JP2000260720A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JP2000260720A JP2000260720A JP11066695A JP6669599A JP2000260720A JP 2000260720 A JP2000260720 A JP 2000260720A JP 11066695 A JP11066695 A JP 11066695A JP 6669599 A JP6669599 A JP 6669599A JP 2000260720 A JP2000260720 A JP 2000260720A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- segment
- wafer
- susceptor
- emissivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】コストを増大させることなく、処理中の被処理
基板の温度の均一化を図り、膜厚の均一性の向上を図
る。 【解決手段】ヒータ台３の上にサセプタ２０を介して被
処理基板１１を載置させ各種プロセス処理を行う半導体
製造装置に於いて、前記サセプタを複数のセグメント２
０ａ，２０ｂに分割し、該各セグメントの放射率をそれ
ぞれ異ならせた構成とし、前記内側のセグメントより所
要量多く前記外側のセグメントから発熱させ、前記被処
理基板の温度を均一にする。
基板の温度の均一化を図り、膜厚の均一性の向上を図
る。 【解決手段】ヒータ台３の上にサセプタ２０を介して被
処理基板１１を載置させ各種プロセス処理を行う半導体
製造装置に於いて、前記サセプタを複数のセグメント２
０ａ，２０ｂに分割し、該各セグメントの放射率をそれ
ぞれ異ならせた構成とし、前記内側のセグメントより所
要量多く前記外側のセグメントから発熱させ、前記被処
理基板の温度を均一にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置、
特にヒータ台上にサセプタを介してシリコンウェーハ等
被処理基板を載置させ各種プロセス処理を行う枚葉式半
導体製造装置に関するものである。
特にヒータ台上にサセプタを介してシリコンウェーハ等
被処理基板を載置させ各種プロセス処理を行う枚葉式半
導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置の１つである枚葉式半導
体製造装置は、真空処理室内のヒータ台上にサセプタを
介してウェーハ等被処理基板を載置させ、該被処理基板
を加熱して成膜処理等を行うものである。斯かる処理中
の前記被処理基板の温度は膜質に大きく影響し、膜質を
向上させる為には前記被処理基板を均一の温度に加熱す
ることが必要となる。
体製造装置は、真空処理室内のヒータ台上にサセプタを
介してウェーハ等被処理基板を載置させ、該被処理基板
を加熱して成膜処理等を行うものである。斯かる処理中
の前記被処理基板の温度は膜質に大きく影響し、膜質を
向上させる為には前記被処理基板を均一の温度に加熱す
ることが必要となる。
【０００３】図３及び図４に於いて、枚葉式半導体製造
装置の従来例を説明する。
装置の従来例を説明する。
【０００４】反応容器１で画成される処理室２には、ヒ
ータ台３が設けられている。該ヒータ台３は偏平なヒー
タケース４内に円板形状のヒータ保持板５と、外周縁が
該ヒータ保持板５の外周縁と合致する様該ヒータ保持板
５上に載置されるヒータ６と、前記ヒータ保持板５と前
記ヒータ６の下方及び側方を囲繞する断面凹形状の２枚
の反射板７，８（１枚又３枚以上の場合もある）とを有
している。前記ヒータ保持板５の下面中央部には下方鉛
直方向に細長円柱形状の軸９が突設され、該軸９は前記
反射板７，８、前記ヒータケース４及び反応容器１を気
密に貫通し、前記ヒータ台３は前記軸９を中心に水平回
転可能となっている。
ータ台３が設けられている。該ヒータ台３は偏平なヒー
タケース４内に円板形状のヒータ保持板５と、外周縁が
該ヒータ保持板５の外周縁と合致する様該ヒータ保持板
５上に載置されるヒータ６と、前記ヒータ保持板５と前
記ヒータ６の下方及び側方を囲繞する断面凹形状の２枚
の反射板７，８（１枚又３枚以上の場合もある）とを有
している。前記ヒータ保持板５の下面中央部には下方鉛
直方向に細長円柱形状の軸９が突設され、該軸９は前記
反射板７，８、前記ヒータケース４及び反応容器１を気
