JP2589470B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2589470B2 JP2589470B2 JP61084826A JP8482686A JP2589470B2 JP 2589470 B2 JP2589470 B2 JP 2589470B2 JP 61084826 A JP61084826 A JP 61084826A JP 8482686 A JP8482686 A JP 8482686A JP 2589470 B2 JP2589470 B2 JP 2589470B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoresist film
- photoresist
- film
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は半導体装置の製造方法に関する。
（従来の技術） 周知のように半導体装置の製造工程の一つにフォトエ
ッチングがある。これはたとえば絶縁膜たとえば酸化膜
をパターニングするようなとき、その表面にフォトレジ
ストを膜状に塗布し、これにマスクをかけて露光してか
らこれを現像液の中に入れて現像する。
ッチングがある。これはたとえば絶縁膜たとえば酸化膜
をパターニングするようなとき、その表面にフォトレジ
ストを膜状に塗布し、これにマスクをかけて露光してか
らこれを現像液の中に入れて現像する。
通常はこのあとフォトレジストを除去することによっ
て、フォトエッチング工程を終了するのであるが、半導
体装置の種類によっては先のフォトレジストを除去した
あと、あるいは残された先のフォトレジストの膜の表面
に、更にフォトレジストの膜を形成してフォトエッチン
グを施す必要のある場合がある。
て、フォトエッチング工程を終了するのであるが、半導
体装置の種類によっては先のフォトレジストを除去した
あと、あるいは残された先のフォトレジストの膜の表面
に、更にフォトレジストの膜を形成してフォトエッチン
グを施す必要のある場合がある。
従来ではこのような場合、先のフォトレジストの膜の
表面に単に次の層のためのフォトレジストを塗布するに
とどまっていた。しかしこのように先のフォトレジスト
の膜（第１層のフォトレジスト膜）の表面に次の層のた
めのフォトレジストの膜（第２層のフォトレジスト膜）
を塗布したとすると、第２層のフォトレジスト膜に含ま
れている有機溶剤によって、前記第１層のフォトレジス
ト膜の表面が溶解されてしまうことがある。
表面に単に次の層のためのフォトレジストを塗布するに
とどまっていた。しかしこのように先のフォトレジスト
の膜（第１層のフォトレジスト膜）の表面に次の層のた
めのフォトレジストの膜（第２層のフォトレジスト膜）
を塗布したとすると、第２層のフォトレジスト膜に含ま
れている有機溶剤によって、前記第１層のフォトレジス
ト膜の表面が溶解されてしまうことがある。
このような溶解現象が発生すると、第１層のフォトレ
ジスト膜の基板に対する密着性が損われ、現像の際に剥
離してしまうことがある。このような剥離が発生する
と、次工程の拡散その他の処理に支障が生じ、所要の品
質を保証することができなくなってしまう。
ジスト膜の基板に対する密着性が損われ、現像の際に剥
離してしまうことがある。このような剥離が発生する
と、次工程の拡散その他の処理に支障が生じ、所要の品
質を保証することができなくなってしまう。
（発明が解決しようとする問題点） この発明は半導体装置の製造過程において、第１層の
フォトレジスト膜の表面に、第２層のフォトレジスト膜
を形成する場合、その第２層のフォトレジスト膜によっ
て第１層のフォトレジスト膜が溶解してしまうようなこ
とを確実に防止することを目的とする。
フォトレジスト膜の表面に、第２層のフォトレジスト膜
を形成する場合、その第２層のフォトレジスト膜によっ
て第１層のフォトレジスト膜が溶解してしまうようなこ
とを確実に防止することを目的とする。
（問題点を解決するための手段） この発明は第１層のフォトレジスト膜の表面に第２層
のフォトレジスト膜を形成するにあたり、第１層のフォ
トレジスト膜のためのフォトレジストとして、光分解形
のポジ形フォトレジストを使用し、この第１層のフォト
レジスト膜を形成したあと、第２層のフォトレジスト膜
を形成するのに先だって、第１層のフォトレジスト膜の
表面に、遠紫外線を照射してその表面で光架橋反応を起
させて高分子化した層を形成し、そのあと第２層のフォ
トレジスト膜を形成するようにしたことを特徴とする。
のフォトレジスト膜を形成するにあたり、第１層のフォ
トレジスト膜のためのフォトレジストとして、光分解形
のポジ形フォトレジストを使用し、この第１層のフォト
レジスト膜を形成したあと、第２層のフォトレジスト膜
を形成するのに先だって、第１層のフォトレジスト膜の
表面に、遠紫外線を照射してその表面で光架橋反応を起
させて高分子化した層を形成し、そのあと第２層のフォ
