JP2587943B2 - 半導体ウェ−ハ裏面の清浄化方法 - Google Patents
半導体ウェ−ハ裏面の清浄化方法Info
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- JP2587943B2 JP2587943B2 JP62178874A JP17887487A JP2587943B2 JP 2587943 B2 JP2587943 B2 JP 2587943B2 JP 62178874 A JP62178874 A JP 62178874A JP 17887487 A JP17887487 A JP 17887487A JP 2587943 B2 JP2587943 B2 JP 2587943B2
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- Japan
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- wafer
- back surface
- resist
- semiconductor wafer
- dust
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、高密度集積回路の製造工程において、半導
体ウェーハまたは半導体基板（以下、単にウェーハとい
う）の回路パターンの形成に用いる感光性フォトレジス
ト（以下、単にレジストという）の剥離した微細粉末
が、まずウェーハ裏面に付着し、その後の工程でこのレ
ジストの微細粉末がウェーハ表面の回路パターンに付着
してマスクすることにより、回路パターンに欠陥を生
じ、製品の歩留りが低下するのを防止するためのウェー
ハ裏面の清浄化方法に関する。
体ウェーハまたは半導体基板（以下、単にウェーハとい
う）の回路パターンの形成に用いる感光性フォトレジス
ト（以下、単にレジストという）の剥離した微細粉末
が、まずウェーハ裏面に付着し、その後の工程でこのレ
ジストの微細粉末がウェーハ表面の回路パターンに付着
してマスクすることにより、回路パターンに欠陥を生
じ、製品の歩留りが低下するのを防止するためのウェー
ハ裏面の清浄化方法に関する。
（従来の技術） 従来、ウェーハに回路パターンを形成するには、その
表面にレジスト膜を塗布し、これをプリベーク（予備加
熱）した後、回路パターンを描写したガラスまたはレテ
ィクル等の原板を通して紫外光の露光を行い、それを現
像（リンスを含む、以下同じ）していた｛後出第３図
（ａ）のＮを参照｝。
表面にレジスト膜を塗布し、これをプリベーク（予備加
熱）した後、回路パターンを描写したガラスまたはレテ
ィクル等の原板を通して紫外光の露光を行い、それを現
像（リンスを含む、以下同じ）していた｛後出第３図
（ａ）のＮを参照｝。
近年、集積回路は超高密度化の傾向にあり、それに伴
って回路パターンは超微細化されているが、その回路パ
ターンを形成するためのレジストにはポジ型レジストが
一般に使用されており、そのポジ型レジストにはキノン
ジアド系樹脂が主に使用されている。この種の樹脂は樹
脂そのものが固くて脆い性質があり、したがって、回路
パターン形成工程で何等かの機械的なショックを受ける
と、塗布したレジストが容易に微細に剥離してダスト化
し（以下、これをレジストダストという）、それがマス
クとして動作し、回路パターンの形成に歩留りの低下を
生じさせる。以下、これを詳しく説明する。
って回路パターンは超微細化されているが、その回路パ
ターンを形成するためのレジストにはポジ型レジストが
一般に使用されており、そのポジ型レジストにはキノン
ジアド系樹脂が主に使用されている。この種の樹脂は樹
脂そのものが固くて脆い性質があり、したがって、回路
パターン形成工程で何等かの機械的なショックを受ける
と、塗布したレジストが容易に微細に剥離してダスト化
し（以下、これをレジストダストという）、それがマス
クとして動作し、回路パターンの形成に歩留りの低下を
生じさせる。以下、これを詳しく説明する。
第４図は、従来のフォトリソグラフィ工程を示す装置
断面図である。
断面図である。
まず、第４図（ａ）において、１はウェーハであり、
露光済みのレジスト２のパターンが表面に形成されてお
り、裏面には工程中に発生したレジストダスト３が多数
付着している。レジストの現像工程では、回転軸４上に
固定された回転本体５に、ウェーハ１が矢印の真空吸着
の方向６に真空吸着用パイプ７によって吸着されて回転
し、この時、ノズル８により現像液９が噴出される。
露光済みのレジスト２のパターンが表面に形成されてお
り、裏面には工程中に発生したレジストダスト３が多数
付着している。レジストの現像工程では、回転軸４上に
固定された回転本体５に、ウェーハ１が矢印の真空吸着
の方向６に真空吸着用パイプ７によって吸着されて回転
し、この時、ノズル８により現像液９が噴出される。
裏面に回り込んだ現像液９を洗浄するため、ウェーハ
裏面のリンス10が行われるが、裏面に付着しているレジ
ストダスト３を除去することは出来ず、それが残留して
回転本体５の吸着部にそのまま付着する。この残留レジ
ストダスト３は、次にその吸着部によって吸着され、現
像される他のウェーハに転移，付着することになる。
裏面のリンス10が行われるが、裏面に付着しているレジ
ストダスト３を除去することは出来ず、それが残留して
回転本体５の吸着部にそのまま付着する。この残留レジ
ストダスト３は、次にその吸着部によって吸着され、現
像される他のウェーハに転移，付着することになる。
第４図（ｂ）は、現像後のウェーハベーク工程を示す
装置の断面図である。現像が済んだウェーハ１はホット
プレート11に吸着されるが、この際もウェーハ１の裏面
に付着したレジストダスト３がホットプレート11の表面
に転移，付着し、それはさらに、次に吸着されるウェー
ハに付着する。なお、12は現像後のレジストパターンで
ある。
装置の断面図である。現像が済んだウェーハ１はホット
プレート11に吸着されるが、この際もウェーハ１の裏面
に付着したレジストダスト３がホットプレート11の表面
に転移，付着し、それはさらに、次に吸着されるウェー
ハに付着する。なお、12は現像後のレジストパターンで
ある。
また、第４図（ｃ）は、現像が終了したウェーハ１の
複数をウェーハカセット13に収容した断面図である。こ
の時もまた、運搬時の機械的振動によってウェーハ裏面
に付着していたレジストダスト３が、下段のウェーハ１
の表面に落下，付着する。
複数をウェーハカセット13に収容した断面図である。こ
の時もまた、運搬時の機械的振動によってウェーハ裏面
に付着していたレジストダスト３が、下段のウェーハ１
の表面に落下，付着する。
以上のように、従来の半導体回路パターン形成工程に
おけるエッチングやイオン注入等の工程では、レジスト
ダスト３がウェーハ１に付着し、それが回路パターン上
に残留してマスクの役目を果たし、製品の歩留りを低下
させる原因となっている。
おけるエッチングやイオン注入等の工程では、レジスト
ダスト３がウェーハ１に付着し、それが回路パターン上
に残留してマスクの役目を果たし、製品の歩留りを低下
させる原因となっている。
（発明が解決しようとする問題点） 以上のように、ウェーハ１に付着するレジストダスト
３は、今後ますます微細化が要求され、進展する半導体
集積回路製造の分野にとっては極めて大きな問題であ
り、特に容易にリンス等では清浄化が不能なウェーハ裏
面に付着したレジストダストの残留は、微細化する回路
パターンの形成にとっては極めて大きな問題である。
３は、今後ますます微細化が要求され、進展する半導体
集積回路製造の分野にとっては極めて大きな問題であ
り、特に容易にリンス等では清浄化が不能なウェーハ裏
面に付着したレジストダストの残留は、微細化する回路
パターンの形成にとっては極めて大きな問題である。
本発明は、以上のような問題点の排除を目的にする。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、上記の目的を、第１図に断面を示したよう
に、裏面に付着するレジストダスト３が表面のレジスト
と同じ材料であることに着目して、表面のレジストの露
光14と同じように、裏面のレジストの露光15をレジスト
ダスト３に行い｛第１図（ａ）｝、その後、現像，リン
スしてレジストダスト３のない清浄化したウェーハ１を
得るようにして達成している｛第１図（ｂ）｝。
に、裏面に付着するレジストダスト３が表面のレジスト
と同じ材料であることに着目して、表面のレジストの露
光14と同じように、裏面のレジストの露光15をレジスト
ダスト３に行い｛第１図（ａ）｝、その後、現像，リン
スしてレジストダスト３のない清浄化したウェーハ１を
得るようにして達成している｛第１図（ｂ）｝。
（作 用） 本発明によれば、ウェーハ１の裏面にレジストダスト
３の付着がなくなるから、次段工程の、例えば回転本体
５のウェーハ吸着ステージ16あるいはホットプレート11
の表面，その他のウェーハ表面が接する装置の表面にレ
ジストダスト３の転移を生ずることがなくなり、また、
ウェーハカセット13にウェーハ１を多段に複数収容して
も、上段のウェーハ１の裏面から下段ウェーハ１の表面
にレジストダスト３が落下し、付着することはなくな
る。
３の付着がなくなるから、次段工程の、例えば回転本体
５のウェーハ吸着ステージ16あるいはホットプレート11
の表面，その他のウェーハ表面が接する装置の表面にレ
ジストダスト３の転移を生ずることがなくなり、また、
ウェーハカセット13にウェーハ１を多段に複数収容して
も、上段のウェーハ１の裏面から下段ウェーハ１の表面
にレジストダスト３が落下し、付着することはなくな
る。
したがって、常に清浄な装置またはウェーハカセット
13によって回路パターンの形成，移動が可能になる。
13によって回路パターンの形成，移動が可能になる。
すなわち、本発明はウェーハ表面に付着するレジスト
ダスト３の残留を極めて少なくなるよう減少させ、集積
回路製造のエッチング工程やイオン注入工程等への悪影
響が排除され、したがって、製品の歩留りを向上させ得
る。
