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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【課題】作製歩留りの高い表示装置を提供する。隣接画素間の混色が抑制された表示装置を提供する。【解決手段】第1の画素電極と、第2の画素電極と、第1の絶縁層と、第2の絶縁層と、接着層とを有し、第1の絶縁層は、第1の開口部を有し、第2の絶縁層は、第2の開口部を有し、第1の開口部及び第2の開口部は、第1の画素電極と、第2の画素電極の間に設けられ、上面視において、第2の開口部の外周は、第1の開口部の外周より内側に位置し、接着層は、第2の絶縁層より下部において第2の絶縁層と重畳する領域を有する表示装置とする。【選択図】図1
Description
本発明の一態様は、表示装置に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発
明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置
、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方
法、を一例として挙げることができる。
明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置
、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方
法、を一例として挙げることができる。
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能し得る
装置全般を指す。トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置等は半導体装置の一態
様である。また、撮像装置、電気光学装置、発電装置(薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池
等を含む。)、及び電子機器は半導体装置を有している場合がある。
装置全般を指す。トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置等は半導体装置の一態
様である。また、撮像装置、電気光学装置、発電装置(薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池
等を含む。)、及び電子機器は半導体装置を有している場合がある。
有機EL(Electro Luminescence)素子や、液晶素子が適用され
た表示装置が知られている。また、その他にも、発光ダイオード(LED:Light
Emitting Diode)等の発光素子を備える発光装置、電気泳動方式などによ
り表示を行う電子ペーパなども、表示装置の一例として挙げることができる。
た表示装置が知られている。また、その他にも、発光ダイオード(LED:Light
Emitting Diode)等の発光素子を備える発光装置、電気泳動方式などによ
り表示を行う電子ペーパなども、表示装置の一例として挙げることができる。
有機EL素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟持し
たものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得
ることができる。このような有機EL素子が適用された表示装置は、薄型、軽量、高コン
トラストで、かつ低消費電力な表示装置を実現できる。
たものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得
ることができる。このような有機EL素子が適用された表示装置は、薄型、軽量、高コン
トラストで、かつ低消費電力な表示装置を実現できる。
特許文献1には、有機EL素子が適用されたフレキシブルな発光装置が開示されている
。
。
本発明の一態様は、作製歩留りの高い表示装置を提供することを課題の一とする。又は
、隣接画素間の混色が抑制された表示装置を提供することを課題の一とする。又は、色再
現性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。又は、厚さの薄い表示装置を提供
することを課題の一とする。又は、製造しやすい表示装置を提供することを課題の一とす
る。又は、消費電力が低減した表示装置を提供することを課題の一とする。又は、信頼性
の高い表示装置を提供することを課題の一とする。
、隣接画素間の混色が抑制された表示装置を提供することを課題の一とする。又は、色再
現性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。又は、厚さの薄い表示装置を提供
することを課題の一とする。又は、製造しやすい表示装置を提供することを課題の一とす
る。又は、消費電力が低減した表示装置を提供することを課題の一とする。又は、信頼性
の高い表示装置を提供することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様
は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、明
細書等の記載から抽出することが可能である。
は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、明
細書等の記載から抽出することが可能である。
本発明の一態様は、第1の画素電極と、第2の画素電極と、第1の絶縁層と、第2の絶
縁層と、接着層と、を有し、第1の画素電極及び第2の画素電極は、第1の絶縁層上に設
けられ、第2の絶縁層は、第1の絶縁層、第1の画素電極及び第2の画素電極上に設けら
れ、接着層は、第1の絶縁層、第2の絶縁層、第1の画素電極及び第2の画素電極上に設
けられ、第1の絶縁層は、第1の開口部を有し、第1の開口部の底面は、第1の絶縁層の
底面よりも上部に位置し、第2の絶縁層は、第2の開口部を有し、第2の開口部は、第2
の絶縁層を貫通することで第1の開口部と一体となり、第1の開口部及び第2の開口部は
、第1の画素電極と、第2の画素電極の間に設けられ、上面視において、第2の開口部の
外周は、第1の開口部の外周より内側に位置し、接着層は、第2の絶縁層より下部におい
て第2の絶縁層と重畳する領域を有する、表示装置である。
縁層と、接着層と、を有し、第1の画素電極及び第2の画素電極は、第1の絶縁層上に設
けられ、第2の絶縁層は、第1の絶縁層、第1の画素電極及び第2の画素電極上に設けら
れ、接着層は、第1の絶縁層、第2の絶縁層、第1の画素電極及び第2の画素電極上に設
けられ、第1の絶縁層は、第1の開口部を有し、第1の開口部の底面は、第1の絶縁層の
底面よりも上部に位置し、第2の絶縁層は、第2の開口部を有し、第2の開口部は、第2
の絶縁層を貫通することで第1の開口部と一体となり、第1の開口部及び第2の開口部は
、第1の画素電極と、第2の画素電極の間に設けられ、上面視において、第2の開口部の
外周は、第1の開口部の外周より内側に位置し、接着層は、第2の絶縁層より下部におい
て第2の絶縁層と重畳する領域を有する、表示装置である。
また、上記において、第2の絶縁層が、第1の絶縁層上で庇状に突出する部分の長さが
、0.05μm以上5.0μm以下である表示装置も本発明の一態様である。
、0.05μm以上5.0μm以下である表示装置も本発明の一態様である。
また、上記において、上面視における第2の開口部の短辺の幅が、0.5μm以上20
μm以下である表示装置も本発明の一態様である。
μm以下である表示装置も本発明の一態様である。
また、第1の画素電極と、第2の画素電極と、第1の絶縁層と、第2の絶縁層と、接着
層と、を有し、第1の画素電極及び第2の画素電極は、第1の絶縁層上に設けられ、第2
の絶縁層は、第1の絶縁層、第1の画素電極及び第2の画素電極上に設けられ、接着層は
、第2の絶縁層、第1の画素電極及び第2の画素電極上に設けられ、第1の絶縁層は、第
1の開口部を有し、第1の開口部は、その表面が第2の絶縁層で覆われ、第1の開口部の
底面は、第1の絶縁層の底面よりも上部に位置し、第1の開口部は、第1の画素電極と、
第2の画素電極の間に設けられ、第2の絶縁層は、第1の開口部における第2の絶縁層の
側面の上部で庇状に突出する第1の突出部を有し、接着層は、第1の突出部より下部にお
いて第2の絶縁層と重畳する領域を有する表示装置も本発明の一態様である。
層と、を有し、第1の画素電極及び第2の画素電極は、第1の絶縁層上に設けられ、第2
の絶縁層は、第1の絶縁層、第1の画素電極及び第2の画素電極上に設けられ、接着層は
、第2の絶縁層、第1の画素電極及び第2の画素電極上に設けられ、第1の絶縁層は、第
1の開口部を有し、第1の開口部は、その表面が第2の絶縁層で覆われ、第1の開口部の
底面は、第1の絶縁層の底面よりも上部に位置し、第1の開口部は、第1の画素電極と、
第2の画素電極の間に設けられ、第2の絶縁層は、第1の開口部における第2の絶縁層の
側面の上部で庇状に突出する第1の突出部を有し、接着層は、第1の突出部より下部にお
いて第2の絶縁層と重畳する領域を有する表示装置も本発明の一態様である。
また、上記において、第1の突出部の長さが、0.05μm以上5.0μm以下である
表示装置も本発明の一態様である。
表示装置も本発明の一態様である。
また、上記において、第1の絶縁層が有機樹脂材料を含み、第2の絶縁層が無機絶縁性
材料を含む表示装置も、本発明の一態様である。
材料を含む表示装置も、本発明の一態様である。
また、上記において、第1の絶縁層がアクリルを含み、第2の絶縁層が酸化窒化シリコ
ンを含む表示装置も、本発明の一態様である。
ンを含む表示装置も、本発明の一態様である。
本発明の一態様によれば、作製歩留りの高い表示装置を提供できる。又は、隣接画素間
の混色が抑制された表示装置を提供できる。又は、色再現性の高い表示装置を提供できる
。又は、厚さの薄い表示装置を提供できる。又は、製造しやすい表示装置を提供できる。
又は、消費電力が低減した表示装置を提供できる。又は、信頼性の高い表示装置を提供で
きる。
の混色が抑制された表示装置を提供できる。又は、色再現性の高い表示装置を提供できる
。又は、厚さの薄い表示装置を提供できる。又は、製造しやすい表示装置を提供できる。
又は、消費電力が低減した表示装置を提供できる。又は、信頼性の高い表示装置を提供で
きる。
なお、本発明の一態様は、必ずしもこれらの効果の全てを有する必要はない。なお、こ
れら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。
れら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限
定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に
変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下に示す
実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に
変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下に示す
実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、又は領域は、明
瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない
。
瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない
。
なお、本明細書等における「第1」、「第2」等の序数詞は、構成要素の混同を避ける
ために付すものであり、数的に限定するものではない。
ために付すものであり、数的に限定するものではない。
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について説明する。
本発明の一態様の表示装置は、複数の画素(副画素)を有する。各画素は画素電極を含
む表示素子を有する。画素電極は第1の絶縁層上に設けられ、第2の絶縁層は画素電極及
び第1の絶縁層上に設けられる。また、第1の絶縁層、画素電極及び第2の絶縁層上には
接着層が設けられる。
む表示素子を有する。画素電極は第1の絶縁層上に設けられ、第2の絶縁層は画素電極及
び第1の絶縁層上に設けられる。また、第1の絶縁層、画素電極及び第2の絶縁層上には
接着層が設けられる。
また、隣接する画素間において、第1の絶縁層及び第2の絶縁層は、それぞれ開口部を
有する。第1の絶縁層に設けられた開口部(第1の開口部とする。)は、その底面が第1
の絶縁層の底面よりも上部に位置する。また第2の絶縁層に設けられた開口部(第2の開
口部とする。)は、第2の絶縁層を貫通することで第1の開口部と一体となっている。
有する。第1の絶縁層に設けられた開口部(第1の開口部とする。)は、その底面が第1
の絶縁層の底面よりも上部に位置する。また第2の絶縁層に設けられた開口部(第2の開
口部とする。)は、第2の絶縁層を貫通することで第1の開口部と一体となっている。
表示装置は、例えば、一対の基板の間に表示素子、各絶縁層、及び接着層が挟持された
構成とすることができる。例えば、一方の基板には表示素子の画素電極等が設けられ、他
方の基板とこれらが接着層により貼り合わされた構成とすることができる。
構成とすることができる。例えば、一方の基板には表示素子の画素電極等が設けられ、他
方の基板とこれらが接着層により貼り合わされた構成とすることができる。
上面視において、第2の開口部は、その外周が第1の開口部の外周より内側に位置する
。また、接着層は、第2の絶縁層より下部において第2の絶縁層と重畳する領域を有する
。好ましくは、第1の開口部及び第2の開口部の内部は接着層で満たされている。この場
合、隣接する画素間の断面視において、第1の開口部及び第2の開口部が一体となった開
口部に楔状(又はアンカー状又は両口ハンマー状)の接着層が嵌合する構成となる。
。また、接着層は、第2の絶縁層より下部において第2の絶縁層と重畳する領域を有する
。好ましくは、第1の開口部及び第2の開口部の内部は接着層で満たされている。この場
合、隣接する画素間の断面視において、第1の開口部及び第2の開口部が一体となった開
口部に楔状(又はアンカー状又は両口ハンマー状)の接着層が嵌合する構成となる。
このような構成とすることで、第1の絶縁層及び第2の絶縁層と、接着層との密着性を
高めることができる。例えば、表示装置が表示素子としてEL素子を有する場合、画素電
極、第1の絶縁層及び第2の絶縁層と、接着層の間にはEL層及び導電膜が設けられる。
EL層と導電膜の界面の密着性が低いため、EL層と導電膜のそれぞれに両者が対向する
方向と逆向きの力がかかると、該界面を起点とする膜剥がれが生じる場合がある。該膜剥
がれは、特に、表示装置が可撓性を有する場合の表示装置の作製時に発生し得るが、表示
装置が上記の構成を有することで、該膜剥がれを抑制することができる。よって、信頼性
の高い表示装置とすることができる。
高めることができる。例えば、表示装置が表示素子としてEL素子を有する場合、画素電
極、第1の絶縁層及び第2の絶縁層と、接着層の間にはEL層及び導電膜が設けられる。
EL層と導電膜の界面の密着性が低いため、EL層と導電膜のそれぞれに両者が対向する
方向と逆向きの力がかかると、該界面を起点とする膜剥がれが生じる場合がある。該膜剥
がれは、特に、表示装置が可撓性を有する場合の表示装置の作製時に発生し得るが、表示
装置が上記の構成を有することで、該膜剥がれを抑制することができる。よって、信頼性
の高い表示装置とすることができる。
また、このような構成とすることで、第1の開口部及び第2の開口部においてEL層が
切断される又は極めて薄くなるため、隣接するEL素子間のリーク電流を抑制することが
できる。すなわち、第1の開口部又は/及び第2の開口部は、隣接画素間の混色を抑制す
る機能を有するといえる。よって、色再現性の高い表示を行える表示装置とすることがで
きる。
切断される又は極めて薄くなるため、隣接するEL素子間のリーク電流を抑制することが
できる。すなわち、第1の開口部又は/及び第2の開口部は、隣接画素間の混色を抑制す
る機能を有するといえる。よって、色再現性の高い表示を行える表示装置とすることがで
きる。
表示素子としては、LEDやOLED(Organic Light Emittin
g Diode)、又はQLED(Quantum-dot Light Emitti
ng Diode)等の、電流又は電圧によって素子が発する光の輝度を制御できる素子
を用いることができる。
g Diode)、又はQLED(Quantum-dot Light Emitti
ng Diode)等の、電流又は電圧によって素子が発する光の輝度を制御できる素子
を用いることができる。
以下では、より具体的な構成例について、図面を参照して説明する。
[構成例1]
図1(A)は、本発明の一態様の表示装置10の斜視概略図である。表示装置10は、
基板21と基板31とが貼り合わされた構成を有する。図1(A)では、基板31を破線
で明示している。
図1(A)は、本発明の一態様の表示装置10の斜視概略図である。表示装置10は、
基板21と基板31とが貼り合わされた構成を有する。図1(A)では、基板31を破線
で明示している。
表示装置10は、表示部32、回路34、配線35等を有する。基板21には、例えば
、回路34、配線35、及び表示部32、画素電極23(図1(B)参照。)等が設けら
れる。また、図1(A)では、基板21上にIC43とFPC42が実装されている例を
示している。
、回路34、配線35、及び表示部32、画素電極23(図1(B)参照。)等が設けら
れる。また、図1(A)では、基板21上にIC43とFPC42が実装されている例を
示している。
回路34は、例えば、走査線駆動回路として機能する回路を用いることができる。
配線35は、表示部32や回路34に信号や電力を供給する機能を有する。当該信号や
電力は、FPC42を介して外部、又はIC43から配線35に入力される。
電力は、FPC42を介して外部、又はIC43から配線35に入力される。
また、図1(A)では、COG(Chip On Glass)方式等により、基板2
1にIC43が設けられている例を示している。IC43は、例えば、走査線駆動回路、
又は信号線駆動回路などとしての機能を有するICを適用できる。なお、表示装置10が
走査線駆動回路及び信号線駆動回路として機能する回路を備える場合や、走査線駆動回路
や信号線駆動回路として機能する回路を外部に設け、FPC42を介して表示装置10を
駆動するための信号を入力する場合などでは、IC43を設けない構成としてもよい。ま
た、IC43を、COF(Chip On Film)方式等により、FPC42に実装
してもよい。
1にIC43が設けられている例を示している。IC43は、例えば、走査線駆動回路、
又は信号線駆動回路などとしての機能を有するICを適用できる。なお、表示装置10が
走査線駆動回路及び信号線駆動回路として機能する回路を備える場合や、走査線駆動回路
や信号線駆動回路として機能する回路を外部に設け、FPC42を介して表示装置10を
駆動するための信号を入力する場合などでは、IC43を設けない構成としてもよい。ま
た、IC43を、COF(Chip On Film)方式等により、FPC42に実装
してもよい。
[画素の構成例1]
〔画素の構成例1-1〕
図1(B)は、図1(A)中に破線の丸で囲った表示部32の一部である領域32Aを
拡大した上面図である。図1(B)には、表示部32のうち説明に要する構成のみを示し
ている。
〔画素の構成例1-1〕
図1(B)は、図1(A)中に破線の丸で囲った表示部32の一部である領域32Aを
拡大した上面図である。図1(B)には、表示部32のうち説明に要する構成のみを示し
ている。
表示部32には、複数の表示素子が有する画素電極23がマトリクス状に配置されてい
る。また、隣接する2つの画素電極23の間に、開口部11及び開口部12が配置されて
いる。開口部12の外周は、開口部11の外周よりも内側に位置する。図1(B)では、
絶縁層82(図示しない。)に覆われている開口部11の外周を破線で示し、開口部12
の外周を実線で示している。また、絶縁層82に覆われている画素電極23の外周を破線
で示し、画素電極23の絶縁層82に覆われていない領域をハッチングで示している。
る。また、隣接する2つの画素電極23の間に、開口部11及び開口部12が配置されて
いる。開口部12の外周は、開口部11の外周よりも内側に位置する。図1(B)では、
絶縁層82(図示しない。)に覆われている開口部11の外周を破線で示し、開口部12
の外周を実線で示している。また、絶縁層82に覆われている画素電極23の外周を破線
で示し、画素電極23の絶縁層82に覆われていない領域をハッチングで示している。
なお、本明細書において「開口部の外周」とは、該開口部を、上面視における面積が最
大となる平面で切り取った輪郭を指す。例えば、上面から底面に向かって空洞が末広がり
となる形状の開口部における外周とは、該開口部の底面の輪郭である。
大となる平面で切り取った輪郭を指す。例えば、上面から底面に向かって空洞が末広がり
となる形状の開口部における外周とは、該開口部の底面の輪郭である。
開口部11及び開口部12は、異なる色に対応する2つの画素が有する2つの画素電極
23の間に配置されていることが好ましい。また、開口部11及び開口部12は同じ色に
対応する2つの画素が有する2つの画素電極23の間に配置されていてもよい。
23の間に配置されていることが好ましい。また、開口部11及び開口部12は同じ色に
対応する2つの画素が有する2つの画素電極23の間に配置されていてもよい。
図2(A)に、図1(B)中の切断線A1-A2に対応する断面の一例を示す。図2(
A)には、隣接する2つの画素を含む領域の断面を示している。またここでは、表示素子
として、トップエミッション型の発光素子40を適用した場合の例を示している。したが
って、基板31側が表示面側となる。
A)には、隣接する2つの画素を含む領域の断面を示している。またここでは、表示素子
として、トップエミッション型の発光素子40を適用した場合の例を示している。したが
って、基板31側が表示面側となる。
表示装置10は、基板21と基板31とが接着層39で貼り合わされた構成を有してい
る。発光素子40は、接着層39によって封止されているともいえる。基板21及び基板
31は、可撓性を有していてもよい。この場合、表示装置10は、可撓性を有する表示装
置である。
る。発光素子40は、接着層39によって封止されているともいえる。基板21及び基板
31は、可撓性を有していてもよい。この場合、表示装置10は、可撓性を有する表示装
置である。
基板21上には、トランジスタ70、発光素子40等が設けられている。また、基板2
1上には、絶縁層73、絶縁層81、絶縁層82等が設けられている。一方、基板31の
基板21と対向する面側には、着色層51a、着色層51b、及び遮光層52等が設けら
れている。着色層51aと着色層51bは、それぞれ透過する光の波長域が異なる。
1上には、絶縁層73、絶縁層81、絶縁層82等が設けられている。一方、基板31の
基板21と対向する面側には、着色層51a、着色層51b、及び遮光層52等が設けら
れている。着色層51aと着色層51bは、それぞれ透過する光の波長域が異なる。
トランジスタ70は、ゲートとして機能する導電層71、半導体層72、ゲート絶縁層
として機能する絶縁層73、ソース又はドレインの一方として機能する導電層74a、ソ
ース又はドレインの他方として機能する導電層74b等を有する。
として機能する絶縁層73、ソース又はドレインの一方として機能する導電層74a、ソ
ース又はドレインの他方として機能する導電層74b等を有する。
トランジスタ70を覆って絶縁層81が設けられている。また、絶縁層81上に画素電
極23が設けられている。画素電極23と導電層74bとは、絶縁層81に設けられた開
口部を介して電気的に接続している。
極23が設けられている。画素電極23と導電層74bとは、絶縁層81に設けられた開
口部を介して電気的に接続している。
画素電極23の端部を覆って絶縁層82が設けられている。絶縁層82はテーパ形状を
有していることが好ましい。
有していることが好ましい。
画素電極23上には、EL層24、及び導電層25が設けられ、発光素子40を構成し
ている。導電層25の一部は、発光素子40の共通電極として機能する。発光素子40は
、画素電極23と導電層25に電位差を生じさせ、EL層24に電流を流すことにより発
光する。
ている。導電層25の一部は、発光素子40の共通電極として機能する。発光素子40は
、画素電極23と導電層25に電位差を生じさせ、EL層24に電流を流すことにより発
光する。
絶縁層81には開口部11が設けられ、絶縁層82には開口部12が設けられている。
開口部11は、その底面が絶縁層81の底面よりも上部に位置する。開口部12は絶縁層
82を貫通しており、開口部11と一体になっている。
開口部11は、その底面が絶縁層81の底面よりも上部に位置する。開口部12は絶縁層
82を貫通しており、開口部11と一体になっている。
上面視において、開口部12の外周が開口部11の外周より内側にあるため(図1(B
)参照。)、断面視において、絶縁層82は絶縁層81上で庇状に突出する形状となって
いる(図2(A)参照。)。また、開口部11の内部が接着層39で満たされているため
、接着層39は、絶縁層82より下部において絶縁層82と重畳する領域を有する。よっ
て、図2(A)に示す通り、接着層39は断面視において、開口部11及び開口部12が
一体となった開口部に嵌合する楔状の領域15を有する。
)参照。)、断面視において、絶縁層82は絶縁層81上で庇状に突出する形状となって
いる(図2(A)参照。)。また、開口部11の内部が接着層39で満たされているため
、接着層39は、絶縁層82より下部において絶縁層82と重畳する領域を有する。よっ
て、図2(A)に示す通り、接着層39は断面視において、開口部11及び開口部12が
一体となった開口部に嵌合する楔状の領域15を有する。
接着層39が領域15を有することで、絶縁層81及び絶縁層82と、接着層39との
密着性を高めることができる。なお、開口部11の内部が接着層39で満たされているこ
とが好ましいが、接着層39が絶縁層82より下部において絶縁層82と重畳する領域を
有していればこれに限られず、開口部11の一部が空洞になっていてもよい。
密着性を高めることができる。なお、開口部11の内部が接着層39で満たされているこ
とが好ましいが、接着層39が絶縁層82より下部において絶縁層82と重畳する領域を
有していればこれに限られず、開口部11の一部が空洞になっていてもよい。
ここで、可撓性を有する表示装置10の作製方法の一例について説明する。該作製方法
は、例えば、以下の工程を有する。まず、一方の支持基板上にトランジスタ70等を設け
、他方の支持基板に着色層(例えば、着色層51a、着色層51b)等を設ける。次に、
一方の支持基板と他方の支持基板とを接着層39を介して貼り合わせて加工部材を作製す
る。そして、支持基板を加工部材から剥離した後に可撓性を有する基板を貼り合わせる工
程を、一方の支持基板及び他方の支持基板の双方に対して行う。
は、例えば、以下の工程を有する。まず、一方の支持基板上にトランジスタ70等を設け
、他方の支持基板に着色層(例えば、着色層51a、着色層51b)等を設ける。次に、
一方の支持基板と他方の支持基板とを接着層39を介して貼り合わせて加工部材を作製す
る。そして、支持基板を加工部材から剥離した後に可撓性を有する基板を貼り合わせる工
程を、一方の支持基板及び他方の支持基板の双方に対して行う。
支持基板を加工部材から剥離する工程において、互いに密着性の弱い2つの膜が接して
設けられた積層構造を加工部材が有すると、該2つの膜の界面が剥がれてしまう現象(以
下、膜剥がれとも表記する。)が起こる場合がある。例えば、EL層24及び導電層25
は互いに密着性が弱いため、発光素子40を有する表示装置10を上記の作製方法で作製
すると、EL層24及び導電層25の間で膜剥がれが起こる場合があり、作製歩留りの低
下が懸念される。
設けられた積層構造を加工部材が有すると、該2つの膜の界面が剥がれてしまう現象(以
下、膜剥がれとも表記する。)が起こる場合がある。例えば、EL層24及び導電層25
は互いに密着性が弱いため、発光素子40を有する表示装置10を上記の作製方法で作製
すると、EL層24及び導電層25の間で膜剥がれが起こる場合があり、作製歩留りの低
下が懸念される。
本発明の一態様の表示装置10は、隣接する2つの画素が有する2つの画素電極23の
間に領域15を有する。このため、EL層24及び導電層25を上下から挟み込んでいる
絶縁層81、絶縁層82及び接着層39の密着性が高く、上記の可撓性を有する表示装置
10の作製方法において、EL層24と導電層25のそれぞれに両者が対向する方向と逆
向きの力がかかった場合に起こる膜剥がれを抑制することができる。すなわち、本発明の
一態様によって、作製歩留りの高い表示装置10を提供できる。
間に領域15を有する。このため、EL層24及び導電層25を上下から挟み込んでいる
絶縁層81、絶縁層82及び接着層39の密着性が高く、上記の可撓性を有する表示装置
10の作製方法において、EL層24と導電層25のそれぞれに両者が対向する方向と逆
向きの力がかかった場合に起こる膜剥がれを抑制することができる。すなわち、本発明の
一態様によって、作製歩留りの高い表示装置10を提供できる。
上記の膜剥がれを抑制する効果の大きさは、絶縁層82が絶縁層81上で庇状に突出す
る長さd1によって規定することができる(図1(B)、図2(A)参照。)。d1が大
きいほど該効果は大きくなるが、表示装置10を精細度の高い表示装置とする場合には、
d1を小さくすることが好ましい。
る長さd1によって規定することができる(図1(B)、図2(A)参照。)。d1が大
きいほど該効果は大きくなるが、表示装置10を精細度の高い表示装置とする場合には、
d1を小さくすることが好ましい。
よって、例えば、長さd1を0.05μm以上5.0μm以下、好ましくは0.1μm
以上1.0μm以下とすることで、上記の膜剥がれを効果的に抑制することができる。
以上1.0μm以下とすることで、上記の膜剥がれを効果的に抑制することができる。
また、上記の膜剥がれを抑制する効果の大きさは、上面視における開口部12の短辺の
幅d2によって規定することができる(図1(B)、図2(A)参照。)。表示装置10
を精細度の高い表示装置とする場合には、d2を小さくすることが好ましい。一方で、d
2が小さすぎると、上記の表示装置10の作製方法における支持基板を加工部材から剥離
する工程において、領域15が開口部12より上部の接着層39から剥がれることで、該
効果が失われてしまう場合がある。
幅d2によって規定することができる(図1(B)、図2(A)参照。)。表示装置10
を精細度の高い表示装置とする場合には、d2を小さくすることが好ましい。一方で、d
2が小さすぎると、上記の表示装置10の作製方法における支持基板を加工部材から剥離
する工程において、領域15が開口部12より上部の接着層39から剥がれることで、該
効果が失われてしまう場合がある。
よって、例えば、幅d2を0.5μm以上20μm以下、好ましくは2.0μm以上1
0μm以下とすることで、上記の膜剥がれを効果的に抑制することができる。
0μm以下とすることで、上記の膜剥がれを効果的に抑制することができる。
なお、図1(B)では、開口部11及び開口部12が、異なる色に対応する2つの隣接
する画素、すなわち、図1(B)のX方向に隣接する2つの画素が有する2つの画素電極
23の間に設けられた例を示すが、これに限られない。開口部11及び開口部12が、図
1(B)のY方向に隣接する2つの画素電極23の間に設けられていてもよい(図3(A
)参照。)。また、開口部11及び開口部12が、X方向に隣接する2つと、そのそれぞ
れに対してY方向の同じ側に隣接する2つの、計4つの画素電極23の間に設けられてい
てもよい(図3(B)参照。)。
する画素、すなわち、図1(B)のX方向に隣接する2つの画素が有する2つの画素電極
23の間に設けられた例を示すが、これに限られない。開口部11及び開口部12が、図
1(B)のY方向に隣接する2つの画素電極23の間に設けられていてもよい(図3(A
)参照。)。また、開口部11及び開口部12が、X方向に隣接する2つと、そのそれぞ
れに対してY方向の同じ側に隣接する2つの、計4つの画素電極23の間に設けられてい
てもよい(図3(B)参照。)。
また、開口部11及び開口部12の上面形状は、矩形に限定されない。開口部11及び
開口部12は、多角形でもよく、ジグザグ形状やミアンダ形状、円や楕円などの任意の閉
曲線であってもよい。図4(A)、図4(B)には、X方向に隣接する2つと、そのそれ
ぞれに対してY方向の同じ側に隣接する2つの、計4つの画素電極23の間に設けられた
開口部11及び開口部12の上面形状がそれぞれ十字状、円である例を示す。なお、図4
(A)、図4(B)に示した構成におけるd1、d2の規定方法の一例を、それぞれ図に
示している。
開口部12は、多角形でもよく、ジグザグ形状やミアンダ形状、円や楕円などの任意の閉
曲線であってもよい。図4(A)、図4(B)には、X方向に隣接する2つと、そのそれ
ぞれに対してY方向の同じ側に隣接する2つの、計4つの画素電極23の間に設けられた
開口部11及び開口部12の上面形状がそれぞれ十字状、円である例を示す。なお、図4
(A)、図4(B)に示した構成におけるd1、d2の規定方法の一例を、それぞれ図に
示している。
図5(A)には、X方向に隣接する2つの画素が有する2つの画素電極23の間に、そ
れぞれ横に並んだ2つの矩形の開口部11及び開口部12が設けられる例を示す。また、
図5(B)には、X方向に隣接する2つの画素が有する2つの画素電極23の間に設けら
れた開口部11及び開口部12の上面形状がミアンダ形状である例を示す。このような構
成とすることで、図1(B)と比較して、開口部11及び開口部12に要する面積を増や
さずに、絶縁層82の庇部の面積(図1(B)等における開口部11の外周及び開口部1
2の外周に囲まれた面積)を増やすことができる。よって、膜剥がれを抑制する効果をさ
らに大きくすることができる。
れぞれ横に並んだ2つの矩形の開口部11及び開口部12が設けられる例を示す。また、
図5(B)には、X方向に隣接する2つの画素が有する2つの画素電極23の間に設けら
れた開口部11及び開口部12の上面形状がミアンダ形状である例を示す。このような構
成とすることで、図1(B)と比較して、開口部11及び開口部12に要する面積を増や
さずに、絶縁層82の庇部の面積(図1(B)等における開口部11の外周及び開口部1
2の外周に囲まれた面積)を増やすことができる。よって、膜剥がれを抑制する効果をさ
らに大きくすることができる。
図2(A)では、EL層24と導電層25を、複数の画素にわたって形成した場合の例
を示している。EL層24は、画素電極23の露出した部分以外に、絶縁層82、及び絶
縁層81上に設けられている。また、導電層25は、EL層24を覆って設けられている
。
を示している。EL層24は、画素電極23の露出した部分以外に、絶縁層82、及び絶
縁層81上に設けられている。また、導電層25は、EL層24を覆って設けられている
。
ここで、EL層を含む発光素子を有する表示装置において、EL層を複数の画素にわた
って形成した場合、EL層が導電性の高い層を有すると、当該導電性の高い層を介して隣
接画素の発光素子に電流が流れてしまう場合がある。又は、EL層がドナー性の物質とア
クセプタ性の物質の両方を含む層を有する場合も同様である。その結果、本来発光しない
隣接の画素の発光素子が発光することにより、隣接画素間において混色が起き、表示装置
の色再現性が低下してしまうといった問題がある。このような現象をクロストークとも呼
ぶことができる。
って形成した場合、EL層が導電性の高い層を有すると、当該導電性の高い層を介して隣
接画素の発光素子に電流が流れてしまう場合がある。又は、EL層がドナー性の物質とア
クセプタ性の物質の両方を含む層を有する場合も同様である。その結果、本来発光しない
隣接の画素の発光素子が発光することにより、隣接画素間において混色が起き、表示装置
の色再現性が低下してしまうといった問題がある。このような現象をクロストークとも呼
ぶことができる。
本発明の一態様の表示装置10は、隣接する2つの画素の間に開口部(開口部11及び
開口部12)を有し、該開口において(具体的には、開口部11の、絶縁層82の庇状に
突出した部分の下面及び絶縁層81の側面において)、2つの画素電極23にわたって設
けられたEL層24が不連続となっている。よって、隣接画素間の混色を抑制することが
できるため、表示装置10は色再現性の高い表示を行うことができる。
開口部12)を有し、該開口において(具体的には、開口部11の、絶縁層82の庇状に
突出した部分の下面及び絶縁層81の側面において)、2つの画素電極23にわたって設
けられたEL層24が不連続となっている。よって、隣接画素間の混色を抑制することが
できるため、表示装置10は色再現性の高い表示を行うことができる。
なお、図2(A)に示すように、発光素子40の近傍でEL層24又は/及び導電層2
5が不連続となる部分があると、その部分から水分等がEL層24へ侵入することで、表
示装置10の信頼性が低下する場合がある。よって、EL層24への水分等の浸入を抑制
する絶縁層83を、上記の不連続となる部分を覆うように導電層25上に設けることが好
ましい(図2(B)参照。)。絶縁層83は、例えば、開口部11及び開口部12が構成
するような奥行きのある凹凸を有する加工部材に対しても、成膜材料を回り込ませて成膜
できる原子層堆積法(ALD法)を用いて形成することが好ましい。
5が不連続となる部分があると、その部分から水分等がEL層24へ侵入することで、表
示装置10の信頼性が低下する場合がある。よって、EL層24への水分等の浸入を抑制
する絶縁層83を、上記の不連続となる部分を覆うように導電層25上に設けることが好
ましい(図2(B)参照。)。絶縁層83は、例えば、開口部11及び開口部12が構成
するような奥行きのある凹凸を有する加工部材に対しても、成膜材料を回り込ませて成膜
できる原子層堆積法(ALD法)を用いて形成することが好ましい。
隣接画素間の混色を抑制する効果の大きさは、例えば、隣接する2つの画素の間に設け
る開口部の大きさによって調節することができる。図1(B)では、開口部12の長辺の
長さL1が、画素電極23の絶縁層82に覆われていない領域(図1(B)において、ハ
ッチングで示す領域)の長辺の長さL2よりも小さい例を示しているが、これに限られな
い。例えば、L1がL2より大きくてもよい(図6(A)参照。)。また、図1(B)に
示す複数の開口部11、開口部12が、それぞれ長軸方向(図1(B)のY方向)に繋が
っていてもよい(図6(B)参照。)。
る開口部の大きさによって調節することができる。図1(B)では、開口部12の長辺の
長さL1が、画素電極23の絶縁層82に覆われていない領域(図1(B)において、ハ
ッチングで示す領域)の長辺の長さL2よりも小さい例を示しているが、これに限られな
い。例えば、L1がL2より大きくてもよい(図6(A)参照。)。また、図1(B)に
示す複数の開口部11、開口部12が、それぞれ長軸方向(図1(B)のY方向)に繋が
っていてもよい(図6(B)参照。)。
また、開口部11を図3(B)のように設け、開口部12を図6(B)のように設けて
もよい。すなわち、開口部11をX方向に隣接する2つと、そのそれぞれに対してY方向
の同じ側に隣接する2つの、計4つの画素電極23の間に設け、開口部12をY方向に延
伸するように設けてもよい(図7(A)参照。)。
もよい。すなわち、開口部11をX方向に隣接する2つと、そのそれぞれに対してY方向
の同じ側に隣接する2つの、計4つの画素電極23の間に設け、開口部12をY方向に延
伸するように設けてもよい(図7(A)参照。)。
図7(B)に、図7(A)中の切断線B1-B2に対応する断面の一例を示す。図7(
B)は、開口部11を有さない点で図2(A)と異なる。図7(A)、図7(B)に示す
構成では、X方向に隣接する2つの画素電極23の間において、EL層24及び導電層2
5のそれぞれが繋がっている。よって、図2(A)に示す構成と比較して、表示装置10
の信頼性を高めることができる。
B)は、開口部11を有さない点で図2(A)と異なる。図7(A)、図7(B)に示す
構成では、X方向に隣接する2つの画素電極23の間において、EL層24及び導電層2
5のそれぞれが繋がっている。よって、図2(A)に示す構成と比較して、表示装置10
の信頼性を高めることができる。
なお、ここでは、表示装置10が、能動素子としてトランジスタ70等を有するアクテ
ィブマトリクス型の表示装置の場合について説明するが、能動素子を有さないパッシブマ
トリクス型の表示装置とすることもできる。その場合、トランジスタ70を設けずに、例
えば、画素電極23と基板21の間に位置する要素を省略した構成とすることができる。
ィブマトリクス型の表示装置の場合について説明するが、能動素子を有さないパッシブマ
トリクス型の表示装置とすることもできる。その場合、トランジスタ70を設けずに、例
えば、画素電極23と基板21の間に位置する要素を省略した構成とすることができる。
〔画素の構成例1-2〕
図8(A)に、図1(B)と一部が異なる構成の表示部32の一部である領域32Bの
拡大図を示す。また、図8(B)に、図8(A)中の切断線C1-C2に対応する断面の
一例を示す。図8(A)に示す構成は、絶縁層81に設けられる開口部の大きさが異なる
