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-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
【解決手段】第1の画素電極と、第2の画素電極と、第1の絶縁層と、第2の絶縁層と、接着層とを有し、第1の絶縁層は、第1の開口部を有し、第2の絶縁層は、第2の開口部を有し、第1の開口部及び第2の開口部は、第1の画素電極と、第2の画素電極の間に設けられ、上面視において、第2の開口部の外周は、第1の開口部の外周より内側に位置し、接着層は、第2の絶縁層より下部において第2の絶縁層と重畳する領域を有する表示装置とする。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について説明する。
図1(A)は、本発明の一態様の表示装置10の斜視概略図である。表示装置10は、基板21と基板31とが貼り合わされた構成を有する。図1(A)では、基板31を破線で明示している。
〔画素の構成例1−1〕
図1(B)は、図1(A)中に破線の丸で囲った表示部32の一部である領域32Aを拡大した上面図である。図1(B)には、表示部32のうち説明に要する構成のみを示している。
図8(A)に、図1(B)と一部が異なる構成の表示部32の一部である領域32Bの拡大図を示す。また、図8(B)に、図8(A)中の切断線C1−C2に対応する断面の一例を示す。図8(A)に示す構成は、絶縁層81に設けられる開口部の大きさが異なる点、及び絶縁層82に開口部が設けられない点において、図1(B)に示す構成と異なる。図8(A)に示す構成のうち、図1(B)と同様の構成については、図1(B)の説明を参照できる。
以下では、本発明の一態様の表示装置10のより詳細な断面構成の例について説明する。ここでは特に、表示素子にトップエミッション型の発光素子を適用した場合について説明する。
図11は、表示装置10の断面概略図である。図11では、図1(A)におけるFPC42を含む領域、回路34を含む領域、表示部32を含む領域、表示装置10の外周部を含む領域などの断面の一例を示している。
図12に、一対の基板として、可撓性を有する基板171、基板181を用いた表示装置10の断面構成例を示す。図12に示す表示装置10は、表示面の一部を曲げることができる。
ここで、可撓性を有する表示装置を作製する方法について説明する。
図13に、図11と一部が異なる構成を有する表示装置10の断面構成例を示す。図13に示す表示装置10は、一対の基板として可撓性を有する基板171、基板181を用いている点、偏光板130を有さない点、及び構造体135を有する点で、図11に示す表示装置10と異なる。
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
表示装置10が有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。上記では、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合を示している。
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタの電気特性の劣化を抑制できるため好ましい。
トランジスタのゲート、ソース及びドレインの他、表示装置10を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステンなどの金属、又はこれを主成分とする合金などが挙げられる。また、これらの材料を含む膜を単層で、又は積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫又は酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
各絶縁層に用いることのできる絶縁性材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シリコーンなどのシロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁性材料を用いることもできる。
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード(LED)、有機EL素子、無機EL素子等を用いることができる。
液晶素子としては、例えば、垂直配向(VA:Vertical Alignment)モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、MVA(Multi−Domain Vertical Alignment)モード、PVA(Patterned Vertical Alignment)モード、ASV(Advanced Super View)モードなどを用いることができる。
接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
接続層としては、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic Conductive Paste)などを用いることができる。
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料又は染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。また、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できる他、工程を簡略化できるため好ましい。
