JP2024511313A - 支持面を変更するためのツール - Google Patents

Abstract

基板ホルダの基板支持要素を変更するためのデバイス及び方法が開示される。いくつかの実施形態によれば、デバイスが開示され、このデバイスは、基板ホルダであって、基板ホルダの第１の側から突出している複数の支持要素を有する、基板ホルダと、基板ホルダの第２の側で横方向に基板ホルダを保持するよう構成された支持構造と、球状本体を有するクリーニングツールと、を含む。デバイスはプロセッサも含む。プロセッサは、基板ホルダの所定の関心領域をクリーニングツールの所定の位置と位置合わせし、位置合わせによって所定の関心領域と所定の位置との接触を生成するように支持構造の移動を操作し、所定の関心領域のクリーニング動作を開始する。
【選択図】 図２Ｃ

Description

（関連出願の相互参照）
[0001] 本出願は、２０２１年３月２４日に出願された米国仮特許出願第６３／１６５，３２７号の優先権を主張する。この出願は参照により全体が本願に含まれる。

[0002] 本開示は、ホルダを変更するためのツール、このツールを用いてホルダを変更するための方法、及び、このツールを備えるリソグラフィ装置に関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又はいくつかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。

[0004] 例えば集積回路のようなデバイスを、更に小型化したフィーチャで製造することが、常に求められている。集積回路及びその他のマイクロスケールデバイスは光リソグラフィを用いて製造されることが多いが、インプリントリソグラフィ、電子ビームリソグラフィ、及びナノスケール自己組織化のような他の製造技法も知られている。

[0005] 製造中、デバイスは照射を受ける。照射プロセスができる限り正確であることを保証するのは重要である。照射プロセスをできる限り正確にすることに伴う課題の１つは、照射を受けるデバイスが正確な位置にあると保証することである。デバイスの位置を制御するため、基板ホルダを用いることができる。一般に、基板は照射を受けている間、基板ホルダによって支持される。基板が基板ホルダ上に位置決めされた場合、基板と基板ホルダとの間の摩擦が、基板ホルダの表面上で基板が平坦になるのを妨げる可能性がある。この問題に対処するため、基板ホルダは、基板と基板ホルダとの接触エリアを最小限に抑える支持要素を備えることができる。基板ホルダの表面上の支持要素は、他の場合にはバール又は突起と呼ばれることがある。支持要素は一般に、一定の間隔を置いて配置され（例えば均一なアレイに）、高さが均一であり、極めて平坦な支持面全体を規定し、この上に基板を位置決めすることができる。支持要素は、基板ホルダと基板との接触エリアを小さくし、これにより摩擦を低減させ、基板ホルダ上で基板がより平坦な位置に移動することを可能とする。

[0006] 支持要素は一般に、基板ホルダの表面から実質的に垂直に延出する。動作時、基板の裏面は、基板ホルダの本体表面から小さい距離で、投影ビームの伝搬方向に対して実質的に垂直な位置で、支持要素上に支持される。従って、基板ホルダの本体表面でなく、支持要素の上部（すなわち支持面）が、基板のための有効支持面を規定する。

[0007] 平坦性が向上した支持要素を提供するため、既知のツール及び方法には今なお改善の余地があり得る。好ましい平坦性を異なるやり方で達成するため、追加的な又は代替的な方法及びツールが望ましいことがある。また、支持要素上に所望のレベルのラフネスを提供して支持要素と基板との間にある程度の摩擦を与えながら、この平坦性を達成することが有利である。

[0008] 所有コスト、商品原価、及び／又はオーバーレイの品質のため、リソグラフィ装置において使用される改良された高さ調整ツール、又は少なくともその代替物を提供することが望ましい。更に、そのような改良されたか又は代替的な高さ調整ツールを使用するための方法、及び、そのような改良されたか又は代替的な高さ調整ツールを備えるリソグラフィ装置を提供することが望ましい。

[0009] いくつかの実施形態によれば、基板ホルダの基板支持要素を変更するためのデバイスが記載される。デバイスは基板ホルダを含み、基板ホルダは、基板ホルダの第１の側から突出している複数の支持要素を有する。デバイスは、基板ホルダの第２の側で横方向に基板ホルダを保持するよう構成された支持構造も含む。デバイスは、球状本体を有するクリーニングツール及びプロセッサも含む。プロセッサは、基板ホルダの所定の関心領域をクリーニングツールの所定の位置と位置合わせし、位置合わせによって所定の関心領域と所定の位置との接触を生成するように支持構造の移動を操作し、所定の関心領域のクリーニング動作を開始する。

[0010] いくつかの実施形態によれば、所定の関心領域は、１つ以上の支持要素及び／又は支持面を有する１つの支持要素を含む。いくつかの実施形態によれば、所定の関心領域と所定の位置との間に生成された接触は、支持面とクリーニングツールの所定の位置との間の接触を含む。いくつかの実施形態によれば、デバイスは、支持面の物理的パラメータを測定する検出器を含む。物理的パラメータは、支持面のラフネス度（degree of roughness）を含む。更に、物理的パラメータは、基板ホルダの１つ以上の支持要素の高さ逸脱（height deviation）測定値を含み得る。高さ逸脱測定値は、基板ホルダの所定の表面平坦度からの検出された高さ逸脱である。いくつかの実施形態によれば、プロセッサは、支持要素の検出された高さ逸脱に対応して支持要素の高さを変更するようにクリーニング動作を制御する。

[0011] いくつかの実施形態によれば、プロセッサは更に、所定の関心領域を所定の位置と位置合わせするため支持構造を降下及び傾斜させるように位置合わせを制御する。いくつかの実施形態によれば、プロセッサは更に、クリーニングツールの凸形状（convexity）測定値と、高さ又はラフネス変更の対象である支持要素の位置との間の計算された相関関係に基づいて、位置合わせの実行を制御する。いくつかの実施形態によれば、プロセッサは更に、計算された相関関係に基づいて所定の位置を選択することができ、また、水平軸を中心として支持構造を回転させるように位置合わせ動作を制御することができる。

[0012] いくつかの実施形態によれば、クリーニングツールはクォーツ（ＳｉＯ２）で作製することができ、クォーツは、窒化クロム（ＣｒＮ）、酸化クロム（ＣｒＯｘ）、又はホウ化タンタルのうちいずれか１つでコーティングすることができる。

[0013] いくつかの実施形態によれば、基板ホルダの基板支持要素を変更するための方法が開示される。この方法は、１つ以上のプロセッサによって実行され、基板ホルダの所定の関心領域をクリーニングツールの所定の位置と位置合わせすることであって、基板ホルダは基板ホルダの第１の側から突出している複数の支持要素を有し、クリーニングツールは球状本体を有する、位置合わせすることと、位置合わせによって所定の関心領域と所定の位置との接触を生成するように支持構造の移動を操作することであって、支持構造は基板ホルダの第２の側で横方向に基板ホルダを保持する、支持構造の移動を操作することと、所定の関心領域のクリーニング動作を開始することと、を含む。

[0014] いくつかの実施形態によれば、基板ホルダの基板支持要素を変更するための材料除去デバイスを含むリソグラフィ装置を開示することができる。いくつかの実施形態によれば、デバイスは基板ホルダを含み、基板ホルダは、基板ホルダの第１の側から突出している複数の支持要素を有する。また、デバイスは、基板ホルダの第２の側で横方向に基板ホルダを保持するよう構成された支持構造と、球状本体を有するクリーニングツールと、を含み得る。デバイスはプロセッサも含み得る。プロセッサは、基板ホルダの所定の関心領域をクリーニングツールの所定の位置と位置合わせし、位置合わせによって所定の関心領域と所定の位置との接触を生成するように支持構造の移動を操作し、所定の関心領域のクリーニング動作を開始する。

[0015] 本開示の更なる特徴及び利点並びに本発明の様々な実施形態の構造及び作用は、添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。本開示は、本明細書に記載する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、例示のみを目的として本明細書に記載されている。本明細書に含まれる教示に基づいて当業者は更なる実施形態を容易に思いつくであろう。