点、及び絶縁層82に開口部が設けられない点において、図1(B)に示す構成と異なる
。図8(A)に示す構成のうち、図1(B)と同様の構成については、図1(B)の説明
を参照できる。
図8(A)に、図1(B)と一部が異なる構成の表示部32の一部である領域32Bの
拡大図を示す。また、図8(B)に、図8(A)中の切断線C1-C2に対応する断面の
一例を示す。図8(A)に示す構成は、絶縁層81に設けられる開口部の大きさが異なる
点、及び絶縁層82に開口部が設けられない点において、図1(B)に示す構成と異なる
。図8(A)に示す構成のうち、図1(B)と同様の構成については、図1(B)の説明
を参照できる。
なお、図8(A)において、絶縁層82をハッチングで示し、絶縁層82が段差を有す
る部分は実線で示している。また、絶縁層82に覆われている画素電極23の外周は図に
示していない。
る部分は実線で示している。また、絶縁層82に覆われている画素電極23の外周は図に
示していない。
表示部32には、複数の表示素子が有する画素電極23がマトリクス状に配置されてい
る。隣接する2つの画素電極23の間に、開口部11Aが配置されている。開口部11A
は、絶縁層81に設けられた開口部を絶縁層82が覆うことで形成される。また、絶縁層
82は画素電極23の端部を覆って設けられる(図8(B)参照。)。図8(A)では、
開口部11Aの外周を破線で示している。
る。隣接する2つの画素電極23の間に、開口部11Aが配置されている。開口部11A
は、絶縁層81に設けられた開口部を絶縁層82が覆うことで形成される。また、絶縁層
82は画素電極23の端部を覆って設けられる(図8(B)参照。)。図8(A)では、
開口部11Aの外周を破線で示している。
絶縁層81に設けられる開口部の外周の一部は、上面視において、画素電極23の端部
よりも内側に設けられる。よって、図8(A)、図8(B)に示す表示装置10は、画素
電極23の端部を覆う絶縁層82が、開口部11Aにおける絶縁層82の側面の上部で庇
状に突出した部分(図8(B)に示す突出部82A)を有する。
よりも内側に設けられる。よって、図8(A)、図8(B)に示す表示装置10は、画素
電極23の端部を覆う絶縁層82が、開口部11Aにおける絶縁層82の側面の上部で庇
状に突出した部分(図8(B)に示す突出部82A)を有する。
開口部11Aの内部が接着層39で満たされているため、接着層39は突出部82Aよ
り下部において、絶縁層82と重畳する領域を有する。よって、図8(B)に示す通り、
接着層39は断面視において、開口部11Aに嵌合する楔状の領域15Aを有する。接着
層39が領域15Aを有することで、絶縁層82と接着層39との密着性を高めることが
できる。
り下部において、絶縁層82と重畳する領域を有する。よって、図8(B)に示す通り、
接着層39は断面視において、開口部11Aに嵌合する楔状の領域15Aを有する。接着
層39が領域15Aを有することで、絶縁層82と接着層39との密着性を高めることが
できる。
また、EL層24及び導電層25を上下から挟み込んでいる絶縁層82及び接着層39
の密着性が高いことから、上述の可撓性を有する表示装置の作製方法における膜剥がれを
抑制することができる。すなわち、本発明の一態様によって、作製歩留りの高い表示装置
を提供できる。
の密着性が高いことから、上述の可撓性を有する表示装置の作製方法における膜剥がれを
抑制することができる。すなわち、本発明の一態様によって、作製歩留りの高い表示装置
を提供できる。
上記の膜剥がれを抑制する効果の大きさは、突出部82Aの長さd3によって規定する
ことができる(図8(A)、図8(B)参照。)。例えば、長さd3を0.05μm以上
5.0μm以下、好ましくは0.1μm以上1.0μm以下とすることで、上記の膜剥が
れを効果的に抑制することができる。
ことができる(図8(A)、図8(B)参照。)。例えば、長さd3を0.05μm以上
5.0μm以下、好ましくは0.1μm以上1.0μm以下とすることで、上記の膜剥が
れを効果的に抑制することができる。
また、開口部11Aにおいて(具体的には、開口部11Aの内部の、突出部82Aの下
面及び側面において)2つの画素電極23に設けられたEL層24が不連続となっている
。よって、隣接画素間の混色を抑制することができるため、表示装置10は色再現性の高
い表示を行うことができる。
面及び側面において)2つの画素電極23に設けられたEL層24が不連続となっている
。よって、隣接画素間の混色を抑制することができるため、表示装置10は色再現性の高
い表示を行うことができる。
なお、開口部11Aの外周の一部が、上面視において画素電極23の端部と概ね一致し
ていてもよい。又は、開口部11Aの外周が、画素電極23の端部より外側に設けられて
いてもよい。図9(A)に、画素電極23の端部と外周の一部が概ね一致する開口部11
Bが設けられた上面図の例を示す。また図9(B)に、図9(A)中の切断線D1-D2
に対応する断面の一例を示す。図9(A)では、画素電極23の外周及び開口部11Bの
外周をそれぞれ異なる破線で示している。
ていてもよい。又は、開口部11Aの外周が、画素電極23の端部より外側に設けられて
いてもよい。図9(A)に、画素電極23の端部と外周の一部が概ね一致する開口部11
Bが設けられた上面図の例を示す。また図9(B)に、図9(A)中の切断線D1-D2
に対応する断面の一例を示す。図9(A)では、画素電極23の外周及び開口部11Bの
外周をそれぞれ異なる破線で示している。
このような構成とすることで、2つの画素電極23の間に設けられた開口部11Bにお
いて、EL層24が不連続な部分をなくすことができるため、表示装置10を信頼性の高
い表示装置とすることができる。
いて、EL層24が不連続な部分をなくすことができるため、表示装置10を信頼性の高
い表示装置とすることができる。
また、開口部をX方向に隣接する2つの画素電極間、又は/及びY方向に隣接する2つ
の画素電極間に設ける例について上述したが、これに限られない。図10(A)に、表示
部32において、絶縁層81の画素電極23が設けられていない領域に開口部11Aが設
けられた上面図の例を示す。また図10(B)に、表示部32において、絶縁層81の画
素電極23が設けられていない領域に開口部11Bが設けられた上面図の例を示す。
の画素電極間に設ける例について上述したが、これに限られない。図10(A)に、表示
部32において、絶縁層81の画素電極23が設けられていない領域に開口部11Aが設
けられた上面図の例を示す。また図10(B)に、表示部32において、絶縁層81の画
素電極23が設けられていない領域に開口部11Bが設けられた上面図の例を示す。
図10(A)、図10(B)に示す構成において、開口部11A及び開口部11Bは、
画素電極23をマスクとしてエッチングすることで形成できる。よって、これらのような
構成とすることで、表示装置10の作製における工程数を削減することができる。なお、
図10(A)、図10(B)に示す切断線(切断線C1-C2、切断線D1-D2)に対
応する断面図は、それぞれ図8(B)、図9(B)と共通である。
画素電極23をマスクとしてエッチングすることで形成できる。よって、これらのような
構成とすることで、表示装置10の作製における工程数を削減することができる。なお、
図10(A)、図10(B)に示す切断線(切断線C1-C2、切断線D1-D2)に対
応する断面図は、それぞれ図8(B)、図9(B)と共通である。
[画素の構成例2]
以下では、本発明の一態様の表示装置10のより詳細な断面構成の例について説明する
。ここでは特に、表示素子にトップエミッション型の発光素子を適用した場合について説
明する。
以下では、本発明の一態様の表示装置10のより詳細な断面構成の例について説明する
。ここでは特に、表示素子にトップエミッション型の発光素子を適用した場合について説
明する。
〔画素の構成例2-1〕
図11は、表示装置10の断面概略図である。図11では、図1(A)におけるFPC
42を含む領域、回路34を含む領域、表示部32を含む領域、表示装置10の外周部を
含む領域などの断面の一例を示している。
図11は、表示装置10の断面概略図である。図11では、図1(A)におけるFPC
42を含む領域、回路34を含む領域、表示部32を含む領域、表示装置10の外周部を
含む領域などの断面の一例を示している。
基板21と基板31とは、接着層141によって貼り合わされている。また、接着層1
41の一部は、発光素子40を封止する機能を有する。また、基板31の外側の面には、
偏光板130を有することが好ましい。
41の一部は、発光素子40を封止する機能を有する。また、基板31の外側の面には、
偏光板130を有することが好ましい。
基板21には、発光素子40、トランジスタ201、トランジスタ202、トランジス
タ205、容量素子203、端子部204、配線35等が設けられている。また基板31
側には、着色層131a、遮光層132等が設けられている。発光素子40は、導電層1
11、EL層112及び導電層113が積層された構造を有している。導電層111の一
部は画素電極として機能し、導電層113の一部は共通電極として機能する。発光素子4
0は、基板31側に光を発するトップエミッション型の発光素子である。
タ205、容量素子203、端子部204、配線35等が設けられている。また基板31
側には、着色層131a、遮光層132等が設けられている。発光素子40は、導電層1
11、EL層112及び導電層113が積層された構造を有している。導電層111の一
部は画素電極として機能し、導電層113の一部は共通電極として機能する。発光素子4
0は、基板31側に光を発するトップエミッション型の発光素子である。
図11では、表示部32の例として、1つの副画素を含む断面を示している。例えば、
副画素は、トランジスタ202と、容量素子203と、トランジスタ205と、発光素子
40と、着色層131aを有する。例えば、トランジスタ202は、スイッチング用のト
ランジスタ(選択トランジスタ)であり、トランジスタ205は、発光素子40に流れる
電流を制御するためのトランジスタ(駆動トランジスタ)である。
副画素は、トランジスタ202と、容量素子203と、トランジスタ205と、発光素子
40と、着色層131aを有する。例えば、トランジスタ202は、スイッチング用のト
ランジスタ(選択トランジスタ)であり、トランジスタ205は、発光素子40に流れる
電流を制御するためのトランジスタ(駆動トランジスタ)である。
また、図11では、回路34の例として、トランジスタ201を含む断面を示している
。
。
表示装置10が有する着色層(着色層131aを含む。)として、それぞれ異なる色の
光を透過する複数の材料を用いることができる。例えば、赤色を呈する副画素、緑色を呈
する副画素、青色を呈する副画素を配列することで、フルカラーの表示を行うことができ
る。
光を透過する複数の材料を用いることができる。例えば、赤色を呈する副画素、緑色を呈
する副画素、青色を呈する副画素を配列することで、フルカラーの表示を行うことができ
る。
基板21上には、絶縁層211、絶縁層212、絶縁層213、絶縁層214、絶縁層
81、絶縁層82等の絶縁層が設けられている。絶縁層211は、その一部が各トランジ
スタ(トランジスタ201、トランジスタ202、トランジスタ205等)のゲート絶縁
層として機能し、他の一部が容量素子203の誘電体として機能する。絶縁層212、絶
縁層213、及び絶縁層214は、各トランジスタや容量素子203等を覆って設けられ
ている。絶縁層214は、平坦化層としての機能を有する。なお、ここではトランジスタ
等を覆う絶縁層として、絶縁層212、絶縁層213、絶縁層214の3層を有する場合
を示しているが、これに限られず4層以上であってもよいし、単層、又は2層であっても
よい。また、平坦化層として機能する絶縁層214は、不要であれば設けなくてもよい。
絶縁層81は、導電層224を覆って設けられている。絶縁層81は、平坦化層としての
機能を有していてもよい。絶縁層82は、導電層111の端部や、導電層111と導電層
224とを電気的に接続するコンタクト部等を覆って設けられている。
81、絶縁層82等の絶縁層が設けられている。絶縁層211は、その一部が各トランジ
スタ(トランジスタ201、トランジスタ202、トランジスタ205等)のゲート絶縁
層として機能し、他の一部が容量素子203の誘電体として機能する。絶縁層212、絶
縁層213、及び絶縁層214は、各トランジスタや容量素子203等を覆って設けられ
ている。絶縁層214は、平坦化層としての機能を有する。なお、ここではトランジスタ
等を覆う絶縁層として、絶縁層212、絶縁層213、絶縁層214の3層を有する場合
を示しているが、これに限られず4層以上であってもよいし、単層、又は2層であっても
よい。また、平坦化層として機能する絶縁層214は、不要であれば設けなくてもよい。
絶縁層81は、導電層224を覆って設けられている。絶縁層81は、平坦化層としての
機能を有していてもよい。絶縁層82は、導電層111の端部や、導電層111と導電層
224とを電気的に接続するコンタクト部等を覆って設けられている。
また、絶縁層81及び絶縁層82には、それぞれ開口部11及び開口部12が設けられ
ている。上面視において、開口部12の外周は開口部11の外周より内側にある。開口部
11及び開口部12は一体となり、断面視において、楔状の開口部を形成している。該開
口部の内部は、接着層141で満たされている。
ている。上面視において、開口部12の外周は開口部11の外周より内側にある。開口部
11及び開口部12は一体となり、断面視において、楔状の開口部を形成している。該開
口部の内部は、接着層141で満たされている。
絶縁層81及び絶縁層82としては、それぞれ異なる絶縁性材料を用いることが好まし
い。具体的には、絶縁層81及び絶縁層82として、エッチングの選択比(時間当たりの
膜減り量)が異なる絶縁性材料の組み合わせを選ぶことが好ましい。より具体的には、例
えば、絶縁層81はアクリルやポリイミド等の有機樹脂材料を含み、絶縁層82は酸化窒
化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁性材料を含む。
い。具体的には、絶縁層81及び絶縁層82として、エッチングの選択比(時間当たりの
膜減り量)が異なる絶縁性材料の組み合わせを選ぶことが好ましい。より具体的には、例
えば、絶縁層81はアクリルやポリイミド等の有機樹脂材料を含み、絶縁層82は酸化窒
化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁性材料を含む。
絶縁層82に開口部12を形成した後、エッチングが深さ方向だけでなく面方向にも進
行し、かつ無機材料に対する有機樹脂材料の選択比の高いエッチングを行うことで、開口
部12よりも外周が大きい開口部11を絶縁層81に形成できる。該エッチングの一例と
しては、酸素プラズマを用いたアッシングが挙げられる。
行し、かつ無機材料に対する有機樹脂材料の選択比の高いエッチングを行うことで、開口
部12よりも外周が大きい開口部11を絶縁層81に形成できる。該エッチングの一例と
しては、酸素プラズマを用いたアッシングが挙げられる。
なお、該エッチングは等方性を有することが好ましい。該エッチングが等方性を有する
ことで、開口部12より外周が大きい開口部11を、より小さい深さで形成することがで
きる。よって、絶縁層81の膜厚を薄くすることができる。
ことで、開口部12より外周が大きい開口部11を、より小さい深さで形成することがで
きる。よって、絶縁層81の膜厚を薄くすることができる。
また、トランジスタ201、トランジスタ202、及びトランジスタ205は、一部が
ゲート電極として機能する導電層221、一部がソース電極又はドレイン電極として機能
する導電層222、半導体層231を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られ
る複数の層に同じハッチングパターンを付している。
ゲート電極として機能する導電層221、一部がソース電極又はドレイン電極として機能
する導電層222、半導体層231を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られ
る複数の層に同じハッチングパターンを付している。
図11では、容量素子203が、トランジスタ205のゲート電極として機能する導電
層221の一部と、絶縁層211の一部と、トランジスタ205のソース電極又はドレイ
ン電極として機能する導電層222の一部により構成されている例を示している。
層221の一部と、絶縁層211の一部と、トランジスタ205のソース電極又はドレイ
ン電極として機能する導電層222の一部により構成されている例を示している。
トランジスタ202の一対の導電層222のうち、容量素子203と電気的に接続され
ていない方の導電層222は、信号線の一部として機能する。また、トランジスタ202
のゲート電極として機能する導電層221は、走査線の一部として機能する。
ていない方の導電層222は、信号線の一部として機能する。また、トランジスタ202
のゲート電極として機能する導電層221は、走査線の一部として機能する。
図11では、トランジスタ202の例として、1つのゲート電極を有するトランジスタ
を示している。また、トランジスタ201及びトランジスタ205には、チャネル領域が
形成される半導体層231を2つのゲート電極(導電層221及び導電層223)で挟持
したトランジスタを示している。このように、2つのゲート電極を有するトランジスタは
、その閾値電圧をより確実に制御することができる。また、2つのゲート電極を接続する
などし、これらに同一の信号を供給することにより、トランジスタを駆動してもよい。こ
のようなトランジスタは、他のトランジスタと比較してオン電流を増大させることができ
、電界効果移動度を高めることができる。その結果、高速動作が可能な回路を作製するこ
とができる。さらには、回路の占有面積を縮小することができる。オン電流の大きなトラ
ンジスタを適用することで、表示装置を大型化、又は高精細化したときに、配線数が増大
したとしても、各配線における信号遅延を低減することが可能である。これにより、例え
ば、表示ムラを改善することができる。
を示している。また、トランジスタ201及びトランジスタ205には、チャネル領域が
形成される半導体層231を2つのゲート電極(導電層221及び導電層223)で挟持
したトランジスタを示している。このように、2つのゲート電極を有するトランジスタは
、その閾値電圧をより確実に制御することができる。また、2つのゲート電極を接続する
などし、これらに同一の信号を供給することにより、トランジスタを駆動してもよい。こ
のようなトランジスタは、他のトランジスタと比較してオン電流を増大させることができ
、電界効果移動度を高めることができる。その結果、高速動作が可能な回路を作製するこ
とができる。さらには、回路の占有面積を縮小することができる。オン電流の大きなトラ
ンジスタを適用することで、表示装置を大型化、又は高精細化したときに、配線数が増大
したとしても、各配線における信号遅延を低減することが可能である。これにより、例え
ば、表示ムラを改善することができる。
なお、回路34が有するトランジスタ(トランジスタ201等)と、表示部32が有す
るトランジスタ(トランジスタ202、トランジスタ205等)は、同じ構造であっても
よい。また、回路34が有する複数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよいし、
異なる構造のトランジスタを組み合わせて用いてもよい。また、表示部32が有する複数
のトランジスタは、全て同じ構造であってもよいし、異なる構造のトランジスタを組み合
わせて用いてもよい。
るトランジスタ(トランジスタ202、トランジスタ205等)は、同じ構造であっても
よい。また、回路34が有する複数のトランジスタは、全て同じ構造であってもよいし、
異なる構造のトランジスタを組み合わせて用いてもよい。また、表示部32が有する複数
のトランジスタは、全て同じ構造であってもよいし、異なる構造のトランジスタを組み合
わせて用いてもよい。
各トランジスタを覆う絶縁層212及び絶縁層213のうち、少なくとも一方は、水や
水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。このような絶縁層は、バ
リア膜として機能させることができる。これにより、各トランジスタに対して、外部から
不純物が拡散することを効果的に抑制することができ、信頼性の高い表示装置10を実現
できる。
水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。このような絶縁層は、バ
リア膜として機能させることができる。これにより、各トランジスタに対して、外部から
不純物が拡散することを効果的に抑制することができ、信頼性の高い表示装置10を実現
できる。
絶縁層214上に設けられた導電層224は、配線としての機能を有する。導電層22
4は、絶縁層214、絶縁層213、及び絶縁層212に設けられた開口を介してトラン
ジスタ205のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。また、絶縁層81
上に、画素電極として機能する導電層111が設けられている。導電層111は、絶縁層
81に設けられた開口を介して、導電層224の一つと電気的に接続されている。図11
では、導電層111が、導電層224を介してトランジスタ205のソース又はドレイン
の一方と電気的に接続されている。
4は、絶縁層214、絶縁層213、及び絶縁層212に設けられた開口を介してトラン
ジスタ205のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。また、絶縁層81
上に、画素電極として機能する導電層111が設けられている。導電層111は、絶縁層
81に設けられた開口を介して、導電層224の一つと電気的に接続されている。図11
では、導電層111が、導電層224を介してトランジスタ205のソース又はドレイン
の一方と電気的に接続されている。
導電層111の端部を覆って、絶縁層82が設けられている。EL層112は、導電層
111、絶縁層81及び絶縁層82上に設けられている。また、導電層113は、EL層
112を覆って設けられている。また、2つの導電層111にわたって設けられたEL層
112及び導電層113のそれぞれは、開口部11において不連続となっている。
111、絶縁層81及び絶縁層82上に設けられている。また、導電層113は、EL層
112を覆って設けられている。また、2つの導電層111にわたって設けられたEL層
112及び導電層113のそれぞれは、開口部11において不連続となっている。
発光素子40において、導電層111には可視光を反射する材料を用い、導電層113
には可視光を透過する材料を用いる。このような構成により、基板31側に光を発するト
ップエミッション型の発光素子とすることができる。トップエミッション型の発光素子は
、その下側にトランジスタや容量素子などの素子を配置することが可能であるため、開口
率を高めることができる。なお、導電層111及び導電層113の両方に可視光を透過す
る材料を用いることで、基板31側と基板21側の両方に光を発するデュアルエミッショ
ン型の発光素子としてもよい。
には可視光を透過する材料を用いる。このような構成により、基板31側に光を発するト
ップエミッション型の発光素子とすることができる。トップエミッション型の発光素子は
、その下側にトランジスタや容量素子などの素子を配置することが可能であるため、開口
率を高めることができる。なお、導電層111及び導電層113の両方に可視光を透過す
る材料を用いることで、基板31側と基板21側の両方に光を発するデュアルエミッショ
ン型の発光素子としてもよい。
また、発光素子40として、白色を呈する発光素子を好適に用いることができる。こう
することで、異なる色に対応する副画素間で発光素子40を作り分ける必要がないため、
極めて高精細な表示装置10を実現できる。このとき、発光素子40からの光は、着色層
131a等を透過する際に、特定の波長領域以外の光が吸収される。これにより、取り出
される光は、例えば、赤色を呈する光となる。
することで、異なる色に対応する副画素間で発光素子40を作り分ける必要がないため、
極めて高精細な表示装置10を実現できる。このとき、発光素子40からの光は、着色層
131a等を透過する際に、特定の波長領域以外の光が吸収される。これにより、取り出
される光は、例えば、赤色を呈する光となる。
また、導電層111に可視光を反射する材料を用い、導電層113に可視光に対して半
透過、半反射性を有する材料を用い、さらに導電層111と導電層113の間に、可視光
を透過する光学調整層を設けることで、マイクロキャビティ構造を有する発光素子40と
してもよい。このとき、異なる色に対応する複数の副画素のそれぞれに対して、光学調整
層の厚さを調整すればよい。また、光学調整層を有する副画素と、光学調整層を有さない
副画素を混在させてもよい。
透過、半反射性を有する材料を用い、さらに導電層111と導電層113の間に、可視光
を透過する光学調整層を設けることで、マイクロキャビティ構造を有する発光素子40と
してもよい。このとき、異なる色に対応する複数の副画素のそれぞれに対して、光学調整
層の厚さを調整すればよい。また、光学調整層を有する副画素と、光学調整層を有さない
副画素を混在させてもよい。
基板31の基板21側の面には遮光層132が設けられ、遮光層132の端部及び遮光
層132の開口を覆って着色層131a等が設けられている。着色層131a等は、それ
ぞれ発光素子40と重ねて配置されている。また、遮光層132は、その一部が領域15
と重ねて配置されている。
層132の開口を覆って着色層131a等が設けられている。着色層131a等は、それ
ぞれ発光素子40と重ねて配置されている。また、遮光層132は、その一部が領域15
と重ねて配置されている。
図11では、基板31の基板21側とは反対側の面に、偏光板130を設ける例を示し
ている。偏光板130としては、円偏光板を用いることが好ましい。円偏光板としては、
例えば、直線偏光板と1/4波長位相差板を積層したものを用いることができる。これに
より、表示部32に設けられる反射性の部材(例えば、導電層111等)の外光の反射を
抑制することができる。
ている。偏光板130としては、円偏光板を用いることが好ましい。円偏光板としては、
例えば、直線偏光板と1/4波長位相差板を積層したものを用いることができる。これに
より、表示部32に設けられる反射性の部材(例えば、導電層111等)の外光の反射を
抑制することができる。
図11では、発光素子40を接着層141で封止する例を示している。接着層141に
空気よりも屈折率の大きい材料を用いることにより、発光素子40と基板31の間に空間
を有する場合に比べて、発光素子40からの光の取り出し効率を高めることができる。
空気よりも屈折率の大きい材料を用いることにより、発光素子40と基板31の間に空間
を有する場合に比べて、発光素子40からの光の取り出し効率を高めることができる。
なお、接着層141を表示部32の周囲に配置する、いわゆる中空封止構造としてもよ
い。このとき、基板21、基板31、及び接着層141により形成される空間は、空気が
充填されていてもよいが、希ガスや窒素ガスなどの不活性ガスが充填されていることが好
ましい。また、定常状態において空間が大気圧に対して減圧であると、使用環境(例えば
、気圧や温度)により空間が膨張し、基板21又は基板31が膨らんでしまうことを抑制
できる。一方、空間が大気圧に対して陽圧であると、水分などの不純物が基板21、基板
31、接着層141、又はこれらの隙間から当該空間に拡散することを抑制できる。
い。このとき、基板21、基板31、及び接着層141により形成される空間は、空気が
充填されていてもよいが、希ガスや窒素ガスなどの不活性ガスが充填されていることが好
ましい。また、定常状態において空間が大気圧に対して減圧であると、使用環境(例えば
、気圧や温度)により空間が膨張し、基板21又は基板31が膨らんでしまうことを抑制
できる。一方、空間が大気圧に対して陽圧であると、水分などの不純物が基板21、基板
31、接着層141、又はこれらの隙間から当該空間に拡散することを抑制できる。
基板21の端部に近い領域には、端子部204が設けられている。端子部204は、接
続層242を介してFPC42と電気的に接続されている。図11に示す構成では、配線
35の一部と、導電層111を積層することで端子部204を構成する例を示している。
続層242を介してFPC42と電気的に接続されている。図11に示す構成では、配線
35の一部と、導電層111を積層することで端子部204を構成する例を示している。
また、図11には、表示装置10の外周部を含む領域の断面の一例を示している。表示
装置10の外周部において、絶縁層214及び絶縁層81に開口部219が設けられる。
開口部219は、上面視において、表示部32を囲うように設けられる。
装置10の外周部において、絶縁層214及び絶縁層81に開口部219が設けられる。
開口部219は、上面視において、表示部32を囲うように設けられる。
アクリル、ポリイミドなどの有機樹脂はコーターなどで基板上に塗布することで形成で
きるため、平坦性の高い膜を得ることができる。そのため、該有機樹脂を絶縁層214及
び絶縁層81に好適に用いることができる。一方で、該有機樹脂は無機絶縁性材料と比べ
て透水性が高い。よって、表示部32を囲うように開口部219を設けることで、表示部
32の内部に水などの不純物が混入するのを抑制することができ、表示装置10を信頼性
の高い表示装置とすることができる。
きるため、平坦性の高い膜を得ることができる。そのため、該有機樹脂を絶縁層214及
び絶縁層81に好適に用いることができる。一方で、該有機樹脂は無機絶縁性材料と比べ
て透水性が高い。よって、表示部32を囲うように開口部219を設けることで、表示部
32の内部に水などの不純物が混入するのを抑制することができ、表示装置10を信頼性
の高い表示装置とすることができる。
なお、絶縁層82として上記の有機樹脂材料を用いる場合は、絶縁層82にも開口部2
19と重畳する領域に開口部を設けることが好ましい。また、例えば、絶縁層214、絶
縁層81として透水性の低い材料を用いる場合は、開口部219を設けなくてもよい。
19と重畳する領域に開口部を設けることが好ましい。また、例えば、絶縁層214、絶
縁層81として透水性の低い材料を用いる場合は、開口部219を設けなくてもよい。
以上が、画素の構成例2-1についての説明である。
〔画素の構成例2-2〕
図12に、一対の基板として、可撓性を有する基板171、基板181を用いた表示装
置10の断面構成例を示す。図12に示す表示装置10は、表示面の一部を曲げることが
できる。
図12に、一対の基板として、可撓性を有する基板171、基板181を用いた表示装
置10の断面構成例を示す。図12に示す表示装置10は、表示面の一部を曲げることが
できる。
図12で示す表示装置10は、図11における基板21に代えて基板171、接着層1
72、及び絶縁層173を有する。また、基板31に代えて基板181、接着層182、
及び絶縁層183を有する。
72、及び絶縁層173を有する。また、基板31に代えて基板181、接着層182、
及び絶縁層183を有する。
絶縁層173及び絶縁層183は、水などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが
好ましい。
好ましい。
図12に示す表示装置10は、絶縁層173及び絶縁層183によって、各トランジス
タ(トランジスタ201、トランジスタ202、トランジスタ205等)や発光素子40
が挟まれた構成を有している。これにより、基板171、基板181、接着層172、接
着層182等に水や水素などの不純物を拡散しやすい材料を用いた場合であっても、これ
らより内側(各トランジスタや発光素子40側)に位置する絶縁層173や絶縁層183
により、これらの不純物が、絶縁層173や絶縁層183の内側に拡散することが抑制さ
れるため、表示装置10の信頼性を高めることができる。また、基板171、基板181
、接着層172、接着層182等の材料を選択する際に、不純物の拡散性を考慮する必要
がないため、様々な材料を用いることができる。
タ(トランジスタ201、トランジスタ202、トランジスタ205等)や発光素子40
が挟まれた構成を有している。これにより、基板171、基板181、接着層172、接
着層182等に水や水素などの不純物を拡散しやすい材料を用いた場合であっても、これ
らより内側(各トランジスタや発光素子40側)に位置する絶縁層173や絶縁層183
により、これらの不純物が、絶縁層173や絶縁層183の内側に拡散することが抑制さ
れるため、表示装置10の信頼性を高めることができる。また、基板171、基板181
、接着層172、接着層182等の材料を選択する際に、不純物の拡散性を考慮する必要
がないため、様々な材料を用いることができる。
また、図12では、表示装置10が外周部に開口部219を有さない例を示している。
〔作製方法例〕
ここで、可撓性を有する表示装置を作製する方法について説明する。
ここで、可撓性を有する表示装置を作製する方法について説明する。
ここでは、便宜上、画素や回路を含む積層構造、着色層(カラーフィルタ)等の光学部
材を含む積層構造、及びタッチセンサを構成する電極や配線を含む積層構造等を、まとめ
て素子層と呼ぶこととする。素子層は、例えば、表示素子を含み、表示素子の他に表示素
子と電気的に接続する配線、画素や回路に用いるトランジスタなどの素子を備えていても
よい。
材を含む積層構造、及びタッチセンサを構成する電極や配線を含む積層構造等を、まとめ
て素子層と呼ぶこととする。素子層は、例えば、表示素子を含み、表示素子の他に表示素
子と電気的に接続する配線、画素や回路に用いるトランジスタなどの素子を備えていても
よい。
また、ここでは、最終的に素子層を支持し、可撓性を有する部材(例えば、図12にお
ける基板171、基板181等)のことを、基板と呼ぶこととする。例えば、基板には、
厚さが10nm以上200μm以下の、極めて薄いフィルムも含まれる。
ける基板171、基板181等)のことを、基板と呼ぶこととする。例えば、基板には、
厚さが10nm以上200μm以下の、極めて薄いフィルムも含まれる。
可撓性を有する絶縁表面を備える基板上に素子層を形成する方法としては、代表的には
、以下に挙げる2つの方法がある。一つは、基板上に直接、素子層を形成する方法である
。もう一つは、基板とは異なる支持基板上に素子層を形成した後、素子層と支持基板を剥
離し、剥離した素子層を基板に転置する方法である。
、以下に挙げる2つの方法がある。一つは、基板上に直接、素子層を形成する方法である
。もう一つは、基板とは異なる支持基板上に素子層を形成した後、素子層と支持基板を剥
離し、剥離した素子層を基板に転置する方法である。
基板を構成する材料が、素子層の形成工程にかかる熱に対して耐熱性を有する場合には
、基板上に直接、素子層を形成すると、工程が簡略化されるため好ましい。このとき、基
板を支持基板に固定した状態で素子層を形成すると、装置内、及び装置間における搬送が
容易になるため好ましい。
、基板上に直接、素子層を形成すると、工程が簡略化されるため好ましい。このとき、基
板を支持基板に固定した状態で素子層を形成すると、装置内、及び装置間における搬送が
容易になるため好ましい。
また、素子層を支持基板上に形成した後に、基板に転置する方法を用いる場合、まず、
支持基板上に剥離層と絶縁層を積層し、当該絶縁層上に素子層を形成する。続いて、支持
基板と素子層を剥離し、基板に転置する。このとき、支持基板と剥離層の界面、剥離層と
絶縁層の界面、又は剥離層中で剥離が生じるような材料を選択すればよい。この方法では
、支持基板や剥離層に耐熱性の高い材料を用いることで、素子層を形成する際にかかる温
度の上限を高めることができ、より信頼性の高い素子を有する素子層を形成できるため好
ましい。
支持基板上に剥離層と絶縁層を積層し、当該絶縁層上に素子層を形成する。続いて、支持
基板と素子層を剥離し、基板に転置する。このとき、支持基板と剥離層の界面、剥離層と
絶縁層の界面、又は剥離層中で剥離が生じるような材料を選択すればよい。この方法では
、支持基板や剥離層に耐熱性の高い材料を用いることで、素子層を形成する際にかかる温
度の上限を高めることができ、より信頼性の高い素子を有する素子層を形成できるため好
ましい。
例えば、剥離層として、タングステンなどの高融点金属材料を含む層と、当該金属材料
の酸化物を含む層を積層して用い、剥離層上の絶縁層として、窒化シリコン、酸化窒化シ
リコン、窒化酸化シリコンなどを複数積層した層を用いることが好ましい。なお、本明細
書中において、酸化窒化物は、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指
し、窒化酸化物は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。
の酸化物を含む層を積層して用い、剥離層上の絶縁層として、窒化シリコン、酸化窒化シ
リコン、窒化酸化シリコンなどを複数積層した層を用いることが好ましい。なお、本明細
書中において、酸化窒化物は、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指
し、窒化酸化物は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。
素子層と支持基板とを剥離する方法としては、機械的な力を加えることや、剥離層をエ
ッチングすること、又は剥離界面に液体を浸透させることなどが、一例として挙げられる
。又は、剥離界面を形成する2層の熱膨張の違いを利用し、加熱又は冷却することにより
剥離を行ってもよい。
ッチングすること、又は剥離界面に液体を浸透させることなどが、一例として挙げられる
。又は、剥離界面を形成する2層の熱膨張の違いを利用し、加熱又は冷却することにより
剥離を行ってもよい。
また、支持基板と絶縁層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。
例えば、支持基板としてガラスを用い、絶縁層としてポリイミドなどの有機樹脂を用い
ることができる。このとき、レーザ光等を用いて有機樹脂の一部を局所的に加熱する、又
は鋭利な部材により物理的に有機樹脂の一部を切断、又は貫通すること等により剥離の起
点を形成し、ガラスと有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。
ることができる。このとき、レーザ光等を用いて有機樹脂の一部を局所的に加熱する、又
は鋭利な部材により物理的に有機樹脂の一部を切断、又は貫通すること等により剥離の起
点を形成し、ガラスと有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。
又は、支持基板と有機樹脂からなる絶縁層の間に発熱層を設け、当該発熱層を加熱する
ことにより、当該発熱層と絶縁層の界面で剥離を行ってもよい。発熱層としては、電流を
流すことにより発熱する材料、光を吸収することにより発熱する材料、磁場を印加するこ
とにより発熱する材料など、様々な材料を用いることができる。例えば、発熱層としては
、半導体、金属、絶縁体から選択して用いることができる。
ことにより、当該発熱層と絶縁層の界面で剥離を行ってもよい。発熱層としては、電流を
流すことにより発熱する材料、光を吸収することにより発熱する材料、磁場を印加するこ
とにより発熱する材料など、様々な材料を用いることができる。例えば、発熱層としては
、半導体、金属、絶縁体から選択して用いることができる。
なお、上述した方法において、有機樹脂からなる絶縁層は、剥離後に基板として用いる
ことができる。
ことができる。
例えば、図12に示す構成の場合、第1の支持基板上に第1の剥離層、絶縁層173を
順に形成した後に、それよりも上層の構造物を形成する。また、これとは別に、第2の支
持基板上に第2の剥離層、絶縁層183を順に形成した後に、それよりも上層の構造物を
形成する。続いて、第1の支持基板上の構造物と第2の支持基板上の構造物を接着層14
1により貼り合せる。その後、第2の支持基板及び第2の剥離層を、第2の剥離層と絶縁
層183の界面で剥離することによって除去し、絶縁層183と基板181を接着層18
2により貼り合せる。また、第1の支持基板及び第1の剥離層を、第1の剥離層と絶縁層
173の界面で剥離することによって除去し、絶縁層173と基板171を接着層172
により貼り合せる。なお、剥離及び貼り合せは、第1の支持基板側と第2の支持基板側の
どちら側を先に行ってもよい。
順に形成した後に、それよりも上層の構造物を形成する。また、これとは別に、第2の支
持基板上に第2の剥離層、絶縁層183を順に形成した後に、それよりも上層の構造物を
形成する。続いて、第1の支持基板上の構造物と第2の支持基板上の構造物を接着層14
1により貼り合せる。その後、第2の支持基板及び第2の剥離層を、第2の剥離層と絶縁
層183の界面で剥離することによって除去し、絶縁層183と基板181を接着層18
2により貼り合せる。また、第1の支持基板及び第1の剥離層を、第1の剥離層と絶縁層
173の界面で剥離することによって除去し、絶縁層173と基板171を接着層172
により貼り合せる。なお、剥離及び貼り合せは、第1の支持基板側と第2の支持基板側の
どちら側を先に行ってもよい。
以上が、可撓性を有する表示装置を作製する方法についての説明である。
〔画素の構成例2-3〕
図13に、図11と一部が異なる構成を有する表示装置10の断面構成例を示す。図1
3に示す表示装置10は、一対の基板として可撓性を有する基板171、基板181を用
