JP2022082231A - Dicing adhesive film with spacer - Google Patents

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Abstract

To provide a dicing adhesive film with a spacer which can suppress peeling when a chip (die) is stacked on a spacer layer.SOLUTION: A dicing adhesive film with a spacer includes a dicing tape, an adhesive layer that overlaps one surface of the dicing tape, and a spacer layer that overlaps the adhesive layer, and the bending rigidity of the spacer layer at a heating set temperature in the range of 70°C or higher and 150°C or lower is 0.1 N mm2 or higher.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、例えば半導体集積回路を製造するときに使用されるスペーサ付ダイシング接着フィルムに関する。 The present invention relates to, for example, a dicing adhesive film with a spacer used when manufacturing a semiconductor integrated circuit.

半導体集積回路を製造する方法は、一般的に、高集積の電子回路によってウエハの片面側に回路面を形成する前工程と、回路面が形成されたウエハからチップを切り出して組立てを行う後工程とを備える。
近年における集積化技術のさらなる進展に伴って、後工程では、例えばＮＡＮＤ型メモリチップを複数回にわたって積み重ねて半導体集積回路を組み立てる場合がある。この場合、例えば、制御用のコントローラチップの上に、複数の記憶用のＮＡＮＤチップが積み重なった構造の半導体集積回路を製造する。斯かる構造の半導体集積回路では、例えば、制御用のコントローラチップと、該チップに最も近い記憶用のＮＡＮＤチップとの間にスペーサ層が配置される。 The method of manufacturing a semiconductor integrated circuit is generally a pre-step of forming a circuit surface on one side of a wafer by a highly integrated electronic circuit and a post-step of cutting out a chip from the wafer on which the circuit surface is formed and assembling. And.
With the further development of integrated technology in recent years, in a post-process, for example, a NAND type memory chip may be stacked a plurality of times to assemble a semiconductor integrated circuit. In this case, for example, a semiconductor integrated circuit having a structure in which a plurality of storage NAND chips are stacked on a control controller chip is manufactured. In a semiconductor integrated circuit having such a structure, for example, a spacer layer is arranged between a controller chip for control and a NAND chip for storage closest to the chip.

従来、上記のごとき半導体集積回路の製造において使用される加工用フィルムが知られている。この種の加工用フィルムには、目的に応じて各種タイプがあり、各目的に応じて上記の後工程において使用される。
加工用フィルムとしては、例えば、半導体チップを被着体に貼り付けるためのダイシングダイボンドフィルムが知られている。ダイシングダイボンドフィルムは、基材層と粘着剤層とを有するダイシングテープと、該ダイシングテープの粘着剤層に積層され且つ被着体に接着されるダイボンド層と、を備える。
一方、加工用フィルムとしては、上記のスペーサ層を被着体に接着すべく、スペーサ層と、該スペーサ層を被着体に接着させるための接着層と、接着層に重なったダイシングテープとを有するスペーサ付ダイシング接着フィルムが知られている。 Conventionally, processing films used in the manufacture of semiconductor integrated circuits such as those described above are known. There are various types of this kind of processing film depending on the purpose, and it is used in the above-mentioned post-process according to each purpose.
As a processing film, for example, a dicing die bond film for attaching a semiconductor chip to an adherend is known. The dicing die bond film includes a dicing tape having a base material layer and a pressure-sensitive adhesive layer, and a die bond layer laminated on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape and adhered to an adherend.
On the other hand, as the processing film, in order to bond the spacer layer to the adherend, a spacer layer, an adhesive layer for adhering the spacer layer to the adherend, and a dicing tape overlapped with the adhesive layer are used. A dicing adhesive film with a spacer is known.

例えば、半導体集積回路の製造における後工程では、まず、ダイシングテープとダイボンド層とを有するダイシングダイボンドフィルムを加工用フィルムとして用い、図１Ａに示すように、ダイシングダイボンドフィルムを使用して小片化した制御用のコントローラチップｗ’を、ダイボンド層ｄ’を介して被着体（配線基板Ｚ等）の表面に固定する第１工程を実施する。次に、ダイシングテープと接着層とスペーサ層とを有するスペーサ付ダイシング接着フィルムを加工用フィルムとして用い、該フィルムを使用して小片化したスペーサ層が、図１Ｂに示すように接着層を介して被着体（配線基板Ｚ）の表面に固定される第２工程を実施する。続いて、上記のごときダイシングダイボンドフィルムを加工用フィルムとして用い、図１Ｃに示すように、ダイシングダイボンドフィルムを使用して小片化した記憶用のＮＡＮＤチップｗ”を、ダイボンド層ｄ”を介してスペーサ層１０の上に固定し、さらに記憶用のＮＡＮＤチップｗ”を同様にして積み重ねる第３工程を実施する。
これらの工程を経て、上記のごとき半導体集積回路が製造される。 For example, in a post-process in the manufacture of a semiconductor integrated circuit, first, a dicing die bond film having a dicing tape and a dicing bond layer is used as a processing film, and as shown in FIG. 1A, a dicing die bond film is used to control the dicing. The first step of fixing the controller chip w'for fixing to the surface of the adherend (wiring substrate Z or the like) via the dicing layer d'is carried out. Next, a dicing adhesive film with a spacer having a dicing tape, an adhesive layer, and a spacer layer was used as a processing film, and a spacer layer fragmented using the film was passed through the adhesive layer as shown in FIG. 1B. The second step of being fixed to the surface of the adherend (wiring substrate Z) is carried out. Subsequently, a dicing die bond film as described above is used as a processing film, and as shown in FIG. 1C, a NAND chip w "for storage, which is fragmented using the dicing die bond film, is spacerd via the die bond layer d". The third step of fixing on the layer 10 and further stacking the NAND chips w for storage in the same manner is carried out.
Through these steps, a semiconductor integrated circuit as described above is manufactured.

ここで、第２工程では、例えば、薄いシリコンウエハで形成されたスペーサ層を備えたスペーサ付ダイシング接着フィルムを使用して、ブレードダイシング等によってスペーサ層及び接着層に溝を形成して小片へ割断する工程と、接着層が貼り付いた状態の小片化されたスペーサ層をダイシングテープから剥離する工程と、接着層が貼り付いた状態のスペーサ層を被着体（配線基板）に接着させる工程と、を実施する。 Here, in the second step, for example, using a dicing adhesive film with a spacer provided with a spacer layer formed of a thin silicon wafer, a groove is formed in the spacer layer and the adhesive layer by blade dicing or the like and cut into small pieces. A step of peeling the fragmented spacer layer with the adhesive layer from the dicing tape, and a step of adhering the spacer layer with the adhesive layer to the adherend (wiring substrate). , Is carried out.

この種の半導体集積回路の製造方法において、第２工程で使用されるスペーサ付ダイシング接着フィルムとしては、シリコンウエハで形成されたスペーサ層に代えて、金属箔で形成されたスペーサ層を備えたものが知られている（例えば、特許文献１）。 In the method for manufacturing this type of semiconductor integrated circuit, the dicing adhesive film with a spacer used in the second step includes a spacer layer formed of a metal foil instead of a spacer layer formed of a silicon wafer. Is known (for example, Patent Document 1).

詳しくは、特許文献１に記載のスペーサ付ダイシング接着フィルムにおけるスペーサ層は、圧延鋼箔やステンレス鋼箔といった金属箔である。
特許文献１に記載のスペーサ付ダイシング接着フィルムによれば、スペーサ層がシリコンウエハでなく金属箔であるため、シリコンウエハの供給量不足に影響されずに安定的な製造供給を維持できる。また、シリコンウエハの厚さを薄くするための上記のごときバックグラインド工程が不要であるため、半導体集積回路の製造工程を簡便化できる。 Specifically, the spacer layer in the dicing adhesive film with a spacer described in Patent Document 1 is a metal foil such as a rolled steel foil or a stainless steel foil.
According to the dicing adhesive film with a spacer described in Patent Document 1, since the spacer layer is not a silicon wafer but a metal foil, stable production and supply can be maintained without being affected by a shortage of the supply amount of the silicon wafer. Further, since the backgrinding process as described above for reducing the thickness of the silicon wafer is not required, the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit can be simplified.

ところで、スペーサ層の上に重ねられる記憶用のＮＡＮＤチップと、配線基板との間の電気絶縁性をスペーサ層によって確保すべく、スペーサ層の材質としては、導電性の金属よりも、電気絶縁性を有する樹脂が適している。 By the way, in order to secure the electrical insulation between the storage NAND chip stacked on the spacer layer and the wiring board by the spacer layer, the material of the spacer layer is more electrically insulating than the conductive metal. A resin having the above is suitable.

特開２００７－２２０９１３号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-220913

そこで、樹脂製のスペーサ層を採用することが考えられるが、ダイボンド層が貼り付いた状態のチップ（ＮＡＮＤチップ等）を、ある種の樹脂製のスペーサ層の上に積み重ねると、スペーサ層とダイボンド層との貼り付き不良によって、スペーサ層とダイボンド層との間に剥離が生じてチップの積層が困難となる場合がある。 Therefore, it is conceivable to adopt a resin spacer layer, but if a chip (NAND chip, etc.) with a die bond layer attached is stacked on a certain resin spacer layer, the spacer layer and die bond can be used. Poor adhesion to the layer may cause peeling between the spacer layer and the die bond layer, making it difficult to stack the chips.

このような問題を防ぐべく、スペーサ層が樹脂製でありながら、スペーサ層にチップ（ダイ）を重ねたときの剥離を抑制できるスペーサ付ダイシング接着フィルムが要望されている。
しかしながら、樹脂製のスペーサ層にチップ（ダイ）を重ねたときの剥離を抑制できるスペーサ付ダイシング接着フィルムについては、未だ十分に検討されているとはいえない。 In order to prevent such a problem, there is a demand for a dicing adhesive film with a spacer that can suppress peeling when a chip (die) is placed on the spacer layer while the spacer layer is made of resin.
However, it cannot be said that a dicing adhesive film with a spacer capable of suppressing peeling when a chip (die) is laminated on a resin spacer layer has not been sufficiently studied.

本発明は、樹脂製のスペーサ層にチップ（ダイ）を重ねたときの剥離を抑制できるスペーサ付ダイシング接着フィルムを提供することを課題とする。 An object of the present invention is to provide a dicing adhesive film with a spacer capable of suppressing peeling when a chip (die) is placed on a spacer layer made of resin.

上記課題を解決すべく、本発明に係るスペーサ付ダイシング接着フィルムは、
被着体に接着される接着層と、該接着層の一方の面に重なる樹脂製のスペーサ層と、前記接着層の他方の面に重なり且つ前記接着層及び前記スペーサ層を保持するダイシングテープと、を備え、
７０℃以上１５０℃以下の範囲の加熱設定温度における前記スペーサ層の曲げ剛性は、０．１Ｎ・ｍｍ２以上であることを特徴とする。
上記構成のスペーサ付ダイシング接着フィルムによれば、スペーサ層にチップ（ダイ）を重ねたときの剥離を抑制できる。 In order to solve the above problems, the dicing adhesive film with a spacer according to the present invention is used.
An adhesive layer adhered to an adherend, a resin spacer layer overlapping one surface of the adhesive layer, and a dicing tape overlapping the other surface of the adhesive layer and holding the adhesive layer and the spacer layer. , Equipped with
The flexural rigidity of the spacer layer at a heating set temperature in the range of 70 ° C. or higher and 150 ° C. or lower is 0.1 N · mm 2 or more.
According to the dicing adhesive film with a spacer having the above configuration, it is possible to suppress peeling when a chip (die) is placed on the spacer layer.

上記のスペーサ付ダイシング接着フィルムでは、７０℃以上１５０℃以下の範囲の加熱設定温度における前記スペーサ層の弾性率は、２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下であることが好ましい。これにより、スペーサ層にチップ（ダイ）を重ねたときの剥離をより抑制できる。 In the dicing adhesive film with a spacer, the elastic modulus of the spacer layer at a heating set temperature in the range of 70 ° C. or higher and 150 ° C. or lower is preferably 2 GPa or higher and 20 GPa or lower. This makes it possible to further suppress peeling when the chip (die) is placed on the spacer layer.

上記のスペーサ付ダイシング接着フィルムでは、前記スペーサ層の厚さが３μｍ以上１２０μｍ以下であってもよい。
上記のスペーサ付ダイシング接着フィルムでは、前記接着層の厚さが１００μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。
これにより、スペーサ層にチップ（ダイ）を重ねたときの剥離をより抑制できる。 In the dicing adhesive film with a spacer, the thickness of the spacer layer may be 3 μm or more and 120 μm or less.
In the dicing adhesive film with a spacer, the thickness of the adhesive layer may be 100 μm or more and 150 μm or less.
This makes it possible to further suppress peeling when the chip (die) is placed on the spacer layer.

上記のスペーサ付ダイシング接着フィルムでは、前記スペーサ層の材質は、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンスルフィド、及び、ポリエーテルエーテルケトンからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。これにより、スペーサ層にチップ（ダイ）を重ねたときの剥離をより抑制できる。 In the above-mentioned dying adhesive film with a spacer, the material of the spacer layer is at least one selected from the group consisting of polyimide, polyamideimide, polybenzoimidazole, polyetherimide, polyphenylene sulfide, and polyetheretherketone. Is preferable. This makes it possible to further suppress peeling when the chip (die) is placed on the spacer layer.

上記のスペーサ付ダイシング接着フィルムは、チップ埋込型の半導体集積回路を製造するときに半導体チップを埋め込むために使用されてもよい。 The above-mentioned dicing adhesive film with a spacer may be used for embedding a semiconductor chip when manufacturing a chip-embedded semiconductor integrated circuit.

本発明に係るスペーサ付ダイシング接着フィルムによれば、樹脂製のスペーサ層にチップ（ダイ）を重ねたときの剥離を抑制できる。 According to the dicing adhesive film with a spacer according to the present invention, peeling when a chip (die) is placed on a spacer layer made of resin can be suppressed.

半導体集積回路の製造工程の一例における途中経過を表す模式断面図。The schematic cross-sectional view which shows the progress in an example of the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造工程の一例における途中経過を表す模式断面図。The schematic cross-sectional view which shows the progress in an example of the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造工程の一例における途中経過を表す模式断面図。The schematic cross-sectional view which shows the progress in an example of the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit. 本実施形態のスペーサ付ダイシング接着フィルムの模式的な斜視図。The schematic perspective view of the dicing adhesive film with a spacer of this embodiment. 本実施形態のスペーサ付ダイシング接着フィルムを厚さ方向に切断した断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view of the dicing adhesive film with a spacer of the present embodiment cut in the thickness direction. 半導体集積回路の製造方法においてスペーサ付ダイシング接着フィルムを使用する様子（マウント）を模式的に表す断面図。A cross-sectional view schematically showing a state (mount) of using a dicing adhesive film with a spacer in a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法においてスペーサ付ダイシング接着フィルムを使用する様子（ブレードダイシング）を模式的に表す断面図。A cross-sectional view schematically showing a state (blade dicing) of using a dicing adhesive film with a spacer in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法においてスペーサ付ダイシング接着フィルムを使用する様子（ブレードダイシング後）を模式的に表す断面図。A cross-sectional view schematically showing a state (after blade dicing) of using a dicing adhesive film with a spacer in a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の製造方法においてスペーサ付ダイシング接着フィルムを使用する様子（ピックアップ）を模式的に表す断面図。A cross-sectional view schematically showing a state (pickup) of using a dicing adhesive film with a spacer in a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の他の例を模式的に表す断面図。Sectional drawing schematically showing another example of a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の他の例を模式的に表す断面図。Sectional drawing schematically showing another example of a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の他の例を模式的に表す断面図。Sectional drawing schematically showing another example of a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の他の例を模式的に表す断面図。Sectional drawing schematically showing another example of a semiconductor integrated circuit. 半導体集積回路の他の例を模式的に表す断面図。Sectional drawing schematically showing another example of a semiconductor integrated circuit. スペーサ層及び接着層を有する積層シートを作製する様子を模式的に表す模式断面図。A schematic cross-sectional view schematically showing a state of producing a laminated sheet having a spacer layer and an adhesive layer. スペーサ層及び接着層を有する積層シートを作製する様子を模式的に表す模式断面図。A schematic cross-sectional view schematically showing a state of producing a laminated sheet having a spacer layer and an adhesive layer. 本実施形態のスペーサ付ダイシング接着フィルムを製造する途中の様子を模式的に表す模式断面図。The schematic sectional view schematically showing the state in the process of manufacturing the dicing adhesive film with a spacer of this embodiment. 製造途中のスペーサ付ダイシング接着フィルムを長手方向に沿って切断した断面を模式的に表す模式断面図。A schematic cross-sectional view schematically showing a cross section of a dicing adhesive film with a spacer in the middle of manufacturing cut along the longitudinal direction. 本実施形態のスペーサ付ダイシング接着フィルムを製造する途中の様子を模式的に表す模式断面図。The schematic sectional view schematically showing the state in the process of manufacturing the dicing adhesive film with a spacer of this embodiment. 製造途中のスペーサ付ダイシング接着フィルムを長手方向に沿って切断した断面を模式的に表す模式断面図。A schematic cross-sectional view schematically showing a cross section of a dicing adhesive film with a spacer in the middle of manufacturing cut along the longitudinal direction. 製造途中のスペーサ付ダイシング接着フィルムを長手方向に沿って切断した断面を模式的に表す模式断面図。A schematic cross-sectional view schematically showing a cross section of a dicing adhesive film with a spacer in the middle of manufacturing cut along the longitudinal direction. 製造途中のスペーサ付ダイシング接着フィルムを長手方向に沿って切断した断面を模式的に表す模式断面図。A schematic cross-sectional view schematically showing a cross section of a dicing adhesive film with a spacer in the middle of manufacturing cut along the longitudinal direction. 本実施形態のスペーサ付ダイシング接着フィルムを製造する途中の様子を模式的に表す模式断面図。The schematic sectional view schematically showing the state in the process of manufacturing the dicing adhesive film with a spacer of this embodiment. 製造途中のスペーサ付ダイシング接着フィルムを長手方向に沿って切断した断面を模式的に表す模式断面図。A schematic cross-sectional view schematically showing a cross section of a dicing adhesive film with a spacer in the middle of manufacturing cut along the longitudinal direction. 製造途中のスペーサ付ダイシング接着フィルムを長手方向に沿って切断した断面を模式的に表す模式断面図。A schematic cross-sectional view schematically showing a cross section of a dicing adhesive film with a spacer in the middle of manufacturing cut along the longitudinal direction. 製造途中のスペーサ付ダイシング接着フィルムを長手方向に沿って切断した断面を模式的に表す模式断面図。A schematic cross-sectional view schematically showing a cross section of a dicing adhesive film with a spacer in the middle of manufacturing cut along the longitudinal direction. 本実施形態のスペーサ付ダイシング接着フィルムの他の例を模式的に表す模式断面図。The schematic sectional view schematically showing another example of the dicing adhesive film with a spacer of this embodiment. 製造途中のスペーサ付ダイシング接着フィルムの別の例を模式的に表す模式断面図。Schematic cross-sectional view schematically showing another example of a dicing adhesive film with a spacer during manufacturing. スペーサ層の表面における凹凸を測定した結果を模式的に表すグラフ。A graph schematically showing the result of measuring the unevenness on the surface of the spacer layer.

