JP2557105B2 - 縦型熱処理炉 - Google Patents
縦型熱処理炉Info
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- JP2557105B2 JP2557105B2 JP1110383A JP11038389A JP2557105B2 JP 2557105 B2 JP2557105 B2 JP 2557105B2 JP 1110383 A JP1110383 A JP 1110383A JP 11038389 A JP11038389 A JP 11038389A JP 2557105 B2 JP2557105 B2 JP 2557105B2
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Description
【発明の詳細な説明】 (1)発明の目的 [産業上の利用分野] 本発明は、縦型熱処理炉に関し、特に半導体ウェーハ
を炉芯管の内部空間から取出すに際してウェーハ熱処理
用治具および支持テーブルの周囲に対して熱輻射防止管
を配置してなる縦型熱処理炉に関するものである。
を炉芯管の内部空間から取出すに際してウェーハ熱処理
用治具および支持テーブルの周囲に対して熱輻射防止管
を配置してなる縦型熱処理炉に関するものである。
[従来の技術] 従来、この種の縦型熱処理炉としては、炉蓋本体に配
置された支持テーブルに対して載置せしめられかつ半導
体ウェーハを保持したウェーハ熱処理用治具を、支持テ
ーブルとともに炉芯管の内部空間に対して挿入し、半導
体ウェーハに対して適宜の熱処理を実行したのち、再び
支持テーブルとともに炉芯管の内部空間から取出してな
るものが提案されていた。
置された支持テーブルに対して載置せしめられかつ半導
体ウェーハを保持したウェーハ熱処理用治具を、支持テ
ーブルとともに炉芯管の内部空間に対して挿入し、半導
体ウェーハに対して適宜の熱処理を実行したのち、再び
支持テーブルとともに炉芯管の内部空間から取出してな
るものが提案されていた。
また、この種の縦型熱処理炉としては、炉蓋本体に配
置された支持テーブルに対して載置せしめられかつ半導
体ウェーハを保持したウェーハ熱処理用治具を、支持テ
ーブルとともに炉芯管の内部空間に対して挿入し取出す
に際し、半導体ウェーハの熱履歴を緩和するために、そ
のウェーハ熱処理用治具を内筒管で包囲してなるものも
提案されていた。
置された支持テーブルに対して載置せしめられかつ半導
体ウェーハを保持したウェーハ熱処理用治具を、支持テ
ーブルとともに炉芯管の内部空間に対して挿入し取出す
に際し、半導体ウェーハの熱履歴を緩和するために、そ
のウェーハ熱処理用治具を内筒管で包囲してなるものも
提案されていた。
[解決すべき問題点] したがって、従来の縦型熱処理炉では、(i)炉芯管
で内部空間から取出された半導体ウェーハ,ウェーハ熱
処理用治具および支持テーブルのもつ熱によって周囲環
境の温度が押し上げられてしまう欠点があり、特に(i
i)ウェーハ熱処理用治具の周囲に内筒管を配置する場
合、熱容量が一層大きくなるので、周囲環境の温度を更
に押し上げてしまう欠点があり、結果的に(iii)周囲
環境の温度管理が煩雑化する欠点があり、また(iv)周
囲環境に存在する機器などが損傷を受ける欠点があっ
た。
で内部空間から取出された半導体ウェーハ,ウェーハ熱
処理用治具および支持テーブルのもつ熱によって周囲環
境の温度が押し上げられてしまう欠点があり、特に(i
i)ウェーハ熱処理用治具の周囲に内筒管を配置する場
合、熱容量が一層大きくなるので、周囲環境の温度を更
に押し上げてしまう欠点があり、結果的に(iii)周囲
環境の温度管理が煩雑化する欠点があり、また(iv)周
囲環境に存在する機器などが損傷を受ける欠点があっ
た。
そこで、本発明は、これらの欠点を除去すべく、炉芯
管の内部空間から半導体ウェーハを取出すに際しウェー
ハ熱処理用治具および支持テーブルの周囲に対して熱輻
射防止管を配置してなる縦型熱処理炉を提供せんとする
ものである。
管の内部空間から半導体ウェーハを取出すに際しウェー
ハ熱処理用治具および支持テーブルの周囲に対して熱輻
