JP2023141720A - シンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法及び放射線検出器の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】センサパネルの受光面との接触を適切化することができ且つシンチレータ層でのクラックの発生を抑制することができるシンチレータパネル及びその製造方法、並びに、そのようなシンチレータパネルを備える放射線検出器及びその製造方法を提供する。【解決手段】シンチレータパネル1は、可撓性を有する支持基板2と、複数の柱状結晶30を含むシンチレータ層3と、支持基板2とシンチレータ層3との間に配置された中間層4と、を備える。複数の柱状結晶30は、支持基板2側の複数の第1端部31と、支持基板2とは反対側の複数の第2端部32と、を含む。複数の第1端部31のそれぞれは、支持基板2側に向かって細くなっている。複数の第2端部32のそれぞれは、平面に沿った端面32aを有する。中間層4の一部は、少なくとも複数の第1端部31の間の領域Rに配置されている。【選択図】図1
Description
本発明は、シンチレータパネル、放射線検出器、シンチレータパネルの製造方法及び放射線検出器の製造方法に関する。
支持基板と、気相堆積法によって支持基板上に形成されたシンチレータ層と、を備えるシンチレータパネルが知られている(例えば、特許文献1参照)。このようなシンチレータパネルは、支持基板がシンチレータ層に対してセンサパネルとは反対側に位置した状態で、センサパネルの受光面上に配置されて、放射線検出器を構成する場合がある。
上述したようなシンチレータパネルには、気相堆積法によってセンサパネルの受光面上にシンチレータ層が形成される場合とは異なり、センサパネルの受光面との接触の適切化が求められる。また、上述したようなシンチレータパネルにおいて、支持基板が可撓性を有していると、センサパネルの受光面上へのシンチレータパネルの配置が容易になる一方で、シンチレータ層でのクラックの発生が懸念される。
本発明は、センサパネルの受光面との接触を適切化することができ且つシンチレータ層でのクラックの発生を抑制することができるシンチレータパネル及びその製造方法、並びに、そのようなシンチレータパネルを備える放射線検出器及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明のシンチレータパネルは、可撓性を有する支持基板と、複数の柱状結晶を含むシンチレータ層と、支持基板とシンチレータ層との間に配置された中間層と、を備え、複数の柱状結晶は、支持基板側の複数の第1端部と、支持基板とは反対側の複数の第2端部と、を含み、複数の第1端部のそれぞれは、支持基板側に向かって細くなっており、複数の第2端部のそれぞれは、平面に沿った端面を有し、中間層の一部は、少なくとも複数の第1端部の間の領域に配置されている。
上記シンチレータパネルでは、複数の柱状結晶が含む複数の第2端部のそれぞれが平面に沿った端面を有している。これにより、支持基板がシンチレータ層に対してセンサパネルとは反対側に位置した状態で、センサパネルの受光面上にシンチレータ層が配置される場合に、センサパネルの受光面とシンチレータパネルとの接触が適切化される。また、上記シンチレータパネルでは、複数の柱状結晶が含む複数の第1端部の間の領域に中間層の一部が配置されている。これにより、シンチレータパネルが撓められてもシンチレータ層でのクラックの発生が抑制される。よって、上記シンチレータパネルによれば、センサパネルの受光面との接触を適切化することができ且つシンチレータ層でのクラックの発生を抑制することができる。
本発明のシンチレータパネルでは、中間層の一部は、少なくとも複数の第1端部の間の領域の全体に配置されていてもよい。これによれば、シンチレータ層でのクラックの発生を確実に抑制することができる。
本発明のシンチレータパネルでは、支持基板とシンチレータ層との間の距離をDとすると、中間層の一部は、複数の第1端部が有する複数の先端からD以上進んだ位置に達していてもよい。これによれば、シンチレータ層でのクラックの発生をより確実に抑制することができる。
本発明のシンチレータパネルでは、シンチレータ層の厚さをTとすると、中間層の一部は、複数の第1端部が有する複数の先端から0.2T以上進んだ位置に達していてもよい。これによれば、シンチレータ層でのクラックの発生をより確実に抑制することができる。
本発明のシンチレータパネルでは、中間層は、複数の第1端部のそれぞれの表面に沿って形成された金属層と、少なくとも複数の第1端部の間の領域に金属層を介して配置された有機層と、を含み、金属層は、光反射機能又は光吸収機能を有してもよい。これによれば、光反射機能又は光吸収機能を発揮し且つシンチレータ層でのクラックの発生を抑制し得る中間層を実現することができる。
本発明のシンチレータパネルでは、中間層は、少なくとも複数の第1端部の間の領域に配置された有機層を含み、有機層は、光反射機能又は光吸収機能を有してもよい。これによれば、光反射機能又は光吸収機能を発揮し且つシンチレータ層でのクラックの発生を抑制し得る中間層を実現することができる。