以下、本発明に係るスペーサ付ダイシング接着フィルムの実施形態について、図面を参照しつつ説明する。 Hereinafter, an embodiment of the dicing adhesive film with a spacer according to the present invention will be described with reference to the drawings.

本実施形態のスペーサ付ダイシング接着フィルム１は、図２に示すように、長尺シートであり、使用されるまで巻回された状態で保管される。図２におけるIII－III線に沿って厚さ方向に切断した断面図を図３に示す。
図３に示すように、本実施形態のスペーサ付ダイシング接着フィルム１は、被着体に接着される接着層２０と、接着層２０の一方の面に重なる樹脂製のスペーサ層１０と、接着層２０の他方の面に重なり且つ接着層２０及びスペーサ層１０を保持するダイシングテープ３０と、を備える。接着層２０は、半導体集積回路の製造において、回路基板又は半導体チップなどの被着体に接着されることとなる。
図２及び図３に示すように、スペーサ付ダイシング接着フィルム１を厚さ方向の一方から見たときに、ダイシングテープ３０は帯状であり、スペーサ層１０及び接着層２０は、円形状であり且つダイシングテープ３０の長手方向に沿って並んでいる。
本実施形態のスペーサ付ダイシング接着フィルム１は、接着層２０によって制御用のコントローラチップｗ’を埋め込むように接着層２０を基板Ｚに接着して使用され得る。また、本実施形態のスペーサ付ダイシング接着フィルム１は、接着層２０を介して基板Ｚに接着したスペーサ層１０の上にＮＡＮＤ型メモリチップｗ”を接着させるために使用され得る。
なお、図３に示すように、本実施形態のスペーサ付ダイシング接着フィルム１は、スペーサ層１０の表面と、ダイシングテープ３０の粘着剤層３２の表面の一部とを保護する保護フィルム（剥離テープＨ）をさらに備えてもよい。 As shown in FIG. 2, the dicing adhesive film 1 with a spacer of the present embodiment is a long sheet and is stored in a wound state until it is used. FIG. 3 shows a cross-sectional view taken along the line III-III in FIG. 2 in the thickness direction.
As shown in FIG. 3, the dying adhesive film 1 with a spacer of the present embodiment has an adhesive layer 20 to be adhered to an adherend, a resin spacer layer 10 overlapping one surface of the adhesive layer 20, and an adhesive layer. A dicing tape 30 that overlaps the other surface of the 20 and holds the adhesive layer 20 and the spacer layer 10 is provided. The adhesive layer 20 is adhered to an adherend such as a circuit board or a semiconductor chip in the manufacture of a semiconductor integrated circuit.
As shown in FIGS. 2 and 3, when the dicing adhesive film 1 with a spacer is viewed from one side in the thickness direction, the dicing tape 30 is strip-shaped, and the spacer layer 10 and the adhesive layer 20 are circular. They are lined up along the longitudinal direction of the dicing tape 30.
The dicing adhesive film 1 with a spacer of the present embodiment can be used by adhering the adhesive layer 20 to the substrate Z so as to embed the controller chip w'for control by the adhesive layer 20. Further, the dicing adhesive film 1 with a spacer of the present embodiment can be used to adhere the NAND type memory chip w ”on the spacer layer 10 bonded to the substrate Z via the adhesive layer 20.
As shown in FIG. 3, the dicing adhesive film 1 with a spacer of the present embodiment is a protective film (release tape) that protects the surface of the spacer layer 10 and a part of the surface of the adhesive layer 32 of the dicing tape 30. H) may be further provided.

＜スペーサ付ダイシング接着フィルムのスペーサ層＞
スペーサ層１０の７０℃以上１５０℃以下の範囲の加熱設定温度における曲げ剛性は、０．１Ｎ・ｍｍ２以上である。
上記の曲げ剛性が０．１Ｎ・ｍｍ２以上であるため、スペーサ層１０の表面における凹凸を抑えることができる。そのため、ダイボンド層ｄ”付の半導体チップｗ”を樹脂製のスペーサ層１０の表面に接着させたときに、接着剥離を抑えることができる。これにより、スペーサ層１０が樹脂製でありながらスペーサ層１０にチップｗ”（ダイ）を重ねたときの剥離を抑制できる。
上記の曲げ剛性は、０．２Ｎ・ｍｍ２以上であってもよい。なお、上記の曲げ剛性は、１．５Ｎ・ｍｍ２以下であってもよく、１．２Ｎ・ｍｍ２以下であってもよい。 <Spacer layer of dicing adhesive film with spacer>
The flexural rigidity of the spacer layer 10 at a heating set temperature in the range of 70 ° C. or higher and 150 ° C. or lower is 0.1 N · mm 2 or more.
Since the flexural rigidity is 0.1 N · mm 2 or more, unevenness on the surface of the spacer layer 10 can be suppressed. Therefore, when the semiconductor chip w with the die bond layer d "is adhered to the surface of the spacer layer 10 made of resin, the adhesive peeling can be suppressed. As a result, even though the spacer layer 10 is made of resin, it is possible to suppress peeling when the chip w ”(die) is placed on the spacer layer 10.
The above bending rigidity may be 0.2 N · mm 2 or more. The flexural rigidity may be 1.5 N · mm 2 or less, or 1.2 N · mm 2 or less.

上記の曲げ剛性は、下記の式（１）によって算出する。式（１）において、ｂは、長方形状のスペーサ層１０（ダイシングによって小片化された使用時の大きさ）の長手方向長さ（正方形の場合は一辺の長さ）を表し、Ｆは、引張弾性率を表し、ｈは、スペーサ層１０の厚さを表し、λは、スペーサ層１０上縁から中立軸までの距離を表す。具体的には、上記の曲げ剛性は、後の実施例に記載された方法によって測定される。
なお、式（１）における引張弾性率は、後述する方法によって測定される。

Figure 2022082231000002
The above flexural rigidity is calculated by the following equation (1). In the formula (1), b represents the length in the longitudinal direction (the length of one side in the case of a square) of the rectangular spacer layer 10 (the size when used, which is fragmented by dicing), and F is the tension. The elastic modulus is represented, h represents the thickness of the spacer layer 10, and λ represents the distance from the upper edge of the spacer layer 10 to the neutral axis. Specifically, the flexural rigidity described above is measured by the method described in later examples.
The tensile elastic modulus in the formula (1) is measured by a method described later.
Figure 2022082231000002

上記の曲げ剛性は、式（１）からも把握されるように、スペーサ層１０の弾性率を高くすること、スペーサ層１０の厚さを厚くすることなどによって大きくすることができる。一方、上記の曲げ剛性は、スペーサ層１０の弾性率を低くすること、スペーサ層１０の厚さを薄くすることなどによって小さくすることができる。 As can be seen from the equation (1), the flexural rigidity can be increased by increasing the elastic modulus of the spacer layer 10, increasing the thickness of the spacer layer 10, and the like. On the other hand, the flexural rigidity can be reduced by lowering the elastic modulus of the spacer layer 10, reducing the thickness of the spacer layer 10, and the like.

スペーサ層１０の７０℃以上１５０℃以下の範囲の加熱設定温度における弾性率は、２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下であることが好ましい。これにより、樹脂製のスペーサ層１０にチップｗ”（ダイ）を重ねたときの剥離をより抑制できる。
上記の弾性率は、１０ＧＰａ以下であってもよく、５ＧＰａ以下であってもよい。 The elastic modulus of the spacer layer 10 at a heating set temperature in the range of 70 ° C. or higher and 150 ° C. or lower is preferably 2 GPa or higher and 20 GPa or lower. As a result, peeling when the chip w "(die) is placed on the spacer layer 10 made of resin can be further suppressed.
The elastic modulus may be 10 GPa or less, or may be 5 GPa or less.

上記の弾性率の測定方法は、以下の通りである。スペーサ層１０から長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍの大きさの測定用サンプルを切り出し、固体粘弾性測定装置を用いて、－３０℃～３００℃における引張貯蔵弾性率を測定する。測定条件は、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、チャック間距離２０．０ｍｍである。そして、７０℃以上１５０℃以下の所定温度（例えば１１０℃）における貯蔵弾性率の測定値を上記の弾性率として採用する。 The above method for measuring the elastic modulus is as follows. A measuring sample having a length of 40 mm and a width of 10 mm is cut out from the spacer layer 10, and the tensile storage elastic modulus at −30 ° C. to 300 ° C. is measured using a solid viscoelasticity measuring device. The measurement conditions are a frequency of 1 Hz, a heating rate of 10 ° C./min, and a distance between chucks of 20.0 mm. Then, the measured value of the storage elastic modulus at a predetermined temperature (for example, 110 ° C.) of 70 ° C. or higher and 150 ° C. or lower is adopted as the above elastic modulus.

上記の弾性率は、スペーサ層１０を構成する材料としてより弾性率の高い材料を採用すること、スペーサ層１０において弾性率のより高い材料の含有率を高めることなどによって大きくすることができる。一方、上記の弾性率は、スペーサ層１０を構成する材料としてより弾性率の低い材料を採用すること、スペーサ層１０において弾性率のより低い材料の含有率を高めることなどによって小さくすることができる。 The elastic modulus can be increased by adopting a material having a higher elastic modulus as a material constituting the spacer layer 10, increasing the content of the material having a higher elastic modulus in the spacer layer 10, and the like. On the other hand, the elastic modulus can be reduced by adopting a material having a lower elastic modulus as a material constituting the spacer layer 10, increasing the content of the material having a lower elastic modulus in the spacer layer 10, and the like. ..

上記の加熱設定温度は、７０℃以上１５０℃以下の範囲における所定の１温度である。上記の加熱設定温度は、１００℃以上１５０℃以下の範囲における１温度であってもよく、１１０℃であってもよい。
斯かる加熱設定温度は、スペーサ付ダイシング接着フィルム１が使用されるときの温度である。具体的には、スペーサ層１０と重なった接着層２０を被着体（基板Ｚ、制御用のコントローラチップダイなど）に接着させるために加熱処理するときの温度が、上記の加熱設定温度に相当する。 The above heating set temperature is a predetermined one temperature in the range of 70 ° C. or higher and 150 ° C. or lower. The above heating set temperature may be one temperature in the range of 100 ° C. or higher and 150 ° C. or lower, or may be 110 ° C.
The heating set temperature is the temperature at which the dicing adhesive film 1 with a spacer is used. Specifically, the temperature at which the adhesive layer 20 overlapping the spacer layer 10 is heat-treated to be adhered to the adherend (the substrate Z, the controller chip die for control, etc.) corresponds to the above-mentioned heating set temperature. do.

スペーサ層１０の厚さ（平均厚さ）は、３μｍ以上１２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上１００μｍ以下であってもよく、４０μｍ以上８０μｍ以下であってもよい。
なお、スペーサ層１０の厚さは、ランダムに選んだ少なくとも５箇所における厚さの測定値を平均することによって算出される。スペーサ層１０が積層体である場合、スペーサ層１０の厚さは、斯かる積層体の厚さ（スペーサ層１０の総厚さ）である。 The thickness (average thickness) of the spacer layer 10 may be 3 μm or more and 120 μm or less, 10 μm or more and 100 μm or less, or 40 μm or more and 80 μm or less.
The thickness of the spacer layer 10 is calculated by averaging the measured values of the thickness at at least five randomly selected points. When the spacer layer 10 is a laminated body, the thickness of the spacer layer 10 is the thickness of such a laminated body (total thickness of the spacer layer 10).

スペーサ層１０は、樹脂製である。スペーサ層１０は、通常、樹脂を少なくとも５０質量％含む。スペーサ層１０の材質は、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンスルフィド、及び、ポリエーテルエーテルケトンからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましく、ポリイミド及びポリエーテルイミドのうち少なくとも一方であることがより好ましく、ポリイミドであることがさらに好ましい。
換言すると、スペーサ層１０は、ポリイミド製、ポリアミドイミド製、ポリベンゾイミダゾール製、ポリエーテルイミド製、ポリフェニレンスルフィド製、ポリエーテルエーテルケトン製などであることが好ましい。
スペーサ層１０の材質が上記の材質であることにより、スペーサ層１０にチップｗ”（ダイ）を重ねたときの剥離をより抑制できる。 The spacer layer 10 is made of resin. The spacer layer 10 usually contains at least 50% by mass of resin. The material of the spacer layer 10 is preferably at least one selected from the group consisting of polyimide, polyamideimide, polybenzoimidazole, polyetherimide, polyphenylene sulfide, and polyetheretherketone, preferably polyimide and polyetherimide. Of these, at least one is more preferable, and polyimide is further preferable.
In other words, the spacer layer 10 is preferably made of polyimide, polyamideimide, polybenzimidazole, polyetherimide, polyphenylene sulfide, polyetheretherketone or the like.
Since the material of the spacer layer 10 is the above-mentioned material, it is possible to further suppress peeling when the chip w ”(die) is placed on the spacer layer 10.

＜スペーサ付ダイシング接着フィルムの接着層＞
接着層２０の厚さ（平均厚さ）は、特に限定されないが、例えば１μｍ以上２００μｍ以下である。斯かる厚さは、１００μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以上１３０μｍ以下であることがより好ましい。なお、接着層２０が積層体である場合、接着層２０の厚さは、斯かる積層体の厚さ（接着層２０の総厚さ）である。
接着層２０の厚さは、ランダムに選んだ少なくとも１０箇所における厚さの測定値を平均することによって算出される。
接着層２０の厚さが例えば１００μｍ以上といった比較的厚い場合、後述するＦＯＤ用途（チップ埋込型の半導体集積回路を製造するときに半導体チップを埋め込むための用途）で、好適に使用される。 <Adhesive layer of dicing adhesive film with spacer>
The thickness (average thickness) of the adhesive layer 20 is not particularly limited, but is, for example, 1 μm or more and 200 μm or less. The thickness is preferably 100 μm or more and 150 μm or less, and more preferably 100 μm or more and 130 μm or less. When the adhesive layer 20 is a laminated body, the thickness of the adhesive layer 20 is the thickness of such a laminated body (total thickness of the adhesive layer 20).
The thickness of the adhesive layer 20 is calculated by averaging the measured values of the thickness at at least 10 randomly selected points.
When the thickness of the adhesive layer 20 is relatively thick, for example, 100 μm or more, it is suitably used in FOD applications (applications for embedding semiconductor chips when manufacturing chip-embedded semiconductor integrated circuits), which will be described later.

接着層２０は、例えば図３に示すように、単層構造を有してもよい。本明細書において、単層とは、同じ組成物で形成された層のみを有することである。同じ組成物で形成された層が複数積層された形態も単層である。
一方、接着層２０は、例えば、２種以上の異なる組成物でそれぞれ形成された層が積層された多層構造を有してもよい。 The adhesive layer 20 may have a single-layer structure, for example, as shown in FIG. As used herein, monolayer means having only layers formed of the same composition. A form in which a plurality of layers formed of the same composition are laminated is also a single layer.
On the other hand, the adhesive layer 20 may have, for example, a multilayer structure in which layers formed of two or more different compositions are laminated.

接着層２０は、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂のうち少なくとも一方を含み得る。接着層２０は、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。 The adhesive layer 20 may contain at least one of a thermosetting resin and a thermoplastic resin. The adhesive layer 20 preferably contains a thermosetting resin and a thermoplastic resin.

熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、１種のみ、又は、２種以上が採用される。ダイボンディング対象である半導体チップの腐食原因となり得るイオン性不純物等をより少なく含有するという点で、上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール樹脂が好ましい。 Examples of the thermosetting resin include epoxy resin, phenol resin, amino resin, unsaturated polyester resin, polyurethane resin, silicone resin, thermosetting polyimide resin and the like. As the thermosetting resin, only one kind or two or more kinds are adopted. The epoxy resin is preferable as the thermosetting resin in that it contains less ionic impurities and the like that can cause corrosion of the semiconductor chip to be die-bonded. As the curing agent for the epoxy resin, a phenol resin is preferable.

上記エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、又は、グリシジルアミン型の各エポキシ樹脂が挙げられる。 Examples of the epoxy resin include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolac type and ortho. Examples thereof include cresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylol ethane type, hydantin type, trisglycidyl isocyanurate type, and glycidylamine type epoxy resins.

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用し得る。フェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。
ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等が挙げられる。
上記フェノール樹脂としては、１種のみ、又は、２種以上が採用される。 The phenolic resin can act as a curing agent for the epoxy resin. Examples of the phenol resin include novolak type phenol resin, resol type phenol resin, polyoxystyrene such as polyparaoxystyrene, and the like.
Examples of the novolak type phenol resin include phenol novolak resin, phenol aralkyl resin, cresol novolak resin, tert-butylphenol novolak resin, nonylphenol novolak resin and the like.
As the phenol resin, only one kind or two or more kinds are adopted.