いている点、偏光板130を有さない点、及び構造体135を有する点で、図11に示す
表示装置10と異なる。
図13に、図11と一部が異なる構成を有する表示装置10の断面構成例を示す。図1
3に示す表示装置10は、一対の基板として可撓性を有する基板171、基板181を用
いている点、偏光板130を有さない点、及び構造体135を有する点で、図11に示す
表示装置10と異なる。
表示装置10の作製方法は、図13における接着層141と基板21の間に素子層が設
けられた第1の支持基板と、接着層141と基板31側の間に素子層が設けられた第2の
支持基板とを、接着層141を介して貼り合わせる工程を含む。該貼り合わせは、硬化し
て接着層141となる接着剤を、第1の支持基板に設けられた素子層表面又は第2の支持
基板に設けられた素子層表面に塗布し、双方の素子層表面を重ね合わせることで、該接着
剤を第1の支持基板と第2の支持基板の間に充填させた後、該接着剤を硬化させることで
行う。
けられた第1の支持基板と、接着層141と基板31側の間に素子層が設けられた第2の
支持基板とを、接着層141を介して貼り合わせる工程を含む。該貼り合わせは、硬化し
て接着層141となる接着剤を、第1の支持基板に設けられた素子層表面又は第2の支持
基板に設けられた素子層表面に塗布し、双方の素子層表面を重ね合わせることで、該接着
剤を第1の支持基板と第2の支持基板の間に充填させた後、該接着剤を硬化させることで
行う。
該接着剤を第1の支持基板と第2の支持基板の間に充填させる際に、第1の支持基板に
設けられた素子層表面又は第2の支持基板に設けられた素子層表面が、例えば、開口部2
19のような段差の大きな凹凸形状を有していると、該凹凸形状がなす空間を該接着剤が
万遍なく充填しきれず、該凹凸形状と該接着剤の間に空隙が生じる場合がある。該空隙が
あると、上記の作製方法例で説明した支持基板の剥離を行う際に、該空隙を起点とした膜
剥がれが生じる場合がある。
設けられた素子層表面又は第2の支持基板に設けられた素子層表面が、例えば、開口部2
19のような段差の大きな凹凸形状を有していると、該凹凸形状がなす空間を該接着剤が
万遍なく充填しきれず、該凹凸形状と該接着剤の間に空隙が生じる場合がある。該空隙が
あると、上記の作製方法例で説明した支持基板の剥離を行う際に、該空隙を起点とした膜
剥がれが生じる場合がある。
図13に示す表示装置10において、構造体135は、基板171上の開口部219と
重畳する位置に設けられる。構造体135は、上面視において、その外周が開口部219
の外周よりも内側になるように設けられることが好ましい。また、構造体135の高さt
1は、開口部219の深さt2の半分より大きく、t2より小さいことが好ましい。
重畳する位置に設けられる。構造体135は、上面視において、その外周が開口部219
の外周よりも内側になるように設けられることが好ましい。また、構造体135の高さt
1は、開口部219の深さt2の半分より大きく、t2より小さいことが好ましい。
このような構成とすることで、開口部219付近における表示装置10のセルギャップ
(基板171と基板181の対向する表面間の距離)が急激に変化することを抑制できる
ため、開口部219に接着剤を充填させることができる。よって、表示装置10を作製歩
留りの高い表示装置とすることができる。
(基板171と基板181の対向する表面間の距離)が急激に変化することを抑制できる
ため、開口部219に接着剤を充填させることができる。よって、表示装置10を作製歩
留りの高い表示装置とすることができる。
構造体135の材料は特に限定されないが、例えば、アクリル、ポリイミド、エポキシ
などの樹脂を用いることができる。
などの樹脂を用いることができる。
なお、構造体135を透水性の低い材料で被覆する、又は構造体135を透水性の低い
材料で形成することで、接着層141を介してEL層112へ浸入する水分量を減らすこ
とができる。よって、信頼性の高い表示装置10とすることができる。図14に、構造体
135が絶縁層136で被覆された表示装置10の断面図の一例を示す。絶縁層136と
しては、絶縁層212又は絶縁層213と同様の材料を用いることができる。
材料で形成することで、接着層141を介してEL層112へ浸入する水分量を減らすこ
とができる。よって、信頼性の高い表示装置10とすることができる。図14に、構造体
135が絶縁層136で被覆された表示装置10の断面図の一例を示す。絶縁層136と
しては、絶縁層212又は絶縁層213と同様の材料を用いることができる。
また、構造体135の代わりに、開口部219と重畳する位置に着色層を設けてもよい
。図15には、開口部219と重畳する位置に着色層131a、着色層131bを設ける
例を示す。このような構成とすることで、表示部32に着色層を形成する工程において、
開口部219と重畳する位置に構造体135と同等の機能を有する構造物を形成できるた
め、表示装置10の作製工程を減らすことができる。なお、着色層131bは、表示部3
2において、着色層131aを有する副画素と異なる色を呈する副画素に用いられる着色
層である。
。図15には、開口部219と重畳する位置に着色層131a、着色層131bを設ける
例を示す。このような構成とすることで、表示部32に着色層を形成する工程において、
開口部219と重畳する位置に構造体135と同等の機能を有する構造物を形成できるた
め、表示装置10の作製工程を減らすことができる。なお、着色層131bは、表示部3
2において、着色層131aを有する副画素と異なる色を呈する副画素に用いられる着色
層である。
[各構成要素について]
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
〔基板〕
表示装置10が有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子
からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英
、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。
表示装置10が有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子
からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英
、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。
厚さの薄い基板を用いることで、表示装置10の軽量化、薄型化を図ることができる。
さらに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示装置10
を実現できる。
さらに、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示装置10
を実現できる。
また、発光を取り出さない側の基板は、透光性を有していなくてもよいため、上記に挙
げた基板材料の他に、金属基板等を用いることもできる。金属基板は熱伝導性が高く、基
板全体に熱を容易に伝導できるため、表示装置10の局所的な温度上昇を抑制することが
でき、好ましい。可撓性や曲げ性を得るためには、金属基板の厚さは、10μm以上20
0μm以下が好ましく、20μm以上50μm以下であることがより好ましい。
げた基板材料の他に、金属基板等を用いることもできる。金属基板は熱伝導性が高く、基
板全体に熱を容易に伝導できるため、表示装置10の局所的な温度上昇を抑制することが
でき、好ましい。可撓性や曲げ性を得るためには、金属基板の厚さは、10μm以上20
0μm以下が好ましく、20μm以上50μm以下であることがより好ましい。
金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニ
ッケル等の金属、又はアルミニウム合金若しくはステンレス等の合金などを好適に用いる
ことができる。
ッケル等の金属、又はアルミニウム合金若しくはステンレス等の合金などを好適に用いる
ことができる。
また、金属基板の表面を酸化する、又は表面に絶縁層を形成するなどにより、絶縁処理
が施された基板を用いてもよい。例えば、酸素雰囲気で放置する又は加熱する他、陽極酸
化法などによって、基板の表面に酸化膜を形成してもよいし、スピンコート法やディップ
法などの塗布法、電着法、蒸着法、又はスパッタリング法などを用いて絶縁層を形成して
もよい。
が施された基板を用いてもよい。例えば、酸素雰囲気で放置する又は加熱する他、陽極酸
化法などによって、基板の表面に酸化膜を形成してもよいし、スピンコート法やディップ
法などの塗布法、電着法、蒸着法、又はスパッタリング法などを用いて絶縁層を形成して
もよい。
可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度
の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート
(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメ
チルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエーテルスルホン(PE
S)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミ
ド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)樹脂等が挙げら
れる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、熱膨張係数が30
×10-6/K以下であるポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、PET等を好適に用
いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機
樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。このような材料を用いた
基板は、重量が軽いため、該基板を用いた表示装置も軽量にすることができる。
の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート
(PEN)等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメ
チルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエーテルスルホン(PE
S)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミ
ド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)樹脂等が挙げら
れる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、熱膨張係数が30
×10-6/K以下であるポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、PET等を好適に用
いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機
樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。このような材料を用いた
基板は、重量が軽いため、該基板を用いた表示装置も軽量にすることができる。
上記材料中に繊維体が含まれている場合、該繊維体としては、有機化合物又は無機化合
物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には、引張弾性率又はヤング率の高い
繊維のことをいい、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維
、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾ
ビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、又は炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、
Eガラス、Sガラス、Dガラス、Qガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは
、織布又は不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させて樹脂を硬化させた構造物
を、可撓性を有する基板として用いてもよい。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂
からなる構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため
、好ましい。
物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には、引張弾性率又はヤング率の高い
繊維のことをいい、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維
、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾ
ビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、又は炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、
Eガラス、Sガラス、Dガラス、Qガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは
、織布又は不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させて樹脂を硬化させた構造物
を、可撓性を有する基板として用いてもよい。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂
からなる構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため
、好ましい。
又は、可撓性を有する程度に薄いガラス、金属などを基板に用いることもできる。又は
、ガラスと樹脂材料とが接着層により貼り合わされた複合材料を用いてもよい。
、ガラスと樹脂材料とが接着層により貼り合わされた複合材料を用いてもよい。
可撓性を有する基板に、タッチパネルの表面を傷などから保護するハードコート層(例
えば、窒化シリコン、酸化アルミニウムなど)や、押圧を分散可能な材質の層(例えば、
アラミド樹脂など)等が積層されていてもよい。また、水分等による表示素子の寿命の低
下等を抑制するために、可撓性を有する基板に透水性の低い絶縁層が積層されていてもよ
い。例えば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、
窒化アルミニウム等の無機絶縁性材料を用いることができる。
えば、窒化シリコン、酸化アルミニウムなど)や、押圧を分散可能な材質の層(例えば、
アラミド樹脂など)等が積層されていてもよい。また、水分等による表示素子の寿命の低
下等を抑制するために、可撓性を有する基板に透水性の低い絶縁層が積層されていてもよ
い。例えば、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、
窒化アルミニウム等の無機絶縁性材料を用いることができる。
基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とする
と、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い表示装置10とすることができ
る。
と、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い表示装置10とすることができ
る。
〔トランジスタ〕
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として
機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する
絶縁層と、を有する。上記では、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合を示し
ている。
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として
機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する
絶縁層と、を有する。上記では、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合を示し
ている。
なお、本発明の一態様に係るタッチパネルが有するトランジスタの構造は、特に限定さ
れない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタと
してもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボト
ムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。又は、チャネル形成領域の上下に
ゲート電極が設けられていてもよい。
れない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタと
してもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボト
ムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。又は、チャネル形成領域の上下に
ゲート電極が設けられていてもよい。
〔半導体層〕
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、
結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領
域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタの電気特性の劣化を抑制できるため好ましい。
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、
結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領
域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタの電気特性の劣化を抑制できるため好ましい。
また、トランジスタの半導体層には、例えば、第14族の元素(シリコン、ゲルマニウ
ム等)、化合物半導体又は酸化物半導体等の半導体材料を用いることができる。代表的に
は、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体又はインジウムを含む酸化物半導
体などを適用できる。
ム等)、化合物半導体又は酸化物半導体等の半導体材料を用いることができる。代表的に
は、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体又はインジウムを含む酸化物半導
体などを適用できる。
特に、シリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい
。シリコンよりもバンドギャップが大きく、かつキャリア密度の小さい半導体材料を用い
ると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
。シリコンよりもバンドギャップが大きく、かつキャリア密度の小さい半導体材料を用い
ると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
特に、トランジスタの半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はそのc軸が
半導体層の被形成面、又は半導体層の上面に対して略垂直に配向し、かつ隣接する結晶部
間では粒界を確認することが難しい酸化物半導体を用いることが好ましい。
半導体層の被形成面、又は半導体層の上面に対して略垂直に配向し、かつ隣接する結晶部
間では粒界を確認することが難しい酸化物半導体を用いることが好ましい。
このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために、表示パネルを湾曲させたとき
の応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって
、可撓性を有し、湾曲させて用いるタッチパネルなどに、このような酸化物半導体を好適
に用いることができる。
の応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって
、可撓性を有し、湾曲させて用いるタッチパネルなどに、このような酸化物半導体を好適
に用いることができる。
また、トランジスタの半導体層として、このような結晶性を有する酸化物半導体を用い
ることで、トランジスタの電気特性の変動が抑制され、信頼性の高いトランジスタを実現
できる。
ることで、トランジスタの電気特性の変動が抑制され、信頼性の高いトランジスタを実現
できる。
また、シリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を半導体層に用いたトラン
ジスタは、その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電
荷を長期間にわたって保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用
することで、各表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも
可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された表示装置10を実現できる。
ジスタは、その低いオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電
荷を長期間にわたって保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用
することで、各表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも
可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された表示装置10を実現できる。
トランジスタの半導体層は、例えば、少なくとも、インジウム、亜鉛及びM(アルミニ
ウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリ
ウム、スズ、ネオジム又はハフニウム等の金属)を含むIn-M-Zn系酸化物で表記さ
れる膜を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性の
ばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。
ウム、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セリ
ウム、スズ、ネオジム又はハフニウム等の金属)を含むIn-M-Zn系酸化物で表記さ
れる膜を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性の
ばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。
スタビライザーとしては、上記Mで記載の金属に含まれる、例えば、ガリウム、スズ、
ハフニウム、アルミニウム、又はジルコニウム等がある。また、他のスタビライザーとし
ては、ランタノイドである、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム
、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム
、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム等がある。
ハフニウム、アルミニウム、又はジルコニウム等がある。また、他のスタビライザーとし
ては、ランタノイドである、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム
、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム
、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム等がある。
トランジスタの半導体層を構成する酸化物半導体として、例えば、In-Ga-Zn系
酸化物、In-Al-Zn系酸化物、In-Sn-Zn系酸化物、In-Hf-Zn系酸
化物、In-La-Zn系酸化物、In-Ce-Zn系酸化物、In-Pr-Zn系酸化
物、In-Nd-Zn系酸化物、In-Sm-Zn系酸化物、In-Eu-Zn系酸化物
、In-Gd-Zn系酸化物、In-Tb-Zn系酸化物、In-Dy-Zn系酸化物、
In-Ho-Zn系酸化物、In-Er-Zn系酸化物、In-Tm-Zn系酸化物、I
n-Yb-Zn系酸化物、In-Lu-Zn系酸化物、In-Sn-Ga-Zn系酸化物
、In-Hf-Ga-Zn系酸化物、In-Al-Ga-Zn系酸化物、In-Sn-A
l-Zn系酸化物、In-Sn-Hf-Zn系酸化物、In-Hf-Al-Zn系酸化物
を用いることができる。
酸化物、In-Al-Zn系酸化物、In-Sn-Zn系酸化物、In-Hf-Zn系酸
化物、In-La-Zn系酸化物、In-Ce-Zn系酸化物、In-Pr-Zn系酸化
物、In-Nd-Zn系酸化物、In-Sm-Zn系酸化物、In-Eu-Zn系酸化物
、In-Gd-Zn系酸化物、In-Tb-Zn系酸化物、In-Dy-Zn系酸化物、
In-Ho-Zn系酸化物、In-Er-Zn系酸化物、In-Tm-Zn系酸化物、I
n-Yb-Zn系酸化物、In-Lu-Zn系酸化物、In-Sn-Ga-Zn系酸化物
、In-Hf-Ga-Zn系酸化物、In-Al-Ga-Zn系酸化物、In-Sn-A
l-Zn系酸化物、In-Sn-Hf-Zn系酸化物、In-Hf-Al-Zn系酸化物
を用いることができる。
なお、ここで、In-Ga-Zn系酸化物とは、InとGaとZnを主成分として有す
る酸化物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGaとZ
n以外の金属元素が入っていてもよい。
る酸化物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGaとZ
n以外の金属元素が入っていてもよい。
また、トランジスタの半導体層と導電層は、上記酸化物のうち、同一の金属元素を有し
ていてもよい。当該半導体層と導電層が同一の金属元素を有することで、製造コストを低
減させることができる。例えば、当該半導体層と導電層の成膜に同一の金属組成の金属酸
化物ターゲットを用いることで、製造コストを低減させることができる。また、当該半導
体層と導電層を加工する際の、エッチングガス又はエッチング液を共通して用いることが
できる。ただし、当該半導体層と導電層は、同一の金属元素を有していても、組成が異な
る場合がある。例えば、トランジスタ及び容量素子の作製工程中に、膜中の金属元素が脱
離し、異なる金属組成となる場合がある。
ていてもよい。当該半導体層と導電層が同一の金属元素を有することで、製造コストを低
減させることができる。例えば、当該半導体層と導電層の成膜に同一の金属組成の金属酸
化物ターゲットを用いることで、製造コストを低減させることができる。また、当該半導
体層と導電層を加工する際の、エッチングガス又はエッチング液を共通して用いることが
できる。ただし、当該半導体層と導電層は、同一の金属元素を有していても、組成が異な
る場合がある。例えば、トランジスタ及び容量素子の作製工程中に、膜中の金属元素が脱
離し、異なる金属組成となる場合がある。
トランジスタの半導体層を構成する酸化物半導体は、バンドギャップが2eV以上であ
り、2.5eV以上が好ましく、3eV以上であることがより好ましい。このように、バ
ンドギャップの大きい酸化物半導体をトランジスタの半導体層に用いることで、トランジ
スタのオフ電流を低減することができる。
り、2.5eV以上が好ましく、3eV以上であることがより好ましい。このように、バ
ンドギャップの大きい酸化物半導体をトランジスタの半導体層に用いることで、トランジ
スタのオフ電流を低減することができる。
トランジスタの半導体層を構成する酸化物半導体がIn-M-Zn酸化物の場合、In
-M-Zn酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットが含む金属元素の原
子数比は、In≧M、Zn≧Mを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングター
ゲットの金属元素の原子数比として、In:M:Zn=1:1:1、In:M:Zn=1
:1:1.2、In:M:Zn=3:1:2、4:2:4.1等が好ましい。なお、成膜
される半導体層の原子数比は、それぞれ、誤差として、上記のスパッタリングターゲット
に含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス40%の変動を含む。
-M-Zn酸化物を成膜するために用いるスパッタリングターゲットが含む金属元素の原
子数比は、In≧M、Zn≧Mを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングター
ゲットの金属元素の原子数比として、In:M:Zn=1:1:1、In:M:Zn=1
:1:1.2、In:M:Zn=3:1:2、4:2:4.1等が好ましい。なお、成膜
される半導体層の原子数比は、それぞれ、誤差として、上記のスパッタリングターゲット
に含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス40%の変動を含む。
トランジスタの半導体層としては、キャリア密度の低い酸化物半導体膜を用いる。例え
ば、当該半導体層は、キャリア密度が1×1017/cm3以下、好ましくは1×101
5/cm3以下、さらに好ましくは1×1013/cm3以下、より好ましくは1×10
11/cm3以下、さらに好ましくは1×1010/cm3未満であり、1×10-9/
cm3以上の酸化物半導体を用いることができる。そのような酸化物半導体を、高純度真
性又は実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ。当該酸化物半導体は、不純物濃度が低
く、欠陥準位密度が低いため、安定なトランジスタの電気特性を提供する酸化物半導体で
あるといえる。
ば、当該半導体層は、キャリア密度が1×1017/cm3以下、好ましくは1×101
5/cm3以下、さらに好ましくは1×1013/cm3以下、より好ましくは1×10
11/cm3以下、さらに好ましくは1×1010/cm3未満であり、1×10-9/
cm3以上の酸化物半導体を用いることができる。そのような酸化物半導体を、高純度真
性又は実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ。当該酸化物半導体は、不純物濃度が低
く、欠陥準位密度が低いため、安定なトランジスタの電気特性を提供する酸化物半導体で
あるといえる。
なお、トランジスタの半導体層として用いることができる酸化物半導体はこれらに限ら
れず、必要とするトランジスタの電気特性(電界効果移動度、閾値電圧等)に応じて、適
切な組成のものを用いればよい。また、必要とするトランジスタの電気特性を得るために
、トランジスタの半導体層のキャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原
子数比、原子間距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。
れず、必要とするトランジスタの電気特性(電界効果移動度、閾値電圧等)に応じて、適
切な組成のものを用いればよい。また、必要とするトランジスタの電気特性を得るために
、トランジスタの半導体層のキャリア密度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原
子数比、原子間距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。
トランジスタの半導体層を構成する酸化物半導体において、第14族元素の一つである
シリコンや炭素が含まれると、当該半導体層において酸素欠損が増加し、n型化してしま
う。このため、当該半導体層におけるシリコンや炭素の濃度(二次イオン質量分析法によ
り得られる濃度)を、2×1018atoms/cm3以下、好ましくは2×1017a
toms/cm3以下とする。
シリコンや炭素が含まれると、当該半導体層において酸素欠損が増加し、n型化してしま
う。このため、当該半導体層におけるシリコンや炭素の濃度(二次イオン質量分析法によ
り得られる濃度)を、2×1018atoms/cm3以下、好ましくは2×1017a
toms/cm3以下とする。
また、アルカリ金属及びアルカリ土類金属は、酸化物半導体と結合するとキャリアを生
成する場合があり、当該酸化物半導体を半導体層に用いたトランジスタのオフ電流が増大
してしまうことがある。このため、トランジスタの半導体層における二次イオン質量分析
法により得られるアルカリ金属又はアルカリ土類金属の濃度を、1×1018atoms
/cm3以下、好ましくは2×1016atoms/cm3以下にする。
成する場合があり、当該酸化物半導体を半導体層に用いたトランジスタのオフ電流が増大
してしまうことがある。このため、トランジスタの半導体層における二次イオン質量分析
法により得られるアルカリ金属又はアルカリ土類金属の濃度を、1×1018atoms
/cm3以下、好ましくは2×1016atoms/cm3以下にする。
また、トランジスタの半導体層を構成する酸化物半導体に窒素が含まれていると、キャ
リアである電子が生じ、キャリア密度が増加し、n型化しやすい。この結果、窒素が含ま
れている酸化物半導体を半導体層に用いたトランジスタは、ノーマリーオン特性となりや
すい。このため、当該半導体層における二次イオン質量分析法により得られる窒素濃度は
、5×1018atoms/cm3以下にすることが好ましい。
リアである電子が生じ、キャリア密度が増加し、n型化しやすい。この結果、窒素が含ま
れている酸化物半導体を半導体層に用いたトランジスタは、ノーマリーオン特性となりや
すい。このため、当該半導体層における二次イオン質量分析法により得られる窒素濃度は
、5×1018atoms/cm3以下にすることが好ましい。
また、トランジスタの半導体層は、例えば、非単結晶構造でもよい。非単結晶構造は、
例えば、CAAC-OS(C-Axis Aligned Crystalline O
xide Semiconductor、又は、C-Axis Aligned and
A-B-plane Anchored Crystalline Oxide Se
miconductor)、多結晶構造、微結晶構造、又は非晶質構造を含む。非単結晶
構造において、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高く、CAAC-OSは最も欠陥準位密
度が低い。
例えば、CAAC-OS(C-Axis Aligned Crystalline O
xide Semiconductor、又は、C-Axis Aligned and
A-B-plane Anchored Crystalline Oxide Se
miconductor)、多結晶構造、微結晶構造、又は非晶質構造を含む。非単結晶
構造において、非晶質構造は最も欠陥準位密度が高く、CAAC-OSは最も欠陥準位密
度が低い。
非晶質構造の酸化物半導体膜は、例えば、原子配列が無秩序であり、結晶成分を有さな
い。又は、非晶質構造の酸化物半導体膜は、例えば、完全な非晶質構造であり、結晶部を
有さない。
い。又は、非晶質構造の酸化物半導体膜は、例えば、完全な非晶質構造であり、結晶部を
有さない。
なお、トランジスタの半導体層が、非晶質構造の領域、微結晶構造の領域、多結晶構造
の領域、CAAC-OSの領域、単結晶構造の領域のうち、二種以上を有する混合膜であ
ってもよい。混合膜は、例えば、上述した領域のうち、いずれか二種以上の領域を含む単
層構造、又は積層構造を有する場合がある。
の領域、CAAC-OSの領域、単結晶構造の領域のうち、二種以上を有する混合膜であ
ってもよい。混合膜は、例えば、上述した領域のうち、いずれか二種以上の領域を含む単
層構造、又は積層構造を有する場合がある。
又は、トランジスタのチャネル領域が形成される半導体層に、シリコンを用いることが
好ましい。シリコンとしてアモルファスシリコンを用いてもよいが、特に、結晶性を有す
るシリコンを用いることが好ましい。例えば、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶
シリコンなどを用いることが好ましい。特に、多結晶シリコンは、単結晶シリコンに比べ
て低温で形成でき、かつアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性
を備える。このような多結晶半導体を、例えば、画素に適用することで、画素の開口率を
向上させることができる。また、極めて密に画素を有する場合であっても、ゲート駆動回
路とソース駆動回路を画素と同一基板上に形成することが可能となり、電子機器を構成す
る部品数を低減することができる。
好ましい。シリコンとしてアモルファスシリコンを用いてもよいが、特に、結晶性を有す
るシリコンを用いることが好ましい。例えば、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶
シリコンなどを用いることが好ましい。特に、多結晶シリコンは、単結晶シリコンに比べ
て低温で形成でき、かつアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性
を備える。このような多結晶半導体を、例えば、画素に適用することで、画素の開口率を
向上させることができる。また、極めて密に画素を有する場合であっても、ゲート駆動回
路とソース駆動回路を画素と同一基板上に形成することが可能となり、電子機器を構成す
る部品数を低減することができる。
本実施の形態で例示したボトムゲート構造のトランジスタは、作製工程を削減できるた
め好ましい。また、トランジスタの半導体層にアモルファスシリコンを用いることで、多
結晶シリコンよりも低温で形成できるため、当該半導体層よりも下層の配線や電極の材料
、基板の材料として、耐熱性の低い材料を用いることが可能であり、材料の選択の幅を広
げることができる。例えば、極めて大面積のガラス基板などを好適に用いることができる
。一方、トップゲート構造のトランジスタは、自己整合的に不純物領域を形成しやすく、
電気特性のばらつきなどを低減することができるため好ましい。このため、特に、トラン
ジスタの半導体層に多結晶シリコンや単結晶シリコンなどを用いる場合に適している。
め好ましい。また、トランジスタの半導体層にアモルファスシリコンを用いることで、多
結晶シリコンよりも低温で形成できるため、当該半導体層よりも下層の配線や電極の材料
、基板の材料として、耐熱性の低い材料を用いることが可能であり、材料の選択の幅を広
げることができる。例えば、極めて大面積のガラス基板などを好適に用いることができる
。一方、トップゲート構造のトランジスタは、自己整合的に不純物領域を形成しやすく、
電気特性のばらつきなどを低減することができるため好ましい。このため、特に、トラン
ジスタの半導体層に多結晶シリコンや単結晶シリコンなどを用いる場合に適している。
〔導電層〕
トランジスタのゲート、ソース及びドレインの他、表示装置10を構成する各種配線及
び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム
、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタング
ステンなどの金属、又はこれを主成分とする合金などが挙げられる。また、これらの材料
を含む膜を単層で、又は積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むア
ルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステ
ン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅-マグネシウム-アルミニウム合金膜上
に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に
銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜
又は銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリ
ブデン膜又は窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さ
