JP2578076Y2 - Ic試験装置の不良データ取込み装置 - Google Patents

Ic試験装置の不良データ取込み装置

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JP2578076Y2 JP1991093412U JP9341291U JP2578076Y2 JP 2578076 Y2 JP2578076 Y2 JP 2578076Y2 JP 1991093412 U JP1991093412 U JP 1991093412U JP 9341291 U JP9341291 U JP 9341291U JP 2578076 Y2 JP2578076 Y2 JP 2578076Y2
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Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この考案はIC試験装置により被
試験IC素子の出力を期待値と論理比較し、不一致が発
生すると、その時の不良解析に必要な不良データを不良
解析メモリに書き込む不良データ取込み装置、特に複数
のIC素子を同時に試験する場合の不良データ取込み装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】図3Aに従来の不良データ取込み装置を
示す。IC試験装置11により被試験IC(メモリI
C,論理ICなど)素子12の出力と期待値とを論理比
較器13で論理比較し、1つでも不一致が検出される
と、フェイル信号として制御回路14へ供給され、制御
回路14は、その被試験ICの各ピンの情報、つまりメ
モリ素子の場合はアドレスおよび読取りデータ、論理素
子の場合は入力データおよび出力データなどの不良解析
に必要な不良データを不良解析メモリ15に書き込む。
【0003】例えば図3Bに示すように各試験サイクル
ごとに、各ピンの情報がA,B,C,…と発生し、フェ
イル信号が発生すると、制御回路14から書込み指令を
不良解析メモリ15に与え、その時の各ピンの情報Bが
不良データとして不良解析メモリ15に書き込まれる。
不良解析メモリ15には図3Cに示すようにフェイル信
号の発生ごとに、その時の不良データがB,E…と書き
込まれる。
【0004】256個のピンをもつIC素子を試験でき
るIC試験装置において、128ピンのIC素子を試験
する場合は、2個のIC素子を同時に試験してIC素子
1個当たりの試験時間を短くすることが行われている。
この場合、不良データの取込みは図4に示すようにされ
る。被試験IC素子12aは試験ステーション16中の
1〜128ピンを利用し、被試験IC素子12bは試験
ステーション16中の129〜256ピンを利用して同
時に試験され、被試験IC素子12a,12bの各出力
は期待値と論理比較器13a,13bでそれぞれ論理比
較される。論理比較器13a,13bの各ピンの何れか
について不一致が検出され、フェイル信号が出力される
と、これは制御回路14に入力され、制御回路14はそ
の時の1〜256ピンのすべての情報を不良データとし
て不良解析メモリ15に書き込む。図4Bに示すように
不良解析メモリ15の各アドレスにおける256ビット
のデータは、1〜128ビットが被試験IC素子12a
に対するものであり、129〜256ビットが被試験I
C素子12bに対するものである。
【0005】この不良解析メモリ15中の各アドレスに
ついての256ビットのデータだけを見て被試験IC素
子12a,12bの何れからフェイル信号が発生したた
めに取り込まれたデータであるかを判断することはソフ
トウエアが非常に複雑なものとなる。従って、被試験I
C素子12a,12bの各不良データを簡単に区別する
ためには図5に示すように、論理比較器13aからフェ
イル信号が発生すると、制御回路14aの制御により1
〜128ピンの情報、つまり被試験IC素子12aにつ
いての不良データを不良解析メモリ15aに書込み、論
理比較器13bからフェイル信号が発生すると、制御回
路14bの制御により、129〜256ピンの情報、つ
まり、被試験IC素子12bについての不良データを不
良解析メモリ15bに書き込むようにされる。この場合
はハードウエア規模が著しく大きくなる問題が生じる。
【0006】試験ステーションを複数備えて更に多くの
IC素子を同時に試験してIC素子1個当たりの試験時
間を更に短くするIC試験装置がある。この場合に、ハ
ードウエア規模を小さくして、不良データを取り込むに
は例えば図6に示すようになる。つまり、256ピンの
試験ステーション16aは128ピンの被試験IC素子
12a,12bが搭載され、論理比較器13a,13b
でそれぞれ期待値と論理比較され、256ピンの試験ス