接着層２０において、フェノール樹脂の水酸基は、エポキシ樹脂のエポキシ基１当量当たり、好ましくは０．５当量以上２．０当量以下、より好ましくは０．７当量以上１．５当量以下である。これにより、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との硬化反応を十分に進行させることができる。 In the adhesive layer 20, the hydroxyl group of the phenol resin is preferably 0.5 equivalent or more and 2.0 equivalent or less, more preferably 0.7 equivalent or more and 1.5 equivalent or less, per 1 equivalent of the epoxy group of the epoxy resin. This makes it possible to sufficiently proceed the curing reaction between the epoxy resin and the phenol resin.

接着層２０が熱硬化性樹脂を含む場合、接着層２０における斯かる熱硬化性樹脂の含有割合は、接着層２０の総質量に対して、５質量％以上６０質量％以下が好ましく、１０質量％以上５０質量％以下がより好ましい。これにより、接着層２０において熱硬化型接着剤としての機能を適切に発現させることができる。 When the adhesive layer 20 contains a thermosetting resin, the content ratio of the thermosetting resin in the adhesive layer 20 is preferably 5% by mass or more and 60% by mass or less, preferably 10% by mass, based on the total mass of the adhesive layer 20. % Or more and 50% by mass or less are more preferable. Thereby, the function as a thermosetting adhesive can be appropriately exhibited in the adhesive layer 20.

接着層２０に含まれ得る熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６－ポリアミド樹脂や６，６－ポリアミド樹脂等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
上記熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく且つ耐熱性が高いために接着層２０の接着性をより確保できるという点で、アクリル樹脂が好ましい。
上記熱可塑性樹脂としては、１種のみ、又は、２種以上が採用される。 Examples of the thermoplastic resin that can be contained in the adhesive layer 20 include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, and ethylene-acrylic acid ester copolymer. , Polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic polyimide resin, polyamide resin such as 6-polyamide resin and 6,6-polyamide resin, phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as PET and PBT, polyamideimide resin, fluororesin and the like. Can be mentioned.
As the thermoplastic resin, an acrylic resin is preferable in that the adhesiveness of the adhesive layer 20 can be further secured because there are few ionic impurities and high heat resistance.
As the thermoplastic resin, only one kind or two or more kinds are adopted.

上記アクリル樹脂は、分子中の構成単位のうち、アルキル（メタ）アクリレートの構成単位が質量割合で最も多いポリマーであることが好ましい。当該アルキル（メタ）アクリレートとしては、例えば、Ｃ２～Ｃ４アルキル（メタ）アクリレートが挙げられる。
上記アクリル樹脂は、アルキル（メタ）アクリレートモノマーと共重合可能な他のモノマー成分に由来する構成単位を含んでいてもよい。
上記他のモノマー成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基（水酸基）含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリロニトリル等の官能基含有モノマー、又は、その他各種の多官能性モノマー等が挙げられる。
上記アクリル樹脂は、接着層２０においてより高い凝集力を発揮できるという点で、好ましくは、アルキル（メタ）アクリレート（特に、アルキル部分の炭素数が４以下のアルキル（メタ）アクリレート）と、カルボキシ基含有モノマーと、窒素原子含有モノマーと、多官能性モノマー（特にポリグリシジル系多官能モノマー）との共重合体であり、より好ましくは、アクリル酸エチルと、アクリル酸ブチルと、アクリル酸と、アクリロニトリルと、ポリグリシジル（メタ）アクリレートとの共重合体である。 The acrylic resin is preferably a polymer having the largest number of alkyl (meth) acrylate constituent units in terms of mass ratio among the constituent units in the molecule. Examples of the alkyl (meth) acrylate include C2-C4 alkyl (meth) acrylates.
The acrylic resin may contain a structural unit derived from another monomer component copolymerizable with the alkyl (meth) acrylate monomer.
Examples of the other monomer components include a carboxy group-containing monomer, an acid anhydride monomer, a hydroxy group (hydroxyl group) -containing monomer, a glycidyl group-containing monomer, a sulfonic acid group-containing monomer, a phosphate group-containing monomer, acrylamide, and acrylonitrile. Examples thereof include functional group-containing monomers and various other polyfunctional monomers.
The acrylic resin is preferably an alkyl (meth) acrylate (particularly, an alkyl (meth) acrylate having an alkyl portion having 4 or less carbon atoms) and a carboxy group in that it can exert a higher cohesive force in the adhesive layer 20. It is a copolymer of a containing monomer, a nitrogen atom-containing monomer, and a polyfunctional monomer (particularly a polyglycidyl-based polyfunctional monomer), and more preferably ethyl acrylate, butyl acrylate, acrylate, and acrylonitrile. And a copolymer of polyglycidyl (meth) acrylate.

接着層２０が熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含む場合、接着層２０における上記熱可塑性樹脂の含有割合は、フィラーを除く有機成分（例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、硬化触媒等、シランカップリング剤、染料）の総質量に対して、好ましくは５質量％以上５０質量％以下であり、より好ましくは１０質量％以上４５質量％以下であり、さらに好ましくは２０質量％以上４０質量％以下である。なお、熱硬化性樹脂の含有割合を変化させることによって、接着層２０の弾性や粘性を調整することができる。 When the adhesive layer 20 contains a thermosetting resin and a thermoplastic resin, the content ratio of the thermoplastic resin in the adhesive layer 20 is an organic component excluding the filler (for example, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, a curing catalyst, etc.). , Silane coupling agent, dye), preferably 5% by mass or more and 50% by mass or less, more preferably 10% by mass or more and 45% by mass or less, and further preferably 20% by mass or more and 40% by mass or less, based on the total mass of the silane coupling agent (dye). It is less than mass%. The elasticity and viscosity of the adhesive layer 20 can be adjusted by changing the content ratio of the thermosetting resin.

接着層２０の熱可塑性樹脂が熱硬化性官能基を有する場合、当該熱可塑性樹脂として、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂を採用できる。この熱硬化性官能基含有アクリル樹脂は、好ましくは、分子中に、アルキル（メタ）アクリレートに由来する構成単位を最も多い質量割合で含む。当該アルキル（メタ）アクリレートとしては、例えば、上記例示の（メタ）アルキル（メタ）アクリレートが挙げられる。
一方、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基としては、例えば、グリシジル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基（水酸基）、イソシアネート基等が挙げられる。
接着層２０は、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂と硬化剤とを含むことが好ましい。硬化剤としては、粘着剤層３２に含まれ得る硬化剤として例示されたものが挙げられる。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基がグリシジル基である場合には、複数のフェノール構造を分子中に有する化合物を硬化剤として用いることが好ましい。例えば、上述の各種フェノール樹脂を硬化剤として用いることができる。 When the thermoplastic resin of the adhesive layer 20 has a thermosetting functional group, for example, a thermosetting functional group-containing acrylic resin can be adopted as the thermoplastic resin. The thermosetting functional group-containing acrylic resin preferably contains a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate in the molecule in the largest mass ratio. Examples of the alkyl (meth) acrylate include the above-exemplified (meth) alkyl (meth) acrylate.
On the other hand, examples of the thermosetting functional group in the thermosetting functional group-containing acrylic resin include glycidyl group, carboxy group, hydroxy group (hydroxyl group), isocyanate group and the like.
The adhesive layer 20 preferably contains a thermosetting functional group-containing acrylic resin and a curing agent. Examples of the curing agent include those exemplified as the curing agent that can be contained in the pressure-sensitive adhesive layer 32. When the thermosetting functional group in the thermosetting functional group-containing acrylic resin is a glycidyl group, it is preferable to use a compound having a plurality of phenolic structures in the molecule as a curing agent. For example, the above-mentioned various phenolic resins can be used as a curing agent.

接着層２０は、好ましくはフィラーを含有する。接着層２０におけるフィラーの量を変えることにより、接着層２０の弾性及び粘性をより容易に調整することができる。さらに、接着層２０の導電性、熱伝導性、弾性率等の物性を調整することができる。
フィラーとしては、無機フィラー及び有機フィラーが挙げられる。フィラーとしては、無機フィラーが好ましい。
無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶質シリカや非晶質シリカといったシリカなどを含むフィラーが挙げられる。また、無機フィラーの材質としては、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル等の金属単体や、合金などが挙げられる。ホウ酸アルミニウムウィスカ、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等のフィラーであってもよい。フィラーの形状は、球状、針状、フレーク状等の各種形状であってもよい。フィラーとしては、上記の１種のみ、又は、２種以上が採用される。 The adhesive layer 20 preferably contains a filler. By changing the amount of the filler in the adhesive layer 20, the elasticity and viscosity of the adhesive layer 20 can be adjusted more easily. Further, physical properties such as conductivity, thermal conductivity, and elastic modulus of the adhesive layer 20 can be adjusted.
Examples of the filler include an inorganic filler and an organic filler. As the filler, an inorganic filler is preferable.
Examples of the inorganic filler include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica and amorphous fillers. Examples thereof include fillers containing silica such as quality silica. Examples of the material of the inorganic filler include simple metals such as aluminum, gold, silver, copper and nickel, and alloys. It may be a filler such as aluminum borate whiskers, amorphous carbon black, and graphite. The shape of the filler may be various shapes such as spherical, needle-shaped, and flake-shaped. As the filler, only one of the above types or two or more types are adopted.

接着層２０がフィラーを含む場合、上記フィラーの含有割合は、接着層２０の総質量に対して、好ましくは３０質量％以上７０質量％以下であり、より好ましくは４０質量％以上６０質量％以下であり、さらに好ましくは４０質量％以上５５質量％以下である。 When the adhesive layer 20 contains a filler, the content ratio of the filler is preferably 30% by mass or more and 70% by mass or less, and more preferably 40% by mass or more and 60% by mass or less, based on the total mass of the adhesive layer 20. It is more preferably 40% by mass or more and 55% by mass or less.

接着層２０は、必要に応じて他の成分を含んでもよい。上記他の成分としては、例えば、硬化触媒、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、染料等が挙げられる。
難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。
シランカップリング剤としては、例えば、β－（３、４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。
イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、ベンゾトリアゾール等が挙げられる。
上記他の添加剤としては、１種のみ、又は、２種以上が採用される。 The adhesive layer 20 may contain other components, if necessary. Examples of the other components include a curing catalyst, a flame retardant, a silane coupling agent, an ion trapping agent, a dye and the like.
Examples of the flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, brominated epoxy resin and the like.
Examples of the silane coupling agent include β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane and the like.
Examples of the ion trapping agent include hydrotalcites, bismuth hydroxide, benzotriazole and the like.
As the above-mentioned other additives, only one kind or two or more kinds are adopted.

接着層２０は、弾性及び粘性を調整しやすいという点で、好ましくは、熱可塑性樹脂（特に、アクリル樹脂）、熱硬化性樹脂、及びフィラーを含む。
接着層２０の総質量に対して、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂の含有割合は、２０質量％以上９５質量％以下であることが好ましく、３０質量％以上９０質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以上８５質量％以下であることがさらに好ましい。 The adhesive layer 20 preferably contains a thermoplastic resin (particularly an acrylic resin), a thermosetting resin, and a filler in that the elasticity and viscosity can be easily adjusted.
The content ratio of the thermoplastic resin and the thermosetting resin to the total mass of the adhesive layer 20 is preferably 20% by mass or more and 95% by mass or less, and more preferably 30% by mass or more and 90% by mass or less. It is preferably 40% by mass or more and 85% by mass or less.

本実施形態のスペーサ付ダイシング接着フィルム１を使用するときに、加熱処理などによって接着層２０が硬化されてもよい。例えば、基板Ｚ上の制御用のコントローラチップｗ’を接着層２０で覆うように、スペーサ層１０付きの接着層２０を基板Ｚに接着し、その後、加熱処理（例えば７０℃以上１５０℃以下でキュア）を施すことによって、接着層２０を硬化させてもよい。 When the dicing adhesive film 1 with a spacer of the present embodiment is used, the adhesive layer 20 may be cured by heat treatment or the like. For example, the adhesive layer 20 with the spacer layer 10 is adhered to the substrate Z so as to cover the control controller chip w'on the substrate Z with the adhesive layer 20, and then heat-treated (for example, at 70 ° C. or higher and 150 ° C. or lower). The adhesive layer 20 may be cured by applying cure).

本実施形態のスペーサ付ダイシング接着フィルム１は、使用される前の状態において、スペーサ層１０の一方の面（スペーサ層１０が接着層２０と重なっていない面）を覆う剥離テープを備えてもよい。剥離テープは、スペーサ層１０を保護するために用いられ、例えば使用直前に剥離される。 The dicing adhesive film 1 with a spacer of the present embodiment may be provided with a release tape that covers one surface of the spacer layer 10 (the surface where the spacer layer 10 does not overlap with the adhesive layer 20) in a state before being used. .. The release tape is used to protect the spacer layer 10, and is removed, for example, immediately before use.

次に、上記の接着層２０に貼り合わされたダイシングテープ３０について詳しく説明する。 Next, the dicing tape 30 bonded to the adhesive layer 20 will be described in detail.

＜スペーサ付ダイシング接着フィルムのダイシングテープ＞
上記のダイシングテープ３０は、通常、帯状であり、割断処理されるシリコンウエハよりも、ひと回り大きい内径を有する円環状の枠に張られ、カットされて使用される。 <Dicing tape for dicing adhesive film with spacer>
The dicing tape 30 is usually strip-shaped, and is stretched, cut, and used in an annular frame having an inner diameter slightly larger than that of a silicon wafer to be cut.

上記のダイシングテープ３０は、基材層３１と、該基材層３１に重なった粘着剤層３２とを備える。 The dicing tape 30 includes a base material layer 31 and an adhesive layer 32 that overlaps the base material layer 31.

基材層３１は、単層構造であってもよく、積層構造を有してもよい。
基材層３１は、粘着剤層３２を支持する。基材層３１は、樹脂を含む。基材層３１に含まれる樹脂としては、ポリオレフィン（ポリプロピレン（ＰＰ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、α－オレフィンなど）、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン－アクリル酸メチル（ＥＭＡ）、エチレン－アクリル酸エチル（ＥＥＡ）、エチレン－メタクリル酸メチル（ＥＭＭＡ）、スチレン・ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、水添スチレン系熱可塑性エラストマー（ＳＥＢＳ）、スチレンエチレンプロピレンスチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフェニルスルフィド、フッ素樹脂、セルロース樹脂、シリコーン樹脂、及び、アイオノマー樹脂などが挙げられる。 The base material layer 31 may have a single layer structure or a laminated structure.
The base material layer 31 supports the pressure-sensitive adhesive layer 32. The base material layer 31 contains a resin. Examples of the resin contained in the base material layer 31 include polyolefin (polypropylene (PP), high density polyethylene (HDPE), low density polyethylene (LDPE), α-olefin, etc.), ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), and ethylene. -Methyl Acrylate (EMA), Ethylene-Ethylene Acrylate (EEA), Ethylene-Methyl Methacrylate (EMMA), Styline-butadiene Rubber (SBR), Hydroponic Polyethylene-based Thermoplastic Elastomer (SEBS), Styline Ethylene Propylene Stylic Block Copolymer (SEPS), polyester, polyurethane, polycarbonate, polyether ether ketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, total aromatic polyamide, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyphenylsulfide, fluororesin, cellulose resin, silicone Examples thereof include resin and ionomer resin.

基材層３１は、上記の樹脂を１種含んでもよく、２種以上含んでもよい。
なお、後述するように粘着剤層３２が紫外線によって硬化するものである場合、基材層３１は、紫外線透過性を有するように構成されていることが好ましい。 The base material layer 31 may contain one type of the above resin, or may contain two or more types of the above resin.
When the pressure-sensitive adhesive layer 32 is cured by ultraviolet rays as described later, it is preferable that the base material layer 31 is configured to have ultraviolet transparency.

基材層３１は、無延伸成形によって得られたものであってもよく、延伸成形によって得られたものであってもよい。延伸成形によって得られた基材層３１が好ましい。 The base material layer 31 may be obtained by non-stretching molding or may be obtained by stretching molding. The base material layer 31 obtained by stretch molding is preferable.

基材層３１の厚さ（総厚さ）は、５５μｍ以上１９５μｍ以下であることが好ましく、５５μｍ以上１９０μｍ以下であることがより好ましく、５５μｍ以上１７０μｍ以下であることがさらに好ましく、６０μｍ以上１６０μｍ以下であることが最適である。
基材層３１の厚さは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ－２０５）を用いて、ランダムに選んだ５点の厚さを測定し、これらの厚さを算術平均することによって求めることができる。 The thickness (total thickness) of the base material layer 31 is preferably 55 μm or more and 195 μm or less, more preferably 55 μm or more and 190 μm or less, further preferably 55 μm or more and 170 μm or less, and 60 μm or more and 160 μm or less. Is optimal.
The thickness of the base material layer 31 is determined by measuring the thickness of five randomly selected points using a dial gauge (manufactured by PEACOCK, model R-205) and arithmetically averaging these thicknesses. Can be asked.

基材層３１は、樹脂フィルムで構成されていることが好ましい。
基材層３１の表面には、粘着剤層３２との密着性を高めるために、表面処理が施されていてもよい。表面処理としては、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的方法又は物理的方法による酸化処理等が採用され得る。また、アンカーコーティング剤、プライマー、接着剤等のコーティング剤によるコーティング処理が施されていてもよい。 The base material layer 31 is preferably made of a resin film.
The surface of the base material layer 31 may be surface-treated in order to improve the adhesion to the pressure-sensitive adhesive layer 32. As the surface treatment, for example, chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high-voltage impact exposure, oxidation treatment by a chemical method such as ionizing radiation treatment, or oxidation treatment by a physical method can be adopted. Further, a coating treatment with a coating agent such as an anchor coating agent, a primer, or an adhesive may be applied.

