JPS61226750A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61226750A JPS61226750A JP60066924A JP6692485A JPS61226750A JP S61226750 A JPS61226750 A JP S61226750A JP 60066924 A JP60066924 A JP 60066924A JP 6692485 A JP6692485 A JP 6692485A JP S61226750 A JPS61226750 A JP S61226750A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- wafer
- semiconductor substrate
- yield
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に係わシ、特に写真蝕刻
工程で、半導体基板（ウェハ）に塗布さｎたレジストを
クエへ周辺部のみ選択的に除去し、ダストの低減化を行
なう方法に関する。
工程で、半導体基板（ウェハ）に塗布さｎたレジストを
クエへ周辺部のみ選択的に除去し、ダストの低減化を行
なう方法に関する。
一般に半導体基板周辺部のレジストは、搬送用キャリヤ
やエツチング装置等の搬送機構に当たり、ダストとなっ
て半導体基板に再付看し、歩留シ低下の原因となる０ウ
ェハ周辺部のレジスト除去方法の従来例として、第３図
のレジスト塗布装置、第４図の塗布工程図で説明する。
やエツチング装置等の搬送機構に当たり、ダストとなっ
て半導体基板に再付看し、歩留シ低下の原因となる０ウ
ェハ周辺部のレジスト除去方法の従来例として、第３図
のレジスト塗布装置、第４図の塗布工程図で説明する。
第３図に示さｎるように、半導体基板１を真空チャック
２に装着し、ノズル３よりレジストを塗布する◎７はレ
ジスト流量調整弁である。
２に装着し、ノズル３よりレジストを塗布する◎７はレ
ジスト流量調整弁である。
続いてモータ５が低速回転し、半導体基板１０面上のレ
ジストを半導体基板面内に一様に分布させる。次にモー
タ５が低速回転しながら、半導体基板１の周辺部にレジ
スト溶解液が噴出するように位置させたノズル６から、
レジスト溶解液が噴出する。最後にモータ５が高速回転
し、遠心力でレジスト溶解液をとばし、レジスト塗布定
の膜厚にする。８は溶剤流量調整弁、９は半導体基板１
０回転装置を囲むカップ、１０は駆動制御機構である０
第２図の塗布工程図は、牛導体基板ノの回転数と処理時
間の関係を示し、時間ＴＩでレジスト塗布、時間Ｔ２で
低速回転及び半導体基板周辺部のレジスト溶解、時間Ｔ
。
ジストを半導体基板面内に一様に分布させる。次にモー
タ５が低速回転しながら、半導体基板１の周辺部にレジ
スト溶解液が噴出するように位置させたノズル６から、
レジスト溶解液が噴出する。最後にモータ５が高速回転
し、遠心力でレジスト溶解液をとばし、レジスト塗布定
の膜厚にする。８は溶剤流量調整弁、９は半導体基板１
０回転装置を囲むカップ、１０は駆動制御機構である０
第２図の塗布工程図は、牛導体基板ノの回転数と処理時
間の関係を示し、時間ＴＩでレジスト塗布、時間Ｔ２で
低速回転及び半導体基板周辺部のレジスト溶解、時間Ｔ
。
で高速回転を表す。このようにして半導体基板周辺部の
レジストを除去してい九〇 しかしながら上記従来技術では、塗布工程にて半導体基
板１の周辺部のレジストを除去する方法のため、次のよ
うな問題点があった。第１の問題点は、真空チャック２
に装着した半導体基板１の周辺部に、回転させながらノ
ズル６から溶剤を噴出してレジストを溶解除去するため
、溶剤が回転している半導体基板１の周辺部に噴出さｎ
た後、カップ９に飛び散っ念溶剤が、半導体基板１の溶
解除去しない部分のレジスト部にはね返ってきて、レジ
ストを溶解しピンホールを発生させる。＠２０問題点は
、半導体基板１を装着する際に中心部に精度よく該基板
１を装着できないので、該基板１の周辺部のレジスト溶
解除去を行なう場合、ウニへ間及びロット関で溶解除去
面積が異なる。＠３の問題点は、有機系の溶剤によるレ
ジスト除去のため、使用した有機溶剤は、回収して産業
廃棄物の専門の処理業者に依頼する必要がある。また真
空チャック２のｑ＆１部から有機溶剤が浸入し、モータ
や電気的エネルギ一部より発火する恐ｎもある。
レジストを除去してい九〇 しかしながら上記従来技術では、塗布工程にて半導体基
板１の周辺部のレジストを除去する方法のため、次のよ
うな問題点があった。第１の問題点は、真空チャック２
に装着した半導体基板１の周辺部に、回転させながらノ
ズル６から溶剤を噴出してレジストを溶解除去するため
、溶剤が回転している半導体基板１の周辺部に噴出さｎ
た後、カップ９に飛び散っ念溶剤が、半導体基板１の溶
解除去しない部分のレジスト部にはね返ってきて、レジ
ストを溶解しピンホールを発生させる。＠２０問題点は
