JP2523054C - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、液晶表示パネルに関し、特に液晶プロジェクタ用に使用される液晶
表示パネルに関するものである。 （ロ）従来の技術 近年、大画面表示化にともない、液晶プロジェクタなるものが存在する。かか
るプロジェクタは、光源より発生した白色光はコンデンサレンズを介してダイク
ロイックプリズムに入射されると、赤・緑・青に分けられ、各色成分はその一部
、例えば赤及び青が全反射ミラーに反射されてから、それぞれ液晶表示パネルに
より透過率変化として変調され、さらに変調された赤・緑・青の各成分はダイク
ロイックミラーによって合成され、投射レンズによりスクリーンに投影される ものである。 液晶表示パネルを用いた液晶プロジェクタとして特開昭６１−１５０４８７号
公報があり、ここでの説明は省略する。 さて、上述の液晶プロジェクタにおいて、高画質を実現するには各液晶表示パ
ネルの画素数を多くする必要があり、例えば、縦４８０×横７２０のパネルを用
いればＮＴＳＣフルライン表示を行なうことができる。しかしながら、画素数の
増加にともない、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）も増加し、表示パネルの歩留りの
低下が問題となっていた。 かかる問題を解決するために１画素電極に、例えば２個のＴＦＴ素子を形成し
、いづれか１個が不良になった場合でも動作させる方法が一般的に採用されてい
る。 （ハ）発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記したように１画素電極に２個のＴＦＴ素子を設けたとして
も、例えば、ゲート絶縁膜形成工程中において、ゴミ等によりピンホールが形成
され、例えば、補助容量金属と画素電極のショートによる表示不良あるいは、半
導体層とソース電極及びドレイン電極とのコンタクト不良に等によりＴＦＴ素子
自体の不良により２個のＴＦＴ素子が同時に不良する場合がある。 この場合、プロジェクタ用の液晶表示パネルは、ノーマリホワイトモードによ
って表示されるので、ＴＦＴ素子が不良となった画素電極はスクリーン上で白点
となって表示されるため、スクリーン上の表示品位を著しく低下させる問題があ
った。 また、このＴＦＴ素子不良が複数カ所に発生するとプロジェクタ用の液晶表示
パネルとして使用できなくなる問題がある。 更に、この問題は画素数の増加にともなって多発する恐れがあり、表示パネル
の大型化を実現するにあたって大きな障害となっていた。 （ニ）課題を解決するための手段 本発明は上述した課題に鑑みて為されたものであり、不良となったＴＦＴ素子
のソース電極とゲート電極とをゲート電極とソース電極との重畳領域上で接続し
て上述した課題を解決する。 （ホ）作用 この様に本発明に依れば、不良となったＴＦＴ素子のソース電極とゲート電極
とを接続することにより、不良となったＴＦＴ素子を完全に再生することはでき
ないものの、ゲートラインに印加される信号に基づいて不良ＴＦＴ素子を黒点に
駆動させることができる。その結果、ノーマリホワイトモードで使用するプロジ
ェクタ用液晶表示パネルでは不良ＴＦＴ素子が発生した場合でも再生することが
できる。 （ヘ）実施例 以下に第１図および第２図に示した実施例に基づいて本発明を詳細に説明する
。 第１図は本発明の表示パネルの１画素を示す要部拡大図、第２図は第１図のＩ
−Ｉ断面図であり、(1)はソーダガラス又はホウケイ酸ガラス等の絶縁基板、(2)
はＣr，Ｃr＋Ａu，Ｍo等を材料とするゲート電極、(3)は例えばナイトライド製
の絶縁保護膜、(4)はアモルファスシリコン，Ｔe，ポリシリコン，Ｃdse等で構
成された半導体層、(5)は半導体層(4)表面を保護するパッシベーション、(6)，(
7)はＡl，Ｍo，ＩＴＯで形成されたドレイン電極，ソース電極、(8)はドレイン
電極(6)、ソース電極(7)と半導体層(4)とをオーミックコンタクトするためのＮ+
a−Ｓi、(9)はＩＴＯ等を材料にして形成された透明な表示電極、(10)は補助容
量電極を示している。 各表示電極(9)は図示しないカラーフィルタに対応して配列されており、表示
電極(9)の横列間にはゲート電極(2)が、また縦列間にはドレイン電極(6)が各表
示電極(9)間を仕切る態様に形成され、両者の交叉部分の一隅に前記ゲート電極(
2)、絶縁保護膜(3)、半導体層(4)、ドレイン電極(6)、ソース電極(7)等にて構成
される複数の薄膜トランジスタ(11)が表示電極(9)との間を接続する態様で形成
されている。本実施例では２個の薄膜トランジスタ(11)が隣接する様に形成され
ているが、これは、いずれか一方の薄膜トランジスタ(11)が不良になった場合に
なっても表示電極(9)を駆動するための予備用である。 しかしながら、複数の薄膜トランジスタ(11)を形成したとしても、各々の薄膜
トランジスタ(11)自体あるいは表示電極(9)不良となった場合には、薄膜トラン ジスタ(11)が複数個配置されていたとしても表示電極(9)は動作しない。 製造工程中に一番不良が発生する工程は、基板(1)上にゲート電極(2)および補
助容量用電極(10)を形成した後直後にゲート電極(2)、補助容量用電極(10)上に
ゴミ等が付着し、絶縁保護膜形成後にゴミ等が取り除かれピンホールが形成され
、ゲート電極(2)と半導体層とのショートあるいは表示電極(9)と補助容量用電極
(10)とがショートする場合がある。また、半導体層とドレイン電極(6)とソース
電極(7)とがコンタクト不良となったときは各々の薄膜トランジスタ(11)が同時
に不良となる場合がある。この場合においては、画素が完全に不良となる。 本発明は、かかる問題により、不良となった薄膜トランジスタ(11)を完全再生
には至らないもののある程度の範囲で再生可能とする。 上記した薄膜トランジスタ(11)が形成された基板(1)はカラーフィルタ、対向
電極が形成された基板（図示しない）と周知の方法により一体化され、その間隔
に液晶を注入してプロジェクタ用の表示パネルとして完成される。 かかる、表示パネルは所定の検査が行われ、複数の薄膜トランジスタ(11)の動
作不良の有無がチェックされる。例えば、パターンジェネレータ等の装置を用い
て薄膜トランジスタ(11)に各種の映像信号を入力させると、例えば薄膜トランジ
スタ(11)が動作不良になったとすると表示電極(9)ガ白点（あるいは黒点）とな
って観測者に知らせる。 そこで、本発明では、ソース電極(7)とゲート電極(2)の重畳する重畳領域で夫
々の電極を接続し導通状態とするところにある。即ち、ソース電極(7)とゲート
電極(2)とをレーザ光を用いてショートさせ、不良になった表示電極(9)をＯＮ，
ＯＦＦさせて周囲のコントラストのバランスを図ることで再生させる。 即ち、表示パネルの上下に偏光板を配置させ、パターンジェネレータより黒（
又は白）レベルの信号をパネルに入力する。すると、不良になった薄膜トランジ
スタ(11)は白（又は黒）点を表示する。次にＹＡＧレーザ等をセットした顕微鏡
のステージ上に表示パネルを載置し、対極基板側より透過光を照射させ、白（又
は黒）点を顕微鏡の視野内に入れる。さらに、表示電極(9)が白（又は黒）とな
っている画素の薄膜トランジスタ(11)のソース電極(7)とゲート電極(2)とが重畳
する領域にレーザ光を基板(1)面側から所定時間照射する。すると、ソース電極( 7)が溶融するとともに絶縁保護膜(3)に穴が形成され、その穴の壁面に溶融され
た一部の金属が流れ込みグート電極(2)ト接続される。 また、ソース電極(7)とゲート電極(2)との接続をより確実に行うために複数カ
所にレーザ光を照射させると効果的である。本実施例では、表示パネルが完成し