基材層３１の背面側（粘着剤層３２が重なっていない側）には、剥離性を付与するために、例えば、シリコーン系樹脂やフッ素系樹脂等の離型剤（剥離剤）などによって離型処理が施されていてもよい。
基材層３１は、背面側から紫外線等の活性エネルギー線を粘着剤層３２へ与えることが可能となる点で、光透過性（紫外線透過性）の樹脂フィルム等であることが好ましい。 The back surface side of the base material layer 31 (the side where the pressure-sensitive adhesive layer 32 does not overlap) is separated by, for example, a mold release agent (release agent) such as a silicone-based resin or a fluorine-based resin in order to impart peelability. It may be mold-processed.
The base material layer 31 is preferably a light-transmitting (ultraviolet-transmitting) resin film or the like in that active energy rays such as ultraviolet rays can be given to the pressure-sensitive adhesive layer 32 from the back surface side.

上記のダイシングテープ３０は、使用される前の状態において、粘着剤層３２の一方の面（粘着剤層３２が基材層３１と重なっていない面）を覆う剥離テープを備えてもよい。粘着剤層３２よりも小さい面積の接着層２０が、粘着剤層３２に収まるように配置されている場合、剥離テープは、粘着剤層３２及び接着層２０の両方を覆うように配置される。剥離テープは、粘着剤層３２を保護するために用いられ、粘着剤層３２に接着層２０を貼り付ける前に剥がされる。 The dicing tape 30 may include a release tape that covers one surface of the pressure-sensitive adhesive layer 32 (the surface where the pressure-sensitive adhesive layer 32 does not overlap with the base material layer 31) before being used. When the adhesive layer 20 having an area smaller than that of the pressure-sensitive adhesive layer 32 is arranged so as to fit in the pressure-sensitive adhesive layer 32, the release tape is arranged so as to cover both the pressure-sensitive adhesive layer 32 and the adhesive layer 20. The release tape is used to protect the pressure-sensitive adhesive layer 32 and is peeled off before the adhesive layer 20 is attached to the pressure-sensitive adhesive layer 32.

剥離テープとしては、例えば、シリコーン系、長鎖アルキル系、フッ素系、硫化モリブデン等の剥離剤によって表面処理された、プラスチックフィルム又は紙等を用いることができる。
また、剥離テープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、クロロフルオロエチレン・フッ化ビニリデン共重合体等のフッ素系ポリマー製のフィルム；ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン製のフィルム；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル製のフィルムなどを用いることができる。
また、剥離テープとしては、例えば、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤によって表面コートされた、プラスチックフィルム又は紙類などを用いることができる。 As the release tape, for example, a plastic film or paper surface-treated with a release agent such as silicone-based, long-chain alkyl-based, fluorine-based, or molybdenum sulfide can be used.
Examples of the release tape include polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polyvinyl fluoride, polyvinylidene fluoride, tetrafluoroethylene / hexafluoropropylene copolymer, chlorofluoroethylene / vinylidene fluoride copolymer and the like. A film made of a fluoropolymer; a film made of polyolefin such as polyethylene and polypropylene; a film made of polyester such as polyethylene terephthalate (PET) and the like can be used.
Further, as the release tape, for example, a plastic film or paper coated on the surface with a release agent such as a fluorine-based release agent or a long-chain alkyl acrylate-based release agent can be used.

本実施形態において、粘着剤層３２は、例えば、アクリルポリマーと、イソシアネート化合物と、重合開始剤とを含む。
粘着剤層３２は、５μｍ以上４０μｍ以下の厚さを有してもよい。粘着剤層３２の形状および大きさは、通常、基材層３１の形状および大きさと同じである。 In the present embodiment, the pressure-sensitive adhesive layer 32 contains, for example, an acrylic polymer, an isocyanate compound, and a polymerization initiator.
The pressure-sensitive adhesive layer 32 may have a thickness of 5 μm or more and 40 μm or less. The shape and size of the pressure-sensitive adhesive layer 32 are usually the same as the shape and size of the base material layer 31.

上記のアクリルポリマーは、分子中に、アルキル（メタ）アクリレートの構成単位と、水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位と、重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位と、を少なくとも有する。構成単位は、アクリルポリマーの主鎖を構成する単位である。上記のアクリルポリマーにおける各側鎖は、主鎖を構成する各構成単位に含まれる。
なお、本明細書において、「（メタ）アクリレート」との表記は、メタクリレート（メタクリル酸エステル）及びアクリレート（アクリル酸エステル）のうちの少なくとも一方を表す。同様に、「（メタ）アクリル酸」との表記は、メタクリル酸及びアクリル酸のうちの少なくとも一方を表す。 The above acrylic polymer has at least a constituent unit of an alkyl (meth) acrylate, a constituent unit of a hydroxyl group-containing (meth) acrylate, and a constituent unit of a polymerizable group-containing (meth) acrylate in the molecule. The structural unit is a unit that constitutes the main chain of the acrylic polymer. Each side chain in the above acrylic polymer is contained in each structural unit constituting the main chain.
In addition, in this specification, the notation "(meth) acrylate" represents at least one of methacrylate (methacrylic acid ester) and acrylate (acrylic acid ester). Similarly, the notation "(meth) acrylic acid" represents at least one of methacrylic acid and acrylic acid.

粘着剤層３２に含まれるアクリルポリマーにおいて、上記の構成単位は、１Ｈ－ＮＭＲ、１３Ｃ－ＮＭＲなどのＮＭＲ分析、熱分解ＧＣ／ＭＳ分析、及び、赤外分光法などによって確認できる。なお、アクリルポリマーにおける上記の構成単位のモル割合は、通常、アクリルポリマーを重合するときの配合量（仕込量）から算出される。 In the acrylic polymer contained in the pressure-sensitive adhesive layer 32, the above-mentioned structural units can be confirmed by NMR analysis such as 1 H-NMR and 13 C-NMR, thermal decomposition GC / MS analysis, infrared spectroscopy and the like. The molar ratio of the above-mentioned structural units in the acrylic polymer is usually calculated from the blending amount (charged amount) when the acrylic polymer is polymerized.

上記のアルキル（メタ）アクリレートの構成単位は、アルキル（メタ）アクリレートモノマーに由来する。換言すると、アルキル（メタ）アクリレートモノマーが重合反応したあとの分子構造が、アルキル（メタ）アクリレートの構成単位である。「アルキル」という表記は、（メタ）アクリル酸に対してエステル結合した炭化水素部分の炭素数を表す。
アルキル（メタ）アクリレートの構成単位におけるアルキル部分の炭化水素部分は、飽和炭化水素であってもよく、不飽和炭化水素であってもよい。
なお、アルキル部分は、酸素（Ｏ）や窒素（Ｎ）などを含有する極性基を含まないことが好ましい。これにより、アルキルポリマーの極性が極端に高まることを抑制できる。従って、粘着剤層３２が、接着層２０に対して過度の親和性を有することが抑えられる。よって、接着層２０からダイシングテープ３０を、より良好に剥離することができる。アルキル部分の炭素数は、６以上１０以下であってもよい。 The structural unit of the above alkyl (meth) acrylate is derived from the alkyl (meth) acrylate monomer. In other words, the molecular structure of the alkyl (meth) acrylate monomer after the polymerization reaction is the structural unit of the alkyl (meth) acrylate. The notation "alkyl" represents the number of carbon atoms in the hydrocarbon moiety ester-bonded to (meth) acrylic acid.
The hydrocarbon moiety of the alkyl moiety in the constituent unit of the alkyl (meth) acrylate may be a saturated hydrocarbon or an unsaturated hydrocarbon.
The alkyl moiety preferably does not contain a polar group containing oxygen (O), nitrogen (N), or the like. This can prevent the polarity of the alkyl polymer from becoming extremely high. Therefore, it is possible to prevent the pressure-sensitive adhesive layer 32 from having an excessive affinity for the adhesive layer 20. Therefore, the dicing tape 30 can be better peeled off from the adhesive layer 20. The number of carbon atoms in the alkyl moiety may be 6 or more and 10 or less.

アルキル（メタ）アクリレートの構成単位としては、例えば、ヘキシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ－またはｉｓｏ－ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレートなどの各構成単位が挙げられる。 Examples of the structural unit of the alkyl (meth) acrylate include each structural unit such as hexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, n- or iso-nonyl (meth) acrylate, and decyl (meth) acrylate. Be done.

アクリルポリマーは、水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位を有し、斯かる構成単位の水酸基が、イソシアネート基と容易に反応する。
水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位を有するアクリルポリマーと、イソシアネート化合物とを粘着剤層３２に共存させておくことによって、粘着剤層３２を適度に硬化させることができる。そのため、アクリルポリマーが十分にゲル化できる。よって、粘着剤層３２は、形状を維持しつつ粘着性能を発揮できる。 The acrylic polymer has a constituent unit of a hydroxyl group-containing (meth) acrylate, and the hydroxyl group of such a constituent unit easily reacts with an isocyanate group.
By allowing the acrylic polymer having a constituent unit of the hydroxyl group-containing (meth) acrylate and the isocyanate compound to coexist in the pressure-sensitive adhesive layer 32, the pressure-sensitive adhesive layer 32 can be appropriately cured. Therefore, the acrylic polymer can be sufficiently gelled. Therefore, the pressure-sensitive adhesive layer 32 can exhibit adhesive performance while maintaining its shape.

水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位は、水酸基含有Ｃ２～Ｃ４アルキル（メタ）アクリレートの構成単位であることが好ましい。「Ｃ２～Ｃ４アルキル」という表記は、（メタ）アクリル酸に対してエステル結合した炭化水素部分の炭素数を表す。換言すると、水酸基含有Ｃ２～Ｃ４アルキル（メタ）アクリレートモノマーは、（メタ）アクリル酸と、炭素数２～４のアルコール（通常、２価アルコール）とがエステル結合したモノマーを示す。
Ｃ２～Ｃ４アルキルの炭化水素部分は、通常、飽和炭化水素である。例えば、Ｃ２～Ｃ４アルキルの炭化水素部分は、直鎖状飽和炭化水素、又は、分岐鎖状飽和炭化水素である。Ｃ２～Ｃ４アルキルの炭化水素部分は、酸素（Ｏ）や窒素（Ｎ）などを含有する極性基を含まないことが好ましい。 The structural unit of the hydroxyl group-containing (meth) acrylate is preferably the structural unit of the hydroxyl group-containing C2-C4 alkyl (meth) acrylate. The notation "C2-C4 alkyl" represents the number of carbon atoms of the hydrocarbon moiety ester-bonded to (meth) acrylic acid. In other words, the hydroxyl group-containing C2-C4 alkyl (meth) acrylate monomer represents a monomer in which (meth) acrylic acid and an alcohol having 2 to 4 carbon atoms (usually a dihydric alcohol) are ester-bonded.
The hydrocarbon moiety of the C2-C4 alkyl is usually a saturated hydrocarbon. For example, the hydrocarbon moiety of the C2-C4 alkyl is a linear saturated hydrocarbon or a branched chain saturated hydrocarbon. The hydrocarbon moiety of the C2-C4 alkyl preferably does not contain a polar group containing oxygen (O), nitrogen (N) or the like.

水酸基含有Ｃ２～Ｃ４アルキル（メタ）アクリレートの構成単位としては、例えば、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヒドロキシｎ－ブチル（メタ）アクリレート、又は、ヒドロキシｉｓｏ－ブチル（メタ）アクリレートといったヒドロキシブチル（メタ）アクリレートの各構成単位が挙げられる。なお、ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートの構成単位において、水酸基（－ＯＨ基）は、炭化水素部分の末端の炭素（Ｃ）に結合していてもよく、炭化水素部分の末端以外の炭素（Ｃ）に結合していてもよい。 Examples of the constituent unit of the hydroxyl group-containing C2-C4 alkyl (meth) acrylate include hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, hydroxy n-butyl (meth) acrylate, or hydroxyiso-butyl (meth). Examples thereof include each structural unit of hydroxybutyl (meth) acrylate such as acrylate. In the structural unit of hydroxybutyl (meth) acrylate, the hydroxyl group (-OH group) may be bonded to the carbon (C) at the terminal of the hydrocarbon portion, and the carbon (C) other than the terminal of the hydrocarbon portion may be bonded. It may be bound to.

上記のアクリルポリマーは、側鎖に重合性不飽和二重結合を有する重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位を含む。
上記のアクリルポリマーが、重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位を含むことによって、ピックアップ工程の前に、粘着剤層３２を、活性エネルギー線（紫外線等）の照射によって硬化させることができる。詳しくは、紫外線等の活性エネルギー線の照射によって、光重合開始剤からラジカルを発生させ、このラジカルの作用によって、アクリルポリマー同士を架橋反応させることができる。これによって、照射前における粘着剤層３２の粘着力を、照射によって低下させることができる。そして、接着層２０を粘着剤層３２から良好に剥離させることができる。
なお、活性エネルギー線としては、紫外線、放射線、電子線が採用される。 The acrylic polymer described above contains a building block of a polymerizable group-containing (meth) acrylate having a polymerizable unsaturated double bond in the side chain.
By including the constituent unit of the polymerizable group-containing (meth) acrylate in the acrylic polymer, the pressure-sensitive adhesive layer 32 can be cured by irradiation with active energy rays (ultraviolet rays or the like) before the pick-up step. Specifically, radicals can be generated from the photopolymerization initiator by irradiation with active energy rays such as ultraviolet rays, and the acrylic polymers can be crosslinked with each other by the action of the radicals. Thereby, the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 32 before irradiation can be reduced by irradiation. Then, the adhesive layer 20 can be satisfactorily peeled off from the adhesive layer 32.
As the active energy rays, ultraviolet rays, radiation, and electron beams are adopted.

重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位は、具体的には、上述した水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位における水酸基に、イソシアネート基含有（メタ）アクリレートモノマーのイソシアネート基がウレタン結合した分子構造を有してもよい。 The structural unit of the polymerizable group-containing (meth) acrylate is specifically a molecular structure in which the isocyanate group of the isocyanate group-containing (meth) acrylate monomer is urethane-bonded to the hydroxyl group in the above-mentioned structural unit of the hydroxyl group-containing (meth) acrylate. May have.

重合性基を有する重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位は、アクリルポリマーの重合後に、調製され得る。例えば、アルキル（メタ）アクリレートモノマーと、水酸基含有（メタ）アクリレートモノマーとの共重合の後に、水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位の一部における水酸基と、イソシアネート基含有重合性モノマーのイソシアネート基とを、ウレタン化反応させることによって、上記の重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位を得ることができる。 The building blocks of the polymerizable group-containing (meth) acrylate having a polymerizable group can be prepared after the polymerization of the acrylic polymer. For example, after the copolymerization of the alkyl (meth) acrylate monomer and the hydroxyl group-containing (meth) acrylate monomer, the hydroxyl group in a part of the constituent unit of the hydroxyl group-containing (meth) acrylate and the isocyanate group of the isocyanate group-containing polymerizable monomer are used. , The above-mentioned structural unit of the polymerizable group-containing (meth) acrylate can be obtained.

上記のイソシアネート基含有（メタ）アクリレートモノマーは、分子中にイソシアネート基を１つ有し且つ（メタ）アクリロイル基を１つ有することが好ましい。斯かるモノマーとしては、例えば、２－イソシアナトエチル（メタ）アクリレートが挙げられる。 The isocyanate group-containing (meth) acrylate monomer preferably has one isocyanate group in the molecule and one (meth) acryloyl group. Examples of such a monomer include 2-isocyanatoethyl (meth) acrylate.

本実施形態におけるダイシングテープ３０の粘着剤層３２は、さらにイソシアネート化合物を含む。イソシアネート化合物の一部は、ウレタン化反応などによって反応した後の状態であってもよい。
イソシアネート化合物は、分子中に複数のイソシアネート基を有する。イソシアネート化合物が分子中に複数のイソシアネート基を有することによって、粘着剤層３２におけるアクリルポリマー間の架橋反応を進行させることができる。詳しくは、イソシアネート化合物の一方のイソシアネート基をアクリルポリマーの水酸基と反応させ、他方のイソシアネート基を別のアクリルポリマーの水酸基と反応させることで、イソシアネート化合物を介した架橋反応を進行させることができる。 The pressure-sensitive adhesive layer 32 of the dicing tape 30 in the present embodiment further contains an isocyanate compound. A part of the isocyanate compound may be in a state after the reaction by a urethanization reaction or the like.
The isocyanate compound has a plurality of isocyanate groups in the molecule. When the isocyanate compound has a plurality of isocyanate groups in the molecule, the cross-linking reaction between the acrylic polymers in the pressure-sensitive adhesive layer 32 can proceed. Specifically, by reacting one isocyanate group of the isocyanate compound with the hydroxyl group of the acrylic polymer and reacting the other isocyanate group with the hydroxyl group of another acrylic polymer, the cross-linking reaction via the isocyanate compound can proceed.

イソシアネート化合物としては、例えば、脂肪族ジイソシアネート、脂環族ジイソシアネート、又は、芳香脂肪族ジイソシアネートなどのジイソシアネートが挙げられる。 Examples of the isocyanate compound include diisocyanates such as aliphatic diisocyanates, alicyclic diisocyanates, and aromatic aliphatic diisocyanates.

さらに、イソシアネート化合物としては、例えば、ジイソシアネートの二量体や三量体等の重合ポリイソシアネート、ポリメチレンポリフェニレンポリイソシアネートが挙げられる。 Further, examples of the isocyanate compound include polymerized polyisocyanates such as diisocyanates and trimers, and polymethylene polyphenylene polyisocyanates.