射防止管を配置してなる縦型熱処理炉を提供せんとする
ものである。
(2)発明の構成 [問題点の解決手段] 本発明の縦型熱処理炉は、炉蓋本体に載置された支持
テーブル上のウェーハ熱処理用治具に保持した状態で半
導体ウェーハを炉芯管の内部空間に対して熱処理のため
に挿入し熱処理後に取り出す縦型熱処理炉において、一
体的に上下動可能に支持された内筒管およびこの内筒管
の周囲を包囲する熱輻射防止管を具備し、熱処理時にウ
ェーハ処理用治具が上昇するとともに内筒管のよび熱輻
射防止管が上昇して、内筒管はウェーハ熱処理治具の周
囲を包囲した状態で炉芯管の内部空間に配置され、かつ
熱輻射防止管は炉芯管の外部に配置され、炉芯管の内部
空間からのウェーハ処理用治具の取り出し時にウェーハ
熱処理用治具が下降するとともに内筒管および熱輻射防
止管が下降して、内筒管はウェーハ熱処理治具の周囲を
包囲し、かつ熱輻射防止管は内筒管の周囲を包囲するこ
とを特徴とするものである。
テーブル上のウェーハ熱処理用治具に保持した状態で半
導体ウェーハを炉芯管の内部空間に対して熱処理のため
に挿入し熱処理後に取り出す縦型熱処理炉において、一
体的に上下動可能に支持された内筒管およびこの内筒管
の周囲を包囲する熱輻射防止管を具備し、熱処理時にウ
ェーハ処理用治具が上昇するとともに内筒管のよび熱輻
射防止管が上昇して、内筒管はウェーハ熱処理治具の周
囲を包囲した状態で炉芯管の内部空間に配置され、かつ
熱輻射防止管は炉芯管の外部に配置され、炉芯管の内部
空間からのウェーハ処理用治具の取り出し時にウェーハ
熱処理用治具が下降するとともに内筒管および熱輻射防
止管が下降して、内筒管はウェーハ熱処理治具の周囲を
包囲し、かつ熱輻射防止管は内筒管の周囲を包囲するこ
とを特徴とするものである。
[作用] 本発明にかかる縦型熱処理炉は、上述の構成を有する
ので、 (i)炉芯管の内部空間から半導体ウェーハを取出すに
際して周囲環境の温度が押し上げられることを抑制する
作用 をなし、ひいては (ii)周囲環境の温度管理を容易化する作用 をなし、また (iii)周囲環境に存在する機器などが高温によって受
ける損傷を抑制する作用 をなす。
ので、 (i)炉芯管の内部空間から半導体ウェーハを取出すに
際して周囲環境の温度が押し上げられることを抑制する
作用 をなし、ひいては (ii)周囲環境の温度管理を容易化する作用 をなし、また (iii)周囲環境に存在する機器などが高温によって受
ける損傷を抑制する作用 をなす。
[実施例] 次に、本発明にかかる縦型熱処理炉について、その好
ましい実施例を挙げ、具体的に説明する。しかしなが
ら、以下に説明する実施例は、本発明の理解を容易化な
いし促進化するために記載されるものであって、本発明
を限定するために記載されるものではない。換言すれ
ば、以下に説明される実施例において開示される各部材
は、本発明の精神ならびに技術的範囲に属する全ての設
計変更ならびに均等物置換を含むものである。
ましい実施例を挙げ、具体的に説明する。しかしなが
ら、以下に説明する実施例は、本発明の理解を容易化な
いし促進化するために記載されるものであって、本発明
を限定するために記載されるものではない。換言すれ
ば、以下に説明される実施例において開示される各部材
は、本発明の精神ならびに技術的範囲に属する全ての設
計変更ならびに均等物置換を含むものである。
第1図は、本発明にかかる縦型熱処理炉の一実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
第2図ないし第7図は、第1図実施例の一連の動作状
態を順次説明するための断面図である。
態を順次説明するための断面図である。
第8図は、第1図実施例の一部を示す部分斜視図であ
って、特に内筒管70Aの内筒管本体71を示している。
って、特に内筒管70Aの内筒管本体71を示している。
第9図は、第1図実施例の一部を示す部分斜視図であ
って、特に熱輻射防止管70Bを示している。
って、特に熱輻射防止管70Bを示している。
まず、第1図ないし第9図を参照しつつ、本発明にか
かる縦型熱処理炉の一実施例について、その構成を詳細