[0016] 次に、添付の概略図を参照して、本開示の実施形態を単なる例として説明する。

[0017] リソグラフィ装置を示す。 [0018] いくつかの実施形態に従ったツールシステムの概略図を示す。 [0018] いくつかの実施形態に従ったツールシステムの概略図を示す。 [0018] いくつかの実施形態に従ったツールシステムの概略図を示す。 [0019] いくつかの実施形態に従ったアライメント動作を示す。 [0019] いくつかの実施形態に従ったアライメント動作を示す。 [0019] いくつかの実施形態に従ったアライメント動作を示す。 [0020] 基板ホルダを変更するために用いられる図２Ａから図２Ｃのツールの断面図を示す。 [0020] 基板ホルダを変更するために用いられる図２Ａから図２Ｃのツールの断面図を示す。 [0021] いくつかの実施形態に従ったクリーニング動作を示す。 [0021] いくつかの実施形態に従ったクリーニング動作を示す。 [0022] いくつかの実施形態に従ったクリーニング方法を示す。

[0023] 図面は、本開示のいくつかの実施形態に含まれる特定のフィーチャを示している。しかしながら、図面は一定の縮尺通りではない。以下の説明では、特定のフィーチャのサイズ及びサイズ範囲の例が記載されている。

[0024] パターン付与された放射ビームを基板上に投影する際のオーバーレイエラーを回避するため、基板上面が平坦であることが望ましい。基板サポートの支持面に凹凸があると、平坦でない基板上面を引き起こす可能性がある。従って、基板サポートの凹凸を回避することが望ましい。

[0025] 支持面の凹凸は、支持要素自体を構成する材料の高さの相違によって生じ得る。これは通常、新しい基板ホルダが製造された場合に当てはまる。摩耗と汚染も、凹凸を引き起こす可能性がある。既知の実施形態では、基板サポートは基板テーブルＷＴ（他の場合にはチャックと呼ばれる）を含み、この上に、支持要素を備えた基板ホルダが支持される。代替的な実施形態では、基板テーブルＷＴ及び基板ホルダは単一のユニットに一体化され得る。凹凸は、支持要素の高さの差から、又は基板ホルダもしくは基板テーブルＷＴの裏面の高さの差から生じ得る。従って、これらの要素は注意深く水平にされる。それでもなお、基板テーブルＷＴ及び基板ホルダ（及び他の任意の要素）が組み立てられるか又は設置される際に、凹凸が生じる可能性があることが分かっている。反射パターニングデバイス又は透過パターニングデバイス等、ビーム経路を横断する明確に定義された面内に支持しなければならない他の物品のための支持テーブル又はホルダでも、同様の問題が発生し得る。

[0026] 米国特許出願公開第２００５／００６１９９５Ａ１号（これの内容は参照により全体が本願に含まれる）は、リソグラフィ投影装置を提供する。このリソグラフィ投影装置は、物品の表面平坦性に影響を及ぼす支持要素の高さ逸脱を検出する検出器と、装置内で支持テーブルが動作可能である場合に個々の支持要素の支持要素材料の高さを別個に変更するよう構成された高さ調整デバイスと、検出器と高さ調整デバイスとの間に結合されて、物品の表面平坦性に影響を及ぼす支持要素の検出された高さ逸脱に対応して支持要素の高さを調整するよう高さ調整デバイスを制御するように配置されたコントローラ（又は制御プロセッサ）と、を含む。コントローラは、中央処理ユニット（ＣＰＵ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、又は、処理を実行することができる回路を含むデバイスとすればよいことは認められよう。コントローラは、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、及び、コントローラ又は読み出し可能媒体上で実行されるコンピュータ読み出し可能コードの組み合わせを実施し得る。コントローラ及び／又はコンピュータ読み出し可能媒体をネットワーク結合コンピュータシステム上に分散させることで、コンピュータ読み出し可能コードを分散させて記憶及び実行することができる。

[0027] リソグラフィ投影装置内で支持テーブルが動作可能位置にある場合、インシチュ（in situ）高さ調整デバイスは、個々の支持要素の少なくとも上部が一体的に作製されている材料の高さを変えるために使用できる。「動作可能」とは、通常の使用時よりも支持テーブルアセンブリに対する破壊的な移動を伴うことなく、装置内で支持ホルダを動作可能位置からパターン投影位置へ移動できることを意味する。「一体的に作製されている」とは、支持ホルダ又は支持要素上のコーティングもしくは他の材料層を製造するために用いられる材料を意味するが、汚染物質のような偶発的な異物は意味しない。リソグラフィ装置内の組み立てられた支持ホルダの支持要素の高さをそのような動作可能位置で調整することにより、信頼性の高いローカル及びグローバルな高さ調整を実現することができる。

[0028] 検出器は、どの支持要素が高さ逸脱を有するかを決定することができ、制御ユニットは、例えば、過剰な高さを持たない又は閾値未満の過剰な高さを持つ他の支持要素からではなく、過剰な高さを持つ選択された支持要素の材料の一部を除去するため、高さ調整デバイスを制御する。このような検出器と高さ逸脱調整ツールは、本明細書の図１で更に記載されている。

[0029] 図１は、本開示の一実施形態によるリソグラフィ装置１００を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又はその他の任意の好適な放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続されたパターニングデバイスサポート又は支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、を含む。リソグラフィ装置は、また、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴ又は「基板サポート」を含む。基板サポートは、基板ホルダが支持される基板テーブルＷＴ（他の場合にはチャックと呼ばれる）を備えることができる。基板ホルダは、基板Ｗを支持するように構成できる。リソグラフィ装置は、パターニングデバイスＭＡによって基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に放射ビームＢに付与されたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳを更に備える。

[0030] 照明システムは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

[0031] パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた手法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電等のクランプ技術を使用することができる。パターニングデバイスサポートは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。

[0032] 本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームＢに付与されるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板Ｗのターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームＢに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。

[0033] パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスＭＡの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型（alternating）位相シフトマスク、ハーフトーン型（attenuated）位相シフトマスクのようなマスクタイプ、更には様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小型ミラーのマトリクス配列を使用し、ミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを付与する。

[0034] 本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電光学システム、又はその任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これは更に一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。

[0035] 本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過型マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射型マスクを使用する）。

[0036] リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル又は「基板サポート」（及び／又は２つ以上のマスクテーブル又は「マスクサポート」）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブル又はサポートを並行して使用するか、又は１つ以上の他のテーブル又はサポートを露光に使用している間に１つ以上のテーブル又はサポートで予備工程を実行することができる。

[0037] リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間を充填するように、基板Ｗの少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆えるタイプでもよい。液浸液は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡと投影システムＰＳの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で使用することができる。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造を液体に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体が存在するというほどの意味である。

[0038] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームＢを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームＢは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。

[0039] イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、s-outer及びs-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。

[0040] 放射ビームＢは、マスク支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを横断した放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に集束させる。第２の位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを正確に位置決めできる。一般に、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴの移動は、第１の位置決めデバイスＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」の移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールの助けにより実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭｌ、Ｍ２及び基板アライメントマークＰＩ、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占有しているが、ターゲット部分の間の空間に配置することもできる（これらはスクライブレーンアライメントマークとして周知である）。同様に、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスのアライメントマークをダイの間に配置してもよい。

[0041] 図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。

[0042] １．ステップモードでは、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴ又は「マスクサポート」及び基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」は、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに付与されたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」がＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。

[0043] ２．スキャンモードでは、パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴ又は「マスクサポート」及び基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」は同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに付与されるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。パターニングデバイスサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴ又は「マスクサポート」に対する基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」の速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。

[0044] ３．別のモードでは、パターニングデバイス（例えばマスクテーブル）ＭＴ又は「マスクサポート」はプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」を移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス放射源を使用して、基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」を移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。

[0045] 上述した使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。

[0046] 図１で示されているように、リソグラフィ装置は、リソグラフィ装置の基板ホルダの１つ以上の支持要素から材料を除去するように構成されたインシチュ材料除去デバイス（ＭＲＤ：material removing device）を含むことができる。このＭＲＤは、基板ホルダ上に支持された基板Ｗをより均一に支持するため、基板ホルダの１つ以上の支持要素から材料を除去するように構成されている。ＭＲＤは実質的に静止した位置に配置することができ、材料除去ツールＭＲＴを含む。ＭＲＴを１つ以上の支持要素に接触させて、１つ以上の支持要素の材料を除去する。いくつかの例によれば、ＭＲＴは実質的に静止した位置に配置することができ、１つ以上の支持要素から材料を除去するように、ＭＲＴに対して１つ以上の支持要素をある動きで（例えば円形の動き等で）移動させることができる。いくつかの例によれば、支持要素に対してＭＲＴを移動可能として、支持要素に対してＭＲＴをある動きで（例えば円形の動きで）移動させることができる。以下で図２から図６を参照して、本開示に従った材料除去動作の態様を更に説明する。