た後にレーザ光を用いて薄膜トランジスタを修正しているが未完成状態において
も同様に修正することができる。即ち、薄膜トランジスタを形成した基板のソー
ス電極上からレーザ光を照射すれば同様にソース電極とゲート電極とを接続する
ことができる。しかし、この場合の検査工程では、ドレインラインおよびゲート
ラインのライン断線不良による検査は容易に行えるものの、個々の薄膜トランジ
スタの良不良の判定は困難であり、現実的には完成品によって行われる。 （ト）発明の効果 以上に詳述した如く、本発明に依れば、不良となったＴＦＴ素子のソース電極
とゲート電極とをレーザ光を用いて接続することにより、不良となったＴＦＴ素
子を完全に再生することはできないものの、ゲートラインに印加される信号に基
づいて不良ＴＦＴ素子を黒点に駆動させることができる。 その結果、ノーマリホワイトモードで使用するプロジェクタ用液晶表示パネル
では不良ＴＦＴ素子が発生した場合でも再生することができる。 また、本発明では表示パネルの完成後に再生できるため、完成歩留りが著しく
向上しその効果は大である。
表示パネルに関するものである。 （ロ）従来の技術 近年、大画面表示化にともない、液晶プロジェクタなるものが存在する。かか
るプロジェクタは、光源より発生した白色光はコンデンサレンズを介してダイク
ロイックプリズムに入射されると、赤・緑・青に分けられ、各色成分はその一部
、例えば赤及び青が全反射ミラーに反射されてから、それぞれ液晶表示パネルに
より透過率変化として変調され、さらに変調された赤・緑・青の各成分はダイク
ロイックミラーによって合成され、投射レンズによりスクリーンに投影される ものである。 液晶表示パネルを用いた液晶プロジェクタとして特開昭６１−１５０４８７号
公報があり、ここでの説明は省略する。 さて、上述の液晶プロジェクタにおいて、高画質を実現するには各液晶表示パ
ネルの画素数を多くする必要があり、例えば、縦４８０×横７２０のパネルを用
いればＮＴＳＣフルライン表示を行なうことができる。しかしながら、画素数の
増加にともない、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）も増加し、表示パネルの歩留りの
低下が問題となっていた。 かかる問題を解決するために１画素電極に、例えば２個のＴＦＴ素子を形成し
、いづれか１個が不良になった場合でも動作させる方法が一般的に採用されてい
る。 （ハ）発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記したように１画素電極に２個のＴＦＴ素子を設けたとして
も、例えば、ゲート絶縁膜形成工程中において、ゴミ等によりピンホールが形成
され、例えば、補助容量金属と画素電極のショートによる表示不良あるいは、半
導体層とソース電極及びドレイン電極とのコンタクト不良に等によりＴＦＴ素子
自体の不良により２個のＴＦＴ素子が同時に不良する場合がある。 この場合、プロジェクタ用の液晶表示パネルは、ノーマリホワイトモードによ
って表示されるので、ＴＦＴ素子が不良となった画素電極はスクリーン上で白点
となって表示されるため、スクリーン上の表示品位を著しく低下させる問題があ
った。 また、このＴＦＴ素子不良が複数カ所に発生するとプロジェクタ用の液晶表示
パネルとして使用できなくなる問題がある。 更に、この問題は画素数の増加にともなって多発する恐れがあり、表示パネル
の大型化を実現するにあたって大きな障害となっていた。 （ニ）課題を解決するための手段 本発明は上述した課題に鑑みて為されたものであり、不良となったＴＦＴ素子
のソース電極とゲート電極とをゲート電極とソース電極との重畳領域上で接続し
て上述した課題を解決する。 （ホ）作用 この様に本発明に依れば、不良となったＴＦＴ素子のソース電極とゲート電極
とを接続することにより、不良となったＴＦＴ素子を完全に再生することはでき
ないものの、ゲートラインに印加される信号に基づいて不良ＴＦＴ素子を黒点に