に説明する。
かる縦型熱処理炉の一実施例について、その構成を詳細
に説明する。
10は、本発明にかかる縦型熱処理炉であって、石英な
どの適宜の材料で形成されており半導体ウェーハ(図示
せず)を熱処理するための炉芯管20と、炉芯管20の周囲
に適宜の間隔を介して所望によって配設されており炉芯
管20において均熱領域を確保容易とするための均熱管30
と、均熱管30の周囲に配設された加熱部材40と、加熱部
材40の周囲に配設された断熱管50と、炉芯管20を保持す
るためにステンレスなどの適宜の材料で形成されたハウ
ジング60と、石英などの適宜の材料で形成されており炉
芯管20の内部空間に対して挿脱可能な内筒管本体71を有
する内筒管70Aと、内筒管70Aが炉芯管20から取出される
に際して内筒管70Aの周囲に配置され内筒管70Aから輻射
される熱を遮蔽する熱輻射防止管70Bと、石英もしくは
炭化珪素などの高温使用可能な高純度材料によって形成
されており内筒管本体71の開口端部71Aに対して直接に
当接される炉蓋本体81を有する炉蓋80とを備えている。
どの適宜の材料で形成されており半導体ウェーハ(図示
せず)を熱処理するための炉芯管20と、炉芯管20の周囲
に適宜の間隔を介して所望によって配設されており炉芯
管20において均熱領域を確保容易とするための均熱管30
と、均熱管30の周囲に配設された加熱部材40と、加熱部
材40の周囲に配設された断熱管50と、炉芯管20を保持す
るためにステンレスなどの適宜の材料で形成されたハウ
ジング60と、石英などの適宜の材料で形成されており炉
芯管20の内部空間に対して挿脱可能な内筒管本体71を有
する内筒管70Aと、内筒管70Aが炉芯管20から取出される
に際して内筒管70Aの周囲に配置され内筒管70Aから輻射
される熱を遮蔽する熱輻射防止管70Bと、石英もしくは
炭化珪素などの高温使用可能な高純度材料によって形成
されており内筒管本体71の開口端部71Aに対して直接に
当接される炉蓋本体81を有する炉蓋80とを備えている。
炉芯管20は、断熱管50の外部より延長されかつその外
周面にそって軸方向に延長されたのち頂部において内部
空間21に対し開口されており適宜の処理ガスを供給する
ためのガス供給管22と、開口端部21Aの近傍に開口され
かつ断熱管50の外部へ延長されており使用済の処理ガス
を炉芯管20の内部空間から外部へ排除するためのガス排
出管23とを包有している。ガス供給管22およびガス排出
管23は、ともに、断熱管50の内部に位置する部分がなる
べく多く石英などの適宜の材料によって形成されている
ことが好ましい。
周面にそって軸方向に延長されたのち頂部において内部
空間21に対し開口されており適宜の処理ガスを供給する
ためのガス供給管22と、開口端部21Aの近傍に開口され
かつ断熱管50の外部へ延長されており使用済の処理ガス
を炉芯管20の内部空間から外部へ排除するためのガス排
出管23とを包有している。ガス供給管22およびガス排出
管23は、ともに、断熱管50の内部に位置する部分がなる
べく多く石英などの適宜の材料によって形成されている
ことが好ましい。
均熱管30、たとえば炭化珪素などによって作成されて
おり、炉芯管20の均熱領域を確保ないし拡張すべく炉芯
管20の全長を包囲するように配設されている。
おり、炉芯管20の均熱領域を確保ないし拡張すべく炉芯
管20の全長を包囲するように配設されている。
加熱部材40は、均熱管30の外側に配設されており、炉
芯管20の軸方向にそって均熱領域を確保するために適宜
に配設されている。
芯管20の軸方向にそって均熱領域を確保するために適宜
に配設されている。
断熱管50は、グラスファイバなどの適宜の材料によっ
て形成されており、炉芯管20,均熱管30および加熱部材
40を全体として包囲している。
て形成されており、炉芯管20,均熱管30および加熱部材
40を全体として包囲している。
ハウジング60は、炉芯管20の開口端部21Aの外周面に
形成された支持突部24の下面を支持するための炉芯管支
持部61と、断熱管50の外周において後述の熱輻射防止管
70Bを収容するための収容孔62とを包有している。
