JP2507073Y2 - 基板型温度ヒユ−ズ・抵抗体 - Google Patents

基板型温度ヒユ−ズ・抵抗体

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JP2507073Y2
JP2507073Y2 JP19356886U JP19356886U JP2507073Y2 JP 2507073 Y2 JP2507073 Y2 JP 2507073Y2 JP 19356886 U JP19356886 U JP 19356886U JP 19356886 U JP19356886 U JP 19356886U JP 2507073 Y2 JP2507073 Y2 JP 2507073Y2
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充明 植村
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内橋エステック 株式会社
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は基板型温度ヒューズ・抵抗体の改良に関する
ものである。
〔従来の技術〕 温度ヒューズと抵抗体とを集合した温度ヒューズ・抵
抗体が電気回路素子として公知であり、例えば、抵抗体
を回路抵抗として使用し、抵抗体が過電流により異常発
熱すると、その発熱で温度ヒューズを溶断させて、この
溶断で回路電流を遮断する要領で使用している。
かかる温度ヒューズ・抵抗体として、本出願人は温度
ヒューズエレメントとしての低融点金属体と膜状抵抗体
とを絶縁基板の片面に設け、低融点金属体上にフラック
ス層を設け、絶縁基板片面の全面上に絶縁樹脂をモール
ドせる基板型温度ヒューズ・抵抗体を提案した。
この基板型温度ヒューズ・抵抗体において、フラック
ス層は低融点金属よりも一段と低融点であり、低融点金
属が膜状低抗体の発熱により溶融すると既に溶融してい
るフラックスとの共存下、溶融金属の表面張力に基づく
分断球状化が溶融フラックスによって促進される。従っ
て、基板型温度ヒューズ・抵抗体において、フラックス
層は温度ヒューズの作動上不可欠である。
〔考案が解決しようとする課題〕
ところで、温度ヒューズ・抵抗体においては、回路の
負荷状態に応じて抵抗体にジュール発熱が生じ、温度ヒ
ューズの作動前(低融点金属の溶融前)においても、フ
ラックス層がそのジュール発熱で溶融し、この溶融フラ
ックスに熱膨張に起因して圧力が発生することがある。
この場合、この溶融フラックスがその圧力のために、
絶縁基板とモールド樹脂との接着界面を剥離して膜状抵
抗体に流動し接触する可能性があり、かかる接触下で
は、膜状抵抗体の材料並びにフラックスが共に加熱状態
にあるために、膜状抵抗体の材料がフラックスの還元作
用により還元されてその膜状抵抗体の抵抗値が低下する
畏れがあり、膜状抵抗体に過電流が流れても該抵抗体を
所定温度に発熱させ得ず、低融点金属体を満足に溶断さ
せ得ないことが生じる。
本考案の目的は、基板型温度ヒューズ・抵抗体におい
て、上記溶融フラックスによる膜状抵抗体の抵抗値変化
を防止し、過電流下での当該抵抗体発熱による低融点金
属体の確実な溶断を保障することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本考案に係る基板型温度ヒューズ・抵抗体は、片面上
に電極を設けたセラミックス絶縁基板に酸化金属を成分
とする膜状抵抗体と低融点金属体とをそれぞれを電極に
接続して設け、その低融点金属体にフラックスを被覆
し、このフラックス被覆低融点金属体、膜状抵抗体及び
電極を覆う硬化型樹脂層をセラミックス絶縁基板に設け
た温度ヒューズ・抵抗体において、上記の膜状抵抗体と
その両端の電極部分のみを覆うフラックス接触防止絶縁
層を設けたことを特徴とする構成である。
〔実施例〕
以下、図面により本考案の実施例を説明する。
第1図は本考案に係る基板型温度ヒューズ・抵抗体を
示す上面説明図、第2図は第1図におけるII-II断面図
である。
第1図並びに第2図において、1はセラミックス絶縁
基板である。21,22はセラミックス絶縁基板上に設けた
一対の電極であり、一方の電極21の中間には膜状抵抗体
を接続するためのランド23を設けてある。これらの電極
は導電ペーストのスクリーン印刷・焼付け、または金属
箔積層板のエッチング等によって形成できる。3,3は電