トレジスト膜を形成するようにしたことを特徴とする。
（作用） 光分解形のポジ形フォレジストに遠紫外線を照射する
と、その照射領域において光架橋反応を生じ、これによ
ってその領域の表面で高分子化された層が形成されるよ
うになる。この高分子化層の存在のため、第２層のフォ
トレジスト膜を形成したとき、このフォトレジストに含
まれている有機溶剤が第１層のフォトレジスト膜に溶出
していくようなことは、これをもって確実に防止される
ようになる。そして第２層のフォトレジスト膜は第１層
のフォトレジスト膜の表面に良好に密着するようにな
る。
と、その照射領域において光架橋反応を生じ、これによ
ってその領域の表面で高分子化された層が形成されるよ
うになる。この高分子化層の存在のため、第２層のフォ
トレジスト膜を形成したとき、このフォトレジストに含
まれている有機溶剤が第１層のフォトレジスト膜に溶出
していくようなことは、これをもって確実に防止される
ようになる。そして第２層のフォトレジスト膜は第１層
のフォトレジスト膜の表面に良好に密着するようにな
る。
（実施例） この発明の実施例を図によって説明する。図において
１は半導体基板で、ここではこの表面に形成されてある
酸化膜などをフォトエッチングする場合について説明す
る。最初に酸化膜の表面を通常のように所要のパターン
にしたがって露光、現像する。
１は半導体基板で、ここではこの表面に形成されてある
酸化膜などをフォトエッチングする場合について説明す
る。最初に酸化膜の表面を通常のように所要のパターン
にしたがって露光、現像する。
具体的にはまず酸化膜の表面に第１層のフォトレジス
ト膜２を形成する。このときのフォトレジストとしては
光分解型のポジ型フォレジストを使用する。この種フォ
トレジストとしては、たとえばフェノールノボラック型
ポジレジストが好適である。これをたとえば1.2μｍ程
度の厚さに塗布して前記したフォトレジスト膜２を形成
する（第１図参照。）。
ト膜２を形成する。このときのフォトレジストとしては
光分解型のポジ型フォレジストを使用する。この種フォ
トレジストとしては、たとえばフェノールノボラック型
ポジレジストが好適である。これをたとえば1.2μｍ程
度の厚さに塗布して前記したフォトレジスト膜２を形成
する（第１図参照。）。
ついで膜２の表面に所要のパターンのマスク３を第２
図に示すようにあてがい、紫外線を照射して露光する。
この紫外線の照射によって、フェノールノボラック型ポ
ジレジストの主成分であるキノアジドとフェノールノボ
ラック樹脂のうち、キノアジドが反応して、N2を放出し
アルカリ溶液に対して可溶性となる。このときフェノー
ルノボラック樹脂は全く反応せず、単にレジストが一定
の膜厚を保つような粘性を出すためのみ作用する。
図に示すようにあてがい、紫外線を照射して露光する。
この紫外線の照射によって、フェノールノボラック型ポ
ジレジストの主成分であるキノアジドとフェノールノボ
ラック樹脂のうち、キノアジドが反応して、N2を放出し
アルカリ溶液に対して可溶性となる。このときフェノー
ルノボラック樹脂は全く反応せず、単にレジストが一定
の膜厚を保つような粘性を出すためのみ作用する。
このあとマスク３を取り除き、アルカリ溶液に浸漬し
て照射部分のレジストを除去すれば、膜２は所要のパタ
ーンどおりにエッチングされるようになる（第３図参
照。）。
て照射部分のレジストを除去すれば、膜２は所要のパタ
ーンどおりにエッチングされるようになる（第３図参
照。）。
次に膜２の表面に、さきの紫外線とは波長が相違する
遠紫外線、たとえば254nm付近の複合波長の遠紫外線Ｌ
を照射する。この照射によって、膜２の表面でフェノー
ルノボラック樹脂が光架橋反応を起こす。この反応によ
って照射領域に高分子化した層４が形成されるようにな
る（第４図参照。）。ここで膜２をポストベークしたあ
と、第２層のフォトレジスト膜５を形成する。これは通
常使用されるフォトレジストを膜２の表面に厚さ1.2μ
ｍ程度に塗布することによって形成する（第５図参
照。）。このあと適当にプレベークする。
遠紫外線、たとえば254nm付近の複合波長の遠紫外線Ｌ
を照射する。この照射によって、膜２の表面でフェノー
ルノボラック樹脂が光架橋反応を起こす。この反応によ
って照射領域に高分子化した層４が形成されるようにな
る（第４図参照。）。ここで膜２をポストベークしたあ
と、第２層のフォトレジスト膜５を形成する。これは通
常使用されるフォトレジストを膜２の表面に厚さ1.2μ
ｍ程度に塗布することによって形成する（第５図参
照。）。このあと適当にプレベークする。
しかしこのフォトレジストを膜２の表面に塗布して
も、高分子化された層４が介在しているため、このフォ
トレジストに含まれている有機溶剤が、膜２の中に溶出
するようなことは阻止される。なお層５は通常どおりに
所要のパターンにしたがって露光、現像されることはい
うまでもない。
も、高分子化された層４が介在しているため、このフォ
トレジストに含まれている有機溶剤が、膜２の中に溶出
するようなことは阻止される。なお層５は通常どおりに