密に貫通し、前記ヒータ台３は前記軸９を中心に水平回
転可能となっている。
【０００５】前記ヒータ６は同心状に外側ヒータ６ａと
内側ヒータ６ｂとに分割されている。該外側ヒータ６ａ
の外径は後述するウェーハ１１の外径より大きく、前記
内側ヒータ６ｂの外径は後述するウェーハ１１の外径よ
り小さくなっている。
内側ヒータ６ｂとに分割されている。該外側ヒータ６ａ
の外径は後述するウェーハ１１の外径より大きく、前記
内側ヒータ６ｂの外径は後述するウェーハ１１の外径よ
り小さくなっている。
【０００６】前記ヒータ台３上には前記外側ヒータ６ａ
の外径に略等しい外径の円形形状のサセプタ１０が前記
ヒータ台３と同心に載置され、前記サセプタ１０上にウ
ェーハ１１が載置可能となっている。
の外径に略等しい外径の円形形状のサセプタ１０が前記
ヒータ台３と同心に載置され、前記サセプタ１０上にウ
ェーハ１１が載置可能となっている。
【０００７】前記処理室２で前記ウェーハ１１を加熱す
る際、前記サセプタ１０上に同心に前記ウェーハ１１を
載置し、前記外側ヒータ６ａの発熱量が前記内側ヒータ
６ｂの発熱量より多くなる様、該外側ヒータ６ａ、内側
ヒータ６ｂへの通電量を制御する。該外側ヒータ６ａ、
内側ヒータ６ｂからの発熱は前記ヒータケース４及びサ
セプタ１０を介して前記ウェーハ１１に伝達され、該ウ
ェーハ１１が加熱される。この時、前記ヒータ６から側
方及び前記ヒータ保持板５を介して下方への放熱は前記
反射板７，８により遮られ最小限に抑制される。
る際、前記サセプタ１０上に同心に前記ウェーハ１１を
載置し、前記外側ヒータ６ａの発熱量が前記内側ヒータ
６ｂの発熱量より多くなる様、該外側ヒータ６ａ、内側
ヒータ６ｂへの通電量を制御する。該外側ヒータ６ａ、
内側ヒータ６ｂからの発熱は前記ヒータケース４及びサ
セプタ１０を介して前記ウェーハ１１に伝達され、該ウ
ェーハ１１が加熱される。この時、前記ヒータ６から側
方及び前記ヒータ保持板５を介して下方への放熱は前記
反射板７，８により遮られ最小限に抑制される。
【０００８】次に、図５に於いて枚葉式半導体製造装置
の他の従来例を説明する。尚、図５中、図３及び図４中
と同等のものには同符号を付し、説明は省略する。
の他の従来例を説明する。尚、図５中、図３及び図４中
と同等のものには同符号を付し、説明は省略する。
【０００９】前記ヒータ台３上には該ヒータ台３と同心
にサセプタ１２が載置され、該サセプタ１２は円環形状
の外側セグメント１２ａと円板形状の内側セグメント１
２ｂとに分割されている。
にサセプタ１２が載置され、該サセプタ１２は円環形状
の外側セグメント１２ａと円板形状の内側セグメント１
２ｂとに分割されている。
【００１０】前記外側セグメント１２ａと内側セグメン
ト１２ｂとは同一材質製であり、前記外側セグメント１
２ａは前記外側ヒータ６ａに対応する位置に配設される
と共に前記内側セグメント１２ｂは前記内側ヒータ６ｂ
に対応する位置に配設され、前記内側セグメント１２ｂ
上に前記ウェーハ１１が載置される様になっている。
ト１２ｂとは同一材質製であり、前記外側セグメント１
２ａは前記外側ヒータ６ａに対応する位置に配設される
と共に前記内側セグメント１２ｂは前記内側ヒータ６ｂ
に対応する位置に配設され、前記内側セグメント１２ｂ
上に前記ウェーハ１１が載置される様になっている。
【００１１】前記処理室２で前記ウェーハ１１を加熱す
る際、該ウェーハ１１を前記内側セグメント１２ｂ上に
同心に載置し、前記外側ヒータ６ａの発熱量が前記内側
ヒータ６ｂの発熱量より多くなる様、前記外側ヒータ６
ａ、内側ヒータ６ｂへの通電量を制御する。前記外側ヒ
ータ６ａからの発熱は前記ヒータケース４を介して主と
して前記外側セグメント１２ａに伝達され、該外側セグ
メント１２ａからの発熱により前記ウェーハ１１の外周
空間が加熱されると共に前記内側ヒータ６ｂからの発熱
は主として前記内側セグメント１２ｂを介して前記ウェ
ーハ１１に伝達され該ウェーハ１１が加熱される。又、
前記外側ヒータ６ａ、内側ヒータ６ｂから側方及び前記
ヒータ保持板５を介して下方への放熱は前記反射板７，
８により遮られ最小限に抑制される。
る際、該ウェーハ１１を前記内側セグメント１２ｂ上に
同心に載置し、前記外側ヒータ６ａの発熱量が前記内側
ヒータ６ｂの発熱量より多くなる様、前記外側ヒータ６
ａ、内側ヒータ６ｂへの通電量を制御する。前記外側ヒ
ータ６ａからの発熱は前記ヒータケース４を介して主と