加えて、イソシアネート化合物としては、例えば、上述したイソシアネート化合物の過剰量と、活性水素含有化合物とを反応させたポリイソシアネートが挙げられる。活性水素含有化合物としては、活性水素含有低分子量化合物、活性水素含有高分子量化合物などが挙げられる。
なお、イソシアネート化合物としては、アロファネート化ポリイソシアネート、ビウレット化ポリイソシアネート等も用いることができる。
上記のイソシアネート化合物は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。 In addition, examples of the isocyanate compound include polyisocyanate obtained by reacting an excess amount of the above-mentioned isocyanate compound with an active hydrogen-containing compound. Examples of the active hydrogen-containing compound include an active hydrogen-containing low molecular weight compound and an active hydrogen-containing high molecular weight compound.
As the isocyanate compound, allophanated polyisocyanate, biuretized polyisocyanate and the like can also be used.
The above isocyanate compounds may be used alone or in combination of two or more.

上記のイソシアネート化合物としては、芳香族ジイソシアネートと活性水素含有低分子量化合物との反応物が好ましい。芳香族ジイソシアネートの反応物は、イソシアネート基の反応速度が比較的遅いため、斯かる反応物を含む粘着剤層３２は、過度に硬化してしまうことが抑制される。上記のイソシアネート化合物としては、分子中にイソシアネート基を３つ以上有するものが好ましい。 As the above-mentioned isocyanate compound, a reaction product of an aromatic diisocyanate and an active hydrogen-containing low molecular weight compound is preferable. Since the reaction product of the aromatic diisocyanate has a relatively slow reaction rate of the isocyanate group, the pressure-sensitive adhesive layer 32 containing such the reaction product is suppressed from being excessively cured. The above isocyanate compound is preferably one having three or more isocyanate groups in the molecule.

粘着剤層３２に含まれる重合開始剤は、加えられた熱や光のエネルギーによって重合反応を開始できる化合物である。粘着剤層３２が重合開始剤を含むことによって、粘着剤層３２に熱エネルギーや光エネルギーを与えたときに、アクリルポリマー間における架橋反応を進行させることができる。詳しくは、重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位を有するアクリルポリマー間において、重合性基同士の重合反応を開始させて、粘着剤層３２を硬化させることができる。これにより、粘着剤層３２の粘着力を低下させ、ピックアップ工程において、硬化した粘着剤層３２から接着層２０を容易に剥離させることができる。
重合開始剤としては、例えば、光重合開始剤又は熱重合開始剤などが採用される。重合開始剤としては、一般的な市販製品を使用できる。 The polymerization initiator contained in the pressure-sensitive adhesive layer 32 is a compound capable of initiating a polymerization reaction by the applied heat or light energy. When the pressure-sensitive adhesive layer 32 contains a polymerization initiator, the cross-linking reaction between the acrylic polymers can proceed when the pressure-sensitive adhesive layer 32 is subjected to thermal energy or light energy. Specifically, the pressure-sensitive adhesive layer 32 can be cured by initiating a polymerization reaction between the polymerizable groups between acrylic polymers having a constituent unit of the polymerizable group-containing (meth) acrylate. As a result, the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer 32 is reduced, and the adhesive layer 20 can be easily peeled off from the cured pressure-sensitive adhesive layer 32 in the pick-up step.
As the polymerization initiator, for example, a photopolymerization initiator or a thermal polymerization initiator is adopted. As the polymerization initiator, a general commercial product can be used.

粘着剤層３２は、上述した成分以外のその他の成分をさらに含み得る。その他の成分としては、例えば、粘着付与剤、可塑剤、充填剤、老化防止剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、耐熱安定剤、帯電防止剤、界面活性剤、軽剥離化剤等が挙げられる。その他の成分の種類および使用量は、目的に応じて、適切に選択され得る。 The pressure-sensitive adhesive layer 32 may further contain other components other than those described above. Other components include, for example, tackifiers, plasticizers, fillers, antioxidants, antioxidants, UV absorbers, light stabilizers, heat stabilizers, antistatic agents, surfactants, light stripping agents. And so on. The types and amounts of other ingredients can be appropriately selected depending on the intended purpose.

本実施形態のスペーサ付ダイシング接着フィルム１は、チップ埋込型の半導体集積回路（ＦＯＤ［Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｄｉｅ］型半導体集積回路）を製造するときに半導体チップを接着層２０で埋め込むために使用されることが好ましい。詳しくは、スペーサ付ダイシング接着フィルム１は、半導体チップｗ’を接着層２０で埋め込むように、接着層２０を基板Ｚに接着させて使用される（図１Ｃ、図５Ａなどを参照）ことが好ましい。
本実施形態において、樹脂製のスペーサ層１０を有するスペーサ付ダイシング接着フィルム１を上述した用途で使用できるため、スペーサ層がＳｉウエハである従来の加工用フィルムを使用するよりも、半導体集積回路の製造プロセスを短縮できる。具体的には、Ｓｉウエハにバックグラインドテープを貼り付け、バックグラインドによってＳｉウエハを所望の厚さに加工する一連の工程を実施する必要がない。また、Ｓｉウエハの供給不足に影響されずにスペーサ層を作製でき、比較的安価な樹脂によってスペーサ層を作製できる。
なお、スペーサ付ダイシング接着フィルム１は、制御用のコントローラチップｗ’よりも上に記憶用のＮＡＮＤチップｗ”を積層するためのスペースを確保するために、接着層２０を基板Ｚに接着させて使用されてもよい（図５Ｂ～図５Ｅなどを参照）。この場合、スペーサ付ダイシング接着フィルム１は、ボンディングワイヤＬを接着層２０で埋め込むように、接着層２０を基板Ｚに接着させて使用されてもよい。 The dicing adhesive film 1 with a spacer of the present embodiment is used for embedding a semiconductor chip in the adhesive layer 20 when manufacturing a chip-embedded semiconductor integrated circuit (FOD [Film on Die] type semiconductor integrated circuit). Is preferable. Specifically, the dicing adhesive film 1 with a spacer is preferably used by adhering the adhesive layer 20 to the substrate Z so that the semiconductor chip w'is embedded in the adhesive layer 20 (see FIGS. 1C, 5A, etc.). ..
In the present embodiment, since the dicing adhesive film 1 with a spacer having the spacer layer 10 made of resin can be used for the above-mentioned applications, the semiconductor integrated circuit can be used as compared with the conventional processing film in which the spacer layer is a Si wafer. The manufacturing process can be shortened. Specifically, it is not necessary to attach a back grind tape to the Si wafer and carry out a series of steps of processing the Si wafer to a desired thickness by back grind. Further, the spacer layer can be produced without being affected by the shortage of supply of the Si wafer, and the spacer layer can be produced by using a relatively inexpensive resin.
In the dicing adhesive film 1 with a spacer, the adhesive layer 20 is adhered to the substrate Z in order to secure a space for laminating the storage NAND chip w'on the control controller chip w'. It may be used (see FIGS. 5B to 5E, etc.). In this case, the dicing adhesive film 1 with a spacer is used by adhering the adhesive layer 20 to the substrate Z so that the bonding wire L is embedded in the adhesive layer 20. May be done.

続いて、本実施形態のスペーサ付ダイシング接着フィルム１の製造方法について説明する。 Subsequently, a method for manufacturing the dicing adhesive film 1 with a spacer according to the present embodiment will be described.

＜スペーサ付ダイシング接着フィルムの製造方法＞
本実施形態のスペーサ付ダイシング接着フィルム１の製造方法は、
スペーサ層１０を作製する工程と、
接着層２０を作製する工程と、
ダイシングテープ３０を作製する工程と、
製造されたスペーサ層１０と接着層２０とダイシングテープ３０とを重ね合わせる工程とを備える。 <Manufacturing method of dicing adhesive film with spacer>
The method for manufacturing the dicing adhesive film 1 with a spacer according to the present embodiment is as follows.
The process of producing the spacer layer 10 and
The process of producing the adhesive layer 20 and
The process of making the dicing tape 30 and
A step of superimposing the manufactured spacer layer 10, the adhesive layer 20, and the dicing tape 30 is provided.

（スペーサ層を作製する工程）
スペーサ層１０を作製する工程は、例えば、スペーサ層１０を形成するための樹脂組成物を調製する樹脂組成物調製工程と、樹脂組成物からスペーサ層１０を形成するスペーサ層形成工程と、を有してもよい。
一方、市販されている樹脂フィルムをスペーサ層１０として採用してもよい。 (Process for producing spacer layer)
The step of producing the spacer layer 10 includes, for example, a resin composition preparation step of preparing a resin composition for forming the spacer layer 10 and a spacer layer forming step of forming the spacer layer 10 from the resin composition. You may.
On the other hand, a commercially available resin film may be used as the spacer layer 10.

（接着層を作製する工程）
接着層２０を作製する工程は、
接着層２０を形成するための樹脂組成物を調製する樹脂組成物調製工程と、
樹脂組成物から接着層２０を形成する接着層形成工程と、を有する。 (Process for producing an adhesive layer)
The step of producing the adhesive layer 20 is
A resin composition preparation step for preparing a resin composition for forming the adhesive layer 20 and a process for preparing the resin composition.
It has an adhesive layer forming step of forming an adhesive layer 20 from a resin composition.

樹脂組成物調製工程では、例えば、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂の硬化触媒、アクリル樹脂、フェノール樹脂、溶媒などを混合して、各樹脂を溶媒に溶解させることによって、樹脂組成物を調製する。溶媒の量を変化させることによって、組成物の粘度を調整することができる。なお、これらの樹脂としては、市販されている製品を用いることができる。 In the resin composition preparation step, for example, an epoxy resin, a curing catalyst for an epoxy resin, an acrylic resin, a phenol resin, a solvent, or the like is mixed, and each resin is dissolved in the solvent to prepare a resin composition. The viscosity of the composition can be adjusted by varying the amount of solvent. As these resins, commercially available products can be used.

接着層形成工程では、例えば、上記のごとく調製した樹脂組成物を、剥離シートに塗布する。塗布方法としては、特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等の一般的な塗布方法が採用される。次に、必要に応じて、脱溶媒処理や硬化処理等によって、塗布した組成物を固化させて、接着層２０を形成する。
なお、接着層形成工程では、上記のごとく調製した樹脂組成物をスペーサ層１０に塗布することによって、スペーサ層１０に重なった接着層２０を形成してもよい。 In the adhesive layer forming step, for example, the resin composition prepared as described above is applied to the release sheet. The coating method is not particularly limited, and for example, a general coating method such as roll coating, screen coating, or gravure coating is adopted. Next, if necessary, the applied composition is solidified by a desolvation treatment, a curing treatment, or the like to form an adhesive layer 20.
In the adhesive layer forming step, the adhesive layer 20 overlapped with the spacer layer 10 may be formed by applying the resin composition prepared as described above to the spacer layer 10.

（ダイシングテープを作製する工程）
ダイシングテープ３０を作製する工程は、
アクリルポリマーを合成する合成工程と、
上述したアクリルポリマーと、イソシアネート化合物と、重合開始剤と、溶媒と、目的に応じて適宜追加するその他の成分と、を含む粘着剤組成物から溶媒を揮発させて粘着剤層３２を作製する粘着剤層作製工程と、
基材層３１を作製する基材層作製工程と、
粘着剤層３２と基材層３１とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、を備える。 (Process for making dicing tape)
The process of producing the dicing tape 30 is
The synthetic process of synthesizing acrylic polymer and
Adhesive to prepare a pressure-sensitive adhesive layer 32 by volatilizing a solvent from a pressure-sensitive adhesive composition containing the above-mentioned acrylic polymer, isocyanate compound, polymerization initiator, solvent, and other components appropriately added depending on the purpose. The agent layer preparation process and
The process of preparing the base material layer 31 and the process of preparing the base material layer 31
The present invention comprises a bonding step of bonding the pressure-sensitive adhesive layer 32 and the base material layer 31.

合成工程では、例えば、Ｃ９～Ｃ１１アルキル（メタ）アクリレートモノマーと、水酸基含有（メタ）アクリレートモノマーと、をラジカル重合させることによって、アクリルポリマー中間体を合成する。
ラジカル重合は、一般的な方法によって行うことができる。例えば、上記の各モノマーを溶媒に溶解させて加熱しながら撹拌し、重合開始剤を添加することによって、アクリルポリマー中間体を合成できる。アクリルポリマーの分子量を調整するために、連鎖移動剤の存在下において重合を行ってもよい。
次に、アクリルポリマー中間体に含まれる、水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位の一部の水酸基と、イソシアネート基含有重合性モノマーのイソシアネート基とを、ウレタン化反応によって結合させる。これにより、水酸基含有（メタ）アクリレートの構成単位の一部が、重合性基含有（メタ）アクリレートの構成単位となる。
ウレタン化反応は、一般的な方法によって行うことができる。例えば、溶媒及びウレタン化触媒の存在下において、加熱しながらアクリルポリマー中間体とイソシアネート基含有重合性モノマーとを撹拌する。これにより、アクリルポリマー中間体の水酸基の一部に、イソシアネート基含有重合性モノマーのイソシアネート基をウレタン結合させることができる。 In the synthesis step, for example, an acrylic polymer intermediate is synthesized by radically polymerizing a C9 to C11 alkyl (meth) acrylate monomer and a hydroxyl group-containing (meth) acrylate monomer.
Radical polymerization can be carried out by a general method. For example, an acrylic polymer intermediate can be synthesized by dissolving each of the above monomers in a solvent, stirring while heating, and adding a polymerization initiator. In order to adjust the molecular weight of the acrylic polymer, the polymerization may be carried out in the presence of a chain transfer agent.
Next, a partial hydroxyl group of the constituent unit of the hydroxyl group-containing (meth) acrylate contained in the acrylic polymer intermediate and the isocyanate group of the isocyanate group-containing polymerizable monomer are bonded by a urethanization reaction. As a result, a part of the constituent unit of the hydroxyl group-containing (meth) acrylate becomes the constituent unit of the polymerizable group-containing (meth) acrylate.
The urethanization reaction can be carried out by a general method. For example, in the presence of a solvent and a urethanization catalyst, the acrylic polymer intermediate and the isocyanate group-containing polymerizable monomer are stirred while heating. As a result, the isocyanate group of the isocyanate group-containing polymerizable monomer can be urethane-bonded to a part of the hydroxyl groups of the acrylic polymer intermediate.

粘着剤層作製工程では、例えば、アクリルポリマーと、イソシアネート化合物と、重合開始剤とを溶媒に溶解させて、粘着剤組成物を調製する。溶媒の量を変化させることによって、組成物の粘度を調整することができる。次に、粘着剤組成物を剥離シートに塗布する。塗布方法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等の一般的な塗布方法が採用される。塗布した組成物に、脱溶媒処理や固化処理等を施すことによって、塗布した粘着剤組成物を固化させて、粘着剤層３２を作製する。 In the pressure-sensitive adhesive layer preparation step, for example, an acrylic polymer, an isocyanate compound, and a polymerization initiator are dissolved in a solvent to prepare a pressure-sensitive adhesive composition. The viscosity of the composition can be adjusted by varying the amount of solvent. Next, the pressure-sensitive adhesive composition is applied to the release sheet. As the coating method, for example, a general coating method such as roll coating, screen coating, or gravure coating is adopted. The applied pressure-sensitive adhesive composition is solidified by subjecting the applied composition to a desolvation treatment, a solidification treatment, or the like to prepare a pressure-sensitive adhesive layer 32.

基材層作製工程では、一般的な方法によって製膜して基材層３１を作製できる。製膜する方法としては、例えば、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、ドライラミネート法等が挙げられる。共押出し成形法を採用してもよい。なお、基材層３１として、市販されているフィルム等を用いてもよい。 In the base material layer producing step, the base material layer 31 can be produced by forming a film by a general method. Examples of the film forming method include a calendar film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, a dry laminating method and the like. A coextrusion molding method may be adopted. A commercially available film or the like may be used as the base material layer 31.

貼り合わせ工程では、剥離シートに重なった状態の粘着剤層３２と基材層３１とを重ねて積層させる。なお、剥離シートは、使用前まで粘着剤層３２に重なった状態であってもよい。
なお、架橋剤とアクリルポリマーとの反応を促進するため、また、架橋剤と基材層３１の表面部分との反応を促進するために、貼り合わせ工程の後に、５０℃環境下で、４８時間のエージング処理工程を実施してもよい。 In the bonding step, the pressure-sensitive adhesive layer 32 and the base material layer 31 in a state of being overlapped with the release sheet are overlapped and laminated. The release sheet may be in a state of being overlapped with the adhesive layer 32 until before use.
In order to promote the reaction between the cross-linking agent and the acrylic polymer and to promote the reaction between the cross-linking agent and the surface portion of the base material layer 31, after the bonding step, the reaction is carried out in a 50 ° C. environment for 48 hours. The aging treatment step of the above may be carried out.

これら工程によって、ダイシングテープ３０を製造することができる。 By these steps, the dicing tape 30 can be manufactured.

（スペーサ層が付着した接着層とダイシングテープとを重ね合わせる工程）
接着層２０とダイシングテープ３０とを重ね合わせる工程では、上記のごとく製造したダイシングテープ３０の粘着剤層３２に接着層２０を貼り付ける。 (Step of superimposing the adhesive layer to which the spacer layer is attached and the dicing tape)
In the step of superimposing the adhesive layer 20 and the dicing tape 30, the adhesive layer 20 is attached to the adhesive layer 32 of the dicing tape 30 manufactured as described above.

斯かる貼り付けでは、ダイシングテープ３０の粘着剤層３２、及び、接着層２０からそれぞれ剥離シートを剥離し、接着層２０と粘着剤層３２とが直接接触するように、両者を貼り合わせる。例えば、圧着することによって貼り合わせることができる。貼り合わせるときの温度は、特に限定されず、例えば、３０℃以上５０℃以下であり、好ましくは３５℃以上４５℃以下である。貼り合わせるときの線圧は、特に限定されないが、好ましくは０．１ｋｇｆ／ｃｍ以上２０ｋｇｆ／ｃｍ以下であり、より好ましくは１ｋｇｆ／ｃｍ以上１０ｋｇｆ／ｃｍ以下である。 In such attachment, the release sheet is peeled off from the adhesive layer 32 and the adhesive layer 20 of the dicing tape 30, and both are attached so that the adhesive layer 20 and the adhesive layer 32 are in direct contact with each other. For example, they can be bonded by crimping. The temperature at the time of bonding is not particularly limited, and is, for example, 30 ° C. or higher and 50 ° C. or lower, preferably 35 ° C. or higher and 45 ° C. or lower. The linear pressure at the time of bonding is not particularly limited, but is preferably 0.1 kgf / cm or more and 20 kgf / cm or less, and more preferably 1 kgf / cm or more and 10 kgf / cm or less.