テーション16bに128ピンの被試験IC素子12
c,12dが搭載され、論理比較器13c,13dでそ
れぞれ期待値と論理比較され、論理比較器13a〜13
bからすべてのフェイル信号が論理和されて制御回路1
4へ供給され、ステーション16aについての全ピン情
報とステーション16bについての全ピン情報とがオア
回路17で論理和がとられ、制御回路14は、フェイル
信号が入力されるごとにオア回路17から256ビット
の情報を不良データとして不良解析メモリ15に書き込
む。
【0007】
【考案が解決しようとする課題】図6に示した構成で
は、不良解析メモリ15の各アドレスの不良データが何
れの被試験IC素子からのフェイル信号かの区別ができ
ず、図4Aに示したものと同様の問題が生じる。また両
ステーション16a,16bの全ピン情報が論理和され
ているため、正しい不良データが得られない。これらの
問題を解決するには、図5に示したように各被試験IC
素子ごとに不良解析メモリおよびその制御回路を用意す
る必要があり、ハードウエア規模が著しく大となる。な
お、複数のIC素子の同時試験は、良品か不良品かを試
験するだけの場合はIC素子1個当たりの試験時間を短
くできるが、その不良品について不良解析をしようとす
ると上述した問題が生じる。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1の考案によれ
ば、同時に試験するIC素子の1つを指定する選択レジ
スタが設けられ、その選択レジスタの出力により、指定
された被試験IC素子について発生した論理比較の不一
致を選出して、フェイル信号として制御回路へ供給され
る。
【0009】請求項2の考案によれば、請求項1の考案
に対し、更に選択レジスタの出力により、指定された被
試験IC素子が搭載された試験ステーションの不良デー
タを選択して不良解析メモリへ供給するようにされる。
【0010】
【実施例】図1に請求項2の考案の実施例を示し、図3
〜図6と対応する部分に同一符号を付けてある。256
ピンの2つの試験ステーション16a,16bが設けら
れ、各試験ステーション16a,16bで128ピンの
各2つの被試験IC素子12a,12bと12c,12
dを同時に試験する場合を例としている。被試験IC素
子12a,12bの各出力は論理比較器13aで期待値
とビットごとに論理比較され、その結果がビットごとに
並列に端子18aを通じて不一致選択手段19へ供給さ
れる。同様に被試験IC素子12c,12dの各出力は
論理比較器13bで期待値とビットごとに論理比較さ
れ、その結果が並列に端子18bを通じて不一致選択手
段19へ供給される。
【0011】同時に試験される複数の被試験IC素子1
2a〜12dの何れか1つを指定する選択レジスタ21
が設けられる。この例では1つの試験ステーションで6
4ピンのIC素子を4個同時に試験することもできるよ
うにされているため、選択レジスタ21には試験ステー
ション16aの4つのIC素子の1つを指定するための
4つのビット211 〜214 と、試験ステーション16
bの4つのIC素子の1つを指定するための4つのビッ
ト215 〜218 があり、これら8ビットの1つが指定
により“1”とされ、他は“0”とされる。この選択レ
ジスタ21の出力は不一致選択手段19へ出力される。
【0012】複数のIC素子を同時に試験する同時試験
モード状態か否かが同時試験条件レジスタ22のモード
ビット221 に設定され、同時試験における被試験IC
素子のピン数(ピンサイズ)を示すビット222 ,22
3 ,224 がレジスタ22に設けられ、ピン数が64の
時はビット222 が、ピン数が128の時はビット22
3 が、ピン数が256の時はビット224 がそれぞれ
“1”とされる。また同時試験モードの時はビット22
1 が“1”とされる。レジスタ22の各ビットも不一致
選出手段19へ供給される。不一致選出手段19には試
験ステーション16a,16bについて、試験に利用し
ているか否かをそれぞれ示すステーション選択信号23
a,23bも入力されている。
【0013】不一致選出手段19は、少なくとも選択レ
ジスタ21の出力が供給され、そのレジスタ21により
指定された被試験IC素子について不一致信号が出力さ
れると、その不一致信号をフェイル信号として制御回路
14へ供給する。選択レジスタ21中のビット211
214 の出力の論理和がオア回路24でとられ、ビット
215 〜218 の出力の論理和がオア回路25でとられ
る。オア回路24,25の出力およびステーション選択
信号23a,23bがマルチプレクサ26へ供給され、
マルチプレクサ26はモードビット221 の出力により
制御され、同時試験モードでビット221 が“1”の時
は、オア回路24,25の各出力がそれぞれゲート制御
