｒが
濃化したＲリッチ相と、Feが濃化したFeリッチ相からな
り、化学的に活性な希土類元素と鉄から大部分なるＲ−
TM−Ｂ系磁石の粒界構造と何かの関連がありそうであ
る。というのは、SmCo磁石においては本発明の効果が生
じないからである 〔実施例〕 （実施例１） Nd（Fe0.70Co0.2Ｂ0.07Ga0.03）6.5なる組成の合金を
アーク溶解にて作製し、得られたインゴットをスタンプ
ミル及びディスクミルで粗粉砕した。粉砕媒体としてN2
ガスを用いジェットミルで微粉砕を行ない粉砕粒度3.5
μｍ（FSSS）の微粉砕粉を得た。
得られた原料粉を15KOeの磁場中で横磁場成形（プレ
ス方向と磁場方向が直交）した。成形圧力は２トン/cm2
であった。本成形体を真空中で1090℃×２時間で焼結し
た。焼結体を18×10×6mm寸法に切り出し、次いで900℃
のアルゴン雰囲化中に１時間加熱保持した後に急冷し、
温度を600℃に保持したアルゴン雰囲気炉で１時間保持
した。この熱処理前の試料の加工変質層は80μｍ程度あ
ったものが、熱処理後には30μｍまで減少していた。
ス方向と磁場方向が直交）した。成形圧力は２トン/cm2
であった。本成形体を真空中で1090℃×２時間で焼結し
た。焼結体を18×10×6mm寸法に切り出し、次いで900℃
のアルゴン雰囲化中に１時間加熱保持した後に急冷し、
温度を600℃に保持したアルゴン雰囲気炉で１時間保持
した。この熱処理前の試料の加工変質層は80μｍ程度あ
ったものが、熱処理後には30μｍまで減少していた。
こうして得られた試料を、歪取り熱処理を施さないま
まのものを比較例として、以下の表面処理を行なった。
まのものを比較例として、以下の表面処理を行なった。
すなわち、前記試料片をフレオンで脱脂し、酸洗した
のち、第１表に示す作業条件で無光沢スルファミン酸ニ
ッケルメッキを施し、その上に光沢スルファミン酸ニッ
ケルメッキを施した実施例と、比較例として磁石表面に
第１表に示す種々のメッキを行なった。
のち、第１表に示す作業条件で無光沢スルファミン酸ニ
ッケルメッキを施し、その上に光沢スルファミン酸ニッ
ケルメッキを施した実施例と、比較例として磁石表面に
第１表に示す種々のメッキを行なった。
第２表に実施例と比較例を対比して示す通り、本発明
においては磁気特性を劣化させることなく耐食性を著し
く向上し得ることがわかる。
においては磁気特性を劣化させることなく耐食性を著し
く向上し得ることがわかる。
第２表において、耐酸化性を示す指標として、前記試
験片を120℃の温度、100℃の湿度の雰囲気に３日間放置
した場合（プレッシャー・クッカー・テスト（PC
T））、試験片の酸化増量、酸化膜厚、テープ剥離テス
ト、及び外観目知を選んだ。酸化膜厚は酸化膜の最大厚
みで表わしてある。
験片を120℃の温度、100℃の湿度の雰囲気に３日間放置
した場合（プレッシャー・クッカー・テスト（PC
T））、試験片の酸化増量、酸化膜厚、テープ剥離テス
ト、及び外観目知を選んだ。酸化膜厚は酸化膜の最大厚
みで表わしてある。
テープ剥離テストは、PCT後の試験片に巾18mmの市販
のセロテープを貼りつけて、はがしたときの被覆膜のハ
ガシの有無を目視で観察するものである。
のセロテープを貼りつけて、はがしたときの被覆膜のハ
ガシの有無を目視で観察するものである。
なお、試料数は各例40個を取った。第２表、第３表に
示す数値は40個の平均値を示す。
示す数値は40個の平均値を示す。
また、フエロキシル試験（JIS H8617）によってピン
ホールの有無を調べた結果を第３表に示す。光沢ニッケ
ルメッキを施すことによってピンホールのない外層被膜
の得られるのがわかる。
ホールの有無を調べた結果を第３表に示す。光沢ニッケ
ルメッキを施すことによってピンホールのない外層被膜
の得られるのがわかる。
本発明に係るＲ−TM−Ｂ系永久磁石の断面組織写真を
第１図及び第２図に示す。倍率は300倍である。写真１
は試料の平坦個所、写真２は試料のエッジコーナ部を示
すが、共に均一な膜厚であり、ピンホール、クラックが
ない良好な膜が得られることがわかる。また、素材と無
光沢メッキ層の間にわずかに加工変質層が残留している
のが見える。無光沢メッキ層と光沢メッキ層との中間に
は何らかの中間層が見られる。この層が不働態を作って
いるために、本発明においては、単に無光沢メッキ層の
素地密着の良さと、光沢メッキ層のピンホールがないこ
との両効果の総和ではなく、それ以上に耐食効果が得ら
れるものと思われる。
第１図及び第２図に示す。倍率は300倍である。写真１
は試料の平坦個所、写真２は試料のエッジコーナ部を示
すが、共に均一な膜厚であり、ピンホール、クラックが
ない良好な膜が得られることがわかる。また、素材と無
光沢メッキ層の間にわずかに加工変質層が残留している
のが見える。無光沢メッキ層と光沢メッキ層との中間に
は何らかの中間層が見られる。この層が不働態を作って
いるために、本発明においては、単に無光沢メッキ層の
素地密着の良さと、光沢メッキ層のピンホールがないこ
との両効果の総和ではなく、それ以上に耐食効果が得ら
れるものと思われる。
（実施例２） 実施例１で得られた試料を更に濃度6.0g/（pH＝1.