＜スペーサ付ダイシング接着フィルムの製造方法（具体例）＞
本実施形態のスペーサ付ダイシング接着フィルム１は、図２及び図３に示すように、長尺シート状のダイシングテープ３０の片面側に、スペーサ層１０と接着層２０との積層シートが重なっている。ダイシングテープ３０に重なる積層シート（スペーサ層１０及び接着層２０）は、厚さ方向に見て円形状であり、ダイシングテープ３０の長手方向に沿って複数の積層シートが一列に並んでいる。このような形態のスペーサ付ダイシング接着フィルム１は、例えば、以下のようにして剥離テープＨ及び転写テープＴを使用して製造することができる。 <Manufacturing method of dicing adhesive film with spacer (specific example)>
In the dicing adhesive film 1 with a spacer of the present embodiment, as shown in FIGS. 2 and 3, a laminated sheet of a spacer layer 10 and an adhesive layer 20 is overlapped on one side of a long sheet-shaped dicing tape 30. .. The laminated sheet (spacer layer 10 and adhesive layer 20) overlapping the dicing tape 30 has a circular shape when viewed in the thickness direction, and a plurality of laminated sheets are lined up in a row along the longitudinal direction of the dicing tape 30. The dicing adhesive film 1 with a spacer having such a form can be manufactured by using the release tape H and the transfer tape T as follows, for example.

スペーサ付ダイシング接着フィルム１は、例えば、図７Ａ、図８Ａ、及び図９Ａに示すような各装置（Ｉ、Ｉ’、Ｉ”）を用いて製造できる。
まず、図６Ａに示すように、スペーサ層１０（例えば樹脂フィルム）の上に、上述した樹脂組成物を塗布し、樹脂組成物から溶媒を揮発させることによって、スペーサ層１０に重なった接着層２０を作製する。次に、接着層２０に剥離テープＨを貼り付け、図６Ｂに示すように、剥離テープＨ付きの帯状の積層シートを作製する。なお、上述した樹脂組成物を剥離テープＨに塗布し、同様にして作製したスペーサ層１０に、スペーサ層１０を重ねることによっても、同様の積層シートを作製できる。
続いて、スペーサ層１０と接着層２０との積層シートを図７Ａに示すような装置にセットする。このとき、図７Ｂに示すように、剥離テープＨを下側にして積層シートを配置する。積層シートを装置に通しつつ、スペーサ層１０の上に転写テープＴを重ねる。この段階で、剥離テープＨとスペーサ層１０と接着層２０と転写テープＴとが貼り合わされたシートをいったん巻き取る。
さらに、いったん貼り合わされたシートを図８Ａに示すような装置にセットする。このとき、図８Ｂに示すように、転写テープＴを下側に配置する。貼り合わされたシートを装置に通しつつ、打ち抜き加工によって、剥離テープＨと積層シートとを円形状（所定形状）に打ち抜く。次に、円形状に打ち抜いた部分以外の剥離テープＨ（円形状部分以外の周辺部分の剥離テープＨ）を巻き上げることによって取り除く。その後、貼り合わされたシートの残部を装置によって下流方向へ移動させつつ、除去テープＳを貼り付ける。いったん貼り付けた除去テープＳを巻き上げることによって、薄い円板状の積層シートが転写テープＴ上に残るように、積層シートの不要な部分を取り除く（図８Ｃ参照）。続いて、互いに離間して並ぶこととなった複数の積層シートを覆うように、複数の薄い接着層２０の上にダイシングテープ３０を重ねる（図８Ｄ参照）。このとき、ダイシングテープ３０の粘着剤層３２が接着層２０に直接接触するように貼り付ける。この段階で、スペーサ層１０と接着層２０と転写テープＴとが貼り合わされたシートをいったん巻き取る。これにより、ダイシングテープ３０と接着層２０とスペーサ層１０とが積層したスペーサ付ダイシング接着フィルム１に転写テープＴが貼り付けられた状態となる。この状態を最終目的物としてもよいが、転写テープＴを取り除くべく、いったん巻き取って以下の操作をさらに加えてもよい。
加えて、いったん巻き取ったスペーサ付ダイシング接着フィルム１（転写テープＴ付き）を図９Ａに示すような装置にセットする。このとき、図９Ｂに示すように、転写テープＴを上側に、且つダイシングテープ３０を下側に配置する。スペーサ付ダイシング接着フィルム１を装置に通しつつ、転写テープＴを取り除く（図９Ｃ参照）。さらに、露出したスペーサ層１０を保護するために、スペーサ層１０に剥離テープＨを重ねてもよい（図９Ｄ参照）。 The dicing adhesive film 1 with a spacer can be manufactured, for example, by using each device (I, I', I ") as shown in FIGS. 7A, 8A, and 9A.
First, as shown in FIG. 6A, the above-mentioned resin composition is applied onto the spacer layer 10 (for example, a resin film), and the solvent is volatilized from the resin composition to cause the adhesive layer 20 to overlap the spacer layer 10. To make. Next, the release tape H is attached to the adhesive layer 20, and as shown in FIG. 6B, a strip-shaped laminated sheet with the release tape H is produced. A similar laminated sheet can also be produced by applying the above-mentioned resin composition to the release tape H and superimposing the spacer layer 10 on the spacer layer 10 produced in the same manner.
Subsequently, the laminated sheet of the spacer layer 10 and the adhesive layer 20 is set in an apparatus as shown in FIG. 7A. At this time, as shown in FIG. 7B, the laminated sheet is arranged with the release tape H on the lower side. The transfer tape T is laminated on the spacer layer 10 while passing the laminated sheet through the apparatus. At this stage, the sheet to which the release tape H, the spacer layer 10, the adhesive layer 20, and the transfer tape T are bonded is once wound up.
Further, the sheet once bonded is set in a device as shown in FIG. 8A. At this time, as shown in FIG. 8B, the transfer tape T is arranged on the lower side. While passing the bonded sheets through the device, the release tape H and the laminated sheet are punched into a circular shape (predetermined shape) by punching. Next, the release tape H other than the portion punched out in a circular shape (the release tape H in the peripheral portion other than the circular portion) is wound up to remove it. After that, the removal tape S is attached while the remaining portion of the attached sheet is moved in the downstream direction by the apparatus. By winding up the removal tape S once attached, unnecessary parts of the laminated sheet are removed so that the thin disk-shaped laminated sheet remains on the transfer tape T (see FIG. 8C). Subsequently, the dicing tape 30 is laminated on the plurality of thin adhesive layers 20 so as to cover the plurality of laminated sheets that are arranged apart from each other (see FIG. 8D). At this time, the adhesive layer 32 of the dicing tape 30 is attached so as to be in direct contact with the adhesive layer 20. At this stage, the sheet to which the spacer layer 10, the adhesive layer 20, and the transfer tape T are bonded is once wound up. As a result, the transfer tape T is attached to the dicing adhesive film 1 with a spacer in which the dicing tape 30, the adhesive layer 20, and the spacer layer 10 are laminated. This state may be the final object, but in order to remove the transfer tape T, it may be wound once and further the following operation may be performed.
In addition, the once wound dicing adhesive film 1 with spacer (with transfer tape T) is set in a device as shown in FIG. 9A. At this time, as shown in FIG. 9B, the transfer tape T is arranged on the upper side and the dicing tape 30 is arranged on the lower side. The transfer tape T is removed while passing the dicing adhesive film 1 with a spacer through the device (see FIG. 9C). Further, in order to protect the exposed spacer layer 10, the release tape H may be superposed on the spacer layer 10 (see FIG. 9D).

なお、図７Ａ、図８Ａ、及び図９Ａにおいて、各装置へ長尺シートを供給するときの送り出し方向、及び、長尺シートを回収するときの巻き取り方向は、特に限定されない。詳しくは、各装置の最上流側に配置され巻き取られた長尺シートは、内周側の面が上方を向くように送り出されてもよく、外周側の面が上方を向くように送り出されてもよい。また、各装置の最下流側に配置され巻き取られる長尺シートは、上側側の面が内周側を向くように回収されてもよく、上側の面が外周側を向くように回収されてもよい。
また、上記のごとき装置によって製造されたスペーサ付ダイシング接着フィルム１は、さらに加工されてもよい。例えば、スペーサ付ダイシング接着フィルム１は、製品の規格幅に合わせて、幅方向の両方の端部を取り除くスリット加工工程を施された後（図１０Ａ）、打ち抜き加工装置（図示せず）を用いて、例えば円形状の打ち抜き部分（接着層２０、及び、スペーサ層１０の打ち抜き部分）よりもやや大きい寸法（例えば１．１倍～１．４倍）で、上側からダイシングテープ３０を所定形状に打ち抜くとともに、不要なダイシングテープ３０を取り除くプリカット工程が施されてもよい（図１０Ｂ参照）。 In FIGS. 7A, 8A, and 9A, the feeding direction when supplying the long sheet to each device and the winding direction when collecting the long sheet are not particularly limited. Specifically, the long sheet placed and wound on the most upstream side of each device may be sent out so that the inner peripheral side surface faces upward, and the outer peripheral side surface may be sent out so as to face upward. You may. Further, the long sheet arranged and wound on the most downstream side of each device may be collected so that the upper surface faces the inner peripheral side, and the upper surface may be collected so as to face the outer peripheral side. May be good.
Further, the dicing adhesive film 1 with a spacer manufactured by the above-mentioned device may be further processed. For example, the dicing adhesive film 1 with a spacer is subjected to a slitting step of removing both ends in the width direction according to the standard width of the product (FIG. 10A), and then a punching apparatus (not shown) is used. For example, the dicing tape 30 is formed into a predetermined shape from above with a size slightly larger (for example, 1.1 to 1.4 times) than the circular punched portion (the punched portion of the adhesive layer 20 and the spacer layer 10). A precut step of removing unnecessary dicing tape 30 may be performed while punching (see FIG. 10B).

上記のごとく製造されたスペーサ付ダイシング接着フィルム１は、例えば、半導体集積回路を製造するための補助用具として使用される。スペーサ付ダイシング接着フィルム１は、特に下記の第２工程において使用される。以下、使用における具体例について説明する。 The dicing adhesive film 1 with a spacer manufactured as described above is used, for example, as an auxiliary tool for manufacturing a semiconductor integrated circuit. The dicing adhesive film 1 with a spacer is particularly used in the second step described below. Hereinafter, specific examples in use will be described.

＜半導体集積回路を製造するときのスペーサ付ダイシング接着フィルムの使用方法＞
半導体集積回路を製造する方法は、一般的に、回路面が形成された半導体ウエハからチップを切り出して組立てを行う工程を備える。
斯かる工程は、例えば、
制御用のコントローラチップｗ’を半導体ウエハ（ベアウエハ）から切り出して基板Ｚの表面に固定する第１工程と、
接着層２０及びスペーサ層１０が積層された積層シートから、接着層２０が付着した状態のスペーサ層１０の小片を切り出して基板Ｚの表面に固定し、複数の記憶用のＮＡＮＤチップｗ”を積み重ねるための土台をスペーサ層１０で形成する第２工程と、
記憶用のＮＡＮＤチップｗ”を半導体ウエハ（ベアウエハ）から切り出し、スペーサ層１０の上に複数の記憶用のＮＡＮＤチップｗ”を積み重ねる第３工程とを含む。
本実施形態のスペーサ付ダイシング接着フィルム１は、例えば、上記の第２工程において使用される。 <How to use dicing adhesive film with spacer when manufacturing semiconductor integrated circuits>
A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit generally includes a step of cutting out a chip from a semiconductor wafer on which a circuit surface is formed and assembling the chip.
Such a step is, for example,
The first step of cutting out the controller chip w'for control from the semiconductor wafer (bare wafer) and fixing it to the surface of the substrate Z,
A small piece of the spacer layer 10 with the adhesive layer 20 attached is cut out from the laminated sheet on which the adhesive layer 20 and the spacer layer 10 are laminated, fixed to the surface of the substrate Z, and a plurality of storage NAND chips w "are stacked. The second step of forming the base for the spacer layer 10 and
It includes a third step of cutting out a NAND chip w for storage from a semiconductor wafer (bare wafer) and stacking a plurality of NAND chips w for storage on the spacer layer 10.
The dicing adhesive film 1 with a spacer of the present embodiment is used, for example, in the above-mentioned second step.

第１工程は、制御用のコントローラチップｗ’を被着体（基板Ｚ）の表面に固定するために、例えば、半導体ウエハを割断処理によってチップｗ’（ダイ）へ加工すべく半導体ウエハに溝を形成したうえで研削によって半導体ウエハを薄くするハーフカット加工を施す工程と、薄くなった半導体ウエハの一面（例えば、回路面とは反対側の面）をダイシングテープ３０に貼り付けて半導体ウエハをダイシングテープ３０に固定する工程と、ハーフカット加工された半導体チップ同士の間隔を広げて半導体ウエハをチップｗ’へと小片化する工程と、ダイボンド層ｄ’が貼り付いた状態で半導体チップｗ’（ダイ）をピックアップして取り出す工程と、ダイボンド層ｄ’が貼り付いた状態の半導体チップｗ’（ダイ）を被着体に接着（ダイボンド）させる工程（図１Ａ参照）と、を有する。 In the first step, in order to fix the control controller chip w'on the surface of the adherend (substrate Z), for example, a groove is formed in the semiconductor wafer so that the semiconductor wafer is processed into a chip w'(die) by a cutting process. The process of performing a half-cut process to thin the semiconductor wafer by grinding after forming the semiconductor wafer, and attaching one side of the thinned semiconductor wafer (for example, the side opposite to the circuit surface) to the dicing tape 30 to form the semiconductor wafer. The process of fixing to the dicing tape 30, the process of widening the distance between the half-cut semiconductor chips and slicing the semiconductor wafer into chips w', and the semiconductor chip w'with the die bond layer d'attached. It has a step of picking up (die) and taking it out, and a step of adhering (die-bonding) the semiconductor chip w'(die) with the die bond layer d'to the adherend (see FIG. 1A).

第２工程における下記の工程を実施するときに、本実施形態のダイシングテープ３０（スペーサ付ダイシング接着フィルム）が製造補助用具として使用される。
第２工程は、スペーサ層１０及び接着層２０を被着体（基板Ｚ）の表面に固定するために、例えば、スペーサ付ダイシング接着フィルム１のダイシングテープ３０にダイシングリングＲを取り付ける工程（図４Ａ参照）と、ダイシングソーＢによって接着層２０及びスペーサ層１０にブレードダイシング加工を施して小片（ダイ）に割断する工程（図４Ｂ及び図４Ｃ参照）と、接着層２０が貼り付いた状態の小片化されたスペーサ層１０をダイシングテープ３０の粘着剤層３２から、吸着治具Ｊによって剥離してピックアップする工程（図４Ｄ参照）と、接着層２０が貼り付いた状態のスペーサ層１０を被着体（基板Ｚ）に接着させる工程（図１Ｂ参照）と、を有する。 When the following steps in the second step are carried out, the dicing tape 30 (dicing adhesive film with spacer) of the present embodiment is used as a manufacturing auxiliary tool.
The second step is a step of attaching the dicing ring R to, for example, the dicing tape 30 of the dicing adhesive film 1 with a spacer in order to fix the spacer layer 10 and the adhesive layer 20 to the surface of the adherend (substrate Z) (FIG. 4A). (See), a step of dicing the adhesive layer 20 and the spacer layer 10 with a dicing saw B and cutting them into small pieces (dies) (see FIGS. 4B and 4C), and small pieces with the adhesive layer 20 attached. The step of peeling and picking up the formed spacer layer 10 from the adhesive layer 32 of the dicing tape 30 by the suction jig J (see FIG. 4D), and the spacer layer 10 in a state where the adhesive layer 20 is attached are adhered. It has a step of adhering to a body (substrate Z) (see FIG. 1B).

第３工程では、記憶用のＮＡＮＤチップｗ”をスペーサ層１０の上に複数回積み重ねるために、例えば、第１工程と同様にして、記憶用のＮＡＮＤチップｗ”をピックアップして、被着体（スペーサ層１０）に接着させ、さらに記憶用のＮＡＮＤチップｗ”を積み重ねる（図１Ｃ参照）。記憶用のＮＡＮＤチップｗ”に貼り合わされたダイボンド層ｄ”は、スペーサ層１０などに接着されるべく、接着層２０と同様の構成（含有成分等）を有する。 In the third step, in order to stack the storage NAND chip w "on the spacer layer 10 a plurality of times, for example, the storage NAND chip w" is picked up and adhered in the same manner as in the first step. The die bond layer d "bonded to the (spacer layer 10) and further stacked with the storage NAND chips w" (see FIG. 1C). The die bond layer d "bonded to the storage NAND chips w" is bonded to the spacer layer 10 and the like. Therefore, it has the same structure (containing components, etc.) as the adhesive layer 20.