、半導体基板１を装着する際に中心部に精度よく該基板
１を装着できないので、該基板１の周辺部のレジスト溶
解除去を行なう場合、ウニへ間及びロット関で溶解除去
面積が異なる。＠３の問題点は、有機系の溶剤によるレ
ジスト除去のため、使用した有機溶剤は、回収して産業
廃棄物の専門の処理業者に依頼する必要がある。また真
空チャック２のｑ＆１部から有機溶剤が浸入し、モータ
や電気的エネルギ一部より発火する恐ｎもある。
そこで本発明は、従来技術の問題点である溶剤の飛び散
りによるピンホールの発生防止と、レジストの除去面積
のばらつきを防止し、高精度にレジストを除去すること
によって半導体基板上の周辺部のレジストとキャリアや
エツチング装置等との接触によるダストを防止し、歩留
シを向上させることを目的とする。また本発明では、有
機系の溶剤を不使用として、産業廃棄物処理の問題や火
災等の安全性の同上も目的とする。
りによるピンホールの発生防止と、レジストの除去面積
のばらつきを防止し、高精度にレジストを除去すること
によって半導体基板上の周辺部のレジストとキャリアや
エツチング装置等との接触によるダストを防止し、歩留
シを向上させることを目的とする。また本発明では、有
機系の溶剤を不使用として、産業廃棄物処理の問題や火
災等の安全性の同上も目的とする。
本発明は、半導体基板のマスク合わせを行なう際に、ホ
トマスクの透過部もしくは不透過部が半導体基板上の周
辺部のレジストの除去したい部分に一致するホトマスク
を使って、レジスト（ネガ型、／ジ型）の感光特性を利
用し、現像工程にて半導体基板上の周辺部のしＩストヲ
溶解除去することを特徴とする。
トマスクの透過部もしくは不透過部が半導体基板上の周
辺部のレジストの除去したい部分に一致するホトマスク
を使って、レジスト（ネガ型、／ジ型）の感光特性を利
用し、現像工程にて半導体基板上の周辺部のしＩストヲ
溶解除去することを特徴とする。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第１
図（−）の塗布工程図は、半導体基板１１に紫外線用ポ
ジ型レジスト１２を塗布して、所定の条件でプリベーク
を施こした状態を示す。
図（−）の塗布工程図は、半導体基板１１に紫外線用ポ
ジ型レジスト１２を塗布して、所定の条件でプリベーク
を施こした状態を示す。
次に＠１図（ｂ）に示さｎる如く、反射投影型露光装置
を使用してウニ八１１のマスク合わせを行なった後、露
光を行ない、レジスト１２を感光させる。即ちこのマス
ク合わせ及び露光工程に使用しているホトマスク１３は
、ｓｌ！２図にも示さｎる如く半導体基板１１とマスク
合わせを行なった時、半導体基板１１０周辺部に紫外線
が当たるように、紫外線透過の形状にしたホトマスクで
ある。第２図におい・て１４はレジストの種類に応じて
、光を通したシ通さなかったりする部分、１５は／ｆタ
ーン領域、１６は合わせダーダットである。次に半導体
基板１１の周辺部で紫外線に感光し九部分のレジストは
、次の現像工程でアルカリ系の現像液に浸漬した後、純
水洗浄及び乾燥することによって、Ｗｃ１図（Ｃ）の如
く半導体基板１０周辺部のレジストの選択除去を完了す
るものである。
を使用してウニ八１１のマスク合わせを行なった後、露
光を行ない、レジスト１２を感光させる。即ちこのマス
ク合わせ及び露光工程に使用しているホトマスク１３は
、ｓｌ！２図にも示さｎる如く半導体基板１１とマスク
合わせを行なった時、半導体基板１１０周辺部に紫外線
が当たるように、紫外線透過の形状にしたホトマスクで
ある。第２図におい・て１４はレジストの種類に応じて
、光を通したシ通さなかったりする部分、１５は／ｆタ
ーン領域、１６は合わせダーダットである。次に半導体
基板１１の周辺部で紫外線に感光し九部分のレジストは
、次の現像工程でアルカリ系の現像液に浸漬した後、純
水洗浄及び乾燥することによって、Ｗｃ１図（Ｃ）の如
く半導体基板１０周辺部のレジストの選択除去を完了す
るものである。
なお本発明は上記実施例のみに限らｎず、種々の応用が
可能である。例えば第２図の八ツチング部分１４ｆ：非
透過型にすｎば、ネガ型レジストのレジスト除去用ホト
マスクとして使用でき、半導体基板の周辺部のレジスト
除去できる。
可能である。例えば第２図の八ツチング部分１４ｆ：非
透過型にすｎば、ネガ型レジストのレジスト除去用ホト
マスクとして使用でき、半導体基板の周辺部のレジスト
除去できる。
以上説明した如く本発明によｎば、従来技術のように半
導体基板に塗布したレジストに溶剤が飛び散り、ピンホ
ールが発生したシ、レジストの溶解除去面積のばらつき
による歩留シ低下等の問題を解決できる◎また本発明で
は、マスク合わせの工程と現像工程とを組み合わせて、
半導体基板上の周辺部のレジスト除去を行なうので、レ
ジストの溶解除去面積ｔ−高精度に制御でき、溶剤は不
使用のため、火災や公害の問題も同時に解決できる。ま
た本発明の最大の目的である半導体基板周辺のレジスト
とキャリアやエツチング装置との接触により、レジスト
