JP2529353B2 - 光デイスクの製造装置 - Google Patents
光デイスクの製造装置Info
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- JP2529353B2 JP2529353B2 JP63132605A JP13260588A JP2529353B2 JP 2529353 B2 JP2529353 B2 JP 2529353B2 JP 63132605 A JP63132605 A JP 63132605A JP 13260588 A JP13260588 A JP 13260588A JP 2529353 B2 JP2529353 B2 JP 2529353B2
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- optical
- pressing
- disk
- adhesive
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光デイスクの製造装置に係わり、更に詳しく
は2枚の押圧部材の間に少なくとも片面に接着剤を塗布
した2枚の光デイスクを、信号面が相対向するように向
い合せ、2枚の光デイスクの外側を押圧部材により加圧
して2枚の光デイスクを接合するための装置に関する。
は2枚の押圧部材の間に少なくとも片面に接着剤を塗布
した2枚の光デイスクを、信号面が相対向するように向
い合せ、2枚の光デイスクの外側を押圧部材により加圧
して2枚の光デイスクを接合するための装置に関する。
この種の光デイスクの製造方法を第2図〜第5図に示
す。
す。
第2図において、ポリカーボネイト、エポキシ樹脂、
又はガラス等からなる透明な基板1が円盤状に形成さ
れ、かつその中心部には円孔が形成されている。次にこ
のような形状の基板1に対してその片面にレーザ等の手
段により同心状にピット2が形成され、光情報信号が記
録されて光デイスク3が形成される。
又はガラス等からなる透明な基板1が円盤状に形成さ
れ、かつその中心部には円孔が形成されている。次にこ
のような形状の基板1に対してその片面にレーザ等の手
段により同心状にピット2が形成され、光情報信号が記
録されて光デイスク3が形成される。
そして、2枚の光デイスク3、3のうち1枚の光デイ
スクの信号面側にホツトメルト接着剤4が塗布される。
次にこのホツトメルト接着剤4を挟持し、かつ2枚の光
デイスクの信号面が対向するようにして向い合せ、2枚
の押圧板5、5により2枚の光デイスクが押圧され、そ
の間に挟持されたホツトメルト接着剤4が硬化するまで
加圧される。
スクの信号面側にホツトメルト接着剤4が塗布される。
次にこのホツトメルト接着剤4を挟持し、かつ2枚の光
デイスクの信号面が対向するようにして向い合せ、2枚
の押圧板5、5により2枚の光デイスクが押圧され、そ
の間に挟持されたホツトメルト接着剤4が硬化するまで
加圧される。
ホツトメルト接着剤4の硬化により2枚の光デイスク
の接合が完了すると、押圧板5,5が光デイスク3から離
脱し、光デイスク3が取り出される。
の接合が完了すると、押圧板5,5が光デイスク3から離
脱し、光デイスク3が取り出される。
上記した従来の光デイスクの製造方法では、デイスク
基板1,1の信号面と相対する面又は押圧板5,5のデイスク
基板1と接する面に塵埃等の異物が混入した場合、押圧
板5,5による加圧により異物がデイスク基板1,1の表面に
潜り込み、デイスク基板表面1,1に傷、凹み等がついて
いた。この結果、ドライブで情報を記録再生する際のサ
ーボ性能に支障が生じていた。
基板1,1の信号面と相対する面又は押圧板5,5のデイスク
基板1と接する面に塵埃等の異物が混入した場合、押圧
板5,5による加圧により異物がデイスク基板1,1の表面に
潜り込み、デイスク基板表面1,1に傷、凹み等がついて
いた。この結果、ドライブで情報を記録再生する際のサ
ーボ性能に支障が生じていた。
本発明の目的は、上記した従来技術の課題を解決し、
デイスク基板表面の傷、凹み等をなくし、サーボ特性に
優れた光デイスクを製造することができる光デイスクの
製造装置を提供することにある。
デイスク基板表面の傷、凹み等をなくし、サーボ特性に
優れた光デイスクを製造することができる光デイスクの
製造装置を提供することにある。
上記した目的を達成するために、本発明は、押圧部材
の光デイスクと接する面に、前記押圧部材を構成する材
料よりも剛性の低い材料からなる緩衝層を設けたもので
ある。
の光デイスクと接する面に、前記押圧部材を構成する材
料よりも剛性の低い材料からなる緩衝層を設けたもので
ある。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明の光デイスクの製造装置の一実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
この光デイスクの製造装置は、押圧板5,5のデイスク
基板1,1と接触する面に押圧板5,5よりも剛性の低い材料
からなる緩衝層6,6が設けられている。
基板1,1と接触する面に押圧板5,5よりも剛性の低い材料
からなる緩衝層6,6が設けられている。
また、一方の押圧板5はピストンロツド7に連接さ
れ、このピストンロツド7の先端部に設けられたピスト
ン8はそれぞれシリンダ9に対して遊嵌された状態で設
置されている。したがって、ピストン操作時には、例え
ば、ギアツプG1,G2が形成されるようになつている。
れ、このピストンロツド7の先端部に設けられたピスト
ン8はそれぞれシリンダ9に対して遊嵌された状態で設
置されている。したがって、ピストン操作時には、例え
ば、ギアツプG1,G2が形成されるようになつている。
なお、10はベース、11は流体流路を示している。
ここで、緩衝層6,6としては、押圧板5,5よりも剛性が
低いことが必要である。したがつて、緩衝層6,6は押圧
板5,5との相対的関係でその材質が設定される。
低いことが必要である。したがつて、緩衝層6,6は押圧
板5,5との相対的関係でその材質が設定される。
例えば、押圧板5,5にはステンレス鋼、ガラス、セラ
ミツクス、アクリル等のプラスチツク等の板を使用する
ことができる。また、緩衝層6,6としては、テフロン等
のフツ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
カーボネイト、ポリメチルメタクリレート等の熱可塑性
樹脂、エポキシ等の熱硬化性樹脂、ウレタンアクリレー
ト、エポキシアクリレート等の光硬化性樹脂を使用する
ことできる。
ミツクス、アクリル等のプラスチツク等の板を使用する
ことができる。また、緩衝層6,6としては、テフロン等
のフツ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
カーボネイト、ポリメチルメタクリレート等の熱可塑性
樹脂、エポキシ等の熱硬化性樹脂、ウレタンアクリレー
ト、エポキシアクリレート等の光硬化性樹脂を使用する
ことできる。
緩衝層6,6として、熱可塑性材料を使用する場合、そ
の溶液を浸漬法、又はスピンコート法を用いて押圧板5,
5のデイスク基板1,1との接触面に塗布し、溶媒を蒸発さ
せることにより形成することができる。また、熱硬化性
樹脂の場合、そのモノマーを上記手法により押圧板5,5
に塗布し、その後、押圧板5,5を加熱炉内に入れ、モノ
マーを重合させることにより形成することができる。更
に光硬化性樹脂の場合、そのモノマーを上記手法により
押圧板5,5にコートした後、コート面に紫外線を照射し
てモノマーを重合させることにより形成することができ
る。
の溶液を浸漬法、又はスピンコート法を用いて押圧板5,
5のデイスク基板1,1との接触面に塗布し、溶媒を蒸発さ
せることにより形成することができる。また、熱硬化性
樹脂の場合、そのモノマーを上記手法により押圧板5,5
に塗布し、その後、押圧板5,5を加熱炉内に入れ、モノ
マーを重合させることにより形成することができる。更
に光硬化性樹脂の場合、そのモノマーを上記手法により
押圧板5,5にコートした後、コート面に紫外線を照射し
てモノマーを重合させることにより形成することができ
る。
更に緩衝層6,6はプラスチツクフイルムを押圧板5,5に
張り付ける法やデイスク基板1,1と押圧板5,5との間にプ
ラスチツクフイルムを挿入して押圧する方法等がある。
張り付ける法やデイスク基板1,1と押圧板5,5との間にプ
ラスチツクフイルムを挿入して押圧する方法等がある。
緩衝層6,6の厚みは、塵埃等の粒径よりも僅かに厚い
程度でよく、したがつて、10〜200μm程度でよい。さ
らに緩衝層6,6として、特にテフロンが有効に使用され
る。テフロンからなる緩衝層6,6の場合、押圧板5,5のデ
イスク基板1,1に接する面にテフロン緩衝層6,6を厚さ50
μmに設け、デイスク基板1,1の信号面にホツトメルト
接着剤の代わりにエポキシ樹脂層を設けたとき、エポキ
シ樹脂接着剤が硬化するまでの間、押圧板5,5に約100kg
の荷重を加えることにより両面張り合わせタイプの光磁
気デイスクをなることができた。
程度でよく、したがつて、10〜200μm程度でよい。さ
らに緩衝層6,6として、特にテフロンが有効に使用され
る。テフロンからなる緩衝層6,6の場合、押圧板5,5のデ
イスク基板1,1に接する面にテフロン緩衝層6,6を厚さ50
μmに設け、デイスク基板1,1の信号面にホツトメルト
接着剤の代わりにエポキシ樹脂層を設けたとき、エポキ
シ樹脂接着剤が硬化するまでの間、押圧板5,5に約100kg
の荷重を加えることにより両面張り合わせタイプの光磁
気デイスクをなることができた。
なお、テフロンコート層の形成は、スパッタリング
法、プラズマCVD法、スプレー塗布法、溶液のスピンコ
ート法のいずれの場合にも同様に良好な両面張り合わせ
タイプの光磁気デイスクをなることができた。
法、プラズマCVD法、スプレー塗布法、溶液のスピンコ
ート法のいずれの場合にも同様に良好な両面張り合わせ
タイプの光磁気デイスクをなることができた。
光デイスクの信号面に塗布される接着剤は、2枚の光
デイスクの両方の信号面に設けてもよく、また一方の光
デイスクの信号面にのみ設けてもよい。この場合、接着
剤としては、ホツトメルト接着剤、エポキシ接着剤等の
熱硬化性接着剤、嫌気性接着剤、ゴム系粘着剤、両面粘
着テープ等を使用することができる。
デイスクの両方の信号面に設けてもよく、また一方の光
デイスクの信号面にのみ設けてもよい。この場合、接着
剤としては、ホツトメルト接着剤、エポキシ接着剤等の
熱硬化性接着剤、嫌気性接着剤、ゴム系粘着剤、両面粘
着テープ等を使用することができる。
また、押圧板5,5は、必ずしも板状のものである必要
はなく、要は光デイスクと接触する面が平板状の押圧部
材であればよい。
はなく、要は光デイスクと接触する面が平板状の押圧部
材であればよい。
本発明において、ピストンロツド7およびピストン8
とシリンダ9との間にはギアツプG1,G2が形成されるよ
うになつているので、デイスク基板1,1に対する押圧板
5,5の面圧を均一にすることができ、したがつて、二枚
のデイスク基板1,1を信号面が精度よく並行するように
なる。
とシリンダ9との間にはギアツプG1,G2が形成されるよ
うになつているので、デイスク基板1,1に対する押圧板
5,5の面圧を均一にすることができ、したがつて、二枚
