JP2023522847A - 半導体デバイスの位置ずれを計測する際役立つデバイス規模フィーチャを有する位置ずれターゲット - Google Patents
半導体デバイスの位置ずれを計測する際役立つデバイス規模フィーチャを有する位置ずれターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023522847A JP2023522847A JP2022560881A JP2022560881A JP2023522847A JP 2023522847 A JP2023522847 A JP 2023522847A JP 2022560881 A JP2022560881 A JP 2022560881A JP 2022560881 A JP2022560881 A JP 2022560881A JP 2023522847 A JP2023522847 A JP 2023522847A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- dlst
- dimension
- layer
- typical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 102100031920 Dihydrolipoyllysine-residue succinyltransferase component of 2-oxoglutarate dehydrogenase complex, mitochondrial Human genes 0.000 claims description 89
- 101000992065 Homo sapiens Dihydrolipoyllysine-residue succinyltransferase component of 2-oxoglutarate dehydrogenase complex, mitochondrial Proteins 0.000 claims description 89
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 16
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 13
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 19
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 27
- 238000013400 design of experiment Methods 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
- G01B21/22—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
本願では、「正確性及びデバイス相関に資するインダイオーバレイターゲット」(INDIE OVERLAY TARGETS FOR ACCURACY AND DEVICE CORRELATION)と題する2020年4月15日付米国仮特許出願第63/010096号を参照し、参照によりその開示内容を本願に繰り入れると共にそれに基づき優先権を主張する。
「オーバレイ判別装置及び方法並びにその使用」(APPARATUS AND METHODS FOR DETERMINING OVERLAY AND USES OF SAME)と題する特許文献1、
「オーバレイ計量及び制御方法」(OVERLAY METROLOGY AND CONTROL METHOD)と題する特許文献2、
「多層オーバレイ計量ターゲット及びコンプリメンタリオーバレイ計量計測システム」(MULTI-LAYER OVERLAY METROLOGY TARGET AND COMPLIMENTARY OVERLAY METROLOGY MEASUREMENT SYSTEMS)と題する特許文献3、
「複合的イメージング計量ターゲット」(COMPOUND IMAGING METROLOGY TARGETS)と題する特許文献4、
「スキャタロメトリを用いオーバレイ誤差を検出する装置及び方法」(APPARATUS AND METHODS FOR DETECTING OVERLAY ERRORS USING SCATTEROMETRY)と題する特許文献5、
「半導体デバイスの位置ずれ計測におけるモアレターゲット及びその使用方法」(MOIRE' TARGET AND METHOD FOR USING THE SAME IN MEASURING MISREGISTRATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES)と題する2019年4月10日付PCT特許出願第PCT/US2019/026686号、並びに
「光学及び電子ビームが結合されたテクノロジを用いる位置ずれ計測」(MISREGISTRATION MEASUREMENTS USING COMBINED OPTICAL AND ELECTRON BEAM TECHNOLOGY)と題する2019年6月4日付PCT出願第PCT/US2019/035282号、
も参照し、参照によりそれらの開示内容を本願に繰り入れる。
Claims (20)
- ウェハ上に形成された少なくとも第1層及び第2層の間の位置ずれの計測のため、前記ウェハ上における機能的半導体デバイスの製造に際し用いられるターゲットであり、前記機能的半導体デバイスが機能的デバイス構造(FDST)を有するターゲットであって、
複数個の計測構造(MST)を備え、前記複数個のMSTが前記第1層及び前記第2層の一部分であり、
複数個のデバイス様構造(DLST)を備え、前記複数個のDLSTが前記第1層及び前記第2層のうち少なくとも一方の一部分であり、
前記DLSTが少なくとも1個の特徴を前記FDSTと共有し、
前記MSTが前記少なくとも1個の特徴を前記FDSTと共有しないターゲット。 - 請求項1に記載のターゲットであって、前記少なくとも1個の特徴が、
典型的最小寸法の大きさの程度、
形状、並びに
パッキング密度の大きさの程度、
のうち少なくとも一つを含むターゲット。 - 請求項1又は2に記載のターゲットであって、前記DLSTが前記第1層及び前記第2層の双方の上に形成されているターゲット。
- 請求項1~3のうち何れかに記載のターゲットであって、前記DLSTが前記MST間に形成されているターゲット。
- 請求項1~4のうち何れかに記載のターゲットであって、前記DLSTのパッキング密度が0.5超であるターゲット。
- 請求項1に記載のターゲットであって、前記特徴が、典型的最小寸法の大きさの程度であり、
前記FDSTの典型的最小寸法に対する前記MSTの典型的最小寸法の比が少なくとも1.7であり、
前記FDSTの前記典型的最小寸法に対する前記DLSTの典型的最小寸法の比が0.5~1.5であるターゲット。 - 請求項1に記載のターゲットであって、前記特徴がパッキング密度の大きさの程度であり、前記MSTが、それらの間に形成される計測スペース(MSP)を規定し、前記FDSTが、それらの間に形成される機能的デバイススペース(FDSP)を規定し、前記DLSTが、それらの間のデバイス様スペース(DLSP)を規定しており、