形成された支持突部24の下面を支持するための炉芯管支
持部61と、断熱管50の外周において後述の熱輻射防止管
70Bを収容するための収容孔62とを包有している。
内筒管70Aは、炉芯管20の内部空間21に対してその開
口端部21Aより挿入取出可能とされており開口端部71Aの
近傍に対し使用済の処理ガスを排除するためのガス孔71
aが形成されている内筒管本体71と、内筒管本体71の開
口端部71Aの外周面に形成された支持突部72の下面を内
周支持部73Aで支持しておりかつ内筒管本体71を炉芯管2
0の内部空間21に対して挿入しあるいは内部空間21から
取出すための内筒管移動部材73と、内筒管移動部材73の
一端部に対して配設された駆動シャフト74と、駆動シャ
フト74と同様に内筒管移動部材73の一端部に対して配設
された案内シャフト75と、炉芯管20の内部空間21に対し
て内筒管本体71が挿入されたときハウジング60の炉芯管
支持部61の下面との間でシールを確保するために内周支
持部73Aの近傍上面に配設されたOリング76とを包有し
ている。
口端部21Aより挿入取出可能とされており開口端部71Aの
近傍に対し使用済の処理ガスを排除するためのガス孔71
aが形成されている内筒管本体71と、内筒管本体71の開
口端部71Aの外周面に形成された支持突部72の下面を内
周支持部73Aで支持しておりかつ内筒管本体71を炉芯管2
0の内部空間21に対して挿入しあるいは内部空間21から
取出すための内筒管移動部材73と、内筒管移動部材73の
一端部に対して配設された駆動シャフト74と、駆動シャ
フト74と同様に内筒管移動部材73の一端部に対して配設
された案内シャフト75と、炉芯管20の内部空間21に対し
て内筒管本体71が挿入されたときハウジング60の炉芯管
支持部61の下面との間でシールを確保するために内周支
持部73Aの近傍上面に配設されたOリング76とを包有し
ている。
熱輻射防止管70Bは、ステンレス,石英,炭化珪素あ
るいは耐熱プラスチックなどによって形成され、内筒管
移動部材73上に配設されており、内筒管移動部材73によ
って移動されるに際してガス供給管22およびガス排出管
23との間で干渉を生じることを回避するためにスリット
77a,77bが形成されている。
るいは耐熱プラスチックなどによって形成され、内筒管
移動部材73上に配設されており、内筒管移動部材73によ
って移動されるに際してガス供給管22およびガス排出管
23との間で干渉を生じることを回避するためにスリット
77a,77bが形成されている。
炉蓋80は、内筒管本体71の開口端部71Aの下面に対し
て直接に当接される石英もしくは炭化珪素などの高温使
用可能な高純度材料によって形成された炉蓋本体81と、
ステンレスなど適宜の材料で形成されており炉蓋本体81
を保持するための炉蓋保持部材82と、炉蓋保持部材82の
下面を支持しており炉蓋本体81を内筒管本体71の開口端
部71Aに向けて接近離間せしめる炉蓋移動部材83と、炉
蓋移動部材83の上面に対して配設されており炉蓋本体81
が内筒管本体71の開口端部71Aに対して当接されるとき
緩衝材として機能する弾性部材84と、炉蓋移動部材83の
一端部に対して配設された駆動シャフト85と、駆動シャ
フト85と同様に炉蓋移動部材83の一端部に対して配設さ
れた案内シャフト86と、内筒管本体71の開口端部71Aの
下面に炉蓋本体81が当接されたとき炉蓋保持部材82の上
面と内筒管移動部材73の下面との間でシールを確保する
ために炉蓋保持部材82の上面に配設されたOリング87と
を含有している。
て直接に当接される石英もしくは炭化珪素などの高温使
用可能な高純度材料によって形成された炉蓋本体81と、
ステンレスなど適宜の材料で形成されており炉蓋本体81
を保持するための炉蓋保持部材82と、炉蓋保持部材82の
下面を支持しており炉蓋本体81を内筒管本体71の開口端
部71Aに向けて接近離間せしめる炉蓋移動部材83と、炉
蓋移動部材83の上面に対して配設されており炉蓋本体81
が内筒管本体71の開口端部71Aに対して当接されるとき
緩衝材として機能する弾性部材84と、炉蓋移動部材83の
