CN118244584A - 改善洗边工艺中光刻胶残留的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种改善洗边工艺中光刻胶残留的方法，提供晶圆，在晶圆上形成覆盖其表面的光刻胶层，距晶圆边缘目标宽度为n处的光刻胶层需去除；利用化学去边清洗的方法清洗距晶圆边缘宽度为n1处的光刻胶层，其中n1<n；利用化学去边清洗的方法清洗距晶圆边缘宽度为n2处的光刻胶层，使得该处的光刻胶层中的感光剂成分大于目标剂量，其中n1<n2<n；利用边缘曝光清洗的方法去除距晶圆边缘宽度为n处的光刻胶层。本发明能够清洗干净晶圆边缘的光刻胶，避免光刻胶残留。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善洗边工艺中光刻胶残留的方法。
背景技术
光刻是半导体生产制造中关键工艺。光刻是利用光化学反应将光刻版上图形转印到晶圆上，为选择性刻蚀和离子注入做准备。
在光刻胶涂布过程中，多余的光刻胶会被离心力推到晶圆边缘，其中大部分会被甩离晶圆，少量会残留在晶圆边缘。由于晶圆边缘气流相对速度较大，会导致残胶很快固化，形成***的厚边，若不清洗会沾污机台后续腔体。目前常用方法是先通过化学去边清洗(EBR)清洁边缘光刻胶，然后再通过边缘曝光清洗(WEE)来更加精确的控制边缘清洗范围。
为保证化学去边可以清洗干净晶圆边缘光刻胶，通常化学去边清洗溶剂会较长时间作用于目标洗边宽度位置，导致该位置光刻胶中的感光成分容易被去边溶剂洗掉，边缘曝光时无法被曝光(无法变成可溶解状态)，导致目标洗边位置光刻胶残留，刻蚀之后容易形成Block etch(块刻蚀)台阶。
为解决上述问题，需要提出一种新型的改善洗边工艺中光刻胶残留的方法。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善洗边工艺中光刻胶残留的方法，用于解决现有技术中化学去边清洗溶剂会较长时间作用于目标洗边宽度位置，导致该位置光刻胶中的感光成分容易被去边溶剂洗掉，边缘曝光时无法被曝光(无法变成可溶解状态)，导致目标洗边位置光刻胶残留，刻蚀之后容易形成Block etch(块刻蚀)台阶的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善洗边工艺中光刻胶残留的方法，包括：
步骤一、提供晶圆，在所述晶圆上形成覆盖其表面的光刻胶层，距所述晶圆边缘目标宽度为n处的所述光刻胶层需去除；
步骤二、利用化学去边清洗的方法清洗距所述晶圆边缘宽度为n1处的所述光刻胶层，其中n1<n；
步骤三、利用化学去边清洗的方法清洗距所述晶圆边缘宽度为n2处的所述光刻胶层，使得该处的所述光刻胶层中的感光剂成分大于目标剂量，其中n1<n2<n；
步骤四、利用边缘曝光清洗的方法去除距所述晶圆边缘宽度为n处的所述光刻胶层。
优选地，步骤一中在形成所述光刻胶层之前，还包括对所述晶圆的表面进行预润湿。
优选地，步骤一中的所述光刻胶层形成于所述晶圆上的第一表面，所述第一表面为所述晶圆的正面，该正面相对于所述晶圆的背面，所述晶圆的正面用于形成器件。
优选地，步骤一中利用旋涂法在所述晶圆上形成所述光刻胶层。
优选地，步骤三中的所述目标剂量为边缘曝光清洗中去除所述光刻胶层的最低所需量。
优选地，步骤四中的所述边缘曝光清洗的方法包括：将所述晶圆固定到旋转平台上，在所述晶圆边缘的上方固定一套UV曝光镜头和光栅，UV光源经过所述光栅产生均匀光斑，然后利用所述旋转平台的旋转来实现所述晶圆的边缘曝光。
优选地，所述方法还包括步骤五、对完成洗边后的所述光刻胶层进行曝光和显影。
如上所述，本发明的改善洗边工艺中光刻胶残留的方法，具有以下有益效果：
本发明能够清洗干净晶圆边缘的光刻胶，避免光刻胶残留。
附图说明
图1显示为本发明的工艺流程示意图；
图2显示为本发明的在晶圆上形成光刻胶层示意图；
图3显示为本发明的第一次化学去边清洗示意图；
图4显示为本发明的第二次化学去边清洗示意图；
图5显示为本发明的边缘曝光清洗示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1，本发明提供一种改善洗边工艺中光刻胶残留的方法，包括：