本発明のシンチレータパネルでは、支持基板の厚さ方向から見た場合に、支持基板の外縁の少なくとも一部、シンチレータ層の外縁の少なくとも一部、及び中間層の外縁の少なくとも一部は、一致していてもよい。これによれば、支持基板の外縁の少なくとも一部において、シンチレータ層が存在しない領域をなくすことができる。つまり、その領域の分だけ、シンチレータ層の面積を増大させることができる。換言すれば、その領域の分だけ、支持基板の面積を減少させることができる。
本発明のシンチレータパネルでは、複数の第2端部は、互いに繋がっていてもよい。これによれば、シンチレータ層でのクラックの発生をより確実に抑制することができる。
本発明のシンチレータパネルは、支持基板、シンチレータ層及び中間層を覆っている保護層を更に備えてもよい。これによれば、潮解性を有する複数の柱状結晶を保護することができる。
本発明のシンチレータパネルは、シンチレータ層に対して支持基板とは反対側に配置された接着層を更に備えてもよい。これによれば、センサパネルの受光面にシンチレータパネルを容易に且つ確実に接着することができる。
本発明のシンチレータパネルでは、シンチレータ層の厚さをTとすると、支持基板の厚さは、0.2T以上であってもよい。これによれば、例えばシンチレータパネルのハンドリングの際に、シンチレータパネルの一部に局所的な外力が作用することに起因してシンチレータ層にクラックが発生するのを抑制することができる。
本発明の放射線検出器は、上記シンチレータパネルと、受光面を有するセンサパネルと、を備え、シンチレータパネルは、シンチレータ層が支持基板に対してセンサパネル側に位置した状態で、受光面上に配置されている。
上記放射線検出器では、センサパネルの受光面とシンチレータパネルとの接触が適切化されている。よって、上記放射線検出器によれば、適切な放射線画像を取得することができる。
本発明のシンチレータパネルの製造方法は、上記シンチレータパネルの製造方法であって、気相堆積法によって補助基板上にシンチレータ層を形成する第1ステップと、第1ステップの後に、中間層の一部が少なくとも第1端部の間の領域に配置されるように、シンチレータ層上に中間層を形成する第2ステップと、第2ステップの後に、中間層上に支持基板を形成する第3ステップと、第3ステップの後に、シンチレータ層から補助基板を除去する第4ステップと、を備える。
上記シンチレータパネルの製造方法によれば、センサパネルの受光面との接触が適切化され且つシンチレータ層でのクラックの発生が抑制されたシンチレータパネルを得ることができる。
本発明のシンチレータパネルの製造方法は、第3ステップの後であって第4ステップの前に、少なくともシンチレータ層、中間層及び支持基板を、支持基板の厚さ方向に切断する第5ステップを更に備えてもよい。これによれば、補助基板によってシンチレータ層、中間層及び支持基板が支持された安定した状態で、シンチレータ層、中間層及び支持基板を一括で切断することができる。
本発明のシンチレータパネルの製造方法では、第5ステップにおいては、シンチレータ層、中間層及び支持基板と共に補助基板を、支持基板の厚さ方向に切断してもよい。これによれば、シンチレータ層、中間層及び支持基板と共に補助基板を一括で切断することができる。
本発明のシンチレータパネルの製造方法は、第4ステップの後に、シンチレータ層、中間層及び支持基板を、支持基板の厚さ方向に切断する第6ステップを更に備えてもよい。これによれば、シンチレータ層、中間層及び支持基板を所定サイズに容易に且つ確実に切断することができる。
本発明の放射線検出器の製造方法は、上記放射線検出器の製造方法であって、シンチレータパネル及びセンサパネルを用意する第1ステップと、第1ステップの後に、支持基板がシンチレータ層に対してセンサパネルとは反対側に位置するように、受光面上にシンチレータパネルを配置する第2ステップと、を備える。
上記放射線検出器の製造方法によれば、センサパネルの受光面との接触が適切化され且つシンチレータ層でのクラックの発生が抑制されたシンチレータパネルを備える放射線検出器を得ることができる。
本発明によれば、センサパネルの受光面との接触を適切化することができ且つシンチレータ層でのクラックの発生を抑制することができるシンチレータパネル及びその製造方法、並びに、そのようなシンチレータパネルを備える放射線検出器及びその製造方法を提供することが可能となる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
[シンチレータパネルの構成]
[シンチレータパネルの構成]
図1に示されるように、シンチレータパネル1は、支持基板2と、シンチレータ層3と、中間層4と、保護層5と、を備えている。中間層4は、支持基板2とシンチレータ層3との間に配置されている。支持基板2の厚さ方向(以下、「方向A」という)から見た場合に、支持基板2の外縁、シンチレータ層3の外縁、及び中間層4の外縁は、一致している。すなわち、支持基板2の側面、シンチレータ層3の側面、及び中間層4の側面は、面一な状態にある。図2に示されるように、シンチレータパネル1は、センサパネル11と共に放射線検出器10を構成する。放射線検出器10では、放射線(例えば、X線)がシンチレータパネル1に入射すると、シンチレータパネル1においてシンチレーション光が発生し、当該シンチレーション光がセンサパネル11によって検出される。放射線検出器10は、放射線イメージング装置として、例えば、医療用放射線画像診断装置、非破壊検査装置等に用いられる。
