JP2579399B2 - セラミック静電チャック - Google Patents
セラミック静電チャックInfo
- Publication number
- JP2579399B2 JP2579399B2 JP3515069A JP51506991A JP2579399B2 JP 2579399 B2 JP2579399 B2 JP 2579399B2 JP 3515069 A JP3515069 A JP 3515069A JP 51506991 A JP51506991 A JP 51506991A JP 2579399 B2 JP2579399 B2 JP 2579399B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- electrostatic
- layer
- pattern
- electrostatic chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S269/00—Work holders
- Y10S269/903—Work holder for electrical circuit assemblages or wiring systems
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T279/00—Chucks or sockets
- Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [技術分野] 本発明は、半導体の製造においてウェーハを締め付け
るために利用されるチャックに関し、詳しくは広い温度
範囲にわたって作動可能なセラミック静電チャックに関
する。
るために利用されるチャックに関し、詳しくは広い温度
範囲にわたって作動可能なセラミック静電チャックに関
する。
[背景技術] 静電チャックは、半導体ウェーハを製造工程中に締め
付けるために、半導体の分野で広範囲に使用されている
装置である。このチャックを使用すれば、しばしば不格
好で処理チャンバ内に汚染物質を導入する機械式締付け
機構が不要になる。従来の技術で使用される典型的な静
電チャックは、米国特許第4184188号、第4384918号、第
4724510号、及び第4665463号に出ている。
付けるために、半導体の分野で広範囲に使用されている
装置である。このチャックを使用すれば、しばしば不格
好で処理チャンバ内に汚染物質を導入する機械式締付け
機構が不要になる。従来の技術で使用される典型的な静
電チャックは、米国特許第4184188号、第4384918号、第
4724510号、及び第4665463号に出ている。
米国特許第4184188号明細書は、シリコーン・ゴム層
の間に配置され、水冷式ベースに取り付けられたアルミ
ニウム板で支持された、交互嵌合式分極電極を有する静
電チャックを開示している。加工中のウェーハはシリコ
ーン・ゴム層の上面に置かれ、下にある電極によって発
生する磁界によって締め付けられる。同特許はまた、ア
ルミニウム電極がアルミナ支持体上に配置され、酸化に
よって絶縁される、代替実施例を開示している。電極構
造は、「水冷板」によって「機械的に、かつ良好な熱伝
導性をもって」固定される。
の間に配置され、水冷式ベースに取り付けられたアルミ
ニウム板で支持された、交互嵌合式分極電極を有する静
電チャックを開示している。加工中のウェーハはシリコ
ーン・ゴム層の上面に置かれ、下にある電極によって発
生する磁界によって締め付けられる。同特許はまた、ア
ルミニウム電極がアルミナ支持体上に配置され、酸化に
よって絶縁される、代替実施例を開示している。電極構
造は、「水冷板」によって「機械的に、かつ良好な熱伝
導性をもって」固定される。
米国特許第4384918号明細書は、アルミニウム締付け
電極がポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ま
たはシリコーン・ゴムによって絶縁されている、静電チ
ャックを開示している。電極は、水冷式支持ベースまた
は加熱支持ベースによって支持される。
電極がポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ま
たはシリコーン・ゴムによって絶縁されている、静電チ
ャックを開示している。電極は、水冷式支持ベースまた
は加熱支持ベースによって支持される。
米国特許第4724510号明細書は、締付け電極が半導体
ウェーハ上に配置され、CVD酸化物、ポリイミド、また
は適当なガラスによって絶縁されている、静電チャック
を開示している。クランプは「導電性支持体」によって
支持される。
ウェーハ上に配置され、CVD酸化物、ポリイミド、また
は適当なガラスによって絶縁されている、静電チャック
を開示している。クランプは「導電性支持体」によって
支持される。
米国特許第4665463号明細書は、中心の円形締付け電
極が、粒状のアルミナまたは雲母を加えたアラルダイト
などのエポキシ樹脂層によって絶縁されている、静電チ
ャックを開示している。中心電極は、加工中のウェーハ
のヒート・シンクとしても役立つ。
極が、粒状のアルミナまたは雲母を加えたアラルダイト
などのエポキシ樹脂層によって絶縁されている、静電チ
ャックを開示している。中心電極は、加工中のウェーハ
のヒート・シンクとしても役立つ。
上述の静電チャックはすべて、不確定の冷却用「支持
体」によって支持された絶縁された電極を有する。しか
し、これらのチャックやその他の既知のチャックには、
電気絶縁体用に利用される材料の熱膨張特性が、冷却用
支持体用に利用される材料と大幅に異なるという問題が
ある。したがって、これらのチャックを、広範囲に変化
する温度サイクルにかけると、異なる材料間で分離が発
生する。その結果、チャックは非常に狭い温度範囲内で
しか利用できず、そのため各チャックの選択的製造工程
への適用が制限される。この制限の範囲内でさえ、これ
らのチャックは短い寿命、低い信頼性、及びコスト高と
いう欠点を有する。これらのチャックは製造ラインにお
ける「動作不能時間」の主な原因となるので、これらの
問題は増幅される。
体」によって支持された絶縁された電極を有する。しか
し、これらのチャックやその他の既知のチャックには、
電気絶縁体用に利用される材料の熱膨張特性が、冷却用
支持体用に利用される材料と大幅に異なるという問題が
ある。したがって、これらのチャックを、広範囲に変化
する温度サイクルにかけると、異なる材料間で分離が発
生する。その結果、チャックは非常に狭い温度範囲内で
しか利用できず、そのため各チャックの選択的製造工程
への適用が制限される。この制限の範囲内でさえ、これ
らのチャックは短い寿命、低い信頼性、及びコスト高と
いう欠点を有する。これらのチャックは製造ラインにお
ける「動作不能時間」の主な原因となるので、これらの
問題は増幅される。
したがって、上述の欠点を克服する静電チャックが強
く望まれる。
く望まれる。
[発明の開示] 本発明の1つの目的は、広範囲に変化する温度サイク
ルにわたって利用可能な、改良された静電チャックを提
供することである。
ルにわたって利用可能な、改良された静電チャックを提
供することである。
本発明の他の目的は、ウェーハへの電気的接触を必要
とせずにウェーハを締め付ける、改良された静電チャッ
クを提供することである。
とせずにウェーハを締め付ける、改良された静電チャッ
クを提供することである。
本発明の他の目的は、優れた伝熱能力を有する改良さ
れた静電チャックを提供することである。
れた静電チャックを提供することである。
本発明によれば、改良された静電半導体チャックは、
多層セラミック(MLC)支持構造体に接着された多層セ
ラミック(MLC)基板上に配置された導電性静電パター
ンを含む。ヒート・シンク・ベースが全体構造を支持
し、MLC絶縁層が静電金属パターンの上面に置かれ、ウ
ェーハを金属パターンと接触しないように分離する。
多層セラミック(MLC)支持構造体に接着された多層セ
ラミック(MLC)基板上に配置された導電性静電パター
ンを含む。ヒート・シンク・ベースが全体構造を支持
し、MLC絶縁層が静電金属パターンの上面に置かれ、ウ
ェーハを金属パターンと接触しないように分離する。
本発明によって、広く変化する温度範囲を伴う様々な
製造工程で使用可能な、連動チャックが提供される。こ
れは軽量で、製造が容易である。さらに、本発明による
製品は例外的な平坦度仕様の範囲内で製造することがで
き、このために最小の電力で優れた締付け力が得られ
る。
製造工程で使用可能な、連動チャックが提供される。こ
れは軽量で、製造が容易である。さらに、本発明による
製品は例外的な平坦度仕様の範囲内で製造することがで
き、このために最小の電力で優れた締付け力が得られ
る。
本発明の上記及びその他の目的、特徴、及び利点は、
図面に示した本発明の実施例の詳細な説明に照らせばさ
らに明らかになろう。
図面に示した本発明の実施例の詳細な説明に照らせばさ
らに明らかになろう。
[図面の簡単な説明] 第1図は、本発明による静電チャックの第1実施例の
分解断面図である。
分解断面図である。
第2図は、本発明による静電チャックの第1実施例の