駆動させることができる。その結果、ノーマリホワイトモードで使用するプロジ
ェクタ用液晶表示パネルでは不良ＴＦＴ素子が発生した場合でも再生することが
できる。 （ヘ）実施例 以下に第１図および第２図に示した実施例に基づいて本発明を詳細に説明する
。 第１図は本発明の表示パネルの１画素を示す要部拡大図、第２図は第１図のＩ
−Ｉ断面図であり、(1)はソーダガラス又はホウケイ酸ガラス等の絶縁基板、(2)
はＣr，Ｃr＋Ａu，Ｍo等を材料とするゲート電極、(3)は例えばナイトライド製
の絶縁保護膜、(4)はアモルファスシリコン，Ｔe，ポリシリコン，Ｃdse等で構
成された半導体層、(5)は半導体層(4)表面を保護するパッシベーション、(6)，(
7)はＡl，Ｍo，ＩＴＯで形成されたドレイン電極，ソース電極、(8)はドレイン
電極(6)、ソース電極(7)と半導体層(4)とをオーミックコンタクトするためのＮ+
a−Ｓi、(9)はＩＴＯ等を材料にして形成された透明な表示電極、(10)は補助容
量電極を示している。 各表示電極(9)は図示しないカラーフィルタに対応して配列されており、表示
電極(9)の横列間にはゲート電極(2)が、また縦列間にはドレイン電極(6)が各表
示電極(9)間を仕切る態様に形成され、両者の交叉部分の一隅に前記ゲート電極(
2)、絶縁保護膜(3)、半導体層(4)、ドレイン電極(6)、ソース電極(7)等にて構成
される複数の薄膜トランジスタ(11)が表示電極(9)との間を接続する態様で形成
されている。本実施例では２個の薄膜トランジスタ(11)が隣接する様に形成され
ているが、これは、いずれか一方の薄膜トランジスタ(11)が不良になった場合に
なっても表示電極(9)を駆動するための予備用である。 しかしながら、複数の薄膜トランジスタ(11)を形成したとしても、各々の薄膜
トランジスタ(11)自体あるいは表示電極(9)不良となった場合には、薄膜トラン ジスタ(11)が複数個配置されていたとしても表示電極(9)は動作しない。 製造工程中に一番不良が発生する工程は、基板(1)上にゲート電極(2)および補
助容量用電極(10)を形成した後直後にゲート電極(2)、補助容量用電極(10)上に
ゴミ等が付着し、絶縁保護膜形成後にゴミ等が取り除かれピンホールが形成され
、ゲート電極(2)と半導体層とのショートあるいは表示電極(9)と補助容量用電極
(10)とがショートする場合がある。また、半導体層とドレイン電極(6)とソース
電極(7)とがコンタクト不良となったときは各々の薄膜トランジスタ(11)が同時
に不良となる場合がある。この場合においては、画素が完全に不良となる。 本発明は、かかる問題により、不良となった薄膜トランジスタ(11)を完全再生
には至らないもののある程度の範囲で再生可能とする。 上記した薄膜トランジスタ(11)が形成された基板(1)はカラーフィルタ、対向
電極が形成された基板（図示しない）と周知の方法により一体化され、その間隔
に液晶を注入してプロジェクタ用の表示パネルとして完成される。 かかる、表示パネルは所定の検査が行われ、複数の薄膜トランジスタ(11)の動
作不良の有無がチェックされる。例えば、パターンジェネレータ等の装置を用い
て薄膜トランジスタ(11)に各種の映像信号を入力させると、例えば薄膜トランジ
スタ(11)が動作不良になったとすると表示電極(9)ガ白点（あるいは黒点）とな
って観測者に知らせる。 そこで、本発明では、ソース電極(7)とゲート電極(2)の重畳する重畳領域で夫
々の電極を接続し導通状態とするところにある。即ち、ソース電極(7)とゲート
電極(2)とをレーザ光を用いてショートさせ、不良になった表示電極(9)をＯＮ，
ＯＦＦさせて周囲のコントラストのバランスを図ることで再生させる。 即ち、表示パネルの上下に偏光板を配置させ、パターンジェネレータより黒（
又は白）レベルの信号をパネルに入力する。すると、不良になった薄膜トランジ