步骤一、请参阅图2，提供晶圆100，在晶圆100上形成覆盖其表面的光刻胶层101，距晶圆100边缘目标宽度为n处的光刻胶层101需去除；
在一些实施例中，步骤一中在形成光刻胶层101之前，还包括对晶圆100的表面进行预润湿。
在一些实施例中，步骤一中的光刻胶层101形成于晶圆100上的第一表面，第一表面为晶圆100的正面，该正面相对于晶圆100的背面，晶圆100的正面用于形成器件。
在一些实施例中，步骤一中利用旋涂法在晶圆100上形成光刻胶层101。
步骤二、请参阅图3，利用化学去边清洗的方法清洗距晶圆100边缘宽度为n1处的光刻胶层101，其中n1<n；
即先在比目标洗边宽度小的位置洗一段时间，避免化学去边清洗溶剂较长时间作用于目标洗边宽度位置，导致该位置光刻胶中的感光成分容易被去边溶剂洗掉的问题。
步骤三、利用化学去边清洗的方法清洗距晶圆100边缘宽度为n2处的光刻胶层101，使得该处的光刻胶层101中的感光剂成分大于目标剂量，其中n1<n2<n；在之后边缘曝光时该处的光刻胶可以被曝光(变成可溶解状态)，从而避免目标洗边位置光刻胶残留。
在一些实施例中，步骤三中的目标剂量为边缘曝光清洗中去除光刻胶层101的最低所需量。
步骤四、请参阅图5，利用边缘曝光清洗的方法去除距晶圆100边缘宽度为n处的光刻胶层101。
在一些实施例中，步骤四中的边缘曝光清洗的方法包括：将晶圆100固定(例如真空吸附等方法)到旋转平台上，在晶圆100边缘的上方固定一套UV曝光镜头和光栅，UV光源经过光栅产生一定大小的均匀光斑，然后利用旋转平台的旋转来实现晶圆100的边缘曝光。
在一些实施例中，方法还包括步骤五、对完成洗边后的光刻胶层101进行曝光和显影，由于边缘处不存在光刻胶残留，刻蚀之后不会形成Block etch(块刻蚀)台阶。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
综上所述，本发明能够清洗干净晶圆边缘的光刻胶，避免光刻胶残留。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (7)
1.一种改善洗边工艺中光刻胶残留的方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供晶圆，在所述晶圆上形成覆盖其表面的光刻胶层，距所述晶圆边缘目标宽度为n处的所述光刻胶层需去除；
步骤二、利用化学去边清洗的方法清洗距所述晶圆边缘宽度为n1处的所述光刻胶层，其中n1<n；
步骤三、利用化学去边清洗的方法清洗距所述晶圆边缘宽度为n2处的所述光刻胶层，使得该处的所述光刻胶层中的感光剂成分大于目标剂量，其中n1<n2<n；
步骤四、利用边缘曝光清洗的方法去除距所述晶圆边缘宽度为n处的所述光刻胶层。
2.根据权利要求1所述的改善洗边工艺中光刻胶残留的方法，其特征在于：步骤一中在形成所述光刻胶层之前，还包括对所述晶圆的表面进行预润湿。
3.根据权利要求1所述的改善洗边工艺中光刻胶残留的方法，其特征在于：步骤一中的所述光刻胶层形成于所述晶圆上的第一表面，所述第一表面为所述晶圆的正面，该正面相对于所述晶圆的背面，所述晶圆的正面用于形成器件。
4.根据权利要求1所述的改善洗边工艺中光刻胶残留的方法，其特征在于：步骤一中利用旋涂法在所述晶圆上形成所述光刻胶层。
5.根据权利要求1所述的改善洗边工艺中光刻胶残留的方法，其特征在于：步骤三中的所述目标剂量为边缘曝光清洗中去除所述光刻胶层的最低所需量。
6.根据权利要求1所述的改善洗边工艺中光刻胶残留的方法，其特征在于：步骤四中的所述边缘曝光清洗的方法包括：将所述晶圆固定到旋转平台上，在所述晶圆边缘的上方固定一套UV曝光镜头和光栅，UV光源经过所述光栅产生均匀光斑，然后利用所述旋转平台的旋转来实现所述晶圆的边缘曝光。
7.根据权利要求1所述的改善洗边工艺中光刻胶残留的方法，其特征在于：所述方法还包括步骤五、对完成洗边后的所述光刻胶层进行曝光和显影。
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