分解斜視図である。
分解斜視図である。
第3図は、本発明による静電チャックの金属パターン
層の上面図である。
層の上面図である。
第4図は、本発明による静電チャックの第2実施例の
分解断面図である。
分解断面図である。
[発明の好ましい実施例] 本発明では、従来技術で周知の多層セラミック(ML
C)パッケージ・テクノロジーを利用する。MLCテクノロ
ジーに関する教示は、本出願人の所有する米国特許第35
18756号、第3838204号、第4080414号、第4234367号、第
4430365号、第4677254号、及び第4799983号に出てい
る。これらの特許明細書を参照により本明細書に合体す
る。これらの特許を以下では総称して「MLC特許」と呼
ぶ。
C)パッケージ・テクノロジーを利用する。MLCテクノロ
ジーに関する教示は、本出願人の所有する米国特許第35
18756号、第3838204号、第4080414号、第4234367号、第
4430365号、第4677254号、及び第4799983号に出てい
る。これらの特許明細書を参照により本明細書に合体す
る。これらの特許を以下では総称して「MLC特許」と呼
ぶ。
第1図を参照すると、本発明の第1実施例による静電
チャックは、上部絶縁層10を有し、この上部絶縁層に、
加工中の半導体ウェーハ(図示せず)が締め付けられ
る。
チャックは、上部絶縁層10を有し、この上部絶縁層に、
加工中の半導体ウェーハ(図示せず)が締め付けられ
る。
上部絶縁層10は、導電性静電パターン16が上面に配置
された多層セラミック(MLC)基板14からなる、静電パ
ターン層12の上面に配置されている。金属バイアすなわ
ちバイア線18が基板14を貫通して延び、電気エネルギー
を静電パターン16に伝える手段となる。基板14の製造
は、前記のMLC特許の教示に従って行われる。簡単に言
えば、構造10、14、20は熱と圧力で接着された複数のセ
ラミック「グリーン・シート」から製造される。各「グ
リーン・シート」は、その中に複数の金属バイアが作成
されている。MLC製造の結果、電気エネルギーを導電性
パターン16に伝えるための金属バイア24がその中を貫通
して延びる、比較的薄いセラミック・ブロックすなわち
基板22が得られる。MLC製造工程では、基板14、22を貫
通して延びその上に僅かにはみ出した金属バイア18、24
が得られ、これによって本発明による各部分12、20、30
の間を相互接続する便利な手段が提供されることに留意
されたい。
された多層セラミック(MLC)基板14からなる、静電パ
ターン層12の上面に配置されている。金属バイアすなわ
ちバイア線18が基板14を貫通して延び、電気エネルギー
を静電パターン16に伝える手段となる。基板14の製造
は、前記のMLC特許の教示に従って行われる。簡単に言
えば、構造10、14、20は熱と圧力で接着された複数のセ
ラミック「グリーン・シート」から製造される。各「グ
リーン・シート」は、その中に複数の金属バイアが作成
されている。MLC製造の結果、電気エネルギーを導電性
パターン16に伝えるための金属バイア24がその中を貫通
して延びる、比較的薄いセラミック・ブロックすなわち
基板22が得られる。MLC製造工程では、基板14、22を貫
通して延びその上に僅かにはみ出した金属バイア18、24
が得られ、これによって本発明による各部分12、20、30
の間を相互接続する便利な手段が提供されることに留意
されたい。
静電パターン16は、対称的に分布するパターンの形の
2つの等面積の導電性材料からなる。このパターンは、
幅約0.75mmの導電性「ストリップ」を約0.25mmの間隔で
交互に配列することによって形成される。各導電性「ス
トリップ」には、交互に反対の直流電位が印加され、こ
れによって交互の導電性「ストリップ」間に静電容量が
生じる。導電性パターン16については、後で第4図に示
し、さらに詳しく説明する。多層セラミック基板14上に
導電性パターン16を形成するための教示は、前掲の米国
特許第3838204号及び第4234367号明細書に出ている。
2つの等面積の導電性材料からなる。このパターンは、
幅約0.75mmの導電性「ストリップ」を約0.25mmの間隔で
交互に配列することによって形成される。各導電性「ス
トリップ」には、交互に反対の直流電位が印加され、こ
れによって交互の導電性「ストリップ」間に静電容量が
生じる。導電性パターン16については、後で第4図に示
し、さらに詳しく説明する。多層セラミック基板14上に
導電性パターン16を形成するための教示は、前掲の米国
特許第3838204号及び第4234367号明細書に出ている。
絶縁層10用の好ましい材料は、前記のMLC特許の教示
に従って製造されたMLCである。しかし、多層セラミッ
クに匹敵する熱機械的特性(すなわち熱膨張率及び熱伝
導率)を有する他の電気絶縁性熱伝導性誘電体材料も利
用できる。これらの材料には、例えばポリイミド、アル
ミナ、石英、ダイヤモンドのコーティングが含まれる。
もちろん、どの材料を利用するかの選択は、温度、エッ
チング剤、及びチャックがさらされる処理環境によって
支配される。多層セラミック以外の材料を層に使用する
場合、絶縁層10を製造するには2つの好ましい方法があ
る。第1の方法は、MLC特許に従った方法でMLC基板を静
電パターン層20の上面に接着し、次いで絶縁層10をMLC
の上面に接着して、静電パターン層20を覆うものであ
る。第2の方法は、MLC特許に従った方法でMLC基板を静
電パターン層20の上面に接着し、次いでMLC基板を研磨
しラップ仕上げして静電パターン16を露出させ、パター
ンの導電性ストリップ間のセラミックで充てんされた領
域はそのまま残し、次いで絶縁層10を静電パターン層20
の上面に接着するものである。絶縁層10を製造するため
のこれら2通りの方法は、本発明のチャック製造の最終
段階で完了すべきである。というのは、後で詳しく述べ
るように、チャックの他の部分を完成するために利用す
る温度が高くなるからである。
に従って製造されたMLCである。しかし、多層セラミッ
クに匹敵する熱機械的特性(すなわち熱膨張率及び熱伝
導率)を有する他の電気絶縁性熱伝導性誘電体材料も利
用できる。これらの材料には、例えばポリイミド、アル
ミナ、石英、ダイヤモンドのコーティングが含まれる。
もちろん、どの材料を利用するかの選択は、温度、エッ
チング剤、及びチャックがさらされる処理環境によって
支配される。多層セラミック以外の材料を層に使用する
場合、絶縁層10を製造するには2つの好ましい方法があ
る。第1の方法は、MLC特許に従った方法でMLC基板を静
電パターン層20の上面に接着し、次いで絶縁層10をMLC
の上面に接着して、静電パターン層20を覆うものであ
る。第2の方法は、MLC特許に従った方法でMLC基板を静
電パターン層20の上面に接着し、次いでMLC基板を研磨
しラップ仕上げして静電パターン16を露出させ、パター
ンの導電性ストリップ間のセラミックで充てんされた領
域はそのまま残し、次いで絶縁層10を静電パターン層20
の上面に接着するものである。絶縁層10を製造するため
のこれら2通りの方法は、本発明のチャック製造の最終
段階で完了すべきである。というのは、後で詳しく述べ
るように、チャックの他の部分を完成するために利用す
る温度が高くなるからである。
絶縁層10の厚さは2つの要素に依存することに留意さ
れたい。第1に、厚さは、ウェーハを十分に締め付ける
のに不当に高い電圧が必要になるほど大きくてはならな
い。好ましい実施例では、完成した絶縁層10の厚さは約
0.05mmである。この特定の厚さは、MLC処理の後に層を
研磨しラップ仕上げすることによって得られる。厚さが
0.25mmを越える絶縁層では、ウェーハを十分に締め付け
るのに非実用的な電圧が必要となることがわかった。第
2に、この厚さは、交互の導電性「ストリップ」間の間
隔より小さくなければならない。そうしないと、ウェー
ハ締付けに必要な電圧で、パターン16の隣接する導電性
ストリップ間に誘電破壊が発生する。
れたい。第1に、厚さは、ウェーハを十分に締め付ける
のに不当に高い電圧が必要になるほど大きくてはならな
い。好ましい実施例では、完成した絶縁層10の厚さは約
0.05mmである。この特定の厚さは、MLC処理の後に層を
研磨しラップ仕上げすることによって得られる。厚さが
0.25mmを越える絶縁層では、ウェーハを十分に締め付け
るのに非実用的な電圧が必要となることがわかった。第
2に、この厚さは、交互の導電性「ストリップ」間の間
隔より小さくなければならない。そうしないと、ウェー
ハ締付けに必要な電圧で、パターン16の隣接する導電性
ストリップ間に誘電破壊が発生する。
静電パターン層12は、前記のMLC特許に従って製造さ
れたMLC材料22からなるMLC支持体20の上面に配置されて
いる。MLC支持体20には、静電パターン層12の金属バイ
ア18に電気エネルギーを伝えるための金属バイア24が、
それを貫通して配置されている。
れたMLC材料22からなるMLC支持体20の上面に配置されて
いる。MLC支持体20には、静電パターン層12の金属バイ
ア18に電気エネルギーを伝えるための金属バイア24が、