近年の半導体産業においては、集積化技術のさらなる進展に伴って、ＮＡＮＤチップにおける単位面積の容量は増加している。これに伴い、同じ容量であれば、ＮＡＮＤチップのサイズがより小さくなってきている。例えば、制御用のコントローラチップｗ’の上に記憶用のＮＡＮＤチップｗ”を積層するタイプの半導体集積回路においては、記憶用のＮＡＮＤチップｗ”のサイズが小さくなると、記憶用のＮＡＮＤチップｗ”でコントローラチップｗ’を埋め込むことが困難になり得ることから、半導体集積回路を組み立てることが困難になる。
これに対して、記憶用のＮＡＮＤチップｗ”を積み重ねるためのスペースを確保するために、本実施形態のスペーサ付ダイシング接着フィルム１を使用することができる。例えば、コントローラチップｗ’を上記の接着層２０で埋め込むように、スペーサ層１０付きの接着層２０で制御用のコントローラチップｗ’を覆う（図１Ｂ参照）。このように配置したスペーサ層１０の上に、記憶用のＮＡＮＤチップｗ”を確実に積み重ねることができる。 In the semiconductor industry in recent years, the capacity of a unit area in a NAND chip is increasing with the further development of integration technology. Along with this, the size of the NAND chip is becoming smaller for the same capacity. For example, in a semiconductor integrated circuit of a type in which a storage NAND chip w "is laminated on a control controller chip w', when the size of the storage NAND chip w" becomes smaller, the storage NAND chip w " Since it may be difficult to embed the controller chip w', it becomes difficult to assemble a semiconductor integrated circuit.
On the other hand, in order to secure a space for stacking the NAND chips w for storage, the dicing adhesive film 1 with a spacer of the present embodiment can be used. For example, the controller chip w'is bonded as described above. The control controller chip w'is covered with the adhesive layer 20 with the spacer layer 10 so as to be embedded in the layer 20 (see FIG. 1B). The NAND chip w for storage is placed on the spacer layer 10 arranged in this way. Can be reliably stacked.

なお、製造される半導体集積回路の形態は、図１Ｃに示すような形態に限定されず、例えば図５Ａ～図５Ｅに示すような各形態であってもよい。 The form of the manufactured semiconductor integrated circuit is not limited to the form shown in FIG. 1C, and may be, for example, each form shown in FIGS. 5A to 5E.

本実施形態のスペーサ付ダイシング接着フィルムは上記例示の通りであるが、本発明は、上記例示のスペーサ付ダイシング接着フィルムに限定されるものではない。
即ち、一般的なスペーサ付ダイシング接着フィルムにおいて用いられる種々の形態が、本発明の効果を損ねない範囲において、採用され得る。 The dicing adhesive film with a spacer of the present embodiment is as illustrated above, but the present invention is not limited to the dicing adhesive film with a spacer of the above example.
That is, various forms used in a general dicing adhesive film with a spacer can be adopted as long as the effects of the present invention are not impaired.

本明細書によって開示される事項は、以下のものを含む。
（１） 被着体に接着される接着層と、該接着層の一方の面に重なる樹脂製のスペーサ層と、前記接着層の他方の面に重なり且つ前記接着層及び前記スペーサ層を保持するダイシングテープと、を備え、
７０℃以上１５０℃以下の範囲の加熱設定温度における前記スペーサ層の曲げ剛性は、０．１Ｎ・ｍｍ２以上である、スペーサ付ダイシング接着フィルム。
（２）
７０℃以上１５０℃以下の範囲の加熱設定温度における前記スペーサ層の弾性率は、２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下である、上記（１）に記載のスペーサ付ダイシング接着フィルム。
（３）
前記スペーサ層の厚さが３μｍ以上１２０μｍ以下である、上記（２）に記載のスペーサ付ダイシング接着フィルム。
（４）
前記接着層の厚さが１００μｍ以上１５０μｍ以下である、上記（１）～（３）のいずれかに記載のスペーサ付ダイシング接着フィルム。
（５）
前記スペーサ層の材質は、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンスルフィド、及び、ポリエーテルエーテルケトンからなる群より選択される少なくとも１種である、上記（１）～（４）のいずれかに記載のスペーサ付ダイシング接着フィルム。
（６）
チップ埋込型の半導体集積回路を製造するときに半導体チップを埋め込むために使用される、上記（１）～（５）のいずれかに記載のスペーサ付ダイシング接着フィルム。
（７）
半導体集積回路を製造するときに、前記スペーサ層の上に、ダイボンド層付半導体チップのダイボンド層を接着するために使用され、
前記ダイボンド層は、（接着層と同様に上述した）熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂を含む、上記（１）～（６）のいずれかに記載のスペーサ付ダイシング接着フィルム。
（８）
前記ダイボンド層は、（接着層と同様に上述した）フィラーをさらに含む、上記（７）に記載のスペーサ付ダイシング接着フィルム。
（９）
前記ダイボンド層において、ダイボンド層の総質量に対して、フィラーの含有割合は、３０質量％以上７０質量％以下である、上記（８）に記載のスペーサ付ダイシング接着フィルム。 The matters disclosed herein include:
(1) An adhesive layer adhered to an adherend, a resin spacer layer overlapping one surface of the adhesive layer, and holding the adhesive layer and the spacer layer overlapping the other surface of the adhesive layer. With dicing tape,
A dicing adhesive film with a spacer having a bending rigidity of 0.1 N · mm 2 or more at a heating set temperature in the range of 70 ° C. or higher and 150 ° C. or lower.
(2)
The dicing adhesive film with a spacer according to (1) above, wherein the elastic modulus of the spacer layer at a heating set temperature in the range of 70 ° C. or higher and 150 ° C. or lower is 2 GPa or higher and 20 GPa or lower.
(3)
The dicing adhesive film with a spacer according to (2) above, wherein the thickness of the spacer layer is 3 μm or more and 120 μm or less.
(4)
The dicing adhesive film with a spacer according to any one of (1) to (3) above, wherein the thickness of the adhesive layer is 100 μm or more and 150 μm or less.
(5)
The material of the spacer layer is at least one selected from the group consisting of polyimide, polyamideimide, polybenzimidazole, polyetherimide, polyphenylene sulfide, and polyetheretherketone, the above (1) to (4). Dying adhesive film with spacer according to any of.
(6)
The dicing adhesive film with a spacer according to any one of (1) to (5) above, which is used for embedding a semiconductor chip when manufacturing a chip-embedded semiconductor integrated circuit.
(7)
It is used to bond the die bond layer of a semiconductor chip with a die bond layer onto the spacer layer when manufacturing a semiconductor integrated circuit.
The dicing adhesive film with a spacer according to any one of (1) to (6) above, wherein the dicing layer contains a thermosetting resin and a thermoplastic resin (similar to the adhesive layer described above).
(8)
The dicing adhesive film with a spacer according to (7) above, wherein the dicing layer further contains a filler (similar to the adhesive layer described above).
(9)
The dicing adhesive film with a spacer according to (8) above, wherein the content ratio of the filler in the die bond layer is 30% by mass or more and 70% by mass or less with respect to the total mass of the die bond layer.

次に実験例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Next, the present invention will be described in more detail by means of experimental examples, but the present invention is not limited thereto.

（実施例１～３、及び、比較例１、２）
以下のようにして、スペーサ層及び接着層の積層シートを製造した。また、この積層シートの接着層をダイシングテープと貼り合わせて、表１に示す構成のスペーサ付ダイシング接着フィルムをそれぞれ製造した。 (Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2)
A laminated sheet of a spacer layer and an adhesive layer was manufactured as follows. Further, the adhesive layer of this laminated sheet was bonded to the dicing tape to produce dicing adhesive films with spacers having the configurations shown in Table 1.

＜スペーサ層＞
スペーサ層として下記の樹脂フィルムを用意した。
・ポリイミドフィルムＡ（厚さ７５μｍ）
（製品名「カプトン３００Ｖ」 東レ・デュポン社製）
・ポリイミドフィルムＢ（厚さ５０μｍ）
（製品名「カプトン２００Ｖ」 東レ・デュポン社製）
・ポリエーテルイミドフィルム（厚さ５０μｍ）
（製品名「スペリオＵＴ ＮＢ－タイプ」 三菱ケミカル社製）
（比較用）
・ポリイミドフィルムＣ（厚さ２５μｍ）
（製品名「カプトン１００Ｈ」 東レ・デュポン社製）
・ポリアミドイミドフィルム
（製品名「ミクトロン＃１２－ＧＦ１０」 東レ社製）パラ系の芳香族ポリアミド（アラミド）フィルム（厚さ１２μｍ） <Spacer layer>
The following resin film was prepared as a spacer layer.
-Polyimide film A (thickness 75 μm)
(Product name "Kapton 300V" manufactured by Toray DuPont)
-Polyimide film B (thickness 50 μm)
(Product name "Kapton 200V" manufactured by Toray DuPont)
-Polyetherimide film (thickness 50 μm)
(Product name "Superio UT NB-type" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)
(For comparison)
-Polyimide film C (thickness 25 μm)
(Product name "Kapton 100H" manufactured by Toray DuPont)
-Polyamide-imide film (Product name "Mictron # 12-GF10" manufactured by Toray Industries, Inc.) Para-based aromatic polyamide (aramid) film (thickness 12 μm)

＜接着層の作製＞
下記の原料をメチルエチルケトンに加えて混合し、接着層用組成物を得た。各原料の詳細を下記に示す。
・アクリル酸エステル系ポリマー溶液 １００質量部
製品名「テイサンレジンSG-70L」（固形分濃度１２．８質量％）
ナガセケムテックス社製
・エポキシ樹脂 １．７質量部
製品名「エピコートYL980」三菱ケミカル社製
・エポキシ樹脂 １３質量部
製品名「EPICLON N-665-EXP-S」ＤＩＣ社製
・フェノール樹脂（硬化剤） １５質量部
製品名「MEHC-7851SS」明和化成社製
・シリカ有機溶媒スラリー ４７質量部（粉体を６０質量％含有）
製品名「SO-E2」（粉体を予めＭＥＫに分散させたもの）
アドマテックス社製
・硬化触媒 ０．０８５質量部
製粉名「キュアゾール2PHZ」四国化成社製
・希釈溶媒 ５０質量部 ＭＥＫ（メチルエチルケトン）
次に、下記の塗工用基材の一方の面に、アプリケータを用いて接着層用組成物を塗布した。塗布は、乾燥後の厚さが１２０μｍとなるように行い、その後、１２０℃で２分間乾燥処理することで、接着層用組成物から溶媒を揮発させた。このようにして、塗工用基材上に重なった接着層を得た。
・塗工用基材（剥離シート） 製品名「ＰＥＴ３８」フジコー社製
この接着層における露出した面にスペーサ層を貼り付けた。 <Preparation of adhesive layer>
The following raw materials were added to methyl ethyl ketone and mixed to obtain a composition for an adhesive layer. Details of each raw material are shown below.
-Acrylic ester polymer solution 100 parts by mass Product name "Taisan Resin SG-70L" (solid content concentration 12.8% by mass)
Nagase Chemtex's epoxy resin 1.7 parts by mass Product name "Epicoat YL980" Mitsubishi Chemical's epoxy resin 13 parts by mass Product name "EPICLON N-665-EXP-S"DIC's phenol resin (hardener) ) 15 parts by mass Product name "MEHC-7851SS" Made by Meiwa Kasei Co., Ltd. ・ Silica organic solvent slurry 47 parts by mass (containing 60% by mass of powder)
Product name "SO-E2" (powder dispersed in MEK in advance)
Admatex, curing catalyst 0.085 parts by mass Milling name "Curesol 2 PHZ" Shikoku Kasei Co., Ltd., diluted solvent 50 parts by mass MEK (methyl ethyl ketone)
Next, the composition for the adhesive layer was applied to one surface of the following coating base material using an applicator. The coating was carried out so that the thickness after drying was 120 μm, and then the solvent was volatilized from the composition for the adhesive layer by drying at 120 ° C. for 2 minutes. In this way, an adhesive layer overlapped on the coating substrate was obtained.
-Coating base material (release sheet) Product name "PET38" manufactured by Fujiko Co., Ltd. A spacer layer was attached to the exposed surface of this adhesive layer.

＜ダイシングテープの粘着剤層＞
（粘着剤層（粘着剤組成物）の調製）
下記の原料を用意した。
・２ＥＨＡ（２－エチルヘキシルアクリレート）：１００質量部
・ＨＥＡ（２－ヒドロキシエチルアクリレート）：２０質量部
・ＡＩＢＮ（２，２’－アゾビスイソブチロニトリル）：適量
・重合溶媒（トルエン）：上記モノマー濃度が約５５質量％となる量
丸底セパラブルフラスコ（容量１Ｌ）、温度計、窒素導入管、及び、撹拌装置が装備された重合用実験装置の丸底セパラブルフラスコ内に上記の原料を入れた。撹拌しながら、丸底セパラブルフラスコ内に窒素ガスを流入させつつ、６０℃で１０時間の重合反応を実施し、中間組成物を調製した。
常温となるまで中間組成物を冷却した後、中間組成物１００質量部に対して下記の原料を加えた。
・２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート
原料名「カレンズＭＯＩ」、昭和電工社製）：１．４質量部
・ジラウリン酸ジブチルスズＩＶ（和光純薬工業社製）：０．１質量部
大気雰囲気下において５０℃で６０時間撹拌して、アクリルポリマー組成物を得た。
最後に、上記のアクリルポリマー組成物の固形分１００質量部に対して下記の原料を加え、粘着剤層を形成するための粘着剤組成物を得た。
イソシアネート化合物（原料名「コロネートＬ」、東ソー社製）：１．１質量部
光重合開始剤（原料名「イルガキュア１８４」、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製）：３質量部
トルエン：組成物の粘度が約５００ｍＰａ・ｓとなる量
剥離用シートとしてＰＥＴフィルムを用意した。このＰＥＴフィルムの一方の表面（離型処理済）に、アプリケータを用いて、乾燥後の厚さが３０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布した。１２０℃で２分加熱乾燥し、ＰＥＴフィルム（剥離シート）に重なった粘着剤層を形成した。
＜ダイシングテープの作製＞
基材層として厚さ８０μｍのポリエチレンフィルムを用意した。このポリエチレンフィルムと、上記のごとく作製したＰＥＴフィルム上の粘着剤層とを、ラミネータを用いて室温において貼り合わせた。このようにして、ダイシングテープを製造した。 <Adhesive layer of dicing tape>
(Preparation of adhesive layer (adhesive composition))
The following raw materials were prepared.
-2EHA (2-ethylhexyl acrylate): 100 parts by mass-HEA (2-hydroxyethyl acrylate): 20 parts by mass-AIBN (2,2'-azobisisobutyronitrile): appropriate amount-Polymerization solvent (toluene): Above Amount having a monomer concentration of about 55% by mass The above raw materials are placed in a round-bottom separable flask (capacity 1 L), a thermometer, a nitrogen introduction tube, and a round-bottom separable flask of an experimental polymerization apparatus equipped with a stirrer. I put in. A polymerization reaction was carried out at 60 ° C. for 10 hours while allowing nitrogen gas to flow into the round bottom separable flask with stirring to prepare an intermediate composition.
After cooling the intermediate composition to room temperature, the following raw materials were added to 100 parts by mass of the intermediate composition.
・ 2-Methacryloyloxyethyl isocyanate Raw material name “Karenzu MOI”, manufactured by Showa Denko Industries, Ltd.): 1.4 parts by mass ・ Dibutyltin dilaurate IV (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.): 0.1 parts by mass 50 ° C. in an air atmosphere The mixture was stirred with water for 60 hours to obtain an acrylic polymer composition.
Finally, the following raw materials were added to 100 parts by mass of the solid content of the acrylic polymer composition to obtain a pressure-sensitive adhesive composition for forming a pressure-sensitive adhesive layer.
Isocyanate compound (raw material name "Coronate L", manufactured by Tosoh Corporation): 1.1 parts by mass Photopolymerization initiator (raw material name "Irgacure 184", manufactured by IGM Resins): 3 parts by mass Toluene: Viscosity of the composition is about 500 mPa. -Amount to be s A PET film was prepared as a peeling sheet. An applicator composition was applied to one surface of this PET film (released) using an applicator so that the thickness after drying was 30 μm. It was heated and dried at 120 ° C. for 2 minutes to form an adhesive layer overlaid on a PET film (release sheet).
<Making dicing tape>
A polyethylene film having a thickness of 80 μm was prepared as a base material layer. This polyethylene film and the pressure-sensitive adhesive layer on the PET film prepared as described above were bonded together at room temperature using a laminator. In this way, the dicing tape was manufactured.

＜スペーサ付ダイシング接着フィルムの製造＞
ダイシングテープの粘着剤層と、スペーサ層が付着した状態の接着層とを７０℃で貼り合せることによって、スペーサ層及び接着層と、ダイシングテープとを備えるスペーサ付ダイシング接着フィルムを製造した。
詳しくは、スペーサ層と、接着層（厚さ１２０μｍ）とを７０℃で貼り合わせて積層シートを作製した。この積層シートを直径３３０ｍｍの円形となるようにカットした。そして、カットした積層シートとダイシングテープとを室温において貼り合わせた。 <Manufacturing of dicing adhesive film with spacer>
By laminating the adhesive layer of the dicing tape and the adhesive layer with the spacer layer attached at 70 ° C., a dicing adhesive film with a spacer including the spacer layer and the adhesive layer and the dicing tape was produced.
Specifically, the spacer layer and the adhesive layer (thickness 120 μm) were bonded together at 70 ° C. to prepare a laminated sheet. This laminated sheet was cut into a circle having a diameter of 330 mm. Then, the cut laminated sheet and the dicing tape were bonded together at room temperature.

上記の方法に従って、実施例及び比較例のスペーサ付ダイシング接着フィルムをそれぞれ製造した。各フィルムの構成の詳細について表１に示す。 According to the above method, dicing adhesive films with spacers of Examples and Comparative Examples were produced, respectively. The details of the composition of each film are shown in Table 1.