が剥がｎダストが発生して歩留〕低下の原因となる問題
を解決でき、安定した歩留シを得ることができるもので
ある。
導体基板に塗布したレジストに溶剤が飛び散り、ピンホ
ールが発生したシ、レジストの溶解除去面積のばらつき
による歩留シ低下等の問題を解決できる◎また本発明で
は、マスク合わせの工程と現像工程とを組み合わせて、
半導体基板上の周辺部のレジスト除去を行なうので、レ
ジストの溶解除去面積ｔ−高精度に制御でき、溶剤は不
使用のため、火災や公害の問題も同時に解決できる。ま
た本発明の最大の目的である半導体基板周辺のレジスト
とキャリアやエツチング装置との接触により、レジスト
が剥がｎダストが発生して歩留〕低下の原因となる問題
を解決でき、安定した歩留シを得ることができるもので
ある。
第１図は本発明の一実施例の工程説明図、第２図は同実
施例に用いるホトマスクの概略的構成図、＠３図は従来
のレジスト除去装置の構成図、第４図は同装置を使用し
たレジスト除去シーケンス図である０ １１・・・半導体基板、１２・・・レジスト、１３・・
・ホトマスク。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 Ｉ Ｍｔ２図
施例に用いるホトマスクの概略的構成図、＠３図は従来
のレジスト除去装置の構成図、第４図は同装置を使用し
たレジスト除去シーケンス図である０ １１・・・半導体基板、１２・・・レジスト、１３・・
・ホトマスク。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 Ｉ Ｍｔ２図
Claims (1)
- 半導体装置の写真蝕刻工程で、ウェハにレジストを塗布
後、マスク合わせによるレジストの感光で前記ウェハの
周辺のレジストを除去することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60066924A JPS61226750A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60066924A JPS61226750A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61226750A true JPS61226750A (ja) | 1986-10-08 |
Family
ID=13330012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60066924A Pending JPS61226750A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61226750A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6423539A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | Matsushita Electronics Corp | Cleaning of rear of semiconductor wafer |
| JPH0232526A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | 基板周縁露光装置 |
| US5362583A (en) * | 1992-01-31 | 1994-11-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reticle mask exposure method comprising blank to remove incomplete circuits |
-
1985
- 1985-03-30 JP JP60066924A patent/JPS61226750A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6423539A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | Matsushita Electronics Corp | Cleaning of rear of semiconductor wafer |
| JPH0232526A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | 基板周縁露光装置 |
| US5362583A (en) * | 1992-01-31 | 1994-11-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reticle mask exposure method comprising blank to remove incomplete circuits |
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