信号27a,27bとして出力され、同時試験モードで
はなく、ビット221 が“0”の時はステーション選択
信号23a,23bがそれぞれゲート制御信号27a,
27bとして出力される。
【0014】ゲート制御信号27aでゲート28aが開
閉制御され、ゲート28aには試験ステーション16a
についての全ピン情報(256ピン)が供給され、ゲー
ト制御信号27bでゲート28bが開閉制御され、ゲー
ト28bには試験ステーション16についての全ピン情
報が供給される。ゲート28a,28bの出力はオアゲ
ート29を通じて不良解析メモリ15へ供給される。従
って同時試験モードでは選択レジスタ21に指定された
被試験IC素子が属する試験ステーションについての全
ピン情報が不良解析メモリ15へ供給されることにな
る。
【0015】例えば、同時試験モードにおいて、被試験
IC素子12bを指定して、選択レジスタ21中のビッ
ト212 を“1”とすると、ゲート28aが開らかれた
状態となり、また不一致選択手段19では、被試験IC
素子12bについての論理比較結果に不一致が発生する
ごとにフェイル信号が制御回路14へ供給され、その時
の試験ステーション16a側の全ピン情報が不良データ
として不良解析メモリ15に書き込まれる。つまり、不
良解析メモリ15に記憶されているものは指定した被試
験IC素子12bについての不良データのみであり、そ
の解析を容易に行うことができる。実際には不良解析メ
モリ15の各アドレスについて1〜128ビットのデー
タは被試験IC素子16aについての全ピン情報である
が、不良解析の際はこれらは無視する。
【0016】次に不一致選出手段19の具体例を図2を
参照して説明する。試験ステーション16aのピン1〜
64と対応する論理比較不一致信号F1 〜F64がオア回
路311 に供給され、ピン65〜128,129〜19
2,193〜256とそれぞれ対応する論理比較不一致
信号F65〜F128 ,F129 〜F192 ,F193 〜F256
それぞれオア回路312 ,313 ,314 へ供給され
る。試験ステーション16bのピン1〜64と対応する
論理比較不一致信号F1 〜F64がオア回路315へ供給
され、ピン65〜128,129〜192,193〜2
56とそれぞれ対応する論理比較不一致信号F65〜F
128 ,F129 〜F192 ,F193 〜F256 がそれぞれオア
回路316 ,317 ,318 へ供給される。同時試験モ
ードを示すビット221 の出力がゲート32へ供給され
る。
【0017】試験ステーション16aが試験されている
と、ステーション選択信号23aによりゲート331
334 が開かれ、これをオア回路311 〜314 をそれ
ぞれ通じた不一致信号が通過する。64ピンのIC素子
を試験する場合は、ゲート32の非反転出力と64ピン
サイズを示すビット222 の出力との論理積がアンド回
路34で生じ、そのアンド回路34の出力でゲート35
1 〜354 が開かれ、ゲート351 〜354 をゲート3
1 〜334 の各出力がそれぞれ通過する。ゲート35
1 ,352 はそれぞれオア回路36,37を通じてゲー
ト381 ,382 へ供給され、ゲート381 〜384
IC素子の指定を設定するビット211〜214 がそれ
ぞれ与えられているから、ゲート381 〜384 のう
ち、IC指定ビット211 〜214 により指定された被
試験IC素子についての不一致信号がゲート351 〜3
4 よりそれぞれゲート361 〜384 の何れかを通過
し、その通過出力がオア回路39よりフェイル信号とし
て出力される。
【0018】ゲート331 ,332 の各出力はオア回路
41を通じてゲート42へ供給され、ゲート333 ,3
4 の各出力はオア回路43を通じてゲート44へ供給
される。ゲート42,44の出力はそれぞれオア回路3
6,37へ供給される。被試験IC素子のピンサイズが
128の場合は、それを示す条件ビット223 の出力と
ゲート32の非反転出力との論理積がアンド回路45で
とられ、その出力でゲート42,44が開かれる。従っ
て、不一致信号F1 〜F128 ,F129 〜F256がそれぞ
れゲート42,44を通り、ゲート381 ,382 にそ
れぞれ達する指定ビット211 ,212 の何れかにより
指定されたIC素子12a,12bと対応する不一致信
号がゲート381 ,382 の何れかを通じ、更にオア回
路39を通じてフェイル信号として出力される。
【0019】オア回路41,43の各出力はオア回路4
6を通じてゲート47へ供給されている。ゲート32の
非反転出力と256ピンのサイズ設定ビット224 の出
力との論理積がアンド回路48でとられ、そのアンド回
路48の出力でゲート47が開かれ、ステーション16
aが試験中は、不一致信号F1 〜F256 がゲート47を
通じ、更にゲート381 を通じてオア回路39からフェ
イル信号として出力される。
【0020】このようにして試験ステーション16aの
被試験IC素子を指定した場合は、ビットサイズを示す
ビット222 ,223 ,224 とIC素子指定ビット2
1〜214 とをゲートとオア回路とからなる回路49
により、指定したIC素子について生じた不一致信号の
みがフェイル信号として取り出される。同様にして試験
ステーション16bのIC素子を指定した場合は、ビッ
トサイズを示すビット222 ,223 ,224 とIC素
子指定ビット215 〜218 とを、回路49と同様な回
路51に入力して、試験ステーション16bについての
不一致信号F1〜F256 中の指定したIC素子について
生じたもののみがフェイル信号としてオア回路39から
出力される。
【0021】試験ステーション16a,16bの一方の
みを利用して試験を行う場合は、同時試験モードを示す
ビット221 が“0”とされ、試験ステーション16
a,16bの試験に利用しているものについて発生した
不一致信号はオア回路52を通じ、更にゲート53を通
じ、オア回路39からフェイル信号として出力される。
また図1について述べたように、ステーション選択信号
23a,23bがゲート28a,28bへそれぞれ供給
されるから、試験に利用されているステーションについ
ての全ビット情報が不良解析メモリ15へ供給される。
【0022】上述において、試験ステーションの数は2
個に限らない。1個の場合は、例えば図2でオア回路3
1 〜314 の各出力とIC素子指定ビット211 〜2
4との論理積をそれぞれとってオア回路39へ供給す
ればよい。また同時試験するIC素子の数も上記例に限
られない。
【0023】
【考案の効果】以上述べたように、この考案によれば同
時試験を行う場合に、同時に試験されるIC素子の1つ
を指定し、指定したIC素子について不一致信号が発生
した時に、そのIC素子について全ピン情報を不良デー
タとして不良解析メモリに取り込むため、その取り込ん
だ不良データの解析の際に、対象外のデータを分離する
ための複雑なソフトウエアを必要としなく、解析時間も
短くなる。また同時試験のIC素子ごとに各別に不良デ
ータを取り込む部分を設ける場合と比較してハードウエ
アの規模が著しく小さくて済む。
【0024】同一種類のIC素子を同時試験するため、
1つのIC素子を指定して一連の試験を行った後、不良
解析を行うと、その結果(不良内容)によっては、他の
IC素子について指定して再び一連の試験を行い、不良
データの取込みを行う必要はない。しかし、不良解析の
結果によっては、他のIC素子を指定して再び試験を行
って不良データの取込みを行う。
【図面の簡単な説明】
【図1】この考案の実施例を示すブロック図。
【図2】図1中の不一致選択手段19の具体例を示す論
理回路図。
【図3】Aは従来の不良データ取込み装置を示すブロッ
ク図、Bはその動作の説明図、Cは不良解析メモリの記
憶状態を示す図である。
【図4】Aは同時試験における従来の不良データ取込み
装置を示すブロック図、Bはその不良解析メモリの記憶
状態を示す図である。
【図5】同時試験における従来の不良データ取込み装置
の他のものを示すブロック図。
【図6】複数の試験ステーションを利用する同時試験に
おける従来の不良データ取込み装置を示すブロック図。

Claims (2)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の被試験IC素子を同時に試験する
    ことを可能とされたIC試験装置により被試験IC素子
    の出力を期待値と論理比較し、不一致が発生すると、そ
    のことがフェイル信号として制御回路に入力され、その
    制御回路はフェイル信号が入力されると、不良解析に必
    要な不良データを不良解析メモリに書き込むようにされ
    たIC試験装置の不良データ取込み装置において、 同時に試験されるIC素子の1つを指定する選択レジス
    タと、 その選択レジスタの出力により、指定された被試験IC
    素子について発生した論理比較の不一致を選出して、上
    記フェイル信号として上記制御回路へ供給する不一致選
    択手段と、 を設けたことを特徴とするIC試験装置の不良データ取
    込み装置。
  2. 【請求項2】 上記選択レジスタの出力により、指定さ
    れた被試験IC素子が搭載された試験ステーションの不
    良データを選択して上記不良解析メモリへ供給する不良
    データ選択手段を含むことを特徴とする請求項1記載の
    IC試験装置の不良データ取込み装置。
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