前記FDSPの典型的最小寸法に対する前記MSPの典型的最小寸法の比が少なくとも1.7であり、
前記FDSPの前記典型的最小寸法に対する前記DLSPの典型的最小寸法の比が0.5~1.5であるターゲット。 - 請求項1~7のうち何れかに記載のターゲットであって、前記DLSTが、前記第1層により定義される平面に対し概ね平行な平面内で前記MSTに対し回動されたものであるターゲット。
- 請求項1~8のうち何れかに記載のターゲットであって、前記MSTそれぞれが、
複数個のセグメントと、
複数個の対応するセグメントスペースと、
を備えるターゲット。 - 請求項9に記載のターゲットであって、前記DLSTの典型的最小寸法に対する前記セグメントの典型的最小寸法の比が少なくとも1.1であるターゲット。
- 請求項9又は10に記載のターゲットであって、前記DLSP間のスペースの典型的最小寸法に対する前記セグメント間のスペースの典型的最小寸法の比が少なくとも1.1であるターゲット。
- 請求項9~11のうち何れかに記載のターゲットであって、前記DLSTが、前記第1層により定義される平面に対し概ね平行な平面内で前記セグメントに対し回動されたものであるターゲット。
- 請求項1~12のうち何れかに記載のターゲットであって、前記ウェハのダイ内に形成されたターゲットであり、前記ダイに前記機能的半導体デバイスが備わるターゲット。
- 請求項1~12のうち何れかに記載のターゲットであって、前記ウェハのスクライブライン内に形成されたターゲットであり、前記スクライブラインに前記機能的半導体デバイスが概ね存在しないターゲット。
- 請求項1~14のうち何れかに記載のターゲットであって、前記MSTが、
先進イメージング計量インダイ(AIMid)ターゲット、
先進イメージング計量(AIM)ターゲット、
ボックスインボックス(BiB)ターゲット、
ブロッサムターゲット、
モアレターゲット、
スキャタロメトリターゲット、
電子ビームターゲット、
ハイブリッドスキャタロメトリ電子ビームターゲット、
ハイブリッドイメージング電子ビームターゲット、並びに
前記ウェハ上に形成された3個以上の層の間の位置ずれの計測に役立つターゲット、
のうち少なくとも一つの一部として形成されているターゲット。 - 機能的半導体デバイスの製造に際しウェハ上に形成された少なくとも1個の第1層と少なくとも1個の第2層との間の位置ずれを計測する方法であり、前記機能的半導体デバイスが機能的デバイス構造(FDST)を有する方法であって、
前記ウェハでありその上にターゲットが形成されているものを準備し、但しそのターゲットを、
複数個の計測構造(MST)を備え、前記複数個のMSTが前記第1層及び前記第2層の一部分であり、
複数個のデバイス様構造(DLST)を備え、前記複数個のDLSTが前記第1層及び前記第2層のうち少なくとも一方の一部分であり、前記DLSTが少なくとも1個の特徴を前記FDSTと共有しており、前記MSTが前記特徴を前記FDSTと共有していない、
ものとし、
前記ターゲットを位置ずれ計測ツールで以て計測することによって出力信号を生成し、且つ
前記出力信号を分析することによって前記ターゲットの前記層の間の位置ずれ値を生成する方法。 - 請求項16に記載の方法であって、前記MSTが前記位置ずれ計測ツールにより分解可能なものである方法。
- 請求項16又は17に記載の方法であって、前記MST間のスペースが前記位置ずれ計測ツールにより分解可能なものである方法。
- 請求項16~18のうち何れかに記載の方法であって、前記DLSTが前記位置ずれ計測ツールにより分解不能なものである方法。
- 請求項16~19のうち何れかに記載の方法であって、前記DLST間のスペースが前記位置ずれ計測ツールにより分解不能なものである方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202063010096P | 2020-04-15 | 2020-04-15 | |
US63/010,096 | 2020-04-15 | ||
PCT/US2020/039475 WO2021211154A1 (en) | 2020-04-15 | 2020-06-25 | Misregistration target having device-scaled features useful in measuring misregistration of semiconductor devices |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023522847A true JP2023522847A (ja) | 2023-06-01 |
JPWO2021211154A5 JPWO2021211154A5 (ja) | 2023-06-20 |
JP7369306B2 JP7369306B2 (ja) | 2023-10-25 |
Family
ID=78084586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022560881A Active JP7369306B2 (ja) | 2020-04-15 | 2020-06-25 | 半導体デバイスの位置ずれを計測する際役立つデバイス規模フィーチャを有する位置ずれターゲット |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11532566B2 (ja) |
EP (1) | EP4111495A4 (ja) |
JP (1) | JP7369306B2 (ja) |
KR (1) | KR102630496B1 (ja) |
CN (1) | CN115428139B (ja) |
TW (1) | TW202205032A (ja) |
WO (1) | WO2021211154A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11635682B2 (en) * | 2019-06-26 | 2023-04-25 | Kla Corporation | Systems and methods for feedforward process control in the manufacture of semiconductor devices |
KR102608079B1 (ko) * | 2020-05-05 | 2023-11-29 | 케이엘에이 코포레이션 | 고 지형 반도체 스택들에 대한 계측 타겟들 |
US12014961B2 (en) * | 2021-04-19 | 2024-06-18 | Nanya Technology Corporation | Method of semiconductor overlay measuring and method of semiconductor structure manufacturing |