図1に示されるように、支持基板2は、有機層21と、無機層22と、を含んでいる。無機層22は、有機層21の表面21a上に形成されており、防湿層として機能する。有機層21の材料は、例えば、PET、PEN、PI、PP、PE、PU、PMMA等である。有機層21の厚さは、例えば、30μm以上250μm以下である。無機層22の材料は、例えば、Al、Cu、Ti、Fe、SUS等である。無機層22の厚さは、例えば、10μm以上100μm以下である。支持基板2は、可撓性を有している。支持基板2は、例えば、30mm以上120mm以下の曲率半径を有するように撓められ得る。後述するシンチレータ層3の厚さをTとすると、支持基板2の厚さは、0.2T以上である。なお、支持基板2は、単層からなる基板であってもよいし、複数層からなる基板であってもよい。また、支持基板2の表面には、易接着コート、帯電防止コート、防湿膜(ポリパラキシリレン膜)等の機能性の膜が形成されていてもよい。また、支持基板2の厚さは、0.5T以上であってもよいし、更に、T以上であってもよい。
シンチレータ層3は、支持基板2に対して一方の側(例えば、有機層21に対して無機層22が配置されている側)に配置されている。シンチレータ層3は、複数の柱状結晶30を含んでいる。複数の柱状結晶30は、方向Aに垂直な平面に沿って並んでいる。各柱状結晶30は、方向Aに延在している。シンチレータ層3の材料は、例えば、CsI:Tl(タリウムを賦活剤として含むヨウ化セシウム)、CsI:Na(ナトリウムを賦活剤として含むヨウ化セシウム)、CsI:Ce(セリウムを賦活剤として含むヨウ化セシウム)、CsI:Tl,Eu(タリウム及びユーロピウムを賦活剤として含むヨウ化セシウム)等である。シンチレータ層3の厚さは、例えば、50μm以上1000μm以下(好ましくは、50μm以上400μm以下)である。
複数の柱状結晶30は、支持基板2側の複数の第1端部31と、支持基板2とは反対側の複数の第2端部32と、を含んでいる。各第1端部31は、支持基板2側に向かって細くなっている。各第1端部31の高さ(方向Aにおける各第1端部31の幅)は、例えば、2μm以上5μm以下である。各第1端部31のテーパ角度は、例えば、60度以上100度以下である。各第2端部32は、方向Aに垂直な平面に沿った端面32aを有している。複数の第2端部32は、互いに繋がっている。複数の端面32aは、面一な状態で互いに繋がっている。なお、シンチレータ層3の厚さとは、方向Aにおける各柱状結晶30の長さの平均値である。換言すれば、シンチレータ層3の厚さとは、複数の第1端部31が有する複数の先端31aを含む平面と、複数の第2端部32が有する複数の端面32aを含む平面との距離である。
中間層4は、金属層41と、有機層42と、接着層43と、を含んでいる。金属層41は、各第1端部31の表面に沿って形成されている。金属層41は、各第1端部31の表面に直接形成されている。金属層41は、光反射機能(シンチレーション光を反射する機能)又は光吸収機能(シンチレーション光を吸収する機能)を有している。金属層41は、例えば、Al、Cr、Ni、Ag、Ti、Cu、Au等である。金属層41の厚さは、例えば、10nm以上1000nm以下である。有機層42は、複数の第1端部31の間の領域Rに金属層41を介して配置されており、複数の第1端部31を覆っている。有機層42の材料は、例えば、パリレン(ポリパラキシレン)である。有機層42のうち、複数の先端31aを含む平面よりも支持基板2側に位置する部分の厚さは、例えば、0.5μm以上20μm以下である。接着層43は、支持基板2と有機層42との間に配置されている。支持基板2は、接着層43によって有機層42に接着されている。接着層43の材料は、粘着剤(接着後に硬化しないもの)又は接着剤(接着後に硬化するもの)である。接着層43の厚さは、例えば、0.1μm以上100μm以下(好ましくは、25μm以下)である。
中間層4の一部は、少なくとも複数の第1端部31の間の領域Rに配置されている。本実施形態では、有機層42の一部が、複数の第1端部31の間の領域Rの全体に配置されており、領域Rを介して複数の柱状結晶30の間に入り込んでいる。ここで、支持基板2とシンチレータ層3との間の距離(「支持基板2におけるシンチレータ層3側の表面」と「複数の先端31aを含む平面」との距離)をDとすると、有機層42の一部は、複数の先端31aからD以上進んだ位置に達している。また、シンチレータ層3の厚さをTとすると、有機層42の一部は、複数の先端31aから0.2T以上進んだ位置に達している。一例として、Dは10μm以上20μm以下であり、Tは50μm以上400μm以下であり、有機層42の一部は、複数の先端31aから100μm以上200μm以下の距離だけ進んだ位置に達している。本実施形態では、有機層42の一部が、複数の柱状結晶30の間において、複数の第2端部32に達している。