一端部に対して配設された駆動シャフト85と、駆動シャ
フト85と同様に炉蓋移動部材83の一端部に対して配設さ
れた案内シャフト86と、内筒管本体71の開口端部71Aの
下面に炉蓋本体81が当接されたとき炉蓋保持部材82の上
面と内筒管移動部材73の下面との間でシールを確保する
ために炉蓋保持部材82の上面に配設されたOリング87と
を含有している。
更に、第1図ないし第9図を参照しつつ、本発明にか
かる縦型熱処理炉の一実施例について、その作用を詳細
に説明する。
かる縦型熱処理炉の一実施例について、その作用を詳細
に説明する。
(半導体ウェーハの挿入動作) 駆動シャフト85および案内シャフト86によって炉蓋移
動部材83を下方へ移動せしめかつ内筒管本体71および熱
輻射防止管70Bを駆動シャフト73および案内シャフト74
によってそれぞれ炉芯管20の内部空間21およびハウジン
グ60の収容孔62に挿入せしめた状態(第1図参照)で、
熱処理すべき半導体ウェーハ(図示せず)を保持したウ
ェーハ支持部材90を炉蓋本体81上に載置せしめる。すな
わち熱処理すべき半導体ウェーハを保持せしめたウェー
ハ熱処理用治具91を、炉蓋本体81上に配置された支持テ
ーブル92に対して載置せしめる(第2図参照)。
動部材83を下方へ移動せしめかつ内筒管本体71および熱
輻射防止管70Bを駆動シャフト73および案内シャフト74
によってそれぞれ炉芯管20の内部空間21およびハウジン
グ60の収容孔62に挿入せしめた状態(第1図参照)で、
熱処理すべき半導体ウェーハ(図示せず)を保持したウ
ェーハ支持部材90を炉蓋本体81上に載置せしめる。すな
わち熱処理すべき半導体ウェーハを保持せしめたウェー
ハ熱処理用治具91を、炉蓋本体81上に配置された支持テ
ーブル92に対して載置せしめる(第2図参照)。
そののち、駆動シャフト74および案内シャフト75によ
って内筒管移動部材73を矢印A1方向に移動せしめること
により、炉芯管20の内部空間21およびハウジング60の収
容孔の収容孔62からそれぞれ内筒管本体71および熱輻射
防止管70Bを同時に引出し、ウェーハ支持部材90すなわ
ち半導体ウェーハを保持したウェーハ熱処理用治具91お
よび支持テーブル92の周囲に配置せしめる(第3図参
照)。このとき炉芯管20の内部空間21から内筒管本体71
が引出されるに際し熱輻射防止管70Bがその周囲に配置
されていることとなるので、内筒管本体71がもつ熱によ
って周囲環境(たとえばクリーンルーム)の温度が押し
上げられることを抑制することができ、ひいては周囲環
境の温度管理を容易化でき、また周囲環境に存在する機
器などが高温によって受ける損傷を抑制できる。
って内筒管移動部材73を矢印A1方向に移動せしめること
により、炉芯管20の内部空間21およびハウジング60の収
容孔の収容孔62からそれぞれ内筒管本体71および熱輻射
防止管70Bを同時に引出し、ウェーハ支持部材90すなわ
ち半導体ウェーハを保持したウェーハ熱処理用治具91お
よび支持テーブル92の周囲に配置せしめる(第3図参
照)。このとき炉芯管20の内部空間21から内筒管本体71
が引出されるに際し熱輻射防止管70Bがその周囲に配置
されていることとなるので、内筒管本体71がもつ熱によ
って周囲環境(たとえばクリーンルーム)の温度が押し
上げられることを抑制することができ、ひいては周囲環
境の温度管理を容易化でき、また周囲環境に存在する機
器などが高温によって受ける損傷を抑制できる。
次いで、駆動シャフト74および案内シャフト75によっ
て内筒管移動部材73を矢印A2方向に移動せしめつつ、駆
動シャフト85および案内シャフト86によって炉蓋移動部
材83を矢印B1方向に移動せしめる(第3図参照)。内筒
管移動部材73および炉蓋移動部材83がともに上方へ移動
することにより、ウェーハ支持部材90すなわち半導体ウ
ェーハを保持したウェーハ熱処理用治具91および支持テ
ーブル92が、内筒管本体71および熱輻射防止管70Bによ
って包囲され内筒管本体71よって保護された状態で、炉
芯管20の内部空間21に対して挿入される。これによりウ
ェーハ支持部材90に保持された半導体ウェーハは、炉芯