US11703767B2 (en) * | 2021-06-28 | 2023-07-18 | Kla Corporation | Overlay mark design for electron beam overlay |
TWI809931B (zh) * | 2022-04-08 | 2023-07-21 | 南亞科技股份有限公司 | 具有疊對標記之半導體元件結構的製備方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007324371A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Ebara Corp | オーバーレイ検査用オーバーレイマーク及びレンズ収差調査用マーク |
JP2009532862A (ja) * | 2006-03-31 | 2009-09-10 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | スキャトロメトリを用いてオーバレイ誤差を検出するための装置および方法 |
US20120038021A1 (en) * | 2010-08-11 | 2012-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Overlay mark enhancement feature |
JP2013534314A (ja) * | 2010-08-03 | 2013-09-02 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 多層オーバーレイ計測ターゲットおよび相補的オーバーレイ計測測定システム |
JP2015528922A (ja) * | 2012-06-26 | 2015-10-01 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 装置様散乱測定法のオーバーレイターゲット |
US20160266505A1 (en) * | 2015-01-30 | 2016-09-15 | Kla-Tencor Corporation | Device metrology targets and methods |
US20180188663A1 (en) * | 2017-01-04 | 2018-07-05 | Kla-Tencor Corporation | Device-Like Metrology Targets |
US20190179231A1 (en) * | 2017-12-07 | 2019-06-13 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for device-correlated overlay metrology |
JP2021511532A (ja) * | 2018-01-12 | 2021-05-06 | ケーエルエー コーポレイション | 傾斜周期構造を有する計測ターゲット及び方法 |
JP2021515232A (ja) * | 2018-03-07 | 2021-06-17 | ケーエルエー コーポレイション | 荷電粒子ビーム計測システムの帯電効果と放射線損傷を最小化する走査戦略 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7068833B1 (en) * | 2000-08-30 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
US7009704B1 (en) * | 2000-10-26 | 2006-03-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Overlay error detection |
US7804994B2 (en) | 2002-02-15 | 2010-09-28 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Overlay metrology and control method |
US6778275B2 (en) * | 2002-02-20 | 2004-08-17 | Micron Technology, Inc. | Aberration mark and method for estimating overlay error and optical aberrations |
US6982793B1 (en) | 2002-04-04 | 2006-01-03 | Nanometrics Incorporated | Method and apparatus for using an alignment target with designed in offset |
WO2004053426A1 (en) * | 2002-12-05 | 2004-06-24 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
US7608468B1 (en) | 2003-07-02 | 2009-10-27 | Kla-Tencor Technologies, Corp. | Apparatus and methods for determining overlay and uses of same |
US7408642B1 (en) * | 2006-02-17 | 2008-08-05 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Registration target design for managing both reticle grid error and wafer overlay |
US8804137B2 (en) * | 2009-08-31 | 2014-08-12 | Kla-Tencor Corporation | Unique mark and method to determine critical dimension uniformity and registration of reticles combined with wafer overlay capability |
JP2011155119A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査方法 |
EP2458441B1 (en) * | 2010-11-30 | 2022-01-19 | ASML Netherlands BV | Measuring method, apparatus and substrate |
US9093458B2 (en) * | 2012-09-06 | 2015-07-28 | Kla-Tencor Corporation | Device correlated metrology (DCM) for OVL with embedded SEM structure overlay targets |