保護層5は、支持基板2、シンチレータ層3及び中間層4を覆っている。保護層5の材料は、例えば、パリレン(ポリパラキシレン)である。保護層5の厚さは、例えば、5μm程度である。
[放射線検出器の構成]
[放射線検出器の構成]
図2に示されるように、放射線検出器10は、上述したシンチレータパネル1と、センサパネル11と、接着層12と、を備えている。センサパネル11は、受光面11aを有している。センサパネル11のうち受光面11aに沿った部分には、複数の光電変換素子(図示省略)が設けられている。各光電変換素子は、画素を構成しており、入射したシンチレーション光に応じた電気信号を出力する。
シンチレータパネル1は、シンチレータ層3が支持基板2に対してセンサパネル11側に位置した状態で、受光面11a上に配置されている。接着層12は、受光面11aとシンチレータパネル1との間に配置されている。シンチレータパネル1は、接着層12によってセンサパネル11に接着されている。接着層12の材料は、光透過性を有する有機材料であり、例えば、OCA(Optical Clear Adhesive)等である。接着層12の厚さは、例えば、0.1μm以上100μm以下(好ましくは、25μm以下)である。なお、シンチレータパネル1が、シンチレータ層3に対して支持基板2とは反対側に配置された接着層12を備えていてもよい。
[シンチレータパネルの製造方法]
[シンチレータパネルの製造方法]
上述したシンチレータパネル1の製造方法について説明する。まず、図3の(a)に示されるように、補助基板13が用意される。補助基板13の材料は、例えば、PET、PEN、PI、PMMA、AL、SUS、Glass等である。平滑性、剥離性を向上させるために、補助基板13には、例えば、アクリル、フッ素、シリコーン、アルミナ、ITO、SiO2等のコーティングが施されていてもよい。補助基板13の厚さは、例えば、0.1mm以上0.5mm以下である。続いて、図3の(b)に示されるように、気相堆積法によって補助基板13上にシンチレータ層3が形成される(第1ステップ)。本実施形態では、蒸着法によって補助基板13上にシンチレータ層3が形成される。これにより、複数の柱状結晶30では、複数の第2端部32が補助基板13側に位置することになり、複数の第1端部31が補助基板13とは反対側に位置することになる。なお、蒸着法以外の気相堆積法の例としては、スパッタリング法がある。
続いて、図4の(a)に示されるように、蒸着法によって各第1端部31の表面に金属層41が形成される。続いて、図4の(b)に示されるように、CVD法によって、補助基板13、シンチレータ層3及び金属層41を覆うように、有機層42が形成される(第2ステップ)。これにより、有機層42の一部が、複数の第1端部31の間の領域Rの全体に配置され、更に、領域Rを介して複数の柱状結晶30の間に入り込むことになる。
続いて、図5の(a)に示されるように、接着層43によって支持基板2が有機層42に接着される。つまり、金属層41、有機層42及び接着層43によって構成された中間層4上に、支持基板2が形成される(第3ステップ)。続いて、図5の(b)に示されるように、補助基板13、シンチレータ層3、中間層4及び支持基板2が方向Aに切断される(第5ステップ)。これにより、補助基板13の側面、シンチレータ層3の側面、中間層4の側面、及び支持基板2の側面が面一な状態になる。
続いて、図6の(a)に示されるように、シンチレータ層3から補助基板13が除去される(第4ステップ)。これにより、複数の第2端部32が有する複数の端面32aが現れる。続いて、図6の(b)に示されるように、CVD法によって、支持基板2、シンチレータ層3及び中間層4を覆うように保護層5が形成される。これにより、シンチレータパネル1が得られる。
[放射線検出器の製造方法]
[放射線検出器の製造方法]
上述した放射線検出器10の製造方法について説明する。まず、図2に示されるように、シンチレータパネル1及びセンサパネル11が用意される(第1ステップ)。続いて、支持基板2がシンチレータ層3に対してセンサパネル11とは反対側に位置した状態で、接着層12によってシンチレータパネル1がセンサパネル11に接着される。つまり、支持基板2がシンチレータ層3に対してセンサパネル11とは反対側に位置するように、受光面11a上にシンチレータパネル1が配置される(第2ステップ)。これにより、放射線検出器10が得られる。
[作用及び効果]
[作用及び効果]
シンチレータパネル1では、複数の柱状結晶30が含む複数の第2端部32のそれぞれが平面に沿った端面32aを有している。これにより、支持基板2がシンチレータ層3に対してセンサパネル11とは反対側に位置した状態で、センサパネル11の受光面11a上にシンチレータ層3が配置される場合に、センサパネル11の受光面11aとシンチレータパネル1との接触が適切化される。また、シンチレータパネル1では、複数の柱状結晶30が含む複数の第1端部31の間の領域Rに中間層4の一部が配置されている。これにより、シンチレータパネル1が撓められてもシンチレータ層3でのクラックの発生が抑制される。具体例として、複数の第2端部32が互いに離れるようにシンチレータパネル1が撓められた場合には、複数の第1端部31が互いの近付くことが抑制され、複数の第2端部32が互いに近付くようにシンチレータパネル1が撓められた場合には、複数の第1端部31が互いの離れることが抑制される。その結果、シンチレータパネル1がどのように撓められてもシンチレータ層3でのクラックの発生が抑制される。以上により、シンチレータパネル1によれば、センサパネル11の受光面11aとの接触を適切化することができ且つシンチレータ層3でのクラックの発生を抑制することができる。
シンチレータパネル1では、複数の柱状結晶30が含む複数の第1端部31の間の領域Rに中間層4の一部が配置されていることで、支持基板2とシンチレータ層3との密着性も向上し、支持基板2の外縁でのシンチレータ層3の浮き等も抑制される。
シンチレータパネル1では、中間層4の一部が、複数の第1端部31の間の領域Rの全体に配置されている。これにより、シンチレータ層3でのクラックの発生を確実に抑制することができる。
シンチレータパネル1では、支持基板2とシンチレータ層3との間の距離をDとすると、中間層4の一部が、複数の第1端部31が有する複数の先端31aからD以上進んだ位置に達している。これにより、シンチレータ層3でのクラックの発生をより確実に抑制することができる。
シンチレータパネル1では、シンチレータ層3の厚さをTとすると、中間層4の一部が、複数の第1端部31が有する複数の先端31aから0.2T以上進んだ位置に達している。これにより、シンチレータ層3でのクラックの発生をより確実に抑制することができる。
シンチレータパネル1では、中間層4が、複数の第1端部31のそれぞれの表面に沿って形成された金属層41と、複数の第1端部31の間の領域Rに金属層41を介して配置された有機層42と、を含んでおり、金属層41が、光反射機能又は光吸収機能を有している。これにより、光反射機能又は光吸収機能を発揮し且つシンチレータ層3でのクラックの発生を抑制し得る中間層4を実現することができる。なお、各第1端部31の表面に金属層41が直接形成される場合には、複数の柱状結晶30の一部に異常成長が発生したとしても、シンチレータ層3と金属層41との間に空洞が形成されにくくなる。
シンチレータパネル1では、方向Aから見た場合に、支持基板2の外縁、シンチレータ層3の外縁、及び中間層4の外縁が一致している。これにより、支持基板2の外縁において、シンチレータ層3が存在しない領域をなくすことができる。つまり、その領域の分だけ、シンチレータ層3の面積を増大させることができる。換言すれば、その領域の分だけ、支持基板2の面積を減少させることができる。
シンチレータパネル1では、複数の第2端部32が互いに繋がっている。これにより、シンチレータ層3でのクラックの発生をより確実に抑制することができる。
シンチレータパネル1では、支持基板2、シンチレータ層3及び中間層4が保護層5によって覆われている。これにより、潮解性を有する複数の柱状結晶30を保護することができる。
シンチレータパネル1では、シンチレータ層3に対して支持基板2とは反対側に接着層12が配置されている。これにより、センサパネル11の受光面11aにシンチレータパネル1を容易に且つ確実に接着することができる。
シンチレータパネル1では、シンチレータ層3の厚さをTとすると、支持基板2の厚さが0.2T以上である。これにより、例えばシンチレータパネル1のハンドリングの際に、シンチレータパネル1の一部に局所的な外力が作用することに起因してシンチレータ層3にクラックが発生するのを抑制することができる。
放射線検出器10では、センサパネル11の受光面11aとシンチレータパネル1との接触が適切化されている。具体例として、受光面11aとシンチレータパネル1との間に、空洞が形成されたり、異物が侵入したりしにくい。よって、放射線検出器10によれば、適切な放射線画像を取得することができる。例えば、金属層41が光反射機能を有している場合には、高輝度の放射線画像を取得することができ、金属層41が光吸収機能を有している場合には、高解像度の放射線画像を取得することができる。
シンチレータパネル1の製造方法によれば、センサパネル11の受光面11aとの接触が適切化され且つシンチレータ層3でのクラックの発生が抑制されたシンチレータパネル1を得ることができる。なお、中間層4によってシンチレータ層3と支持基板2と密着性が高くなっているのに対して、複数の第2端部32のそれぞれが平面に沿った端面32aを有することでシンチレータ層3と補助基板13と密着性が低くなっているため、シンチレータ層3から補助基板13を容易に且つ確実に剥離することができる。
シンチレータパネル1の製造方法では、補助基板13、シンチレータ層3、中間層4及び支持基板2が方向Aに切断される。これにより、補助基板13によってシンチレータ層3、中間層4及び支持基板2が支持された安定した状態で、補助基板13、シンチレータ層3、中間層4及び支持基板2を一括で切断することができる。
放射線検出器10の製造方法によれば、センサパネル11の受光面11aとの接触が適切化され且つシンチレータ層3でのクラックの発生が抑制されたシンチレータパネル1を備える放射線検出器10を得ることができる。
図7は、比較例1,2及び実施例1,2のシンチレータパネルの特性を示す表である。比較例1のシンチレータパネルは、支持基板と、蒸着法によって支持基板に直接形成されたシンチレータ層と、シンチレータ層が含む複数の柱状結晶の複数の先端部を覆うパリレン層と、を備え、当該パリレン層がセンサパネルの受光面に接着層を介して配置されたものである。比較例2のシンチレータパネルは、支持基板と、蒸着法によって支持基板に直接形成されたシンチレータ層と、を備え、シンチレータ層が含む複数の柱状結晶の複数の先端部がセンサパネルの受光面に接着層を介して配置されたものである。実施例1のシンチレータパネルは、支持基板と、複数の柱状結晶の複数の先端部(第1端部)が支持基板側に位置するように配置されたシンチレータ層と、支持基板とシンチレータ層との間に配置されたパリレン層(中間層)と、を備え、複数の柱状結晶の複数の根元部(第2端部)がセンサパネルの受光面に直接配置されたものである。実施例2のシンチレータパネルは、支持基板と、複数の柱状結晶の複数の先端部(第1端部)が支持基板側に位置するように配置されたシンチレータ層と、支持基板とシンチレータ層との間に配置されたパリレン層(中間層)と、を備え、複数の柱状結晶の複数の根元部(第2端部)がセンサパネルの受光面に接着層を介して配置されたものである。
図7に示されるように、実施例1,2のシンチレータパネルによって得られたMTF(周波数3L/mmでの解像度特性)は、比較例1,2のシンチレータパネルによって得られたMTFよりも1に近い値となった。このことから、実施例1,2のシンチレータパネルのほうが、比較例1,2のシンチレータパネルよりも、高解像度の放射線画像を取得することができることが分かった。また、実施例1,2のシンチレータパネルによって得られたLOP(光出力(輝度)特性)は、比較例1,2のシンチレータパネルによって得られたLOPよりも大きい値となった。このことから、実施例1,2のシンチレータパネルのほうが、比較例1,2のシンチレータパネルよりも、高輝度の放射線画像を取得することができることが分かった。
[変形例]
[変形例]
本発明は、上述した実施形態に限定されない。例えば、シンチレータパネル1において、中間層4の一部は、少なくとも複数の第1端部31の間の領域Rに配置されていればよい。更に、シンチレータパネル1において、中間層4の一部は、領域Rの少なくとも一部に配置されていればよい。ここで、中間層4の変形性について、図8~図14を参照して説明する。
図8に示されるように、有機層42の一部は、複数の柱状結晶30の間において、複数の第2端部32に達していなくてもよい。図9の(a)及び(b)に示されるように、中間層4は、金属層41と、有機層42と、無機層44と、有機層45と、接着層43と、を含んでいてもよい。無機層44は、有機層42と接着層43との間に配置されており、防湿層として機能する。無機層44の材料は、例えば、Al、Cr、Ni、Ag、Ti、Cu、Au、SiO2、Al2O3、SiON、SiN等である。有機層45は、無機層44と接着層43との間に配置されている。有機層45の材料は、例えば、パリレン(ポリパラキシレン)である。この場合、支持基板2は、有機層21を含んでおり、無機層22を含んでいなくてもよい。また、有機層42の一部は、図9の(a)に示されるように、複数の柱状結晶30の間において、複数の第2端部32に達していてもよいし、図9の(b)に示されるように、複数の柱状結晶30の間において、複数の第2端部32に達していなくてもよい。
図10の(a)に示されるように、中間層4は、金属層41と、接着層43と、を含んでおり、有機層42を含んでいなくてもよい。この場合、接着層43の一部が、複数の第1端部31の間の領域Rに配置されている。図10の(b)に示されるように、有機層42の一部は、複数の第1端部31の間の領域Rのみに配置されていてもよい。
図11の(a)及び(b)に示されるように、中間層4は、有機層42と、接着層46と、有機層47と、接着層43と、を含んでおり、金属層41を含んでいなくてもよい。有機層47は、有機層42と接着層43との間に配置されており、光反射機能又は光吸収機能を有している。有機層47は、例えば、顔料を含むシートである。シートの材料は、例えば、PET、PEN、PI、PP、PE、PU、PMMA等である。有機層47が光反射機能を有する場合、顔料は、例えば、TiO2等である。有機層47が光吸収機能を有する場合、顔料は、例えば、C等である。有機層47の厚さは、例えば、30μm以上250μm以下である。接着層46は、有機層42と有機層47と間に配置されている。有機層47は、接着層46によって有機層42に接着されている。この場合、支持基板2は、図11の(a)に示されるように、接着層43によって有機層47に接着されていてもよいし、図11の(b)に示されるように、接着層43によって、有機層47上に形成された有機層48に接着されていてもよい。有機層48の材料は、例えば、パリレン(ポリパラキシレン)である。
図12の(a)及び(b)に示されるように、中間層4は、接着層46と、有機層47と、接着層43と、を含んでおり、金属層41と、有機層42と、を含んでいなくてもよい。図12の(a)に示される中間層4は、接着層46の一部が複数の第1端部31の間の領域Rに配置されている点で、図11の(a)に示される中間層4と相違している。図12の(b)に示される中間層4は、接着層46の一部が複数の第1端部31の間の領域Rに配置されている点で、図11の(b)に示される中間層4と相違している。
図13の(a)及び(b)に示されるように、中間層4は、有機層42と、有機層49、接着層43と、を含んでおり、金属層41を含んでいなくてもよい。有機層49は、有機層42と接着層43との間に配置されており、光反射機能又は光吸収機能を有している。有機層49は、例えば、顔料を含む塗装膜である。塗装膜の材料は、例えば、エポキシ、シリコーン、フッ素、ウレタン、アクリル等である。有機層49が光反射機能を有する場合、顔料は、例えば、TiO2等である。有機層49が光吸収機能を有する場合、顔料は、例えば、C等である。有機層49の厚さは、例えば、5μm以上250μm以下である。この場合、支持基板2は、図13の(a)に示されるように、接着層43によって有機層49に接着されていてもよいし、図13の(b)に示されるように、接着層43によって、有機層49上に形成された有機層48に接着されていてもよい。
図14の(a)及び(b)に示されるように、中間層4は、有機層49、接着層43と、を含んでおり、金属層41と、有機層42と、を含んでいなくてもよい。図14の(a)に示される中間層4は、有機層49の一部が複数の第1端部31の間の領域Rに配置されている点で、図13の(a)に示される中間層4と相違している。図14の(b)に示される中間層4は、有機層49の一部が複数の第1端部31の間の領域Rに配置されている点で、図13の(b)に示される中間層4と相違している。これの場合にも、光反射機能又は光吸収機能を発揮し且つシンチレータ層3でのクラックの発生を抑制し得る中間層4を実現することができる。
また、シンチレータパネル1において、光反射機能又は光吸収機能を有する層を中間層4が含んでおらず、光反射機能又は光吸収機能を有する層を支持基板2が含んでいてもよい。また、シンチレータ層3において、複数の第2端部32は、互いに繋がっていなくてもよい。また、保護層5は、図15に示されるように、シンチレータ層3における支持基板2とは反対側の表面を覆っていなくてもよい。この場合、接着層12が、シンチレータパネル1の一部として、シンチレータ層3における支持基板2とは反対側の表面に直接形成されていてもよい。また、シンチレータパネル1では、方向Aから見た場合に、支持基板2の外縁の少なくとも一部、シンチレータ層3の外縁の少なくとも一部、及び中間層4の外縁の少なくとも一部が一致していればよい。
また、放射線検出器10は、図16に示されるように、封止部材14を備えていてもよい。封止部材14は、センサパネル11の表面のうち受光面11aを包囲する領域において、枠状に延在しており、シンチレータパネル1の側面を覆っている。封止部材14の材料は、例えば、エポキシ、シリコーン、フッ素、ウレタン、アクリル等である。封止部材14の材料は、ガラス等の無機材料からなるフィラー材を含んでいてもよい。フィラー材の材料は、封止部材7の主たる材料の防湿性よりも高い防湿性を有していればよく、例えば、SiO2、Al2O3、TiO2等である。
また、放射線検出器10では、図17の(a)及び(b)に示されるように、センサパネル11とシンチレータパネル1との間に接着層12が配置されておらず、例えば、スポンジ等の弾性部材15と共にセンサパネル11及びシンチレータパネル1が筐体(図示省略)内に配置されることで、センサパネル11とシンチレータパネル1との接触状態が維持されていてもよい。また、放射線検出器10では、センサパネル11とシンチレータパネル1との間に、ファイバオプティックプレート等の他の部材が配置されていてもよい。
また、シンチレータパネル1の製造方法の第5ステップでは、少なくともシンチレータ層3、中間層4及び支持基板2が方向Aに切断されればよい。つまり、当該第5ステップにおいて、補助基板13は、切断されなくてもよい。その場合にも、補助基板13によってシンチレータ層3、中間層4及び支持基板2が支持された安定した状態で、シンチレータ層3、中間層4及び支持基板2を一括で切断することができる。なお、当該第5ステップでは、補助基板13が完全に切断されなければ、補助基板13に切り込みが入ってもよい。
また、シンチレータパネル1の製造方法では、シンチレータ層3から補助基板13が除去された第4ステップの後に、シンチレータ層3、中間層4及び支持基板2が方向Aに更に切断されてもよい(第6ステップ)。その場合、シンチレータ層3、中間層4及び支持基板2を所定サイズに容易に且つ確実に切断することができる。また、シンチレータパネル1の製造方法では、シンチレータ層3から補助基板13が除去される第4ステップの前に、シンチレータ層3、中間層4及び支持基板2が切断されず、シンチレータ層3から補助基板13が除去された第4ステップの後に、シンチレータ層3、中間層4及び支持基板2が切断されてもよい。
1…シンチレータパネル、2…支持基板、3…シンチレータ層、4…中間層、5…保護層、10…放射線検出器、11…センサパネル、11a…受光面、12…接着層、13…補助基板、30…柱状結晶、31…第1端部、31a…先端、32…第2端部、32a…端面、41…金属層、42,49…有機層、R…領域。
Claims (17)
- 可撓性を有する支持基板と、
複数の柱状結晶を含むシンチレータ層と、
前記支持基板と前記シンチレータ層との間に配置された中間層と、を備え、
前記複数の柱状結晶は、前記支持基板側の複数の第1端部と、前記支持基板とは反対側の複数の第2端部と、を含み、
前記複数の第1端部のそれぞれは、前記支持基板側に向かって細くなっており、
前記複数の第2端部のそれぞれは、平面に沿った端面を有し、
前記中間層の一部は、少なくとも前記複数の第1端部の間の領域に配置されている、シンチレータパネル。 - 前記中間層の一部は、少なくとも前記複数の第1端部の間の前記領域の全体に配置されている、請求項1に記載のシンチレータパネル。
- 前記支持基板と前記シンチレータ層との間の距離をDとすると、前記中間層の前記一部は、前記複数の第1端部が有する複数の先端からD以上進んだ位置に達している、請求項1又は2に記載のシンチレータパネル。
- 前記シンチレータ層の厚さをTとすると、前記中間層の前記一部は、前記複数の第1端部が有する複数の先端から0.2T以上進んだ位置に達している、請求項1~3のいずれか一項に記載のシンチレータパネル。
- 前記中間層は、
前記複数の第1端部のそれぞれの表面に沿って形成された金属層と、
少なくとも前記複数の第1端部の間の前記領域に前記金属層を介して配置された有機層と、を含み、
前記金属層は、光反射機能又は光吸収機能を有する、請求項1~4のいずれか一項に記載のシンチレータパネル。 - 前記中間層は、少なくとも前記複数の第1端部の間の前記領域に配置された有機層を含み、
前記有機層は、光反射機能又は光吸収機能を有する、請求項1~4のいずれか一項に記載のシンチレータパネル。 - 前記支持基板の厚さ方向から見た場合に、前記支持基板の外縁の少なくとも一部、前記シンチレータ層の外縁の少なくとも一部、及び前記中間層の外縁の少なくとも一部は、一致している、請求項1~6のいずれか一項に記載のシンチレータパネル。
- 前記複数の第2端部は、互いに繋がっている、請求項1~7のいずれか一項に記載のシンチレータパネル。
- 前記支持基板、前記シンチレータ層及び前記中間層を覆っている保護層を更に備える、請求項1~8のいずれか一項に記載のシンチレータパネル。
- 前記シンチレータ層に対して前記支持基板とは反対側に配置された接着層を更に備える、請求項1~9のいずれか一項に記載のシンチレータパネル。
- 前記シンチレータ層の厚さをTとすると、前記支持基板の厚さは、0.2T以上である、請求項1~10のいずれか一項に記載のシンチレータパネル。
- 請求項1~11のいずれか一項に記載のシンチレータパネルと、
受光面を有するセンサパネルと、を備え、
前記シンチレータパネルは、前記シンチレータ層が前記支持基板に対して前記センサパネル側に位置した状態で、前記受光面上に配置されている、放射線検出器。 - 請求項1~11のいずれか一項に記載のシンチレータパネルの製造方法であって、
気相堆積法によって補助基板上に前記シンチレータ層を形成する第1ステップと、
前記第1ステップの後に、前記中間層の一部が少なくとも前記第1端部の間の前記領域に配置されるように、前記シンチレータ層上に前記中間層を形成する第2ステップと、
前記第2ステップの後に、前記中間層上に前記支持基板を形成する第3ステップと、
前記第3ステップの後に、前記シンチレータ層から前記補助基板を除去する第4ステップと、を備える、シンチレータパネルの製造方法。 - 前記第3ステップの後であって前記第4ステップの前に、少なくとも前記シンチレータ層、前記中間層及び前記支持基板を、前記支持基板の厚さ方向に切断する第5ステップを更に備える、請求項13に記載のシンチレータパネルの製造方法。
- 前記第5ステップにおいては、前記シンチレータ層、前記中間層及び前記支持基板と共に前記補助基板を、前記支持基板の厚さ方向に切断する、請求項14に記載のシンチレータパネルの製造方法。
- 前記第4ステップの後に、前記シンチレータ層、前記中間層及び前記支持基板を、前記支持基板の厚さ方向に切断する第6ステップを更に備える、請求項13~15のいずれか一項に記載のシンチレータパネルの製造方法。
- 請求項12に記載の放射線検出器の製造方法であって、
前記シンチレータパネル及び前記センサパネルを用意する第1ステップと、
前記第1ステップの後に、前記支持基板が前記シンチレータ層に対して前記センサパネルとは反対側に位置するように、前記受光面上に前記シンチレータパネルを配置する第2ステップと、を備える、放射線検出器の製造方法。
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WO2023181473A1 (ja) | 2023-09-28 |
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