[0047] リソグラフィ装置は更に、基板ホルダ上に支持された基板Ｗの表面平坦性に影響を及ぼす支持要素の高さ逸脱を検出するように構成された検出器ＨＤＤを含むことができる。検出器ＨＤＤは例えば、基板ホルダ上に支持された基板Ｗの上面を測定するように構成されたレベルセンサとすることができる。このようなレベルセンサは例えば、参照により全体が本願に含まれる米国特許第５，１９１，２００号に開示されている。検出器ＨＤＤを用いて、多数の基板の上面を測定し、表面のどのエラーが基板自体によって引き起こされたか、及び、どのエラーが基板サポートすなわち支持要素によって引き起こされたかを決定できる。いくつかの実施形態によれば、検出器ＨＤＤは例えば、光検出器、及び／又はアライメントマークを有するレチクル、光源、及び１又は複数のＷＳ ＴＩＳセンサを含む１つ以上のコンポーネントの組み合わせとすればよい。

[0048] 検出器ＨＤＤは、検出器ＨＤＤとＭＲＤとの間に結合されたコントローラＭＲＣに接続することができる。コントローラは、基板の表面平坦性に影響を及ぼす突起４の検出された高さ逸脱に対応して支持要素の高さを調整するようにＭＲＤを制御するよう構成できる。コントローラＭＲＣは、基板ホルダの支持要素の材料を除去することで平坦な表面を生成するように適合された別個のコントローラとするか、又は、リソグラフィ装置内で複数の制御タスクを実行するように構成されたコントローラに一体化することができる。

[0049] ＭＲＤの一般的な動作に関するこれ以上の詳細は、参照により全体が本願に含まれる米国特許出願公開第２００５／００６１９９５Ａ１号に開示されている。

[0050] いくつかの実施形態によれば、１つ以上の支持要素からの材料の除去は、材料除去ツールＭＲＴと１つ以上の支持要素との間の相対的移動によって実行できる。この相対的移動は、材料除去ツールＭＲＴに対して１つ以上の支持要素を平行移動させること及び／又は１つ以上の支持要素に対して材料除去ツールＭＲＴを平行移動させることにより実行できる。材料除去ツールＭＲＴを回転させて、支持要素の材料除去を強化することができる。いくつかの例によれば、本明細書で更に記載されるように、一度に１つずつ特定の支持要素をターゲットにするため、材料除去ツールＭＲＴを垂直に移動させること及び軸を中心に回転させることができる。

[0051] 図２Ａから図２Ｃは、基板ホルダ（例えばクランプ）の支持要素（例えばバール）の平坦性を向上させるように基板ホルダを変更するため使用され得るＭＲＴシステム２００を示す。ＭＲＴシステム２００は、上述の材料除去ツールＭＲＴに対応し得る。ＭＲＴシステム２００は、他の場合には高さ調整ツールと呼ばれることがある。ＭＲＴシステム２００は、各支持要素に個々に到達するために最適である様々な形状に製造することができるコンポーネントを含み得る。一実施形態によれば、ＭＲＴシステム２００は、球面を有するように製造されたクリーニングツールを含み得る。本明細書で更に記載されるように、クリーニングツールの球面によって、システムは、基板ホルダの支持要素と一度に１つずつ接触することができる。これにより、クリーニング動作のターゲットを絞ると共にカスタム化することが可能となる。

[0052] 一実施形態によれば、基板ホルダを変更するためのツールを含むＭＲＴシステム２００が提供される。このツールは、より具体的には、基板ホルダの基板支持要素を変更するために用いることができる。支持要素は、他の場合にはバールと呼ばれることがある。図２Ａから図２ＣにＭＲＴシステム２００の一例が示されている。図２Ａから図２Ｃで示されているように、ＭＲＴシステム２００は、支持要素２０６を有する基板ホルダ２０４を含むことができる。基板ホルダ２０４は、支持要素２０２によって固定され、支持要素２０２によって移動を制御することができる。図２Ａから図２Ｃに記載されている実施形態は、基板ホルダ２０４を支持する支持要素２０２を示すが、支持要素２０２は、ＭＲＴシステム２００内で異なるコンポーネントを支持するように構成できることは認められよう。１つのそのような実施形態では、支持要素２０２はクリーニングツール２０８を支持するように構成できる。これは、クリーニングツールと基板ホルダとの相対的移動が、基板ホルダの移動（図２Ａから図２Ｃに示されている）でなく、ツールの移動によって駆動される状況とすることができる。

[0053] 支持要素２０２は、Ｘ軸方向（横方向の移動）、Ｙ軸（縦方向の移動）、及びＺ軸（軸を中心とする回転）で、基板ホルダ２０４の移動を制御することができる。このようにして、支持要素２０２は、クリーニング動作の準備の際、クリーニングツール２０８の表面が特定の支持要素２０６と位置合わせされる位置へ基板ホルダ２０４を移動させることができる。これは、本明細書で更に検討されるように、移動、傾斜、及び降下の動作を含み得る。

[0054] いくつかの実施形態によれば、図２Ｂ及び図２Ｃは、クリーニングツール２０８の表面が、異なる支持要素位置（異なるバール）で基板ホルダ２０４に接触することを示す。図２Ａから図２Ｃに示されているクリーニングツール２０８の表面は凸面とすることができ、本明細書で更に記載されるように、ツール１の凸面の特定のポイントに接触するため、基板ホルダを降下させる（図２Ｂに示されている）及び／又は様々な角度に回転させる（図２Ｃに示されている）ことができる。

[0055] 図２Ａから図２Ｃは、支持要素２０６を有する基板ホルダ２０４の一例を示す。基板ホルダ２０４の支持要素２０６を変更するため、クリーニングツール２０８を用いることができる。言い換えると、クリーニングツール２０８ １を用いて、支持要素２０６から材料を除去できる。これにより、少なくとも１つの支持要素２０６ａの全高を変える及び／又は少なくとも１つの支持要素２０６ａのラフネスを変えることができる。支持要素２０６は支持面を有することができる。支持面を用いて基板Ｗの下側に接触できる。理想的には、上記のように、支持面は平坦な面を提供し、この面の上に基板Ｗを支持することができる。これにより、照射を行う場合に基板Ｗは比較的平坦になり、エラーを低減できる。

[0056] 本明細書で記載されているように、クリーニングツール２０８はＭＲＤ及び／又は材料除去ツールＭＲＴの一部とすることができる。クリーニングツール２０８は、ベース２１０によって固定することができ、点検修理／クリーニングのため着脱可能であると共に、ベース２１０内で適切な位置に配置することができる。

[0057] 基板ホルダ２０４は、基板Ｗ上での画像の投影中に基板Ｗを支持するよう構成された基板サポートの一部とすることができる。基板ホルダ２０４は、基板テーブルＷＴ上に提供され得る。基板ホルダ２０４は、例えば真空システム（図示せず）を用いて基板テーブルＷＴ上に保持することができる。同様に、クリーニング動作中、基板ホルダ２０４は、真空システム（図示せず）を用いて支持要素２０２上に保持することができる。

[0058] 複数の支持要素２０６の構成は、これらの上に支持された基板Ｗの支持を向上させるように設計されている。図２Ａから図２Ｃには基板ホルダ２０４の一部が断面で示されているので、いくつかの支持要素２０６は断面の面内にあり、いくつかの支持要素２０６はこの面の後方にある。

[0059] 記載されているように、基板ホルダ２０４は、多くの理由から、平坦な支持面を基板Ｗに提供しない可能性がある。様々な基板との相互作用によって支持要素２０６がすり減るにつれて、経時的に基板ホルダ２０４は劣化し得る。支持要素２０６の摩耗は、基板ホルダ２０４における支持要素の高さのばらつきを招く。

