JP2536564B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JP2536564B2 JP2536564B2 JP62314635A JP31463587A JP2536564B2 JP 2536564 B2 JP2536564 B2 JP 2536564B2 JP 62314635 A JP62314635 A JP 62314635A JP 31463587 A JP31463587 A JP 31463587A JP 2536564 B2 JP2536564 B2 JP 2536564B2
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- resin
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は樹脂封止型半導体装置に係り、特に、その
外装樹脂におけるクラック発生防止構造に関する。
外装樹脂におけるクラック発生防止構造に関する。
従来から、この種の半導体装置として、第６図に示す
ような構造のものが知られている。この図において、符
号10は半導体素子、11は半導体素子10が載置固定される
ダイパッド、12はガル・ウィングといわれるタイプのリ
ードピン、13は半導体素子10に配設された電極とリード
ピン12の内端部とを電気的に接続するワイヤ、14はリー
ドピン12の外端部を除く半導体装置の要部を一体的に封
止する外装樹脂である。
ような構造のものが知られている。この図において、符
号10は半導体素子、11は半導体素子10が載置固定される
ダイパッド、12はガル・ウィングといわれるタイプのリ
ードピン、13は半導体素子10に配設された電極とリード
ピン12の内端部とを電気的に接続するワイヤ、14はリー
ドピン12の外端部を除く半導体装置の要部を一体的に封
止する外装樹脂である。
ところで、前記構造の半導体装置においては、これを
封止する外装樹脂14の有する線膨張係数が半導体素子10
やダイパッド11などの有する線膨張係数よりも大きいた
め、つぎのような問題点があった。すなわち、この半導
体装置の全体がその実装プロセスにおいて加熱される
と、前述したような線膨張係数の相違に基づき、既に保
管中における水分吸収などによって接着力が低下してい
たダイパッド11の下面と外装樹脂14の下側内面とが、第
７図に示すように互いに剥離してしまい、ダイパッド11
の端部に内部応力が集中して外装樹脂14にクラック15が
発生してしまうことになっていた。
封止する外装樹脂14の有する線膨張係数が半導体素子10
やダイパッド11などの有する線膨張係数よりも大きいた
め、つぎのような問題点があった。すなわち、この半導
体装置の全体がその実装プロセスにおいて加熱される
と、前述したような線膨張係数の相違に基づき、既に保
管中における水分吸収などによって接着力が低下してい
たダイパッド11の下面と外装樹脂14の下側内面とが、第
７図に示すように互いに剥離してしまい、ダイパッド11
の端部に内部応力が集中して外装樹脂14にクラック15が
発生してしまうことになっていた。
この発明は、このような問題点を解消するために創案
されたものであって、実装プロセスにおける加熱の際、
半導体装置の要部を封止する外装樹脂に発生するクラッ
クを有効に防止することが可能な半導体装置の提供を目
的としている。
されたものであって、実装プロセスにおける加熱の際、
半導体装置の要部を封止する外装樹脂に発生するクラッ
クを有効に防止することが可能な半導体装置の提供を目
的としている。
この発明においては、上記目的を達成するため、半導
体素子と、その裏面に接合された中間板と、この中間板
を介して前記半導体素子を固定支持するダイパッドと、
これらを封止する外装樹脂とを備え、前記ダイパッドに
は、その表裏に開口するダイパッド貫通孔を形成すると
ともに、前記中間板には前記ダイパッド貫通孔に連通
し、かつ、これよりも大きな開口面積を有する中間板貫
通孔を形成し、さらに、この中間板貫通孔および前記ダ
イパッド貫通孔の内部に前記外装樹脂の一部を充填した
構成に特徴を有するものである。
体素子と、その裏面に接合された中間板と、この中間板
を介して前記半導体素子を固定支持するダイパッドと、
これらを封止する外装樹脂とを備え、前記ダイパッドに
は、その表裏に開口するダイパッド貫通孔を形成すると
ともに、前記中間板には前記ダイパッド貫通孔に連通
し、かつ、これよりも大きな開口面積を有する中間板貫
通孔を形成し、さらに、この中間板貫通孔および前記ダ
イパッド貫通孔の内部に前記外装樹脂の一部を充填した
構成に特徴を有するものである。
上記構成によれば、半導体装置の要部を封止する外装
樹脂の一部がダイパッド貫通孔を通過して半導体素子の
裏面に接合された中間板の中間板貫通孔の内部にまで充
填されることにより、中間板貫通孔内の樹脂がダイパッ
ド貫通孔周囲のダイパッド上面に係合しているので、ダ
イパッドと中間板とが外装樹脂の一部を介して互いに機
械的に固定支持されていることになる。
樹脂の一部がダイパッド貫通孔を通過して半導体素子の
裏面に接合された中間板の中間板貫通孔の内部にまで充
填されることにより、中間板貫通孔内の樹脂がダイパッ
ド貫通孔周囲のダイパッド上面に係合しているので、ダ
イパッドと中間板とが外装樹脂の一部を介して互いに機
械的に固定支持されていることになる。
したがって、半導体装置が全体的に加熱されても、ダ
イパッドと中間板とがそれぞれの有する線膨張係数の相
違によって剥離することがなく、このような剥離に伴う
内部応力がダイパッドの端部に集中して外装樹脂にクラ
ックが発生することが有効に防止される。
イパッドと中間板とがそれぞれの有する線膨張係数の相
違によって剥離することがなく、このような剥離に伴う