以下では、本発明の一態様の表示装置10の例として、入出力装置(タッチパネル)、入力装置(タッチセンサ)等の構成例について説明する。
以下では、入力装置(タッチセンサ)の構成例について、図面を参照して説明する。
以下では、本発明の一態様の表示装置10の例として、タッチパネルの構成例について、図面を参照して説明する。
続いて、タッチパネル100の断面構成の例について説明する。図19は、タッチパネル100の断面概略図である。図19は、図11と比較して、接着層141よりも基板31側の構成が、主に相違している。
以下では、本発明の一態様の表示装置10の例として、反射型の液晶素子と、発光素子の両方を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことのできる、表示装置(表示パネル)の例を説明する。このような表示パネルを、TR−hybrid display(Transmissive OLED and Reflective LC Hybrid display)とも呼ぶことができる。
図21(A)は、表示装置200の構成の一例を示すブロック図である。表示装置200は、表示部32にマトリクス状に配列した複数の画素210を有する。また、表示装置200は、回路GDと、回路SDを有する。また、方向Rに配列した複数の画素210、及び回路GDと電気的に接続する複数の配線G1、複数の配線G2、複数の配線ANO、及び複数の配線CSCOMを有する。また、方向Cに配列した複数の画素210、及び回路SDと電気的に接続する複数の配線S1及び複数の配線S2を有する。
図22は、画素210の構成例を示す回路図である。図22では、隣接する2つの画素210を示している。
図23に、表示装置200の断面概略図を示す。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置10又は表示装置200に適用可能な入力装置(タッチセンサ)の駆動方法の例について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態に示した各トランジスタに置き換えて用いることのできるトランジスタの一例について、図面を用いて説明する。
図25(A1)は、ボトムゲート型のトランジスタの一種である、チャネル保護型のトランジスタ810の断面図である。図25(A1)において、トランジスタ810は、基板771上に形成されている。また、トランジスタ810は、基板771上に絶縁層772を介して電極746を有する。また、電極746上に絶縁層726を介して半導体層742を有する。電極746はゲート電極として機能できる。絶縁層726はゲート絶縁層として機能できる。
図26(A1)に、トップゲート型のトランジスタの一種であるトランジスタ830の断面図を示す。トランジスタ830は、絶縁層772の上に半導体層742を有し、半導体層742及び絶縁層772上に、半導体層742の一部に接する電極744a、及び半導体層742の一部に接する電極744bを有し、半導体層742、電極744a、及び電極744b上に絶縁層726を有し、絶縁層726上に電極746を有する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置10又は表示装置200を有する表示モジュール及び電子機器について、図面を用いて説明する。
11 開口部
11A 開口部
11B 開口部
12 開口部
15 領域
15A 領域
21 基板
23 画素電極
24 EL層
25 導電層
31 基板
32 表示部
32A 領域
32B 領域
34 回路
35 配線
39 接着層
40 発光素子
42 FPC
43 IC
51a 着色層
51b 着色層
52 遮光層
60 液晶素子
70 トランジスタ
71 導電層
72 半導体層
73 絶縁層
74a 導電層
74b 導電層
81 絶縁層
82 絶縁層
82A 突出部
83 絶縁層
100 タッチパネル
111 導電層
112 EL層
113 導電層
130 偏光板
131 着色層
131a 着色層
131b 着色層
132 遮光層
133 遮光層
134 着色層
135 構造体
136 絶縁層
141 接着層
142 接着層
146 導電膜
147 導電膜
148 導電膜
149 ナノワイヤ
150 入力装置
151 電極
152 電極
153 ブリッジ電極
155 配線
156 配線
157 FPC
158 IC
160 基板
161 絶縁層
162 絶縁層
163 絶縁層
164 絶縁層
165 接着層
168 IC
169 接続部
170 基板
171 基板
172 接着層
173 絶縁層
181 基板
182 接着層
183 絶縁層
191 導電層
192 導電層
193 液晶
194 導電層
195 絶縁層
200 表示装置
201 トランジスタ
202 トランジスタ
203 容量素子
204 端子部
205 トランジスタ
206 トランジスタ
207 端子部
210 画素
211 絶縁層
212 絶縁層
213 絶縁層
214 絶縁層
219 開口部
220 絶縁層
221 導電層
222 導電層
223 導電層
224 導電層
231 半導体層
242 接続層
243 接続体
244 構造体
251 開口部
252 接続部
601 パルス電圧出力回路
602 電流検出回路
603 容量
621 電極
622 電極
723 電極
726 絶縁層
727 絶縁層
728 絶縁層
729 絶縁層
741 絶縁層
742 半導体層
744a 電極
744b 電極
746 電極
755 不純物
771 基板
772 絶縁層
810 トランジスタ
811 トランジスタ
820 トランジスタ
821 トランジスタ
825 トランジスタ
826 トランジスタ
830 トランジスタ
831 トランジスタ
840 トランジスタ
841 トランジスタ
842 トランジスタ
843 トランジスタ
844 トランジスタ
845 トランジスタ
846 トランジスタ
847 トランジスタ
5000 筐体
5001 表示部
5002 表示部
5003 スピーカ
5004 LEDランプ
5005 操作キー
5006 接続端子
5007 センサ
5008 マイクロフォン
5009 スイッチ
5010 赤外線ポート
5011 記録媒体読込部
5012 スタンド
5013 リモコン操作機
5014 アンテナ
5015 シャッターボタン
5016 受像部
5017 充電器
5018 バンド
5019 留め金
5020 アイコン
5021 アイコン
7000 表示部
7001 表示部
7100 携帯電話機
7101 筐体
7103 操作ボタン
7104 外部接続ポート
7105 スピーカ
7106 マイク
7200 テレビジョン装置
7201 筐体
7203 スタンド
7211 リモコン操作機
7300 携帯情報端末
7301 筐体
7302 操作ボタン
7303 情報
7304 情報
7305 情報
7306 情報
7310 携帯情報端末
7320 携帯情報端末
7400 照明装置
7401 台部
7402 発光部
7403 操作スイッチ
7410 照明装置
7412 発光部
7420 照明装置
7422 発光部
7500 携帯情報端末
7501 筐体
7502 引き出し部材
7503 操作ボタン
7600 携帯情報端末
7601 筐体
7602 ヒンジ
7650 携帯情報端末
7651 非表示部
7700 携帯情報端末
7701 筐体
7703a ボタン
7703b ボタン
7704a スピーカ
7704b スピーカ
7705 外部接続ポート
7706 マイク
7709 バッテリ
7800 携帯情報端末
7801 バンド
7802 入出力端子
7803 操作ボタン
7804 アイコン
7805 バッテリ
7900 携帯情報端末
7901 表示部
7902 筐体
7903 筐体
7904 バンド
7905 操作ボタン
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
Claims (7)
- 第1の画素電極と、第2の画素電極と、第1の絶縁層と、第2の絶縁層と、接着層と、を有し、
前記第1の画素電極及び前記第2の画素電極は、前記第1の絶縁層上に設けられ、
前記第2の絶縁層は、前記第1の絶縁層、前記第1の画素電極及び前記第2の画素電極上に設けられ、
前記接着層は、前記第1の絶縁層、前記第2の絶縁層、前記第1の画素電極及び前記第2の画素電極上に設けられ、
前記第1の絶縁層は、第1の開口部を有し、
前記第1の開口部の底面は、前記第1の絶縁層の底面よりも上部に位置し、
前記第2の絶縁層は、第2の開口部を有し、
前記第2の開口部は、前記第2の絶縁層を貫通することで前記第1の開口部と一体となり、
前記第1の開口部及び前記第2の開口部は、前記第1の画素電極と、前記第2の画素電極の間に設けられ、
上面視において、前記第2の開口部の外周は、前記第1の開口部の外周より内側に位置し、
前記接着層は、前記第2の絶縁層より下部において前記第2の絶縁層と重畳する領域を有する、
表示装置。 - 請求項1において、
前記第2の絶縁層が、前記第1の絶縁層上で庇状に突出する部分の長さが、
0.05μm以上5.0μm以下である、
表示装置。 - 請求項1又は2において、
上面視における前記第2の開口部の短辺の幅が、
0.5μm以上20μm以下である、
表示装置。 - 第1の画素電極と、第2の画素電極と、第1の絶縁層と、第2の絶縁層と、接着層と、を有し、
前記第1の画素電極及び前記第2の画素電極は、前記第1の絶縁層上に設けられ、
前記第2の絶縁層は、前記第1の絶縁層、前記第1の画素電極及び前記第2の画素電極上に設けられ、
前記接着層は、前記第2の絶縁層、前記第1の画素電極及び前記第2の画素電極上に設けられ、
前記第1の絶縁層は、第1の開口部を有し、
前記第1の開口部は、その表面が前記第2の絶縁層で覆われ、
前記第1の開口部の底面は、前記第1の絶縁層の底面よりも上部に位置し、
前記第1の開口部は、前記第1の画素電極と、前記第2の画素電極の間に設けられ、
前記第2の絶縁層は、前記第1の開口部における前記第2の絶縁層の側面の上部で庇状に突出する第1の突出部を有し、
前記接着層は、前記第1の突出部より下部において前記第2の絶縁層と重畳する領域を有する、
表示装置。 - 請求項4において、
前記第1の突出部の長さが、
0.05μm以上5.0μm以下である、
表示装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれかに一において、
前記第1の絶縁層は、有機樹脂材料を含み、
前記第2の絶縁層は、無機絶縁性材料を含む、
表示装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれかに一において、
前記第1の絶縁層は、アクリルを含み、
前記第2の絶縁層は、酸化窒化シリコンを含む、
表示装置。
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