[0060] 基板Ｗと基板ホルダ２０４との間の摩擦は、基板ホルダ２０４上に位置決めされた基板Ｗの形状を生じる一因となる。この摩擦は、支持要素２０６の汚染及び摩耗による平滑化に起因して、経時的に変化する。このため、基板ホルダ２０４の寿命を通して支持要素２０６のラフネス及び高さのばらつきが発生し得る。現在の補正方法（アライメント、ＡＰＣ、ベースライナ）は、パターニングされた基板の歩留まりを低下させ得るオーバーレイエラーに対する影響を常に制限するとは限らない。支持要素２０８が擦り減るにつれて摩擦が変化するので、基板Ｗと基板ホルダ２０４との接触エリアが拡大する可能性がある。

[0061] いくつかの実施形態によれば、接触エリアが大きくなると、発生するファンデルワールス力が大きくなり、基板Ｗが基板ホルダ２０４上に「付着（sticking）」する。支持要素２０６の支持面上のラフネス度を低下させると、全接触エリアが小さくなり、そのような付着を軽減又は回避することに役立ち得る。

[0062] 一般に、基板Ｗの下側に接触するため用いられる支持要素２０６の支持面は、所望のレベルのラフネスを有する。支持面のラフネスが低すぎる場合、これは、基板ホルダの摩擦を増大させ、付着及びオーバーレイエラーを招く恐れがある。従って、支持要素の支持面のラフネスを増大させることにより摩擦を低減することが有利である。このため、ラフネスを所望のレベルに維持することが望ましい。

[0063] 支持面のラフネスは、一般にナノメートルスケールである。言い換えると、支持要素２０８の支持面は一般に、数ナノメートル又は数十ナノメートルのオーダーの構造を有する。例えば、基板テーブルＷＴは少なくとも１２ｎｍの接触ラフネスを有し得る。原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて接触ラフネスを特徴付けることができる。

[0064] 追加的に又は代替的に、白色干渉計を用いてラフネスを測定することができる。白色測定値は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）測定値に概ね一致し得る。接触ラフネスが約１２ｎｍ未満である場合、ファンデルワールス結合は一般に接触圧力を増大させ、摩擦を効果的に増大させる。

[0065] いくつかの実施形態によれば、基板Ｗは、基板ホルダ２０４上に位置決めされた場合、支持要素２０８の各支持面のピーク構造の上に載置される。図示されていないが、これらの状況では、基板ホルダ２０４は、支持要素２０６が上方を向いて基板Ｗを受容し支持するように位置決めできることは理解されよう。従って、他の支持面よりも高いピークを有し得る支持面のラフネスのピークを低減することにより、全体的な基板ホルダ２０４の平坦性を向上させることができる。

[0066] 支持面のラフネスは、コンタクトパッドが支持要素と接触しているか否かを調べることによって決定できる。１つの支持要素（例えば２０６ａ）の支持面に接触するコンタクトパッドの表面エリア量は、その支持要素２０６のラフネスを示すことができる。

[0067] いくつかの実施形態によれば、基板ホルダ２０４は、クリーニングツール２０８を用いて材料を除去するように変更される。これは、他の場合には研摩と呼ぶことができる。クリーニングツール２０８の材料及びラフネスは、基板ホルダ２０４上で得られる基板Ｗのラフネス及び付着が所望のレベルに保持されるように選択（又は形成）することができる。クリーニングツール２０８は、規則的に、場合によっては毎日使用されることで、システムドリフトを軽減又は回避することができる。理想的には、クリーニングツール２０８のラフネスによって、支持面の平坦性、所望のラフネス、及びファンデルワールス力の向上を可能とする。

[0068] いくつかの実施形態によれば、クリーニングツール２０８は、支持要素２０６に接触し、支持要素２０６に対する相対的な位置を移動させることができる。本明細書に示されているいくつかの実施形態に従って、例えば図２Ａから図２Ｃで示されているように、クリーニングツール２０８に対する基板ホルダ２０４の位置決めを操作することによって、相対的移動を発生させることができる。リソグラフィ装置のセットアップに応じて、いくつかの構成では、基板ホルダ２０４に対するクリーニングツール２０８の位置を操作することによって生じた相対的移動を利用できることは認められよう。一実施形態によれば、クリーニングツール２０８を用いて、支持要素２０６の支持面を引っかいて支持面のラフネスを変化させ、支持面と基板Ｗとの間の摩擦に影響を与えることができる。追加的に又は代替的に、これらの支持面によって与えられる支持面全体を平坦にするため、クリーニングツール２０８を用いて、支持面のうち少なくとも１つをすり減らすことができる。クリーニングツール２０８を用いて、基板テーブルＷＴをより平坦にすると同時に、所望のレベルのラフネスを達成することができる。ラフネスに影響を与えることなく（好適なレベルとすることができる）平坦性を向上させるように、クリーニングツール２０８を用いることが有利であり得る。あるいは、平坦性に影響を与えることなく（好適なレベルとすることができる）ラフネスを向上させるように、ツール２０８を用いることが有利であり得る。支持面を変更するとは、概ね、支持面の平坦性及び／又はラフネスを変化させることを意味し得る。

[0069] 多数のツールを用いることができる。例えば、第１のツールを用いて、ラフネスに過度に影響を及ぼすことなく基板ホルダ２０４の平坦性を全体的に向上させることができ、第２のツールを用いて、全体的な平坦性に過度に影響を及ぼすことなく好適なラフネスを生成することができる（あるいは、逆もまた同様である）。例えば、第１のツール及び第２のツールは、基板テーブルＷＴの平坦性及び／又はラフネスに影響を与えるのにいっそう適した異なる構成（すなわち、異なる形態で配置された突起）を有することができる。

[0070] クリーニングツール２０８の設計によって、どのようにクリーニングツール２０８が基板ホルダ２０４（例えばテーブルＷＴ）のラフネス及び平坦性に影響を与えるかを変化させることができる。従って、例えば、クリーニングツール２０８の組成及び凸形状は、クリーニング動作に対するツールの効果を変化させることができる。クリーニングツールの凸面の所望の半径は、基板ホルダの平坦性、支持要素２０６間の距離、凸面と支持要素との間の所望の接触エリア、及び、サポート２０２の角度移動範囲に依存する。この表面の半径を大きくする（すなわち曲率を小さくする）と、接触エリアが大きくなる。

[0071] いくつかの実施形態によれば、クリーニングツール２０８は均一な外面を有し得る。あるいは、クリーニングツール２０８は、表面の周りにラフネスレベルが異なる様々なパッチ（patch）を有して、基板ホルダ２０４と接触した場合に様々な影響の結果を生成することができる。例えば、いくつかのパッチは、高い特別頻度（例えば、１つの支持要素当たりいくつかの溝）で、クリーニングツール上に高いラフネス度を有し得る。これは、表面変更（resurfacing）動作によって発生したデブリを集める能力を提供する。

[0072] 基板支持要素２０６の摩耗及び変更の際、デブリが発生する可能性がある。デブリは、一般には任意の汚染物質を意味するが、特に、基板支持要素２０６から、またクリーニングツール２０８自体から除去された材料を意味する。デブリは、基板ホルダ２０４のラフネス及び全体的な平坦性に影響を及ぼし得る。

[0073] いくつかの実施形態によれば、クリーニングツール２０８及び支持要素２０６内の様々な位置が接触するので、特定の１つの位置にデブリが蓄積してクリーニングツール２０８の性能劣化を招く可能性を軽減することが促進され得る。更に、クリーニングツール２０８は、所定の位置に突起を有し、クリーニングツール２０８の内部にデブリの貯蔵場所を生成することができる（例えば、複数の突起間のギャップ内にデブリを蓄積させる）。従って、デブリは、基板支持要素２０６の支持面の上に留まる可能性が低くなる。これにより、支持面上の汚染を低減又は防止する。

[0074] クリーニングツール２０８の凸形状は、いくつかの利点を提供することができる。例えば、基板ホルダ２０４と接触しているクリーニングツール２０８の表面エリアは、基板ホルダ２０４の全体的な平坦性において、より小さい空間周波数に平均化されるよう制御することができる。