管20の内部空間21に挿入されるに際して、その中心部温
度θ1と周辺部温度θ2との間に生じる温度差θΔが一
定範囲内に抑制されることとなり、結晶欠陥(いわゆる
“スリップ”)を生じることがない。
て内筒管移動部材73を矢印A2方向に移動せしめつつ、駆
動シャフト85および案内シャフト86によって炉蓋移動部
材83を矢印B1方向に移動せしめる(第3図参照)。内筒
管移動部材73および炉蓋移動部材83がともに上方へ移動
することにより、ウェーハ支持部材90すなわち半導体ウ
ェーハを保持したウェーハ熱処理用治具91および支持テ
ーブル92が、内筒管本体71および熱輻射防止管70Bによ
って包囲され内筒管本体71よって保護された状態で、炉
芯管20の内部空間21に対して挿入される。これによりウ
ェーハ支持部材90に保持された半導体ウェーハは、炉芯
管20の内部空間21に挿入されるに際して、その中心部温
度θ1と周辺部温度θ2との間に生じる温度差θΔが一
定範囲内に抑制されることとなり、結晶欠陥(いわゆる
“スリップ”)を生じることがない。
内筒管移動部材73は、最終的に、ハウジング60の炉芯
管支持部61の下面に対してOリング76を介して当接され
る。また炉蓋保持部材82は、最終的に、Oリング87を介
して内筒管移動部材73の下面に対し当接される(第4図
参照)。
管支持部61の下面に対してOリング76を介して当接され
る。また炉蓋保持部材82は、最終的に、Oリング87を介
して内筒管移動部材73の下面に対し当接される(第4図
参照)。
この状態で、ガス供給管22を介して炉芯管20の内部空
間21に対し適宜の処理ガスを矢印C1で示すごとく供給し
つつ、ウェーハ熱処理用治具91に保持せしめた半導体ウ
ェーハ(図示せず)の熱処理を適宜に実行する。
間21に対し適宜の処理ガスを矢印C1で示すごとく供給し
つつ、ウェーハ熱処理用治具91に保持せしめた半導体ウ
ェーハ(図示せず)の熱処理を適宜に実行する。
使用済の処理ガスは、ウェーハ熱処理用治具91に保持
された半導体ウェーハの周辺から内筒管本体71のガス孔
71aを介して矢印C2で示すごとく排除されたのち、ガス
排出管23を介して炉芯管20の内部空間21から外部へ向け
て排除される。
された半導体ウェーハの周辺から内筒管本体71のガス孔
71aを介して矢印C2で示すごとく排除されたのち、ガス
排出管23を介して炉芯管20の内部空間21から外部へ向け
て排除される。
(半導体ウェーハの取出動作) ウェーハ熱処理用治具91に保持せしめた半導体ウェー
ハの熱処理が終了したのち、駆動シャフト74および案内
シャフト75によって内筒管移動部材73が矢印A3方向に移
動せしめられ、かつ駆動シャフト85および案内シャフト
86によって炉蓋移動部材83が矢印B2方向に移動せしめら
れる(第5図参照)。
ハの熱処理が終了したのち、駆動シャフト74および案内
シャフト75によって内筒管移動部材73が矢印A3方向に移
動せしめられ、かつ駆動シャフト85および案内シャフト
86によって炉蓋移動部材83が矢印B2方向に移動せしめら
れる(第5図参照)。
炉蓋移動部材83が当初の位置近傍まで移動されると、
内筒管移動部材72は、ウェーハ熱処理用治具91を支持テ
ーブル92から除去するために、駆動シャフト74および案
内シャフト75によって矢印A4に示すごとく、再び炉芯管
20の開口端部21Aに向けて移動せしめられる(第6図参
照)。
内筒管移動部材72は、ウェーハ熱処理用治具91を支持テ
ーブル92から除去するために、駆動シャフト74および案
内シャフト75によって矢印A4に示すごとく、再び炉芯管
20の開口端部21Aに向けて移動せしめられる(第6図参
照)。
これにより、ウェーハ支持部材90に保持された半導体
ウェーハは、熱処理ののち、炉芯管20の内部空間21から
取出されるに際し、内筒管本体71によって包囲されるの
で、その中心部温度θ1と周辺部温度θ2との間に生じ
る温度差θΔが一定範囲内に抑制されることとなり、結
晶欠陥(いわゆる“スリップ”)を生じることがない。
ウェーハは、熱処理ののち、炉芯管20の内部空間21から
取出されるに際し、内筒管本体71によって包囲されるの
で、その中心部温度θ1と周辺部温度θ2との間に生じ
る温度差θΔが一定範囲内に抑制されることとなり、結
晶欠陥(いわゆる“スリップ”)を生じることがない。
また、ウェーハ支持部材90すなわちウェーハ熱処理用
治具91および支持テーブル92と内筒管本体71とが、熱輻
射防止管70Bによって包囲された状態で、炉芯管20の内
部空間21から取出されるので、周囲環境の温度が上昇す
ることを抑制でき、ひいては周囲環境の温度管理を容易
化でき、また周囲環境に存在する機器などにの受ける損
傷を抑制できる。
治具91および支持テーブル92と内筒管本体71とが、熱輻
射防止管70Bによって包囲された状態で、炉芯管20の内
部空間21から取出されるので、周囲環境の温度が上昇す
ることを抑制でき、ひいては周囲環境の温度管理を容易
化でき、また周囲環境に存在する機器などにの受ける損
傷を抑制できる。
そののち、内筒管本体71が炉芯管20の内部空間21に挿
入されかつ熱輻射防止管70Bがハウジング60の収容孔62
に収容されることによって、ウェーハ支持部材90すなわ
ちウェーハ熱処理用治具91および支持テーブル92の周面
から除去される(第7図参照)と、熱処理済の半導体ウ
ェーハを保持したウェーハ熱処理用治具91が、炉蓋本体
81上に配置された支持テーブル92から適宜の手段によっ
て除去される(第1図参照)。
入されかつ熱輻射防止管70Bがハウジング60の収容孔62
に収容されることによって、ウェーハ支持部材90すなわ
ちウェーハ熱処理用治具91および支持テーブル92の周面
から除去される(第7図参照)と、熱処理済の半導体ウ
ェーハを保持したウェーハ熱処理用治具91が、炉蓋本体
81上に配置された支持テーブル92から適宜の手段によっ
て除去される(第1図参照)。
以下、上述の動作が反復される。
(3)発明の効果 上述より明らかなように、本発明にかかる縦型熱処理
炉は、 (i)炉芯管の内部空間から半導体ウェーハを取出すに
際して周囲環境の温度が押し上げられることを抑制でき
る効果 を有し、ひいては (ii)周囲環境の温度管理を容易化できる効果 を有し、また (iii)周囲環境に存在する機器などが高温によって受
ける損傷を抑制できる効果 を有する。
炉は、 (i)炉芯管の内部空間から半導体ウェーハを取出すに
際して周囲環境の温度が押し上げられることを抑制でき
る効果 を有し、ひいては (ii)周囲環境の温度管理を容易化できる効果 を有し、また (iii)周囲環境に存在する機器などが高温によって受
ける損傷を抑制できる効果 を有する。
第1図は本発明にかかる縦型熱処理炉の一実施例を示す
断面図、第2図ないし第7図は第1図実施例の一連の動
作状態を順次説明するための断面図、第8図および第9
図は第1図実施例の一部を示す部分斜視図である。10 ……縦型熱処理炉20 ……炉芯管 21……内部空間 21A……開口端部 22……ガス供給管 23……ガス排出管 24……支持突部30 ……均熱管40 ……加熱部材50 ……断熱管60 ……ハウジング 61……炉芯管支持部 62……収容孔70A ……内筒部 71……内筒管本体 71A……開口端部 72……支持突部 73……内筒管移動部材 73A……内周支持部 74……駆動シャフト 75……案内シャフト 76……Oリング70B ……熱輻射防止管 77a,77b……スリット80 ……炉蓋 81……炉蓋本体 82……炉蓋保持部材 83……炉蓋移動部材 84……弾性部材 85……駆動シャフト 86……案内シャフト 87……Oリング90 ……ウェーハ支持部材 91……ウェーハ熱処理用治具 92……支持テーブル
断面図、第2図ないし第7図は第1図実施例の一連の動
作状態を順次説明するための断面図、第8図および第9
図は第1図実施例の一部を示す部分斜視図である。10 ……縦型熱処理炉20 ……炉芯管 21……内部空間 21A……開口端部 22……ガス供給管 23……ガス排出管 24……支持突部30 ……均熱管40 ……加熱部材50 ……断熱管60 ……ハウジング 61……炉芯管支持部 62……収容孔70A ……内筒部 71……内筒管本体 71A……開口端部 72……支持突部 73……内筒管移動部材 73A……内周支持部 74……駆動シャフト 75……案内シャフト 76……Oリング70B ……熱輻射防止管 77a,77b……スリット80 ……炉蓋 81……炉蓋本体 82……炉蓋保持部材 83……炉蓋移動部材 84……弾性部材 85……駆動シャフト 86……案内シャフト 87……Oリング90 ……ウェーハ支持部材 91……ウェーハ熱処理用治具 92……支持テーブル