KR101740430B1 (ko) * | 2013-03-20 | 2017-05-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 마이크로구조체의 비대칭을 측정하는 방법 및 장치, 위치 측정 방법, 위치 측정 장치, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US9355208B2 (en) * | 2013-07-08 | 2016-05-31 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
US10935893B2 (en) * | 2013-08-11 | 2021-03-02 | Kla-Tencor Corporation | Differential methods and apparatus for metrology of semiconductor targets |
WO2015196168A1 (en) | 2014-06-21 | 2015-12-23 | Kla-Tencor Corporation | Compound imaging metrology targets |
NL2017466A (en) * | 2015-09-30 | 2017-04-05 | Asml Netherlands Bv | Metrology method, target and substrate |
US10451412B2 (en) * | 2016-04-22 | 2019-10-22 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
KR102259091B1 (ko) * | 2016-11-10 | 2021-06-01 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 스택 차이를 이용한 설계 및 교정 |
KR102387947B1 (ko) * | 2017-11-21 | 2022-04-18 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 패턴을 갖는 반도체 소자 |
US10943838B2 (en) * | 2017-11-29 | 2021-03-09 | Kla-Tencor Corporation | Measurement of overlay error using device inspection system |
US10579758B2 (en) * | 2018-03-29 | 2020-03-03 | Wipro Limited | Method and system for implementation of user logic in a field programmable gate array device |
US11971664B2 (en) * | 2018-07-30 | 2024-04-30 | Kla-Tencor Corporation | Reducing device overlay errors |
US11119416B2 (en) * | 2018-08-14 | 2021-09-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming semiconductor structure and overlay error estimation |
WO2020159560A1 (en) | 2019-01-28 | 2020-08-06 | Kla-Tencor Corporation | Moiré target and method for using the same in measuring misregistration of semiconductor devices |
CN113366619A (zh) | 2019-02-15 | 2021-09-07 | 科磊股份有限公司 | 使用组合光学与电子束技术的偏移测量 |
-
2020
- 2020-06-25 WO PCT/US2020/039475 patent/WO2021211154A1/en unknown
- 2020-06-25 JP JP2022560881A patent/JP7369306B2/ja active Active
- 2020-06-25 EP EP20931210.7A patent/EP4111495A4/en active Pending
- 2020-06-25 CN CN202080099714.6A patent/CN115428139B/zh active Active
- 2020-06-25 US US16/964,714 patent/US11532566B2/en active Active
- 2020-06-25 KR KR1020227037760A patent/KR102630496B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-04-14 TW TW110113340A patent/TW202205032A/zh unknown
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009532862A (ja) * | 2006-03-31 | 2009-09-10 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | スキャトロメトリを用いてオーバレイ誤差を検出するための装置および方法 |
JP2007324371A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Ebara Corp | オーバーレイ検査用オーバーレイマーク及びレンズ収差調査用マーク |
JP2013534314A (ja) * | 2010-08-03 | 2013-09-02 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 多層オーバーレイ計測ターゲットおよび相補的オーバーレイ計測測定システム |
US20120038021A1 (en) * | 2010-08-11 | 2012-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Overlay mark enhancement feature |
JP2015528922A (ja) * | 2012-06-26 | 2015-10-01 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 装置様散乱測定法のオーバーレイターゲット |
US20160266505A1 (en) * | 2015-01-30 | 2016-09-15 | Kla-Tencor Corporation | Device metrology targets and methods |
