JP2531928B2 - 半導体スタック - Google Patents
半導体スタックInfo
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- JP2531928B2 JP2531928B2 JP5276894A JP27689493A JP2531928B2 JP 2531928 B2 JP2531928 B2 JP 2531928B2 JP 5276894 A JP5276894 A JP 5276894A JP 27689493 A JP27689493 A JP 27689493A JP 2531928 B2 JP2531928 B2 JP 2531928B2
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- terminal
- acb
- conductors
- collars
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/112—Mixed assemblies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、正極側及び負極側の両
端子を同一面上に導出した少なくとも一組の正極側のス
イッチング素子及び負極側のスイッチング素子を直列に
接続する半導体スタックに関する。
端子を同一面上に導出した少なくとも一組の正極側のス
イッチング素子及び負極側のスイッチング素子を直列に
接続する半導体スタックに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、電力変換装置において、高速スイ
ッチイング素子を使った高周波パルス幅変調（ＰＷＭ）
制御方式が広く採用され、また装置の大容量化に伴い大
容量素子を並列にして用いられている。さらに高周波Ｐ
ＷＭ制御方式では、高速スイッチング素子間のリアクタ
ンスを減らして、スイッチング時に発生するサージ電圧
を抑えるために、高速スイッチング素子は互いに近接
し、コンデンサとの距離が短くなるように取り付けられ
ている。
ッチイング素子を使った高周波パルス幅変調（ＰＷＭ）
制御方式が広く採用され、また装置の大容量化に伴い大
容量素子を並列にして用いられている。さらに高周波Ｐ
ＷＭ制御方式では、高速スイッチング素子間のリアクタ
ンスを減らして、スイッチング時に発生するサージ電圧
を抑えるために、高速スイッチング素子は互いに近接
し、コンデンサとの距離が短くなるように取り付けられ
ている。
【０００３】従来の半導体スタックについて、図１０及
び図１１により説明する。図１０は、三相又は単相ブリ
ッジ回路の任意の交流相の正側及び負側の２アームを示
すものであって、直流端子９，１０の間に、例えばそれ
ぞれトランジスタからなる６個並列の半導体スイッチン
グ素子１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆおよび２
ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆが直列に接続され、
さらにコンデンサ１５が、直流端子９，１０の間に接続
されている回路を示している。素子１ａ〜１ｆは直流導
体３Ｈ，３Ｒと交流導体５Ｈ，５Ｒとの間に並列に接続
され、素子２ａ〜２ｆは、交流導体５Ｈ，５Ｒと直流導
体４Ｈ，４Ｒとの間に並列に接続されている。交流導体
５Ｈ，５Ｒからは交流端子１１が導出されている。コン
デンサ１５と直流端子９，１０との間の接続は直流導体
３ａ及び４ａによって行われている。
び図１１により説明する。図１０は、三相又は単相ブリ
ッジ回路の任意の交流相の正側及び負側の２アームを示
すものであって、直流端子９，１０の間に、例えばそれ
ぞれトランジスタからなる６個並列の半導体スイッチン
グ素子１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆおよび２
ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆが直列に接続され、
さらにコンデンサ１５が、直流端子９，１０の間に接続
されている回路を示している。素子１ａ〜１ｆは直流導
体３Ｈ，３Ｒと交流導体５Ｈ，５Ｒとの間に並列に接続
され、素子２ａ〜２ｆは、交流導体５Ｈ，５Ｒと直流導
体４Ｈ，４Ｒとの間に並列に接続されている。交流導体
５Ｈ，５Ｒからは交流端子１１が導出されている。コン
デンサ１５と直流端子９，１０との間の接続は直流導体
３ａ及び４ａによって行われている。
【０００４】図１１は、図１０に示した従来の半導体ス
タック７の実装状態を示しており、図１１（ａ）はその
平面図、（ｂ）はその側面図である。
タック７の実装状態を示しており、図１１（ａ）はその
平面図、（ｂ）はその側面図である。
【０００５】図１１（ａ），（ｂ）において、素子１ａ
〜１ｆ及び２ａ〜２ｆは、ヒートパイプを内蔵したヒー
トシンク６の受熱部６ａの両面に片面６個ずつ配置され
ている。回路を実装した半導体スタックの表面側、すな
わちヒートシンク６の受熱部６ａの一方の表面上に、ヒ
ートシンク６の側から、素子１ａと２ａ、素子１ｂと２
ｂ、素子１ｃと２ｃが順に配置されている。素子１ａ，
１ｂ及び１ｃの正側端子Ｃは、ヒートシンク６の側から
伸ばされた直流導体３Ｈにそれぞれ接続され、直流導体
３Ｈは、直流端子９で直流導体３ａと接続されている。
素子１ａ，１ｂ及び１ｃの負側端子Ｅと素子２ａ，２ｂ
及び２ｃの正側端子Ｃは、ヒートシンク６の側から伸ば
された交流導体５Ｈによってそれぞれ接続され、交流導
体５Ｈの先端部が交流端子１１を形成している。素子２
ａ，２ｂ及び２ｃの負側端子Ｅは、ヒートシンク６の側
から伸ばされた直流導体４Ｈにそれぞれ接続され、直流
導体４Ｈは直流端子１０で直流導体４ａと接続されてい
る。直流導体３ａと直流導体４ａのそれぞれの他端は、
コンデンサ１５の正の端子と負の端子にそれぞれ接続さ
れている。
〜１ｆ及び２ａ〜２ｆは、ヒートパイプを内蔵したヒー
トシンク６の受熱部６ａの両面に片面６個ずつ配置され
ている。回路を実装した半導体スタックの表面側、すな
わちヒートシンク６の受熱部６ａの一方の表面上に、ヒ
ートシンク６の側から、素子１ａと２ａ、素子１ｂと２
ｂ、素子１ｃと２ｃが順に配置されている。素子１ａ，
１ｂ及び１ｃの正側端子Ｃは、ヒートシンク６の側から
伸ばされた直流導体３Ｈにそれぞれ接続され、直流導体
３Ｈは、直流端子９で直流導体３ａと接続されている。
素子１ａ，１ｂ及び１ｃの負側端子Ｅと素子２ａ，２ｂ
及び２ｃの正側端子Ｃは、ヒートシンク６の側から伸ば
された交流導体５Ｈによってそれぞれ接続され、交流導
体５Ｈの先端部が交流端子１１を形成している。素子２
ａ，２ｂ及び２ｃの負側端子Ｅは、ヒートシンク６の側
から伸ばされた直流導体４Ｈにそれぞれ接続され、直流
導体４Ｈは直流端子１０で直流導体４ａと接続されてい
る。直流導体３ａと直流導体４ａのそれぞれの他端は、
コンデンサ１５の正の端子と負の端子にそれぞれ接続さ
れている。
【０００６】一方、ヒートシンク６の受熱部６ａの裏面
上には、上述した表面側と同様にヒートシンク６の側か
ら、素子１ｄと２ｄ、素子１ｅと２ｅ、素子１ｆと２ｆ
が順に配置され、それぞれ２つの直流導体３Ｒ，４Ｒと
１つの交流導体５Ｒに接続されている。交流端子１１
は、図１１（ａ）に示すように、直流端子９及び１０の
近くでかつ両者から等距離の所に配置されている。ま
た、各導体は図示のごとく帯状に形成されている。
上には、上述した表面側と同様にヒートシンク６の側か
ら、素子１ｄと２ｄ、素子１ｅと２ｅ、素子１ｆと２ｆ
が順に配置され、それぞれ２つの直流導体３Ｒ，４Ｒと
１つの交流導体５Ｒに接続されている。交流端子１１
は、図１１（ａ）に示すように、直流端子９及び１０の
近くでかつ両者から等距離の所に配置されている。ま
た、各導体は図示のごとく帯状に形成されている。
【０００７】図１１（ｂ）には、直流導体４Ｈ，４Ｒと
直流導体４Ｈのみが示されている。なお、直流導体３Ｈ
と３Ｒで直流導体３を構成し、直流導体４Ｈと４Ｒで直
流導体４を構成し、交流導体５Ｈと５Ｒで交流導体５を
構成する。
直流導体４Ｈのみが示されている。なお、直流導体３Ｈ
と３Ｒで直流導体３を構成し、直流導体４Ｈと４Ｒで直
流導体４を構成し、交流導体５Ｈと５Ｒで交流導体５を
構成する。
【０００８】また図１１（ｂ）に示すように、受熱部６
ａの表面側と裏面側に配置されたそれぞれの直流導体と
交流導体はそれぞれ、受熱部６ａの前方で、受熱部６ａ
の端面側に向かって曲げられ、直流端子９と１０及び交
流端子１１は、その中間点に配置されている。これによ
って、直流端子９及び１０と交流端子１１との間の回路
長が短く、かつ等しくなり、この回路に発生するリアク
タンスを小さく等しい値にすることができる。
ａの表面側と裏面側に配置されたそれぞれの直流導体と
交流導体はそれぞれ、受熱部６ａの前方で、受熱部６ａ
の端面側に向かって曲げられ、直流端子９と１０及び交
流端子１１は、その中間点に配置されている。これによ
って、直流端子９及び１０と交流端子１１との間の回路
長が短く、かつ等しくなり、この回路に発生するリアク
タンスを小さく等しい値にすることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
交流導体と直流導体とを帯状にし分割して立体的に配置
した構成では、回路の配線リアクタンスを小さくし、各
素子のスイッチング動作時のサージ電圧を抑えるのには
限界がある。
交流導体と直流導体とを帯状にし分割して立体的に配置
した構成では、回路の配線リアクタンスを小さくし、各
素子のスイッチング動作時のサージ電圧を抑えるのには
限界がある。
【００１０】そこで本発明の目的は、回路の配線リアク
タンスをより小さくし、各素子のスイッチング動作時の
サージ電圧をさらに抑えることが可能な半導体スタック
を実現することにある。
タンスをより小さくし、各素子のスイッチング動作時の
サージ電圧をさらに抑えることが可能な半導体スタック
を実現することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体スタックは、正極側及び負極側の両
端子を同一面上に導出した少なくとも一組の正極側のス
イッチング素子及び負極側のスイッチング素子を直列に
接続する半導体スタックにおいて、スイッチング素子の
端子上に配置され、第１、第２及び第３の導体と少なく
とも各隣接導体相互間を絶縁する絶縁物とを重ね合わせ
たものからなる一括積層導体を備え、第１の導体は、正
極側のスイッチング素子の正極側の端子に電気的に接続
され、第２及び第３の導体から絶縁された状態で一括積
層導体を貫通する第１の接続手段を備え、第２の導体
は、正極側のスイッチング素子の負極側の端子及び負極
側のスイッチング素子の正極側の端子に電気的に接続さ
れ、第１及び第３の導体から絶縁された状態で一括積層
導体を貫通する第２の接続手段を備え、第３の導体は、
負極側のスイッチング素子の負極側の端子に電気的に接
続され、第１及び第２の導体から絶縁された状態で一括
積層導体を貫通する第３の接続手段を備えたことを特徴
とするものである。
に、本発明の半導体スタックは、正極側及び負極側の両
端子を同一面上に導出した少なくとも一組の正極側のス
イッチング素子及び負極側のスイッチング素子を直列に
接続する半導体スタックにおいて、スイッチング素子の
端子上に配置され、第１、第２及び第３の導体と少なく
とも各隣接導体相互間を絶縁する絶縁物とを重ね合わせ
たものからなる一括積層導体を備え、第１の導体は、正
極側のスイッチング素子の正極側の端子に電気的に接続
され、第２及び第３の導体から絶縁された状態で一括積
層導体を貫通する第１の接続手段を備え、第２の導体
は、正極側のスイッチング素子の負極側の端子及び負極
側のスイッチング素子の正極側の端子に電気的に接続さ
れ、第１及び第３の導体から絶縁された状態で一括積層
導体を貫通する第２の接続手段を備え、第３の導体は、
負極側のスイッチング素子の負極側の端子に電気的に接
続され、第１及び第２の導体から絶縁された状態で一括
積層導体を貫通する第３の接続手段を備えたことを特徴
とするものである。
【００１２】
【作用】本発明の半導体スタックは、各スイッチング素
子を接続する導体の形状を板状とし、導体と導体との間
を絶縁物を介して重ね合わせて一括積層導体とし、スイ
ッチング素子上に配置するものである。各導体に備えら
れた接続手段は、接続手段が備えられた導体とその導体
に対応するスイッチング素子の端子との間を電気的に接
続し、他の導体から絶縁された状態で一括積層導体を貫
通する。
子を接続する導体の形状を板状とし、導体と導体との間
を絶縁物を介して重ね合わせて一括積層導体とし、スイ
ッチング素子上に配置するものである。各導体に備えら
れた接続手段は、接続手段が備えられた導体とその導体
に対応するスイッチング素子の端子との間を電気的に接
続し、他の導体から絶縁された状態で一括積層導体を貫
通する。
【００１３】これにより、各素子を接続する上での配線
リアクタンスを小さくし、各素子のスイッチング動作時
のサージ電圧を抑えることができる。
リアクタンスを小さくし、各素子のスイッチング動作時
のサージ電圧を抑えることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明による実施例を図１〜図９を参
照して説明する。図１（ａ）は、本発明による本実施例
の表面側の実装状態を示す平面図で、（ｂ）は側面図で
ある。実装されている回路は、図１０に示したものと同
一であるとする。
照して説明する。図１（ａ）は、本発明による本実施例
の表面側の実装状態を示す平面図で、（ｂ）は側面図で
ある。実装されている回路は、図１０に示したものと同
一であるとする。
【００１５】図１（ａ），（ｂ）に示すように、表面側
において素子１ａ〜１ｆ，２ａ〜２ｆは、ヒートシンク
６の受熱部６ａ上に、図１１と同様に配置されている。
素子１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃの端子上に、一括積層体８
が、各端子を覆うように配置されている。同様に、裏面
側において素子１ｄ〜１ｆ，２ｄ〜２ｆの各端子上に、
一括積層体１６が、各端子を覆うように配置されてい
る。一括積層体１６の各導体は、受熱部６ａの前方で、
表面側に向かって曲げられ、表面側でそれぞれ対応する
導体と接合されている。
において素子１ａ〜１ｆ，２ａ〜２ｆは、ヒートシンク
６の受熱部６ａ上に、図１１と同様に配置されている。
素子１ａ〜１ｃ，２ａ〜２ｃの端子上に、一括積層体８
が、各端子を覆うように配置されている。同様に、裏面
側において素子１ｄ〜１ｆ，２ｄ〜２ｆの各端子上に、
一括積層体１６が、各端子を覆うように配置されてい
る。一括積層体１６の各導体は、受熱部６ａの前方で、
表面側に向かって曲げられ、表面側でそれぞれ対応する
導体と接合されている。
【００１６】図２及び図３は、それぞれ一括積層導体８
の分解斜視図の一部分で、両者合わせて一括積層導体８
を構成する。図２及び図３に示す一括積層導体８は、既
に述べたように受熱部６ａの表面側に位置し、直流導体
３ｂと直流導体４ｂと交流導体５ｂと導体相互間及びそ
れらを挟む４枚の絶縁板とを重ね合わせたものからなっ
ていて、素子１ａ〜１ｃ及び２ａ〜２ｃの各端子に接す
る側から、絶縁板２３ｂ、直流導体４ｂ、絶縁板２２
ｂ、交流導体５ｂ、絶縁板２１ｂ、直流導体３ｂ、絶縁
板２０ｂの順に積層される。図４及び図５は、それぞれ
一括積層導体１６の分解斜視図の一部分で、両者合わせ
て一括積層導体１６を構成する。
の分解斜視図の一部分で、両者合わせて一括積層導体８
を構成する。図２及び図３に示す一括積層導体８は、既
に述べたように受熱部６ａの表面側に位置し、直流導体
３ｂと直流導体４ｂと交流導体５ｂと導体相互間及びそ
れらを挟む４枚の絶縁板とを重ね合わせたものからなっ
ていて、素子１ａ〜１ｃ及び２ａ〜２ｃの各端子に接す
る側から、絶縁板２３ｂ、直流導体４ｂ、絶縁板２２
ｂ、交流導体５ｂ、絶縁板２１ｂ、直流導体３ｂ、絶縁
板２０ｂの順に積層される。図４及び図５は、それぞれ
一括積層導体１６の分解斜視図の一部分で、両者合わせ
て一括積層導体１６を構成する。
【００１７】図４及び図５に示す一括積層導体１６は、
受熱部６ａの裏面側に位置し、直流導体３ｃと直流導体
４ｃと交流導体５ｃとそれらを挟む４枚の絶縁板２０
ｃ，２１ｃ，２２ｃ，２３ｃとを重ね合わせたものから
なっていて、素子１ｄ〜１ｆ及び２ｄ〜２ｆの各端子に
接する側から、絶縁板２３ｃ、直流導体４ｃ、絶縁板２
２ｃ、交流導体５ｃ、絶縁板２１ｃ、直流導体３ｃ、絶
縁板２０ｃの順に積層される。
受熱部６ａの裏面側に位置し、直流導体３ｃと直流導体
４ｃと交流導体５ｃとそれらを挟む４枚の絶縁板２０
ｃ，２１ｃ，２２ｃ，２３ｃとを重ね合わせたものから
なっていて、素子１ｄ〜１ｆ及び２ｄ〜２ｆの各端子に
接する側から、絶縁板２３ｃ、直流導体４ｃ、絶縁板２
２ｃ、交流導体５ｃ、絶縁板２１ｃ、直流導体３ｃ、絶
縁板２０ｃの順に積層される。
【００１８】図２〜５に示すように、直流導体３ｂ，３
ｃ，４ｂ，４ｃの先端側は、それぞれコンデンサ１５を
接続するＬ字の形をしたコンデンサ接続部３ｂｃ，３ｃ
ｂ，４ｂｃ，４ｃｂが付設されている。裏面側に位置す
るコンデンサ接続部３ｃｂ，４ｃｂは、表面側で、コン
デンサ接続部３ｂｃとコンデンサ接続部４ｂｃ及びコン
デンサ１５の正極及び負極端子とに接続されるように、
受熱部６ａの前方で、表面側に向かって曲げられてい
る。また、裏面側に配置される交流導体５ｃの先端側
も、交流導体５ｂに接続されるように、受熱部６ａの前
方で、表面側に向かって曲げられたコ字状の形をした接
続部が設けられている。各コンデンサ接続部をＬ字型に
することによって、各直流導体とコンデンサ接続部との
間の隙間が形成されるため、そこに交流導体５ｃの接続
部を裏面側から表面側に伸ばすことができ、その結果交
流導体５ｂと交流導体５ｃとを接続させることが可能と
なる。
ｃ，４ｂ，４ｃの先端側は、それぞれコンデンサ１５を
接続するＬ字の形をしたコンデンサ接続部３ｂｃ，３ｃ
ｂ，４ｂｃ，４ｃｂが付設されている。裏面側に位置す
るコンデンサ接続部３ｃｂ，４ｃｂは、表面側で、コン
デンサ接続部３ｂｃとコンデンサ接続部４ｂｃ及びコン
デンサ１５の正極及び負極端子とに接続されるように、
受熱部６ａの前方で、表面側に向かって曲げられてい
る。また、裏面側に配置される交流導体５ｃの先端側
も、交流導体５ｂに接続されるように、受熱部６ａの前
方で、表面側に向かって曲げられたコ字状の形をした接
続部が設けられている。各コンデンサ接続部をＬ字型に
することによって、各直流導体とコンデンサ接続部との
間の隙間が形成されるため、そこに交流導体５ｃの接続
部を裏面側から表面側に伸ばすことができ、その結果交
流導体５ｂと交流導体５ｃとを接続させることが可能と
なる。
【００１９】図６（ａ）は、一括積層導体８を表面側か
ら見た平面図で、図６（ｂ）はその側面図である。図７
（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ），（ｆ）は、
それぞれ図６（ａ）の一括積層導体８の断面Ａ−Ａ′，
Ｂ−Ｂ′，Ｃ−Ｃ′，Ｄ−Ｄ′，Ｅ−Ｅ′，Ｆ−Ｆ′を
示している。
ら見た平面図で、図６（ｂ）はその側面図である。図７
（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ），（ｆ）は、
それぞれ図６（ａ）の一括積層導体８の断面Ａ−Ａ′，
Ｂ−Ｂ′，Ｃ−Ｃ′，Ｄ−Ｄ′，Ｅ−Ｅ′，Ｆ−Ｆ′を
示している。
【００２０】図８（ａ）は、一括積層導体１６を表面側
から見た平面図で、図８（ｂ）は一括積層導体１６の側
面図である。図９に示した（ａ），（ｂ），（ｃ），
（ｄ），（ｅ），（ｆ）は、それぞれ図８（ａ）の一括
積層導体１６の断面Ａ−Ａ′，Ｂ−Ｂ′，Ｃ−Ｃ′，Ｄ
−Ｄ′，Ｅ−Ｅ′，Ｆ−Ｆ′を示している。
から見た平面図で、図８（ｂ）は一括積層導体１６の側
面図である。図９に示した（ａ），（ｂ），（ｃ），
（ｄ），（ｅ），（ｆ）は、それぞれ図８（ａ）の一括
積層導体１６の断面Ａ−Ａ′，Ｂ−Ｂ′，Ｃ−Ｃ′，Ｄ
−Ｄ′，Ｅ−Ｅ′，Ｆ−Ｆ′を示している。
【００２１】次に、一括積層導体８について説明する。
図２及び図３に示すように、絶縁板２０ｂには穴Ｉ1 〜
Ｉ12が、絶縁板２１ｂには穴Ｉ13〜Ｉ24が、絶縁板２２
ｂには穴Ｉ25〜Ｉ36が、絶縁板２３ｂには穴Ｉ37〜Ｉ48
が開けられている。これらの穴は、直流導体３ｂ，４ｂ
及び交流導体５ｂと素子１ａ〜１ｃ及び２ａ〜２ｃの各
端子とを接続する後述の導体カラーを貫通させるための
ものである。また絶縁板２０ｂには穴ＩA 〜ＩD が、絶
縁板２１ｂには穴ＩE 〜ＩH が、絶縁板２２ｂには穴Ｉ
I 〜ＩL が、絶縁板２３ｂには穴ＩM 〜ＩP が開けられ
ている。これらの穴は、一括積層導体８全体を固定する
固定用絶縁ボルト１４のためのものである（図６（ａ）
と図７（ｂ）参照）。
図２及び図３に示すように、絶縁板２０ｂには穴Ｉ1 〜
Ｉ12が、絶縁板２１ｂには穴Ｉ13〜Ｉ24が、絶縁板２２
ｂには穴Ｉ25〜Ｉ36が、絶縁板２３ｂには穴Ｉ37〜Ｉ48
が開けられている。これらの穴は、直流導体３ｂ，４ｂ
及び交流導体５ｂと素子１ａ〜１ｃ及び２ａ〜２ｃの各
端子とを接続する後述の導体カラーを貫通させるための
ものである。また絶縁板２０ｂには穴ＩA 〜ＩD が、絶
縁板２１ｂには穴ＩE 〜ＩH が、絶縁板２２ｂには穴Ｉ
I 〜ＩL が、絶縁板２３ｂには穴ＩM 〜ＩP が開けられ
ている。これらの穴は、一括積層導体８全体を固定する
固定用絶縁ボルト１４のためのものである（図６（ａ）
と図７（ｂ）参照）。
【００２２】図２において、直流導体３ｂには導体カラ
ーＰＢ1 〜ＰＢ6 が取り付けられている。導体カラーＰ
Ｂ1 及びＰＢ4 ，ＰＢ2 及びＰＢ5 ，ＰＢ3 及びＰＢ6
はそれぞれ一体化され、その中心に端子接続ボルト１３
を通すための空洞を備える。なお、後述する導体カラー
も、端子接続ボルト１３を通すための空洞を備えてい
る。図７（ｃ）に示すように、導体カラーＰＢ1 とＰＢ
4 とを貫通する端子接続ボルト１３によって、素子１ｃ
の正極側の端子Ｃが直流導体３ｂに電気的に接続され
る。同様に、導体カラーＰＢ2 とＰＢ5 とを貫通する端
子接続ボルト１３によって、素子１ｂの正極側の端子Ｃ
が直流導体３ｂに電気的に接続され、導体カラーＰＢ3
及びＰＢ6 を貫通する端子接続ボルト１３によって、素
子１ａの正極側の端子Ｃが直流導体３ｂに電気的に接続
される。また直流導体３ｂには、穴Ｐ5 〜Ｐ7 と穴Ｐ25
〜Ｐ27と穴Ｐ28〜Ｐ30とが開けられている。これらの穴
は、それぞれ後述する導体カラーＡＣＢ1 〜ＡＣＢ3 と
導体カラーＡＣＢ7 〜ＡＣＢ9と導体カラーＮＢ1 〜Ｎ
Ｂ3 とを貫通させるためのものであり、これらの導体カ
ラーが直流導体３ｂから絶縁されるように両者が接触し
ない大きさで設けられている。さらに直流導体３ｂに
は、固定用絶縁ボルト１４用の穴Ｐ1 〜Ｐ4 が開けられ
ている。直流導体３ｂのコンデンサ接続部３ｂｃには、
直流導体３ｂと直流導体３ｃとコンデンサ１５の正極及
び負極端子とを接続する導体カラーＰＢ13及びＰＢ
14（後述）用の穴Ｐ8 及びＰ9 が開けられている。
ーＰＢ1 〜ＰＢ6 が取り付けられている。導体カラーＰ
Ｂ1 及びＰＢ4 ，ＰＢ2 及びＰＢ5 ，ＰＢ3 及びＰＢ6
はそれぞれ一体化され、その中心に端子接続ボルト１３
を通すための空洞を備える。なお、後述する導体カラー
も、端子接続ボルト１３を通すための空洞を備えてい
る。図７（ｃ）に示すように、導体カラーＰＢ1 とＰＢ
4 とを貫通する端子接続ボルト１３によって、素子１ｃ
の正極側の端子Ｃが直流導体３ｂに電気的に接続され
る。同様に、導体カラーＰＢ2 とＰＢ5 とを貫通する端
子接続ボルト１３によって、素子１ｂの正極側の端子Ｃ
が直流導体３ｂに電気的に接続され、導体カラーＰＢ3
及びＰＢ6 を貫通する端子接続ボルト１３によって、素
子１ａの正極側の端子Ｃが直流導体３ｂに電気的に接続
される。また直流導体３ｂには、穴Ｐ5 〜Ｐ7 と穴Ｐ25
〜Ｐ27と穴Ｐ28〜Ｐ30とが開けられている。これらの穴
は、それぞれ後述する導体カラーＡＣＢ1 〜ＡＣＢ3 と
導体カラーＡＣＢ7 〜ＡＣＢ9と導体カラーＮＢ1 〜Ｎ
Ｂ3 とを貫通させるためのものであり、これらの導体カ
ラーが直流導体３ｂから絶縁されるように両者が接触し
ない大きさで設けられている。さらに直流導体３ｂに
は、固定用絶縁ボルト１４用の穴Ｐ1 〜Ｐ4 が開けられ
ている。直流導体３ｂのコンデンサ接続部３ｂｃには、
直流導体３ｂと直流導体３ｃとコンデンサ１５の正極及
び負極端子とを接続する導体カラーＰＢ13及びＰＢ
14（後述）用の穴Ｐ8 及びＰ9 が開けられている。
【００２３】図３において、直流導体４ｂには導体カラ
ーＮＢ1 〜ＮＢ6 が取り付けられている。導体カラーＮ
Ｂ1 及びＮＢ4 ，ＮＢ2 及びＮＢ5 ，ＮＢ3 及びＮＢ6
はそれぞれ一体化されている。図７（ｆ）に示すよう
に、導体カラーＮＢ1 及びＮＢ4 を貫通する端子接続ボ
ルト１３によって、素子２ｃの負極側の端子Ｅが、直流
導体４ｂに電気的に接続される。同様に、導体カラーＮ
Ｂ2 及びＮＢ5 を貫通する端子接続ボルト１３によっ
て、素子２ｂの負極側の端子Ｅが直流導体４ｂに電気的
に接続され、導体カラーＮＢ3 及びＮＢ6 を貫通する端
子接続ボルト１３によって、素子２ａの負極側の端子Ｅ
が直流導体４ｂに電気的に接続される。また直流導体４
ｂには、穴Ｎ5 〜Ｎ7 と穴Ｎ25〜Ｎ27と穴Ｎ28〜Ｎ30と
が開けられている。これらの穴は、それぞれ後述する導
体カラーＡＣＢ10〜ＡＣＢ12と導体カラーＡＣＢ4 〜Ａ
ＣＢ6 と前述した導体カラーＰＢ4 〜ＰＢ6 とを貫通さ
せるためのものであり、これらの導体カラーが直流導体
４ｂから絶縁されるように、両者が接触しない大きさで
設けられている。さらに直流導体４ｂには、固定用絶縁
ボルト１４用の穴Ｎ1 〜Ｎ4 が開けられている、直流導
体４ｂのコンデンサ接続部４ｂｃには、直流導体４ｂと
直流導体３ｃとコンデンサ１５の正極及び負極端子とを
電気的に接続する導体カラーＮＢ13及びＮＢ14（後述）
用の穴Ｎ8 及びＮ9 が開けられている。
ーＮＢ1 〜ＮＢ6 が取り付けられている。導体カラーＮ
Ｂ1 及びＮＢ4 ，ＮＢ2 及びＮＢ5 ，ＮＢ3 及びＮＢ6
はそれぞれ一体化されている。図７（ｆ）に示すよう
に、導体カラーＮＢ1 及びＮＢ4 を貫通する端子接続ボ
ルト１３によって、素子２ｃの負極側の端子Ｅが、直流
導体４ｂに電気的に接続される。同様に、導体カラーＮ
Ｂ2 及びＮＢ5 を貫通する端子接続ボルト１３によっ
て、素子２ｂの負極側の端子Ｅが直流導体４ｂに電気的
に接続され、導体カラーＮＢ3 及びＮＢ6 を貫通する端
子接続ボルト１３によって、素子２ａの負極側の端子Ｅ
が直流導体４ｂに電気的に接続される。また直流導体４
ｂには、穴Ｎ5 〜Ｎ7 と穴Ｎ25〜Ｎ27と穴Ｎ28〜Ｎ30と
が開けられている。これらの穴は、それぞれ後述する導
体カラーＡＣＢ10〜ＡＣＢ12と導体カラーＡＣＢ4 〜Ａ
ＣＢ6 と前述した導体カラーＰＢ4 〜ＰＢ6 とを貫通さ
せるためのものであり、これらの導体カラーが直流導体
４ｂから絶縁されるように、両者が接触しない大きさで
設けられている。さらに直流導体４ｂには、固定用絶縁
ボルト１４用の穴Ｎ1 〜Ｎ4 が開けられている、直流導
体４ｂのコンデンサ接続部４ｂｃには、直流導体４ｂと
直流導体３ｃとコンデンサ１５の正極及び負極端子とを
電気的に接続する導体カラーＮＢ13及びＮＢ14（後述）
用の穴Ｎ8 及びＮ9 が開けられている。
【００２４】図２において、交流導体５ｂには導体カラ
ーＡＣＢ1 〜ＡＣＢ6 とＡＣＢ7 〜ＡＣＢ12が取り付け
られている。導体カラーＡＣＢ1 及びＡＣＢ4 ，ＡＣＢ
2 及びＡＣＢ5 ，ＡＣＢ3 及びＡＣＢ6 ，ＡＣＢ7 及び
ＡＣＢ10，ＡＣＢ8 及びＡＣＢ11，ＡＣＢ9 及びＡＣＢ
12はそれぞれ一体化されている。図７（ｄ），（ｅ）に
示すように、導体カラーＡＣＢ1 及びＡＣＢ4 を貫通す
る端子接続ボルト１３によって、素子１ｃの負極側の端
子Ｅが、直流導体５ｂに電気的に接続される。同様に、
導体カラーＡＣＢ2 及びＡＣＢ5 を貫通する端子接続ボ
ルト１３によって、素子１ｂの負極側の端子Ｅが交流導
体５ｂに電気的に接続され、導体カラーＡＣＢ3 及びＡ
ＣＢ6 を貫通する端子接続ボルト１３によって、素子１
ａの負極側の端子Ｅが交流導体５ｂに電気的に接続され
る。同様に、導体カラーＡＣＢ7及びＡＣＢ10と、導体
カラーＡＣＢ8 及びＡＣＢ11と、導体カラーＡＣＢ9 及
びＡＣＢ12と、それぞれを貫通する端子接続ボルト１３
によって、交流導体５ｂに素子２ｃの正極側の端子Ｃと
素子２ｂの正極側の端子Ｃと素子２ａの正極側の端子Ｃ
が接続される。また交流導体５ｂには、穴ＡＣ19〜ＡＣ
21と穴ＡＣ22〜ＡＣ24とが開けられている。これらの穴
は、それぞれ前述した導体カラーＮＢ1 〜ＮＢ3 と導体
カラーＰＢ4 〜ＰＢ6 とを貫通させるためのものであ
り、これらの導体カラーが交流導体５ｂから絶縁される
ように両者が接触しない大きさで設けられている。さら
に交流導体５ｂには、固定用絶縁ボルト１４用の穴ＡＣ
1 〜ＡＣ4 と、交流導体５ｃに電気的に接続する接続ボ
ルト１７（図１参照）用の穴ＡＣ5 及びＡＣ6 とが開け
られている。
ーＡＣＢ1 〜ＡＣＢ6 とＡＣＢ7 〜ＡＣＢ12が取り付け
られている。導体カラーＡＣＢ1 及びＡＣＢ4 ，ＡＣＢ
2 及びＡＣＢ5 ，ＡＣＢ3 及びＡＣＢ6 ，ＡＣＢ7 及び
ＡＣＢ10，ＡＣＢ8 及びＡＣＢ11，ＡＣＢ9 及びＡＣＢ
12はそれぞれ一体化されている。図７（ｄ），（ｅ）に
示すように、導体カラーＡＣＢ1 及びＡＣＢ4 を貫通す
る端子接続ボルト１３によって、素子１ｃの負極側の端
子Ｅが、直流導体５ｂに電気的に接続される。同様に、
導体カラーＡＣＢ2 及びＡＣＢ5 を貫通する端子接続ボ
ルト１３によって、素子１ｂの負極側の端子Ｅが交流導
体５ｂに電気的に接続され、導体カラーＡＣＢ3 及びＡ
ＣＢ6 を貫通する端子接続ボルト１３によって、素子１
ａの負極側の端子Ｅが交流導体５ｂに電気的に接続され
る。同様に、導体カラーＡＣＢ7及びＡＣＢ10と、導体
カラーＡＣＢ8 及びＡＣＢ11と、導体カラーＡＣＢ9 及
びＡＣＢ12と、それぞれを貫通する端子接続ボルト１３
によって、交流導体５ｂに素子２ｃの正極側の端子Ｃと
素子２ｂの正極側の端子Ｃと素子２ａの正極側の端子Ｃ
が接続される。また交流導体５ｂには、穴ＡＣ19〜ＡＣ
21と穴ＡＣ22〜ＡＣ24とが開けられている。これらの穴
は、それぞれ前述した導体カラーＮＢ1 〜ＮＢ3 と導体
カラーＰＢ4 〜ＰＢ6 とを貫通させるためのものであ
り、これらの導体カラーが交流導体５ｂから絶縁される
ように両者が接触しない大きさで設けられている。さら
に交流導体５ｂには、固定用絶縁ボルト１４用の穴ＡＣ
1 〜ＡＣ4 と、交流導体５ｃに電気的に接続する接続ボ
ルト１７（図１参照）用の穴ＡＣ5 及びＡＣ6 とが開け
られている。
【００２５】次に一括積層導体１６について説明する。
図４及び図５に示すように，絶縁板２０ｃには穴Ｉ49〜
Ｉ60が、絶縁板２１ｃには穴Ｉ61〜Ｉ72が、絶縁板２２
ｃには穴Ｉ73〜Ｉ84が、絶縁板２３ｃには穴Ｉ85〜Ｉ96
が、それぞれ開けられている。これらの穴は、後述する
直流導体３ｃ，４ｃ及び交流導体５ｃと素子１ｄ〜１ｆ
及び２ｄ〜２ｆの各端子とを接続する後述の導体カラー
を貫通させるためのものである。また絶縁板２０ｃには
穴ＩQ 〜ＩT が、絶縁板２１ｃには穴ＩU 〜ＩX が、絶
縁板２２ｃには穴ＩY 〜ＩZ ，ＩAA，ＩABが、絶縁板２
３ｃには穴ＩAC，ＩAD，ＩAE，ＩAFが開けられている。
これらの穴は、一括積層導体１６全体を固定する固定用
絶縁ボルト１４を通すためのものである（図８（ａ）と
図９（ｂ）参照）。
図４及び図５に示すように，絶縁板２０ｃには穴Ｉ49〜
Ｉ60が、絶縁板２１ｃには穴Ｉ61〜Ｉ72が、絶縁板２２
ｃには穴Ｉ73〜Ｉ84が、絶縁板２３ｃには穴Ｉ85〜Ｉ96
が、それぞれ開けられている。これらの穴は、後述する
直流導体３ｃ，４ｃ及び交流導体５ｃと素子１ｄ〜１ｆ
及び２ｄ〜２ｆの各端子とを接続する後述の導体カラー
を貫通させるためのものである。また絶縁板２０ｃには
穴ＩQ 〜ＩT が、絶縁板２１ｃには穴ＩU 〜ＩX が、絶
縁板２２ｃには穴ＩY 〜ＩZ ，ＩAA，ＩABが、絶縁板２
３ｃには穴ＩAC，ＩAD，ＩAE，ＩAFが開けられている。
これらの穴は、一括積層導体１６全体を固定する固定用
絶縁ボルト１４を通すためのものである（図８（ａ）と
図９（ｂ）参照）。
【００２６】図４において、直流導体３ｃには導体カラ
ーＰＢ7 〜ＰＢ12が取り付けられている。導体カラーＰ
Ｂ7 及びＰＢ10，ＰＢ8 及びＰＢ11，ＰＢ9 及びＰＢ12
はそれぞれ一体化されている。図９（ｃ）に示すよう
に、導体カラーＰＢ7 とＰＢ10を貫通する端子接続ボル
ト１３によって、素子１ｆの正極側の端子Ｃが直流導体
３ｃに電気的に接続される。同様に、導体カラーＰＢ8
とＰＢ11を貫通する端子接続ボルト１３によって、素子
１ｅの正極側の端子Ｃが直流導体３ｃに電気的に接続さ
れ、導体カラーＰＢ9 及びＰＢ12を貫通する端子接続ボ
ルト１３によって、素子１ｄの正極側の端子Ｃが直流導
体３ｃに電気的に接続される。また直流導体３ｃには、
穴Ｐ14〜Ｐ16と穴Ｐ19〜Ｐ21と穴Ｐ22〜Ｐ24とが開けら
れている。これらの穴は、それぞれ後述する導体カラー
ＡＣＢ13〜ＡＣＢ15，ＡＣＢ19〜ＡＣＢ21，ＮＢ7 〜Ｎ
Ｂ9 それぞれを貫通させるためのものであり、これらの
導体カラーが直流導体３ｃから絶縁されるように両者が
接触しない大きさで設けられている。さらに直流導体３
ｃには、固定用絶縁ボルト１４用の穴Ｐ10〜Ｐ13が開け
られている。直流導体３ｃのコンデンサ接続部３ｃｂに
は、直流導体３ｂと直流導体３ｃとコンデンサ１５の正
極及び負極端子とを、電気的に接続する導体カラーＰＢ
13及びＰＢ14が設けられている。
ーＰＢ7 〜ＰＢ12が取り付けられている。導体カラーＰ
Ｂ7 及びＰＢ10，ＰＢ8 及びＰＢ11，ＰＢ9 及びＰＢ12
はそれぞれ一体化されている。図９（ｃ）に示すよう
に、導体カラーＰＢ7 とＰＢ10を貫通する端子接続ボル
ト１３によって、素子１ｆの正極側の端子Ｃが直流導体
３ｃに電気的に接続される。同様に、導体カラーＰＢ8
とＰＢ11を貫通する端子接続ボルト１３によって、素子
１ｅの正極側の端子Ｃが直流導体３ｃに電気的に接続さ
れ、導体カラーＰＢ9 及びＰＢ12を貫通する端子接続ボ
ルト１３によって、素子１ｄの正極側の端子Ｃが直流導
体３ｃに電気的に接続される。また直流導体３ｃには、
穴Ｐ14〜Ｐ16と穴Ｐ19〜Ｐ21と穴Ｐ22〜Ｐ24とが開けら
れている。これらの穴は、それぞれ後述する導体カラー
ＡＣＢ13〜ＡＣＢ15，ＡＣＢ19〜ＡＣＢ21，ＮＢ7 〜Ｎ
Ｂ9 それぞれを貫通させるためのものであり、これらの
導体カラーが直流導体３ｃから絶縁されるように両者が
接触しない大きさで設けられている。さらに直流導体３
ｃには、固定用絶縁ボルト１４用の穴Ｐ10〜Ｐ13が開け
られている。直流導体３ｃのコンデンサ接続部３ｃｂに
は、直流導体３ｂと直流導体３ｃとコンデンサ１５の正
極及び負極端子とを、電気的に接続する導体カラーＰＢ
13及びＰＢ14が設けられている。
【００２７】図５において、直流導体４ｃには、導体カ
ラーＮＢ7 〜ＮＢ12が取り付けられている。導体カラー
ＮＢ7 及びＮＢ10，ＮＢ8 及びＮＢ11，ＮＢ9 及びＮＢ
12はそれぞれ一体化されている。図９（ｆ）に示すよう
に、導体カラーＮＢ7 とＮＢ10を貫通する端子接続ボル
ト１３によって、素子２ｆの負極側の端子Ｅが、直流導
体４ｃに電気的に接続される。同様に、導体カラーＮＢ
8 とＮＢ11を貫通する端子接続ボルト１３によって、素
子２ｅの負極側の端子Ｅが直流導体４ｃに電気的に接続
され、導体カラーＮＢ9 及びＮＢ12を貫通する端子接続
ボルト１３によって、素子２ｄの負極側の端子Ｅが直流
導体４ｃに電気的に接続される。また直流導体４ｃに
は、穴Ｎ14〜Ｎ16と穴Ｎ19〜Ｎ21と穴Ｎ22〜Ｎ24とが開
けられている。これらの穴は、それぞれ後述する導体カ
ラーＡＣＢ19〜ＡＣＢ21と導体カラーＡＣＢ13〜ＡＣＢ
15と前述した導体カラーＰＢ10〜ＰＢ12とを貫通させる
ためのものであり、これらの導体カラーが直流導体４ｃ
から絶縁されるように両者が接触しない大きさで設けら
れている。さらに直流導体４ｃには、固定用絶縁ボルト
１４用の穴Ｎ10〜Ｎ13が開けられている。直流導体４ｃ
のコンデンサ接続部４ｃｂには、直流導体４ｂと直流導
体３ｃとコンデンサ１５の正極及び負極端子とを電気的
に接続する導体カラーＮＢ13及びＮＢ14が設けられてい
る。
ラーＮＢ7 〜ＮＢ12が取り付けられている。導体カラー
ＮＢ7 及びＮＢ10，ＮＢ8 及びＮＢ11，ＮＢ9 及びＮＢ
12はそれぞれ一体化されている。図９（ｆ）に示すよう
に、導体カラーＮＢ7 とＮＢ10を貫通する端子接続ボル
ト１３によって、素子２ｆの負極側の端子Ｅが、直流導
体４ｃに電気的に接続される。同様に、導体カラーＮＢ
8 とＮＢ11を貫通する端子接続ボルト１３によって、素
子２ｅの負極側の端子Ｅが直流導体４ｃに電気的に接続
され、導体カラーＮＢ9 及びＮＢ12を貫通する端子接続
ボルト１３によって、素子２ｄの負極側の端子Ｅが直流
導体４ｃに電気的に接続される。また直流導体４ｃに
は、穴Ｎ14〜Ｎ16と穴Ｎ19〜Ｎ21と穴Ｎ22〜Ｎ24とが開
けられている。これらの穴は、それぞれ後述する導体カ
ラーＡＣＢ19〜ＡＣＢ21と導体カラーＡＣＢ13〜ＡＣＢ
15と前述した導体カラーＰＢ10〜ＰＢ12とを貫通させる
ためのものであり、これらの導体カラーが直流導体４ｃ
から絶縁されるように両者が接触しない大きさで設けら
れている。さらに直流導体４ｃには、固定用絶縁ボルト
１４用の穴Ｎ10〜Ｎ13が開けられている。直流導体４ｃ
のコンデンサ接続部４ｃｂには、直流導体４ｂと直流導
体３ｃとコンデンサ１５の正極及び負極端子とを電気的
に接続する導体カラーＮＢ13及びＮＢ14が設けられてい
る。
【００２８】図４において、交流導体５ｃには導体カラ
ーＡＣＢ19〜ＡＣＢ24とＡＣＢ13〜ＡＣＢ18とが取り付
けられている。導体カラーＡＣＢ19及びＡＣＢ22，ＡＣ
Ｂ20及びＡＣＢ23，ＡＣＢ21及びＡＣＢ24，ＡＣＢ13及
びＡＣＢ16，ＡＣＢ14及びＡＣＢ17，ＡＣＢ15及びＡＣ
Ｂ18はそれぞれ一体化されている。図９（ｄ），（ｅ）
に示すように、導体カラーＡＣＢ13とＡＣＢ16を貫通す
る端子接続ボルト１３によって、素子１ｆの負極側の端
子Ｅが、直流導体５ｂに電気的に接続される。同様に、
導体カラーＡＣＢ14とＡＣＢ17を貫通する端子接続ボル
ト１３によって、素子１ｅの負極側の端子Ｅが交流導体
５ｂに電気的に接続され、導体カラーＡＣＢ15及びＡＣ
Ｂ18を貫通する端子接続ボルト１３によって、素子１ｄ
の負極側の端子Ｅが交流導体５ｃに電気的に接続され
る。同様に導体カラーＡＣＢ19及びＡＣＢ22，ＡＣＢ20
及びＡＣＢ23，ＡＣＢ21及びＡＣＢ24をそれぞれ貫通す
る端子接続ボルト１３によって、交流導体５ｃは素子２
ｆの正極側の端子Ｃと素子２ｅの正極側の端子Ｃと素子
２ｄの正極側の端子Ｃに接続される。また交流導体５ｃ
には、穴ＡＣ11〜ＡＣ13と穴ＡＣ14〜ＡＣ16とが開けら
れている。これらの穴は、それぞれ前述した導体カラー
ＮＢ7 〜ＮＢ9 と導体カラーＰＢ10〜ＰＢ12を貫通させ
るためのものであり、これらの導体カラーが交流導体５
ｃから絶縁されるように両者が接触しない大きさで設け
られている。さらに交流導体５ｃには、固定用絶縁ボル
ト１４用の穴ＡＣ1 〜ＡＣ4 と、交流導体５ｂと電気的
に接続する接続ボルト１７用の穴ＡＣ17及びＡＣ18とが
開けられている。
ーＡＣＢ19〜ＡＣＢ24とＡＣＢ13〜ＡＣＢ18とが取り付
けられている。導体カラーＡＣＢ19及びＡＣＢ22，ＡＣ
Ｂ20及びＡＣＢ23，ＡＣＢ21及びＡＣＢ24，ＡＣＢ13及
びＡＣＢ16，ＡＣＢ14及びＡＣＢ17，ＡＣＢ15及びＡＣ
Ｂ18はそれぞれ一体化されている。図９（ｄ），（ｅ）
に示すように、導体カラーＡＣＢ13とＡＣＢ16を貫通す
る端子接続ボルト１３によって、素子１ｆの負極側の端
子Ｅが、直流導体５ｂに電気的に接続される。同様に、
導体カラーＡＣＢ14とＡＣＢ17を貫通する端子接続ボル
ト１３によって、素子１ｅの負極側の端子Ｅが交流導体
５ｂに電気的に接続され、導体カラーＡＣＢ15及びＡＣ
Ｂ18を貫通する端子接続ボルト１３によって、素子１ｄ
の負極側の端子Ｅが交流導体５ｃに電気的に接続され
る。同様に導体カラーＡＣＢ19及びＡＣＢ22，ＡＣＢ20
及びＡＣＢ23，ＡＣＢ21及びＡＣＢ24をそれぞれ貫通す
る端子接続ボルト１３によって、交流導体５ｃは素子２
ｆの正極側の端子Ｃと素子２ｅの正極側の端子Ｃと素子
２ｄの正極側の端子Ｃに接続される。また交流導体５ｃ
には、穴ＡＣ11〜ＡＣ13と穴ＡＣ14〜ＡＣ16とが開けら
れている。これらの穴は、それぞれ前述した導体カラー
ＮＢ7 〜ＮＢ9 と導体カラーＰＢ10〜ＰＢ12を貫通させ
るためのものであり、これらの導体カラーが交流導体５
ｃから絶縁されるように両者が接触しない大きさで設け
られている。さらに交流導体５ｃには、固定用絶縁ボル
ト１４用の穴ＡＣ1 〜ＡＣ4 と、交流導体５ｂと電気的
に接続する接続ボルト１７用の穴ＡＣ17及びＡＣ18とが
開けられている。
【００２９】このようにスイッチング素子に配置される
各直流導体と交流導体と絶縁物とを一体化した一括積層
導体とすることによって、各素子の端子とコンデンサと
の間の渡りを２分割せずに、導体間の接続距離を最短に
することができるため、配線リアクタンスを小さくし、
スイッチング動作時のサージ電圧を抑えることができ
る。さらに、各導体を一括積層導体として一体化してい
るため、接続導体のための作業時間も短縮することがで
きる。
各直流導体と交流導体と絶縁物とを一体化した一括積層
導体とすることによって、各素子の端子とコンデンサと
の間の渡りを２分割せずに、導体間の接続距離を最短に
することができるため、配線リアクタンスを小さくし、
スイッチング動作時のサージ電圧を抑えることができ
る。さらに、各導体を一括積層導体として一体化してい
るため、接続導体のための作業時間も短縮することがで
きる。
【００３０】なお、実施例では、板状にした直流導体３
ｂ，３ｃ、直流導体４ｂ，４ｃ、交流導体５ｂ，５ｃ及
び複数の絶縁物を重ね合わせて一括積層導体を構成した