らにその上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸
化インジウム、酸化錫又は酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅
を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
トランジスタのゲート、ソース及びドレインの他、表示装置10を構成する各種配線及
び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム
、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタング
ステンなどの金属、又はこれを主成分とする合金などが挙げられる。また、これらの材料
を含む膜を単層で、又は積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むア
ルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステ
ン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅-マグネシウム-アルミニウム合金膜上
に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に
銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜
又は銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリ
ブデン膜又は窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さ
らにその上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸
化インジウム、酸化錫又は酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅
を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
また、透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、イ
ンジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物又はグ
ラフェンを用いることができる。又は、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タング
ステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタンなどの金属材
料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。又は、該金属材料の窒化物(例
えば、窒化チタン)などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料(又はそれらの窒化
物)を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜
を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ
酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、
表示装置10を構成する各種配線及び電極などの導電層や、表示素子が有する導電層(画
素電極や共通電極として機能する導電層)にも用いることができる。
ンジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物又はグ
ラフェンを用いることができる。又は、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タング
ステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタンなどの金属材
料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。又は、該金属材料の窒化物(例
えば、窒化チタン)などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料(又はそれらの窒化
物)を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜
を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ
酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、
表示装置10を構成する各種配線及び電極などの導電層や、表示素子が有する導電層(画
素電極や共通電極として機能する導電層)にも用いることができる。
〔絶縁層〕
各絶縁層に用いることのできる絶縁性材料としては、例えば、アクリル、エポキシなど
の樹脂、シリコーンなどのシロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シ
リコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁性材料を用
いることもできる。
各絶縁層に用いることのできる絶縁性材料としては、例えば、アクリル、エポキシなど
の樹脂、シリコーンなどのシロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シ
リコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁性材料を用
いることもできる。
また、発光素子は、一対の透水性の低い絶縁層の間に設けられていることが好ましい。
これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、表示装置10の信頼性
の低下を抑制できる。
これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、表示装置10の信頼性
の低下を抑制できる。
透水性の低い絶縁層としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素とシリコ
ンを含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。ま
た、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
ンを含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。ま
た、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
例えば、透水性の低い絶縁層の水蒸気透過量は、1×10-5[g/(m2・day)
]以下、好ましくは1×10-6[g/(m2・day)]以下、より好ましくは1×1
0-7[g/(m2・day)]以下、さらに好ましくは1×10-8[g/(m2・d
ay)]以下とする。
]以下、好ましくは1×10-6[g/(m2・day)]以下、より好ましくは1×1
0-7[g/(m2・day)]以下、さらに好ましくは1×10-8[g/(m2・d
ay)]以下とする。
〔発光素子〕
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝
度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード(LED)、有機
EL素子、無機EL素子等を用いることができる。
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝
度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード(LED)、有機
EL素子、無機EL素子等を用いることができる。
発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型
のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる
。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好まし
い。
のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる
。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好まし
い。
EL層は、少なくとも、発光層を有する。EL層は、発光層以外の層として、正孔注入
性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子
注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質)等
を含む層をさらに有していてもよい。
性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子
注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質(電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質)等
を含む層をさらに有していてもよい。
EL層には、低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化
合物を含んでいてもよい。EL層を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含む
。)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
合物を含んでいてもよい。EL層を構成する層は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含む
。)、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
陰極と陽極の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、EL層に陽極側か
ら正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔は、EL層にお
いて再結合し、EL層に含まれる発光物質が発光する。
ら正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔は、EL層にお
いて再結合し、EL層に含まれる発光物質が発光する。
発光素子として、白色発光の発光素子を適用する場合には、EL層に2種類以上の発光
物質を含む構成とすることが好ましい。例えば、2以上の発光物質の各々の発光が補色の
関係となるように、発光物質を選択することにより、白色発光を得ることができる。例え
ば、それぞれR(赤)、G(緑)、B(青)、Y(黄)、O(橙)等の発光を示す発光物
質、又はR、G、Bのうち2以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質のうち
、2以上を含むことが好ましい。また、発光素子からの発光のスペクトルが、可視光領域
の波長(例えば、350nm以上750nm以下)の範囲内に2以上のピークを有する発
光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料の発光ス
ペクトルは、緑色及び赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であることが好ま
しい。
物質を含む構成とすることが好ましい。例えば、2以上の発光物質の各々の発光が補色の
関係となるように、発光物質を選択することにより、白色発光を得ることができる。例え
ば、それぞれR(赤)、G(緑)、B(青)、Y(黄)、O(橙)等の発光を示す発光物
質、又はR、G、Bのうち2以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質のうち
、2以上を含むことが好ましい。また、発光素子からの発光のスペクトルが、可視光領域
の波長(例えば、350nm以上750nm以下)の範囲内に2以上のピークを有する発
光素子を適用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料の発光ス
ペクトルは、緑色及び赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であることが好ま
しい。
EL層は、一の色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色を発光する発光材料を含
む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、EL層における複数の発光
層は、互いに接して積層されていてもよいし、いずれの発光材料も含まない領域を介して
積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に、当該蛍光発光層又は
燐光発光層と同一の材料(例えば、ホスト材料、アシスト材料)を含み、かついずれの発
光材料も含まない領域を設ける構成としてもよい。これにより、発光素子の作製が容易に
なり、また、駆動電圧が低減される。
む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、EL層における複数の発光
層は、互いに接して積層されていてもよいし、いずれの発光材料も含まない領域を介して
積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に、当該蛍光発光層又は
燐光発光層と同一の材料(例えば、ホスト材料、アシスト材料)を含み、かついずれの発
光材料も含まない領域を設ける構成としてもよい。これにより、発光素子の作製が容易に
なり、また、駆動電圧が低減される。
また、発光素子は、EL層を1つ有するシングル素子であってもよいし、複数のEL層
が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。
が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウ
ム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができ
る。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン
、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金
、若しくはこれら金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等も、透光性を有する程度に
薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いる
ことができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用
いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい
。
ム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができ
る。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン
、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金
、若しくはこれら金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等も、透光性を有する程度に
薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いる
ことができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜などを用
いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい
。
可視光を反射する導電膜としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、
タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料、
若しくはこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に
、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、チタン、ニ
ッケル、又はネオジムと、アルミニウムを含む合金(アルミニウム合金)を用いてもよい
。また、銅、パラジウム、マグネシウムと、銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む
合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜に
接して金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、酸化を抑制することができる。このよ
うな金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタンや酸化チタンなどが挙げられる。また
、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀と
インジウム錫酸化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜な
どを用いることができる。
タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料、
若しくはこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に
、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、チタン、ニ
ッケル、又はネオジムと、アルミニウムを含む合金(アルミニウム合金)を用いてもよい
。また、銅、パラジウム、マグネシウムと、銀を含む合金を用いてもよい。銀と銅を含む
合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜に
接して金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、酸化を抑制することができる。このよ
うな金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタンや酸化チタンなどが挙げられる。また
、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀と
インジウム錫酸化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物の積層膜な
どを用いることができる。
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。その他、イン
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成
することができる。
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成
することができる。
なお、上述した、発光層、及び正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸
送性の高い物質、並びに電子注入性の高い物質、バイポーラ性の物質等を含む層は、それ
ぞれ量子ドットなどの無機化合物や、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマ
ー等)を有していてもよい。例えば、量子ドットを発光層に用いることで、発光材料とし
て機能させることもできる。
送性の高い物質、並びに電子注入性の高い物質、バイポーラ性の物質等を含む層は、それ
ぞれ量子ドットなどの無機化合物や、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマ
ー等)を有していてもよい。例えば、量子ドットを発光層に用いることで、発光材料とし
て機能させることもできる。
なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、
コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。また
、12族と16族、13族と15族、又は14族と16族の元素グループを含む材料を用
いてもよい。又は、カドミウム、セレン、亜鉛、硫黄、リン、インジウム、テルル、鉛、
ガリウム、ヒ素、アルミニウム等の元素を含む量子ドット材料を用いてもよい。
コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。また
、12族と16族、13族と15族、又は14族と16族の元素グループを含む材料を用
いてもよい。又は、カドミウム、セレン、亜鉛、硫黄、リン、インジウム、テルル、鉛、
ガリウム、ヒ素、アルミニウム等の元素を含む量子ドット材料を用いてもよい。
〔液晶素子〕
液晶素子としては、例えば、垂直配向(VA:Vertical Alignment
)モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、MVA
(Multi-Domain Vertical Alignment)モード、PVA
(Patterned Vertical Alignment)モード、ASV(Ad
vanced Super View)モードなどを用いることができる。
液晶素子としては、例えば、垂直配向(VA:Vertical Alignment
)モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、MVA
(Multi-Domain Vertical Alignment)モード、PVA
(Patterned Vertical Alignment)モード、ASV(Ad
vanced Super View)モードなどを用いることができる。
また、液晶素子には、様々なモードが適用された液晶素子を用いることができる。例え
ば、VAモードの他に、TN(Twisted Nematic)モード、IPS(In
-Plane-Switching)モード、FFS(Fringe Field Sw
itching)モード、ASM(Axially Symmetric aligne
d Micro-cell)モード、OCB(Optically Compensat
ed Birefringence)モード、FLC(Ferroelectric L
iquid Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric
Liquid Crystal)モード等が適用された液晶素子を用いることができる
。
ば、VAモードの他に、TN(Twisted Nematic)モード、IPS(In
-Plane-Switching)モード、FFS(Fringe Field Sw
itching)モード、ASM(Axially Symmetric aligne
d Micro-cell)モード、OCB(Optically Compensat
ed Birefringence)モード、FLC(Ferroelectric L
iquid Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric
Liquid Crystal)モード等が適用された液晶素子を用いることができる
。
なお、液晶素子は、液晶の光学的変調作用によって光の透過又は非透過を制御する素子
である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界(横方向の電界、縦方向の電
界又は斜め方向の電界を含む。)によって制御される。なお、液晶素子に用いる液晶とし
ては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC:
Polymer Dispersed Liquid Crystal)、強誘電性液晶
、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステ
リック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
である。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界(横方向の電界、縦方向の電
界又は斜め方向の電界を含む。)によって制御される。なお、液晶素子に用いる液晶とし
ては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC:
Polymer Dispersed Liquid Crystal)、強誘電性液晶
、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステ
リック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
また、液晶材料としては、ポジ型の液晶、又はネガ型の液晶のいずれを用いてもよく、
適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。
適用するモードや設計に応じて最適な液晶材料を用いればよい。
また、液晶の配向を制御するため、配向膜を設けることができる。なお、横電界方式を
採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相
の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転
移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範
囲を改善するために数重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる
。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方
性を有する。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が
不要であり、視野角依存性が小さい。また、配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理
も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ
、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。
採用する場合、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相
の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転
移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範
囲を改善するために数重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いる
。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方
性を有する。また、ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、配向処理が
不要であり、視野角依存性が小さい。また、配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理
も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ
、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。
また、液晶素子として、透過型の液晶素子、反射型の液晶素子、又は半透過型の液晶素
子などを用いることができる。
子などを用いることができる。
透過型又は半透過型の液晶素子を用いる場合、一対の基板を挟むように、2つの偏光板
を設ける。また、偏光板よりも外側に、バックライトを設ける。バックライトとしては、
直下型のバックライトであってもよいし、エッジライト型のバックライトであってもよい
。LED(Light Emitting Diode)を備える直下型のバックライト
を用いると、ローカルディミングが容易となり、コントラストを高めることができるため
好ましい。また、エッジライト型のバックライトを用いると、バックライトを含めたタッ
チパネルモジュールの厚さを低減できるため好ましい。
を設ける。また、偏光板よりも外側に、バックライトを設ける。バックライトとしては、
直下型のバックライトであってもよいし、エッジライト型のバックライトであってもよい
。LED(Light Emitting Diode)を備える直下型のバックライト
を用いると、ローカルディミングが容易となり、コントラストを高めることができるため
好ましい。また、エッジライト型のバックライトを用いると、バックライトを含めたタッ
チパネルモジュールの厚さを低減できるため好ましい。
反射型の液晶素子を用いる場合には、表示面側に偏光板を設ける。また、これとは別に
、表示面側に光拡散板を配置すると、視認性を向上させられるため好ましい。
、表示面側に光拡散板を配置すると、視認性を向上させられるため好ましい。
〔接着層〕
接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着
剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としては
、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イ
ミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、
EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿
性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等
を用いてもよい。
接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着
剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としては
、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イ
ミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、
EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿
性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等
を用いてもよい。
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物(酸
化カルシウムや酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用い
ることができる。又は、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が素子に侵入す
ることを抑制でき、表示パネルの信頼性が向上するため好ましい。
化カルシウムや酸化バリウム等)のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用い
ることができる。又は、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が素子に侵入す
ることを抑制でき、表示パネルの信頼性が向上するため好ましい。
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、光取り出
し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジ
ルコニウム等を用いることができる。
し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジ
ルコニウム等を用いることができる。
〔接続層〕
接続層としては、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Condu
ctive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic C
onductive Paste)などを用いることができる。
接続層としては、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Condu
ctive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic C
onductive Paste)などを用いることができる。
〔着色層〕
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料又は染料が含ま
れた樹脂材料などが挙げられる。
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料又は染料が含ま
れた樹脂材料などが挙げられる。
〔遮光層〕
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、金属、金属酸化物
、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。また、遮光層に、着色層
の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に
用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造
を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できる
他、工程を簡略化できるため好ましい。
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、金属、金属酸化物
、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。また、遮光層に、着色層
の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に
用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造
を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できる
他、工程を簡略化できるため好ましい。
以上が、各構成要素についての説明である。
[構成例2]
以下では、本発明の一態様の表示装置10の例として、入出力装置(タッチパネル)、
入力装置(タッチセンサ)等の構成例について説明する。
以下では、本発明の一態様の表示装置10の例として、入出力装置(タッチパネル)、
入力装置(タッチセンサ)等の構成例について説明する。
ここで、本明細書等において、表示装置10の一態様である表示パネルは、表示面に画
像等を表示(出力)する機能を有するものである。したがって、表示パネルは出力装置の
一態様である。
像等を表示(出力)する機能を有するものである。したがって、表示パネルは出力装置の
一態様である。
また、本明細書等では、表示パネルの基板に、例えば、FPC(Flexible P
rinted Circuit)若しくはTCP(Tape Carrier Pack
age)などのコネクターが取り付けられたもの、又は基板にCOG(Chip On
Glass)方式等によりIC(集積回路)が実装されたものを、表示パネルモジュール
、表示モジュール、又は単に表示パネルなどと呼ぶ場合がある。
rinted Circuit)若しくはTCP(Tape Carrier Pack
age)などのコネクターが取り付けられたもの、又は基板にCOG(Chip On
Glass)方式等によりIC(集積回路)が実装されたものを、表示パネルモジュール
、表示モジュール、又は単に表示パネルなどと呼ぶ場合がある。
また、本明細書等において、タッチセンサは指やスタイラスなどの被検知体が触れる、
又は近接することを検知する機能を有するものである。したがって、タッチセンサは入力
装置の一態様である。
又は近接することを検知する機能を有するものである。したがって、タッチセンサは入力
装置の一態様である。
また、本明細書等では、タッチセンサを有する基板を、タッチセンサパネル、又は単に
タッチセンサなどと呼ぶ場合がある。また、本明細書等では、タッチセンサパネルの基板
に、例えば、FPC若しくはTCPなどのコネクターが取り付けられたもの、又は基板に
COG方式等によりICが実装されたものを、タッチセンサパネルモジュール、タッチセ
ンサモジュール、センサモジュール、又は単にタッチセンサなどと呼ぶ場合がある。
タッチセンサなどと呼ぶ場合がある。また、本明細書等では、タッチセンサパネルの基板
に、例えば、FPC若しくはTCPなどのコネクターが取り付けられたもの、又は基板に
COG方式等によりICが実装されたものを、タッチセンサパネルモジュール、タッチセ
ンサモジュール、センサモジュール、又は単にタッチセンサなどと呼ぶ場合がある。
なお、本明細書等において、表示装置10の一態様であるタッチパネルは、表示面に画
像等を表示(出力)する機能と、表示面に指やスタイラスなどの被検知体が触れる、又は
近接することを検知するタッチセンサとしての機能と、を有する。したがって、タッチパ
ネルは入出力装置の一態様である。
像等を表示(出力)する機能と、表示面に指やスタイラスなどの被検知体が触れる、又は
近接することを検知するタッチセンサとしての機能と、を有する。したがって、タッチパ
ネルは入出力装置の一態様である。
タッチパネルは、例えば、タッチセンサ付き表示パネル(又は表示装置)、タッチセン
サ機能つき表示パネル(又は表示装置)とも呼ぶことができる。
サ機能つき表示パネル(又は表示装置)とも呼ぶことができる。
タッチパネルは、表示パネルとタッチセンサパネルとを有する構成とすることもできる
。又は、表示パネルの内部にタッチセンサとしての機能を有する構成とすることもできる
。
。又は、表示パネルの内部にタッチセンサとしての機能を有する構成とすることもできる
。
また、本明細書等では、タッチパネルの基板に、例えば、TCPなどのコネクターが取
り付けられたもの、又は基板にCOG方式等によりICが実装されたものを、タッチパネ
ルモジュール、表示モジュール、又は単にタッチパネルなどと呼ぶ場合がある。
り付けられたもの、又は基板にCOG方式等によりICが実装されたものを、タッチパネ
ルモジュール、表示モジュール、又は単にタッチパネルなどと呼ぶ場合がある。
〔タッチセンサの構成例〕
以下では、入力装置(タッチセンサ)の構成例について、図面を参照して説明する。
以下では、入力装置(タッチセンサ)の構成例について、図面を参照して説明する。
図16(A)に、入力装置150の上面概略図を示す。入力装置150は、基板160
上に複数の電極151、複数の電極152、複数の配線155、複数の配線156を有す
る。また、基板160には、複数の電極151及び複数の電極152の各々と電気的に接
続するFPC(Flexible Printed Circuit)157が設けられ
ている。また、図16(A)では、FPC157にIC158が設けられている例を示し
ている。
上に複数の電極151、複数の電極152、複数の配線155、複数の配線156を有す
る。また、基板160には、複数の電極151及び複数の電極152の各々と電気的に接
続するFPC(Flexible Printed Circuit)157が設けられ
ている。また、図16(A)では、FPC157にIC158が設けられている例を示し
ている。
図16(B)に、図16(A)中の一点鎖線で囲った領域の拡大図を示す。電極151
は、複数の菱形の電極パターンが、紙面横方向に連なった形状を有している。一列に並ん
だ菱形の電極パターンは、それぞれ電気的に接続されている。また、電極152も同様に
、複数の菱形の電極パターンが、紙面縦方向に連なった形状を有し、一列に並んだ菱形の
電極パターンは、それぞれ電気的に接続されている。また、電極151と、電極152と
はこれらの一部が重畳し、互いに交差している。この交差部分では、電極151と電極1
52とが電気的に短絡(ショート)しないように、絶縁体が挟持されている。
は、複数の菱形の電極パターンが、紙面横方向に連なった形状を有している。一列に並ん
だ菱形の電極パターンは、それぞれ電気的に接続されている。また、電極152も同様に
、複数の菱形の電極パターンが、紙面縦方向に連なった形状を有し、一列に並んだ菱形の
電極パターンは、それぞれ電気的に接続されている。また、電極151と、電極152と
はこれらの一部が重畳し、互いに交差している。この交差部分では、電極151と電極1
52とが電気的に短絡(ショート)しないように、絶縁体が挟持されている。
また、図16(C)に示すように、菱形の形状を有する複数の電極152が、ブリッジ
電極153によって接続された構成としてもよい。島状の電極152は、縦方向に並べて
配置され、ブリッジ電極153により、隣接する2つの電極152が電気的に接続されて
いる。このような構成とすることで、電極151と、電極152を、同一の導電膜の加工
によって同時に形成することができる。そのため、これらの膜厚のばらつきを抑制するこ
とができ、それぞれの電極の抵抗値や光透過率が場所によってばらつくことを抑制できる
。なお、ここでは、電極152がブリッジ電極153を有する構成としたが、電極151
がこのような構成であってもよい。
電極153によって接続された構成としてもよい。島状の電極152は、縦方向に並べて
配置され、ブリッジ電極153により、隣接する2つの電極152が電気的に接続されて
いる。このような構成とすることで、電極151と、電極152を、同一の導電膜の加工
によって同時に形成することができる。そのため、これらの膜厚のばらつきを抑制するこ
とができ、それぞれの電極の抵抗値や光透過率が場所によってばらつくことを抑制できる
。なお、ここでは、電極152がブリッジ電極153を有する構成としたが、電極151
がこのような構成であってもよい。
また、図16(D)に示すように、図16(B)で示した電極151及び電極152の
菱形の電極パターンの内側をくりぬいて、輪郭部のみを残したような形状としてもよい。
このとき、電極151及び電極152の幅が、使用者から視認されない程度に細い場合に
は、後述するように、電極151及び電極152に金属や合金などの遮光性の材料を用い
てもよい。また、図16(D)に示す電極151又は電極152が、上記ブリッジ電極1
53を有する構成としてもよい。
菱形の電極パターンの内側をくりぬいて、輪郭部のみを残したような形状としてもよい。
このとき、電極151及び電極152の幅が、使用者から視認されない程度に細い場合に
は、後述するように、電極151及び電極152に金属や合金などの遮光性の材料を用い
てもよい。また、図16(D)に示す電極151又は電極152が、上記ブリッジ電極1
53を有する構成としてもよい。
1つの電極151は、1つの配線155と電気的に接続している。また、1つの電極1
52は、1つの配線156と電気的に接続している。ここで、配線155と配線156の
いずれか一方が、行配線に相当し、いずれか他方が、列配線に相当する。
52は、1つの配線156と電気的に接続している。ここで、配線155と配線156の
いずれか一方が、行配線に相当し、いずれか他方が、列配線に相当する。
IC158は、タッチセンサを駆動する機能を有する。IC158から出力された信号
は、配線155又は配線156を介して、電極151又は電極152のいずれかに供給さ
れる。また、電極151又は電極152のいずれかに流れる電流(又は電位)が、配線1
55又は配線156を介して、IC158に入力される。
は、配線155又は配線156を介して、電極151又は電極152のいずれかに供給さ
れる。また、電極151又は電極152のいずれかに流れる電流(又は電位)が、配線1
55又は配線156を介して、IC158に入力される。
ここで、入力装置150を表示パネルの表示面に重ねて、タッチパネルを構成する場合
には、電極151及び電極152に透光性を有する導電性材料を用いることが好ましい。
また、電極151及び電極152に透光性の導電性材料を用い、表示パネルからの光を電
極151又は電極152を介して取り出す場合には、電極151と電極152との間に、
これらと同一の導電性材料を含む導電膜をダミーパターンとして配置することが好ましい
。このように、電極151と電極152との間の隙間の一部をダミーパターンにより埋め
ることにより、入力装置150面内における光透過率のばらつきを低減できる。その結果
、入力装置150を透過する光の輝度ムラを低減することができる。
には、電極151及び電極152に透光性を有する導電性材料を用いることが好ましい。
また、電極151及び電極152に透光性の導電性材料を用い、表示パネルからの光を電
極151又は電極152を介して取り出す場合には、電極151と電極152との間に、
これらと同一の導電性材料を含む導電膜をダミーパターンとして配置することが好ましい
。このように、電極151と電極152との間の隙間の一部をダミーパターンにより埋め
ることにより、入力装置150面内における光透過率のばらつきを低減できる。その結果
、入力装置150を透過する光の輝度ムラを低減することができる。
透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウ
ム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いること
ができる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例
えば、膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法等を挙げることができる。
ム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いること
ができる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例
えば、膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法等を挙げることができる。
又は、透光性を有する程度に薄い金属又は合金を用いることができる。例えば、金、銀
、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、
銅、パラジウム、又はチタンなどの金属や、該金属を含む合金を用いることができる。又
は、該金属又は合金の窒化物(例えば、窒化チタン)などを用いてもよい。また、上述し
た材料を含む導電膜のうち、2以上を積層した積層膜を用いてもよい。
、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、
銅、パラジウム、又はチタンなどの金属や、該金属を含む合金を用いることができる。又
は、該金属又は合金の窒化物(例えば、窒化チタン)などを用いてもよい。また、上述し
た材料を含む導電膜のうち、2以上を積層した積層膜を用いてもよい。
また、電極151及び電極152には、使用者から視認されない程度に細く加工された
導電膜を用いてもよい。例えば、このような導電膜を格子状(メッシュ状)に加工するこ
とで、高い導電性と表示装置の高い視認性を得ることができる。このとき、導電膜は30
nm以上100μm以下、好ましくは50nm以上50μm以下、さらには50nm以上
20μm以下の幅である部分を有することがより好ましい。特に、10μm以下のパター
ン幅を有する導電膜は、使用者が視認することが極めて困難となるため好ましい。
導電膜を用いてもよい。例えば、このような導電膜を格子状(メッシュ状)に加工するこ
とで、高い導電性と表示装置の高い視認性を得ることができる。このとき、導電膜は30
nm以上100μm以下、好ましくは50nm以上50μm以下、さらには50nm以上
20μm以下の幅である部分を有することがより好ましい。特に、10μm以下のパター
ン幅を有する導電膜は、使用者が視認することが極めて困難となるため好ましい。
一例として、図17(A)乃至図17(D)に、電極151又は電極152の一部を拡
大した概略図を示している。図17(A)は、格子状の導電膜146を用いた場合の例を
示している。このとき、導電膜146を、表示装置が有する表示素子と重ならないように
配置すると、表示装置からの光を遮光することがないため好ましい。その場合、格子の向
きを表示素子の配列と同じ向きとし、また、格子の周期を表示素子の配列の周期の整数倍
とすることが好ましい。
大した概略図を示している。図17(A)は、格子状の導電膜146を用いた場合の例を
示している。このとき、導電膜146を、表示装置が有する表示素子と重ならないように
配置すると、表示装置からの光を遮光することがないため好ましい。その場合、格子の向
きを表示素子の配列と同じ向きとし、また、格子の周期を表示素子の配列の周期の整数倍
とすることが好ましい。
また、図17(B)には、三角形の開口が形成されるように加工された格子状の導電膜
147の例を示している。このような構成とすることで、図17(A)に示した導電膜1
46に比べて、抵抗をより低くすることが可能となる。
147の例を示している。このような構成とすることで、図17(A)に示した導電膜1
46に比べて、抵抗をより低くすることが可能となる。
また、図17(C)に示すように、周期性を有さないパターン形状を有する導電膜14
8としてもよい。このような構成とすることで、表示装置の表示部と重ねたときに、モア
レが生じることを抑制できる。
8としてもよい。このような構成とすることで、表示装置の表示部と重ねたときに、モア
レが生じることを抑制できる。
また、電極151及び電極152に、導電性のナノワイヤを用いてもよい。図17(D
)には、ナノワイヤ149を用いた場合の例を示している。隣接するナノワイヤ149同
士が接触するように、適当な密度で分散することにより、2次元的なネットワークが形成
され、極めて透光性の高い導電膜として機能させることができる。例えば、直径の平均値
が1nm以上100nm以下、好ましくは5nm以上50nm以下、より好ましくは5n
m以上25nm以下のナノワイヤを用いることができる。ナノワイヤ149としては、A
gナノワイヤや、Cuナノワイヤ、Alナノワイヤ等の金属ナノワイヤ、又は、カーボン
ナノチューブなどを用いることができる。例えば、Agナノワイヤの場合、光透過率は8
9%以上、シート抵抗値は40Ω/□以上100Ω/□以下を実現することができる。
)には、ナノワイヤ149を用いた場合の例を示している。隣接するナノワイヤ149同
士が接触するように、適当な密度で分散することにより、2次元的なネットワークが形成
され、極めて透光性の高い導電膜として機能させることができる。例えば、直径の平均値
が1nm以上100nm以下、好ましくは5nm以上50nm以下、より好ましくは5n
m以上25nm以下のナノワイヤを用いることができる。ナノワイヤ149としては、A
gナノワイヤや、Cuナノワイヤ、Alナノワイヤ等の金属ナノワイヤ、又は、カーボン
ナノチューブなどを用いることができる。例えば、Agナノワイヤの場合、光透過率は8
9%以上、シート抵抗値は40Ω/□以上100Ω/□以下を実現することができる。
以上が、タッチセンサの構成例についての説明である。
〔タッチパネルの構成例〕
以下では、本発明の一態様の表示装置10の例として、タッチパネルの構成例について
、図面を参照して説明する。
以下では、本発明の一態様の表示装置10の例として、タッチパネルの構成例について
、図面を参照して説明する。
図18(A)は、タッチパネル100の斜視概略図である。また、図18(B)は、図
18(A)を展開した斜視概略図である。なお、明瞭化のため、代表的な構成要素のみを
示している。また、図18(B)では、基板31を破線で輪郭のみ明示している。
18(A)を展開した斜視概略図である。なお、明瞭化のため、代表的な構成要素のみを
示している。また、図18(B)では、基板31を破線で輪郭のみ明示している。
タッチパネル100は、入力装置150が設けられた基板31と基板21を有し、これ
らが重ねて設けられている。基板21側の構成については、上記構成例1等を援用するこ
とができる。
らが重ねて設けられている。基板21側の構成については、上記構成例1等を援用するこ
とができる。
入力装置150の構成は、上記タッチセンサの構成例を援用できる。図18(A)、図
18(B)では、入力装置150が、複数の電極151、複数の電極152、複数の配線
155、複数の配線156を有する場合を示している。
18(B)では、入力装置150が、複数の電極151、複数の電極152、複数の配線
155、複数の配線156を有する場合を示している。
入力装置150としては、例えば、静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容
量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。また、投影型静電
容量方式としては、自己容量方式、相互容量方式等がある。相互容量方式を用いると、同
時多点検出が可能となるため好ましい。以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを
適用する場合について説明する。
量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。また、投影型静電
容量方式としては、自己容量方式、相互容量方式等がある。相互容量方式を用いると、同
時多点検出が可能となるため好ましい。以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを
適用する場合について説明する。
なお、これに限られず、指やスタイラスなどの被検知体の近接、又は接触を検知するこ
とのできる様々なセンサを、入力装置150に適用することもできる。
とのできる様々なセンサを、入力装置150に適用することもできる。
図18(A)、図18(B)に示すタッチパネル100は、基板31に入力装置150
が設けられている。また、入力装置150の配線155及び配線156等は、接続部16
9を介して、基板21側に接続されたFPC42と電気的に接続する。
が設けられている。また、入力装置150の配線155及び配線156等は、接続部16
9を介して、基板21側に接続されたFPC42と電気的に接続する。
このような構成とすることで、タッチパネル100に接続するFPCを1つの基板側(
ここでは、基板21側)にのみ配置することができる。また、タッチパネル100に2以
上のFPCを取り付ける構成としてもよいが、図18(A)、図18(B)に示すように
、タッチパネル100には1つのFPC42を設け、当該FPC42が、基板21側と基
板31側の両方に信号を供給する構成とすると、より部品点数を削減でき、構成を簡略化
できるため好ましい。
ここでは、基板21側)にのみ配置することができる。また、タッチパネル100に2以
上のFPCを取り付ける構成としてもよいが、図18(A)、図18(B)に示すように
、タッチパネル100には1つのFPC42を設け、当該FPC42が、基板21側と基
板31側の両方に信号を供給する構成とすると、より部品点数を削減でき、構成を簡略化
できるため好ましい。
接続部169には、例えば、異方性の導電性を有する接続体が設けられている構成とす
ることができる。接続体としては、例えば、導電性の粒子を用いることができる。導電性
の粒子としては、有機樹脂又はシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用い
ることができる。金属材料としてニッケルや金を用いると、接触抵抗を低減できるため好
ましい。また、ニッケルをさらに金で被覆するなど、2種類以上の金属材料を層状に被覆
させた粒子を用いることが好ましい。また、接続体として、弾性変形、又は塑性変形する
材料を用いることが好ましい。このとき、導電性の粒子は、上下方向に潰れた形状となる
場合がある。こうすることで、接続体と、これと電気的に接続する導電層との接触面積が
増大し、接触抵抗を低減できる他、接続不良などの不具合の発生を抑制できる。
ることができる。接続体としては、例えば、導電性の粒子を用いることができる。導電性
の粒子としては、有機樹脂又はシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用い
ることができる。金属材料としてニッケルや金を用いると、接触抵抗を低減できるため好
ましい。また、ニッケルをさらに金で被覆するなど、2種類以上の金属材料を層状に被覆
させた粒子を用いることが好ましい。また、接続体として、弾性変形、又は塑性変形する
材料を用いることが好ましい。このとき、導電性の粒子は、上下方向に潰れた形状となる
場合がある。こうすることで、接続体と、これと電気的に接続する導電層との接触面積が
増大し、接触抵抗を低減できる他、接続不良などの不具合の発生を抑制できる。
また、接続体は、基板21と基板31を接着する接着層141(図示しない。)に覆わ
れるように配置することが好ましい。例えば、硬化前の接着層141に、接続体を分散さ
せておけばよい。接着層141が設けられる部分に接続部169を配置することで、当該
接続部169を、接着層141を表示部32上にも配置する構成(固体封止構造とも言う
。)に対してだけでなく、例えば、中空封止構造の発光装置や、液晶表示装置等、接着層
141を周辺に用いる構成に対しても適用することができる。
れるように配置することが好ましい。例えば、硬化前の接着層141に、接続体を分散さ
せておけばよい。接着層141が設けられる部分に接続部169を配置することで、当該
接続部169を、接着層141を表示部32上にも配置する構成(固体封止構造とも言う
。)に対してだけでなく、例えば、中空封止構造の発光装置や、液晶表示装置等、接着層
141を周辺に用いる構成に対しても適用することができる。
また、図18(A)、図18(B)では、図1と異なり、IC168をFPC42に実
装した場合の例を示している。このとき、IC168は、入力装置150を駆動する機能
を有していてもよいし、入力装置150を駆動するICを基板21、基板31、又はFP
C42等に、別途設けてもよい。
装した場合の例を示している。このとき、IC168は、入力装置150を駆動する機能
を有していてもよいし、入力装置150を駆動するICを基板21、基板31、又はFP
C42等に、別途設けてもよい。
〔断面構成例〕
続いて、タッチパネル100の断面構成の例について説明する。図19は、タッチパネ
ル100の断面概略図である。図19は、図11と比較して、接着層141よりも基板3
1側の構成が、主に相違している。
続いて、タッチパネル100の断面構成の例について説明する。図19は、タッチパネ
ル100の断面概略図である。図19は、図11と比較して、接着層141よりも基板3
1側の構成が、主に相違している。
基板31の基板21側の面上に、絶縁層161、絶縁層162、絶縁層163、絶縁層
164等が積層して設けられている。絶縁層161と絶縁層162の間に、遮光層133
が設けられている。絶縁層162と絶縁層163の間に、電極151、電極152等が設
けられている。絶縁層163と絶縁層164の間に、ブリッジ電極153が設けられてい
る。絶縁層164の接着層141側の面には、着色層131a、遮光層132等が設けら
れている。
164等が積層して設けられている。絶縁層161と絶縁層162の間に、遮光層133
が設けられている。絶縁層162と絶縁層163の間に、電極151、電極152等が設
けられている。絶縁層163と絶縁層164の間に、ブリッジ電極153が設けられてい
る。絶縁層164の接着層141側の面には、着色層131a、遮光層132等が設けら
れている。
図19では、電極151と電極152の交差部を明示している。ブリッジ電極153は
、絶縁層163に設けられた開口を介して、電極152を挟む2つの電極151と電気的
に接続されている。
、絶縁層163に設けられた開口を介して、電極152を挟む2つの電極151と電気的
に接続されている。
電極151や電極152は、遮光層132と重なる位置に設けられている。また、図1
9では、電極151が発光素子40と重ならないように配置されている例を示している。
言い換えると、電極151は、発光素子40と重なる開口を有するメッシュ形状を有する
。このような構成とすることで、発光素子40が発する光の経路上に電極151が配置さ
れないため、電極151を配置することによる輝度の低下は実質的に生じず、視認性が高
く、かつ消費電力が低減されたタッチパネル100を実現できる。なお、電極152も同
様の構成とすることができる。
9では、電極151が発光素子40と重ならないように配置されている例を示している。
言い換えると、電極151は、発光素子40と重なる開口を有するメッシュ形状を有する
。このような構成とすることで、発光素子40が発する光の経路上に電極151が配置さ
れないため、電極151を配置することによる輝度の低下は実質的に生じず、視認性が高
く、かつ消費電力が低減されたタッチパネル100を実現できる。なお、電極152も同
様の構成とすることができる。
また、電極151や電極152が発光素子40と重ならないため、これらに透光性の導
電性材料を用いる必要がなく、該導電性材料よりも低抵抗な金属材料を用いることができ
る。そのため、電極151や電極152に透光性の導電性材料を用いた場合に比べて、タ
ッチセンサの感度を向上させることができる。
電性材料を用いる必要がなく、該導電性材料よりも低抵抗な金属材料を用いることができ
る。そのため、電極151や電極152に透光性の導電性材料を用いた場合に比べて、タ
ッチセンサの感度を向上させることができる。
また、図19では、電極151と電極152(及びブリッジ電極153)よりも基板3
1側に、これらと重ねて遮光層133が設けられている例を示している。遮光層133に
より、電極151等に金属材料を用いた場合であっても、これらの外光反射を抑制できる
ため、より視認性の高いタッチパネル100を実現できる。なお、ここでは遮光層132
と遮光層133の2つの遮光層を設ける例を示したが、いずれか一方のみを配置する構成
としてもよい。
1側に、これらと重ねて遮光層133が設けられている例を示している。遮光層133に
より、電極151等に金属材料を用いた場合であっても、これらの外光反射を抑制できる
ため、より視認性の高いタッチパネル100を実現できる。なお、ここでは遮光層132
と遮光層133の2つの遮光層を設ける例を示したが、いずれか一方のみを配置する構成
としてもよい。
また、基板31上の偏光板130を設けず、基板31を指又はスタイラスなどの被検知
体が直接触れる基板として用いてもよい。このとき、基板31上に保護層(セラミックコ
ート等)を設けることが好ましい。保護層は、例えば、酸化シリコン、酸化アルミニウム
、酸化イットリウム、イットリア安定化ジルコニア(YSZ)などの無機絶縁性材料を用
いることができる。また、基板31に強化ガラスを用いてもよい。強化ガラスは、イオン
交換法や風冷強化法等により物理的、又は化学的な処理が施され、その表面に圧縮応力を
加えたものを用いることができる。タッチセンサを強化ガラスの一面に設け、その反対側
の面を、例えば、電子機器の最表面に設けてタッチ面として用いることにより、機器全体
の厚さを低減することができる。
体が直接触れる基板として用いてもよい。このとき、基板31上に保護層(セラミックコ
ート等)を設けることが好ましい。保護層は、例えば、酸化シリコン、酸化アルミニウム
、酸化イットリウム、イットリア安定化ジルコニア(YSZ)などの無機絶縁性材料を用
いることができる。また、基板31に強化ガラスを用いてもよい。強化ガラスは、イオン
交換法や風冷強化法等により物理的、又は化学的な処理が施され、その表面に圧縮応力を
加えたものを用いることができる。タッチセンサを強化ガラスの一面に設け、その反対側
の面を、例えば、電子機器の最表面に設けてタッチ面として用いることにより、機器全体
の厚さを低減することができる。
図19に示すように、発光素子40、複数のトランジスタ、及びタッチセンサを構成す
る電極等を、基板21と基板31の間に配置することで、部品点数が削減されたタッチパ
ネル100を実現することができる。
る電極等を、基板21と基板31の間に配置することで、部品点数が削減されたタッチパ
ネル100を実現することができる。
なお、タッチパネル100の構成はこれに限られず、例えば、入力装置150が設けら
れた基板を、例えば、図1等に示す表示装置10と重ねてタッチパネル100を構成して
もよい。
れた基板を、例えば、図1等に示す表示装置10と重ねてタッチパネル100を構成して
もよい。
図20に、タッチセンサを構成する電極151及び電極152等を、基板31の基板2
1側とは反対側に形成した例を示している。このような構成を、オンセル型のタッチパネ
ルと呼ぶことができる。
1側とは反対側に形成した例を示している。このような構成を、オンセル型のタッチパネ
ルと呼ぶことができる。
基板31上には、電極151、電極152が形成され、これらを覆って絶縁層163が
設けられている。また、絶縁層163上にブリッジ電極153が設けられている。
設けられている。また、絶縁層163上にブリッジ電極153が設けられている。
基板170は、タッチ面として機能する基板であり、例えば、タッチパネル100を電
子機器に組み込んだ際の筐体の一部、又は保護ガラスなどとして機能する。基板170と
基板31とは、接着層165によって貼り合わされている。
子機器に組み込んだ際の筐体の一部、又は保護ガラスなどとして機能する。基板170と
基板31とは、接着層165によって貼り合わされている。
ここで、図20では、電極151が遮光層132と重なる領域だけでなく、発光素子4
0、着色層131a等と重なる領域にも配置されている例を示している。このとき、電極
151には、可視光を透過する材料を用いることができる。例えば、金属酸化物を含む膜
や、グラフェンを含む膜、又は金属や合金を含み、可視光を透過する程度に薄い膜などを
、電極151に用いることができる。なお、電極152についても同様である。また、ブ
リッジ電極153にも、同様の可視光を透過する材料を用いてよいが、ブリッジ電極15
3が遮光層132と重ねて配置される場合や、ブリッジ電極153の面積が極めて小さい
場合には、金属や合金など、可視光を遮光する材料を用いてもよい。
0、着色層131a等と重なる領域にも配置されている例を示している。このとき、電極
151には、可視光を透過する材料を用いることができる。例えば、金属酸化物を含む膜
や、グラフェンを含む膜、又は金属や合金を含み、可視光を透過する程度に薄い膜などを
、電極151に用いることができる。なお、電極152についても同様である。また、ブ
リッジ電極153にも、同様の可視光を透過する材料を用いてよいが、ブリッジ電極15
3が遮光層132と重ねて配置される場合や、ブリッジ電極153の面積が極めて小さい
場合には、金属や合金など、可視光を遮光する材料を用いてもよい。
以上が、タッチパネル100の断面構成例についての説明である。
[構成例3]
以下では、本発明の一態様の表示装置10の例として、反射型の液晶素子と、発光素子
の両方を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことのできる、表示装置(表
示パネル)の例を説明する。このような表示パネルを、TR-hybrid displ
ay(Transmissive OLED and Reflective LC H
ybrid display)とも呼ぶことができる。
以下では、本発明の一態様の表示装置10の例として、反射型の液晶素子と、発光素子
の両方を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことのできる、表示装置(表
示パネル)の例を説明する。このような表示パネルを、TR-hybrid displ
ay(Transmissive OLED and Reflective LC H
ybrid display)とも呼ぶことができる。
このような表示パネルの一例としては、可視光を反射する電極を備える液晶素子と、発
光素子とを積層して配置した構成が挙げられる。このとき、可視光を反射する電極が開口
を有し、当該開口と発光素子とが重ねて配置されていることが好ましい。これにより、透
過モードでは、当該開口を介して発光素子からの光が射出されるように駆動することがで
きる。また、液晶素子を駆動するトランジスタと、発光素子を構成するトランジスタとが
、同一平面上に配置されていることが好ましい。また、発光素子と液晶素子とは、絶縁層
を介して積層されていることが好ましい。
光素子とを積層して配置した構成が挙げられる。このとき、可視光を反射する電極が開口
を有し、当該開口と発光素子とが重ねて配置されていることが好ましい。これにより、透
過モードでは、当該開口を介して発光素子からの光が射出されるように駆動することがで
きる。また、液晶素子を駆動するトランジスタと、発光素子を構成するトランジスタとが
、同一平面上に配置されていることが好ましい。また、発光素子と液晶素子とは、絶縁層
を介して積層されていることが好ましい。
このような表示パネルは、屋外など外光の明るい場所では、反射モードで表示すること
により、極めて低い消費電力で駆動を行うことができる。また、夜間や室内など外光が暗
い場所では、透過モードで表示することにより、最適な輝度で画像を表示することができ
る。さらに、透過モードと反射モードの両方のモードで表示することにより、極めて外光
が明るい場所であっても、従来の表示パネルに比べて、低い消費電力で、かつコントラス
トの高い表示を行うことができる。
により、極めて低い消費電力で駆動を行うことができる。また、夜間や室内など外光が暗
い場所では、透過モードで表示することにより、最適な輝度で画像を表示することができ
る。さらに、透過モードと反射モードの両方のモードで表示することにより、極めて外光
が明るい場所であっても、従来の表示パネルに比べて、低い消費電力で、かつコントラス
トの高い表示を行うことができる。
〔構成例〕
図21(A)は、表示装置200の構成の一例を示すブロック図である。表示装置20
0は、表示部32にマトリクス状に配列した複数の画素210を有する。また、表示装置
200は、回路GDと、回路SDを有する。また、方向Rに配列した複数の画素210、
及び回路GDと電気的に接続する複数の配線G1、複数の配線G2、複数の配線ANO、
及び複数の配線CSCOMを有する。また、方向Cに配列した複数の画素210、及び回
路SDと電気的に接続する複数の配線S1及び複数の配線S2を有する。
図21(A)は、表示装置200の構成の一例を示すブロック図である。表示装置20
0は、表示部32にマトリクス状に配列した複数の画素210を有する。また、表示装置
200は、回路GDと、回路SDを有する。また、方向Rに配列した複数の画素210、
及び回路GDと電気的に接続する複数の配線G1、複数の配線G2、複数の配線ANO、
及び複数の配線CSCOMを有する。また、方向Cに配列した複数の画素210、及び回
路SDと電気的に接続する複数の配線S1及び複数の配線S2を有する。
画素210は、反射型の液晶素子と、発光素子を有する。画素210において、液晶素
子と発光素子とは、互いに重なる部分を有する。
子と発光素子とは、互いに重なる部分を有する。
図21(B1)は、画素210が有する導電層191の構成例を示す。導電層191は
、画素210における液晶素子の反射電極として機能する。また、導電層191には、開
口部251が設けられている。
、画素210における液晶素子の反射電極として機能する。また、導電層191には、開
口部251が設けられている。
図21(B1)には、導電層191と重なる領域に位置する発光素子40を破線で示し
ている。発光素子40は、導電層191が有する開口部251と重ねて配置されている。
これにより、発光素子40が発する光は、開口部251を介して表示面側に射出される。
ている。発光素子40は、導電層191が有する開口部251と重ねて配置されている。
これにより、発光素子40が発する光は、開口部251を介して表示面側に射出される。
図21(B1)では、方向Rに隣接する画素210が、異なる色に対応する画素である
。このとき、図21(B1)に示すように、方向Rに隣接する2つの画素において、開口
部251が一列に配列されないように、導電層191の異なる位置に設けられていること
が好ましい。これにより、2つの発光素子40を離すことが可能で、発光素子40が発す
る光が、隣接する画素210が有する着色層に入射してしまう現象(クロストークとも言
う。)を抑制することができる。また、隣接する2つの発光素子40を離して配置するこ
とができるため、発光素子40のEL層をシャドウマスク等により作り分ける場合であっ
ても、高い精細度の表示装置200を実現できる。
。このとき、図21(B1)に示すように、方向Rに隣接する2つの画素において、開口
部251が一列に配列されないように、導電層191の異なる位置に設けられていること
が好ましい。これにより、2つの発光素子40を離すことが可能で、発光素子40が発す
る光が、隣接する画素210が有する着色層に入射してしまう現象(クロストークとも言
う。)を抑制することができる。また、隣接する2つの発光素子40を離して配置するこ
とができるため、発光素子40のEL層をシャドウマスク等により作り分ける場合であっ
ても、高い精細度の表示装置200を実現できる。
また、画素210は、図21(B2)に示すような配列としてもよい。
画素210が有する導電層191において、非開口部の総面積に対する開口部251の
総面積の比の値が大きすぎると、液晶素子を用いた表示が暗くなってしまう。また、非開
口部の総面積に対する開口部251の総面積の比の値が小さすぎると、発光素子40を用
いた表示が暗くなってしまう。
総面積の比の値が大きすぎると、液晶素子を用いた表示が暗くなってしまう。また、非開
口部の総面積に対する開口部251の総面積の比の値が小さすぎると、発光素子40を用
いた表示が暗くなってしまう。
また、反射電極として機能する導電層191に設ける開口部251の面積が小さすぎる
と、発光素子40が射出する光から取り出せる光の効率が低下してしまう。
と、発光素子40が射出する光から取り出せる光の効率が低下してしまう。
開口部251の形状は、例えば、多角形、四角形、楕円形、円形又は十字等の形状とす
ることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状としてもよい。また
、開口部251を、隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口部251を
、同じ色を表示する他の画素に寄せて配置する。これにより、クロストークを抑制できる
。
ることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状としてもよい。また
、開口部251を、隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口部251を
、同じ色を表示する他の画素に寄せて配置する。これにより、クロストークを抑制できる
。
〔回路構成例〕
図22は、画素210の構成例を示す回路図である。図22では、隣接する2つの画素
210を示している。
図22は、画素210の構成例を示す回路図である。図22では、隣接する2つの画素
210を示している。
画素210は、スイッチSW1、容量素子C1、液晶素子60、スイッチSW2、トラ
ンジスタM、容量素子C2、及び発光素子40等を有する。また、画素210には、配線
G1、配線G2、配線ANO、配線CSCOM、配線S1、及び配線S2が電気的に接続
されている。また、図22では、液晶素子60と電気的に接続する配線VCOM1、及び
発光素子40と電気的に接続する配線VCOM2を示している。
ンジスタM、容量素子C2、及び発光素子40等を有する。また、画素210には、配線
G1、配線G2、配線ANO、配線CSCOM、配線S1、及び配線S2が電気的に接続
されている。また、図22では、液晶素子60と電気的に接続する配線VCOM1、及び
発光素子40と電気的に接続する配線VCOM2を示している。
図22では、スイッチSW1及びスイッチSW2に、トランジスタを用いた場合の例を
示している。
示している。
スイッチSW1は、ゲートが配線G1と接続され、ソース又はドレインの一方が配線S
1と接続され、ソース又はドレインの他方が容量素子C1の一方の電極、及び液晶素子6
0の一方の電極と接続されている。容量素子C1は、他方の電極が配線CSCOMと接続
されている。液晶素子60は、他方の電極が配線VCOM1と接続されている。
1と接続され、ソース又はドレインの他方が容量素子C1の一方の電極、及び液晶素子6
0の一方の電極と接続されている。容量素子C1は、他方の電極が配線CSCOMと接続
されている。液晶素子60は、他方の電極が配線VCOM1と接続されている。
また、スイッチSW2は、ゲートが配線G2と接続され、ソース又はドレインの一方が
配線S2と接続され、ソース又はドレインの他方が、容量素子C2の一方の電極、トラン
ジスタMのゲートと接続されている。容量素子C2は、他方の電極がトランジスタMのソ
ース又はドレインの一方、及び配線ANOと接続されている。トランジスタMは、ソース
又はドレインの他方が発光素子40の一方の電極と接続されている。発光素子40は、他
方の電極が配線VCOM2と接続されている。
配線S2と接続され、ソース又はドレインの他方が、容量素子C2の一方の電極、トラン
ジスタMのゲートと接続されている。容量素子C2は、他方の電極がトランジスタMのソ
ース又はドレインの一方、及び配線ANOと接続されている。トランジスタMは、ソース
又はドレインの他方が発光素子40の一方の電極と接続されている。発光素子40は、他
方の電極が配線VCOM2と接続されている。
図22では、トランジスタMが、チャネル領域を形成する半導体を挟む2つのゲートを
有し、これらが接続されている例を示している。これにより、トランジスタMが流すこと
のできる電流を増大させることができる。
有し、これらが接続されている例を示している。これにより、トランジスタMが流すこと
のできる電流を増大させることができる。
配線G1には、スイッチSW1を導通状態又は非導通状態に制御する信号を与えること
ができる。配線VCOM1には、所定の電位を与えることができる。配線S1には、液晶
素子60が有する液晶の配向状態を制御する信号を与えることができる。配線CSCOM
には、所定の電位を与えることができる。
ができる。配線VCOM1には、所定の電位を与えることができる。配線S1には、液晶
素子60が有する液晶の配向状態を制御する信号を与えることができる。配線CSCOM
には、所定の電位を与えることができる。
配線G2には、スイッチSW2を導通状態又は非導通状態に制御する信号を与えること
ができる。配線VCOM2及び配線ANOには、発光素子40が発光する電位差が生じる
電位をそれぞれ与えることができる。配線S2には、トランジスタMの導通状態を制御す
る信号を与えることができる。
ができる。配線VCOM2及び配線ANOには、発光素子40が発光する電位差が生じる
電位をそれぞれ与えることができる。配線S2には、トランジスタMの導通状態を制御す
る信号を与えることができる。
図22に示す画素210は、例えば、反射モードの表示を行う場合には、配線G1及び
配線S1に与える信号により駆動し、液晶素子60による光学変調を利用して表示するこ
とができる。また、透過モードで表示を行う場合には、配線G2及び配線S2に与える信
号により駆動し、発光素子40を発光させて表示することができる。また、両方のモード
で表示を行う場合には、配線G1、配線G2、配線S1及び配線S2のそれぞれに与える
信号により駆動し、液晶素子60と発光素子40の双方を用いて表示することができる。
配線S1に与える信号により駆動し、液晶素子60による光学変調を利用して表示するこ
とができる。また、透過モードで表示を行う場合には、配線G2及び配線S2に与える信
号により駆動し、発光素子40を発光させて表示することができる。また、両方のモード
で表示を行う場合には、配線G1、配線G2、配線S1及び配線S2のそれぞれに与える
信号により駆動し、液晶素子60と発光素子40の双方を用いて表示することができる。
〔表示装置の断面構成例〕
図23に、表示装置200の断面概略図を示す。
図23に、表示装置200の断面概略図を示す。
表示装置200は、基板21と基板31の間に、絶縁層220を有する。また、基板2
1と絶縁層220の間に、発光素子40、トランジスタ205、トランジスタ206、着
色層134等を有する。また、絶縁層220と基板31の間に、液晶素子60、着色層1
31、構造体244等を有する。
1と絶縁層220の間に、発光素子40、トランジスタ205、トランジスタ206、着
色層134等を有する。また、絶縁層220と基板31の間に、液晶素子60、着色層1
31、構造体244等を有する。
基板21と絶縁層82等とは、接着層141で貼り合わされている。また、基板31と
絶縁層220は、液晶を封止する接着層142で貼り合わされている。
絶縁層220は、液晶を封止する接着層142で貼り合わされている。
液晶素子60は、反射型の液晶素子である。液晶素子60は、導電層192、液晶19
3、及び導電層194の積層構造を有する。また、導電層192の基板21側に接して、
導電層191が設けられている。導電層191は、液晶素子60の反射電極として機能す
る。また、導電層191は、開口部251を有する。また、導電層192は、可視光を透
過する材料を含む。
3、及び導電層194の積層構造を有する。また、導電層192の基板21側に接して、
導電層191が設けられている。導電層191は、液晶素子60の反射電極として機能す
る。また、導電層191は、開口部251を有する。また、導電層192は、可視光を透
過する材料を含む。
発光素子40は、ボトムエミッション型の発光素子である。発光素子40は、絶縁層2
20側から導電層111、EL層112、及び導電層113の順に積層された構造を有す
る。導電層113は可視光を反射する材料を含み、導電層111は可視光を透過する材料
を含む。発光素子40が発する光は、着色層134、絶縁層220、開口部251、導電
層192等を介して、基板31側に射出される。
20側から導電層111、EL層112、及び導電層113の順に積層された構造を有す
る。導電層113は可視光を反射する材料を含み、導電層111は可視光を透過する材料
を含む。発光素子40が発する光は、着色層134、絶縁層220、開口部251、導電
層192等を介して、基板31側に射出される。
また、絶縁層81及び絶縁層82には、それぞれ開口部11及び開口部12が設けられ
ている。上面視において、開口部12の外周は、開口部11の外周より内側にある。開口
部11及び開口部12は一体となり、断面視において、楔状の開口部を形成している。該
開口部の内部は、接着層141で満たされている。
ている。上面視において、開口部12の外周は、開口部11の外周より内側にある。開口
部11及び開口部12は一体となり、断面視において、楔状の開口部を形成している。該
開口部の内部は、接着層141で満たされている。
トランジスタ205のソース又はドレインの一方は、発光素子40の導電層111と電
気的に接続されている。例えば、トランジスタ205は、図22におけるトランジスタM
に対応する。
気的に接続されている。例えば、トランジスタ205は、図22におけるトランジスタM
に対応する。
トランジスタ206のソース又はドレインの一方は、端子部207を介して導電層19
1及び導電層192と電気的に接続されている。端子部207は、表示部32内において
、絶縁層220に設けられた開口を介して、絶縁層220の両面に設けられる導電層同士
を電気的に接続する機能を有する。例えば、トランジスタ206は、図22におけるスイ
ッチSW1に対応する。
1及び導電層192と電気的に接続されている。端子部207は、表示部32内において
、絶縁層220に設けられた開口を介して、絶縁層220の両面に設けられる導電層同士
を電気的に接続する機能を有する。例えば、トランジスタ206は、図22におけるスイ
ッチSW1に対応する。
基板21の基板31と重ならない領域には、端子部204が設けられている。端子部2
04は、端子部207と同様に、絶縁層220の両面に設けられる導電層同士を電気的に
接続する。端子部204の上面は、導電層192と同一の導電膜を加工して得られた導電
層が露出している。これにより、端子部204とFPC42とを、接続層242を介して
電気的に接続することができる。
04は、端子部207と同様に、絶縁層220の両面に設けられる導電層同士を電気的に
接続する。端子部204の上面は、導電層192と同一の導電膜を加工して得られた導電
層が露出している。これにより、端子部204とFPC42とを、接続層242を介して
電気的に接続することができる。
基板31の基板21側には、着色層131、遮光層132が設けられている。また、着
色層131及び遮光層132を覆う絶縁層195が設けられている。絶縁層195は、オ
ーバーコートとしての機能を有する。また、絶縁層195の基板21側に、導電層194
が設けられている。
色層131及び遮光層132を覆う絶縁層195が設けられている。絶縁層195は、オ
ーバーコートとしての機能を有する。また、絶縁層195の基板21側に、導電層194
が設けられている。
また、接着層142が設けられる一部の領域には、接続部252が設けられている。接
続部252において、導電層192と同一の導電膜を加工して得られた導電層と、導電層
194の一部が、接続体243によって電気的に接続されている。したがって、基板31
側に形成された導電層194に、基板21側に接続されたFPC42から入力される信号
又は電位を、接続部252を介して供給することができる。
続部252において、導電層192と同一の導電膜を加工して得られた導電層と、導電層
194の一部が、接続体243によって電気的に接続されている。したがって、基板31
側に形成された導電層194に、基板21側に接続されたFPC42から入力される信号
又は電位を、接続部252を介して供給することができる。
導電層192と導電層194の間に、構造体244が設けられている。構造体244は
、液晶素子60のセルギャップを保持する機能を有する。
、液晶素子60のセルギャップを保持する機能を有する。
なお、ここでは図示しないが、導電層194と液晶193の間、及び導電層192と液
晶193の間には、液晶193の配向を制御する配向膜が設けられていてもよい。このと
き、配向膜の一部は、構造体244の表面を覆って設けられていてもよい。
晶193の間には、液晶193の配向を制御する配向膜が設けられていてもよい。このと
き、配向膜の一部は、構造体244の表面を覆って設けられていてもよい。
表示装置200を作製する方法の一例について説明する。例えば、剥離層を有する支持
基板上に、導電層192、導電層191、絶縁層220を順に形成し、その後、トランジ
スタ205や発光素子40等を形成した後、接着層141を用いて、基板21と支持基板
の各素子を形成した側とを貼り合せる。その後、剥離層と絶縁層220、及び剥離層と導
電層192のそれぞれの界面で剥離することにより、支持基板及び剥離層を除去する。ま
た、これとは別に、着色層131、遮光層132、構造体244等をあらかじめ形成した
基板31を準備する。そして、基板21又は基板31の各素子を形成した側に液晶193
を滴下し、接着層142により、基板21と基板31のそれぞれ各素子を形成した側を貼
り合せることで、表示装置200を作製することができる。
基板上に、導電層192、導電層191、絶縁層220を順に形成し、その後、トランジ
スタ205や発光素子40等を形成した後、接着層141を用いて、基板21と支持基板
の各素子を形成した側とを貼り合せる。その後、剥離層と絶縁層220、及び剥離層と導
電層192のそれぞれの界面で剥離することにより、支持基板及び剥離層を除去する。ま
た、これとは別に、着色層131、遮光層132、構造体244等をあらかじめ形成した
基板31を準備する。そして、基板21又は基板31の各素子を形成した側に液晶193
を滴下し、接着層142により、基板21と基板31のそれぞれ各素子を形成した側を貼
り合せることで、表示装置200を作製することができる。
剥離層としては、絶縁層220及び導電層192との界面で剥離が生じる材料を適宜選
択することができる。特に、剥離層として、タングステンなどの高融点金属材料を含む層
と当該金属材料の酸化物を含む層を積層して用い、剥離層上の絶縁層220として、窒化
シリコンや酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン等を複数積層した層を用いることが好ま
しい。剥離層に高融点金属材料を用いると、これよりも後に形成する層の形成温度を高め
ることが可能で、当該層中の不純物の濃度が低減され、信頼性の高い表示装置200を実
現できる。
択することができる。特に、剥離層として、タングステンなどの高融点金属材料を含む層
と当該金属材料の酸化物を含む層を積層して用い、剥離層上の絶縁層220として、窒化
シリコンや酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン等を複数積層した層を用いることが好ま
しい。剥離層に高融点金属材料を用いると、これよりも後に形成する層の形成温度を高め
ることが可能で、当該層中の不純物の濃度が低減され、信頼性の高い表示装置200を実
現できる。
導電層192としては、金属酸化物、金属窒化物、又は低抵抗化された酸化物半導体等
の酸化物を用いることが好ましい。酸化物半導体を用いる場合には、水素、ボロン、リン
、窒素、及びその他の不純物の濃度、並びに酸素欠損量の少なくとも一が、トランジスタ
に用いる半導体層に比べて高められた材料を、導電層192に用いればよい。
の酸化物を用いることが好ましい。酸化物半導体を用いる場合には、水素、ボロン、リン
、窒素、及びその他の不純物の濃度、並びに酸素欠損量の少なくとも一が、トランジスタ
に用いる半導体層に比べて高められた材料を、導電層192に用いればよい。
以上が、構成例3についての説明である。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
み合わせて実施することができる。
(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置10又は表示装置200に適用可能な入
力装置(タッチセンサ)の駆動方法の例について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置10又は表示装置200に適用可能な入
力装置(タッチセンサ)の駆動方法の例について説明する。
図24(A)は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図24
(A)では、パルス電圧出力回路601、電流検出回路602を示している。なお、図2
4(A)では、パルスが与えられる電極621、電流の変化を検知する電極622をそれ
ぞれ配線X1乃至配線X6、配線Y1乃至配線Y6の6本の配線として示している。なお
、電極の数は、これに限られない。また、図24(A)は、電極621及び電極622が
重畳すること、又は電極621及び電極622が近接して配置されることで形成される容
量603を図示している。なお、電極621と電極622とは、その機能を互いに置き換
えてもよい。
(A)では、パルス電圧出力回路601、電流検出回路602を示している。なお、図2
4(A)では、パルスが与えられる電極621、電流の変化を検知する電極622をそれ
ぞれ配線X1乃至配線X6、配線Y1乃至配線Y6の6本の配線として示している。なお
、電極の数は、これに限られない。また、図24(A)は、電極621及び電極622が
重畳すること、又は電極621及び電極622が近接して配置されることで形成される容
量603を図示している。なお、電極621と電極622とは、その機能を互いに置き換
えてもよい。
例えば、実施の形態1で例示した電極151は、電極621及び電極622の一方に対
応し、電極152が、電極621及び電極622の他方に対応する。
応し、電極152が、電極621及び電極622の他方に対応する。
パルス電圧出力回路601は、例えば、配線X1乃至配線X6に順にパルス電圧を入力
するための回路である。電流検出回路602は、例えば、配線Y1乃至配線Y6のそれぞ
れに流れる電流を検出するための回路である。
するための回路である。電流検出回路602は、例えば、配線Y1乃至配線Y6のそれぞ
れに流れる電流を検出するための回路である。
配線X1乃至配線X6のうち、1つにパルス電圧が印加されることで、容量603を形
成する電極621及び電極622の間には電界が生じ、電極622に電流が流れる。この
電極間に生じる電界の一部は、指やペンなど被検知体が近接又は接触することにより遮蔽
され、電極間に生じる電界の強さが変化する。その結果、電極622に流れる電流の大き
さが変化する。
成する電極621及び電極622の間には電界が生じ、電極622に電流が流れる。この
電極間に生じる電界の一部は、指やペンなど被検知体が近接又は接触することにより遮蔽
され、電極間に生じる電界の強さが変化する。その結果、電極622に流れる電流の大き
さが変化する。
例えば、被検知体の近接、又は接触がない場合、配線Y1乃至配線Y6に流れる電流の
大きさは、容量603の大きさに応じた値となる。一方、被検知体の近接、又は接触によ
り電界の一部が遮蔽された場合には、配線Y1乃至配線Y6に流れる電流の大きさが減少
し、電流検出回路602は、その変化を検出する。これにより、図24(A)に示すタッ
チセンサは、被検知体の近接、又は接触を検出することができる。
大きさは、容量603の大きさに応じた値となる。一方、被検知体の近接、又は接触によ
り電界の一部が遮蔽された場合には、配線Y1乃至配線Y6に流れる電流の大きさが減少
し、電流検出回路602は、その変化を検出する。これにより、図24(A)に示すタッ
チセンサは、被検知体の近接、又は接触を検出することができる。
なお、電流検出回路602は、1本の配線に流れる電流の(時間的な)積分値を検出し
てもよい。その場合には、例えば、積分回路等を用いて検出を行えばよい。又は、電流の
ピーク値を検出してもよい。その場合には、例えば、電流を電圧に変換して、電圧値のピ
ーク値として検出してもよい。
てもよい。その場合には、例えば、積分回路等を用いて検出を行えばよい。又は、電流の
ピーク値を検出してもよい。その場合には、例えば、電流を電圧に変換して、電圧値のピ
ーク値として検出してもよい。
図24(B)には、図24(A)に示す相互容量方式のタッチセンサにおける入出力波
形のタイミングチャートの例を示す。図24(B)では、1センシング期間で各行列の検
出を行うものとする。また、図24(B)では、被検知体の接触又は近接を検出しない場
合(非タッチ時)と、被検知体の接触又は近接を検出した場合(タッチ時)の2つの場合
を並べて示している。ここで、配線Y1乃至配線Y6については、検出される電流の大き
さに対応する電圧の波形を示している。
形のタイミングチャートの例を示す。図24(B)では、1センシング期間で各行列の検
出を行うものとする。また、図24(B)では、被検知体の接触又は近接を検出しない場
合(非タッチ時)と、被検知体の接触又は近接を検出した場合(タッチ時)の2つの場合
を並べて示している。ここで、配線Y1乃至配線Y6については、検出される電流の大き
さに対応する電圧の波形を示している。
図24(B)に示すように、配線X1乃至配線X6には、順次、パルス電圧が与えられ
る。これに応じて、配線Y1乃至配線Y6に電流が流れる。非タッチ時には、配線X1乃
至配線X6に与えられるパルス電圧に応じて、配線Y1乃至配線Y6に同様の電流が流れ
るため、配線Y1乃至配線Y6は、いずれも同様の出力波形を示す。一方、タッチ時には
、配線Y1乃至配線Y6のうち、被検知体が接触、又は近接する箇所に位置する配線に流
れる電流が減少するため、図24(B)に示すように、当該箇所における出力波形が変化
する。
る。これに応じて、配線Y1乃至配線Y6に電流が流れる。非タッチ時には、配線X1乃
至配線X6に与えられるパルス電圧に応じて、配線Y1乃至配線Y6に同様の電流が流れ
るため、配線Y1乃至配線Y6は、いずれも同様の出力波形を示す。一方、タッチ時には
、配線Y1乃至配線Y6のうち、被検知体が接触、又は近接する箇所に位置する配線に流
れる電流が減少するため、図24(B)に示すように、当該箇所における出力波形が変化
する。
図24(B)では、配線X3と配線Y3とが交差する箇所又はその近傍に、被検知体が
接触又は近接した場合の例を示している。
接触又は近接した場合の例を示している。
このように、相互容量方式では、一対の電極間に生じる電界が遮蔽されることに起因す
る電流の変化を検出することにより、被検知体の位置情報を取得することができる。なお
、検出感度が高い場合には、被検知体が検知面(例えば、タッチパネルの表面)から離れ
ていても、その座標を検出することができる。
る電流の変化を検出することにより、被検知体の位置情報を取得することができる。なお
、検出感度が高い場合には、被検知体が検知面(例えば、タッチパネルの表面)から離れ
ていても、その座標を検出することができる。
また、タッチパネルにおいては、表示部の表示期間と、タッチセンサのセンシング期間
とをずらした駆動方法を用いることにより、タッチセンサの検出感度を高めることができ
る。例えば、表示の1フレーム期間の間に、表示期間と、センシング期間を分けて行えば
よい。また、このとき、1フレーム期間中に2以上のセンシング期間を設けることが好ま
しい。センシングの頻度を増やすことで、検出感度をより高めることができる。
とをずらした駆動方法を用いることにより、タッチセンサの検出感度を高めることができ
る。例えば、表示の1フレーム期間の間に、表示期間と、センシング期間を分けて行えば
よい。また、このとき、1フレーム期間中に2以上のセンシング期間を設けることが好ま
しい。センシングの頻度を増やすことで、検出感度をより高めることができる。
また、パルス電圧出力回路601及び電流検出回路602は、例えば、1個のICチッ
プの中に形成されていることが好ましい。当該ICは、例えば、タッチパネルに実装され
ること、又は電子機器の筐体内の基板に実装されることが好ましい。また、可撓性を有す
るタッチパネルとする場合には、曲げた部分では寄生容量が増大し、ノイズの影響が大き
くなってしまう恐れがあるため、ノイズの影響を受けにくい駆動方法が適用されたICを
用いることが好ましい。例えば、シグナル-ノイズ比(S/N比)を高める駆動方法が適
用されたICを用いることが好ましい。
プの中に形成されていることが好ましい。当該ICは、例えば、タッチパネルに実装され
ること、又は電子機器の筐体内の基板に実装されることが好ましい。また、可撓性を有す
るタッチパネルとする場合には、曲げた部分では寄生容量が増大し、ノイズの影響が大き
くなってしまう恐れがあるため、ノイズの影響を受けにくい駆動方法が適用されたICを
用いることが好ましい。例えば、シグナル-ノイズ比(S/N比)を高める駆動方法が適
用されたICを用いることが好ましい。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
み合わせて実施することができる。
(実施の形態3)
本実施の形態では、上記実施の形態に示した各トランジスタに置き換えて用いることの
できるトランジスタの一例について、図面を用いて説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態に示した各トランジスタに置き換えて用いることの
できるトランジスタの一例について、図面を用いて説明する。
本発明の一態様の表示装置10又は表示装置200は、ボトムゲート型トランジスタや
、トップゲート型トランジスタなどの様々な形態のトランジスタを用いて作製することが
できる。よって、既存の製造ラインに合わせて、使用する半導体層の材料やトランジスタ
構造を容易に置き換えることができる。
、トップゲート型トランジスタなどの様々な形態のトランジスタを用いて作製することが
できる。よって、既存の製造ラインに合わせて、使用する半導体層の材料やトランジスタ
構造を容易に置き換えることができる。
〔ボトムゲート型トランジスタ〕
図25(A1)は、ボトムゲート型のトランジスタの一種である、チャネル保護型のト
ランジスタ810の断面図である。図25(A1)において、トランジスタ810は、基
板771上に形成されている。また、トランジスタ810は、基板771上に絶縁層77
2を介して電極746を有する。また、電極746上に絶縁層726を介して半導体層7
42を有する。電極746はゲート電極として機能できる。絶縁層726はゲート絶縁層
として機能できる。
図25(A1)は、ボトムゲート型のトランジスタの一種である、チャネル保護型のト
ランジスタ810の断面図である。図25(A1)において、トランジスタ810は、基
板771上に形成されている。また、トランジスタ810は、基板771上に絶縁層77
2を介して電極746を有する。また、電極746上に絶縁層726を介して半導体層7
42を有する。電極746はゲート電極として機能できる。絶縁層726はゲート絶縁層
として機能できる。
また、半導体層742のチャネル形成領域上に絶縁層741を有する。また、半導体層
742の一部と接して、絶縁層726上に電極744a及び電極744bを有する。電極
744aは、ソース電極又はドレイン電極の一方として機能できる。電極744bは、ソ
ース電極又はドレイン電極の他方として機能できる。電極744aの一部、及び電極74
4bの一部は、絶縁層741上に形成される。
742の一部と接して、絶縁層726上に電極744a及び電極744bを有する。電極
744aは、ソース電極又はドレイン電極の一方として機能できる。電極744bは、ソ
ース電極又はドレイン電極の他方として機能できる。電極744aの一部、及び電極74
4bの一部は、絶縁層741上に形成される。
絶縁層741は、チャネル保護層として機能できる。チャネル形成領域上に絶縁層74
1を設けることで、電極744a及び電極744bの形成時に生じる半導体層742の露
出を防ぐことができる。よって、電極744a及び電極744bの形成時に、半導体層7
42のチャネル形成領域がエッチングされることを防ぐことができる。これにより、本発
明の一態様によれば、電気特性の良好なトランジスタを実現することができる。
1を設けることで、電極744a及び電極744bの形成時に生じる半導体層742の露
出を防ぐことができる。よって、電極744a及び電極744bの形成時に、半導体層7
42のチャネル形成領域がエッチングされることを防ぐことができる。これにより、本発
明の一態様によれば、電気特性の良好なトランジスタを実現することができる。
また、トランジスタ810は、電極744a、電極744b及び絶縁層741上に絶縁
層728を有し、絶縁層728の上に絶縁層729を有する。
層728を有し、絶縁層728の上に絶縁層729を有する。
例えば、絶縁層772は、絶縁層173や絶縁層220と同様の材料及び方法を用いて
形成することができる。なお、絶縁層772は、複数の絶縁層の積層であってもよい。ま
た、例えば、半導体層742は、半導体層231と同様の材料及び方法を用いて形成する
ことができる。なお、半導体層742は、複数の半導体層の積層であってもよい。また、
例えば、電極746は、導電層221と同様の材料及び方法を用いて形成することができ
る。なお、電極746は、複数の導電層の積層であってもよい。また、例えば、絶縁層7
26は、絶縁層211と同様の材料及び方法を用いて形成することができる。なお、絶縁
層726は、複数の絶縁層の積層であってもよい。また、例えば、電極744a及び電極
744bは、配線35又は導電層222と同様の材料及び方法を用いて形成することがで
きる。なお、電極744a及び電極744bは、複数の導電層の積層であってもよい。ま
た、例えば、絶縁層741は、絶縁層726と同様の材料及び方法を用いて形成すること
ができる。なお、絶縁層741は、複数の絶縁層の積層であってもよい。また、例えば、
絶縁層728は、絶縁層212と同様の材料及び方法を用いて形成することができる。な
お、絶縁層728は、複数の絶縁層の積層であってもよい。また、例えば、絶縁層729
は、絶縁層213と同様の材料及び方法を用いて形成することができる。なお、絶縁層7
29は、複数の絶縁層の積層であってもよい。
形成することができる。なお、絶縁層772は、複数の絶縁層の積層であってもよい。ま
た、例えば、半導体層742は、半導体層231と同様の材料及び方法を用いて形成する
ことができる。なお、半導体層742は、複数の半導体層の積層であってもよい。また、
例えば、電極746は、導電層221と同様の材料及び方法を用いて形成することができ
る。なお、電極746は、複数の導電層の積層であってもよい。また、例えば、絶縁層7
26は、絶縁層211と同様の材料及び方法を用いて形成することができる。なお、絶縁
層726は、複数の絶縁層の積層であってもよい。また、例えば、電極744a及び電極
744bは、配線35又は導電層222と同様の材料及び方法を用いて形成することがで
きる。なお、電極744a及び電極744bは、複数の導電層の積層であってもよい。ま
た、例えば、絶縁層741は、絶縁層726と同様の材料及び方法を用いて形成すること
ができる。なお、絶縁層741は、複数の絶縁層の積層であってもよい。また、例えば、
絶縁層728は、絶縁層212と同様の材料及び方法を用いて形成することができる。な
お、絶縁層728は、複数の絶縁層の積層であってもよい。また、例えば、絶縁層729
は、絶縁層213と同様の材料及び方法を用いて形成することができる。なお、絶縁層7
29は、複数の絶縁層の積層であってもよい。
本実施の形態で開示するトランジスタを構成する電極、半導体層、絶縁層などは、他の
実施の形態に開示した材料及び方法を用いて形成することができる。
実施の形態に開示した材料及び方法を用いて形成することができる。
半導体層742に酸化物半導体を用いる場合、電極744a及び電極744bの、少な
くとも半導体層742と接する部分に、半導体層742の一部から酸素を奪い、酸素欠損
を生じさせることが可能な材料を用いることが好ましい。半導体層742中の酸素欠損が
生じた領域はキャリア濃度が増加し、当該領域はn型化し、n型領域(n+層)となる。
したがって、当該領域はソース領域又はドレイン領域として機能することができる。半導
体層742に酸化物半導体を用いる場合、半導体層742から酸素を奪い、酸素欠損を生
じさせることが可能な材料の一例として、タングステン、チタン等を挙げることができる
。
くとも半導体層742と接する部分に、半導体層742の一部から酸素を奪い、酸素欠損
を生じさせることが可能な材料を用いることが好ましい。半導体層742中の酸素欠損が
生じた領域はキャリア濃度が増加し、当該領域はn型化し、n型領域(n+層)となる。
したがって、当該領域はソース領域又はドレイン領域として機能することができる。半導
体層742に酸化物半導体を用いる場合、半導体層742から酸素を奪い、酸素欠損を生
じさせることが可能な材料の一例として、タングステン、チタン等を挙げることができる
。
半導体層742にソース領域及びドレイン領域が形成されることにより、電極744a
及び電極744bと、半導体層742と、の接触抵抗を低減することができる。よって、
電界効果移動度や、閾値電圧などの、トランジスタの電気特性を良好なものとすることが
できる。
及び電極744bと、半導体層742と、の接触抵抗を低減することができる。よって、
電界効果移動度や、閾値電圧などの、トランジスタの電気特性を良好なものとすることが
できる。
半導体層742にシリコンなどの半導体を用いる場合は、半導体層742と電極744
aの間、及び半導体層742と電極744bの間に、n型半導体又はp型半導体として機
能する層を設けることが好ましい。n型半導体又はp型半導体として機能する層は、トラ
ンジスタのソース領域又はドレイン領域として機能することができる。
aの間、及び半導体層742と電極744bの間に、n型半導体又はp型半導体として機
能する層を設けることが好ましい。n型半導体又はp型半導体として機能する層は、トラ
ンジスタのソース領域又はドレイン領域として機能することができる。
絶縁層729は、外部からトランジスタへの不純物の混入を防ぐ、又は低減する機能を
有する材料を用いて形成することが好ましい。なお、必要に応じて、絶縁層729を省略
することもできる。
有する材料を用いて形成することが好ましい。なお、必要に応じて、絶縁層729を省略
することもできる。
なお、半導体層742に酸化物半導体を用いる場合、絶縁層729の形成前又は形成後
、若しくは絶縁層729の形成前後に加熱処理を行ってもよい。加熱処理を行うことで、
絶縁層729や他の絶縁層中に含まれる酸素を半導体層742中に拡散させ、半導体層7
42中の酸素欠損を補填することができる。又は、絶縁層729を加熱しながら成膜する
ことで、半導体層742中の酸素欠損を補填することができる。
、若しくは絶縁層729の形成前後に加熱処理を行ってもよい。加熱処理を行うことで、
絶縁層729や他の絶縁層中に含まれる酸素を半導体層742中に拡散させ、半導体層7
42中の酸素欠損を補填することができる。又は、絶縁層729を加熱しながら成膜する
ことで、半導体層742中の酸素欠損を補填することができる。
なお、一般に、CVD法は、プラズマを利用するプラズマCVD(PECVD:Pla
sma Enhanced CVD)法、熱を利用する熱CVD(TCVD:Therm
al CVD)法などに分類できる。さらに、用いる原料ガスによって、金属CVD(M
CVD:Metal CVD)法、有機金属CVD(MOCVD:Metal Orga
nic CVD)法などに分類できる。
sma Enhanced CVD)法、熱を利用する熱CVD(TCVD:Therm
al CVD)法などに分類できる。さらに、用いる原料ガスによって、金属CVD(M
CVD:Metal CVD)法、有機金属CVD(MOCVD:Metal Orga
nic CVD)法などに分類できる。
また、一般に、蒸着法は、抵抗加熱蒸着法、電子線蒸着法、MBE(Molecula
r Beam Epitaxy)法、PLD(Pulsed Laser Deposi
tion)法、IBAD(Ion Beam Assisted Deposition
)法、ALD(Atomic Layer Deposition)法などに分類できる
。
r Beam Epitaxy)法、PLD(Pulsed Laser Deposi
tion)法、IBAD(Ion Beam Assisted Deposition
)法、ALD(Atomic Layer Deposition)法などに分類できる
。
プラズマCVD法は、比較的低温で高品質の膜が得られる。また、MOCVD法や蒸着
法などの、成膜時にプラズマを用いない成膜方法を用いると、被形成面にダメージが生じ
にくく、また、欠陥の少ない膜が得られる。
法などの、成膜時にプラズマを用いない成膜方法を用いると、被形成面にダメージが生じ
にくく、また、欠陥の少ない膜が得られる。
また、一般に、スパッタリング法は、DCスパッタリング法、マグネトロンスパッタリ
ング法、RFスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、ECR(Electr
on Cyclotron Resonance)スパッタリング法、対向ターゲットス
パッタリング法などに分類できる。
ング法、RFスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、ECR(Electr
on Cyclotron Resonance)スパッタリング法、対向ターゲットス
パッタリング法などに分類できる。
対向ターゲットスパッタリング法では、プラズマがターゲット間に閉じこめられるため
、基板へのプラズマダメージを低減することができる。また、ターゲットの傾きによって
は、スパッタリング粒子の基板への入射角度を浅くすることができるため、段差被覆性を
高めることができる。
、基板へのプラズマダメージを低減することができる。また、ターゲットの傾きによって
は、スパッタリング粒子の基板への入射角度を浅くすることができるため、段差被覆性を
高めることができる。
図25(A2)に示すトランジスタ811は、絶縁層729上にバックゲート電極とし
て機能できる電極723を有する点が、トランジスタ810と異なる。電極723は、電
極746と同様の材料及び方法で形成することができる。
て機能できる電極723を有する点が、トランジスタ810と異なる。電極723は、電
極746と同様の材料及び方法で形成することができる。
一般に、バックゲート電極は導電層で形成され、ゲート電極とバックゲート電極とで、
半導体層のチャネル形成領域を挟むように配置される。よって、バックゲート電極は、ゲ
ート電極と同様に機能させることができる。バックゲート電極の電位は、ゲート電極と同
電位としてもよいし、接地電位(GND電位)や、任意の電位としてもよい。また、バッ
クゲート電極の電位を、ゲート電極と連動させずに独立して変化させることで、トランジ
スタの閾値電圧を変化させることができる。
半導体層のチャネル形成領域を挟むように配置される。よって、バックゲート電極は、ゲ
ート電極と同様に機能させることができる。バックゲート電極の電位は、ゲート電極と同
電位としてもよいし、接地電位(GND電位)や、任意の電位としてもよい。また、バッ
クゲート電極の電位を、ゲート電極と連動させずに独立して変化させることで、トランジ
スタの閾値電圧を変化させることができる。
電極746及び電極723は、どちらもゲート電極として機能することができる。よっ
て、絶縁層726と、絶縁層728及び絶縁層729とは、それぞれがゲート絶縁層とし
て機能することができる。なお、電極723は、絶縁層728と絶縁層729の間に設け
てもよい。
て、絶縁層726と、絶縁層728及び絶縁層729とは、それぞれがゲート絶縁層とし
て機能することができる。なお、電極723は、絶縁層728と絶縁層729の間に設け
てもよい。
なお、電極746又は電極723の一方を、「ゲート電極」と言う場合、他方を「バッ
クゲート電極」と言う。例えば、トランジスタ811において、電極723を「ゲート電
極」と言う場合、電極746を「バックゲート電極」と言う。また、電極723を「ゲー
ト電極」として用いる場合は、トランジスタ811をトップゲート型のトランジスタの一
種と考えることができる。また、電極746及び電極723のどちらか一方を、「第1の
ゲート電極」と言い、他方を「第2のゲート電極」と言う場合がある。
クゲート電極」と言う。例えば、トランジスタ811において、電極723を「ゲート電
極」と言う場合、電極746を「バックゲート電極」と言う。また、電極723を「ゲー
ト電極」として用いる場合は、トランジスタ811をトップゲート型のトランジスタの一
種と考えることができる。また、電極746及び電極723のどちらか一方を、「第1の
ゲート電極」と言い、他方を「第2のゲート電極」と言う場合がある。
半導体層742を挟んで電極746及び電極723を設けることで、さらには、電極7
46及び電極723を同電位とすることで、半導体層742におけるキャリアの流れる領
域が膜厚方向においてより大きくなるため、キャリアの移動量が増加する。この結果、ト
ランジスタ811のオン電流が大きくなると共に、電界効果移動度が高くなる。
46及び電極723を同電位とすることで、半導体層742におけるキャリアの流れる領
域が膜厚方向においてより大きくなるため、キャリアの移動量が増加する。この結果、ト
ランジスタ811のオン電流が大きくなると共に、電界効果移動度が高くなる。
したがって、トランジスタ811は、占有面積に対して大きいオン電流を有するトラン
ジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ811の占有面積
を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、トランジスタの占有面積を小さく
することができる。よって、本発明の一態様によれば、集積度の高い半導体装置を実現す
ることができる。
ジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ811の占有面積
を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、トランジスタの占有面積を小さく
することができる。よって、本発明の一態様によれば、集積度の高い半導体装置を実現す
ることができる。
また、ゲート電極とバックゲート電極は、導電層で形成されるため、トランジスタの外
部で生じる電界が、チャネル領域が形成される半導体層に作用しないようにする機能(特
に、静電気などに対する電界遮蔽機能)を有する。なお、バックゲート電極を半導体層よ
りも大きく形成し、バックゲート電極で半導体層を覆うことで、電界遮蔽機能を高めるこ
とができる。
部で生じる電界が、チャネル領域が形成される半導体層に作用しないようにする機能(特
に、静電気などに対する電界遮蔽機能)を有する。なお、バックゲート電極を半導体層よ
りも大きく形成し、バックゲート電極で半導体層を覆うことで、電界遮蔽機能を高めるこ
とができる。
また、電極746及び電極723は、それぞれが外部からの電界を遮蔽する機能を有す
るため、絶縁層772側又は電極723上方に生じる荷電粒子等の電荷が、半導体層74
2のチャネル形成領域に影響を及ぼすことがない。この結果、ストレス試験(例えば、ゲ
ートに負の電位を印加する-GBT(Gate Bias-Temperature)ス
トレス試験)による劣化が抑制される。また、ドレイン電圧の大きさにより、オン電流が
流れ始めるゲート電圧(立ち上がり電圧)が変化する現象を軽減することができる。なお
、この効果は、電極746及び電極723が、同電位、又は異なる電位の場合において生
じる。
るため、絶縁層772側又は電極723上方に生じる荷電粒子等の電荷が、半導体層74
2のチャネル形成領域に影響を及ぼすことがない。この結果、ストレス試験(例えば、ゲ
ートに負の電位を印加する-GBT(Gate Bias-Temperature)ス
トレス試験)による劣化が抑制される。また、ドレイン電圧の大きさにより、オン電流が
流れ始めるゲート電圧(立ち上がり電圧)が変化する現象を軽減することができる。なお
、この効果は、電極746及び電極723が、同電位、又は異なる電位の場合において生
じる。
なお、BTストレス試験は加速試験の一種であり、長期間の使用によって起こるトラン
ジスタの特性変化(経年変化)を短時間で評価することができる。特に、BTストレス試
験前後におけるトランジスタの閾値電圧の変動量は、信頼性を調べるための重要な指標と
なる。閾値電圧の変動量が少ないほど、信頼性が高いトランジスタであると言える。
ジスタの特性変化(経年変化)を短時間で評価することができる。特に、BTストレス試
験前後におけるトランジスタの閾値電圧の変動量は、信頼性を調べるための重要な指標と
なる。閾値電圧の変動量が少ないほど、信頼性が高いトランジスタであると言える。
また、電極746及び電極723を有し、かつ電極746及び電極723を同電位とす
ることで、トランジスタの閾値電圧の変動量が低減される。このため、複数のトランジス
タにおける電気特性のばらつきも同時に低減される。
ることで、トランジスタの閾値電圧の変動量が低減される。このため、複数のトランジス
タにおける電気特性のばらつきも同時に低減される。
また、バックゲート電極を有するトランジスタは、ゲートに正の電位を印加する+GB
Tストレス試験前後における閾値電圧の変動も、バックゲート電極を有さないトランジス
タより小さい。
Tストレス試験前後における閾値電圧の変動も、バックゲート電極を有さないトランジス
タより小さい。
また、バックゲート電極を、遮光性を有する導電膜で形成することで、バックゲート電
極側から半導体層に光が入射することを防ぐことができる。よって、半導体層の光劣化を
防ぎ、トランジスタの閾値電圧がシフトするなどの電気特性の劣化を防ぐことができる。
極側から半導体層に光が入射することを防ぐことができる。よって、半導体層の光劣化を
防ぎ、トランジスタの閾値電圧がシフトするなどの電気特性の劣化を防ぐことができる。
本発明の一態様によれば、信頼性の良好なトランジスタを実現することができる。また
、信頼性の良好な半導体装置を実現することができる。
、信頼性の良好な半導体装置を実現することができる。
図25(B1)に、ボトムゲート型のトランジスタの1つである、チャネル保護型のト
ランジスタ820の断面図を示す。トランジスタ820は、トランジスタ810とほぼ同
様の構造を有しているが、絶縁層741が半導体層742の端部を覆っている点が異なる
。また、半導体層742と重なる絶縁層741の一部を選択的に除去して形成した開口部
において、半導体層742と電極744aとが電気的に接続している。また、半導体層7
42と重なる絶縁層741の一部を選択的に除去して形成した他の開口部において、半導
体層742と電極744bとが電気的に接続している。絶縁層741の、チャネル形成領
域と重なる領域は、チャネル保護層として機能できる。
ランジスタ820の断面図を示す。トランジスタ820は、トランジスタ810とほぼ同
様の構造を有しているが、絶縁層741が半導体層742の端部を覆っている点が異なる
。また、半導体層742と重なる絶縁層741の一部を選択的に除去して形成した開口部
において、半導体層742と電極744aとが電気的に接続している。また、半導体層7
42と重なる絶縁層741の一部を選択的に除去して形成した他の開口部において、半導
体層742と電極744bとが電気的に接続している。絶縁層741の、チャネル形成領
域と重なる領域は、チャネル保護層として機能できる。
図25(B2)に示すトランジスタ821は、絶縁層729上にバックゲート電極とし
て機能できる電極723を有する点が、トランジスタ820と異なる。
て機能できる電極723を有する点が、トランジスタ820と異なる。
絶縁層741を設けることで、電極744a及び電極744bの形成時に生じる半導体
層742の露出を防ぐことができる。よって、電極744a及び電極744bの形成時に
半導体層742のチャネル形成領域がエッチングされることを防ぐことができる。
層742の露出を防ぐことができる。よって、電極744a及び電極744bの形成時に
半導体層742のチャネル形成領域がエッチングされることを防ぐことができる。
また、トランジスタ820及びトランジスタ821は、トランジスタ810及びトラン
ジスタ811よりも、電極744aと電極746の間の距離と、電極744bと電極74
6の間の距離が長くなる。よって、その分だけ、電極744aと電極746の間に生じる
寄生容量を小さくすることができる。また、電極744bと電極746の間に生じる寄生
容量を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、電気特性の良好なトランジス
タを実現できる。
ジスタ811よりも、電極744aと電極746の間の距離と、電極744bと電極74
6の間の距離が長くなる。よって、その分だけ、電極744aと電極746の間に生じる
寄生容量を小さくすることができる。また、電極744bと電極746の間に生じる寄生
容量を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、電気特性の良好なトランジス
タを実現できる。
図25(C1)に示すトランジスタ825は、ボトムゲート型のトランジスタの1つで
ある、チャネルエッチング型のトランジスタである。トランジスタ825は、絶縁層74
1を用いずに、電極744a及び電極744bを形成する。このため、電極744a及び
電極744bの形成時に露出する半導体層742の一部が、エッチングされる場合がある
。一方、絶縁層741を設けないため、トランジスタの生産性を高めることができる。
ある、チャネルエッチング型のトランジスタである。トランジスタ825は、絶縁層74
1を用いずに、電極744a及び電極744bを形成する。このため、電極744a及び
電極744bの形成時に露出する半導体層742の一部が、エッチングされる場合がある
。一方、絶縁層741を設けないため、トランジスタの生産性を高めることができる。
図25(C2)に示すトランジスタ826は、絶縁層729上にバックゲート電極とし
て機能できる電極723を有する点が、トランジスタ825と異なる。
て機能できる電極723を有する点が、トランジスタ825と異なる。
〔トップゲート型トランジスタ〕
図26(A1)に、トップゲート型のトランジスタの一種であるトランジスタ830の
断面図を示す。トランジスタ830は、絶縁層772の上に半導体層742を有し、半導
体層742及び絶縁層772上に、半導体層742の一部に接する電極744a、及び半
導体層742の一部に接する電極744bを有し、半導体層742、電極744a、及び
電極744b上に絶縁層726を有し、絶縁層726上に電極746を有する。
図26(A1)に、トップゲート型のトランジスタの一種であるトランジスタ830の
断面図を示す。トランジスタ830は、絶縁層772の上に半導体層742を有し、半導
体層742及び絶縁層772上に、半導体層742の一部に接する電極744a、及び半
導体層742の一部に接する電極744bを有し、半導体層742、電極744a、及び
電極744b上に絶縁層726を有し、絶縁層726上に電極746を有する。
トランジスタ830は、電極746と電極744a、及び、電極746と電極744b
と、が重ならないため、電極746と電極744aとの間に生じる寄生容量、及び、電極
746と電極744bとの間に生じる寄生容量を小さくすることができる。また、電極7
46を形成した後に、電極746をマスクとして用いて、不純物755を半導体層742
に導入することで、半導体層742中に自己整合(セルフアライメント)的に不純物領域
を形成することができる(図26(A3)参照。)。本発明の一態様によれば、電気特性
の良好なトランジスタを実現することができる。
と、が重ならないため、電極746と電極744aとの間に生じる寄生容量、及び、電極
746と電極744bとの間に生じる寄生容量を小さくすることができる。また、電極7
46を形成した後に、電極746をマスクとして用いて、不純物755を半導体層742
に導入することで、半導体層742中に自己整合(セルフアライメント)的に不純物領域
を形成することができる(図26(A3)参照。)。本発明の一態様によれば、電気特性
の良好なトランジスタを実現することができる。
なお、不純物755の導入は、イオン注入装置、イオンドーピング装置又はプラズマ処
理装置を用いて行うことができる。
理装置を用いて行うことができる。
不純物755としては、例えば、第13族元素又は第15族元素のうち、少なくとも一
種類の元素を用いることができる。また、半導体層742に酸化物半導体を用いる場合は
、不純物755として、希ガス、水素、及び窒素のうち、少なくとも一種類の元素を用い
ることも可能である。
種類の元素を用いることができる。また、半導体層742に酸化物半導体を用いる場合は
、不純物755として、希ガス、水素、及び窒素のうち、少なくとも一種類の元素を用い
ることも可能である。
図26(A2)に示すトランジスタ831は、電極723及び絶縁層727を有する点
がトランジスタ830と異なる。トランジスタ831は、絶縁層772の上に形成された
電極723を有し、電極723上に形成された絶縁層727を有する。電極723は、バ
ックゲート電極として機能することができる。よって、絶縁層727は、ゲート絶縁層と
して機能することができる。絶縁層727は、絶縁層726と同様の材料及び方法により
形成することができる。
がトランジスタ830と異なる。トランジスタ831は、絶縁層772の上に形成された
電極723を有し、電極723上に形成された絶縁層727を有する。電極723は、バ
ックゲート電極として機能することができる。よって、絶縁層727は、ゲート絶縁層と
して機能することができる。絶縁層727は、絶縁層726と同様の材料及び方法により
形成することができる。
トランジスタ811と同様に、トランジスタ831は、占有面積に対して大きいオン電
流を有するトランジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ
831の占有面積を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、トランジスタの
占有面積を小さくすることができる。よって、本発明の一態様によれば、集積度の高い半
導体装置を実現することができる。
流を有するトランジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ
831の占有面積を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、トランジスタの
占有面積を小さくすることができる。よって、本発明の一態様によれば、集積度の高い半
導体装置を実現することができる。
図26(B1)に例示するトランジスタ840は、トップゲート型のトランジスタの1
つである。トランジスタ840は、電極744a及び電極744bを形成した後に半導体
層742を形成する点が、トランジスタ830と異なる。また、図26(B2)に例示す
るトランジスタ841は、電極723及び絶縁層727を有する点が、トランジスタ84
0と異なる。トランジスタ840及びトランジスタ841において、半導体層742の一
部は電極744a上に形成され、半導体層742の他の一部は電極744b上に形成され
る。
つである。トランジスタ840は、電極744a及び電極744bを形成した後に半導体
層742を形成する点が、トランジスタ830と異なる。また、図26(B2)に例示す
るトランジスタ841は、電極723及び絶縁層727を有する点が、トランジスタ84
0と異なる。トランジスタ840及びトランジスタ841において、半導体層742の一
部は電極744a上に形成され、半導体層742の他の一部は電極744b上に形成され
る。
トランジスタ811と同様に、トランジスタ841は、占有面積に対して大きいオン電
流を有するトランジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ
841の占有面積を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、トランジスタの
占有面積を小さくすることができる。よって、本発明の一態様によれば、集積度の高い半
導体装置を実現することができる。
流を有するトランジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ
841の占有面積を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、トランジスタの
占有面積を小さくすることができる。よって、本発明の一態様によれば、集積度の高い半
導体装置を実現することができる。
図27(A1)に例示するトランジスタ842は、トップゲート型のトランジスタの1
つである。トランジスタ842は、絶縁層729を形成した後に電極744a及び電極7
44bを形成する点が、トランジスタ830やトランジスタ840と異なる。電極744
a及び電極744bは、絶縁層728及び絶縁層729に形成した開口部において、半導
体層742と電気的に接続する。
つである。トランジスタ842は、絶縁層729を形成した後に電極744a及び電極7
44bを形成する点が、トランジスタ830やトランジスタ840と異なる。電極744
a及び電極744bは、絶縁層728及び絶縁層729に形成した開口部において、半導
体層742と電気的に接続する。
また、電極746と重ならない絶縁層726の一部を除去し、電極746と残りの絶縁
層726をマスクとして用いて、不純物755を半導体層742に導入することで、半導
体層742中に自己整合(セルフアライメント)的に不純物領域を形成することができる
(図27(A3)参照。)。トランジスタ842は、絶縁層726が電極746の端部を
越えて延伸する領域を有する。不純物755を半導体層742に導入する際に、半導体層
742の絶縁層726を介して不純物755が導入された領域の不純物濃度は、絶縁層7
26を介さずに不純物755が導入された領域よりも低くなる。よって、半導体層742
は、電極746と重ならない領域にLDD(Lightly Doped Drain)
領域が形成される。
層726をマスクとして用いて、不純物755を半導体層742に導入することで、半導
体層742中に自己整合(セルフアライメント)的に不純物領域を形成することができる
(図27(A3)参照。)。トランジスタ842は、絶縁層726が電極746の端部を
越えて延伸する領域を有する。不純物755を半導体層742に導入する際に、半導体層
742の絶縁層726を介して不純物755が導入された領域の不純物濃度は、絶縁層7
26を介さずに不純物755が導入された領域よりも低くなる。よって、半導体層742
は、電極746と重ならない領域にLDD(Lightly Doped Drain)
領域が形成される。
図27(A2)に示すトランジスタ843は、電極723を有する点が、トランジスタ
842と異なる。トランジスタ843は、基板771の上に形成された電極723を有し
、絶縁層772を介して半導体層742と重なる。電極723は、バックゲート電極とし
て機能することができる。
842と異なる。トランジスタ843は、基板771の上に形成された電極723を有し
、絶縁層772を介して半導体層742と重なる。電極723は、バックゲート電極とし
て機能することができる。
また、図27(B1)に示すトランジスタ844及び図27(B2)に示すトランジス
タ845のように、電極746と重ならない領域の絶縁層726を全て除去してもよい。
また、図27(C1)に示すトランジスタ846及び図27(C2)に示すトランジスタ
847のように、絶縁層726を残してもよい。
タ845のように、電極746と重ならない領域の絶縁層726を全て除去してもよい。
また、図27(C1)に示すトランジスタ846及び図27(C2)に示すトランジスタ
847のように、絶縁層726を残してもよい。
トランジスタ842乃至トランジスタ847も、電極746を形成した後に、電極74
6をマスクとして用いて、不純物755を半導体層742に導入することで、半導体層7
42中に自己整合的に不純物領域を形成することができる。本発明の一態様によれば、電
気特性の良好なトランジスタを実現することができる。また、本発明の一態様によれば、
集積度の高い半導体装置を実現することができる。
6をマスクとして用いて、不純物755を半導体層742に導入することで、半導体層7
42中に自己整合的に不純物領域を形成することができる。本発明の一態様によれば、電
気特性の良好なトランジスタを実現することができる。また、本発明の一態様によれば、
集積度の高い半導体装置を実現することができる。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
み合わせて実施することができる。
(実施の形態4)
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置10又は表示装置200を有する表示モ
ジュール及び電子機器について、図面を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置10又は表示装置200を有する表示モ
ジュール及び電子機器について、図面を用いて説明する。
図28に示す表示モジュール8000は、上部カバー8001と下部カバー8002と
の間に、FPC8003に接続されたタッチパネル8004、フレーム8009、プリン
ト基板8010、バッテリ8011を有する。
の間に、FPC8003に接続されたタッチパネル8004、フレーム8009、プリン
ト基板8010、バッテリ8011を有する。
本発明の一態様の表示パネル、タッチパネル、又はタッチパネルモジュールは、例えば
、タッチパネル8004に用いることができる。
、タッチパネル8004に用いることができる。
上部カバー8001及び下部カバー8002は、タッチパネル8004のサイズに合わ
せて、形状や寸法を適宜変更することができる。
せて、形状や寸法を適宜変更することができる。
タッチパネル8004は、抵抗膜方式又は静電容量方式のタッチパネルを、表示パネル
に重畳して用いることができる。また、タッチパネル8004の対向基板(封止基板)に
、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、タッチパネル800
4の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。
に重畳して用いることができる。また、タッチパネル8004の対向基板(封止基板)に
、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。また、タッチパネル800
4の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチパネルとすることも可能である。
また、透過型、又は半透過型の液晶素子を用いた場合には、タッチパネル8004とフ
レーム8009の間にバックライトを設けてもよい。バックライトは、光源を有する。な
お、バックライト上に光源を配置する構成としてもよいし、バックライトの端部に光源を
配置し、さらに光拡散板を用いる構成としてもよい。なお、有機EL素子等の自発光型の
発光素子を用いる場合、又は反射型パネル等の場合においては、バックライトを設けない
構成としてもよい。
レーム8009の間にバックライトを設けてもよい。バックライトは、光源を有する。な
お、バックライト上に光源を配置する構成としてもよいし、バックライトの端部に光源を
配置し、さらに光拡散板を用いる構成としてもよい。なお、有機EL素子等の自発光型の
発光素子を用いる場合、又は反射型パネル等の場合においては、バックライトを設けない
構成としてもよい。
フレーム8009は、タッチパネル8004の保護機能の他、プリント基板8010の
動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフ
レーム8009は、放熱板としての機能を有していてもよい。
動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフ
レーム8009は、放熱板としての機能を有していてもよい。
プリント基板8010は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
もよいし、別途設けたバッテリ8011による電源であってもよい。バッテリ8011は
、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
もよいし、別途設けたバッテリ8011による電源であってもよい。バッテリ8011は
、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
また、タッチパネル8004は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加
して設けてもよい。
して設けてもよい。
本発明の一態様の表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル、タッチパネ
ルモジュール、入力装置、表示装置、又は入出力装置を用いて、電子機器や照明装置を作
製できる。本発明の一態様の入力装置、表示装置、又は入出力装置を用いて、曲面を有し
、信頼性の高い電子機器や照明装置を作製できる。また、本発明の一態様の入力装置、表
示装置、又は入出力装置を用いて、可撓性を有し、信頼性の高い電子機器や照明装置を作
製できる。また、本発明の一態様の入力装置、又は入出力装置を用いて、タッチセンサの
検出感度が向上した電子機器や照明装置を作製できる。
ルモジュール、入力装置、表示装置、又は入出力装置を用いて、電子機器や照明装置を作
製できる。本発明の一態様の入力装置、表示装置、又は入出力装置を用いて、曲面を有し
、信頼性の高い電子機器や照明装置を作製できる。また、本発明の一態様の入力装置、表
示装置、又は入出力装置を用いて、可撓性を有し、信頼性の高い電子機器や照明装置を作
製できる。また、本発明の一態様の入力装置、又は入出力装置を用いて、タッチセンサの
検出感度が向上した電子機器や照明装置を作製できる。
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、又はテレビジョン受信機とも
言う。)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジ
タルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置とも言う。)、携帯型ゲーム
機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
言う。)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジ
タルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置とも言う。)、携帯型ゲーム
機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
また、本発明の一態様の電子機器又は照明装置が可撓性を有する場合、家屋やビルの内
壁若しくは外壁、又は、自動車の内装若しくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能で
ある。
壁若しくは外壁、又は、自動車の内装若しくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能で
ある。
また、本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を
用いて、二次電池を充電することができると好ましい。
用いて、二次電池を充電することができると好ましい。
二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池(リチウムイ
オンポリマー電池)等のリチウムイオン電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジ
カル電池、鉛蓄電池、空気電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる。
オンポリマー電池)等のリチウムイオン電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジ
カル電池、鉛蓄電池、空気電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる。
本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信す
ることで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器が二次電池
を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
ることで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器が二次電池
を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
図29(A)乃至図29(H)、及び図30(A)、図30(B)は、電子機器を示す
図である。これらの電子機器は、筐体5000、表示部5001、スピーカ5003、L
EDランプ5004、操作キー5005(電源スイッチ、又は操作スイッチを含む。)、
接続端子5006、センサ5007(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、
距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放
射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの。)、マイ
クロフォン5008、等を有することができる。
図である。これらの電子機器は、筐体5000、表示部5001、スピーカ5003、L
EDランプ5004、操作キー5005(電源スイッチ、又は操作スイッチを含む。)、
接続端子5006、センサ5007(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、
距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放
射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの。)、マイ
クロフォン5008、等を有することができる。
図29(A)はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ5009
、赤外線ポート5010、等を有することができる。
、赤外線ポート5010、等を有することができる。
図29(B)は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置(例えば、DVD再生装置)で
あり、上述したものの他に、第2表示部5002、記録媒体読込部5011、等を有する
ことができる。
あり、上述したものの他に、第2表示部5002、記録媒体読込部5011、等を有する
ことができる。
図29(C)はテレビジョン装置であり、上述したものの他に、スタンド5012等を
有することができる。また、テレビジョン装置の操作は、筐体5000が備える操作スイ
ッチや、別体のリモコン操作機5013により行うことができる。リモコン操作機501
3が備える操作キーにより、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部5001
に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機5013に、当該リモ
コン操作機5013から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
有することができる。また、テレビジョン装置の操作は、筐体5000が備える操作スイ
ッチや、別体のリモコン操作機5013により行うことができる。リモコン操作機501
3が備える操作キーにより、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部5001
に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機5013に、当該リモ
コン操作機5013から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
図29(D)は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、記録媒体読込部5011、
等を有することができる。
等を有することができる。
図29(E)はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アン
テナ5014、シャッターボタン5015、受像部5016、等を有することができる。
テナ5014、シャッターボタン5015、受像部5016、等を有することができる。
図29(F)は携帯型遊技機であり、上述したものの他に、第2表示部5002、記録
媒体読込部5011、等を有することができる。
媒体読込部5011、等を有することができる。
図29(G)は持ち運び型テレビ受像器であり、上述したものの他に、信号の送受信が
可能な充電器5017、等を有することができる。
可能な充電器5017、等を有することができる。
図29(H)は腕時計型情報端末であり、上述したものの他に、バンド5018、留め
金5019、等を有することができる。ベゼル部分を兼ねる筐体5000に搭載された表
示部5001は、非矩形状の表示領域を有している。表示部5001は、時刻を表すアイ
コン5020、その他のアイコン5021等を表示することができる。
金5019、等を有することができる。ベゼル部分を兼ねる筐体5000に搭載された表
示部5001は、非矩形状の表示領域を有している。表示部5001は、時刻を表すアイ
コン5020、その他のアイコン5021等を表示することができる。
図30(A)はデジタルサイネージ(Digital Signage:電子看板)で
ある。図30(B)は円柱状の柱に取り付けられたデジタルサイネージである。
ある。図30(B)は円柱状の柱に取り付けられたデジタルサイネージである。
図29(A)乃至図29(H)、及び図30(A)、図30(B)に示す電子機器は、
様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像な
ど)を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示
する機能、様々なソフトウェア(プログラム)によって処理を制御する機能、無線通信機
能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機
能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラ
ム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複
数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を、主として画像情報を表示し、
別の一つの表示部を、主として文字情報を表示する機能、又は、複数の表示部に視差を考
慮した画像を表示することで、立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。
さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機
能、撮影した画像を自動又は手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体(外部又はカ
メラに内蔵。)に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有すること
ができる。なお、図29(A)乃至図29(H)、及び図30(A)、図30(B)に示
す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することが
できる。
様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像な
ど)を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示
する機能、様々なソフトウェア(プログラム)によって処理を制御する機能、無線通信機
能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機
能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラ
ム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複
数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を、主として画像情報を表示し、
別の一つの表示部を、主として文字情報を表示する機能、又は、複数の表示部に視差を考
慮した画像を表示することで、立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。
さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機
能、撮影した画像を自動又は手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体(外部又はカ
メラに内蔵。)に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有すること
ができる。なお、図29(A)乃至図29(H)、及び図30(A)、図30(B)に示
す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することが
できる。
図31(A)乃至図31(E)に、湾曲した表示部7000を有する電子機器の一例を
示す。表示部7000は、その表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示
を行うことができる。なお、表示部7000は可撓性を有していてもよい。
示す。表示部7000は、その表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示
を行うことができる。なお、表示部7000は可撓性を有していてもよい。
表示部7000は、本発明の一態様の機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパ
ネル、タッチパネル、表示装置、又は入出力装置等を用いて作製される。本発明の一態様
により、湾曲した表示部を備え、かつ信頼性の高い電子機器を提供できる。
ネル、タッチパネル、表示装置、又は入出力装置等を用いて作製される。本発明の一態様
により、湾曲した表示部を備え、かつ信頼性の高い電子機器を提供できる。
図31(A)に携帯電話機の一例を示す。携帯電話機7100は、筐体7101、表示
部7000、操作ボタン7103、外部接続ポート7104、スピーカ7105、マイク
7106等を有する。
部7000、操作ボタン7103、外部接続ポート7104、スピーカ7105、マイク
7106等を有する。
図31(A)に示す携帯電話機7100は、表示部7000にタッチセンサを備える。
電話をかける、あるいは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表
示部7000に触れることで行うことができる。
電話をかける、あるいは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表
示部7000に触れることで行うことができる。
また、操作ボタン7103の操作により、電源のON、OFF動作や、表示部7000
に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイ
ンメニュー画面に切り替えることができる。
に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイ
ンメニュー画面に切り替えることができる。
図31(B)にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置7200は、筐体7
201に表示部7000が組み込まれている。ここでは、スタンド7203により、筐体
7201を支持した構成を示している。
201に表示部7000が組み込まれている。ここでは、スタンド7203により、筐体
7201を支持した構成を示している。
図31(B)に示すテレビジョン装置7200の操作は、筐体7201が備える操作ス
イッチや、別体のリモコン操作機7211により行うことができる。又は、表示部700
0にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部7000に触れることで操作しても
よい。リモコン操作機7211は、当該リモコン操作機7211から出力する情報を表示
する表示部を有していてもよい。リモコン操作機7211が備える操作キー又はタッチパ
ネルにより、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7000に表示される映
像を操作することができる。
イッチや、別体のリモコン操作機7211により行うことができる。又は、表示部700
0にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部7000に触れることで操作しても
よい。リモコン操作機7211は、当該リモコン操作機7211から出力する情報を表示
する表示部を有していてもよい。リモコン操作機7211が備える操作キー又はタッチパ
ネルにより、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7000に表示される映
像を操作することができる。
なお、テレビジョン装置7200は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機
により、一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無
線による通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)又は双方
向(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など。)の情報通信を行うことも可能であ
る。
により、一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無
線による通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)又は双方
向(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など。)の情報通信を行うことも可能であ
る。
図31(C1)乃至図31(E)に、携帯情報端末の一例を示す。各携帯情報端末は、
筐体7301及び表示部7000を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、スピ
ーカ、マイク、アンテナ、又はバッテリ等を有していてもよい。表示部7000には、タ
ッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指やスタイラスなどで表示部7000に触
れることで行うことができる。
筐体7301及び表示部7000を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、スピ
ーカ、マイク、アンテナ、又はバッテリ等を有していてもよい。表示部7000には、タ
ッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指やスタイラスなどで表示部7000に触
れることで行うことができる。
図31(C1)は、携帯情報端末7300の斜視図であり、図31(C2)は携帯情報
端末7300の上面図である。図31(D)は、携帯情報端末7310の斜視図である。
図31(E)は、携帯情報端末7320の斜視図である。
端末7300の上面図である。図31(D)は、携帯情報端末7310の斜視図である。
図31(E)は、携帯情報端末7320の斜視図である。
本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳又は情報閲覧装置等か
ら選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用
いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メ
ール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種
々のアプリケーションを実行することができる。
ら選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用
いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メ
ール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種
々のアプリケーションを実行することができる。
携帯情報端末7300、携帯情報端末7310及び携帯情報端末7320は、文字や画
像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、図31(C1)、図31(D)
に示すように、3つの操作ボタン7302を一の面に表示し、矩形で示す情報7303を
他の面に表示することができる。図31(C1)、図31(C2)では、携帯情報端末の
上側に情報が表示される例を示し、図31(D)では、携帯情報端末の横側に情報が表示
される例を示す。また、携帯情報端末の3面以上に情報を表示してもよく、図31(E)
では、情報7304、情報7305、情報7306が、それぞれ異なる面に表示されてい
る例を示す。
像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、図31(C1)、図31(D)
に示すように、3つの操作ボタン7302を一の面に表示し、矩形で示す情報7303を
他の面に表示することができる。図31(C1)、図31(C2)では、携帯情報端末の
上側に情報が表示される例を示し、図31(D)では、携帯情報端末の横側に情報が表示
される例を示す。また、携帯情報端末の3面以上に情報を表示してもよく、図31(E)
では、情報7304、情報7305、情報7306が、それぞれ異なる面に表示されてい
る例を示す。
なお、情報の例としては、SNS(ソーシャル・ネットワーキング・サービス)の通知
、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名又は送信者名、日
時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。又は、情報が表示されてい
る位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。
、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名又は送信者名、日
時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。又は、情報が表示されてい
る位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。
例えば、携帯情報端末7300の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末7300
を収納した状態で、その表示(ここでは、情報7303)を確認することができる。
を収納した状態で、その表示(ここでは、情報7303)を確認することができる。
具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末7300の
上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末7300をポケットから取
り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末7300をポケットから取
り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
図31(F)乃至図31(H)に、湾曲した発光部を有する照明装置の一例を示してい
る。
る。
図31(F)乃至図31(H)に示す各照明装置が有する発光部は、本発明の一態様の
機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル、表示装置、又は入
出力装置等を用いて作製される。本発明の一態様により、湾曲した発光部を備え、かつ信
頼性の高い照明装置を提供できる。
機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパネル、タッチパネル、表示装置、又は入
出力装置等を用いて作製される。本発明の一態様により、湾曲した発光部を備え、かつ信
頼性の高い照明装置を提供できる。
図31(F)に示す照明装置7400は、波状の発光面を有する発光部7402を備え
る。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
る。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
図31(G)に示す照明装置7410の備える発光部7412は、凸状に湾曲した2つ
の発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置7410を中心に
全方位を照らすことができる。
の発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置7410を中心に
全方位を照らすことができる。
図31(H)に示す照明装置7420は、凹状に湾曲した発光部7422を備える。し
たがって、発光部7422からの発光を、照明装置7420の前面に集光するため、特定
の範囲を明るく照らす場合に適している。また、このような形態とすることで、影ができ
にくいという効果を奏する。
たがって、発光部7422からの発光を、照明装置7420の前面に集光するため、特定
の範囲を明るく照らす場合に適している。また、このような形態とすることで、影ができ
にくいという効果を奏する。
また、照明装置7400、照明装置7410及び照明装置7420の備える各々の発光
部は、可撓性を有していてもよい。発光部を、可塑性の部材や可動なフレームなどの部材
で固定し、用途に合わせて、発光部の発光面を、自在に湾曲可能な構成としてもよい。
部は、可撓性を有していてもよい。発光部を、可塑性の部材や可動なフレームなどの部材
で固定し、用途に合わせて、発光部の発光面を、自在に湾曲可能な構成としてもよい。
照明装置7400、照明装置7410及び照明装置7420は、それぞれ、操作スイッ
チ7403を備える台部7401と、台部7401に支持される発光部を有する。
チ7403を備える台部7401と、台部7401に支持される発光部を有する。
なお、ここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光
部を備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。
発光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明
るく照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
部を備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。
発光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明
るく照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
図32(A1)乃至図32(I)に、可撓性を有する表示部7001を有する携帯情報
端末の一例を示す。
端末の一例を示す。
表示部7001は、本発明の一態様の機能パネル、表示パネル、発光パネル、センサパ
ネル、タッチパネル、表示装置、又は入出力装置等を用いて作製される。例えば、曲率半
径0.01mm以上150mm以下で曲げることができる表示装置、又は入出力装置等を
適用できる。また、表示部7001はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部7
001に触れることで、携帯情報端末を操作することができる。本発明の一態様により、
可撓性を有する表示部を備え、かつ信頼性の高い電子機器を提供できる。
ネル、タッチパネル、表示装置、又は入出力装置等を用いて作製される。例えば、曲率半
径0.01mm以上150mm以下で曲げることができる表示装置、又は入出力装置等を
適用できる。また、表示部7001はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部7
001に触れることで、携帯情報端末を操作することができる。本発明の一態様により、
可撓性を有する表示部を備え、かつ信頼性の高い電子機器を提供できる。
図32(A1)は、携帯情報端末の一例を示す斜視図であり、図32(A2)は、携帯
情報端末の一例を示す側面図である。携帯情報端末7500は、筐体7501、表示部7
001、引き出し部材7502、操作ボタン7503等を有する。
情報端末の一例を示す側面図である。携帯情報端末7500は、筐体7501、表示部7
001、引き出し部材7502、操作ボタン7503等を有する。
携帯情報端末7500は、筐体7501内にロール状に巻かれた可撓性を有する表示部
7001を有する。
7001を有する。
また、携帯情報端末7500は、内蔵された制御部によって映像信号を受信可能で、受
信した映像を表示部7001に表示することができる。また、携帯情報端末7500には
、バッテリが内蔵されている。また、筐体7501に、コネクターを接続する端子部を備
え、映像信号や電力を、有線により外部から直接供給する構成としてもよい。
信した映像を表示部7001に表示することができる。また、携帯情報端末7500には
、バッテリが内蔵されている。また、筐体7501に、コネクターを接続する端子部を備
え、映像信号や電力を、有線により外部から直接供給する構成としてもよい。
また、操作ボタン7503によって、電源のON、OFF動作や、表示する映像の切り
替え等を行うことができる。なお、図32(A1)乃至図32(B)では、携帯情報端末
7500の側面に操作ボタン7503を配置する例を示すが、これに限られず、携帯情報
端末7500の表示面と同じ面(おもて面)や、裏面に配置してもよい。
替え等を行うことができる。なお、図32(A1)乃至図32(B)では、携帯情報端末
7500の側面に操作ボタン7503を配置する例を示すが、これに限られず、携帯情報
端末7500の表示面と同じ面(おもて面)や、裏面に配置してもよい。
図32(B)には、表示部7001を引き出し部材7502により引き出した状態の携
帯情報端末7500を示す。この状態で、表示部7001に映像を表示することができる
。また、表示部7001の一部がロール状に巻かれた図32(A1)の状態と、表示部7
001を引き出し部材7502により引き出した図32(B)の状態とで、携帯情報端末
7500が異なる表示を行う構成としてもよい。例えば、図32(A1)の状態のときに
、表示部7001のロール状に巻かれた部分を非表示とすることで、携帯情報端末750
0の消費電力を下げることができる。
帯情報端末7500を示す。この状態で、表示部7001に映像を表示することができる
。また、表示部7001の一部がロール状に巻かれた図32(A1)の状態と、表示部7
001を引き出し部材7502により引き出した図32(B)の状態とで、携帯情報端末
7500が異なる表示を行う構成としてもよい。例えば、図32(A1)の状態のときに
、表示部7001のロール状に巻かれた部分を非表示とすることで、携帯情報端末750
0の消費電力を下げることができる。
なお、表示部7001を引き出した際に、表示部7001の表示面が平面状となるよう
に固定するため、表示部7001の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
に固定するため、表示部7001の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によ
って、音声を出力する構成としてもよい。
って、音声を出力する構成としてもよい。
図32(C)乃至図32(E)に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図3
2(C)では、展開した状態、図32(D)では、展開した状態又は折りたたんだ状態の
一方から他方に変化する途中の状態、図32(E)では、折りたたんだ状態の携帯情報端
末7600を示す。携帯情報端末7600は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開
した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。
2(C)では、展開した状態、図32(D)では、展開した状態又は折りたたんだ状態の
一方から他方に変化する途中の状態、図32(E)では、折りたたんだ状態の携帯情報端
末7600を示す。携帯情報端末7600は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開
した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。
表示部7001は、ヒンジ7602によって連結された3つの筐体7601に支持され
ている。ヒンジ7602を介して2つの筐体7601間を屈曲させることにより、携帯情
報端末7600を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる
。
ている。ヒンジ7602を介して2つの筐体7601間を屈曲させることにより、携帯情
報端末7600を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる
。
図32(F)、図32(G)に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図32
(F)では、表示部7001が内側になるように折りたたんだ状態、図32(G)では、
表示部7001が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末7650を示す。携
帯情報端末7650は、表示部7001及び非表示部7651を有する。携帯情報端末7
650を使用しない際に、表示部7001が内側になるように折りたたむことで、表示部
7001の汚れや傷つきを抑制できる。
(F)では、表示部7001が内側になるように折りたたんだ状態、図32(G)では、
表示部7001が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末7650を示す。携
帯情報端末7650は、表示部7001及び非表示部7651を有する。携帯情報端末7
650を使用しない際に、表示部7001が内側になるように折りたたむことで、表示部
7001の汚れや傷つきを抑制できる。
図32(H)に、可撓性を有する携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末7700は
、筐体7701及び表示部7001を有する。さらに、入力手段であるボタン7703a
、ボタン7703b、音声出力手段であるスピーカ7704a、スピーカ7704b、外
部接続ポート7705、マイク7706等を有していてもよい。また、携帯情報端末77
00は、可撓性を有するバッテリ7709を搭載することができる。バッテリ7709は
、例えば、表示部7001と重ねて配置してもよい。
、筐体7701及び表示部7001を有する。さらに、入力手段であるボタン7703a
、ボタン7703b、音声出力手段であるスピーカ7704a、スピーカ7704b、外
部接続ポート7705、マイク7706等を有していてもよい。また、携帯情報端末77
00は、可撓性を有するバッテリ7709を搭載することができる。バッテリ7709は
、例えば、表示部7001と重ねて配置してもよい。
筐体7701、表示部7001、及びバッテリ7709は可撓性を有する。そのため、
携帯情報端末7700を所望の形状に湾曲させることや、携帯情報端末7700に捻りを
加えることが容易である。例えば、携帯情報端末7700は、表示部7001が内側又は
外側になるように折り曲げて使用することができる。又は、携帯情報端末7700をロー
ル状に巻いた状態で使用することもできる。このように、筐体7701及び表示部700
1を自由に変形することが可能であるため、携帯情報端末7700は、落下した場合、又
は意図しない外力が加わった場合であっても、破損しにくいという利点がある。
携帯情報端末7700を所望の形状に湾曲させることや、携帯情報端末7700に捻りを
加えることが容易である。例えば、携帯情報端末7700は、表示部7001が内側又は
外側になるように折り曲げて使用することができる。又は、携帯情報端末7700をロー
ル状に巻いた状態で使用することもできる。このように、筐体7701及び表示部700
1を自由に変形することが可能であるため、携帯情報端末7700は、落下した場合、又
は意図しない外力が加わった場合であっても、破損しにくいという利点がある。
また、携帯情報端末7700は軽量であるため、筐体7701の上部をクリップ等で把
持してぶら下げて使用する、又は、筐体7701を磁石等で壁面に固定して使用するなど
、様々な状況において利便性良く使用することができる。
持してぶら下げて使用する、又は、筐体7701を磁石等で壁面に固定して使用するなど
、様々な状況において利便性良く使用することができる。
図32(I)に腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末7800は、バン
ド7801、表示部7001、入出力端子7802、操作ボタン7803等を有する。バ
ンド7801は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末7800は、可撓性を
有するバッテリ7805を搭載することができる。バッテリ7805は、例えば、表示部
7001やバンド7801と重ねて配置してもよい。
ド7801、表示部7001、入出力端子7802、操作ボタン7803等を有する。バ
ンド7801は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末7800は、可撓性を
有するバッテリ7805を搭載することができる。バッテリ7805は、例えば、表示部
7001やバンド7801と重ねて配置してもよい。
バンド7801、表示部7001、及びバッテリ7805は可撓性を有する。そのため
、携帯情報端末7800を、所望の形状に湾曲させることが容易である。
、携帯情報端末7800を、所望の形状に湾曲させることが容易である。
操作ボタン7803は、時刻設定の他、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ
動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持
たせることができる。例えば、携帯情報端末7800に組み込まれたオペレーティングシ
ステムにより、操作ボタン7803の機能を自由に設定することもできる。
動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持
たせることができる。例えば、携帯情報端末7800に組み込まれたオペレーティングシ
ステムにより、操作ボタン7803の機能を自由に設定することもできる。
また、表示部7001に表示されたアイコン7804に指等で触れることで、アプリケ
ーションを起動することができる。
ーションを起動することができる。
また、携帯情報端末7800は、通信規格に準拠した近距離無線通信を実行することが
可能である。例えば、無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズ
フリーで通話することもできる。
可能である。例えば、無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズ
フリーで通話することもできる。
また、携帯情報端末7800は、入出力端子7802を有していてもよい。入出力端子
7802を有する場合、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行う
ことができる。また、入出力端子7802を介して充電を行うこともできる。なお、本実
施の形態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送に
より行ってもよい。
7802を有する場合、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行う
ことができる。また、入出力端子7802を介して充電を行うこともできる。なお、本実
施の形態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送に
より行ってもよい。
図33(A)乃至図33(C)に、折り畳み可能な腕時計型の携帯情報端末の一例を示
す。携帯情報端末7900は、表示部7901、筐体7902、筐体7903、バンド7
904、操作ボタン7905等を有する。
す。携帯情報端末7900は、表示部7901、筐体7902、筐体7903、バンド7
904、操作ボタン7905等を有する。
携帯情報端末7900は、図33(A)に示すように、筐体7902が筐体7903上
に重ねられた状態から、図33(B)に示すように、筐体7902を持ち上げることによ
り、図33(C)に示すように、表示部7901が展開された状態に可逆的に変形させる
ことができる。そのため、携帯情報端末7900は、例えば、通常は表示部7901を折
り畳んだ状態で使用することが可能で、また、表示部7901を展開することにより、表
示領域を広げて使用することができる。
に重ねられた状態から、図33(B)に示すように、筐体7902を持ち上げることによ
り、図33(C)に示すように、表示部7901が展開された状態に可逆的に変形させる
ことができる。そのため、携帯情報端末7900は、例えば、通常は表示部7901を折
り畳んだ状態で使用することが可能で、また、表示部7901を展開することにより、表
示領域を広げて使用することができる。
また、表示部7901がタッチパネルとしての機能を有することで、表示部7901に
触れることで携帯情報端末7900を操作することができる。また、操作ボタン7905
を押す、回す、又は上下方向、手前方向、又は奥行方向にずらすなどの操作により、携帯
情報端末7900を操作することができる。
触れることで携帯情報端末7900を操作することができる。また、操作ボタン7905
を押す、回す、又は上下方向、手前方向、又は奥行方向にずらすなどの操作により、携帯
情報端末7900を操作することができる。
図33(A)に示すように、筐体7902と筐体7903とが重なった状態のとき、筐
体7902と筐体7903とが意図せず離れないように、ロック機構を有することが好ま
しい。このとき、例えば、操作ボタン7905を押すなどの操作により、ロック状態を解
除できる構成とすることが好ましい。また、バネなどの復元力を利用して、ロック状態を
解除したときに、図33(A)に示す状態から図33(C)に示す状態に自動的に変形す
る機構を有していてもよい。又は、ロック機構に代えて磁石を用い、筐体7902と筐体
7903の相対的な位置を固定してもよい。磁石を用いることで、容易に筐体7902と
、筐体7903と、を脱着させることができる。
体7902と筐体7903とが意図せず離れないように、ロック機構を有することが好ま
しい。このとき、例えば、操作ボタン7905を押すなどの操作により、ロック状態を解
除できる構成とすることが好ましい。また、バネなどの復元力を利用して、ロック状態を
解除したときに、図33(A)に示す状態から図33(C)に示す状態に自動的に変形す
る機構を有していてもよい。又は、ロック機構に代えて磁石を用い、筐体7902と筐体
7903の相対的な位置を固定してもよい。磁石を用いることで、容易に筐体7902と
、筐体7903と、を脱着させることができる。
図33(A)乃至図33(C)では、バンド7904の曲がる向きに対して略垂直な方
向に表示部7901が展開できる構成を示したが、図33(D)、図33(E)に示すよ
うに、バンド7904の曲がる向きに略平行な方向に表示部7901を展開できる構成と
してもよい。また、このとき、バンド7904に巻きつけるように、表示部7901を湾
曲させて用いてもよい。
向に表示部7901が展開できる構成を示したが、図33(D)、図33(E)に示すよ
うに、バンド7904の曲がる向きに略平行な方向に表示部7901を展開できる構成と
してもよい。また、このとき、バンド7904に巻きつけるように、表示部7901を湾
曲させて用いてもよい。
本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有す
ることを特徴とする。該表示部に、本発明の一態様の表示パネル、タッチパネル、又はタ
ッチパネルモジュール等の表示装置を適用することができる。
ることを特徴とする。該表示部に、本発明の一態様の表示パネル、タッチパネル、又はタ
ッチパネルモジュール等の表示装置を適用することができる。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
み合わせて実施することができる。
10 表示装置
11 開口部
11A 開口部
11B 開口部
12 開口部
15 領域
15A 領域
21 基板
23 画素電極
24 EL層
25 導電層
31 基板
32 表示部
32A 領域
32B 領域
34 回路
35 配線
39 接着層
40 発光素子
42 FPC
43 IC
51a 着色層
51b 着色層
52 遮光層
60 液晶素子
70 トランジスタ
71 導電層
72 半導体層
73 絶縁層
74a 導電層
74b 導電層
81 絶縁層
82 絶縁層
82A 突出部
83 絶縁層
100 タッチパネル
111 導電層
112 EL層
113 導電層
130 偏光板
131 着色層
131a 着色層
131b 着色層
132 遮光層
133 遮光層
134 着色層
135 構造体
136 絶縁層
141 接着層
142 接着層
146 導電膜
147 導電膜
148 導電膜
149 ナノワイヤ
150 入力装置
151 電極
152 電極
153 ブリッジ電極
155 配線
156 配線
157 FPC
158 IC
160 基板
161 絶縁層
162 絶縁層
163 絶縁層
164 絶縁層
165 接着層
168 IC
169 接続部
170 基板
171 基板
172 接着層
173 絶縁層
181 基板
182 接着層
183 絶縁層
191 導電層
192 導電層
193 液晶
194 導電層
195 絶縁層
200 表示装置
201 トランジスタ
202 トランジスタ
203 容量素子
204 端子部
205 トランジスタ
206 トランジスタ
207 端子部
210 画素
211 絶縁層
212 絶縁層
213 絶縁層
214 絶縁層
219 開口部
220 絶縁層
221 導電層
222 導電層
223 導電層
224 導電層
231 半導体層
242 接続層
243 接続体
244 構造体
251 開口部
252 接続部
601 パルス電圧出力回路
602 電流検出回路
603 容量
621 電極
622 電極
723 電極
726 絶縁層
727 絶縁層
728 絶縁層
729 絶縁層
741 絶縁層
742 半導体層
744a 電極
744b 電極
746 電極
755 不純物
771 基板
772 絶縁層
810 トランジスタ
811 トランジスタ
820 トランジスタ
821 トランジスタ
825 トランジスタ
826 トランジスタ
830 トランジスタ
831 トランジスタ
840 トランジスタ
841 トランジスタ
842 トランジスタ
843 トランジスタ
844 トランジスタ
845 トランジスタ
846 トランジスタ
847 トランジスタ
5000 筐体
5001 表示部
5002 表示部
5003 スピーカ
5004 LEDランプ
5005 操作キー
5006 接続端子
5007 センサ
5008 マイクロフォン
5009 スイッチ
5010 赤外線ポート
5011 記録媒体読込部
5012 スタンド
5013 リモコン操作機
5014 アンテナ
5015 シャッターボタン
5016 受像部
5017 充電器
5018 バンド
5019 留め金
5020 アイコン
5021 アイコン
7000 表示部
7001 表示部
7100 携帯電話機
7101 筐体
7103 操作ボタン
7104 外部接続ポート
7105 スピーカ
7106 マイク
7200 テレビジョン装置
7201 筐体
7203 スタンド
7211 リモコン操作機
7300 携帯情報端末
7301 筐体
7302 操作ボタン
7303 情報
7304 情報
7305 情報
7306 情報
7310 携帯情報端末
7320 携帯情報端末
7400 照明装置
7401 台部
7402 発光部
7403 操作スイッチ
7410 照明装置
7412 発光部
7420 照明装置
7422 発光部
7500 携帯情報端末
7501 筐体
7502 引き出し部材
7503 操作ボタン
7600 携帯情報端末
7601 筐体
7602 ヒンジ
7650 携帯情報端末
7651 非表示部
7700 携帯情報端末
7701 筐体
7703a ボタン
7703b ボタン
7704a スピーカ
7704b スピーカ
7705 外部接続ポート
7706 マイク
7709 バッテリ
7800 携帯情報端末
7801 バンド
7802 入出力端子
7803 操作ボタン
7804 アイコン
7805 バッテリ
7900 携帯情報端末
7901 表示部
7902 筐体
7903 筐体
7904 バンド
7905 操作ボタン
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
11 開口部
11A 開口部
11B 開口部
12 開口部
15 領域
15A 領域
21 基板
23 画素電極
24 EL層
25 導電層
31 基板
32 表示部
32A 領域
32B 領域
34 回路
35 配線
39 接着層
40 発光素子
42 FPC
43 IC
51a 着色層
51b 着色層
52 遮光層
60 液晶素子
70 トランジスタ
71 導電層
72 半導体層
73 絶縁層
74a 導電層
74b 導電層
81 絶縁層
82 絶縁層
82A 突出部
83 絶縁層
100 タッチパネル
111 導電層
112 EL層
113 導電層
130 偏光板
131 着色層
131a 着色層
131b 着色層
132 遮光層
133 遮光層
134 着色層
135 構造体
136 絶縁層
141 接着層
142 接着層
146 導電膜
147 導電膜
148 導電膜
149 ナノワイヤ
150 入力装置
151 電極
152 電極
153 ブリッジ電極
155 配線
156 配線
157 FPC
158 IC
160 基板
161 絶縁層
162 絶縁層
163 絶縁層
164 絶縁層
165 接着層
168 IC
169 接続部
170 基板
171 基板
172 接着層
173 絶縁層
181 基板
182 接着層
183 絶縁層
191 導電層
192 導電層
193 液晶
194 導電層
195 絶縁層
200 表示装置
201 トランジスタ
202 トランジスタ
203 容量素子
204 端子部
205 トランジスタ
206 トランジスタ
207 端子部
210 画素
211 絶縁層
212 絶縁層
213 絶縁層
214 絶縁層
219 開口部
220 絶縁層
221 導電層
222 導電層
223 導電層
224 導電層
231 半導体層
242 接続層
243 接続体
244 構造体
251 開口部
252 接続部
601 パルス電圧出力回路
602 電流検出回路
603 容量
621 電極
622 電極
723 電極
726 絶縁層
727 絶縁層
728 絶縁層
729 絶縁層
741 絶縁層
742 半導体層
744a 電極
744b 電極
746 電極
755 不純物
771 基板
772 絶縁層
810 トランジスタ
811 トランジスタ
820 トランジスタ
821 トランジスタ
825 トランジスタ
826 トランジスタ
830 トランジスタ
831 トランジスタ
840 トランジスタ
841 トランジスタ
842 トランジスタ
843 トランジスタ
844 トランジスタ
845 トランジスタ
846 トランジスタ
847 トランジスタ
5000 筐体
5001 表示部
5002 表示部
5003 スピーカ
5004 LEDランプ
5005 操作キー
5006 接続端子
5007 センサ
5008 マイクロフォン
5009 スイッチ
5010 赤外線ポート
5011 記録媒体読込部
5012 スタンド
5013 リモコン操作機
5014 アンテナ
5015 シャッターボタン
5016 受像部
5017 充電器
5018 バンド
5019 留め金
5020 アイコン
5021 アイコン
7000 表示部
7001 表示部
7100 携帯電話機
7101 筐体
7103 操作ボタン
7104 外部接続ポート
7105 スピーカ
7106 マイク
7200 テレビジョン装置
7201 筐体
7203 スタンド
7211 リモコン操作機
7300 携帯情報端末
7301 筐体
7302 操作ボタン
7303 情報
7304 情報
7305 情報
7306 情報
7310 携帯情報端末
7320 携帯情報端末
7400 照明装置
7401 台部
7402 発光部
7403 操作スイッチ
7410 照明装置
7412 発光部
7420 照明装置
7422 発光部
7500 携帯情報端末
7501 筐体
7502 引き出し部材
7503 操作ボタン
7600 携帯情報端末
7601 筐体
7602 ヒンジ
7650 携帯情報端末
7651 非表示部
7700 携帯情報端末
7701 筐体
7703a ボタン
7703b ボタン
7704a スピーカ
7704b スピーカ
7705 外部接続ポート
7706 マイク
7709 バッテリ
7800 携帯情報端末
7801 バンド
7802 入出力端子
7803 操作ボタン
7804 アイコン
7805 バッテリ
7900 携帯情報端末
7901 表示部
7902 筐体
7903 筐体
7904 バンド
7905 操作ボタン
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
Claims (5)
- 基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極を有する表示部を有し、
前記複数の画素電極の少なくとも一の下面と接する領域を有し、有機材料を有する第1の絶縁層と、
前記複数の画素電極の少なくとも一の端部を覆う領域を有する、第2の絶縁層と、を有する表示装置であって、
前記第1の絶縁層は、前記複数の画素電極と重ならない領域において、開口部を有し、
前記第2の絶縁層は、前記開口部と重なりを有し、且つ前記複数の画素電極の少なくとも一の下面よりも前記基板側に位置する領域を有する、表示装置。 - 基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極を有する表示部を有し、
前記複数の画素電極の少なくとも一の下面と接する領域を有し、有機材料を有する第1の絶縁層と、
前記複数の画素電極の少なくとも一の端部を覆う領域を有する、第2の絶縁層と、を有する表示装置であって、
前記第1の絶縁層は、前記複数の画素電極と重ならない領域において、開口部を有し、
前記第2の絶縁層は、前記開口部を覆い、且つ前記複数の画素電極の少なくとも一の下面よりも前記基板側に位置する領域を有する、表示装置。 - 基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極を有する表示部を有し、
前記複数の画素電極の少なくとも一の下面と接する第1の領域を有し、有機材料を有する第1の絶縁層と、
前記複数の画素電極の少なくとも一の端部を覆う領域を有する、第2の絶縁層と、を有する表示装置であって、
前記第1の絶縁層は、前記複数の画素電極と重ならない領域において、前記第1の領域よりも膜厚の小さい第2の領域を有し、
前記第2の絶縁層は、前記第2の領域と重なりを有し、且つ前記複数の画素電極の少なくとも一の下面よりも前記基板側に位置する領域を有する、表示装置。 - 請求項1又は2のいずれか一において、
前記第2の絶縁層の上方に位置するEL層を有し、
前記EL層は、前記第2の絶縁層を介して前記開口部と重なる領域を有する、表示装置。 - 請求項3において、
前記第2の絶縁層の上方に位置するEL層を有し、
前記EL層は、前記第2の絶縁層を介して前記第2の領域との重なりを有する、表示装置。
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KR102043413B1 (ko) * | 2018-07-31 | 2019-12-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 |
US11088339B2 (en) * | 2018-07-31 | 2021-08-10 | Lg Display Co., Ltd. | Electroluminescent display device |
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CN109559649B (zh) * | 2019-01-02 | 2022-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置、显示控制方法及制备方法 |
KR20200116577A (ko) * | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20200119452A (ko) * | 2019-04-09 | 2020-10-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN110176187B (zh) * | 2019-06-19 | 2020-12-29 | 上海天马微电子有限公司 | 一种固态全反射显示器及其制作方法、显示装置 |
JP7386653B2 (ja) * | 2019-09-06 | 2023-11-27 | キヤノン株式会社 | 発光装置及びその製造方法、プリンタ、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置並びに移動体 |
CN113302330A (zh) * | 2019-09-12 | 2021-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜装置及其制造方法、蒸镀方法、显示装置 |
CN110993679B (zh) * | 2019-12-20 | 2024-04-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 可拉伸显示基板及其制作方法、可拉伸显示装置 |
WO2021247470A1 (en) * | 2020-06-03 | 2021-12-09 | E Ink Corporation | Foldable electrophoretic display module including non-conductive support plate |
US10860153B1 (en) * | 2020-06-29 | 2020-12-08 | Young Fast Optoelectronics Co., Ltd. | Touch panel structure |
KR20220021737A (ko) * | 2020-08-14 | 2022-02-22 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
TWI742977B (zh) * | 2020-08-21 | 2021-10-11 | 友達光電股份有限公司 | 可拉伸的畫素陣列基板 |
CN112420949A (zh) * | 2020-11-17 | 2021-02-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
CN112768494A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-07 | 安徽熙泰智能科技有限公司 | 基于金属网的改善串扰的微显示器结构以及制备方法 |
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CN118160411A (zh) * | 2021-10-07 | 2024-06-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及显示装置的制造方法 |
WO2023073472A1 (ja) * | 2021-10-27 | 2023-05-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表示装置の作製方法 |
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CN118176845A (zh) * | 2021-10-27 | 2024-06-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及显示装置的制造方法 |
WO2023084355A1 (ja) * | 2021-11-11 | 2023-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び、電子機器 |
KR20240096876A (ko) * | 2021-11-18 | 2024-06-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 표시 장치의 제작 방법 |
CN118235541A (zh) * | 2021-11-19 | 2024-06-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
WO2023126749A1 (ja) * | 2021-12-29 | 2023-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び、電子機器 |
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JP4152665B2 (ja) * | 2001-07-11 | 2008-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
JP4095830B2 (ja) * | 2002-01-29 | 2008-06-04 | 統寶光電股▲ふん▼有限公司 | 有機ledデバイスおよびその製造方法 |
JP2010097697A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Seiko Epson Corp | 有機el装置、有機el装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2011154797A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Seiko Epson Corp | 有機el装置及び電子機器 |
JP5708152B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-04-30 | ソニー株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
US8809879B2 (en) | 2011-04-07 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and a method of manufacturing light-emitting device |
TWI565119B (zh) * | 2011-05-27 | 2017-01-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置的製造方法及發光裝置 |
KR101801913B1 (ko) | 2012-03-23 | 2017-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 |
KR102079188B1 (ko) | 2012-05-09 | 2020-02-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 전자 기기 |
JP2014139297A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-31 | Asahi Glass Co Ltd | 粘着層付き透明面材、表示装置およびそれらの製造方法 |
JP6087251B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2017-03-01 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
KR20150069386A (ko) * | 2013-12-13 | 2015-06-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 및 표시 기판의 제조 방법 |
CN104865761B (zh) * | 2014-02-25 | 2018-06-08 | 群创光电股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
TWI656633B (zh) * | 2014-02-28 | 2019-04-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置的製造方法及電子裝置的製造方法 |
KR20150141338A (ko) | 2014-06-10 | 2015-12-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
US9570471B2 (en) | 2014-08-05 | 2017-02-14 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
US10523207B2 (en) * | 2014-08-15 | 2019-12-31 | Altera Corporation | Programmable circuit having multiple sectors |
CN104934443A (zh) * | 2015-05-04 | 2015-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
KR102289220B1 (ko) * | 2016-03-18 | 2021-08-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
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