それを貫通して配置されている。
MLC支持体20は、熱伝導性のブロックすなわち基板32
からなるヒート・シンク・ベース30の上面に配置され、
ベース30の底部からMLC支持体20の金属バイア24への電
気的接触を容易にするためのクリアランス・ホール34が
それを貫通して延びる。ヒート・シンク・ベース30に
は、チャック8から熱を運び去るための冷却液を循環さ
せるためのチャネル36も設けられている。
からなるヒート・シンク・ベース30の上面に配置され、
ベース30の底部からMLC支持体20の金属バイア24への電
気的接触を容易にするためのクリアランス・ホール34が
それを貫通して延びる。ヒート・シンク・ベース30に
は、チャック8から熱を運び去るための冷却液を循環さ
せるためのチャネル36も設けられている。
ヒート・シンク・ベース30の材料はMLC基板22、14、1
0の熱膨脹率に合致しなければならないので、その選択
は重要である。コバール、すなわち鉄/ニッケル/コバ
ルト合金(29Ni/17Co/53Fe)は、その熱膨張特性がMLC
構造の熱膨張特性と合致し、かつ良好な熱伝導体である
ので、この目的に使用するのに好ましい材料である。コ
バールはウェスティングハウス・エレクトリック社の登
録商標である。
0の熱膨脹率に合致しなければならないので、その選択
は重要である。コバール、すなわち鉄/ニッケル/コバ
ルト合金(29Ni/17Co/53Fe)は、その熱膨張特性がMLC
構造の熱膨張特性と合致し、かつ良好な熱伝導体である
ので、この目的に使用するのに好ましい材料である。コ
バールはウェスティングハウス・エレクトリック社の登
録商標である。
絶縁層10、静電パターン層12、及び支持体20は、前記
のMLC特許に従って互いに接着される。好ましい実施例
では、接着前には、絶縁層10の厚さは約0.28mm、静電パ
ターン層12の厚さは0.28mm、MLC支持体20の厚さは約1.5
0mmである。これらの層の寸法はその後MLC加工中に収縮
する。
のMLC特許に従って互いに接着される。好ましい実施例
では、接着前には、絶縁層10の厚さは約0.28mm、静電パ
ターン層12の厚さは0.28mm、MLC支持体20の厚さは約1.5
0mmである。これらの層の寸法はその後MLC加工中に収縮
する。
ろう付けは、ヒート・シンク30を支持体20の底部に接
着する好ましい方法である。これは、金の接触パッドを
各接着面上に付着し、部品を互いに組み立て、組立品を
ろう付け炉中で約850℃で約30分間加熱することによっ
て行う。支持体20をヒート・シンク30にろう付けする前
に、部分10、12、20を互いに接着しなければならない。
支持体20をヒート・シンク30に接着または取り付けるた
めの他の技法も利用できるが、ろう付けは優れた熱膨張
特性及び熱伝達特性をもたらすことがわかったことに留
意されたい。
着する好ましい方法である。これは、金の接触パッドを
各接着面上に付着し、部品を互いに組み立て、組立品を
ろう付け炉中で約850℃で約30分間加熱することによっ
て行う。支持体20をヒート・シンク30にろう付けする前
に、部分10、12、20を互いに接着しなければならない。
支持体20をヒート・シンク30に接着または取り付けるた
めの他の技法も利用できるが、ろう付けは優れた熱膨張
特性及び熱伝達特性をもたらすことがわかったことに留
意されたい。
第2図を参照すると、本発明の第1実施例の静電チャ
ックは、上部絶縁層10、導電性パターン16がその上面に
配置された静電パターン層12、支持体20、及びヒート・
シンク30を含む。電気エネルギーを導電性パターン16に
伝えるための金属バイア線18、24が、層12と支持体20を
貫通して配置されている。ヒート・シンク・ベース30
は、ベース30の底部からバイア線24への電気的接触を容
易にするためのクリアランス・ホール34を有する。
ックは、上部絶縁層10、導電性パターン16がその上面に
配置された静電パターン層12、支持体20、及びヒート・
シンク30を含む。電気エネルギーを導電性パターン16に
伝えるための金属バイア線18、24が、層12と支持体20を
貫通して配置されている。ヒート・シンク・ベース30
は、ベース30の底部からバイア線24への電気的接触を容
易にするためのクリアランス・ホール34を有する。
第2図の構造は、セラミック・グリーン・シートが正
方形であるので、正方形状を有している。しかし、前述
の接着段階やろう付け段階の前に、機械加工や切削によ
ってこの構造を異なる形状にすることができることに留
意されたい。特に、締め付けられるウェーハの形状に合
わせて円形の静電チャックを形成するのが望ましいこと
がある。
方形であるので、正方形状を有している。しかし、前述
の接着段階やろう付け段階の前に、機械加工や切削によ
ってこの構造を異なる形状にすることができることに留
意されたい。特に、締め付けられるウェーハの形状に合
わせて円形の静電チャックを形成するのが望ましいこと
がある。
第3図を参照すると、静電パターン層12上に配置され
た導電性パターン16は、対称形に分布するパターンとし
て形成された2つの等面積の導体から構成されている。
パターン16は最小ストリップ間距離で最大量のストリッ
プを有し、かつ適切な厚さの絶縁層10を維持することが
好ましい。導電性材料は、前記のMLC特許、特に米国特
許第3838204号及び第4234367号で教示される、いくつか
の導電性材料のうちのどれでもよい。しかし、利用され
る材料は、パターンが基板から分離しないように、静電
パターン層基板14の材料に近い熱伝導率を持たなければ
ならない。例えば、モリブデンはこれに適した材料であ
ることがわかっている。
た導電性パターン16は、対称形に分布するパターンとし
て形成された2つの等面積の導体から構成されている。
パターン16は最小ストリップ間距離で最大量のストリッ
プを有し、かつ適切な厚さの絶縁層10を維持することが
好ましい。導電性材料は、前記のMLC特許、特に米国特
許第3838204号及び第4234367号で教示される、いくつか
の導電性材料のうちのどれでもよい。しかし、利用され
る材料は、パターンが基板から分離しないように、静電
パターン層基板14の材料に近い熱伝導率を持たなければ
ならない。例えば、モリブデンはこれに適した材料であ
ることがわかっている。
第4図を参照すると、本発明の第2実施例による静電
チャック90は、静電パターン層94の上面に配置された絶
縁層92を含む。静電パターン層94は多層セラミック基板
96からなり、多層セラミック基板96は、その上に導電性
静電パターン98が配置され、またそれを貫通して静電パ
ターン98に接続された導電性バイア100が延びる。静電
パターン層94は、コバール基板104からなるヒート・シ
ンク・ベース102上に配置され、コバール基板104は、そ
の中に冷却液を循環させるための冷却チャネル106が機
械加工され、かつそれを貫通して導電性バイア100にア
クセスするためのクリアランス・ホール108が延びる。
層94、92は、前記のMLC特許の教示を利用して製造し接
着される。金の接触パッド110を各接着面上に付着し、
部品を互いに組み立て、組立品をろう付け炉中で加熱す
ることによって、静電パターン層94をヒート・シンク・
ベース102にろう付けする。
チャック90は、静電パターン層94の上面に配置された絶
縁層92を含む。静電パターン層94は多層セラミック基板
96からなり、多層セラミック基板96は、その上に導電性
静電パターン98が配置され、またそれを貫通して静電パ
ターン98に接続された導電性バイア100が延びる。静電
パターン層94は、コバール基板104からなるヒート・シ
ンク・ベース102上に配置され、コバール基板104は、そ
の中に冷却液を循環させるための冷却チャネル106が機
械加工され、かつそれを貫通して導電性バイア100にア
クセスするためのクリアランス・ホール108が延びる。
層94、92は、前記のMLC特許の教示を利用して製造し接
着される。金の接触パッド110を各接着面上に付着し、
部品を互いに組み立て、組立品をろう付け炉中で加熱す
ることによって、静電パターン層94をヒート・シンク・
ベース102にろう付けする。
前記の第2実施例は、前に第1図に関して説明した実
施例に類似しているが、静電パターン層94が十分に厚い
ので、多層支持体(第1図の参照番号20)が必要でない
という点が異なるだけである。したがって層94は、ヒー
ト・シンク・ベース102に適切に接着するのに十分な機
械的安定性を有する。
施例に類似しているが、静電パターン層94が十分に厚い
ので、多層支持体(第1図の参照番号20)が必要でない
という点が異なるだけである。したがって層94は、ヒー
ト・シンク・ベース102に適切に接着するのに十分な機
械的安定性を有する。
本発明を、その例示的実施例に関して図示し説明した
が、本発明の意図及び範囲を逸脱することなく、本発明
に前記及びその他の様々な変更、省略、及び追加が可能
であることを、当業者は理解するであろう。
が、本発明の意図及び範囲を逸脱することなく、本発明
に前記及びその他の様々な変更、省略、及び追加が可能
であることを、当業者は理解するであろう。