＜スペーサ層の弾性率（引張弾性率）の測定＞
各実施例及び各比較例のスペーサ層をカッターナイフによって長さ４０ｍｍ、幅１０ｍｍの短冊状となるように切り出した。次に、固体粘弾性測定装置（ＲＳＡIII、レオメトリックサイエンティフィック社製）を用いて、－３０℃～３００℃における引張貯蔵弾性率を測定した。測定条件は、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、チャック間距離２０．０ｍｍとした。そして、１１０℃における貯蔵弾性率の値を読み取り、弾性率とした。 <Measurement of elastic modulus (tensile elastic modulus) of spacer layer>
The spacer layer of each example and each comparative example was cut out by a cutter knife into a strip shape having a length of 40 mm and a width of 10 mm. Next, the tensile storage elastic modulus at −30 ° C. to 300 ° C. was measured using a solid viscoelasticity measuring device (RSAIII, manufactured by Leometric Scientific). The measurement conditions were a frequency of 1 Hz, a heating rate of 10 ° C./min, and a chuck-to-chuck distance of 20.0 mm. Then, the value of the storage elastic modulus at 110 ° C. was read and used as the elastic modulus.

＜スペーサ層の曲げ剛性の算出＞
上記のごとく測定した弾性率、及び、上述した式（１）などを基にして、各実施例及び各比較例のスペーサ層の曲げ剛性を算出した。
なお、式（１）における各値として、例えば実施例１では、ｂ＝１２［ｍｍ］Ｆ＝２７００［ＭＰａ］、ｈ＝０．０７５［ｍｍ］、λ＝０．０３７５［ｍｍ］をそれぞれ採用して、曲げ剛性を算出した。ｂ＝１２［ｍｍ］は、後に説明する使用性能試験における試験サンプルの長辺長さに相当する。 <Calculation of flexural rigidity of spacer layer>
The flexural rigidity of the spacer layer of each Example and each Comparative Example was calculated based on the elastic modulus measured as described above and the above-mentioned equation (1) and the like.
As each value in the formula (1), for example, in Example 1, b = 12 [mm] F = 2700 [MPa], h = 0.075 [mm], and λ = 0.0375 [mm] are adopted. Then, the bending rigidity was calculated. b = 12 [mm] corresponds to the length of the long side of the test sample in the use performance test described later.

Figure 2022082231000003
Figure 2022082231000003

＜使用性能の評価＞
（制御用のコントローラチップ代替ダイの準備）
２５μｍ厚さのシリコンウエハと、ダイシンダイボンドフィルムのダイボンド層（厚さ１０μｍ）とを７０℃において貼り合わせた。なお、ダイボンド層は、上記の接着層と同じ組成物で形成されたものである。
ＤＩＳＣＯ社製のＤＦＤ６３６１を使用して、ブレードダイシングを実施した。ダイシングブレードとして、Ｚ１に２０３０－ＳＥ ２７ＨＣＤＤを使用し、Ｚ２に２０３０－ＳＥ ２７ＨＣＢＢを使用して、ステップカットを行った。なお、１．３ｍｍ×３．０ｍｍの大きさのチップが得られるようにダイシングを実施した。
（スペーサ層付接着層（積層シート）のカット）
ＤＩＳＣＯ社製のＤＦＤ６３６１を使用して、ブレードダイシングを実施した。ダイシングブレードとして、Ｚ１に２０３０－ＳＥ ２７ＨＣＤＤを使用し、Ｚ２に２０３０－ＳＥ ２７ＨＣＢＢを使用して、ステップカットを行った。なお、６．０ｍｍ×１２．０ｍｍの大きさのチップ状のスペーサが得られるようにダイシングを実施した。
（記憶用のＮＡＮＤチップ代替ダイの準備）
以下の組成物で形成されたダイボンド層（厚さ１０μｍ）を有するダイシングダイボンドフィルムを使用して、ＮＡＮＤチップ代替ダイのダイシングを実施した。具体的には、厚さ５０μｍのシリコンウエハを準備し、４．０ｍｍ×１２．０ｍｍの大きさのチップが得られるようにダイジングを実施した。
・アクリル酸エステル系ポリマー溶液 １００質量部
製品名「テイサンレジンSG-P3」（固形分濃度１５質量％）ナガセケムテックス社製
・フェノール樹脂 １．８質量部
製品名「MEHC-7851SS」 明和化成社製
・シリカ有機溶媒スラリー ２４質量部
製品名「SO-E2」（粉体濃度６０質量％になるように予めＭＥＫに分散した）
アドマテックス社製
・希釈溶媒 ２６質量部 メチルエチルケトン（ＭＥＫ)
（模擬半導体集積回路の組み立て）
ソルダーレジストＰＳＲ－４０００ ＡＵＳ３０８（大昌電子社製）のＢＧＡ基板を準備した。
ファスフォードテクノロジ社製ダイボンダーＤＢ８３０ｐｌｕｓ＋を使用して、ＢＧＡ基板中央に、制御用のコントローラチップ代替ダイ（上述）をダイボンド（接着）した。ダイボンドは、ダイボンド温度１００℃、ダイボンド荷重０．５ＭＰａ、ダイボンド時間１秒の条件で実施した。その後、１５０℃で１時間加熱し、ダイボンド層を熱硬化させた。
次に、スペーサ層付接着層を接着させた。詳しくは、制御用のコントローラチップ代替ダイ（上述）を実装した上記基板の中央部分に、制御用のコントローラチップ代替ダイ（上述）を埋め込むように、接着層を接着させた。斯かる接着は、温度１１０℃（加熱設定温度）、荷重０．３ＭＰａ、時間１秒の条件で実施した。さらに、プレッシャーオーブンを使用して、圧力７ｋｇ／ｃｍ２の環境において１４０℃で２時間加熱して、接着層を熱硬化させた。
続いて、スペーサ付接着層を実装した上記基板の中央部分に、記憶用のＮＡＮＤチップ代替ダイをダイボンドした。ダイボンドは、ダイボンド温度１５０℃、荷重０．２MＰａ、ダイボンド時間２秒の条件で実施した。記憶用のＮＡＮＤチップ代替ダイが２段積層するように、ダイボンドを２回行った。さらに、１５０℃で１時間加熱して、ダイボンド層を熱硬化させた。
最後に、モールド樹脂を用いて上記基板をオーバーモールドし、１７５℃で５時間加熱して、モールド樹脂を熱硬化させた。 <Evaluation of usage performance>
(Preparation of controller chip replacement die for control)
A silicon wafer having a thickness of 25 μm and a die bond layer (thickness of 10 μm) of a die-sin die bond film were bonded together at 70 ° C. The die bond layer is formed of the same composition as the above-mentioned adhesive layer.
Blade dicing was performed using DFD6361 manufactured by DISCO. As the dicing blade, 2030-SE 27HCDD was used for Z1 and 2030-SE 27HCBB was used for Z2, and step cutting was performed. Dicing was performed so that a chip having a size of 1.3 mm × 3.0 mm could be obtained.
(Cut of adhesive layer (laminated sheet) with spacer layer)
Blade dicing was performed using DFD6361 manufactured by DISCO. As the dicing blade, 2030-SE 27HCDD was used for Z1 and 2030-SE 27HCBB was used for Z2, and step cutting was performed. Dicing was performed so that a chip-shaped spacer having a size of 6.0 mm × 12.0 mm could be obtained.
(Preparation of NAND chip replacement die for storage)
A dicing die bond film having a die bond layer (thickness 10 μm) formed of the following composition was used to perform dicing of a NAND chip substitute die. Specifically, a silicon wafer having a thickness of 50 μm was prepared, and dying was performed so that a chip having a size of 4.0 mm × 12.0 mm could be obtained.
・ Acrylic acid ester polymer solution 100 parts by mass Product name “Taisan Resin SG-P3” (solid content concentration 15% by mass) Nagase ChemteX Co., Ltd. ・ Phenol resin 1.8 parts by mass Product name “MEHC-7851SS” Meiwa Kasei Co., Ltd. Manufactured by Silica Organic Solvent Slurry 24 parts by mass Product name "SO-E2" (dispersed in MEK in advance so that the powder concentration is 60% by mass)
Diluted solvent manufactured by Admatex 26 parts by mass Methyl ethyl ketone (MEK)
(Assembly of simulated semiconductor integrated circuit)
A BGA substrate of solder resist PSR-4000 AUS308 (manufactured by Daisho Electronics Co., Ltd.) was prepared.
A controller chip substitute die (above) for control was die-bonded (adhered) to the center of the BGA substrate using a Die Bonder DB830plus + manufactured by Fastford Technology. The die bond was carried out under the conditions of a die bond temperature of 100 ° C., a die bond load of 0.5 MPa, and a die bond time of 1 second. Then, it heated at 150 degreeC for 1 hour, and the die bond layer was thermoset.
Next, the adhesive layer with the spacer layer was adhered. Specifically, an adhesive layer was adhered so as to embed the controller chip substitute die for control (described above) in the central portion of the substrate on which the controller chip substitute die for control (described above) was mounted. Such adhesion was carried out under the conditions of a temperature of 110 ° C. (heating set temperature), a load of 0.3 MPa, and a time of 1 second. Further, using a pressure oven, the adhesive layer was thermoset by heating at 140 ° C. for 2 hours in an environment of 7 kg / cm 2 .
Subsequently, a NAND chip substitute die for storage was die-bonded to the central portion of the substrate on which the adhesive layer with a spacer was mounted. The die bond was carried out under the conditions of a die bond temperature of 150 ° C., a load of 0.2 MPa, and a die bond time of 2 seconds. Die-bonding was performed twice so that the NAND chip substitute dies for storage were stacked in two stages. Further, the die bond layer was thermoset by heating at 150 ° C. for 1 hour.
Finally, the substrate was overmolded using the mold resin and heated at 175 ° C. for 5 hours to thermally cure the mold resin.

（組み立てにおけるスペーサ層とＮＡＮＤチップ代替ダイのダイボンド層との剥離）
モールド後のパッケージを機械研磨し、制御用のコントローラチップ代替ダイの埋め込み部分（パッケージ中央部分）の断面を光学顕微鏡で観察した。９回の組み立てのそれぞれについて観察し、剥離状況を調べた。 (Peeling of the spacer layer in assembly and the die bond layer of the NAND chip substitute die)
The package after molding was mechanically polished, and the cross section of the embedded portion (the central portion of the package) of the controller chip substitute die for control was observed with an optical microscope. Each of the nine assemblies was observed and the peeling condition was investigated.

各実施例及び各比較例のスペーサ層について、性能評価（剥離の抑制性能）の結果をそれぞれ表１に示す。 Table 1 shows the results of performance evaluation (peeling suppression performance) for the spacer layers of each Example and each Comparative Example.

上記の評価結果から把握されるように、実施例のスペーサ層を備えたスペーサ付ダイシング接着フィルムは、比較例のスペーサ付ダイシング接着フィルムに比べて、スペーサ層が樹脂製であるものの半導体チップをスペーサ層に重ねたときの剥離を抑制できた。 As can be seen from the above evaluation results, the dicing adhesive film with a spacer provided with the spacer layer of the example has a spacer for the semiconductor chip, although the spacer layer is made of resin, as compared with the dicing adhesive film with a spacer of the comparative example. It was possible to suppress peeling when layered.

実施例では、加熱設定温度が例えば１１０℃であるときのスペーサ層の曲げ剛性が、０．１Ｎ・ｍｍ２以上である。
このような物性を有する実施例のスペーサ付ダイシング接着フィルムを、半導体集積回路の製造において使用することによって、いわゆるＮＡＮＤ型フラッシュメモリなどを効率良く製造することができる。 In the embodiment, the bending rigidity of the spacer layer when the heating set temperature is, for example, 110 ° C. is 0.1 N · mm 2 or more.
By using the dicing adhesive film with a spacer of the embodiment having such physical characteristics in the manufacture of a semiconductor integrated circuit, a so-called NAND flash memory or the like can be efficiently manufactured.

参考実験として、各スペーサ層の表面における凹凸を測定した。詳しくは、上記の組み立ての途中において、記憶用のＮＡＮＤチップ代替ダイをスペーサ層に積み重ねる前に、硬化処理（硬化条件：プレッシャーオーブン、圧力７ｋｇ／ｃｍ２の環境下において１４０℃２時間）したあと、スペーサ層表面の凹凸をアルバック社製 触針式表面形状測定器（製品名「ＤＥＫＴＡＫ８」）によって測定した。測定条件は、下記の通りである。
測定長さ：１０ｍｍ、 測定速度：０．３３ｍｍ／ｓｅｃ、 荷重：１０ｍｇ
測定結果のうち、代表例を模式的に表したグラフを図１１に示す。
スペーサ層としてシリコンウエハを採用した場合、スペーサ層表面の凹凸形状は、曲率半径の大きい１つの凸部を有し凹部を有しないような形状であった。
実施例１のスペーサ層表面の凹凸の大きさは、比較例１のスペーサ層表面の凹凸の大きさよりも、小さかった。また、凹凸の曲率半径は、比較例１のスペーサ層表面よりも、実施例１のスペーサ層表面において大きい（よりなだらかなカーブを描く）傾向であった。比較例１では、制御用のコントローラチップ代替ダイが埋め込まれた部分の上部にあるスペーサ層表面のみが飛び出たような状態となっている。そのため、スペーサ層に積み重ねられた記憶用のＮＡＮＤチップ代替ダイが、スペーサ層表面の形状に追随できず、スペーサ層から剥離しやすくなると考えられる。 As a reference experiment, the unevenness on the surface of each spacer layer was measured. Specifically, in the middle of the above assembly, before stacking the NAND chip substitute die for storage on the spacer layer, after curing treatment (curing conditions: pressure oven, 140 ° C. for 2 hours in an environment of pressure 7 kg / cm 2 ). , The unevenness of the surface of the spacer layer was measured by a stylus type surface shape measuring instrument (product name "DEKTAK8") manufactured by ULVAC, Inc. The measurement conditions are as follows.
Measurement length: 10 mm, measurement speed: 0.33 mm / sec, load: 10 mg
Of the measurement results, a graph schematically showing a representative example is shown in FIG.
When a silicon wafer was adopted as the spacer layer, the uneven shape on the surface of the spacer layer had a shape having one convex portion having a large radius of curvature and no concave portion.
The size of the unevenness on the surface of the spacer layer of Example 1 was smaller than the size of the unevenness on the surface of the spacer layer of Comparative Example 1. Further, the radius of curvature of the unevenness tended to be larger (drawing a gentler curve) on the surface of the spacer layer of Example 1 than on the surface of the spacer layer of Comparative Example 1. In Comparative Example 1, only the surface of the spacer layer above the portion where the controller chip substitute die for control is embedded is in a state of protruding. Therefore, it is considered that the NAND chip substitute die for storage stacked on the spacer layer cannot follow the shape of the surface of the spacer layer and is easily peeled off from the spacer layer.

本発明のスペーサ付ダイシング接着フィルムは、例えば、半導体集積回路を製造するときの補助用具として、好適に使用される。 The dicing adhesive film with a spacer of the present invention is suitably used, for example, as an auxiliary tool when manufacturing a semiconductor integrated circuit.

１：スペーサ付ダイシング接着フィルム、
１０：スペーサ層、
２０：接着層、
３０：ダイシングテープ、
３１：基材層、 ３２：粘着剤層、
Ｌ：ボンディングワイヤ、 Ｚ：基板、
ｄ’、ｄ”：ダイボンド層、 ｗ’、ｗ”：半導体チップ、
Ｈ：剥離テープ、 Ｔ：転写テープ。 1: Dicing adhesive film with spacer,
10: Spacer layer,
20: Adhesive layer,
30: Dicing tape,
31: Base material layer, 32: Adhesive layer,
L: Bonding wire, Z: Substrate,
d', d ": die bond layer, w', w": semiconductor chip,
H: release tape, T: transfer tape.

Claims (6)

被着体に接着される接着層と、該接着層の一方の面に重なる樹脂製のスペーサ層と、前記接着層の他方の面に重なり且つ前記接着層及び前記スペーサ層を保持するダイシングテープと、を備え、
７０℃以上１５０℃以下の範囲の加熱設定温度における前記スペーサ層の曲げ剛性は、０．１Ｎ・ｍｍ２以上である、スペーサ付ダイシング接着フィルム。 An adhesive layer adhered to an adherend, a resin spacer layer overlapping one surface of the adhesive layer, and a dicing tape overlapping the other surface of the adhesive layer and holding the adhesive layer and the spacer layer. , Equipped with
A dicing adhesive film with a spacer having a bending rigidity of 0.1 N · mm 2 or more at a heating set temperature in the range of 70 ° C. or higher and 150 ° C. or lower. ７０℃以上１５０℃以下の範囲の加熱設定温度における前記スペーサ層の弾性率は、２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下である、請求項１に記載のスペーサ付ダイシング接着フィルム。 The dicing adhesive film with a spacer according to claim 1, wherein the elastic modulus of the spacer layer at a heating set temperature in the range of 70 ° C. or higher and 150 ° C. or lower is 2 GPa or higher and 20 GPa or lower. 前記スペーサ層の厚さが３μｍ以上１２０μｍ以下である、請求項１又は２に記載のスペーサ付ダイシング接着フィルム。 The dicing adhesive film with a spacer according to claim 1 or 2, wherein the thickness of the spacer layer is 3 μm or more and 120 μm or less. 前記接着層の厚さが１００μｍ以上１５０μｍ以下である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のスペーサ付ダイシング接着フィルム。 The dicing adhesive film with a spacer according to any one of claims 1 to 3, wherein the adhesive layer has a thickness of 100 μm or more and 150 μm or less. 前記スペーサ層の材質は、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンスルフィド、及び、ポリエーテルエーテルケトンからなる群より選択される少なくとも１種である、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のスペーサ付ダイシング接着フィルム。 The material of the spacer layer is any one of claims 1 to 4, which is at least one selected from the group consisting of polyimide, polyamideimide, polybenzoimidazole, polyetherimide, polyphenylene sulfide, and polyetheretherketone. The dicing adhesive film with a spacer according to item 1. チップ埋込型の半導体集積回路を製造するときに半導体チップを埋め込むために使用される、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のスペーサ付ダイシング接着フィルム。 The dicing adhesive film with a spacer according to any one of claims 1 to 5, which is used for embedding a semiconductor chip when manufacturing a chip-embedded semiconductor integrated circuit.
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