スタ(11)は白（又は黒）点を表示する。次にＹＡＧレーザ等をセットした顕微鏡
のステージ上に表示パネルを載置し、対極基板側より透過光を照射させ、白（又
は黒）点を顕微鏡の視野内に入れる。さらに、表示電極(9)が白（又は黒）とな
っている画素の薄膜トランジスタ(11)のソース電極(7)とゲート電極(2)とが重畳
する領域にレーザ光を基板(1)面側から所定時間照射する。すると、ソース電極( 7)が溶融するとともに絶縁保護膜(3)に穴が形成され、その穴の壁面に溶融され
た一部の金属が流れ込みグート電極(2)ト接続される。 また、ソース電極(7)とゲート電極(2)との接続をより確実に行うために複数カ
所にレーザ光を照射させると効果的である。本実施例では、表示パネルが完成し
た後にレーザ光を用いて薄膜トランジスタを修正しているが未完成状態において
も同様に修正することができる。即ち、薄膜トランジスタを形成した基板のソー
ス電極上からレーザ光を照射すれば同様にソース電極とゲート電極とを接続する
ことができる。しかし、この場合の検査工程では、ドレインラインおよびゲート
ラインのライン断線不良による検査は容易に行えるものの、個々の薄膜トランジ
スタの良不良の判定は困難であり、現実的には完成品によって行われる。 （ト）発明の効果 以上に詳述した如く、本発明に依れば、不良となったＴＦＴ素子のソース電極
とゲート電極とをレーザ光を用いて接続することにより、不良となったＴＦＴ素
子を完全に再生することはできないものの、ゲートラインに印加される信号に基
づいて不良ＴＦＴ素子を黒点に駆動させることができる。 その結果、ノーマリホワイトモードで使用するプロジェクタ用液晶表示パネル
では不良ＴＦＴ素子が発生した場合でも再生することができる。 また、本発明では表示パネルの完成後に再生できるため、完成歩留りが著しく
向上しその効果は大である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の液晶表示パネルの要部拡大平面図、第２図は第１図のＩ−Ｉ
断面図である。 (1)は絶縁基板、(2)はゲート電極、(3)は絶縁保護膜、(4)は半導体層、(5)は
パッシベーション、(6)はドレイン電極、(7)はソース電極、(8)はＮ+a−Ｓi、(9
)は表示電極、(10)は補助容量用電極である。
断面図である。 (1)は絶縁基板、(2)はゲート電極、(3)は絶縁保護膜、(4)は半導体層、(5)は
パッシベーション、(6)はドレイン電極、(7)はソース電極、(8)はＮ+a−Ｓi、(9
)は表示電極、(10)は補助容量用電極である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】絶縁基板上に行列配置された複数の透光性導電酸化物膜からなる表
示電極の夫々に半導体層を有する少なくとも１つ以上の薄膜トランジスタを対応
させて行列配置してなり、前記薄膜トランジスタのソース電極を前記トランジス
タに対応する前記表示電極に接続されたアクティブ・マトリックス型の液晶表示
パネルにおいて、 所定の前記薄膜トランジスタのソース電極と前記基板上に形成されたゲート電極
とを前記ゲート電極とソース電極との重畳領域上で接続し、前記ゲート電極に接
続されたゲートラインへ印加された電圧を、前記表示電極へ印加することを特徴
とする液晶表示パネル。 【請求項２】前記接続はソース電極にレーザ光を照射せしめ、前記ソース電極の
一部を溶融させることを特徴とする請求項１記載の液晶表示パネル。 【請求項３】前記レーザ光を前記基板表面から照射することを特徴とする請求項
２記載の液晶表示パネル。 【請求項４】前記ソース電極はアルミニウム、前記ゲート電極はクロムの金属で
形成されたことを特徴とする請求項１記載の液晶表示パネル。
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