が、独立の絶縁物シートを用いることなく各導体表面に
絶縁物をコーティングした積層構成にしてもよい。ま
た、実施例では表面側又は裏面側で正極側端子と負極側
端子が１つずつあるスイッチング素子を対にして使用
し、従って合計４つの端子を外部に導出しているものを
とりあげたが、全体としての正極側端子及び負極側端子
の他に共通接続端子を導出した合計３つの端子が付いて
いる２イン１タイプのスイッチング素子についても、同
様な一括積層導体を用いることができる。
ｂ，３ｃ、直流導体４ｂ，４ｃ、交流導体５ｂ，５ｃ及
び複数の絶縁物を重ね合わせて一括積層導体を構成した
が、独立の絶縁物シートを用いることなく各導体表面に
絶縁物をコーティングした積層構成にしてもよい。ま
た、実施例では表面側又は裏面側で正極側端子と負極側
端子が１つずつあるスイッチング素子を対にして使用
し、従って合計４つの端子を外部に導出しているものを
とりあげたが、全体としての正極側端子及び負極側端子
の他に共通接続端子を導出した合計３つの端子が付いて
いる２イン１タイプのスイッチング素子についても、同
様な一括積層導体を用いることができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明により、回路の配線リアクタンス
がより小さく、各素子のスイッチング動作時のサージ電
圧をさらに抑えることが可能な半導体スタックを実現す
ることができる。
がより小さく、各素子のスイッチング動作時のサージ電
圧をさらに抑えることが可能な半導体スタックを実現す
ることができる。
【図１】本発明による実施例を示す平面図及び側面図。
【図２】図１に示した実施例の表面側の一括積層導体の
一部を示す分解斜視図。
一部を示す分解斜視図。
【図３】図１に示した実施例の表面側の一括積層導体の
他の一部を示す分解斜視図。
他の一部を示す分解斜視図。
【図４】図１で示した実施例の裏面側の一括積層導体の
一部を示す分解斜視図。
一部を示す分解斜視図。
【図５】図１に示した実施例の裏面側の一括積層導体の
他の一部を示す分解斜視図。
他の一部を示す分解斜視図。
【図６】表面側の一括積層導体の平面図及び側面図。
【図７】図６に示した一括積層導体をそれぞれの断面で
見た断面図。
見た断面図。
【図８】裏面側の一括積層導体の平面図及び側面図。
【図９】図８に示した一括積層導体をそれぞれの断面で
見た断面図。
見た断面図。
【図１０】半導体スタックに組み込まれるスイッチング
素子とコンデンサの回路図。
素子とコンデンサの回路図。
【図１１】従来の半導体スタックを示す平面図及び側面
図。
図。
１、２ スイッチング素子 ３Ｈ，４Ｒ，３ｂ，３ｃ 直流導体 ４Ｈ，４Ｒ，４ｂ，４ｃ 直流導体 ５Ｈ，５Ｒ，５ｂ，５ｃ 交流導体 ３ｂｃ，３ｃｂ，４ｂｃ，４ｃｂ コンデンサ接続部 ６ ヒートシンク ６ａ 受熱部 ７ 半導体スタック ８、１６ 一括積層導体 ９、１０ 直流端子 １１ 交流端子 １２ 絶縁板 １３ 端子接続ボルト １４ 固定用絶縁ボルト １５ コンデンサ １７ 接続ボルト
Claims (3)
- 【請求項１】正極側及び負極側の両端子を同一面上に導
出した少なくとも一組の正極側のスイッチング素子及び
負極側のスイッチング素子を直列に接続する半導体スタ
ックにおいて、 前記スイッチング素子の端子上に配置され、第１、第２
及び第３の導体と少なくとも各隣接導体相互間を絶縁す
る絶縁物とを重ね合わせたものからなる一括積層導体を
備え、 前記第１の導体は、前記正極側のスイッチング素子の正
極側の端子に電気的に接続され、前記第２及び前記第３
の導体から絶縁された状態で前記一括積層導体を貫通す
る第１の接続手段を備え、 前記第２の導体は、前記正極側のスイッチング素子の負
極側の端子及び前記負極側のスイッチング素子の正極側
の端子に電気的に接続され、前記第１及び第３の導体か
ら絶縁された状態で前記一括積層導体を貫通する第２の
接続手段を備え、 前記第３の導体は、前記負極側のスイッチング素子の負
極側の端子に電気的に接続され、前記第１及び第２の導
体から絶縁された状態で前記一括積層導体を貫通する第
３の接続手段を備えたことを特徴とする半導体スタッ
ク。 - 【請求項２】前記一括積層導体の絶縁物は、各導体の面
上に形成された絶縁コーティング層からなっている請求
項１に記載の半導体スタック。 - 【請求項３】直列に接続される両スイッチング素子の両
端間に接続されるコンデンサを更に備えた半導体スタッ
クであって、 前記第１の導体及び第３の導体にコンデンサ接続部が付
設されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に
記載の半導体スタック。
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| US7791884B2 (en) * | 2008-11-10 | 2010-09-07 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Motor drive with heat pipe air cooling |
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| DE102016110847B4 (de) * | 2016-06-14 | 2022-02-17 | Auto-Kabel Management Gmbh | Leitungsintegrierter Schalter und Verfahren zum Herstellen eines leitungsintegrierten Schalters |
Family Cites Families (8)
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|---|---|---|---|---|
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-
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