所要のパターンにしたがって露光、現像されることはい
うまでもない。
（発明の効果） 以上詳述したようにこの発明によれば、第１層のフォ
トレジスト膜の表面に第２層のフォトレジスト膜を形成
するにあたり、この第２層のフォトレジスト膜に含まれ
ている有機溶剤によって第１層のフォトレジスト膜が剥
離してしまうようなことは、これをもって確実に防止す
ることができるといった効果を奏する。
トレジスト膜の表面に第２層のフォトレジスト膜を形成
するにあたり、この第２層のフォトレジスト膜に含まれ
ている有機溶剤によって第１層のフォトレジスト膜が剥
離してしまうようなことは、これをもって確実に防止す
ることができるといった効果を奏する。
第１図乃至第５図はこの発明の実施例工程を示す断面図
である。 １……半導体基板、２……第１層のフォトレジスト膜、
３……マスク、４……高分子化した層、５……第２層の
フォトレジスト膜、
である。 １……半導体基板、２……第１層のフォトレジスト膜、
３……マスク、４……高分子化した層、５……第２層の
フォトレジスト膜、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−175725（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−84427（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−120826（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−111072（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−23401（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−111221（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】第１層のフォトレジスト膜の表面に第２層
のフォトレジスト膜を形成する半導体装置の製造方法に
おいて、前記第１層のフォトレジスト膜のためのフォト
レジストとして、光分解形のポジ形フォトレジストを使
用し、この第１層のフォトレジスト膜を形成したあと、
前記第１層のフォトレジスト膜の表面に、遠紫外線を照
射してその表面で光架橋反応を起させて高分子化した層
を形成し、そのあと前記第２層のフォトレジスト膜を形
成するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61084826A JP2589470B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61084826A JP2589470B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62241332A JPS62241332A (ja) | 1987-10-22 |
| JP2589470B2 true JP2589470B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=13841564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61084826A Expired - Lifetime JP2589470B2 (ja) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2589470B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111072A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Photo etching method |
| JPS5223401A (en) * | 1975-08-15 | 1977-02-22 | Hitachi Ltd | Method of etching photography |
| JPS56111221A (en) * | 1980-01-25 | 1981-09-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Formation on mask for etching |
| JPS61102035A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-04-11 JP JP61084826A patent/JP2589470B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62241332A (ja) | 1987-10-22 |
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