フロントページの続き (72)発明者 トンプキンス、ロバート、エリイ アメリカ合衆国ニューヨーク州プレゼン ト・ヴァレイ、ホワイトフォード・ドラ イブ (番地なし) (72)発明者 ウエスターフィルド、ロバート、ピイー ター、ジュニア アメリカ合衆国ニューヨーク州モントゴ メリイ、ワシントン・アヴェニュー90 (56)参考文献 特開 昭62−193141(JP,A) 特開 昭63−257481(JP,A)
Claims (18)
- 【請求項1】上部から底部に向かって 電気絶縁性かつ熱伝導性である絶縁層と、 静電力を発生させるための導電性パターンがその上面に
配置され、電気エネルギーを前記導電性パターンに伝え
るための第1導電性バイアがそれを貫通して配置され
た、多層セラミック静電パターン層と、 電気エネルギーを前記の第1バイアに伝えるための第2
導電性バイアがそれを貫通して配置された、多層セラミ
ック支持体と、 前記の第2バイアにアクセスするためのアクセス・ホー
ルがそれを貫通して設けられた、鉄/ニッケル/コバル
ト合金から成るヒート・シンク・ベースと を含む、半導体ウェーハを締め付けるための静電チャッ
ク。 - 【請求項2】前記ヒート・シンク・ベースがさらに、冷
媒を循環させるための冷却チャネルを含むことを特徴と
する、請求項1に記載の半導体ウェーハを締め付けるた
めの静電チャック。 - 【請求項3】前記絶縁層が多層セラミックから成ること
を特徴とする、請求項1に記載の半導体ウェーハを締め
付けるための静電チャック。 - 【請求項4】前記絶縁層がポリイミドから成ることを特
徴とする、請求項1に記載の半導体ウェーハを締め付け
るための静電チャック。 - 【請求項5】前記絶縁層がアルミナから成ることを特徴
とする、請求項1に記載の半導体ウェーハを締め付ける
ための静電チャック。 - 【請求項6】前記絶縁層が石英から成ることを特徴とす
る、請求項1に記載の半導体ウェーハを締め付けるため
の静電チャック。 - 【請求項7】前記絶縁層がダイヤモンドから成ることを
特徴とする、請求項1に記載の半導体ウェーハを締め付
けるための静電チャック。 - 【請求項8】前記導電性パターンが複数の交互に配列さ
れた導電性ストリップからなり、各導雷性ストリップ
に、隣接するストリップの直流電位とは反対の直流電位
が印加されることを特徴とする、請求項1に記載の半導
体ウェーハを締め付けるための静電チャック。 - 【請求項9】前記の導電性パターンがモリブデンから成
ることを特徴とする、請求項1に記載の半導体ウェーハ
を締め付けるための静電チャック。 - 【請求項10】前記絶縁層、静電パターン層、及び支持
体が圧縮と加熱によって互いに接着されることを特徴と
する、請求項1に記載の半導体ウェーハを締め付けるた
めの静電チャック。 - 【請求項11】前記支持体と前記ヒート・シンク・ベー
スが互いにろう付けされることを特徴とする、請求項1
に記載の半導体ウェーハを締め付けるための静電チャッ
ク。 - 【請求項12】上部から底部に向かって 電気絶縁性かつ熱伝導性である絶縁層と、 静電力を発生させるための導電性パターンがその上面に
配置され、電気エネルギーを前記導電性パターンに伝え
るための第1導電性バイアがそれを貫通して配置され
た、多層セラミック静電パターン層と、 電気エネルギーを前記の第1バイアに伝えるための第2
導電性バイアがそれを貫通して配置された、多層セラミ
ック支持体と、 前記の第2バイアにアクセスするためのアクセス・ホー
ルがそれを貫通して設けられた、コバールから成るヒー
ト・シンク・ベースと を含む、半導体ウェーハを締め付けるための静電チャッ
ク。 - 【請求項13】上部から底部に向かって 多層セラミック絶縁層と、 静電力を発生させるための導電性パターンがその上面に
配置され、電気エネルギーを前記導電性パターンに導く
ための導電性バイアがそれを貫通して配置された、多層
セラミック静電パターン層と、 導電性バイアにアクセスするためのアクセス・ホールが
それを貫通して配置された、前記絶縁層と静電パターン
層を支持し冷却するための鉄/ニッケル/コバルト合金
から成るヒート・シンク・ベースと を含む、半導体ウェーハを締め付けるための静電チャッ
ク。 - 【請求項14】前記ヒート・シンク・ベースがさらに、
その中に配置された冷却剤を循環させるための冷却チャ
ネルを含むことを特徴とする、請求項13に記載の半導体
ウェーハを締め付ける静電チャック。 - 【請求項15】前記絶縁層と前記静電パターン層が圧縮
と加熱によって互いに接着されることを特徴とする、請
求項13に記載の半導体ウェーハを締め付けるための静電
チャック。 - 【請求項16】前記静電パターン層が前記ヒート・シン
ク・ベースにろう付けされることを特徴とする、請求項
13に記載の半導体ウェーハを締め付けるための静電チャ
ック。 - 【請求項17】上部から底部に向かって 多層セラミック絶縁層と、 複数の交互に配置された導電性ストリップから成り、各
導電性ストリップが隣接するストリップの直流電位とは
反対の直流電位で印加される、静電力を発生させるため
の導電性パターンがその上面に配置され、かつ電気エネ
ルギーを前記の導電性パターンに伝えるための第1導電
性バイアがそれを貫通して配置された、多層セラミック
静電パターン層と、 電気エネルギーを前記の第1バイアに伝えるための第2
導電性バイアがそれを貫通して配置された、多層セラミ
ック支持体と、 鉄/ニッケル/コバルト合金から成り、前記第2バイア
にアクセスするためのアクセス・ホールがそれを貫通し
て設けられ、冷却剤を循環させるための冷却チャネルが
その中に配置された、ヒート・シンク・ベースとを含
み、 前記絶縁層、静電パターン層、及び支持体が圧縮と加熱
によって互いに接着され、前記支持体とヒート・シンク
・ベースが互いにろう付けされることを特徴とする、 半導体ウェーハを締め付けるための静電チャック。 - 【請求項18】上部から底部に向かって 多層セラミック絶縁層と、 複数の交互に配置された導電性ストリップから成り、各
導電性ストリップが隣接するストリップの直流電位とは
反対の直流電位で印加される、静電力を発生させるため
の導電性パターンがその上面に配置され、電気エネルギ
ーを前記の導電性パターンに伝えるための第1導電性バ
イアがそれを貫通して配置された、多層セラミック静電
パターン層と、 鉄/ニッケル/コバルト合金から成り、前記の第1バイ
アにアクセスするためのアクセス・ホールがそれを貫通
して設けられ、冷却剤を循環させるための冷却チャネル
がその中に配置された、ヒート・シンク・ベースとを含
み、 前記絶縁層と静電パターン層が圧縮と加熱によって互い
に接着され、前記静電パターン層とヒート・シンク・ベ
ースが互いにろう付けされることを特徴とする、 半導体ウェーハを締め付けるための静電チャック。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US694.699 | 1991-05-02 | ||
US07/694,699 US5191506A (en) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | Ceramic electrostatic chuck |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06506318A JPH06506318A (ja) | 1994-07-14 |
JP2579399B2 true JP2579399B2 (ja) | 1997-02-05 |
Family
ID=24789914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3515069A Expired - Fee Related JP2579399B2 (ja) | 1991-05-02 | 1991-08-01 | セラミック静電チャック |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5191506A (ja) |
EP (1) | EP0582566B1 (ja) |
JP (1) | JP2579399B2 (ja) |
DE (1) | DE69119241T2 (ja) |
WO (1) | WO1992020093A1 (ja) |
Families Citing this family (99)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3238925B2 (ja) * | 1990-11-17 | 2001-12-17 | 株式会社東芝 | 静電チャック |
US5359450A (en) * | 1992-06-25 | 1994-10-25 | Synchronous Communications, Inc. | Optical transmission system |
JP2938679B2 (ja) * | 1992-06-26 | 1999-08-23 | 信越化学工業株式会社 | セラミックス製静電チャック |