Claims (1)
- 【請求項1】炉蓋本体に載置された支持テーブル上のウ
ェーハ熱処理用治具に保持した状態で半導体ウェーハを
炉芯管の内部空間に対して熱処理のために挿入し熱処理
後に取り出す縦型熱処理炉において、 一体的に上下動可能に支持された内筒管およびこの内筒
管の周囲を包囲する熱輻射防止管を具備し、 熱処理時にウェーハ熱処理用治具が上昇するとともに内
筒管および熱輻射防止管が上昇して、内筒管はウェーハ
熱処理治具の周囲を包囲した状態で炉芯管での内部空間
に配置され、かつ熱輻射防止管は炉芯管の外部に配置さ
れ、 炉芯管の内部空間からのウェーハ処理用治具の取り出し
時にウェーハ熱処理用治具が下降するとともに内筒管お
よび熱輻射防止管が下降して、内筒管はウェーハ熱処理
治具の周囲を包囲し、かつ熱輻射防止管は内筒管の周囲
を包囲する ことを特徴とする縦型熱処理炉。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1110383A JP2557105B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 縦型熱処理炉 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1110383A JP2557105B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 縦型熱処理炉 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02290490A JPH02290490A (ja) | 1990-11-30 |
JP2557105B2 true JP2557105B2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=14534418
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1110383A Expired - Lifetime JP2557105B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 縦型熱処理炉 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2557105B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6120318A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-01-29 | Toshiba Corp | 縦型拡散炉 |
JPS6319817A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
JPS6366928A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-25 | Toshiba Corp | 熱処理装置 |
JPS6373620A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 高温処理装置 |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP1110383A patent/JP2557105B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02290490A (ja) | 1990-11-30 |
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