JP2004363630A - 保護素子の実装方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板2上の電極3a、3b、3cにヒューズエレメント4が設けられている保護素子1を、該保護素子1のヒューズエレメント4の液相点より低く、固相点以上の温度で実装する。該保護素子1としては、液相点と固相点との差が5℃以上のものを使用する。
【選択図】 図1
Description
表1の半田箔とソルダーペーストを用いて、ソルダーペーストを使用しない図1の保護素子又はソルダーペーストを使用する図2の保護素子を作製した。この場合、基板2としてはアルミナ基板(3mm×5mm)を使用し、半田箔の大きさは、0.15mm(厚さ)×1.0mm(幅)×4.2mm(長さ)とした。
各実施例及び比較例で得られた保護素子に対し、(a)オーブン耐熱性、(b)ヒーター抵抗、(c)ヒューズ抵抗、(d)4W動作時間、(e)10A溶断時間、をそれぞれ次のように測定した。結果を表2〜4に示す。
2 基板、
3a、3b、3c 電極、
4 ヒューズエレメント、
5 ソルダーペースト、
6 フラックス
7 発熱体
8 絶縁層
9 内側封止部
10 外側封止部
Claims (7)
- 基板上の電極にヒューズエレメントが設けられている保護素子を、該保護素子のヒューズエレメントの液相点より低く、固相点以上の温度で実装する保護素子の実装方法。
- ヒューズエレメントの液相点と固相点との差が5℃以上である請求項1記載の実装方法。
- ヒューズエレメントの液相点が、該保護素子の実装時の最高到達温度よりも高く、固相点が、該保護素子の実装時の最高到達温度以下である請求項1又は2記載の実装方法。
- ヒューズエレメンの液相点と実装時の最高到達温度との差が50℃未満である請求項3記載の実装方法。
- ヒューズエレメントが、半田箔である請求項1〜4のいずれかに記載の実装方法。
- ヒューズエレメントが、電極上にソルダーペーストを介することなく設けられている請求項1〜5のいずれかに記載の実装方法。
- 実装する保護素子において、発熱体がヒューズエレメントに近接して配されている請求項1〜6のいずれかに記載の実装方法。
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