JPH06151084A (ja) * | 1992-11-11 | 1994-05-31 | Asahi Glass Co Ltd | 帯電除去用セラミックスおよびその製造用組成物 |
US5345999A (en) * | 1993-03-17 | 1994-09-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cooling semiconductor wafers |
JPH06326175A (ja) * | 1993-04-22 | 1994-11-25 | Applied Materials Inc | 集積回路処理装置において使用されるウエハサポートの誘電材への保護被覆とその形成方法 |
KR100260587B1 (ko) * | 1993-06-01 | 2000-08-01 | 히가시 데쓰로 | 정전척 및 그의 제조방법 |
US5511799A (en) * | 1993-06-07 | 1996-04-30 | Applied Materials, Inc. | Sealing device useful in semiconductor processing apparatus for bridging materials having a thermal expansion differential |
JPH07153825A (ja) * | 1993-11-29 | 1995-06-16 | Toto Ltd | 静電チャック及びこの静電チャックを用いた被吸着体の処理方法 |
US5351876A (en) * | 1994-01-04 | 1994-10-04 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for flip-clip bonding |
US5370301A (en) * | 1994-01-04 | 1994-12-06 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for flip-chip bonding |
US5822171A (en) | 1994-02-22 | 1998-10-13 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with improved erosion resistance |
US5801915A (en) * | 1994-01-31 | 1998-09-01 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having a unidirectionally conducting coupler layer |
TW288253B (ja) * | 1994-02-03 | 1996-10-11 | Aneruba Kk | |
US5507874A (en) * | 1994-06-03 | 1996-04-16 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning of an electrostatic chuck in plasma reactors |
US5792562A (en) * | 1995-01-12 | 1998-08-11 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with polymeric impregnation and method of making |
US5671116A (en) * | 1995-03-10 | 1997-09-23 | Lam Research Corporation | Multilayered electrostatic chuck and method of manufacture thereof |
US5605603A (en) * | 1995-03-29 | 1997-02-25 | International Business Machines Corporation | Deep trench process |
US6042686A (en) | 1995-06-30 | 2000-03-28 | Lam Research Corporation | Power segmented electrode |
JP3457477B2 (ja) * | 1995-09-06 | 2003-10-20 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
US6370007B2 (en) | 1995-09-20 | 2002-04-09 | Hitachi, Ltd. | Electrostatic chuck |
US5781400A (en) * | 1995-09-20 | 1998-07-14 | Hitachi, Ltd. | Electrostatically attracting electrode and a method of manufacture thereof |
US5835333A (en) * | 1995-10-30 | 1998-11-10 | Lam Research Corporation | Negative offset bipolar electrostatic chucks |
US5841623A (en) * | 1995-12-22 | 1998-11-24 | Lam Research Corporation | Chuck for substrate processing and method for depositing a film in a radio frequency biased plasma chemical depositing system |
US5838529A (en) * | 1995-12-22 | 1998-11-17 | Lam Research Corporation | Low voltage electrostatic clamp for substrates such as dielectric substrates |
US5810933A (en) * | 1996-02-16 | 1998-09-22 | Novellus Systems, Inc. | Wafer cooling device |
US6071630A (en) * | 1996-03-04 | 2000-06-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
JPH09260474A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Sony Corp | 静電チャックおよびウエハステージ |
US5812361A (en) * | 1996-03-29 | 1998-09-22 | Lam Research Corporation | Dynamic feedback electrostatic wafer chuck |
US5761023A (en) * | 1996-04-25 | 1998-06-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with pressure zones having reduced contact area and temperature feedback |
US6108189A (en) | 1996-04-26 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having improved gas conduits |
US5745332A (en) * | 1996-05-08 | 1998-04-28 | Applied Materials, Inc. | Monopolar electrostatic chuck having an electrode in contact with a workpiece |
US6117246A (en) * | 1997-01-31 | 2000-09-12 | Applied Materials, Inc. | Conductive polymer pad for supporting a workpiece upon a workpiece support surface of an electrostatic chuck |
US6255601B1 (en) | 1997-04-01 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Conductive feedthrough for a ceramic body and method of fabricating same |
US6303879B1 (en) | 1997-04-01 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Laminated ceramic with multilayer electrodes and method of fabrication |