[0075] 更に、凸形状は、使用時に基板ホルダ２０４と接触しているクリーニングツール２０８のエリアが小さくなることを意味する。これにより引っかきが発生して、支持面に所望のレベルのラフネスを与え、「付着」の問題を改善することが可能となる。また、より小さい接触エリアは、一度に１つずつの支持要素をターゲットにしたクリーニング動作を実行する能力を与える。これは、よりターゲットを絞ったクリーニング動作を行って、クリーニングプロセスを促進することを可能とする。ターゲットを絞ったクリーニング動作については、以下で図３から図６を参照して更に検討する。

[0076] クリーニングツール２０８は、様々な材料で作製することができる。いくつかの実施形態によれば、クリーニングツール２０８の硬度は、支持要素２０６の支持面の硬度以上の硬度を有する。有利には、クリーニングツール２０８の硬度が支持要素２０６よりも大きい場合、クリーニングツール２０８と支持要素２０６の支持面との相互作用によって、クリーニングツール２０８でなく基板ホルダ２０４がすり減る。有利には、クリーニングツール２０８の硬度が支持面の硬度と同様である場合、これは、クリーニングツール２０８と支持面との相互作用に起因して、支持面の高いラフネスを生成することができる。

[0077] 好ましくは、クリーニングツール２０８は比較的硬く強靭な材料で作製される。クリーニングツール２０８はクォーツ（ＳｉＯ２）を含み、更に、窒化クロム（ＣｒＮ）、酸化クロム（ＣｒＯｘ）、又はホウ化タンタルのうちいずれか１つでコーティングすることができる。クリーニングツール２０８は、単一の材料片から形成することができる。従って、クリーニングツール２０８は、これらの材料のうち１つで形成され得る。あるいは、クリーニングツール２０８は、これらの材料のうち少なくとも１つを含む材料の組み合わせで形成することができる。特に、選択される材料は、炭素強化シリコンカーバイド、シリコンカーバイド、酸化アルミニウム、及び／又はダイアモンド状炭素のうち少なくとも１つとすることができる。追加的に又は代替的に、クリーニングツール２０８は、これらの材料のうち少なくとも１つで形成された層又はコーティングを有し得る。

[0078] クリーニングツール２０８の背面８は、クリーニングツール２０８がベース２１０内にいっそう容易に及び／又はしっかりと保持されるように様々な形状で提供され得る。クリーニングツール２０８は、構成に応じて、ベース２１０内でツールサポート（図示せず）に接続するかもしくは接続可能とすることができ、又は支持要素２０２に接続可能とすることができる。前述した通り、支持要素２０２によって駆動される相対的移動は、図２Ａから図２Ｃで示されているように基板ホルダ２０４の移動を操作することによって提供できるか、又はクリーニングツール２０８の移動を操作することによって提供できる。クリーニングツール２０８の背面８は、サポート２１０にフィットする少なくとも１つのくぼみを含み得る。

[0079] 使用中、クリーニングツール２０８は、基板ホルダ２０４に対して実質的に平坦に保持することが好適であり得る。言い換えると、クリーニングツール２０８の本体／ベースを、基板ホルダ２０４の表面に対して実質的に平行に保持することが好適であり得る。しかしながら、クリーニングツール２０８の向きを変動させると、平坦でない支持面をいっそう効率的にすり減らすか又は平坦にすることができる。更に、クリーニングツールサポート２０２は、向きの変動を可能とするように接続することができる。

[0080] クリーニングツール２０８は、複数のツールを含むより大きなシステムの一部とすることができる。複数のツールは、クリーニングの対象となる表面エリア及び他のパラメータに基づいて、同一の又は異なる凸形状を有し得る。クリーニングツール２０８を用いて、基板ホルダ２０４全体のクリーニングを行うことができる。言い換えると、クリーニングツール２０８を用いて、各支持要素２０６に少なくとも一度接触することができる。

[0081] 上述のクリーニングツール２０８を用いて、方法を提供することができる。更に具体的には、方法は、基板ホルダ２０４の基板支持要素２０６を変更するためのものとすることができる。基板支持要素２０６は、基板Ｗを支持するための支持面を含み得る。方法は、上述したクリーニングツール２０８を提供することを含み得る。方法は更に、クリーニングツール２０８の遠位凸部によって基板ホルダ２０４の支持面の少なくとも一部に接触することと、クリーニングツール２０８を用いて支持面を変更することと、を含み得る。

[0082] クリーニングツール２０８が接触している基板支持要素２０６の上部から材料を除去するため、クリーニングツール２０８に沿って基板ホルダ２０４を移動させることができる。あるいは、例えば基板ホルダ２０４を静止状態に保ちながら、基板ホルダ２０４に対してクリーニングツール２０８を移動させることができる。例えばＭＲＤは、基板ホルダ２０４を移動させずに、基板支持要素２２の上でクリーニングツール２０８を移動させるか、あるいは逆も同様であるように構成できる。あるいは、基板ホルダ２０４及びクリーニングツール２０８を同時に移動させることができる。いくつかの実施形態によれば、クリーニングツール２０８又は基板ホルダ２０４のどちらを移動させるかには関係なく、所望のクリーニング結果を達成する程度の相対的移動が望ましい。

[0083] 研摩効果を得るために用いられるクリーニングツール２０８と基板支持要素２０６との間のｚ方向の圧力は、基板ホルダ２０４又はクリーニングツール２０８（すなわち、より特定すればＭＲＤ）又はそれら双方によって加えることができる。好ましくは、サポート２０２の使用（選択的にクリーニングツール２０８又は基板ホルダ２０４を支持する）は、正確に制御することができる。これは、クリーニングツール２０８によって加えられる力が大きすぎる場合、基板ホルダ２０４の平坦性に悪影響を及ぼす可能性があるからである。

[0084] クリーニングツール２０８は、多種多様なやり方で使用することができる。例えば、クリーニングツール２０８を用いて、基板ホルダ２０４全体を変更すること、すなわち基板ホルダ２０４全体を一度に処理することができる。あるいは、クリーニングツール２０８を用いて、基板ホルダ２０４全体のうち局所エリア、すなわち一部分を変更することができる。クリーニングツール２０８の凸形状特性によって、局所エリアの戦略的なクリーニングが可能となる。いくつかの例では、局所エリアは１つ以上の支持要素２０６を含む。いくつかの例では、局所エリアは１つの支持要素２０６を含むことができる。クリーニングツール２０８の使用頻度は様々に変動し得る。例えば、基板ホルダ２０８の特定部分の局所クリーニングは、１日に数回、例えば１日に４～５回、実行することができる。より大きな基板ホルダ２０４全体のクリーニングは、もっと低い頻度で、例えば１日に１回、又は１週間に１回、実行することができる。変更の頻度又はタイプは、例えば、基板Ｗ及び／又は基板ホルダ２０４の平坦性を示す測定値に基づいて決定できる。基板ホルダ２０４の平坦性は、基板Ｗが位置決めされている支持要素２０６（及びそれらの各支持面）の平坦性であると考えられる。

[0085] 上述したようなクリーニングツール２０８を備えるリソグラフィ装置を提供することができる。クリーニングシステム２００を組み込んだリソグラフィ装置は、クリーニングツール２０８を用いて基板ホルダ２０２の基板支持要素２０６を変更するように構成できる。リソグラフィ装置は、基板を支持するように構成された複数の支持要素２０６を有する基板ホルダ２０４を含み得る。

[0086] クリーニングツール２０８を備えたリソグラフィ装置は、図１を参照して上述したリソグラフィ装置の全体又は一部とすることができる。クリーニングツール２０８を備えたリソグラフィ装置は、メトロロジデバイス及び／又は検査デバイス（電子ビーム）の少なくとも一部とすることができる。クリーニングツール２０８を備えたリソグラフィ装置は、図１に記載されているリソグラフィ装置と併用することができる。クリーニングツール２０８を備えたリソグラフィ装置は、より一般的には、基板ホルダの基板支持要素２０６を変更するように構成された装置と呼ぶことができる。

[0087] クリーニングツール２０８を備えたリソグラフィ装置は、基板ホルダ上に支持された基板の表面平坦性に影響を及ぼす支持要素のうち１つ以上の高さ逸脱を検出するように構成された検出器を更に含むことができる。検出器は、前述の検出器ＨＤＤに対応し得る。クリーニングツール２０８は、支持要素の検出された高さ逸脱に対応して１つ以上の支持要素の高さを変更するように構成できる。