内部応力がダイパッドの端部に集中して外装樹脂にクラ
ックが発生することが有効に防止される。
以下、この発明に係る一実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
第１図は本発明に係る樹脂封止型半導体装置の概略構
造を示す断面図であって、この図における符号１は半導
体素子、２は半導体素子１の裏面に接合された中間板、
３は中間板２を介して半導体素子１を固定支持するダイ
パッドである。そして、第２図の平面図に示すような平
面視略矩形状の金属平板からなるダイパッド３の略中央
位置には、その表裏に開口する円形状のダイパッド貫通
孔3aが形成されている。また、第３図の平面図に示すよ
うに、このダイパッド３と前記半導体素子１との間に介
装された中間板２もダイパッド３と略同形状の金属平板
からなり、その略中央位置にはダイパッド貫通孔3aに連
通するとともに、これよりも大きな開口面積を有する円
形状の中間板貫通孔2aが形成されている。
造を示す断面図であって、この図における符号１は半導
体素子、２は半導体素子１の裏面に接合された中間板、
３は中間板２を介して半導体素子１を固定支持するダイ
パッドである。そして、第２図の平面図に示すような平
面視略矩形状の金属平板からなるダイパッド３の略中央
位置には、その表裏に開口する円形状のダイパッド貫通
孔3aが形成されている。また、第３図の平面図に示すよ
うに、このダイパッド３と前記半導体素子１との間に介
装された中間板２もダイパッド３と略同形状の金属平板
からなり、その略中央位置にはダイパッド貫通孔3aに連
通するとともに、これよりも大きな開口面積を有する円
形状の中間板貫通孔2aが形成されている。
一方、前記ダイパッド２の周囲には、ガル・ウィング
タイプとされた複数のリードピン４が並列配置されてお
り、リードピン４の内端部と半導体素子１に配設された
電極とは、互いにワイヤ５を介して電気的に接続されて
いる。そして、リードピン４の外端部を除く全ての部
品、すなわち、半導体装置の要部は外装樹脂６によって
一体的に封止されており、前記中間板貫通孔2aおよびダ
イパッド貫通孔3aの内部それぞれには外装樹脂６の一部
が充填されている。したがって、ダイパッド貫通孔3aを
通過して、いわゆる「釘の頭」状で中間板貫通孔2a内に
充填された外装樹脂６の一部はダイパッド３のダイパッ
ド貫通孔3a周囲の上面に係合することになり、このダイ
パッド３と中間板２とは互いに外装樹脂６の一部を介し
て互いに機械的に固定支持されていることになる。
タイプとされた複数のリードピン４が並列配置されてお
り、リードピン４の内端部と半導体素子１に配設された
電極とは、互いにワイヤ５を介して電気的に接続されて
いる。そして、リードピン４の外端部を除く全ての部
品、すなわち、半導体装置の要部は外装樹脂６によって
一体的に封止されており、前記中間板貫通孔2aおよびダ
イパッド貫通孔3aの内部それぞれには外装樹脂６の一部
が充填されている。したがって、ダイパッド貫通孔3aを
通過して、いわゆる「釘の頭」状で中間板貫通孔2a内に
充填された外装樹脂６の一部はダイパッド３のダイパッ
ド貫通孔3a周囲の上面に係合することになり、このダイ
パッド３と中間板２とは互いに外装樹脂６の一部を介し
て互いに機械的に固定支持されていることになる。
そのため、上記構造によれば、この半導体装置が実装
プロセスにおいて加熱されても、そのダイパッド３の下
面と外装樹脂６の下側内面とが、中間板貫通孔2aおよび
ダイパッド貫通孔3aの内部に充填された外装樹脂６の一
部によって固持されることになり、従来例のように、こ
れらが剥離してしまうことがないので、このような剥離
に伴う内部応力がダイパッド３の端部に集中して外装樹
脂６にクラックが発生することはない。
プロセスにおいて加熱されても、そのダイパッド３の下
面と外装樹脂６の下側内面とが、中間板貫通孔2aおよび
ダイパッド貫通孔3aの内部に充填された外装樹脂６の一
部によって固持されることになり、従来例のように、こ
れらが剥離してしまうことがないので、このような剥離
に伴う内部応力がダイパッド３の端部に集中して外装樹
脂６にクラックが発生することはない。
なお、以上の説明においては、半導体装置を構成する
中間板２およびダイパッド３それぞれの互いに対応する
位置に、円形状で単一の貫通孔2a,3aを設けるものとし
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、例えば、他の実施例として、第４図の断面図および
第５図の平面図に示すように、中間板２に略矩形状の中
間板貫通孔2bを形成するとともに、ダイパッド３に複数
のダイパッド貫通孔3b,…を設けておいてもよい。ま
た、本実施例の半導体装置においては、そのリードピン
４の形状をガル・ウィングタイプとして説明している
が、例えば、Ｊ・リードタイプなどのリードピンであっ
ても同様に構成できることはいうまでもない。
中間板２およびダイパッド３それぞれの互いに対応する
位置に、円形状で単一の貫通孔2a,3aを設けるものとし
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、例えば、他の実施例として、第４図の断面図および
第５図の平面図に示すように、中間板２に略矩形状の中
間板貫通孔2bを形成するとともに、ダイパッド３に複数
のダイパッド貫通孔3b,…を設けておいてもよい。ま
た、本実施例の半導体装置においては、そのリードピン
４の形状をガル・ウィングタイプとして説明している
が、例えば、Ｊ・リードタイプなどのリードピンであっ
ても同様に構成できることはいうまでもない。
以上説明したように、この発明によれば、半導体装置
の要部を封止する外装樹脂の一部がダイパッド貫通孔を