US5841624A (en) * | 1997-06-09 | 1998-11-24 | Applied Materials, Inc. | Cover layer for a substrate support chuck and method of fabricating same |
US6088213A (en) * | 1997-07-11 | 2000-07-11 | Applied Materials, Inc. | Bipolar electrostatic chuck and method of making same |
JPH11163109A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-06-18 | Kyocera Corp | ウエハ保持装置 |
US5901030A (en) * | 1997-12-02 | 1999-05-04 | Dorsey Gage, Inc. | Electrostatic chuck employing thermoelectric cooling |
JPH11168134A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電吸着装置およびその製造方法 |
US6081414A (en) * | 1998-05-01 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for improved biasing and retaining of a workpiece in a workpiece processing system |
US5886866A (en) * | 1998-07-06 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having a combination electrode structure for substrate chucking, heating and biasing |
US6259592B1 (en) | 1998-11-19 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for retaining a workpiece upon a workpiece support and method of manufacturing same |
US6263829B1 (en) | 1999-01-22 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Process chamber having improved gas distributor and method of manufacture |
US6291777B1 (en) | 1999-02-17 | 2001-09-18 | Applied Materials, Inc. | Conductive feed-through for creating a surface electrode connection within a dielectric body and method of fabricating same |
US6490146B2 (en) | 1999-05-07 | 2002-12-03 | Applied Materials Inc. | Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method |
US6462928B1 (en) | 1999-05-07 | 2002-10-08 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having improved electrical connector and method |
US6310755B1 (en) | 1999-05-07 | 2001-10-30 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having gas cavity and method |
JP3805134B2 (ja) * | 1999-05-25 | 2006-08-02 | 東陶機器株式会社 | 絶縁性基板吸着用静電チャック |
US6273958B2 (en) | 1999-06-09 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for plasma processing |
JP4402862B2 (ja) * | 1999-07-08 | 2010-01-20 | ラム リサーチ コーポレーション | 静電チャックおよびその製造方法 |
US6268994B1 (en) | 1999-07-09 | 2001-07-31 | Dorsey Gage, Inc. | Electrostatic chuck and method of manufacture |
US6500299B1 (en) | 1999-07-22 | 2002-12-31 | Applied Materials Inc. | Chamber having improved gas feed-through and method |
US6466426B1 (en) * | 1999-08-03 | 2002-10-15 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for thermal control of a semiconductor substrate |
US6490144B1 (en) | 1999-11-29 | 2002-12-03 | Applied Materials, Inc. | Support for supporting a substrate in a process chamber |
US6478924B1 (en) | 2000-03-07 | 2002-11-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber support having dual electrodes |
EP1306908A4 (en) * | 2000-06-16 | 2006-10-04 | Ngk Insulators Ltd | PIEZOELECTRIC / ELECTROSTRICTIVE COMPONENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
US6583980B1 (en) * | 2000-08-18 | 2003-06-24 | Applied Materials Inc. | Substrate support tolerant to thermal expansion stresses |
US6581275B2 (en) | 2001-01-22 | 2003-06-24 | Applied Materials Inc. | Fabricating an electrostatic chuck having plasma resistant gas conduits |
DE10122036B4 (de) * | 2001-05-07 | 2009-12-24 | Karl Suss Dresden Gmbh | Substrathaltevorrichtung für Prober zum Testen von Schaltungsanordnungen auf scheibenförmigen Substraten |
US6501636B1 (en) * | 2001-06-21 | 2002-12-31 | Stephen Edward Savas | Electrostatic clamp for holding workpieces with irregular surfaces |
US6483690B1 (en) | 2001-06-28 | 2002-11-19 | Lam Research Corporation | Ceramic electrostatic chuck assembly and method of making |
US6682627B2 (en) | 2001-09-24 | 2004-01-27 | Applied Materials, Inc. | Process chamber having a corrosion-resistant wall and method |
US6538872B1 (en) | 2001-11-05 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having heater and method |
US6754062B2 (en) | 2002-02-27 | 2004-06-22 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Hybrid ceramic electrostatic clamp |