3）の無水クロム酸液に50℃で５分間浸漬し、常温放冷
で乾燥しクロメート処理をした。それを実施例１と同様
に評価したところ酸化増量0.03mg/cm2であった。また、
クロメート処理後、磁石を陰極、SUS316材を陽極とし、
温度29℃、電圧180V、４分の条件で電着させ、熱硬化に
よって架橋反応をおこさせて凝固塗着（電着塗装）させ
た。試料の酸化増量は0.01mg/cm2と極めて耐食性が良い
ものであった。なお、実施例ではスルファミン酸ニッケ
ル浴を用いた例を示したが、その他のメッキ浴例えばワ
ットニッケル浴、ホウフッ化物ニッケル浴でも同様の効
果が得られる。また、ニッケル以外の他の金属或いは合
金による組み合わせでも同様の効果が得られる。
3）の無水クロム酸液に50℃で５分間浸漬し、常温放冷
で乾燥しクロメート処理をした。それを実施例１と同様
に評価したところ酸化増量0.03mg/cm2であった。また、
クロメート処理後、磁石を陰極、SUS316材を陽極とし、
温度29℃、電圧180V、４分の条件で電着させ、熱硬化に
よって架橋反応をおこさせて凝固塗着（電着塗装）させ
た。試料の酸化増量は0.01mg/cm2と極めて耐食性が良い
ものであった。なお、実施例ではスルファミン酸ニッケ
ル浴を用いた例を示したが、その他のメッキ浴例えばワ
ットニッケル浴、ホウフッ化物ニッケル浴でも同様の効
果が得られる。また、ニッケル以外の他の金属或いは合
金による組み合わせでも同様の効果が得られる。
本発明によれば、希土類と鉄を主体として磁石におい
て、従来の多層金属メッキでは不十分であった耐食性の
顕著な向上が計れ、かかる高性能磁石の用途を著しく拡
大する効果が達成できる。
て、従来の多層金属メッキでは不十分であった耐食性の
顕著な向上が計れ、かかる高性能磁石の用途を著しく拡
大する効果が達成できる。
【図面の簡単な説明】 第１図，第２図は各々、本発明の一実施例による断面金
属組織写真を示す。
属組織写真を示す。
Claims (4)
- 【請求項１】Ｒ（ここでＲは、Ｙを含む希土類元素の１
種又は２種以上の組合わせ）、TM（ここでTMは、Fe,Co
を中心とする遷移金属であって、一部を他の金属元素又
は非金属元素で置換してよい。）、Ｂ（硼素）からなる
Ｒ−TM−Ｂ系永久磁石において、該永久磁石体の表面に
無光沢金属メッキ層を設け、その上にピンホールの少な
い被覆層を１層以上設けたことを特徴とするＲ−TM−Ｂ
系永久磁石。 - 【請求項２】無光沢金属メッキ層が無光沢Niメッキ層で
あって、ピンホールの少ない被覆層が光沢Niメッキ層で
ある請求項１に記載のＲ−TM−Ｂ系永久磁石。 - 【請求項３】Ｒ（ここでＲは、Ｙを含む希土類元素の１
種又は２種以上の組合わせ）、TM（ここでTMは、Fe,Co
を中心とする遷移金属であって、一部を他の金属元素又
は非金属元素で置換してよい。）、Ｂ（硼素）からなる
Ｒ−TM−Ｂ系永久磁石を所定形状に加工後、該永久磁石
の少なくとも表層部を600〜1000℃に加熱保持した後、
エッチングし、無光沢金属メッキをし、次いでその上に
ピンホールの少ない被覆層を１層以上設けることを特徴
とする耐食性を改善したＲ−TM−Ｂ永久磁石の製造方
法。 - 【請求項４】ピンホールの少ない被覆層が、金属メッ
キ、クロメート皮膜、樹脂膜の順に積層されたものであ
る請求項１に記載の耐食性を改善したＲ−TM−Ｂ系永久
磁石。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP9649388A JP2599753B2 (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | 耐食性を改善したｒ−ｔｍ−ｂ系永久磁石及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9649388A JP2599753B2 (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | 耐食性を改善したｒ−ｔｍ−ｂ系永久磁石及び製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01268004A JPH01268004A (ja) | 1989-10-25 |
| JP2599753B2 true JP2599753B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=14166610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9649388A Expired - Lifetime JP2599753B2 (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | 耐食性を改善したｒ−ｔｍ−ｂ系永久磁石及び製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2599753B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7045923B2 (en) | 2003-07-01 | 2006-05-16 | Nidec Corporation | Magnetizing method and permanent magnet magnetized thereby |
| US7553561B2 (en) | 2004-07-16 | 2009-06-30 | Tdk Corporation | Rare earth magnet |
| US7794859B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-09-14 | Tdk Corporation | Rare-earth magnet |
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-
1988
- 1988-04-19 JP JP9649388A patent/JP2599753B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7794859B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-09-14 | Tdk Corporation | Rare-earth magnet |
| CN101083166B (zh) * | 2005-09-30 | 2012-06-13 | Tdk株式会社 | 稀土类磁铁 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01268004A (ja) | 1989-10-25 |
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