のデイスク基板1,1を信号面が精度よく並行するように
なる。
なお、上記した実施例では、光磁気デイスク基板を例
を説明したが、本発明は各種追記型光デイスク、相変化
型イレーザブルデイスク、レーザデイスク等の二枚のデ
イスク基板を接合するタイプの全ての光デイスクに適用
することができる。
を説明したが、本発明は各種追記型光デイスク、相変化
型イレーザブルデイスク、レーザデイスク等の二枚のデ
イスク基板を接合するタイプの全ての光デイスクに適用
することができる。
以上のように本発明によれば、押圧部材とデイスク基
板との間に緩衝層設けて、二枚の基板を押圧して両者を
接合するものであるので、押圧部材とデイスク基板との
間に塵埃等の異物が混入しても押圧時、この異物は緩衝
層に潜り込むのでデイスク基板の傷、凹み等の発生を防
止することができる。したがつて、ドライブで情報を記
録再生する際のサーボ性能(オートフオーカス、トラツ
キング等)が優れた信頼性の高い光デイスクを製造する
ことができる。
板との間に緩衝層設けて、二枚の基板を押圧して両者を
接合するものであるので、押圧部材とデイスク基板との
間に塵埃等の異物が混入しても押圧時、この異物は緩衝
層に潜り込むのでデイスク基板の傷、凹み等の発生を防
止することができる。したがつて、ドライブで情報を記
録再生する際のサーボ性能(オートフオーカス、トラツ
キング等)が優れた信頼性の高い光デイスクを製造する
ことができる。
第1図は本発明の光デイスクの製造装置の一実施例を示
す断面図、第2図、第3図、第4図および第5図は従来
の光デイスクの製造方法を順次示す工程図である。 1……デイスク基板、2……ピツト、3……光デイス
ク、4……ホツトメルト接着剤、5……押圧板、6……
緩衝層、7……ピストンロツド、8……ピストン、9…
…シリンダ、10……ベース、11……流体流路。
す断面図、第2図、第3図、第4図および第5図は従来
の光デイスクの製造方法を順次示す工程図である。 1……デイスク基板、2……ピツト、3……光デイス
ク、4……ホツトメルト接着剤、5……押圧板、6……
緩衝層、7……ピストンロツド、8……ピストン、9…
…シリンダ、10……ベース、11……流体流路。
Claims (1)
- 【請求項1】2枚の押圧部材の間に少なくとも片面に接
着剤を塗布した2枚の光デイスクを、信号面が相対向す
るように向い合せ、2枚の光デイスクの外側を押圧部材
により加圧して2枚の光デイスクを接合する光デイスク
の製造装置において、前記押圧部材の光デイスクと接す
る面に、前記押圧部材を構成する材料よりも剛性の低い
材料からなる緩衝層を設けたことを特徴とする光デイス
クの製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63132605A JP2529353B2 (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 光デイスクの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63132605A JP2529353B2 (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 光デイスクの製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01303649A JPH01303649A (ja) | 1989-12-07 |
JP2529353B2 true JP2529353B2 (ja) | 1996-08-28 |
Family
ID=15085243
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63132605A Expired - Lifetime JP2529353B2 (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 光デイスクの製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2529353B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2766049B2 (ja) * | 1990-06-26 | 1998-06-18 | キヤノン株式会社 | 光記録媒体の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01133238A (ja) * | 1987-08-04 | 1989-05-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光ディスクの製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0356889Y2 (ja) * | 1984-11-19 | 1991-12-24 |
-
1988
- 1988-06-01 JP JP63132605A patent/JP2529353B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01133238A (ja) * | 1987-08-04 | 1989-05-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光ディスクの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01303649A (ja) | 1989-12-07 |
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