して前記外側セグメント１２ａに伝達され、該外側セグ
メント１２ａからの発熱により前記ウェーハ１１の外周
空間が加熱されると共に前記内側ヒータ６ｂからの発熱
は主として前記内側セグメント１２ｂを介して前記ウェ
ーハ１１に伝達され該ウェーハ１１が加熱される。又、
前記外側ヒータ６ａ、内側ヒータ６ｂから側方及び前記
ヒータ保持板５を介して下方への放熱は前記反射板７，
８により遮られ最小限に抑制される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】前記反応容器１の内壁
側面は前記ヒータ６に対峙しておらず、処理中、前記処
理室２の他の部分と比べて低温となるので、前記反応容
器１の内壁側面に近い前記ウェーハ１１の外周部は該ウ
ェーハ１１の中央部より放熱量が多くなる。その為、上
記した従来例ではヒータ６を外側ヒータ６ａと内側ヒー
タ６ｂとに分割し、前記外側ヒータ６ａの発熱量が前記
内側ヒータ６ｂの発熱量より多くなる様、前記外側ヒー
タ６ａ、内側ヒータ６ｂの通電量を制御している。
側面は前記ヒータ６に対峙しておらず、処理中、前記処
理室２の他の部分と比べて低温となるので、前記反応容
器１の内壁側面に近い前記ウェーハ１１の外周部は該ウ
ェーハ１１の中央部より放熱量が多くなる。その為、上
記した従来例ではヒータ６を外側ヒータ６ａと内側ヒー
タ６ｂとに分割し、前記外側ヒータ６ａの発熱量が前記
内側ヒータ６ｂの発熱量より多くなる様、前記外側ヒー
タ６ａ、内側ヒータ６ｂの通電量を制御している。
【００１３】然し、外側ヒータ６ａと内側ヒータ６ｂと
は熱的に完全に分離することは不可能であるので外側ヒ
ータ６ａと内側ヒータ６ｂとの間での熱移動は避けられ
ず、通電量を制御しても外側ヒータ６ａと内側ヒータ６
ｂの温度を所定の値に制御することは極めて困難であっ
た。
は熱的に完全に分離することは不可能であるので外側ヒ
ータ６ａと内側ヒータ６ｂとの間での熱移動は避けられ
ず、通電量を制御しても外側ヒータ６ａと内側ヒータ６
ｂの温度を所定の値に制御することは極めて困難であっ
た。
【００１４】更に、前者の従来例では、前記サセプタ１
０が前記外側ヒータ６ａ、内側ヒータ６ｂに対応して分
割されていないので、前記外側ヒータ６ａの発熱量を前
記内側ヒータ６ｂの発熱量より多くしても前記サセプタ
１０の外周部から中央部方向へ熱移動が生じ、該サセプ
タ１０の外周部と中央部間で温度差が余りつかず、前記
ウェーハ１１の外周部を充分に加熱することが困難であ
った。
０が前記外側ヒータ６ａ、内側ヒータ６ｂに対応して分
割されていないので、前記外側ヒータ６ａの発熱量を前
記内側ヒータ６ｂの発熱量より多くしても前記サセプタ
１０の外周部から中央部方向へ熱移動が生じ、該サセプ
タ１０の外周部と中央部間で温度差が余りつかず、前記
ウェーハ１１の外周部を充分に加熱することが困難であ
った。
【００１５】又、後者の従来例では、前記サセプタ１２
の外周部と中央部間で温度差をつける為、前記サセプタ
１２を前記外側ヒータ６ａ、内側ヒータ６ｂに対応させ
て分割しているが、この場合も熱的に完全に分離するこ
とはできず、サセプタ１２の外周部と中央部間での温度
差はつきにくく、更に半導体製造装置全体の大きさの制
限から前記ヒータケース４の寸法も制限されているの
で、該ヒータケース４内の前記ウェーハ１１の外周空間
に対応する位置に必要出力の前記外側ヒータ６ａを配設
することは物理的に困難であった。
の外周部と中央部間で温度差をつける為、前記サセプタ
１２を前記外側ヒータ６ａ、内側ヒータ６ｂに対応させ
て分割しているが、この場合も熱的に完全に分離するこ
とはできず、サセプタ１２の外周部と中央部間での温度
差はつきにくく、更に半導体製造装置全体の大きさの制
限から前記ヒータケース４の寸法も制限されているの
で、該ヒータケース４内の前記ウェーハ１１の外周空間
に対応する位置に必要出力の前記外側ヒータ６ａを配設
することは物理的に困難であった。
【００１６】従って、前記ウェーハ１１の外周部の加熱
量が不足し、該ウェーハ１１を均一な温度に加熱できな
い虞れがあった。
量が不足し、該ウェーハ１１を均一な温度に加熱できな
い虞れがあった。
【００１７】又、前記サセプタ１０の外周部や前記外側
セグメント１２ａからの発熱量を増加させる為、前記ヒ
ータケース４の厚さを薄くして、前記外側ヒータ６ａか
ら前記サセプタ１０，１２への伝熱効率を高めることも
行われているが、強度上薄くするにも限界があり、前記
