JP2549889B2 - ビス（トリクロロメチル）ジフェニルエーテルの製法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ビス（トリクロロメチル）ジフェニルエー
テルを高純度で製造する方法に関する。

ビス（トリクロロメチル）ジフェニルエーテルは非常
に反応性に富むトリクロロメチル基を有し、例えばこれ
より容易に誘導できるジカルボン酸は耐熱性樹脂あるい
は高分子液晶の原料として非常に有用な化合物である。

（従来の技術） メチル置換基を有する芳香族化合物の側鎖はラジカル
反応開始剤の添加又は光照射等によるラジカル反応によ
って選択的に塩素化されることはよく知られている。こ
の反応は逐次反応であり、メチル基に塩素が導入されて
いくに従って反応速度は大幅に減少し、そのためトリク
ロロメチル化合物を製造する際にはラジカル源として強
力な光源等を用い、比較的高温で塩素化を行うことが必
要とされてきた。

従来ビス（トリクロロメチル）ジフェニルエーテルの
製造法としては次のような方法が知られている。

（１）米国特許 第3376350号 ジフェニルエーテルをクロロメチル化してビス（クロ
ロメチル）ジフェニルエーテルとした後、四塩化炭素中
太陽灯照射下で塩素化を行う方法。

（２）ソビエト特許 第245061号 ジメチルジフェニルエーテルに五塩化燐を添加し、11
0〜250℃で紫外線を照射しながら塩素化を行う方法。

（３）ソビエト特許 第273186号 ジメチルジフェニルエーテルに脂肪族ニトロエステル
を添加し高温に加熱して塩素化を行う方法。

また、ビス（トリクロロメチル）ジフェニルエーテル
の製造を目的とするものではないが、ジメチルジフェニ
ルエーテルの側鎖塩素化に際してラジカル反応開始剤を
用いる従来法として以下のものが知られている。

（４）特開昭55−89237号 ジメチルジフェニルエーテルを含窒素化合物及び含硫
黄化合物とラジカル反応開始剤の共存下で塩素化して主
としてジクロロメチル側鎖を有する化合物を得る方法。

（５）特開昭56−125326号 ジメチルジフェニルエーテルを含硫黄化合物とラジカ
ル反応開始剤の共存下で塩素化して主としてジクロロメ
チル側鎖を有する化合物を得る方法。

（発明が解決しようとする課題） 上記（１），（２）の反応初期から紫外線を照射する
方法及び（３）の高温塩素化を行う方法のいずれも得ら
れるビス（トリクロロメチル）ジフェニルエーテルは黒
色のタール状副生物で著しく汚染されている。これは分
子内のエーテル結合によって活性化されたベンゼン環に
より引き起こされる副反応（例えば脱塩化水素によるタ
ール状オリゴマー生成、核塩素化、環化反応等）に起因
するものと考えられる。上記従来の光塩素化法の場合、
反応開始当初からタール状副生物の生成により反応液が
着色するため反応が進行すると共に光の透過が悪くな
り、反応速度の減少、暗黒反応による副生物の増加、最
悪の場合には反応あを完結することができないという事
態が生じた。しかもこれらの方法によって得られた反応
液からビス（トリクロロメチル）ジフェニルエーテルを
得るためには蒸留あるいは再結晶などの精製の手段が不
可欠である。

また、従来法の上記（４），（５）の方法は、主とし
てジクロロメチル側鎖を有する化合物の製造を目的とす
るものであるが、このような第三物質を添加する方法は
生成物中にこれらが残存し、これを分離除去せねばなら
ないという問題が残っている。

一方、上記含窒素化合物や含硫黄化合物の如き第三物
質を共存させずにラジカル反応開始剤のみによって側鎖
塩素化する方法も考えられるが、この方法は、反応を完
結させるために長時間を要するという難点がある。ま
た、この方法は反応後期における反応速度の急激な低下
をラジカル反応開始剤の逐次添加によって補わねばなら
ないといった煩わしさがあるし、この大量に添加したラ
ジカル反応開始剤を分離除去せねばならないといった精
製処理上の問題もある。

一般にビス（トリクロロメチル）ジフェニルエーテル
は、（ｉ）沸点が高く、熱に対して不安定である、（i
i）融点は低く、有機溶媒には易溶である、（iii）求核
性を有する化合物と容易に反応する、等の性質が知られ
ており、上記従来法によって得られた反応液を通常の精
製法、例えば蒸留を行うと、上記（ｉ）の性質のため蒸
留中熱分解を起こしたり、また再結晶による精製を行う
には、上記（ii），（iii）のため使用可能な溶媒が限
定されるなど、精製に大きな損失を伴うことは避けられ
なかった。また上記従来（１）〜（３）の場合反応液は
タール状副生物のために過が困難であるなど操作上の
不利もあった。

（課題を解決するための手段） 本発明者らは、ビス（トリクロロメチル）ジフェニル
エーテルの製造法において、反応後反応液を蒸留もしく
は再結晶などの精製工程を加えることなく、減圧濃縮等
の簡便な操作のみで高純度な目的物を得るためには、上
記副反応を最小限に抑制することが工業生産上重要であ
ると考え、核塩素化物あるいはタール状副生物の生成を
如何に抑えるかに主眼をおいて鋭意検討を行った。その
結果、ラジカル反応開始剤を用いる塩素化方法はタール
状副生物の生成を抑える最良の方法であること、光照射
によるタール状副生物の生成は反応初期において最も起
こり易いものであること、更に側鎖メチル基に塩素が導
入されていくに従ってタール状副生物、核塩素化物等の
副反応は起こり難くなっていくこと等を見出した。そこ
で原料のジメチルジフェニルエーテルを不活性溶媒で稀
釈し、先ずラジカル反応開始剤の存在下に塩素化を行っ
て側鎖に塩素を導入し、然る後に光照射を開始して塩素
化を続行して反応を完結せしめる方法を採用したとこ
ろ、光塩素化法に特有のタール状副生物の生成は認めら
れす、かつ高収率、高純度でしかも短時間で目的物を製
造できることが分かった。

すなわち、本発明は、下記一般式（Ｉ） （但し、上記（Ｉ）式中メチル基はメタ位又はパラ位に
位置する） で表わされる化合物を不活性溶媒で上記化合物に対して
重量で10〜50倍に稀釈し、ラジカル反応開始剤の存在下
で塩素を導入して上記化合物の側鎖メチル基の塩素化率
が70〜90％まで塩素化する第一工程と、光照射下で塩素
を導入して反応を完結する第二工程とからなることを特
徴とする一般式（II） （但し、上記（II）式中トリクロロメチル基はメタ位又
はパラ位に位置する） で表わされるビス（トリクロロメチル）ジフェニルエー
テルの製法である。

本発明は、ラジカル反応開始剤による塩素化と光照射
による塩素化とをそれぞれ相補的に組合せた方法であ
り、特に光塩素化の致命的欠点というべきタール状副生
物の生成を、反応初期にラジカル反応開始剤を用いるこ
とによって抑制し、反応後期において該開始剤が消費さ
れることにより低下する反応速度を光照射によって促進
させる効果を有する。すなわち、本発明の目的物の製法
にように反応初期における反応条件の設定が製品の純度
に大きく影響するような場合、光塩素化のみでは光量、
反応容器の形状等の解析は複雑であり、これに着色の要
因が加わるため装置のスケールアップには大きな困難を
伴うものであるが、反応を完結する最終段階において光
照射を行う方法を採れば、たとえ光照射下に過剰の塩素
を供給したとしてもタール状副生物、核塩素化物の副生
は殆んど認められず、従って装置のスケールアップは容
易に行うことができる。ラジカル反応開始剤のみでも長
時間かけて反応を行うことは可能ではあるが、本発明法
によれば最短の反応時間、最小のラジカル反応開始剤に
より反応を遂行することができる。生成物中のラジカル
反応開始剤の分解物は、本発明の目的物であるビス（ト
リクロロメチル）ジフェニルエーテルとの間に大きな沸
点差があり、精留を行うまでもなく、単なる減圧濃縮操
作だけで容易に反応混合物から除くことができる。

本発明に用いられる上記式（Ｉ）の化合物の具体例と
しては、3,3′−ジメチルフェニルエーテル,3,4′−ジ
メチルフェニルエーテル及び4,4′−ジメチルジフェニ
ルエーテル等の前記（Ｉ）式中のメチル基がメタ位又は
パラ位に位置する化合物が挙げられる。

本発明に用いられる不活性溶媒としては、例えば四塩
化炭素，モノクロロベンゼン，ジクロロベンゼン等の塩
素化に対して不活性なものが挙げられる。

反応に際しての原料ジメチルジフェニルエーテルの濃
度は製品の純度に大きく影響し、濃度が10重量％を超え
ると目的物の純度は大きく低下し始め、30重量％以上で
は殆んどが核塩素化物となることが確められた。従って
溶媒の使用量は式（Ｉ）原料化合物に対して重量で10倍
以上、好ましくは10〜50倍、更に好ましくは13〜30倍の
範囲が適当である。

本発明に用いられるラジカル反応開始剤としては、ベ
ンゾイルパーオキサイドに代表される有機過酸化物やア
ゾビスイソブチロニトリルに代表されるアゾ化合物が挙
げられ、ラジカル反応開始剤と溶媒との組合せは反応温
度と該開始剤の半減期を考慮して適宜選択される。ラジ
カル反応開始剤の添加量は、実施に際して反応初期に過
剰の塩素を発生させず、また第一工程における最適塩素
導入量を考慮して定められるが、通常原料ジメチルジフ
ェニルエーテルに対して0.1〜10重量％、好ましくは１
〜５重量％の範囲である。

本発明の実施において、第一工程のラジカル反応開始
剤存在下での塩素化は、原料化合物を溶かした不活性溶
媒中に塩素を導入して原料化合物の側鎖の塩素化率が70
％以上、好ましくは70〜90％に達するまで行われる。特
に塩素化された原料化合物からベンジルプロトンが消失
したときに第二工程の光照射下での塩素化を開始するの
が好ましい。この段階での側鎖塩素化率は反応条件によ
って異なるが、通常75〜85％の範囲にある。従って、第
一工程におけるラジカル反応開始剤の添加量は反応初期
に過剰の塩素を発生させず、しかも側鎖に70％以上の塩
素を導入しうる量である。第一工程における塩素の導入
量が側鎖塩素化率70％未満のときは、低次塩素化物（例
えば、メチル及びベンジルプロトンを有するもの）の占
める割合が多く、第二工程での光塩素化時に副反応を起
こしし易いので好ましくない。また塩素の導入量が90％
を超えるときは、反応速度の減少によって反応に長時間
を要する結果となり、更に系内に過剰の塩素が蓄積する
ために第二工程での光照射時に爆発的な反応が起こり操
作上好ましくない。

第二工程で用いられる光源は350〜500nm程度の通常の
紫外線が用いられ、高圧水銀灯を用いるのが好適であ
る。第二工程での光塩素化の開始は、上記したとおり、
原料化合物の側鎖塩素化率が70％以上のときである。

反応はバッチ式で行われるが、例えば第一工程のラジ
カル反応槽と第二工程の光反応槽の二槽で連続式に行う
ことも可能である。

反応によって生成する塩化水素は核塩素化の触媒効果
をもつことが知られており、反応温度が低いと塩化水素
の溶解量が増大するため製品純度は低下する。従って本
発明における第一工程及び第二工程での好適な反応温度
は50〜150℃の範囲、特に反応系が緩やかに還流する温
度で行うとよい。また窒素ガスの如き不活性ガスを導入
して反応系から塩素水素を追い出しながら反応を行って
もよい。

反応時間は、塩素導入速度によっても異なるが、通常
第一工程及び第二工程を通して１〜30時間の範囲であ
る。特に反応初期では塩素の過剰供給が製品の純度を大
きく低下させることになるので、反応初期は系外に過剰
の塩素を排出させないように塩素導入量を調節して反応
時間を設定することが目的物を高純度で製造する上で重
要である。また使用する塩素及び溶媒は乾燥しているこ
とが好ましい。核塩素化の触媒となり得る重金属をマス
キングするために反応系内にアミド系化合物等を添加す
る方法が知られているが、本発明においてもかようなマ
スキング剤を添加することは勿論可能であり、反応の遂
行上何ら問題はない。

反応中の撹拌は局部的な塩素の高濃度化を防ぐために
重量であり、塩素の導入方法等は目的物の純度に影響を
与えるが、これらは実施に際し実験等により容易に定め
ることができる。

（実施例） 実施例１ 100W高圧水銀灯照射装置を内部に備えた反応器に、3,
4′−ジメチルジフェニルエーテル58.5g（0.29モル）、
四塩化炭素915g及びベンゾイルパーオキサイド1.8gを仕
込み、系が緩やかに還流するまで加熱した。まず水銀灯
非点灯下でガス導入管より塩素ガスを140ml/minの割合
で導入し塩素化を行った。約４時間後NMRによりベンジ
ルプロトンの消失がほぼ確認できたので（この時点での
側鎖塩素化率はガスクロマトグラフィ分析によると83％
であった）、高圧水銀灯を点灯し光照射下で更に塩素化
を続行した。反応開始より５時間30分後にNMRでベンザ
ルプロトンの消失が確認できたので塩素導入を停止し反
応を終了した。系に窒素ガスを導入して溶存する塩化水
素及び塩素ガスを追い出した後濃縮し、更に80℃、2mmH
gで減圧濃縮して無色油状物120gを得た。ガスクロマト
グラフィで分析したところ、3,4′−ビス（トリクロロ
メチル）ジフェニルエーテル98.5重量％及び核塩素化物
1.5重量％の割合で生成していた。

比較例１ 100Wの高圧水銀灯照射装置を内部に備えた反応器に3,
4′−ジメチルジフェニルエーテル58.5g（0.29モル）、
四塩化炭素916gを仕込んだ。系を緩やかに還流させて水
銀灯照射下で塩素を140ml/minの速度で導入して塩素化
を行った。反応開始と共に反応液は次第に褐色を帯び、
反応後半は反応速度が著しく低下したが、反応開始から
７時間30分後、NMRによりベンザルプロトンの消失が確
認されたのでこの時点で反応を終了した。

反応後、窒素ガスを導入して溶存する塩化水素、塩素
ガスを追い出した後減圧濃縮して粘稠な黒褐色油状物12
3gを得た。これをガスクロマトグラフィを用いて分析し
ところ、3,4′−ビス（トリクロロメチル）ジフェニル
エーテル92.5重量％、核塩素化物3.4重量％、その他高
沸点物4.1重量％の割合で生成していた。

比較例２ 3,4′−ジメチルジフェニルエーテル58.2g（0.29モ
ル）、ベンゾイルパーオキサイド2.9gを四塩化炭素916g
に溶解し、系を緩やかに還流させた。これに塩素を140m
l/minの速度で導入しNMRで反応を追跡した。反応開始よ
り８時間目にベンザルプロトンが消失したので反応を終
了した。

反応後、系に窒素ガスを導入して溶存する塩化水素、
塩素ガスを追い出した後、減圧濃縮して淡黄色油状物12
1gを得た。これをガスクロマトグラフィで分析したとこ
ろ、3,4′−ビス（トリクロロメチル）ジフェニルエー
テル97.0重量％、核塩素化物3.0重量％の割合で生成し
ていた。

（発明の効果） 本発明は、穏和な条件で、しかも何らの装置上あるい
は工程上の煩雑さはなく、簡便で、しかも短時間で高純
度な目的物を高収率で得ることができる。得られた目的
物は耐熱性樹脂、高分子液晶の原料としてそのまま使用
することができる。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】下記一般式（Ｉ） （但し、上記（Ｉ）式中メチル基はメタ位又はパラ位に
   位置する） で表わされる化合物を不活性溶媒で上記化合物に対して
   重量で10〜50倍に稀釈し、ラジカル反応開始剤の存在下
   で塩素を導入して上記化合物の側鎖メチル基の塩素化率
   が70〜90％まで塩素化する第一工程と、光照射下で塩素
   を導入して反応を完結する第二工程とからなることを特
   徴とする一般式（II） （但し、上記（II）式中トリクロロメチル基はメタ位、
   又はパラ位に位置する） で表わされるビス（トリクロロメチル）ジフェニルエー
   テルの製法。