ダスト３の残留を極めて少なくなるよう減少させ、集積
回路製造のエッチング工程やイオン注入工程等への悪影
響が排除され、したがって、製品の歩留りを向上させ得
る。
（実施例） 以下、本発明を図面を用いて実施例により説明する。
第２図は、本発明の一実施例を示す工程図で、以下説
明しない符号は前図までと同じか、または同機能のもの
である。
明しない符号は前図までと同じか、または同機能のもの
である。
初めに、第２図（ａ）において、17はウェーハ１の端
縁の一部分だけを支承する支承爪で、この状態でウェー
ハ１の裏面露光を行う。露光波長は表面レジスト２の露
光と同じ紫外光の波長をもつｇ線（λ＝436nm）か、ま
たはそれを強く紫外光を用いる。
縁の一部分だけを支承する支承爪で、この状態でウェー
ハ１の裏面露光を行う。露光波長は表面レジスト２の露
光と同じ紫外光の波長をもつｇ線（λ＝436nm）か、ま
たはそれを強く紫外光を用いる。
さらに同様に、上記支承爪17の位置を変えて、その下
の未露光部分の露光をも行う。
の未露光部分の露光をも行う。
次に、第２図（ｂ）のように、上記ウェーハ１の裏面
の現像を行う。18はウェーハ１の吸着台であり、真空吸
着孔19からウェーハ１を吸引して現像液またはリンス液
を、廃液パイプ20に挿通して回転する裏面用のスプレー
ノズル21から現像液を噴出させ、上記露光したウェーハ
裏面のレジストダスト３を現像，分解して廃液パイプ20
から洗い流す。
の現像を行う。18はウェーハ１の吸着台であり、真空吸
着孔19からウェーハ１を吸引して現像液またはリンス液
を、廃液パイプ20に挿通して回転する裏面用のスプレー
ノズル21から現像液を噴出させ、上記露光したウェーハ
裏面のレジストダスト３を現像，分解して廃液パイプ20
から洗い流す。
また、第２図（ｃ）は、吸着台18に接触したウェーハ
の端縁部分の清浄を示し、表面の通常の現像時と同時
に、裏面の周辺部分だけを裏面周辺専用ノズル22によっ
て現像し、前に吸着した他のウェーハ１から転移してい
るであろうレジストダスト３を清浄する。
の端縁部分の清浄を示し、表面の通常の現像時と同時
に、裏面の周辺部分だけを裏面周辺専用ノズル22によっ
て現像し、前に吸着した他のウェーハ１から転移してい
るであろうレジストダスト３を清浄する。
第２図（ｄ）は、上記のように裏面の露光および現像
によって清浄となったウェーハ１を示し、このように、
本発明によればウェーハ裏面にはレジストダスト３は存
在しない。
によって清浄となったウェーハ１を示し、このように、
本発明によればウェーハ裏面にはレジストダスト３は存
在しない。
第３図は本発明を半導体回路パターン形成工程に実施
する順序を示す流れ図で、本発明の裏面露光とその現像
は、第３図（ａ）I,IIのフォトリソグラフ工程の前に行
うか、またはウェーハ表面の露光と現像の間に行うか
｛同図（ｂ）｝、表面の現像後に行うか｛同図
（ｃ）｝、またはその他任意に工程に合致する工程順に
よって行うことができる。また、裏面露光Ｉを裏面現像
IIより先に行えば、各々を分離して他のフォトリソグラ
フ工程（IIIないしVI）とまたがって行うことにより、
ウェーハ表面に付着したレジストダストを除去すること
が可能である。
する順序を示す流れ図で、本発明の裏面露光とその現像
は、第３図（ａ）I,IIのフォトリソグラフ工程の前に行
うか、またはウェーハ表面の露光と現像の間に行うか
｛同図（ｂ）｝、表面の現像後に行うか｛同図
（ｃ）｝、またはその他任意に工程に合致する工程順に
よって行うことができる。また、裏面露光Ｉを裏面現像
IIより先に行えば、各々を分離して他のフォトリソグラ
フ工程（IIIないしVI）とまたがって行うことにより、
ウェーハ表面に付着したレジストダストを除去すること
が可能である。
（発明の効果） 以上説明して明らかなように、本発明は、ウェーハ裏
面を露光し、現像することによって付着したレジストダ
ストを分解，洗い流しして、ウェーハ裏面に付着するレ
ジストダストを極力少なくするものであり、そのレジス
トダストの極めて少なくなったウェーハは、その後の工
程において、ウェーハ吸着ステージでは他のウェーハに
レジストダストを転移させることがなく、あるいはウェ
ーハカセットに複数のウェーハを収容しても、落下して
くるレジストダストがないので、ウェーハを清浄に保っ
て移動することが可能になる。その結果、エッチングや
イオン注入段階でレジストダストの侵入による不良品の
発生は極めて少なくなり、実施する効果は大きいものが
ある。
面を露光し、現像することによって付着したレジストダ
ストを分解，洗い流しして、ウェーハ裏面に付着するレ
ジストダストを極力少なくするものであり、そのレジス
トダストの極めて少なくなったウェーハは、その後の工
程において、ウェーハ吸着ステージでは他のウェーハに
レジストダストを転移させることがなく、あるいはウェ
ーハカセットに複数のウェーハを収容しても、落下して
くるレジストダストがないので、ウェーハを清浄に保っ
て移動することが可能になる。その結果、エッチングや
イオン注入段階でレジストダストの侵入による不良品の