US20180188663A1 (en) * | 2017-01-04 | 2018-07-05 | Kla-Tencor Corporation | Device-Like Metrology Targets |
US20190179231A1 (en) * | 2017-12-07 | 2019-06-13 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for device-correlated overlay metrology |
JP2021511532A (ja) * | 2018-01-12 | 2021-05-06 | ケーエルエー コーポレイション | 傾斜周期構造を有する計測ターゲット及び方法 |
JP2021515232A (ja) * | 2018-03-07 | 2021-06-17 | ケーエルエー コーポレイション | 荷電粒子ビーム計測システムの帯電効果と放射線損傷を最小化する走査戦略 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7369306B2 (ja) | 2023-10-25 |
CN115428139B (zh) | 2024-04-12 |
KR102630496B1 (ko) | 2024-01-29 |
WO2021211154A1 (en) | 2021-10-21 |
EP4111495A1 (en) | 2023-01-04 |
KR20230002526A (ko) | 2023-01-05 |
EP4111495A4 (en) | 2024-04-10 |
TW202205032A (zh) | 2022-02-01 |
CN115428139A (zh) | 2022-12-02 |
US11532566B2 (en) | 2022-12-20 |
US20220013468A1 (en) | 2022-01-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2023522847A (ja) | 半導体デバイスの位置ずれを計測する際役立つデバイス規模フィーチャを有する位置ずれターゲット | |
US10151584B2 (en) | Periodic patterns and technique to control misalignment between two layers | |
US8143731B2 (en) | Integrated alignment and overlay mark | |
US6699624B2 (en) | Grating test patterns and methods for overlay metrology | |
JP2003224057A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7258953B2 (en) | Multi-layer registration and dimensional test mark for scatterometrical measurement | |
JP2014030047A (ja) | スキャトロメトリを用いてオーバレイ誤差を検出するための装置および方法 | |
JP2023509480A (ja) | 軟x線スキャタロメトリに依拠するオーバレイ計測方法及びシステム | |
US6743554B2 (en) | Photomask for aberration measurement, aberration measurement method unit for aberration measurement and manufacturing method for device | |
CN103488060B (zh) | 确定光刻曝光离焦量的方法 | |
JP6462614B2 (ja) | パターン精度検出装置及び加工システム | |
US10119811B2 (en) | Alignment mark, method of measuring wafer alignment, and method of manufacturing a semiconductor device using the method of measuring wafer alignment | |
CN107533020B (zh) | 计算上高效的基于x射线的叠盖测量***与方法 | |
US7642021B2 (en) | Method of mapping lithography focus errors | |
US20230068016A1 (en) | Systems and methods for rotational calibration of metrology tools | |
TW202331424A (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
US20060266953A1 (en) | Method and system for determining a positioning error of an electron beam of a scanning electron microscope | |
JP2006108579A (ja) | 寸法測定方法および半導体装置の製造方法 | |
KR20030095746A (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 임계치수 측정방법 | |
KR20050033687A (ko) | 오버레이 측정방법 | |
US20100330465A1 (en) | Photomask For Forming A Line-Type Pattern And Method Of Fabricating The Pattern Using The Photomask | |
JPS62273402A (ja) | アライメント装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230609 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230609 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20230609 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230725 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230915 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231003 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231013 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7369306 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |