JP2565210B2 - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JP2565210B2 JP2565210B2 JP62336060A JP33606087A JP2565210B2 JP 2565210 B2 JP2565210 B2 JP 2565210B2 JP 62336060 A JP62336060 A JP 62336060A JP 33606087 A JP33606087 A JP 33606087A JP 2565210 B2 JP2565210 B2 JP 2565210B2
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- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor laser
- type
- current confinement
- gaas
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体レーザ特に内部（自己整合型）電流
狭窄層を有するダブルヘテロ構造のAlGaInP系半導体レ
ーザに関する。
狭窄層を有するダブルヘテロ構造のAlGaInP系半導体レ
ーザに関する。
本発明は、内部電流狭窄層を有するダブルヘテロ構造
のAlGaInP系半導体レーザにおいて、 内部電流狭窄層の不純物濃度を２×1018cm-3以下に設
定することにより、クラッド層中の不純物の活性層への
移動を抑え高品質の半導体レーザを得るようにしたもの
である。
のAlGaInP系半導体レーザにおいて、 内部電流狭窄層の不純物濃度を２×1018cm-3以下に設
定することにより、クラッド層中の不純物の活性層への
移動を抑え高品質の半導体レーザを得るようにしたもの
である。
可視光半導体レーザであるAlGaInP系の半導体レーザ
は光情報処理用光源として近年注目を集め、実用化を目
指して活発な研究が押し進められている。このような半
導体レーザとしての素子化を図る際、ストライプを形成
し、その中にのみ電流を流してレーザ光を得るという方
法がとられる。そこでストライプ外では電流が流れない
ような工夫がさまざまに試みられており、その１つに内
部に電流狭窄層を形成した所謂内部狭窄型が有効な手段
とされている。
は光情報処理用光源として近年注目を集め、実用化を目
指して活発な研究が押し進められている。このような半
導体レーザとしての素子化を図る際、ストライプを形成
し、その中にのみ電流を流してレーザ光を得るという方
法がとられる。そこでストライプ外では電流が流れない
ような工夫がさまざまに試みられており、その１つに内
部に電流狭窄層を形成した所謂内部狭窄型が有効な手段
とされている。
すなわち、この内部電流狭窄型の半導体レーザでは手
間のかかるイオン注入、絶縁膜の被着などの工程を省く
ことができ、電極形成工程も容易となる等の有利さをも
っている。
間のかかるイオン注入、絶縁膜の被着などの工程を省く
ことができ、電極形成工程も容易となる等の有利さをも
っている。
第５図は通常の内部電流狭窄型のAlGaInP系利得導波
形半導体レーザの断面図である。この半導体レーザ（1
0）はn+−GaAs基板（１）上にMOCVD（有機金属気相成
長）法によって順次ｎ−GaAsバッファ層（２）、ｎ−
（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐクラッド層（３）、ノンドー
プのGa0.5In0.5Ｐ活性層（４）、Ｐ−（Al0.5Ga0.5）
0.5In0.5Ｐクラッド層（５）、Ｐ−Ga0.5In0.5Ｐキャッ
プ層（６）及び電流狭窄層（７）となるｎ−GaAs層をエ
ピタキシャル成長し、ｎ−GaAs層をストライプ状に選択
除去して電流狭窄層（７）を形成し、その後、この上に
２度目のエピタキシャル成長によってＰ−GaAsキャップ
層（８）を形成して構成される。電流狭窄層（７）とな
るｎ−GaAs層は、通常ｎ形不純物濃度を５×1018cm-3以
上に高くしてなる。なお各層のｎ形不純物としては例え
ばSe,Siをドープし、ｐ形不純物としては例えばZnをド
ープしている。
形半導体レーザの断面図である。この半導体レーザ（1
0）はn+−GaAs基板（１）上にMOCVD（有機金属気相成
長）法によって順次ｎ−GaAsバッファ層（２）、ｎ−
（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐクラッド層（３）、ノンドー
プのGa0.5In0.5Ｐ活性層（４）、Ｐ−（Al0.5Ga0.5）
0.5In0.5Ｐクラッド層（５）、Ｐ−Ga0.5In0.5Ｐキャッ
プ層（６）及び電流狭窄層（７）となるｎ−GaAs層をエ
ピタキシャル成長し、ｎ−GaAs層をストライプ状に選択
除去して電流狭窄層（７）を形成し、その後、この上に
２度目のエピタキシャル成長によってＰ−GaAsキャップ
層（８）を形成して構成される。電流狭窄層（７）とな
るｎ−GaAs層は、通常ｎ形不純物濃度を５×1018cm-3以
上に高くしてなる。なお各層のｎ形不純物としては例え
ばSe,Siをドープし、ｐ形不純物としては例えばZnをド
ープしている。
上述の内部電流狭窄型の半導体レーザ（10）において
は、結晶成長が２回に及ぶため、再成長界面の結晶性、
ストライプ内の結晶の埋り方、不純物の移動等、結晶成
長上の問題点はまだ残されている。この中で本発明者達
の実験によれば、特性を悪化させる一要因は不純物の移
動であり、不純物の異常拡散が起ったものでは決して良
い特性は得られていない。現実に起こっている問題とし
ては通常ノンドープでｎ形を呈するGaInP活性層（４）
が、この内部電流狭窄型にするとＰ形化しており、ｐ形
不純物の活性層（４）への異常拡散が生じていることで
ある。
は、結晶成長が２回に及ぶため、再成長界面の結晶性、
ストライプ内の結晶の埋り方、不純物の移動等、結晶成
長上の問題点はまだ残されている。この中で本発明者達
の実験によれば、特性を悪化させる一要因は不純物の移
動であり、不純物の異常拡散が起ったものでは決して良
い特性は得られていない。現実に起こっている問題とし
ては通常ノンドープでｎ形を呈するGaInP活性層（４）
が、この内部電流狭窄型にするとＰ形化しており、ｐ形
不純物の活性層（４）への異常拡散が生じていることで
ある。
すなわち、第４図は通常のAlGaInP系ダブルヘテロ構
造の半導体レーザの断面図である。n+−GaAs基板（１）
上にMOCVD法によってｎ−GaAsバッファ層（２）、ｎ−
（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐクラッド層（３）、ノンドー
プのGa0.5In0.5Ｐ活性層（４）、Ｐ−（Al0.5Ga0.5）
0.5InPクラッド層（５）、Ｐ−Ga0.5In0.5Ｐキャップ層
（６）及びＰ−GaAsキャップ層（８）をエピタキシャル
成長し、その後、例えば中央のストライプ領域を残すよ
うに例えばボロンによるイオン注入高抵抗領域（９）を
形成して構成される。この構成においてはGaInp活性層
（４）はｎ形を呈し、通常のGaInP単層においてもノン
ドープでｎ形を示すことから、ｎ形不純物（例えばSe）
やｐ形不純物（例えばZn）の活性層（４）への異常拡散
は起っていない。之に対し、第５図の内部電流狭窄型の
半導体レーザでは、第４図の構成と比較してｎ−GaAsの
電流狭窄層（７）が存在するのみで、その他の各層
（８），（６），（５），（４），（３），（２）及び
（１）の組成、厚み、不純物濃度が全く同一であるにも
拘らず、このGaInP活性層（４）がｐ形化している。つ
まりｐ形クラッド層（５）中のｐ形不純物の活性層
（４）への異常拡散が起こっている。実用に供し得る高
品質半導体レーザを作製する上で、不純物の移動を起し
ている活性層を有するものは好ましくない。
造の半導体レーザの断面図である。n+−GaAs基板（１）
上にMOCVD法によってｎ−GaAsバッファ層（２）、ｎ−
（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐクラッド層（３）、ノンドー
プのGa0.5In0.5Ｐ活性層（４）、Ｐ−（Al0.5Ga0.5）
0.5InPクラッド層（５）、Ｐ−Ga0.5In0.5Ｐキャップ層
（６）及びＰ−GaAsキャップ層（８）をエピタキシャル
成長し、その後、例えば中央のストライプ領域を残すよ
うに例えばボロンによるイオン注入高抵抗領域（９）を
形成して構成される。この構成においてはGaInp活性層
（４）はｎ形を呈し、通常のGaInP単層においてもノン
ドープでｎ形を示すことから、ｎ形不純物（例えばSe）
やｐ形不純物（例えばZn）の活性層（４）への異常拡散
は起っていない。之に対し、第５図の内部電流狭窄型の
半導体レーザでは、第４図の構成と比較してｎ−GaAsの
電流狭窄層（７）が存在するのみで、その他の各層
（８），（６），（５），（４），（３），（２）及び
（１）の組成、厚み、不純物濃度が全く同一であるにも
拘らず、このGaInP活性層（４）がｐ形化している。つ
まりｐ形クラッド層（５）中のｐ形不純物の活性層
（４）への異常拡散が起こっている。実用に供し得る高
品質半導体レーザを作製する上で、不純物の移動を起し
ている活性層を有するものは好ましくない。
本発明は、上述の点に鑑み、内部電流狭窄型の半導体
レーザにおいて、特性を悪化させる要因である不純物の
移動を抑え、良質な活性層を有した高品質の半導体レー
ザを提供するものである。
レーザにおいて、特性を悪化させる要因である不純物の
移動を抑え、良質な活性層を有した高品質の半導体レー
ザを提供するものである。
本発明は、ダブルヘテロ構造における一方のクラッド
層上に電流狭窄層が形成されてなるAlGaInP系の半導体
レーザにおいて、電流狭窄層の不純物濃度を２×1018cm
-3以下に設定する。
層上に電流狭窄層が形成されてなるAlGaInP系の半導体
レーザにおいて、電流狭窄層の不純物濃度を２×1018cm
-3以下に設定する。
第１導電形クラッド層、活性層、第２導電形クラッド
層をエピタキシャル成長させ、更に第２導電形クラッド
層上に第１導電形の電流狭窄層をエピタキシャル成長さ
せたとき、その電流狭窄層の不純物濃度を2.0×1018cm
-3以下にすると、第２導電形クラッド層の不純物の活性
層への移動が押さえられる。このように不純物の活性層
への異常拡散が押さえられるので、活性層の品質が劣化
せず、特性の良い内部電流狭窄型の半導体レーザが得ら
れる。
層をエピタキシャル成長させ、更に第２導電形クラッド
層上に第１導電形の電流狭窄層をエピタキシャル成長さ
せたとき、その電流狭窄層の不純物濃度を2.0×1018cm
-3以下にすると、第２導電形クラッド層の不純物の活性
層への移動が押さえられる。このように不純物の活性層
への異常拡散が押さえられるので、活性層の品質が劣化
せず、特性の良い内部電流狭窄型の半導体レーザが得ら
れる。
以下、図面を参照して本発明による半導体レーザの実
施例を説明する。
施例を説明する。
先ず、第２図及び第３図を用いて内部電流狭窄型のAl
GaInP系半導体レーザにおける電流狭窄層となるｎ−GaA
s層のｎ形不純物濃度に対する活性層へのｐ形不純物の
異常拡散について述べる。第２図及び第３図は試料に用
いた内部電流狭窄型のAlGaInP系半導体レーザのダブル
ヘテロ構造を示すものであり、電流狭窄層となるｎ−Ga
As層をエピタキシャル成長した状態、即ちストライプ状
にエッチングして電流狭窄層にする以前の状態の構造で
ある。同図中、（１）はn+−GaAs基板で、この基板
（１）上に順次MOCVD法によりｎ−GaAsバッファ層
（２）、ｎ−（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐクラッド層
（３）、ノンドープのGa0.5In0.5Ｐ活性層（４）、Ｐ−
（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐクラッド層（５）、Ｐ−Ga
0.5In0.5Ｐキャップ層（６）及び電流狭窄層となるｎ−
GaAs層（7A）が形成される。なお、各ｎ形層はｎ形不純
物としてSeがドープされ、各ｐ形層はｐ形不純物として
Znがドープされる。また、ｐ−AlGaInPクラッド層
（５）の不純物濃度は５×1017〜１×1018cm-3程度であ
り、ｐ−GaInPキャップ層（６）の不純物濃度は１×10
18〜２×1018cm-3程度である。
GaInP系半導体レーザにおける電流狭窄層となるｎ−GaA
s層のｎ形不純物濃度に対する活性層へのｐ形不純物の
異常拡散について述べる。第２図及び第３図は試料に用
いた内部電流狭窄型のAlGaInP系半導体レーザのダブル
ヘテロ構造を示すものであり、電流狭窄層となるｎ−Ga
As層をエピタキシャル成長した状態、即ちストライプ状
にエッチングして電流狭窄層にする以前の状態の構造で
ある。同図中、（１）はn+−GaAs基板で、この基板
（１）上に順次MOCVD法によりｎ−GaAsバッファ層
（２）、ｎ−（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐクラッド層
（３）、ノンドープのGa0.5In0.5Ｐ活性層（４）、Ｐ−
（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐクラッド層（５）、Ｐ−Ga
0.5In0.5Ｐキャップ層（６）及び電流狭窄層となるｎ−
GaAs層（7A）が形成される。なお、各ｎ形層はｎ形不純
物としてSeがドープされ、各ｐ形層はｐ形不純物として
Znがドープされる。また、ｐ−AlGaInPクラッド層
（５）の不純物濃度は５×1017〜１×1018cm-3程度であ
り、ｐ−GaInPキャップ層（６）の不純物濃度は１×10
18〜２×1018cm-3程度である。
さて、第３図の構成は電流狭窄層となるｎ−GaAs層
（7A）のｎ形不純物（即ちSe）濃度を４×1018cm-3にし
た場合である。このときには前述の第５図と同様にｐ−
AlGaInPクラッド層（５）からノンドープのGaInP活性層
（４）へｐ形不純物Znの異常拡散が生じており、pn接合
（ｊ）がｎ−AlGaInPクラッド層（３）内に押されてい
る。
（7A）のｎ形不純物（即ちSe）濃度を４×1018cm-3にし
た場合である。このときには前述の第５図と同様にｐ−
AlGaInPクラッド層（５）からノンドープのGaInP活性層
（４）へｐ形不純物Znの異常拡散が生じており、pn接合
（ｊ）がｎ−AlGaInPクラッド層（３）内に押されてい
る。
之に対し、第２図の構成は電流狭窄層となるｎ−GaAs
層（7A）のｎ形不純物（即ちSe）濃度を2.0×1018cm-3
にした場合である。このときには、ノンドープのGaInP
活性層（４）は通常のダブルヘテロ構造の場合と全く同
じにｎ形を示し、ｐ形不純物Znの異常拡散は生じていな
いので認められる。つまり、pn接合（ｊ）は通常通り活
性層上部にある。この実験により電流狭窄層となるｎ−
GaAs層（7A）のｎ形不純物濃度の影響でｐ−AlGaInPク
ラッド層（５）のｐ形不純物Znが移動したり、移動しな
かったりし、少なくとも電流狭窄層であるｎ−GaAs層
（7A）の不純物濃度を2.0×1018cm-3以下に設定すれ
ば、ｐ形不純物Znの移動が抑えられるることが判明し
た。従来は電流狭窄のことを考えて電流狭窄層の不純物
濃度を高めにしていたが、之がかえってｐ−AlGaInPク
ラッド層（５）の不純物の移動の原因になっていたわけ
である。
層（7A）のｎ形不純物（即ちSe）濃度を2.0×1018cm-3
にした場合である。このときには、ノンドープのGaInP
活性層（４）は通常のダブルヘテロ構造の場合と全く同
じにｎ形を示し、ｐ形不純物Znの異常拡散は生じていな
いので認められる。つまり、pn接合（ｊ）は通常通り活
性層上部にある。この実験により電流狭窄層となるｎ−
GaAs層（7A）のｎ形不純物濃度の影響でｐ−AlGaInPク
ラッド層（５）のｐ形不純物Znが移動したり、移動しな
かったりし、少なくとも電流狭窄層であるｎ−GaAs層
（7A）の不純物濃度を2.0×1018cm-3以下に設定すれ
ば、ｐ形不純物Znの移動が抑えられるることが判明し
た。従来は電流狭窄のことを考えて電流狭窄層の不純物
濃度を高めにしていたが、之がかえってｐ−AlGaInPク
ラッド層（５）の不純物の移動の原因になっていたわけ
である。
本発明は、かかる研究結果に基づくものであり、第１
図にその一実施例を示す。本例はAlGaInP系利得導波形
半導体レーザに適用した場合である。本例においては、
前述と同様にn+−GaAs基板（１）上に順次MOCVD法によ
りｎ−GaAsバッファ層（２）、ｎ−（Al0.5Ga0.5）0.5I
n0.5Ｐクラッド層（３）、ノンドープのGa0.5In0.5Ｐ活
性層（４）、Ｐ−（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐクラッド層
（５）、Ｐ−Ga0.5In0.5Ｐキャップ層（６）及び不純物
（Se）濃度が2.0×1018cm-3以下（但し下限は電流狭窄
機能を有する不純物濃度とする）の電流狭窄層（11）と
なるｎ−GaAs層を順次エピタキシャル成長する。ここで
ｐ−AlGaInPクラッド層（５）の不純物（Zn）濃度は５
×1017〜１×1018cm-3程度であり、ｐ−GaInPキャップ
層（６）の不純物（Zn）濃度は１×1018〜２×1018cm-3
程度である。次に、ｎ−GaAs層の中央をストライプ状に
選択除去してｎ−GaAs電流狭窄層（11）を形成する。し
かる後、２度目のエピタキシャル成長によってｐ−GaAs
キャップ層（８）を形成し、目的の内部電流狭窄型のAl
GaInP系利得導波形半導体レーザ（12）を得る。
図にその一実施例を示す。本例はAlGaInP系利得導波形
半導体レーザに適用した場合である。本例においては、
前述と同様にn+−GaAs基板（１）上に順次MOCVD法によ
りｎ−GaAsバッファ層（２）、ｎ−（Al0.5Ga0.5）0.5I
n0.5Ｐクラッド層（３）、ノンドープのGa0.5In0.5Ｐ活
性層（４）、Ｐ−（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐクラッド層
（５）、Ｐ−Ga0.5In0.5Ｐキャップ層（６）及び不純物
（Se）濃度が2.0×1018cm-3以下（但し下限は電流狭窄
機能を有する不純物濃度とする）の電流狭窄層（11）と
なるｎ−GaAs層を順次エピタキシャル成長する。ここで
ｐ−AlGaInPクラッド層（５）の不純物（Zn）濃度は５
×1017〜１×1018cm-3程度であり、ｐ−GaInPキャップ
層（６）の不純物（Zn）濃度は１×1018〜２×1018cm-3
程度である。次に、ｎ−GaAs層の中央をストライプ状に
選択除去してｎ−GaAs電流狭窄層（11）を形成する。し
かる後、２度目のエピタキシャル成長によってｐ−GaAs
キャップ層（８）を形成し、目的の内部電流狭窄型のAl
GaInP系利得導波形半導体レーザ（12）を得る。
斯る半導体レーザ（12）によれば、ｎ−GaAs電流狭窄
層（11）の不純物濃度を2.0×1018cm-3以下に設定した
ことによりクラッド層（５）から活性層（４）へのｐ形
不純物Znの異常拡散が押さえられ、ノンドープのｎ形を
呈する良質の活性層（４）を維持することになり、特性
の良い高品質の内部電流狭窄型の半導体レーザを得るこ
とができる。
層（11）の不純物濃度を2.0×1018cm-3以下に設定した
ことによりクラッド層（５）から活性層（４）へのｐ形
不純物Znの異常拡散が押さえられ、ノンドープのｎ形を
呈する良質の活性層（４）を維持することになり、特性
の良い高品質の内部電流狭窄型の半導体レーザを得るこ
とができる。
因みに、共振器長250μｍ、共振器巾６μｍの内部電
流狭窄型の半導体レーザにおいて、上述の本発明構造で
はパルス動作の閾電流Ith＝60mA、CW動作が可能である
が、之に対し、活性層へｐ形不純物が異常拡散した構造
ではパルス動作の閾電流Ith＝100〜200mA、CW動作は不
可能であった。
流狭窄型の半導体レーザにおいて、上述の本発明構造で
はパルス動作の閾電流Ith＝60mA、CW動作が可能である
が、之に対し、活性層へｐ形不純物が異常拡散した構造
ではパルス動作の閾電流Ith＝100〜200mA、CW動作は不
可能であった。
尚、上例ではｎ形不純物としてSeを用いた場合である
が、Si等の他のｎ形不純物をドーパントとして用いても
同様の効果が得られる。
が、Si等の他のｎ形不純物をドーパントとして用いても
同様の効果が得られる。
又、上例では活性層（４）としてノンドープ層を用い
たが、これに限らず不純物ドープしたｎ形、或はｐ形の
活性層の場合にも同様に本発明は適用できる。
たが、これに限らず不純物ドープしたｎ形、或はｐ形の
活性層の場合にも同様に本発明は適用できる。
又、上例では利得導波形半導体レーザに適用した場合
であるが、屈折率導波形半導体レーザに適用しても同様
の効果が得られる。
であるが、屈折率導波形半導体レーザに適用しても同様
の効果が得られる。
又、電流狭窄層（11）としてはGaAsに限らず、その他
例えばAlGaAs、４元素等でもよい。
例えばAlGaAs、４元素等でもよい。
本発明によれば、ダブルヘテロ構造における一方のク
ラッド層上に電流狭窄層が形成されてなるAlGaInP系半
導体レーザにおいて、その電流狭窄層の不純物濃度を2.
0×1018cm-3以下に設定することにより、クラッド層の
不純物が活性層へ異常拡散するを抑えることができ、良
質な活性層を有した特性の良い高品質半導体レーザを得
ることができる。
ラッド層上に電流狭窄層が形成されてなるAlGaInP系半
導体レーザにおいて、その電流狭窄層の不純物濃度を2.
0×1018cm-3以下に設定することにより、クラッド層の
不純物が活性層へ異常拡散するを抑えることができ、良
質な活性層を有した特性の良い高品質半導体レーザを得
ることができる。
第１図は本発明による半導体レーザの一例を示す構成
図、第２図及び第３図は電流狭窄層の不純物濃度と活性
層への不純物の異常拡散との関係を調べた構成図、第４
図は従来のダブルヘテロ構造の半導体レーザの構成図、
第５図は従来の内部電流狭窄型の半導体レーザの構成図
である。 （１）はn+−GaAs基板、（２）はｎ−GaAsバッファ層、
（３）はｎ−AlGaInPクラッド層、（４）はノンドープG
aInP活性層、（５）はｐ−AlGaInPクラッド層、（６）
はｐ−GaInPキャップ層、（７）はｎ−GaAs電流狭窄
層、（８）はＰ−GaAsキャップ層、（11）は２×1018cm
-3以下のｎ−GaAs電流狭窄層である。
図、第２図及び第３図は電流狭窄層の不純物濃度と活性
層への不純物の異常拡散との関係を調べた構成図、第４
図は従来のダブルヘテロ構造の半導体レーザの構成図、
第５図は従来の内部電流狭窄型の半導体レーザの構成図
である。 （１）はn+−GaAs基板、（２）はｎ−GaAsバッファ層、
（３）はｎ−AlGaInPクラッド層、（４）はノンドープG
aInP活性層、（５）はｐ−AlGaInPクラッド層、（６）
はｐ−GaInPキャップ層、（７）はｎ−GaAs電流狭窄
層、（８）はＰ−GaAsキャップ層、（11）は２×1018cm
-3以下のｎ−GaAs電流狭窄層である。
Claims (1)
- 【請求項１】ダブルヘテロ構造における一方のクラッド
層上に電流狭窄層が形成されてなるAlGaInP系の半導体
レーザにおいて、 上記電流狭窄層の不純物濃度が２×1018cm-3以下に設定
されて成る半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62336060A JP2565210B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62336060A JP2565210B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01175290A JPH01175290A (ja) | 1989-07-11 |
| JP2565210B2 true JP2565210B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=18295282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62336060A Expired - Lifetime JP2565210B2 (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2565210B2 (ja) |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP62336060A patent/JP2565210B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01175290A (ja) | 1989-07-11 |
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