発生は極めて少なくなり、実施する効果は大きいものが
ある。
第１図は本発明の方法を示す断面図、第２図は本発明を
具体的に示す断面図、第３図は本発明の方法の流れ工程
図、第４図は従来のウェーハ清浄化方法を説明する断面
図である。 １……（半導体）ウェーハ、２……レジスト、３……レ
ジストダスト、４……回転軸、５……回転本体、６……
真空吸着の方向、７……真空吸着用パイプ、９……現像
液（リンス液を含む）、11……ホットプレート、12……
レジストパターン、13……ウェーハカセット、17……支
承爪、18……吸着台、19……真空吸着孔、20……廃液パ
イプ、21……裏面用スプレーノズル、22……裏面周辺専
用ノズル。
具体的に示す断面図、第３図は本発明の方法の流れ工程
図、第４図は従来のウェーハ清浄化方法を説明する断面
図である。 １……（半導体）ウェーハ、２……レジスト、３……レ
ジストダスト、４……回転軸、５……回転本体、６……
真空吸着の方向、７……真空吸着用パイプ、９……現像
液（リンス液を含む）、11……ホットプレート、12……
レジストパターン、13……ウェーハカセット、17……支
承爪、18……吸着台、19……真空吸着孔、20……廃液パ
イプ、21……裏面用スプレーノズル、22……裏面周辺専
用ノズル。
Claims (1)
- 【請求項１】ポジ型のフォトレジストを用いて半導体ウ
ェーハまたは半導体基板の表面に回路パターンを形成す
る工程で、前記半導体ウェーハの裏面に付着したレジス
トダストを除去する清浄化方法であって、 前記半導体ウェーハの裏側端縁の一部を支承爪で支承し
て前記半導体ウェーハの裏面を露光する工程と、 前記半導体ウェーハの裏側端縁を支承する前記支承爪の
位置を変えて前記支承爪で露光されなかった前記半導体
ウェーハの裏面部分を露光する工程と、 前記半導体ウェーハの裏面全体を現像して前記レジスト
ダストを分解し、除去する工程と を有することを特徴とする半導体ウェーハ裏面の清浄化
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62178874A JP2587943B2 (ja) | 1987-07-20 | 1987-07-20 | 半導体ウェ−ハ裏面の清浄化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62178874A JP2587943B2 (ja) | 1987-07-20 | 1987-07-20 | 半導体ウェ−ハ裏面の清浄化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6423539A JPS6423539A (en) | 1989-01-26 |
| JP2587943B2 true JP2587943B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=16056204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62178874A Expired - Lifetime JP2587943B2 (ja) | 1987-07-20 | 1987-07-20 | 半導体ウェ−ハ裏面の清浄化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2587943B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2654314B2 (ja) * | 1992-06-04 | 1997-09-17 | 東京応化工業株式会社 | 裏面洗浄装置 |
| JP5145654B2 (ja) * | 2006-05-29 | 2013-02-20 | 日本電気株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58182827A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-25 | Toshiba Corp | レジスト剥離方法 |
| JPS6052624U (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-13 | 富士通株式会社 | 洗浄装置 |
| JPS61226750A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-08 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-07-20 JP JP62178874A patent/JP2587943B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6423539A (en) | 1989-01-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071205 Year of fee payment: 11 |