極に接続したリード線である。4は電極間に橋設した低
融点金属体であり、低融点金属体と電極との間は溶接に
よって接合してある。5は低融点金属体上に塗布したフ
ラックス層であり、低融点金属体よりも低融点で、かつ
還元作用を有する有機物質、例えばロジンを用いてい
る。6は電極21のランド23,23間に設けた膜状低抗体で
あり、抵抗ペーストの印刷・焼付けにより形成してあ
る。抵抗ペーストには、酸化金属粒子とバインダ用ガラ
スフリットとの混合物を用いている。7は膜状抵抗体6
並びに膜状抵抗体6の両端の電極部分上に被覆したフラ
ックス接触防止絶縁膜であり、ガラスの焼付膜を用いる
ことができる。8はセラミックス絶縁基板1上に被覆し
た硬化型樹脂層であり、例えばエポキシ樹脂のデッピン
グにより成形できる。
上記の基板型温度ヒューズ・抵抗体の膜状抵抗体6は
回路抵抗として使用される。この場合、膜状抵抗体6が
温度ヒューズの作動前に回路電流により発熱し、フラッ
クス層5が溶融し、膨張して硬化型樹脂層8とセラミッ
クス絶縁基板1との界面を伝って膜状抵抗体6に向かっ
て流動することがある。しかしながら、膜状抵抗体6を
フラックス接触防止絶縁膜7で被覆してあるから、膜状
抵抗体6とフラックスとの接触を防止でき、従って、膜
状抵抗体6の主成分である酸化金属粒子のフラックスに
よる還元を回避でき、膜状抵抗体の抵抗値を安定に維持
できる。
第3図は本考案の別実施例を示し、電極210,210間に
低融点金属体4を、電極220,220間に膜状抵抗体6をそ
れぞれ設けてある。5はフラックス層、7は膜状抵抗体
6並びにその両端の電極部分上に被覆したフラックス接
触防止絶縁膜、3,…はリード線、8はエポキシ樹脂等の
硬化型樹脂層であり、デッピングにより成形できる。
この別実施例に係る基板型温度ヒューズ・抵抗体にお
いては、膜状抵抗体6が回路の抵抗素子として使用さ
れ、低融点金属体4が回路に直列に接続される。従っ
て、過電流により膜状抵抗体6が異常発熱されると、そ
の発生熱で低融点金属体4が溶断されて回路への通電が
遮断される。
〔考案の効果〕
本考案に係る基板型温度ヒューズ・抵抗体は上述した
通りの構成であり、ヒートサイクル中に低融点金属体上
のフラックスが溶融・膨張して膜状抵抗体に向け流動し
ても、膜状抵抗体にフラックス接触防止絶縁層を設けて
あるから、膜状抵抗体へのフラックスの接触を防止で
き、フラックスによる膜状抵抗体の酸化金属の還元に起
因する抵抗値変化を防止でき、抵抗値を安定に保持でき
る。
また、低融点金属体両端の電極部分はフラックス接触
防止絶縁層で覆われていないから、温度ヒューズの作動
時、低融点金属体が溶融し、その溶融金属に対する電極
の優れた濡れ性のために溶融金属が電極に引張られて溶
融金属の分断が促進され、温度ヒューズの作動性を損じ
ることなく保持できる。
従って、温度ヒューズ作動時まで膜状抵抗体の抵抗値
を正常に維持でき、低融点金属体が融点に達すると、低
融点金属体をスムーズ・迅速に分断させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例を示す説明図、第2図は第1
図におけるII-II断面図、第3図は本考案の別実施例を
示す説明図である。 図において、1はセラミックス絶縁基板、4は低融点金
属体、5はフラックス層、6は酸化金属を成分とする膜
状抵抗体、7はフラックス接触防止絶縁膜、8は硬化型
樹脂層である。

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】片面上に電極を設けたセラミックス絶縁基
    板に酸化金属を成分とする膜状抵抗体と低融点金属体と
    をそれぞれを電極に接続して設け、その低融点金属体に
    フラックスを被覆し、このフラックス被覆低融点金属
    体、膜状抵抗体及び電極を覆う硬化型樹脂層をセラミッ
    クス絶縁基板に設けた温度ヒューズ・抵抗体において、
    上記の膜状抵抗体とその両端の電極部分のみを覆うフラ
    ックス接触防止絶縁層を設けたことを特徴とする基板型
    温度ヒューズ・抵抗体。
JP19356886U 1986-12-15 1986-12-15 基板型温度ヒユ−ズ・抵抗体 Expired - Lifetime JP2507073Y2 (ja)

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