[0088] 図２Ｂ及び図２Ｃは、それぞれ、いくつかの実施形態に従った降下動作及び回転動作を示す。これらの動作は、本明細書の以降の部分で、残りの図面に関連付けて更に記載されている。

[0089] 図３Ａから図３Ｃは、いくつかの実施形態に従った降下及び回転動作３００を示す。図３Ａは例えば、クリーニングシステム２００の降下部分を示す。具体的には、降下部分は、支持構造３０２、基板ホルダ３０４、及び基板支持要素３０６を含み得る。要素３０２、３０４、３０６、及び３０８は図２Ａから図２Ｃに関連付けて詳述されており、図３Ａから図３Ｃの図示は、クリーニングツール３０８と要素３０２、３０４、及び３０６の組み合わせ（特に基板ホルダ３０４）との間の移動及びアライメントを示すことは認められよう。

[0090] いくつかの実施形態によれば、図３Ａは、基板ホルダ３０４の所定の関心領域（例えば領域３１４）を、クリーニングツール３０８の所定の位置（例えば位置３１２）に位置合わせする動作を示す。このような位置合わせは、本明細書において以下で更に記載するように、支持要素の高さ逸脱を検出するように構成され得る検出器によって行われた１つ以上の測定に基づいて実行することができる。検出の読み取り時、検出器は、読み取り信号をコントローラに送信して、支持要素の測定されたパラメータを提供するように構成できる。一例において、測定されたパラメータは、支持要素の高さ逸脱を示すことができる。高さ逸脱は、基板を受容する基板ホルダ３０４の平坦な表面を生成すると考えられる基板ホルダ３０４の全ての支持要素の平均高さからの逸脱として理解することができる。言い換えると、逸脱は、基板ホルダが平坦な表面を提供することを不可能とする、この平均を外れた支持要素の長さとして理解できる。また、検出器は、支持要素３０６の支持面のラフネスレベルも検出することができる。これによってコントローラは、追加のクリーニングが望ましいか／必要であるか、及び／又はデブリ除去を行うか否かを判定できる。

[0091] 図３Ｂ及び図３Ｃは、クリーニングツール３０８と、支持要素３０２、基板ホルダ３０４、及び支持要素３０６の組み合わせとの間の、相対的移動を示す。いくつかの実施形態によれば、複数の支持要素３０６の中から第２の支持要素が検出されると、コントローラは、新しい関心領域３１４を新しい位置３１６と位置合わせすることができる。関心領域３１４が１つ以上の支持要素に対応し得ることは認められよう。例えば、どのようにクリーニングツール３０８を要素３０２、３０４、及び３０６の組み合わせと位置合わせするかは、クリーニングツール３０８の凸形状及び関心領域３１４のサイズに依存し得る。いくつかの例によれば、クリーニングツール３０８の凸形状はクリーニングツール３０８全体を通して均一とすることができる。別の実施形態によれば、除去動作の候補となり得る別の支持要素が検出されると、コントローラは、新しい関心領域３１４（１つ以上の支持要素に対応する）を所定の位置３１８と位置合わせすることができる。アライメント動作は、支持要素３０２の横方向の移動、縦方向の移動、傾斜移動、及び回転移動を含む、Ｘ、Ｙ、及びＺ方向に沿った一連の移動を含み得ることは理解されよう。

[0092] 図４は、例示的なクリーニング動作の断面図を示す。例えば、いくつかの実施形態によれば、支持要素４０４とクリーニングツール４０８との間の初期アライメントを利用するクリーニング動作を開始するため、１つ以上の支持要素４０６をクリーニングツールに極めて接近させる方向に支持要素４０４を傾けることができる。第２のステップでは、１つ以上の支持要素間のあるレベルの接触を行うのに充分な距離だけ、支持要素４０２を降下させることができる。いくつかの実施形態によれば、あるレベルの接触及び接触の圧力は、実行されるクリーニングのタイプに基づいてコントローラにより決定することができる。例えば、表面変更動作では、支持要素４０２によってクリーニングツール４０８に高いレベルの圧力を加えることが必要であり得る。

[0093] 図５Ａ及び図５Ｂは、例示的な実施形態に従ったクリーニング動作を示す。図５Ａは、寸法５２０及び５３０内に複数の支持要素５０６を有する基板ホルダの平面図を示す。図５Ｂは、基板ホルダの拡大図を示す。図５Ｂは、いくつかの実施形態による、例示的なターゲットを絞ったクリーニング動作を示す。一例において、ターゲットを絞ったクリーニングは、望ましくない物理的パラメータ（例えば高さ逸脱測定値等）を有すると判定された少数のターゲット支持要素５０６のクリーニング動作とすることができる。別の例では、クリーニング動作は、基板ホルダ全体に対して一連のラスタスキャン運動で行って、ターゲットを絞ったクリーニング動作を個々の支持要素に実行することができる。いくつかの実施形態によれば、クリーニング動作は、ＭＲＴシステム２００によって所定の持続時間にわたって実行される所定の半径内の円形運動を含み得る。例えば、所定の持続時間は、支持面のラフネス及び／又は測定された高さ逸脱等のファクタに依存し得る。言い換えると、所定の持続時間は、支持要素（例えば支持要素２０６ａ）を、所望の高さ、平坦性、及び／又はラフネスレベルに表面変更する／クリーニングするために必要な時間に依存し得る。

[0094] いくつかの実施形態によれば、支持要素５０６のターゲットを絞ったクリーニング動作の各々は、所定の支持要素５０６をターゲットとするように支持要素を傾斜させ、移動させ、位置合わせする動作を含み得る。次に、この支持要素とクリーニングツールの表面とを接触させたら、支持要素を小さい直径の円内で移動させて、所定の支持要素のクリーニング動作を実行することができる。いくつかの実施形態によれば、クリーニング動作は、こする動作（scrubbing operation）を含み得る。いくつかの実施形態によれば、小さい直径は１ｍｍ直径とすることができる。いくつかの実施形態によれば、次の所望の支持要素と接触するため、クリーニングツールを横断する方向に支持要素を移動させることができる。このような移動は、図５Ｂで示されているように、支持要素の位置及び実行されるスキャンのタイプ（例えばラスタスキャンパターン）に基づいて、右方、左方、上方、又は下方への移動とすることができる。いくつかの実施形態によれば、いっそう適切なクリーニング動作のため、支持要素間の移動（例えば、ある支持要素のクリーニングから次の支持要素への移行）は、基板ホルダ２０２の傾斜動作によって達成してもよい。

[0095] 図６は、いくつかの実施形態に従った、基板ホルダ２０４の基板支持要素２０６を変更するための例示的な方法６００を示す。方法６００は、ステップ６０２で示されているように、基板ホルダの所定の関心領域（例えば領域３１４）を、クリーニングツールの所定の位置（例えば位置３１２）と位置合わせすることを含み得る。更に、方法６００は、ステップ６０４で示されているように、位置合わせによって所定の関心領域と所定の位置との接触を生成するように支持構造（例えば３０２）の移動を操作することを含み得る。更に、方法６００は、ステップ６０６で示されているように、所定の関心領域のクリーニング動作を開始することを含み得る。

[0096] 方法６００は、関与する測定値及び構造的コンポーネントに基づいて、追加の変更ステップを含み得ることは認められよう。例えば、いくつかの実施形態によれば、所定の関心領域は１つ以上の支持要素を含み得る。いくつかの実施形態によれば、所定の関心領域は、支持面を有する１つの支持要素を含む。一例において、所定の関心領域と所定の位置との間に生成された接触は、支持面とクリーニングツールの所定の位置との間の接触を含む。

[0097] いくつかの実施形態によれば、方法６００は更に、検出器を用いて、支持面に関連した物理的パラメータを測定することを含み得る。一例において、物理的パラメータは、支持面のラフネス度を含む。更に、物理的パラメータは、基板ホルダの１つ以上の支持要素の高さ逸脱測定値を含み得る。高さ逸脱測定値は、基板ホルダの所定の表面平坦度からの検出された高さ逸脱である。また、方法６００のクリーニング動作は、支持要素の検出された高さ逸脱に対応して支持要素の高さを変更することを含み得る。