通過して半導体素子の裏面に接合された中間板の中間板
貫通孔の内部にまで充填され、この中間板貫通孔内の樹
脂がダイパッド貫通孔周囲のダイパッド上面に係合する
ことによってダイパッドと中間板とが外装樹脂の一部を
介して互いに機械的に固定支持されることになる。した
がって、半導体装置が全体的に加熱されても、従来例の
ように、ダイパッドと中間板とがそれぞれの有する線膨
張係数の相違によって剥離することがなく、このような
剥離に伴う内部応力がダイパッドの端部に集中して外装
樹脂にクラックが発生することが有効に防止されるとい
う効果がある。
の要部を封止する外装樹脂の一部がダイパッド貫通孔を
通過して半導体素子の裏面に接合された中間板の中間板
貫通孔の内部にまで充填され、この中間板貫通孔内の樹
脂がダイパッド貫通孔周囲のダイパッド上面に係合する
ことによってダイパッドと中間板とが外装樹脂の一部を
介して互いに機械的に固定支持されることになる。した
がって、半導体装置が全体的に加熱されても、従来例の
ように、ダイパッドと中間板とがそれぞれの有する線膨
張係数の相違によって剥離することがなく、このような
剥離に伴う内部応力がダイパッドの端部に集中して外装
樹脂にクラックが発生することが有効に防止されるとい
う効果がある。
第１図ないし第５図は本発明の実施例に係り、第１図は
本発明の一実施例に係る半導体装置の概略構造を示す断
面図、第２図はその中間板の平面図、第３図はそのダイ
パッドの平面図であり、第４図は他の実施例に係る半導
体装置の概略構造を示す断面図、第５図はその中間板の
平面図である。また、第６図および第７図は従来例に係
り、第６図は半導体装置の概略構造を示す断面図、第７
図はその要部を封止する外装樹脂にクラックが発生した
状態を示す断面図である。 図において、１は半導体素子、２は中間板、2a,2bは中
間板貫通孔、３はダイパッド、3a,3bはダイパッド貫通
孔、６は外装樹脂である。
本発明の一実施例に係る半導体装置の概略構造を示す断
面図、第２図はその中間板の平面図、第３図はそのダイ
パッドの平面図であり、第４図は他の実施例に係る半導
体装置の概略構造を示す断面図、第５図はその中間板の
平面図である。また、第６図および第７図は従来例に係
り、第６図は半導体装置の概略構造を示す断面図、第７
図はその要部を封止する外装樹脂にクラックが発生した
状態を示す断面図である。 図において、１は半導体素子、２は中間板、2a,2bは中
間板貫通孔、３はダイパッド、3a,3bはダイパッド貫通
孔、６は外装樹脂である。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子と、その裏面に接合された中間
板と、この中間板を介して前記半導体素子を固定支持す
るダイパッドと、これらを封止する外装樹脂とを備え、 前記ダイパッドには、その表裏に開口するダイパッド貫
通孔を形成するとともに、 前記中間板には、前記ダイパッド貫通孔に連通し、か
つ、これよりも大きな開口面積を有する中間板貫通孔を
形成し、 さらに、この中間板貫通孔および前記ダイパッド貫通孔
の内部に、前記外装樹脂の一部を充填したことを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62314635A JP2536564B2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62314635A JP2536564B2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01154545A JPH01154545A (ja) | 1989-06-16 |
| JP2536564B2 true JP2536564B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=18055692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62314635A Expired - Lifetime JP2536564B2 (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2536564B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5264730A (en) * | 1990-01-06 | 1993-11-23 | Fujitsu Limited | Resin mold package structure of integrated circuit |
| JPH0575006A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-26 | Fujitsu Ltd | リードフレーム及び樹脂封止型半導体装置 |
| JP2852155B2 (ja) * | 1992-02-28 | 1999-01-27 | 九州日本電気株式会社 | 半導体装置用リードフレーム |
| DE102007015817B4 (de) * | 2007-03-30 | 2011-11-10 | W.C. Heraeus Gmbh | Systemträgerband für elektronische Bauteile |
-
1987
- 1987-12-10 JP JP62314635A patent/JP2536564B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01154545A (ja) | 1989-06-16 |
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