ヒータケース４の厚さを薄くするだけで前記ウェーハ１
１の外周部の加熱量の不足を補うことは難しく、別のヒ
ータを増設することが必要となり、コストの増大等の要
因となっていた。
セグメント１２ａからの発熱量を増加させる為、前記ヒ
ータケース４の厚さを薄くして、前記外側ヒータ６ａか
ら前記サセプタ１０，１２への伝熱効率を高めることも
行われているが、強度上薄くするにも限界があり、前記
ヒータケース４の厚さを薄くするだけで前記ウェーハ１
１の外周部の加熱量の不足を補うことは難しく、別のヒ
ータを増設することが必要となり、コストの増大等の要
因となっていた。
【００１８】本発明は斯かる実情に鑑み、コストを増大
させることなく、処理中の被処理基板の温度の均一化を
図り、膜厚の均一性の向上を図るものである。
させることなく、処理中の被処理基板の温度の均一化を
図り、膜厚の均一性の向上を図るものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明は、ヒータ台の上
にサセプタを介して被処理基板を載置させ各種プロセス
処理を行う半導体製造装置に於いて、前記サセプタを複
数のセグメントに分割し、該各セグメントの放射率をそ
れぞれ異ならせた半導体製造装置に係り、又、前記サセ
プタを同心状に複数のセグメントに分割し、外側のセグ
メントの放射率を内側のセグメントの放射率より大きく
した半導体製造装置に係り、更に、前記セグメントを放
射率の異なる材質とし、該セグメントを外側に向って漸
次放射率が大きくなる様に配設した半導体製造装置に係
り、前記内側のセグメントより所要量多く前記外側のセ
グメントから発熱させ、前記被処理基板の温度を均一に
する。
にサセプタを介して被処理基板を載置させ各種プロセス
処理を行う半導体製造装置に於いて、前記サセプタを複
数のセグメントに分割し、該各セグメントの放射率をそ
れぞれ異ならせた半導体製造装置に係り、又、前記サセ
プタを同心状に複数のセグメントに分割し、外側のセグ
メントの放射率を内側のセグメントの放射率より大きく
した半導体製造装置に係り、更に、前記セグメントを放
射率の異なる材質とし、該セグメントを外側に向って漸
次放射率が大きくなる様に配設した半導体製造装置に係
り、前記内側のセグメントより所要量多く前記外側のセ
グメントから発熱させ、前記被処理基板の温度を均一に
する。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図１及び図２を参照しつつ
本発明の実施の形態を説明する。尚、図１及び図２中、
図３及び図４中と同等のものには同符号を付し、説明は
省略する。
本発明の実施の形態を説明する。尚、図１及び図２中、
図３及び図４中と同等のものには同符号を付し、説明は
省略する。
【００２１】ヒータ台３内のヒータ保持板５上にヒータ
１８が載置され、該ヒータ１８は同心状に外側ヒータ１
８ａ、内側ヒータ１８ｂに分割されている。該外側ヒー
タ１８ａと内側ヒータ１８ｂとの間には円環状に隙間１
９が形成され、該隙間１９により前記外側ヒータ１８ａ
と内側ヒータ１８ｂ間の半径方向の熱移動が不連続とな
り、ゾーン温度制御が可能となっている。又、前記外側
ヒータ１８ａの外径はウェーハ１１の外径より大きく、
前記内側ヒータ１８ｂの外径は前記ウェーハ１１の外径
より小さくなっている。
１８が載置され、該ヒータ１８は同心状に外側ヒータ１
８ａ、内側ヒータ１８ｂに分割されている。該外側ヒー
タ１８ａと内側ヒータ１８ｂとの間には円環状に隙間１
９が形成され、該隙間１９により前記外側ヒータ１８ａ
と内側ヒータ１８ｂ間の半径方向の熱移動が不連続とな
り、ゾーン温度制御が可能となっている。又、前記外側
ヒータ１８ａの外径はウェーハ１１の外径より大きく、
前記内側ヒータ１８ｂの外径は前記ウェーハ１１の外径
より小さくなっている。
【００２２】前記ヒータ台３上には該ヒータ台３と同心
にサセプタ２０が載置され、該サセプタ２０は円環形状
の外側セグメント２０ａと円板形状の内側セグメント２
０ｂとに分割されている。前記サセプタ２０の分割位置
は、例えば前記ウェーハ１１の外径より５mm程度小さい
直径の同心円であり、該外側セグメント２０ａと内側セ
グメント２０ｂとの間には円環状の隙間２１が形成され
ている。
にサセプタ２０が載置され、該サセプタ２０は円環形状
の外側セグメント２０ａと円板形状の内側セグメント２
０ｂとに分割されている。前記サセプタ２０の分割位置
は、例えば前記ウェーハ１１の外径より５mm程度小さい
直径の同心円であり、該外側セグメント２０ａと内側セ
グメント２０ｂとの間には円環状の隙間２１が形成され
ている。
【００２３】前記外側セグメント２０ａは例えば放射率
０．９の炭化硅素製で、前記内側セグメント２０ｂは例
えば放射率０．７の石英製で、前記外側セグメント２０
ａは前記内側セグメント２０ｂより放射率の大きい材質
となっている。前記外側セグメント２０ａは前記外側ヒ
ータ１８ａに対応する位置に配設されると共に前記内側
セグメント２０ｂは前記内側ヒータ１８ｂに対応する位
置に配設され、前記外側セグメント２０ａと内側セグメ
ント２０ｂ上に前記ウェーハ１１が載置可能となってい
る。
０．９の炭化硅素製で、前記内側セグメント２０ｂは例
えば放射率０．７の石英製で、前記外側セグメント２０
ａは前記内側セグメント２０ｂより放射率の大きい材質
となっている。前記外側セグメント２０ａは前記外側ヒ
ータ１８ａに対応する位置に配設されると共に前記内側
セグメント２０ｂは前記内側ヒータ１８ｂに対応する位
置に配設され、前記外側セグメント２０ａと内側セグメ
ント２０ｂ上に前記ウェーハ１１が載置可能となってい
る。
【００２４】以下、作用を説明する。
【００２５】前記ウェーハ１１を前記サセプタ２０上に
同心に載置し、前記ウェーハ１１の周縁部を前記外側セ
グメント２０ａに接触させると共に前記ウェーハ１１の
中央部を前記内側セグメント２０ｂに接触させる。前記
外側セグメント２０ａの発熱量が前記ウェーハ１１の外
周部からの放熱分を補うだけの所要量、前記内側セグメ
ント２０ｂの発熱量より多くなる様、前記外側ヒータ１
８ａ、内側ヒータ１８ｂへの通電量を制御する。
同心に載置し、前記ウェーハ１１の周縁部を前記外側セ
グメント２０ａに接触させると共に前記ウェーハ１１の
中央部を前記内側セグメント２０ｂに接触させる。前記
外側セグメント２０ａの発熱量が前記ウェーハ１１の外
周部からの放熱分を補うだけの所要量、前記内側セグメ
ント２０ｂの発熱量より多くなる様、前記外側ヒータ１
８ａ、内側ヒータ１８ｂへの通電量を制御する。
【００２６】前記外側ヒータ１８ａからの発熱は前記ヒ
ータケース４、外側セグメント２０ａを介して前記ウェ
ーハ１１の外周部に伝達され、該ウェーハ１１の外周部
が加熱されると共に前記外側セグメント２０ａからの発
熱により前記ウェーハ１１の外周空間が加熱される。
又、前記内側ヒータ１８ｂからの発熱は前記ヒータケー
ス４、内側セグメント２０ｂを介して前記ウェーハ１１
の中央部に伝達され、該ウェーハ１１の中央部が加熱さ
れる。
ータケース４、外側セグメント２０ａを介して前記ウェ
ーハ１１の外周部に伝達され、該ウェーハ１１の外周部
が加熱されると共に前記外側セグメント２０ａからの発
熱により前記ウェーハ１１の外周空間が加熱される。
又、前記内側ヒータ１８ｂからの発熱は前記ヒータケー
ス４、内側セグメント２０ｂを介して前記ウェーハ１１
の中央部に伝達され、該ウェーハ１１の中央部が加熱さ
れる。
【００２７】前記外側ヒータ１８ａと内側ヒータ１８ｂ
間の熱移動は前記隙間１９により抑制されていると共に
前記外側セグメント２０ａと内側セグメント２０ｂ間の
熱移動は前記隙間２１により抑制されており、又、前記
外側ヒータ１８ａと前記外側セグメント２０ａ及び前記
内側ヒータ１８ｂと前記内側セグメント２０ｂとはそれ
ぞれ１対１で対応しているので、前記外側ヒータ１８
ａ、内側ヒータ１８ｂへの通電量が直接前記外側セグメ
ント２０ａ、内側セグメント２０ｂの発熱量に反映され
る。但し、この場合でも外側ヒータ１８ａと内側ヒータ
１８ｂ、外側セグメント２０ａと外側セグメント２０ｂ
は熱的には完全に分離することはできないので、サセプ
タ２０の外周部と中央部間での温度差はつきにくい。本
実施の形態に於いては、更に、前記外側セグメント２０
ａは、前記内側セグメント２０ｂより放射率が大きく、
ヒータへの通電量に対するセグメントからの発熱量の比
率が前記内側セグメント２０ｂの場合より大きいので、
発熱量を所要量だけ該内側セグメント２０ｂの発熱量よ
り大きくすることが容易となる。従って、外側ヒータ１
８ａ、内側ヒータ１８ｂ及び外側セグメント２０ａと内
側セグメント２０ｂとが熱的に分離していなくても、セ
グメントの放射率の相違によって、外側セグメント２０
ａと内側セグメント２０ｂとの間の温度分布を大きくす
ることができ、前記外側セグメント２０ａ及び内側セグ
メント２０ｂからの発熱量の制御の精度を高めることが
でき、制御性が向上する。
間の熱移動は前記隙間１９により抑制されていると共に
前記外側セグメント２０ａと内側セグメント２０ｂ間の
熱移動は前記隙間２１により抑制されており、又、前記
外側ヒータ１８ａと前記外側セグメント２０ａ及び前記
内側ヒータ１８ｂと前記内側セグメント２０ｂとはそれ
ぞれ１対１で対応しているので、前記外側ヒータ１８
ａ、内側ヒータ１８ｂへの通電量が直接前記外側セグメ
ント２０ａ、内側セグメント２０ｂの発熱量に反映され
る。但し、この場合でも外側ヒータ１８ａと内側ヒータ
１８ｂ、外側セグメント２０ａと外側セグメント２０ｂ
は熱的には完全に分離することはできないので、サセプ
タ２０の外周部と中央部間での温度差はつきにくい。本
実施の形態に於いては、更に、前記外側セグメント２０
ａは、前記内側セグメント２０ｂより放射率が大きく、
ヒータへの通電量に対するセグメントからの発熱量の比
率が前記内側セグメント２０ｂの場合より大きいので、
発熱量を所要量だけ該内側セグメント２０ｂの発熱量よ
り大きくすることが容易となる。従って、外側ヒータ１
８ａ、内側ヒータ１８ｂ及び外側セグメント２０ａと内
側セグメント２０ｂとが熱的に分離していなくても、セ
グメントの放射率の相違によって、外側セグメント２０
ａと内側セグメント２０ｂとの間の温度分布を大きくす
ることができ、前記外側セグメント２０ａ及び内側セグ
メント２０ｂからの発熱量の制御の精度を高めることが
でき、制御性が向上する。
【００２８】前記ウェーハ１１の外周部は中央部に比べ
て前記処理室２の低温域である反応容器１の内壁側面に
近接しているが、前記外側セグメント２０ａからの発熱
量が前記内側セグメント２０ｂからの発熱量より多く、
前記ウェーハ１１の外周部からの放熱分を補うことがで
きるので、該ウェーハ１１の外周部の放熱による温度低
下は抑止され、該ウェーハ１１の温度の均一化を図るこ
とができる。
て前記処理室２の低温域である反応容器１の内壁側面に
近接しているが、前記外側セグメント２０ａからの発熱
量が前記内側セグメント２０ｂからの発熱量より多く、
前記ウェーハ１１の外周部からの放熱分を補うことがで
きるので、該ウェーハ１１の外周部の放熱による温度低
下は抑止され、該ウェーハ１１の温度の均一化を図るこ
とができる。
【００２９】尚、上記実施の形態に於いては、前記サセ
プタ２０を前記外側セグメント２０ａと内側セグメント
２０ｂとに２分割しているが、３分割以上であってもよ
く、又、前記外側セグメント２０ａと内側セグメント２
０ｂの形状は前述した形状に限るものではない。
プタ２０を前記外側セグメント２０ａと内側セグメント
２０ｂとに２分割しているが、３分割以上であってもよ
く、又、前記外側セグメント２０ａと内側セグメント２
０ｂの形状は前述した形状に限るものではない。
【００３０】更に、前記ヒータ１８は分割せずに一体型
としてもよい。
としてもよい。
【００３１】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、外側セ
グメント及び内側セグメントからの発熱量の制御の精度
を高め、被処理基板の外周部からの放熱分を補う様、前
記内側セグメントより所要量多く前記外側セグメントか
ら発熱する様ヒータを制御することができるので処理中
の被処理基板の温度の均一化が図れ、膜厚の均一化の向
上を図ることが可能となる。
グメント及び内側セグメントからの発熱量の制御の精度
を高め、被処理基板の外周部からの放熱分を補う様、前
記内側セグメントより所要量多く前記外側セグメントか
ら発熱する様ヒータを制御することができるので処理中
の被処理基板の温度の均一化が図れ、膜厚の均一化の向
上を図ることが可能となる。
【図１】本発明の実施の形態を示す断面図である。
【図２】該実施の形態を示す斜視図である。
【図３】従来例を示す断面図である。
【図４】従来例を示す斜視図である。
【図５】他の従来例を示す断面図である。
３ ヒータ台 １１ ウェーハ １８ ヒータ １８ａ 外側ヒータ １８ｂ 内側ヒータ ２０ サセプタ ２０ａ 外側セグメント ２０ｂ 内側セグメント
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 島田 真一 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 宮田 敏光 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 Ｆターム(参考） 5F004 AA01 BA19 BB18 BB26 BC08 BD04 5F045 BB02 DP02 EK07 EK22 EM02 EM09
Claims (3)
- 【請求項１】 ヒータ台の上にサセプタを介して被処理
基板を載置させ各種プロセス処理を行う半導体製造装置
に於いて、前記サセプタを複数のセグメントに分割し、
該各セグメントの放射率をそれぞれ異ならせたことを特
徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記サセプタを同心状に複数のセグメン
トに分割し、外側のセグメントの放射率を内側のセグメ
ントの放射率より大きくした請求項１の半導体製造装
置。 - 【請求項３】 前記セグメントを放射率の異なる材質と
し、該セグメントを外側に向って漸次放射率が大きくな
る様に配設した請求項１の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11066695A JP2000260720A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11066695A JP2000260720A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000260720A true JP2000260720A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13323344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11066695A Pending JP2000260720A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000260720A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007018157A1 (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置およびそれに用いる基板載置台 |
| JP2007329423A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Tokki Corp | 基板加熱装置及び基板加熱方法 |
| JP2009170676A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Toshiba Corp | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 |
| WO2016056338A1 (ja) * | 2014-10-06 | 2016-04-14 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板載置台および半導体装置の製造方法 |
| JP2016096341A (ja) * | 2002-04-02 | 2016-05-26 | ラム リサーチ コーポレイション | 調整可能な静電チャックのための可変温度方法 |
| JP2019096764A (ja) * | 2017-11-24 | 2019-06-20 | 昭和電工株式会社 | ＳｉＣエピタキシャル成長装置 |
| CN114959658A (zh) * | 2021-02-24 | 2022-08-30 | 中国科学院微电子研究所 | 一种加热装置及化学气相沉积设备 |
-
1999
- 1999-03-12 JP JP11066695A patent/JP2000260720A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016096341A (ja) * | 2002-04-02 | 2016-05-26 | ラム リサーチ コーポレイション | 調整可能な静電チャックのための可変温度方法 |
| WO2007018157A1 (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置およびそれに用いる基板載置台 |
| JP2007329423A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Tokki Corp | 基板加熱装置及び基板加熱方法 |
| JP2009170676A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Toshiba Corp | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 |
| WO2016056338A1 (ja) * | 2014-10-06 | 2016-04-14 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板載置台および半導体装置の製造方法 |
| JP2019096764A (ja) * | 2017-11-24 | 2019-06-20 | 昭和電工株式会社 | ＳｉＣエピタキシャル成長装置 |
| JP7012518B2 (ja) | 2017-11-24 | 2022-01-28 | 昭和電工株式会社 | ＳｉＣエピタキシャル成長装置 |
| CN114959658A (zh) * | 2021-02-24 | 2022-08-30 | 中国科学院微电子研究所 | 一种加热装置及化学气相沉积设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6617247B2 (en) | Method of processing a semiconductor wafer in a reaction chamber with a rotating component | |
| US5059770A (en) | Multi-zone planar heater assembly and method of operation | |
| JP5395810B2 (ja) | 基板支持ユニット、基板処理装置、及び基板支持ユニットを製造する方法 | |
| JP2002158178A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2004533117A (ja) | 基板サポートアセンブリと基板処理用装置 | |
| JP2009283904A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| TW202020240A (zh) | 燈頭中的多分區燈控制和單獨燈控制 | |
| TW200302525A (en) | Thermal treatment apparatus and thermal treatment method | |
| JPH0845863A (ja) | 半導体基板の枚葉式熱処理装置 | |
| JP2010028098A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| JP2000260720A (ja) | 半導体製造装置 | |
| US5985089A (en) | Plasma etch system | |
| JPH0590165A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2002124479A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| KR100375396B1 (ko) | 준고온벽을갖춘반응챔버 | |
| JPH07201753A (ja) | 薄膜製造方法およびその装置 | |
| JPH06151322A (ja) | 薄膜製造装置用加熱装置 | |
| JP2000164588A (ja) | 基板加熱方法及び装置 | |
| JP4210060B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH0338029A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2565156Y2 (ja) | 半導体製造装置及びそのウェーハ置台 | |
| JPH01256118A (ja) | 気相反応装置 | |
| JP6622597B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0461117A (ja) | 枚葉式ｃｖｄ装置 | |
| JP2984952B2 (ja) | 成膜処理装置 |