[0098] いくつかの実施形態によれば、方法６００のアライメント動作は更に、所定の関心領域を所定の位置と位置合わせするため、支持構造の降下動作及び傾斜動作を含み得る。また、方法６００は、クリーニングツールの凸形状測定値と、高さ又はラフネス変更の対象である支持要素の位置との相関関係を計算することと、計算された相関関係に基づいて所定の関心領域を所定の位置と位置合わせすることと、を含み得る。いくつかの実施形態によれば、このような相関関係の測定によって、コントローラは、変更の対象である支持要素の位置を考慮して、この支持要素に接触させるのはクリーニングツールのどの部分が最適であるかを決定することができる。

[0099] いくつかの実施形態によれば、方法６００は更に、計算された相関関係に基づいて所定の位置を選択することを含み得る。位置合わせは、垂直軸（例えばＹ軸）を中心とした支持構造の回転動作を含む。方法６００内で使用されるクリーニングツールは、シリコン浸透シリコンカーバイド、シリコンカーバイド、酸化アルミニウム、又はダイアモンド状炭素を含む材料で構成することができる。

[0100] 以上、支持ホルダ２０４の１つ以上の基板支持要素２０６の材料を除去して基板サポートにいっそう均一な支持を提供するためのクリーニングシステムの使用について記載した。パターニングデバイスサポートのような他の物品支持システムにおいても、同様のクリーニングシステムが使用される。従ってクリーニングツール２０８は、より一般的には、支持面と接触するために使用され得る。例えば、一実施形態において、リソグラフィ装置が提供される。この実施形態において、リソグラフィ装置は、物品ホルダの支持要素を変更するように構成されている。

[0101] クリーニングツール２０８を備えたリソグラフィ装置は、図１を参照して上述したリソグラフィ装置の全体又は一部とすることができる。クリーニングツール２０８を備えたリソグラフィ装置は、メトロロジデバイス及び／又は検査デバイス（電子ビーム）の少なくとも一部とすることができる。クリーニングツール２０８を備えたリソグラフィ装置は、図１に記載されているリソグラフィ装置と併用することができる。クリーニングツール２０８を備えたリソグラフィ装置は、より一般的には、物品ホルダの支持要素を変更するように構成された装置と呼ぶことができる。

[0102] いくつかの実施形態によれば、クリーニングツール２０８を備えたリソグラフィ装置は更に、物品ホルダ上に支持された物品の表面平坦性に影響を及ぼす支持要素のうち１つ以上の高さ逸脱を検出する検出器を含むことができる。検出器は、前述の検出器ＨＤＤに対応し得る。検出器は、検出器ＨＤＤと同様であるが、基板でなく物品の表面平坦性を検出するために使用され得る。クリーニングツール２０８は、支持要素の検出された高さ逸脱に対応して１つ以上の支持要素の高さを変更するように構成できる。

[0103] 物品を変更するためにこの実施形態で使用されるツールは、特に基板ホルダ２０４を変更するため用いられるクリーニングツール２０８について上述した変形のいずれか又は全てを有し得る。

[0104] 本開示の一実施形態に従ったクリーニングツール２０８をリソグラフィ装置内に提供すると、既存のシステムに勝る多数の利点が与えられる。第１の利点は、クリーニングツール２０８を用いることによってリソグラフィ装置内で基板ホルダを平坦化できるので、基板テーブル／ホルダ（又は他の支持面）は、平坦性を小さくして、従ってコストを抑えてリソグラフィ装置内に設置され得ることである。更に、摩耗による非平坦性を補正することができるので、基板ホルダの摩耗はあまり重要でなくなる。この結果、ウェーハテーブル／基板ホルダ２０４の材料に対して使用される制限を緩和することができる。更に、クリーニングツール２０８を使用することにより、時間の経過と共に支持面の平坦性が向上し、リソグラフィ装置のオーバーレイ性能の向上が可能となる。

[0105] 実施形態は、以下の条項を用いて更に記載することができる。
１．基板ホルダの基板支持要素を変更するためのデバイスであって、
基板ホルダであって、基板ホルダの第１の側から突出している複数の支持要素を有する、基板ホルダと、
基板ホルダの第２の側で横方向に基板ホルダを保持するよう構成された支持構造と、
球状本体を有するクリーニングツールと、
プロセッサであって、
基板ホルダの所定の関心領域をクリーニングツールの所定の位置と位置合わせし、
位置合わせによって所定の関心領域と所定の位置との接触を生成するように支持構造の移動を操作し、
所定の関心領域のクリーニング動作を開始する、
ように構成されたプロセッサと、
を備えるデバイス。
２．所定の関心領域は１つ以上の支持要素を含む、条項１に記載のデバイス。
３．所定の関心領域は、支持面を有する１つの支持要素を含む、条項１に記載のデバイス。
４．所定の関心領域と所定の位置との間に生成された接触は、支持面とクリーニングツールの所定の位置との間の接触を含む、条項３に記載のデバイス。
５．支持面の物理的パラメータを測定するように構成された検出器を更に備える、条項４に記載のデバイス。
６．物理的パラメータは支持面のラフネス度を含む、条項５に記載のデバイス。
７．物理的パラメータは、基板ホルダの１つ以上の支持要素の高さ逸脱測定値を含み、高さ逸脱測定値は、基板ホルダの所定の表面平坦度からの検出された高さ逸脱である、条項５に記載のデバイス。
８．プロセッサは更に、支持要素の検出された高さ逸脱に対応して支持要素の高さを変更するようにクリーニング動作を制御するよう構成されている、条項７に記載のデバイス。
９．プロセッサは更に、所定の関心領域を所定の位置と位置合わせするため支持構造を降下及び傾斜させるように位置合わせを制御するよう構成されている、条項１に記載のデバイス。
１０．プロセッサは更に、クリーニングツールの凸形状測定値と、高さ又はラフネス変更の対象である支持要素の位置との間の計算された相関関係に基づいて、位置合わせの実行を制御するように構成されている、条項９に記載のデバイス。
１１．プロセッサは更に、計算された相関関係に基づいて所定の位置を選択するように構成されている、条項１０に記載のデバイス。
１２．プロセッサは更に、水平軸を中心として支持構造を回転させるように位置合わせ動作を制御するよう構成されている、条項９に記載のデバイス。
１３．クリーニングツールはクォーツ（ＳｉＯ２）で構成され、クォーツは、窒化クロム（ＣｒＮ）、酸化クロム（ＣｒＯｘ）、又はホウ化タンタルのうちいずれか１つでコーティングされている、条項１に記載のデバイス。
１４．基板ホルダの基板支持要素を変更するための方法であって、
基板ホルダの所定の関心領域をクリーニングツールの所定の位置と位置合わせすることであって、基板ホルダは基板ホルダの第１の側から突出している複数の支持要素を有し、クリーニングツールは球状本体を有する、位置合わせすることと、
位置合わせによって所定の関心領域と所定の位置との接触を生成するように支持構造の移動を操作することであって、支持構造は基板ホルダの第２の側で横方向に基板ホルダを保持する、支持構造の移動を操作することと、
所定の関心領域のクリーニング動作を開始することと、
を含む、プロセッサによって実行される方法。
１５．所定の関心領域は１つ以上の支持要素を含む、条項１４に記載の方法。
１６．所定の関心領域は、支持面を有する１つの支持要素を含む、条項１４に記載の方法。
１７．所定の関心領域と所定の位置との間に生成された接触は、支持面とクリーニングツールの所定の位置との間の接触を含む、条項１６に記載の方法。
１８．支持面に関連した物理的パラメータを、検出器を用いて測定することを更に含む、条項１７に記載の方法。
１９．物理的パラメータは支持面のラフネス度を含む、条項１８に記載の方法。
２０．物理的パラメータは、基板ホルダの１つ以上の支持要素の高さ逸脱測定値を含み、高さ逸脱測定値は、基板ホルダの所定の表面平坦度からの検出された高さ逸脱である、条項１８に記載の方法。
２１．クリーニング動作は、支持要素の検出された高さ逸脱に対応して支持要素の高さを変更することを更に含む、条項２０に記載の方法。
２２．位置合わせは、所定の関心領域を所定の位置と位置合わせするため支持構造の降下動作及び傾斜動作を更に含む、条項１４に記載の方法。
２３．クリーニングツールの凸形状測定値と、高さ又はラフネス変更の対象である支持要素の位置との間の相関関係を計算することと、
計算された相関関係に基づいて所定の関心領域を所定の位置と位置合わせすることと、
を更に含む、条項２２に記載の方法。
２４．計算された相関関係に基づいて所定の位置を選択することを更に含む、条項２３に記載の方法。
２５．位置合わせは更に、水平軸を中心とした支持構造の回転動作を含む、条項２２に記載の方法。
２６．クリーニングツールはクォーツ（ＳｉＯ２）で構成され、クォーツは、窒化クロム（ＣｒＮ）、酸化クロム（ＣｒＯｘ）、又はホウ化タンタルのうちいずれか１つでコーティングされている、条項１４に記載の方法。
２７．基板ホルダの基板支持要素を変更するための材料除去デバイスであって、
基板ホルダであって、基板ホルダの第１の側から突出している複数の支持要素を有する、基板ホルダと、
基板ホルダの第２の側で横方向に基板ホルダを保持するよう構成された支持構造と、
球状本体を有するクリーニングツールと、
プロセッサであって、
基板ホルダの所定の関心領域をクリーニングツールの所定の位置と位置合わせし、
位置合わせによって所定の関心領域と所定の位置との接触を生成するように支持構造の移動を操作し、
所定の関心領域のクリーニング動作を開始する、
ように構成されたプロセッサと、
を備える材料除去デバイスを備えるリソグラフィ装置。