US20030188685A1 (en) * | 2002-04-08 | 2003-10-09 | Applied Materials, Inc. | Laser drilled surfaces for substrate processing chambers |
DE10216786C5 (de) * | 2002-04-15 | 2009-10-15 | Ers Electronic Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden |
US6986865B2 (en) * | 2002-07-10 | 2006-01-17 | Watlow Electric Manufacturing Company | Method for manufacturing an electrostatic chuck |
US20050042881A1 (en) * | 2003-05-12 | 2005-02-24 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus |
US7910218B2 (en) | 2003-10-22 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings |
US7697260B2 (en) * | 2004-03-31 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Detachable electrostatic chuck |
US7670436B2 (en) | 2004-11-03 | 2010-03-02 | Applied Materials, Inc. | Support ring assembly |
US7731798B2 (en) * | 2004-12-01 | 2010-06-08 | Ultratech, Inc. | Heated chuck for laser thermal processing |
US7646580B2 (en) * | 2005-02-24 | 2010-01-12 | Kyocera Corporation | Electrostatic chuck and wafer holding member and wafer treatment method |
US8525418B2 (en) * | 2005-03-31 | 2013-09-03 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
US8617672B2 (en) | 2005-07-13 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Localized surface annealing of components for substrate processing chambers |
US7762114B2 (en) * | 2005-09-09 | 2010-07-27 | Applied Materials, Inc. | Flow-formed chamber component having a textured surface |
US9127362B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Process kit and target for substrate processing chamber |
US20070125646A1 (en) * | 2005-11-25 | 2007-06-07 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target for titanium sputtering chamber |
US8226769B2 (en) | 2006-04-27 | 2012-07-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones |
US20070283884A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Applied Materials, Inc. | Ring assembly for substrate processing chamber |
US9275887B2 (en) | 2006-07-20 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing with rapid temperature gradient control |
US7589950B2 (en) * | 2006-10-13 | 2009-09-15 | Applied Materials, Inc. | Detachable electrostatic chuck having sealing assembly |
US7983017B2 (en) | 2006-12-26 | 2011-07-19 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Electrostatic chuck and method of forming |
WO2008082977A2 (en) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Electrostatic chuck and method of forming |
US7981262B2 (en) | 2007-01-29 | 2011-07-19 | Applied Materials, Inc. | Process kit for substrate processing chamber |
US7942969B2 (en) * | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
US7667944B2 (en) * | 2007-06-29 | 2010-02-23 | Praxair Technology, Inc. | Polyceramic e-chuck |
US20090084317A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber and components |
US8194384B2 (en) * | 2008-07-23 | 2012-06-05 | Tokyo Electron Limited | High temperature electrostatic chuck and method of using |
US9543181B2 (en) * | 2008-07-30 | 2017-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Replaceable electrostatic chuck sidewall shield |
WO2010065070A2 (en) | 2008-11-25 | 2010-06-10 | M Cubed Technologies, Inc. | Electrostatic chuck |
JP6122856B2 (ja) | 2011-10-06 | 2017-04-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | チャック、リソグラフィ装置及びチャックを使用する方法 |
US9859142B2 (en) | 2011-10-20 | 2018-01-02 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
US9869392B2 (en) | 2011-10-20 | 2018-01-16 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
US9276504B2 (en) * | 2012-03-07 | 2016-03-01 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Carrier device and ceramic member |
US10090211B2 (en) | 2013-12-26 | 2018-10-02 | Lam Research Corporation | Edge seal for lower electrode assembly |
US9909197B2 (en) * | 2014-12-22 | 2018-03-06 | Semes Co., Ltd. | Supporting unit and substrate treating apparatus including the same |
TWI724399B (zh) * | 2019-04-02 | 2021-04-11 | 建泓科技實業股份有限公司 | 靜電吸盤陶瓷絕緣結構與製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1443215A (en) * | 1973-11-07 | 1976-07-21 | Mullard Ltd | Electrostatically clamping a semiconductor wafer during device manufacture |