[0106] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。

[0107] 光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組み合わせを適用することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。

[0108] 本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍもしくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ～２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。

[0109] 「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組み合わせを指すことができる。

[0110] 以上、本開示の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本開示を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示を目的としたものであり、限定するものではない。したがって、当業者には、以下に記載する特許請求の範囲から逸脱することなく、説明した開示に修正を加えることができることが明らかであろう。

[0111] 上記の説明は例示を目的としたものであり、限定するものではない。したがって、当業者には、以下に記載する特許請求の範囲から逸脱することなく、説明した開示に修正を加えることができることが明らかであろう。

Claims (15)

1. 基板ホルダの基板支持要素を変更するためのデバイスであって、
   基板ホルダであって、前記基板ホルダの第１の側から突出している複数の支持要素を有する、基板ホルダと、
   前記基板ホルダの第２の側で横方向に前記基板ホルダを保持するよう構成された支持構造と、
   球状本体を有するクリーニングツールと、
   プロセッサであって、
   前記基板ホルダの所定の関心領域を前記クリーニングツールの所定の位置と位置合わせし、
   前記位置合わせによって前記所定の関心領域と前記所定の位置との接触を生成するように前記支持構造の移動を操作し、
   前記所定の関心領域のクリーニング動作を開始する、
   ように構成されたプロセッサと、
   を備えるデバイス。
2. 前記所定の関心領域は１つ以上の支持要素を含む、請求項１に記載のデバイス。
3. 前記所定の関心領域は、支持面を有する１つの支持要素を含み、
   前記所定の関心領域と前記所定の位置との間に生成された前記接触は、前記支持面と前記クリーニングツールの前記所定の位置との接触を含み、
   前記デバイスは更に、前記支持面の物理的パラメータを測定するように構成された検出器を備え、
   前記物理的パラメータは、前記支持面のラフネス度を含み、
   前記物理的パラメータは、前記基板ホルダの１つ以上の支持要素の高さ逸脱測定値を含み、前記高さ逸脱測定値は、前記基板ホルダの所定の表面平坦度からの検出された高さ逸脱である、請求項１に記載のデバイス。
4. 前記プロセッサは更に、前記支持要素の前記検出された高さ逸脱に対応して前記支持要素の高さを変更するように前記クリーニング動作を制御するよう構成されている、請求項３に記載のデバイス。
5. 前記プロセッサは更に、前記所定の関心領域を前記所定の位置と位置合わせするため前記支持構造を降下及び傾斜させるように前記位置合わせを制御するよう構成されている、請求項１に記載のデバイス。
6. 前記プロセッサは更に、
   前記クリーニングツールの凸形状測定値と、高さ又はラフネス変更の対象である前記支持要素の位置との間の計算された相関関係に基づいて、前記位置合わせの前記実行を制御し、
   前記計算された相関関係に基づいて前記所定の位置を選択する、
   ように構成されている、請求項５に記載のデバイス。
7. 前記プロセッサは更に、水平軸を中心として前記支持構造を回転させるように前記位置合わせ動作を制御するよう構成されている、請求項５に記載のデバイス。
8. 前記クリーニングツールはクォーツ（ＳｉＯ２）で構成され、前記クォーツは、窒化クロム（ＣｒＮ）、酸化クロム（ＣｒＯｘ）、又はホウ化タンタルのうちいずれか１つでコーティングされている、請求項１に記載のデバイス。
9. 基板ホルダの基板支持要素を変更するための方法であって、
   基板ホルダの所定の関心領域をクリーニングツールの所定の位置と位置合わせすることであって、前記基板ホルダは前記基板ホルダの第１の側から突出している複数の支持要素を有し、前記クリーニングツールは球状本体を有する、位置合わせすることと、
   前記位置合わせによって前記所定の関心領域と前記所定の位置との接触を生成するように支持構造の移動を操作することであって、前記支持構造は前記基板ホルダの第２の側で横方向に前記基板ホルダを保持する、支持構造の移動を操作することと、
   前記所定の関心領域のクリーニング動作を開始することと、
   を含む、プロセッサによって実行される方法。
10. 前記所定の関心領域は１つ以上の支持要素を含む、請求項９に記載の方法。
11. 前記所定の関心領域は、支持面を有する１つの支持要素を含み、
    前記所定の関心領域と前記所定の位置との間に生成された前記接触は、前記支持面と前記クリーニングツールの前記所定の位置との接触を含み、
    前記方法は更に、前記支持面に関連した物理的パラメータを、検出器を用いて測定することを含み、
    前記物理的パラメータは、前記支持面のラフネス度を含み、
    前記物理的パラメータは、前記基板ホルダの１つ以上の支持要素の高さ逸脱測定値を含み、前記高さ逸脱測定値は、前記基板ホルダの所定の表面平坦度からの検出された高さ逸脱である、請求項９に記載の方法。
12. 前記クリーニング動作は、前記支持要素の前記検出された高さ逸脱に対応して前記支持要素の高さを変更することを更に含む、請求項１１に記載の方法。
13. 前記位置合わせは、前記所定の関心領域を前記所定の位置と位置合わせするため前記支持構造の降下動作及び傾斜動作を更に含み、前記方法は更に、
    前記クリーニングツールの凸形状測定値と、高さ又はラフネス変更の対象である前記支持要素の位置との間の相関関係を計算することと、
    前記計算された相関関係に基づいて前記所定の関心領域を前記所定の位置と位置合わせすることと、
    前記計算された相関関係に基づいて前記所定の位置を選択することと、を含み、前記位置合わせは更に、水平軸を中心とした前記支持構造の回転動作を含む、請求項９に記載の方法。
14. 前記クリーニングツールはクォーツ（ＳｉＯ２）で構成され、前記クォーツは、窒化クロム（ＣｒＮ）、酸化クロム（ＣｒＯｘ）、又はホウ化タンタルのうちいずれか１つでコーティングされている、請求項９に記載の方法。
15. 基板ホルダの基板支持要素を変更するための材料除去デバイスであって、
    基板ホルダであって、前記基板ホルダの第１の側から突出している複数の支持要素を有する、基板ホルダと、
    前記基板ホルダの第２の側で横方向に前記基板ホルダを保持するよう構成された支持構造と、
    球状本体を有するクリーニングツールと、
    プロセッサであって、
    前記基板ホルダの所定の関心領域を前記クリーニングツールの所定の位置と位置合わせし、
    前記位置合わせによって前記所定の関心領域と前記所定の位置との接触を生成するように前記支持構造の移動を操作し、
    前記所定の関心領域のクリーニング動作を開始する、
    ように構成されたプロセッサと、
    を備える材料除去デバイスを備えるリソグラフィ装置。

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