US4184188A (en) * | 1978-01-16 | 1980-01-15 | Veeco Instruments Inc. | Substrate clamping technique in IC fabrication processes |
US4384918A (en) * | 1980-09-30 | 1983-05-24 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein |
GB2106325A (en) * | 1981-09-14 | 1983-04-07 | Philips Electronic Associated | Electrostatic chuck |
GB2147459A (en) * | 1983-09-30 | 1985-05-09 | Philips Electronic Associated | Electrostatic chuck for semiconductor wafers |
GB2154365A (en) * | 1984-02-10 | 1985-09-04 | Philips Electronic Associated | Loading semiconductor wafers on an electrostatic chuck |
US4692836A (en) * | 1983-10-31 | 1987-09-08 | Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha | Electrostatic chucks |
JPS6131636U (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | 株式会社 徳田製作所 | 静電チヤツク |
JPH0697676B2 (ja) * | 1985-11-26 | 1994-11-30 | 忠弘 大見 | ウエハサセプタ装置 |
JPH0752749B2 (ja) * | 1986-02-19 | 1995-06-05 | 富士通株式会社 | ウエハ−保持機構 |
US4724510A (en) * | 1986-12-12 | 1988-02-09 | Tegal Corporation | Electrostatic wafer clamp |
JPS63257481A (ja) * | 1987-04-14 | 1988-10-25 | Abisare:Kk | 静電保持装置 |
US4796153A (en) * | 1987-06-01 | 1989-01-03 | Lightning Diversion Systems | Lightning diversion strips for aircraft |
JP2665242B2 (ja) * | 1988-09-19 | 1997-10-22 | 東陶機器株式会社 | 静電チャック |
FR2641436A1 (ja) * | 1988-12-30 | 1990-07-06 | Labo Electronique Physique | |
US4962441A (en) * | 1989-04-10 | 1990-10-09 | Applied Materials, Inc. | Isolated electrostatic wafer blade clamp |
US5055964A (en) * | 1990-09-07 | 1991-10-08 | International Business Machines Corporation | Electrostatic chuck having tapered electrodes |
-
1991
- 1991-05-02 US US07/694,699 patent/US5191506A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-01 DE DE69119241T patent/DE69119241T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-08-01 JP JP3515069A patent/JP2579399B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-08-01 WO PCT/US1991/005464 patent/WO1992020093A1/en active IP Right Grant
- 1991-08-01 EP EP91915963A patent/EP0582566B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0582566A1 (en) | 1994-02-16 |
US5191506A (en) | 1993-03-02 |
DE69119241D1 (de) | 1996-06-05 |
EP0582566B1 (en) | 1996-05-01 |
DE69119241T2 (de) | 1996-11-21 |
WO1992020093A1 (en) | 1992-11-12 |
JPH06506318A (ja) | 1994-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2579399B2 (ja) | セラミック静電チャック | |
US5155652A (en) | Temperature cycling ceramic electrostatic chuck | |
US4724510A (en) | Electrostatic wafer clamp | |
US5691876A (en) | High temperature polyimide electrostatic chuck | |
EP0628989B1 (en) | Sealing device and method useful in semiconductor processing apparatus for bridging materials having a thermal expansion differential | |
WO2000072376A1 (fr) | Mandrin electrostatique et dispositif de traitement | |
JP2000174106A (ja) | ワ―クピ―スを保持するための装置 | |
JPH06105747B2 (ja) | セラミック静電ウェーハ・チャック | |
JP2638649B2 (ja) | 静電チャック | |
KR20000048751A (ko) | 고밀도 플라즈마 화학증착용 가변 고온 척 | |
US9673737B2 (en) | Clamp with ceramic electrode | |
US6839217B1 (en) | Surface structure and method of making, and electrostatic wafer clamp incorporating surface structure | |
JPH0434953A (ja) | 静電チャック板 | |
JP2521471B2 (ja) | 静電吸着装置 | |
JP2002368069A (ja) | 静電吸着装置 | |
JP4548928B2 (ja) | 電極内蔵体及びこれを用いたウエハ支持部材 | |
JP3172671B2 (ja) | 静電チャック | |
US9673079B2 (en) | Clamp with electrode carrier disk | |
JPH10116887A (ja) | ワークピースの冷却装置及び方法 | |
JP2836986B2 (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
JPH07273164A (ja) | 電極埋設品及びその製造方法 | |
KR20020041448A (ko) | 표면 구조 및 그 제조 방법, 및 표면 구조가 결합된 정전웨이퍼 클램프 | |
US5901030A (en) | Electrostatic chuck employing thermoelectric cooling | |
JP3254701B2 (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
KR20110064665A (ko) | 전기장 구배를 이용한 쌍극형 정전척 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081107 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091107 Year of fee payment: 13 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |