JP2023116535A - 光伝導素子及び計測装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】光伝導層を挟み込む一対の電極の間の間隔を適切に設定する。【解決手段】光伝導素子110は、表面112aに励起光LB1が入射する光伝導層112と、励起光の入射方向Zに交わる所定方向Xに沿って光伝導層を挟み込む一対の電極113-3、114-3とを備え、一対の電極の夫々の入射方向に交わる平面上での形状は、光伝導層内を透過する励起光の光路の外縁に沿って分布する円弧形状である。【選択図】図3
Description
本発明は、例えばテラヘルツ波等の電磁波を出射又は検出可能な光伝導素子の技術分野に関する。
試料の特性を計測するための計測装置として、テラヘルツ波計測装置が知られている。テラヘルツ波計測装置は、以下の手順で、試料の特性を計測する。まず、超短パルスレーザ光(例えば、フェムト秒パルスレーザ光)を分岐することで得られる一のレーザ光であるポンプ光(言い換えれば、励起光)が、バイアス電圧が印加されているテラヘルツ波発生素子に照射される。その結果、テラヘルツ波発生素子は、テラヘルツ波を出射する。テラヘルツ波発生素子が出射したテラヘルツ波は、試料に照射される。試料に照射されたテラヘルツ波は、試料によって反射される又は試料を透過する。試料によって反射された又は試料を透過したテラヘルツ波は、超短パルスレーザ光を分岐することで得られる他のレーザ光であって且つポンプ光に対する光学的な遅延(つまり、光路長差)が付与されたプローブ光(言い換えれば、励起光)が照射されているテラヘルツ波検出素子に照射される。その結果、テラヘルツ波検出素子は、試料によって反射された又は試料を透過したテラヘルツ波を検出する。テラヘルツ波計測装置は、当該検出したテラヘルツ波(つまり、時間領域のテラヘルツ波であり、電流信号)を解析することで、試料の特性を計測する。
テラヘルツ波発生素子及びテラヘルツ検出素子の一例として、基板と、基板上に形成され且つギャップ部で離隔したアンテナを成すように配置された一対の電極層と、ギャップ部に形成された光伝導層とを備える光伝導素子がある(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1に記載された光伝導素子では、光伝導層は、一対の電極層のうちギャップ部に向かって延びる一対の電極部の間(つまり、一対の電極部の間のギャップ部)に形成されている。更に、光伝導層の側面は、一対の電極部の側面と電気的に接続されている。
ここで、特許文献1に記載された光伝導素子では、光伝導層を挟み込む一対の電極部の間の間隔(励起光の入射方向又は伝搬方向に交わる所定方向に沿った幅)は、光伝導層の高さ方向(つまり、励起光の入射方向又は伝搬方向)に沿った位置に関わらず、常に一定である。一方で、光伝導層に照射される励起光のビーム径(つまり、励起光の入射方向又は伝搬方向に交わる所定方向に沿った、励起光の光路の広がりの幅)は、光伝導層の高さ方向に沿った位置に応じて変動する。このため、励起光のビーム径の変動を考慮して一対の電極部の形状を選択する(例えば、一対の電極部の間の間隔を適切な間隔に設定する)ことで、光伝導素子の性能を改善する(例えば、S/N比を向上させる)余地があると推定される。
尚、テラヘルツ波とは異なる電磁波を用いて試料の特性を計測する任意の計測装置においても、当該計測装置が光伝導素子を備えている限りは、上述した技術的問題が生ずる。
本発明が解決しようとする課題には上記のようなものが一例として挙げられる。本発明は、光伝導層を挟み込む一対の電極の間の間隔が適切に設定されている光伝導素子を提供することを課題とする。
本発明の光伝導素子の第1の例は、表面に励起光が入射する光伝導層と、前記励起光の入射方向に交わる所定方向に沿って前記光伝導層を挟み込む一対の電極とを備え、前記一対の電極の夫々の前記入射方向に交わる平面上での形状は、前記光伝導層内を透過する前記励起光の光路の外縁に沿って分布する円弧形状である。
以下、光伝導素子及び計測装置の実施形態について説明を進める。
(光伝導素子の第1実施形態)
<1>
本実施形態の光伝導素子は、表面に励起光が入射する光伝導層と、前記励起光の入射方向に交わる所定方向に沿って前記光伝導層を挟み込む一対の電極とを備え、前記所定方向に沿った前記一対の電極の間隔は、前記表面と前記入射方向に沿って前記表面に対向する前記光伝導層の裏面との間の領域のうち前記表面及び前記裏面が位置する端部位置とは異なる所定位置において最小になる。
<1>
本実施形態の光伝導素子は、表面に励起光が入射する光伝導層と、前記励起光の入射方向に交わる所定方向に沿って前記光伝導層を挟み込む一対の電極とを備え、前記所定方向に沿った前記一対の電極の間隔は、前記表面と前記入射方向に沿って前記表面に対向する前記光伝導層の裏面との間の領域のうち前記表面及び前記裏面が位置する端部位置とは異なる所定位置において最小になる。
本実施形態の光伝導素子によれば、光伝導層を挟み込む一対の電極の間隔が適切に設定される。その結果、光伝導素子の性能(例えば、テラヘルツ波等の電磁波の発生効率又は検出効率)が向上する。
<2>
本実施形態の光伝導素子の他の態様では、前記所定位置は、前記光伝導層内を透過する前記励起光の前記所定方向に沿ったビーム径が最小となる位置である。
本実施形態の光伝導素子の他の態様では、前記所定位置は、前記光伝導層内を透過する前記励起光の前記所定方向に沿ったビーム径が最小となる位置である。
この態様によれば、光伝導層に照射される励起光の伝搬態様に基づいて、光伝導層を挟み込む一対の電極の間隔が適切に設定される。
<3>
上述の如く所定位置が励起光のビーム径が最小となる位置である光伝導素子の他の態様では、前記一対の電極の間隔の前記入射方向に沿った変化傾向は、前記ビーム径の前記入射方向に沿った変化傾向と同一である。
上述の如く所定位置が励起光のビーム径が最小となる位置である光伝導素子の他の態様では、前記一対の電極の間隔の前記入射方向に沿った変化傾向は、前記ビーム径の前記入射方向に沿った変化傾向と同一である。
この態様によれば、光伝導層に照射される励起光の伝搬態様に基づいて、光伝導層を挟み込む一対の電極の間隔が適切に設定される。
<4>
本実施形態の光伝導素子の他の態様では、前記一対の電極の夫々は、前記光伝導層と接触する接触面を含み、前記所定方向に沿った前記一対の電極の間隔は、前記所定方向に沿った一対の前記接触面の間隔である。
本実施形態の光伝導素子の他の態様では、前記一対の電極の夫々は、前記光伝導層と接触する接触面を含み、前記所定方向に沿った前記一対の電極の間隔は、前記所定方向に沿った一対の前記接触面の間隔である。
この態様によれば、光伝導層を挟み込む一対の電極の間隔に相当する一対の接触面の間隔が適切に設定される。
<5>
上述の如く一対の電極の夫々が接触面を備える光伝導素子の他の態様では、前記接触面は、前記光伝導層内を透過する前記励起光の光路の外縁に沿って分布する形状を有している。
上述の如く一対の電極の夫々が接触面を備える光伝導素子の他の態様では、前記接触面は、前記光伝導層内を透過する前記励起光の光路の外縁に沿って分布する形状を有している。
この態様によれば、光伝導層に照射される励起光の伝搬態様に基づいて、光伝導層を挟み込む一対の電極の形状が適切に設定される。
<6>
本実施形態の光伝導素子の他の態様では、前記一対の電極の夫々の前記入射方向に交わる平面上での形状は、前記光伝導層内を透過する前記励起光の光路の外縁に沿って分布する円弧形状である。
本実施形態の光伝導素子の他の態様では、前記一対の電極の夫々の前記入射方向に交わる平面上での形状は、前記光伝導層内を透過する前記励起光の光路の外縁に沿って分布する円弧形状である。
この態様によれば、光伝導層に照射される励起光の伝搬態様に基づいて、光伝導層を挟み込む一対の電極の形状が適切に設定される。
<7>
本実施形態の光伝導素子の他の態様では、前記一対の電極の一方は、前記所定位置において前記所定方向に沿った前記一対の電極の間隔が最小になるように、少なくとも部分的に前記一対の電極の他方に向かって突き出している。
本実施形態の光伝導素子の他の態様では、前記一対の電極の一方は、前記所定位置において前記所定方向に沿った前記一対の電極の間隔が最小になるように、少なくとも部分的に前記一対の電極の他方に向かって突き出している。
この態様によれば、一方の電極のうち他方の電極に向かって突き出す部分の形成が最小限に抑えられれば、一対の電極の間の寄生容量を小さくすることができる。
<8>
本実施形態の光伝導素子の他の態様では、前記入射方向に交わる平面内において、前記一対の電極のうち所定強度以上の前記励起光の光路を前記所定方向に沿って挟み込む一対の第1部分の前記所定方向に沿った間隔は、前記一対の電極のうち前記所定強度以上の前記励起光の光路を前記所定方向に沿って挟み込まない一対の第2部分の前記所定方向に沿った間隔よりも小さい。
本実施形態の光伝導素子の他の態様では、前記入射方向に交わる平面内において、前記一対の電極のうち所定強度以上の前記励起光の光路を前記所定方向に沿って挟み込む一対の第1部分の前記所定方向に沿った間隔は、前記一対の電極のうち前記所定強度以上の前記励起光の光路を前記所定方向に沿って挟み込まない一対の第2部分の前記所定方向に沿った間隔よりも小さい。
この態様によれば、一対の第2部分の間隔を不必要に狭くしてしまうことがないがゆえに、入射方向に交わる平面内において一対の電極の間隔が一定である場合と比較して、一対の電極の間の寄生容量を小さくすることができる。
<9>
本実施形態の光伝導素子の他の態様では、前記一対の電極は、前記励起光の光路の外側に形成されている。
本実施形態の光伝導素子の他の態様では、前記一対の電極は、前記励起光の光路の外側に形成されている。
この態様によれば、励起光の伝搬が一対の電極によって阻害されることはない。
(計測装置の実施形態)
<10>
本実施形態の計測装置は、試料に電磁波を照射する照射手段と、前記試料に照射された前記電磁波を検出する検出手段とを備え、照射出射手段及び前記検出手段のうちの少なくとも一方は、上述した本実施形態の光伝導素子(但し、その各種態様を含む)を含む。
<10>
本実施形態の計測装置は、試料に電磁波を照射する照射手段と、前記試料に照射された前記電磁波を検出する検出手段とを備え、照射出射手段及び前記検出手段のうちの少なくとも一方は、上述した本実施形態の光伝導素子(但し、その各種態様を含む)を含む。
本実施形態の計測装置によれば、上述した本実施形態の光伝導素子が享受することが可能な効果と同様の効果を好適に享受することができる。
<11>
本実施形態の計測装置の他の態様では、前記電磁波は、テラヘルツ波を含む。
本実施形態の計測装置の他の態様では、前記電磁波は、テラヘルツ波を含む。
この態様によれば、計測装置は、テラヘルツ波を用いて試料の特性を計測するテラヘルツ波計測装置として動作することができる。このようなテラヘルツ波計測装置として動作する計測装置もまた、上述した本実施形態の光伝導素子が享受することが可能な効果と同様の効果を好適に享受することができる。
本実施形態の光伝導素子及び計測装置の作用及び他の利得については、以下に示す実施例において、より詳細に説明する。
以上説明したように、本実施形態の光伝導素子では、一対の電極の間隔は、光伝導層の表面及び裏面が位置する端部位置とは異なる所定位置において最小になる。本実施形態の計測装置は、本実施形態の光伝導素子を備える。従って、励起光のビーム径に応じた適切な形状を有する光伝導素子、及び、このような光伝導素子を備える計測装置が提供される。
以下、図面を参照しながら、光伝導素子及び計測装置の実施例について説明する。特に、以下では、夫々が「光伝導素子」の一具体例であるテラヘルツ波発生素子110及びテラヘルツ波検出素子130を備え且つ「計測装置」の一具体例であるテラヘルツ波計測装置100を用いて説明を進める。
(1)テラヘルツ波計測装置100の構成
初めに、図1を参照しながら、本実施例のテラヘルツ波計測装置100の構成について説明する。図1は、本実施例のテラヘルツ波計測装置100の構成を示すブロック図である。
初めに、図1を参照しながら、本実施例のテラヘルツ波計測装置100の構成について説明する。図1は、本実施例のテラヘルツ波計測装置100の構成を示すブロック図である。
図1に示すように、テラヘルツ波計測装置100は、テラヘルツ波THzを試料10に照射すると共に、試料10を透過した又は試料10が反射したテラヘルツ波THz(つまり、試料10に照射されたテラヘルツ波THz)を検出する。尚、図1に示す例では、テラヘルツ波計測装置100は、試料10が反射したテラヘルツ波THzを検出している。
テラヘルツ波THzは、1テラヘルツ(1THz=1012Hz)前後の周波数領域(つまり、テラヘルツ領域)に属する電磁波成分を含む電磁波である。テラヘルツ領域は、光の直進性と電磁波の透過性を兼ね備えた周波数領域である。テラヘルツ領域は、様々な物質が固有の吸収スペクトルを有する周波数領域である。従って、テラヘルツ波計測装置100は、試料10に照射されたテラヘルツ波THzを解析することで、試料10の特性を計測することができる。
ここで、テラヘルツ波THzの周期は、サブピコ秒のオーダーの周期であるがゆえに、当該テラヘルツ波THzの波形を直接的に検出することが技術的に困難である。そこで、テラヘルツ波計測装置100は、時間遅延走査に基づくポンプ・プローブ法を採用することで、テラヘルツ波THzの波形を間接的に検出する。以下、このようなポンプ・プローブ法を採用するテラヘルツ波計測装置100についてより具体的に説明を進める。
図1に示すように、テラヘルツ波計測装置100は、パルスレーザ装置101と、「照射手段」の一具体例であるテラヘルツ波発生素子110と、ビームスプリッタ161と、反射鏡162と、反射鏡163と、ハーフミラー164と、光学遅延機構120と、「検出手段」の一具体例であるテラヘルツ波検出素子130と、バイアス電圧生成部141と、I-V(電流-電圧)変換部142と、制御部150とを備えている。
パルスレーザ装置101は、当該パルスレーザ装置101に入力される駆動電流に応じた光強度を有するサブピコ秒オーダー又はフェムト秒オーダーのパルスレーザ光LBを生成する。パルスレーザ装置101が生成したパルスレーザ光LBは、不図示の導光路(例えば、光ファイバ等)を介して、ビームスプリッタ161に入射する。
ビームスプリッタ161は、パルスレーザ光LBを、夫々が「励起光」の一具体例であるポンプ光LB1とプローブ光LB2とに分岐する。ポンプ光LB1は、不図示の導光路を介して、テラヘルツ波発生素子110に入射する。一方で、プローブ光LB2は、不図示の導光路及び反射鏡162を介して、光学遅延機構120に入射する。その後、光学遅延機構120から出射したプローブ光LB2は、反射鏡163及び不図示の導光路を介して、テラヘルツ波検出素子130に入射する。
テラヘルツ波発生素子110は、テラヘルツ波THzを出射する。具体的には、テラヘルツ波発生素子110が備えるギャップ部115(図2等参照)には、テラヘルツ波発生素子110が備える電極層113及び114(図2等参照)を介して、バイアス電圧生成部141が生成したバイアス電圧が印加されている。有効なバイアス電圧(例えば、0Vでないバイアス電圧)がギャップ部115に印加されている状態でポンプ光LB1がギャップ部115に照射されると、ギャップ部115に形成されている光伝導層112(図2等参照)にポンプ光LB1が照射される。この場合、ポンプ光LB1が照射された光伝導層112には、ポンプ光LB1による光励起によってキャリアが発生する。その結果、テラヘルツ波発生素子110には、発生したキャリアに応じたサブピコ秒オーダーの又はフェムト秒オーダーのパルス状の電流信号が発生する。発生した電流信号は、電極層113及び114に流れる。その結果、テラヘルツ波発生素子110は、当該パルス状の電流信号に起因したテラヘルツ波THzを出射する。
テラヘルツ波発生素子110から出射したテラヘルツ波THzは、ハーフミラー164を透過する。その結果、ハーフミラー164を透過したテラヘルツ波THzは、試料10に照射される。試料10に照射されたテラヘルツ波THzは、試料10によって反射される。試料10によって反射されたテラヘルツ波THzは、ハーフミラー164によって反射される。ハーフミラー164によって反射されたテラヘルツ波THzは、テラヘルツ波検出素子130に入射する。
テラヘルツ波検出素子130は、テラヘルツ波検出素子130に入射するテラヘルツ波THzを検出する。具体的には、テラヘルツ波検出素子130が備えるギャップ部115(図2等参照)にプローブ光LB2が照射されると、ギャップ部115に形成されている光伝導層112(図2等参照)にプローブ光LB2が照射される。この場合、プローブ光LB2が照射された光伝導層112には、プローブ光LB2による光励起によってキャリアが発生する。その結果、キャリアに応じた電流信号が、テラヘルツ波検出素子130が備える電極層113及び114(図2等参照)に流れる。プローブ光LB2がギャップ部115に照射されている状態でテラヘルツ波検出素子130にテラヘルツ波THzが照射されると、電極層113及び114に流れる電流信号の信号強度は、テラヘルツ波THzの光強度に応じて変化する。テラヘルツ波THzの光強度に応じて信号強度が変化する電流信号は、電極層113及び114を介して、I-V変換部142に出力される。
光学遅延機構120は、ポンプ光LB1の光路長とプローブ光LB2の光路長との間の差分(つまり、光路長差)を調整する。具体的には、光学遅延機構120は、プローブ光LB2の光路長を調整することで、光路長差を調整する。光路長差が調整されると、ポンプ光LB1がテラヘルツ波発生素子110に入射するタイミング(或いは、テラヘルツ波発生素子110がテラヘルツ波THzを出射するタイミング)と、プローブ光LB2がテラヘルツ波検出素子130に入射するタイミング(或いは、テラヘルツ波検出素子130がテラヘルツ波THzを検出するタイミング)との時間差が調整される。テラヘルツ波計測装置100は、この時間差を調整することで、テラヘルツ波THzの波形を間接的に検出する。例えば、光学遅延機構120によってプローブ光LB2の光路が0.3ミリメートル(但し、空気中での光路長)だけ長くなると、プローブ光LB2がテラヘルツ波検出素子130に入射するタイミングが1ピコ秒だけ遅くなる。この場合、テラヘルツ波検出素子130がテラヘルツ波THzを検出するタイミングが、1ピコ秒だけ遅くなる。テラヘルツ波検出素子130に対して同一の波形を有するテラヘルツ波THzが数十MHz程度の間隔で繰り返し入射することを考慮すれば、テラヘルツ波検出素子130がテラヘルツ波THzを検出するタイミングを徐々にずらすことで、テラヘルツ波検出素子130は、テラヘルツ波THzの波形を間接的に検出することができる。つまり、後述するロックイン検出部151は、テラヘルツ波検出素子130の検出結果に基づいて、テラヘルツ波THzの波形を検出することができる。
テラヘルツ波検出素子130から出力される電流信号は、I-V変換部142によって、電圧信号に変換される。
制御部150は、テラヘルツ波検出素子130の検出結果(つまり、I-V変換部142が出力する電圧信号)に基づいて、試料10の特性を計測する。試料10の特性を計測するために、制御部150は、ロックイン検出部151と、信号処理部152とを備えている。
ロックイン検出部151は、I-V変換部142から出力される電圧信号に対して、バイアス電圧生成部141が生成するバイアス電圧を参照信号とする同期検波を行う。その結果、ロックイン検出部151は、テラヘルツ波THzのサンプル値を検出する。その後、ポンプ光LB1の光路長とプローブ光LB2の光路長との間の差分(つまり、光路長差)を適宜調整しながら同様の動作が繰り返されることで、ロックイン検出部151は、テラヘルツ波検出素子130が検出したテラヘルツ波THzの波形(時間波形)を検出することができる。ロックイン検出部151は、テラヘルツ波検出素子130が検出したテラヘルツ波THzの波形を示す波形信号を、信号処理部152に対して出力する。
信号処理部152は、ロックイン検出部151から出力される波形信号に基づいて、試料10の特性を計測する。例えば、信号処理部152は、テラヘルツ時間領域分光法を用いてテラヘルツ波THzの周波数スペクトルを取得すると共に、当該周波数スペクトルに基づいて試料10の特性を計測する。
(2)テラヘルツ波発生素子110及びテラヘルツ波検出素子130の構成
続いて、テラヘルツ波発生素子110及びテラヘルツ波検出素子130の構成について説明する。尚、テラヘルツ波発生素子110の構成は、テラヘルツ波検出素子130の構成と同様である。従って、以下では、テラヘルツ波発生素子110の構成について説明する。但し、以下の説明は、テラヘルツ波検出素子130に対しても同様に適用可能である。更に、以下の説明では、互いに直交するX軸、Y軸及びZ軸によって定義される三次元座標空間を用いて、テラヘルツ波発生素子110を説明する。
続いて、テラヘルツ波発生素子110及びテラヘルツ波検出素子130の構成について説明する。尚、テラヘルツ波発生素子110の構成は、テラヘルツ波検出素子130の構成と同様である。従って、以下では、テラヘルツ波発生素子110の構成について説明する。但し、以下の説明は、テラヘルツ波検出素子130に対しても同様に適用可能である。更に、以下の説明では、互いに直交するX軸、Y軸及びZ軸によって定義される三次元座標空間を用いて、テラヘルツ波発生素子110を説明する。
(2-1)第1実施例のテラヘルツ波発生素子110-1の構成
はじめに、図2(a)及び図2(b)を参照しながら、第1実施例のテラヘルツ波発生素子110(以降、便宜上、“テラヘルツ波発生素子110-1”と称する)の構成について説明する。図2(a)は、第1実施例のテラヘルツ波発生素子110-1の上面を示す上面図である。図2(b)は、図2(a)に示すテラヘルツ波発生素子110-1のII-II’断面を示す断面図である。
はじめに、図2(a)及び図2(b)を参照しながら、第1実施例のテラヘルツ波発生素子110(以降、便宜上、“テラヘルツ波発生素子110-1”と称する)の構成について説明する。図2(a)は、第1実施例のテラヘルツ波発生素子110-1の上面を示す上面図である。図2(b)は、図2(a)に示すテラヘルツ波発生素子110-1のII-II’断面を示す断面図である。
図2(a)及び図2(b)に示すように、テラヘルツ波発生素子110-1は、基板111と、基板111の一方の表面(+Z軸方向側の表面)上に形成されている光伝導層112と、基板111の一方の表面上に形成されている一対の電極層(つまり、電極層113及び114)とを備えている。つまり、テラヘルツ波発生素子110-1は、基板111と光伝導層112並びに電極層113及び114とが、積層方向であるZ軸方向(つまり、基板111の表面に平行なXY平面に直交する方向)に沿って積層されている積層構造を有している。
基板111は、半導体基板である。例えば、基板111は、InP(リン化インジウム)基板、GaAs(ガリウム砒素)基板又はSi(シリコン)基板等であってもよい。基板111の形状は板状であるが、その他の形状であってもよい。
光伝導層112は、上述したポンプ光LB1が照射されることでキャリア(例えば、電子又は正孔)が発生する層である。光伝導層112は、例えば、GaAs、AlGaAs(アルミニウムガリウム砒素)、InGaP(リン化インジウムガリウム)、AlAs(砒化アルミニウム)、InP、InAlAs(砒化インジウムアルミニウム)、InGaAs(砒化インジウムガリウム)、GaAsSb(ガリウム砒素アンチモン)、InGaAsP(リン化インジウムガリウム砒素)、InAs(インジウム砒素)、InSb(アンチモン化インジウム)、及び、低温成長させた上記材料のうちの少なくとも一つから構成される。
電極層113及び114は、上述したバイアス電圧が印加される一対の電極層である。更に、電極層113及び114は、光伝導層112へのポンプ光LB1の照射に起因して発生したキャリアに応じた電流信号が流れる一対の電極層である。但し、電極層113及び114がテラヘルツ波検出素子130を構成する場合には、電極層113及び114は、光伝導層112へのプローブ光LB2の照射に起因して発生したキャリアに応じた電流信号であって且つテラヘルツ波検出素子130に照射されたテラヘルツ波THzの光強度に応じた電流信号が流れる一対の電極層である。電極層113及び114のうちの少なくとも一方は、透明電極材料(例えば、ITO、IZO、AZO、GZO及びIGZOのうちの少なくとも一つ)及び金属材料(例えば、Au、AuCr、AuGeNi及びAuSnのうちの少なくとも一つ)のうちの少なくとも一方から構成される。
電極層113は、物理的に一体化されている又は電気的に接続されている第1電極部113-1と第2電極部113-2と第3電極部113-3とを含む。第1電極部113-1は、Y軸方向に沿って延びる。第2電極部113-2は、第1電極部113-1の一部を起点に電極層114に向かって(つまり、-X軸方向に向かって)延びる。第3電極部113-3は、第2電極部113-2の-X軸側の側面に接すると共に基板111を起点に+Z軸方向に向かって(つまり、積層方向に沿って)延びる。電極層113の形状(XY平面上での形状)は、アルファベットの「T」となる。
第2電極部113-2は、アンテナとして機能し得る。例えば、第2電極部113-2は、いわゆるダイポールアンテナとして機能し得る。第1電極部113-1は、アンテナとして機能し得るとともに、アンテナとして機能し得る第2電極部113-2を介して電流信号が流れ込む伝送線路として機能し得る。例えば、第1電極部113-1は、いわゆる平行伝送線路として機能し得る。第3電極部113-3は、アンテナとして機能し得ると共に、光伝導層112から電流信号(つまり、ポンプ光LB1の励起によって発生したキャリア)を取り出す電極として機能し得る。但し、第1電極部113-1、第2電極部113-2及び第3電極部113-3は、その他の形状のアンテナ(例えば、いわゆるボウタイ型のアンテナ)として機能してもよい。
電極層114は、物理的に一体化されている又は電気的に接続されている第1電極部114-1と第2電極部114-2と第3電極部114-3とを含む。第1電極部114-1は、Y軸方向に沿って延びる。第2電極部114-2は、第1電極部114-1の一部を起点に電極層113に向かって(つまり、+X軸方向に向かって)延びる。第3電極部114-3は、第2電極部114-2の+X軸側の側面に接すると共に基板111を起点に+Z軸方向に向かって(つまり、積層方向に沿って)延びる。電極層114の形状(XY平面上での形状)は、アルファベットの「T」となる。
第2電極部114-2は、アンテナとして機能し得る。例えば、第2電極部114-2は、いわゆるダイポールアンテナとして機能し得る。第1電極部114-1は、アンテナとして機能し得るとともに、アンテナとして機能し得る第2電極部114-2を介して電流信号が流れ込む伝送線路として機能し得る。例えば、第1電極部114-1は、いわゆる平行伝送線路として機能し得る。第3電極部114-3は、アンテナとして機能し得ると共に、光伝導層112から電流信号(つまり、ポンプ光LB1の励起によって発生したキャリア)を取り出す電極として機能し得る。但し、第1電極部114-1、第2電極部114-2及び第3電極部114-3は、その他の形状のアンテナ(例えば、いわゆるボウタイ型のアンテナ)として機能してもよい。
第3電極部113-3と第3電極部114-3との間には、電極層113及び114が形成されないギャップ部115が確保される。ギャップ部115には、光伝導層112が形成されている。従って、第3電極部113-3及び114-3の夫々は、「所定方向」の一具体例であるX軸方向に沿って光伝導層112を挟み込む。第3電極部113-3の-X軸側の側面113-3aは、光伝導層112の+X軸側の側面112cに接する。第3電極部114-3の+X軸側の側面114-3aは、光伝導層112の-X軸側の側面112dに接する。尚、側面113-3a及び側面114-3aの夫々は、「接触面」の一具体例である。
図2に示す例では、光伝導層112のY軸方向に沿った幅は、第2電極部113-2及び114-2並びに第3電極部113-3及び114-3の夫々のY軸方向に沿った幅よりも大きい。つまり、光伝導層112は、第2電極部113-2及び114-2並びに第3電極部113-3及び114-3から見て、Y軸方向に沿って突き出している。この場合であっても、光伝導層112のうちY軸方向に沿って突き出している部分は、図2(a)の点線の丸印が示すポンプ光LB1が照射される領域から離れている。このため、光伝導層112のうちY軸方向に沿って突き出している部分が、テラヘルツ波発生素子110の動作に悪影響を与えることはない。但し、光伝導層112のY軸方向に沿った幅は、第2電極部113-2及び114-2並びに第3電極部113-3及び114-3の夫々のY軸方向に沿った幅と同一であってもよい。
光伝導層112の+Z軸側の表面112aには、ポンプ光LB1が照射される。具体的には、ビームスプリッタ161から出射したポンプ光LB1は、表面112aに向かうように(図2(b)に示す例では、「入射方向」の一具体例である-Z軸方向に向かって)空間中を伝搬する。表面112aに到達したポンプ光LB1は、光伝導層112の内部を-Z軸方向に向かって透過していく。ポンプ光LB1は、光伝導層112の内部の焦点位置においてポンプ光LB1のビーム径が最も小さくなる(つまり、集光される)ように、光伝導層112に照射される。つまり、ポンプ光LB1は、光伝導層112の内部の焦点位置に向かってビーム径を縮小させながら伝搬していき、焦点位置に到達した後にはビーム径を拡大させながら伝搬していく。尚、ここで言う「ポンプ光LB1のビーム径」とは、ポンプ光LB1の光路の、XY平面に平行な断面の径を意味する。
本実施例では、電極層113及び114は、光伝導層112の内部におけるポンプ光LB1の伝搬態様に応じた形状を有している。具体的には、第3電極部113-3及び114-3は、光伝導層112の内部におけるポンプ光LB1の伝搬態様に応じた形状を有している。
以下、図3を参照しながら、第3電極部113-3及び114-3の形状について更に説明する。図3は、図2(a)に示すテラヘルツ波発生素子110-1のII-II’断面のうち第3電極部113-3及び114-3並びに光伝導層112付近の断面を拡大した断面図である。
図3に示すように、第3電極部113-3と第3電極部114-3との間の間隔(つまり、X軸方向に沿った間隔であり、以降、“電極間隔”と称する)は、光伝導層112の内部におけるポンプ光LB1の伝搬態様に応じて定まる所定位置において最小となる。尚、電極間隔は、実質的には、側面113-3aと側面114-3aとの間のX軸方向に沿った間隔に相当する。言い換えれば、ポンプ光LB1の入射方向であるZ軸方向に沿った仮想的な直線上の位置のうち電極間隔が最小となる位置は、所定位置となる。更に言い換えれば、電極間隔のZ軸方向(つまり、テラヘルツ波THzの入射方向)に沿った分布態様は、所定位置において電極間隔が最小となるような分布態様となる。更に言い換えれば、XZ平面(つまり、ポンプ光LB1の入射方向(言い換えれば、光伝導層112内でのポンプ光LB1の伝搬方向)であるZ軸方向に沿っており且つ電極層113及び114が光伝導層を挟み込むX軸方向に沿った平面)に沿ったテラヘルツ波発生素子110の断面内において、電極間隔は、所定位置において最小となる。このため、XZ平面に沿ったテラヘルツ波発生素子110の断面内において、所定位置における電極間隔は、所定位置からZ軸方向にずれた他の位置における電極間隔よりも小さくなる。
電極間隔が最小となる所定位置は、表面112aと裏面112bとの間の領域のうち表面112a及び裏面112bが位置する端部位置とは異なる位置である。言い換えれば、所定位置は、Z軸方向に沿った仮想的な直線上の位置のうち端部位置とは異なる位置である。
より具体的には、所定位置は、光伝導層112内を透過するポンプ光LB1のビーム径(つまり、X軸方向の径)が最小となる焦点位置と一致する。但し、ここでいう「所定位置が焦点位置と一致する」状態は、所定位置が焦点距離と厳密に一致する状態のみならず、所定位置が焦点距離と実質的に一致しているとみなすことが可能な程度に所定位置と焦点位置との間にずれがある(つまり、Z軸方向に沿ってずれがある)状態をも含む。
図3に示す例では、電極間隔は、Z軸方向に沿って以下のように変化している。まず、電極間隔は、表面112aと焦点位置(つまり、所定位置、以下同じ)との間の領域においては、焦点位置までの距離が近い位置における電極間隔ほど小さくなるように変化する。つまり、表面112aと焦点位置との間の領域内のある位置での電極間隔は、当該ある位置が-Z軸方向に向かうにつれて連続的に減少していく。一方で、電極間隔は、裏面112bと焦点位置との間の領域においては、焦点位置までの距離が近い位置における電極間隔ほど小さくなるように変化する。つまり裏面112bと焦点位置との間の領域内のある位置での電極間隔は、当該ある位置が-Z軸方向に向かうにつれて連続的に増加していく。つまり、Z軸方向に沿った電極間隔の変化傾向は、Z軸方向に沿ったビーム径の変化傾向と同一である。このため、第3電極部113-3及び114-3の夫々は、実質的には、ポンプ光LB1の光路の外縁(特に、XZ平面に沿った光路のある断面の外縁)に沿って分布する形状を有しているとも言える。
但し、電極間隔は、図3に示す態様とは異なる態様で変化してもよい。つまり、電極間隔は、所定位置において最小となる限りは、どのように変化してもよい。例えば、表面112aと所定位置との間の領域内のある位置での電極間隔は、当該ある位置が-Z軸方向に向かうにつれて段階的に減少してもよい。例えば、裏面112bと所定位置との間の領域内のある位置での電極間隔は、当該ある位置が-Z軸方向に向かうにつれて段階的に増加してもよい。
第3電極部113-3及び114-3の夫々は、ポンプ光LB1の光路の外側に位置する。つまり、側面113-3a及び114-3aの夫々は、ポンプ光LB1の光路の内側に位置しない。従って、光伝導層112内において、ポンプ光LB1の伝搬が第3電極部113-3及び114-3によって阻害されることがない。
以上説明した構成を有するテラヘルツ波発生素子110-1は、以下のように製造される。まず、MBE(Molecular Beam Epitaxy:分子線エピタキシー)装置に、基板111がローディングされる。その後、基板111上に、0.1ミクロンから0.8ミクロン程度の厚みを有するバッファ層が形成される。例えば、GaAsから構成されるバッファ層が形成される場合には、バッファ層は、基板111の温度が概ね500度から600度程度となり、Ga分子線の強度に対するAs分子線の強度の比(以降、“GaAs供給比”と称する)が概ね5から30程度となり且つ1時間当たり1ミクロンの成膜速度が得られる環境下で形成されてもよい。
その後、公知の成膜法等を用いて、バッファ層が形成された基板111上に、1ミクロンから4ミクロン程度の厚みを有する光伝導層112が一様に形成される。例えば、InGaAsから構成される光伝導層112が形成される場合には、光伝導層112は、基板111の温度が概ね500度以下となり且つ1時間当たり1ミクロンの成膜速度が得られる環境下で形成されてもよい。例えば、GaAsから構成される光伝導層112が形成される場合には、光伝導層112は、基板111の温度が概ね400度以下となり、GaAs供給比が、バッファ層を形成したときに用いられたGaAs供給比以上となり且つ1時間当たり1ミクロンの成膜速度が得られる環境下で形成されてもよい。
その後、光伝導層112に対して、熱アニール処理が施されてもよい。例えば、光伝導層112がGaAsから構成される場合には、光伝導層112に対して、基板111の温度が概ね600度程度となる環境下で5分から10分程度熱アニール処理が施されてもよい。
その後、MBE装置から光伝導層112が形成された基板111を取り出して、公知のパターニング法(例えば、リソグラフィー技術及びエッチング技術を組み合わせたパターニング法)を用いて、基板111上に一様に形成された光伝導層112がパターニングされる。その結果、基板111上には、上述した図3に示す形状を有する光伝導層112が残る。但し、リソグラフィー技術及びエッチング技術に代えて、機械加工法を用いて、基板111上に一様に形成された光伝導層112がパターニングされてもよい。
その後、公知の成膜法(例えば、スパッタリング法や、真空蒸着法や、金属成長法や、スプレー法等)や公知のパターニング方法を用いて、基板上に、上述した電極層113及び114が形成される。その後、ダイシングが施される。その結果、テラヘルツ波発生素子110-1の製造が完了する。
以上説明した構成を有するテラヘルツ波発生素子110-1によれば、光伝導層112の表面112a及び裏面112bが位置する端部位置とは異なる所定位置において電極間隔が最小とならない後述する比較例のテラヘルツ波発生素子と比較して、テラヘルツ波発生素子110-1によるテラヘルツ波THzの発生効率が向上する。具体的には、比較例のテラヘルツ波発生素子と比較して、テラヘルツ波発生素子110-1が出射するテラヘルツ波THzのシグナル成分の信号レベルが大きくなる。その結果、比較例のテラヘルツ波発生素子と比較して、テラヘルツ波発生素子110-1のS/N比が良化する。つまり、テラヘルツ波THzの発生効率が向上する。
ここで、本願発明者等は、図4に示す4つの比較例のテラヘルツ波発生素子及び本実施例のテラヘルツ波発生素子110-1におけるテラヘルツ波THzの発生効率を、コンピュータ演算によってシミュレーションした。尚、第1比較例のテラヘルツ波発生素子は、電極間隔が一定であり且つ光伝導層112の内部においてポンプ光LB1のビーム径が最小となるテラヘルツ波発生素子である。第2比較例のテラヘルツ波発生素子は、電極間隔が一定であり且つ光伝導層112の表面112aにおいてポンプ光LB1のビーム径が最小となるテラヘルツ波発生素子である。第3比較例のテラヘルツ波発生素子は、光伝導層112の表面112aにおいてポンプ光LB1のビーム径が最小となり且つ表面112aから裏面112bに向かう方向に沿って電極間隔が徐々に広がるテラヘルツ波発生素子である。第4比較例のテラヘルツ波発生素子は、光伝導層112の裏面112bにおいてポンプ光LB1のビーム径が最小となり且つ表面112aから裏面112bに向かう方向に沿って電極間隔が徐々に狭くなるテラヘルツ波発生素子である。
シミュレーションの結果、本願発明者等は、本実施例のテラヘルツ波発生素子110-1のテラヘルツ波THzの発生効率は、第1比較例から第4比較例のいずれのテラヘルツ波発生素子の発生効率よりも良好であるという結果を得た。具体的には、本願発明者等は、本実施例のテラヘルツ波発生素子110-1にある強度のポンプ光LB1を照射することで生ずる電流信号の信号強度(つまり、電流値)を1とすると、第1比較例のテラヘルツ波発生素子に同じ強度のポンプ光LB1を照射することで生ずる電流信号の信号強度が0.83になるという結果を得た。本願発明者等は、第2比較例又は第3比較例のテラヘルツ波発生素子に同じ強度のポンプ光LB1を照射することで生ずる電流信号の信号強度が0.94になるという結果を得た。本願発明者等は、第4比較例のテラヘルツ波発生素子に同じ強度のポンプ光LB1を照射することで生ずる電流信号の信号強度が0.77になるという結果を得た。電流信号の信号強度が大きいほど、発生するテラヘルツ波THzの信号強度もまた大きくなる。従って、シミュレーションの結果は、本実施例のテラヘルツ波発生素子110-1のテラヘルツ波THzの発生効率が良好であることを示している。
ここで、電流信号の信号強度は、ポンプ光LB1の光励起によって生ずるキャリアの数が多くなるほど大きくなる。光励起によって生ずるキャリアの数は、光伝導層112の各部にポンプ光LB1が与えるエネルギー量の積算値が大きくなるほど大きくなる。光伝導層112の各部にポンプ光LB1が与えるエネルギー量は、光伝導層112の各部に到達した時点でのポンプ光LB1の強度が大きくなるほど大きくなる。
また、電流信号の信号強度は、キャリアの移動速度が大きくなるほど大きくなる。キャリアの移動速度は、光伝導層112に印加される電界の強度が大きくなるほど大きくなる。光伝導層112に印加される電界の強度は、電極間隔が小さくなるほど大きくなる。
従って、テラヘルツ波THzの発生効率を向上するためには、光伝導層112の各部に到達した時点でのポンプ光LB1の強度ができるだけ大きくなるという第1の特性、及び、電極間隔ができるだけ小さくなるという第2の特性を満たせばよい。シミュレーションの結果を踏まえると、本実施例のテラヘルツ波発生素子110-1は、各比較例のテラヘルツ波発生素子と比較して、第1の特性及び第2の特性をバランスよく満たしていると言える。具体的には、第1及び第2の特性は、光伝導層112の表面112a及び裏面112bが位置する端部位置とは異なる所定位置において電極間隔が最小となるというテラヘルツ波発生素子110-1の特徴によって、バランスよく満たされている。更に、第1の特性及び第2の特性は、Z軸方向に沿った電極間隔の変化傾向がZ軸方向に沿ったビーム径の変化傾向と同一である(つまり、第3電極部113-3及び114-3の夫々が、ポンプ光LB1の光路の外縁に沿って分布する形状を有している)というテラヘルツ波発生素子110-1の特徴によっても、バランスよく満たされている。
尚、ここまでテラヘルツ波検出素子110を例に説明してきたが、テラヘルツ波検出素子130もまた、光伝導層112の表面112a及び裏面112bが位置する端部位置とは異なる所定位置において電極間隔が最小とならないテラヘルツ波検出素子と比較して、テラヘルツ波検出素子130によるテラヘルツ波THzの検出効率が向上する。具体的には、比較例のテラヘルツ波検出素子と比較して、テラヘルツ波検出素子130が検出するテラヘルツ波THzの信号強度が大きくなる。その結果、比較例のテラヘルツ波検出素子と比較して、テラヘルツ波検出素子130のS/N比が良化する。
(2-2)第2実施例のテラヘルツ波発生素子110-2の構成
続いて、図5(a)から図5(c)を参照しながら、第2実施例のテラヘルツ波発生素子110(以降、便宜上、“テラヘルツ波発生素子110-2”と称する)の構成について説明する。図5(a)は、第2実施例のテラヘルツ波発生素子110-2の上面を示す上面図である。図5(b)は、図5(a)に示すテラヘルツ波発生素子110-2のV(1)-V(1)’断面を示す断面図である。図5(c)は、図5(a)に示すテラヘルツ波発生素子110-2のV(2)-V(2)’断面を示す断面図である。
続いて、図5(a)から図5(c)を参照しながら、第2実施例のテラヘルツ波発生素子110(以降、便宜上、“テラヘルツ波発生素子110-2”と称する)の構成について説明する。図5(a)は、第2実施例のテラヘルツ波発生素子110-2の上面を示す上面図である。図5(b)は、図5(a)に示すテラヘルツ波発生素子110-2のV(1)-V(1)’断面を示す断面図である。図5(c)は、図5(a)に示すテラヘルツ波発生素子110-2のV(2)-V(2)’断面を示す断面図である。
図5(a)から図5(c)に示すように、第2実施例のテラヘルツ波発生素子110-2は、第1実施例のテラヘルツ波発生素子110-1と比較して、光伝導層112並びに第3電極部113-3及び114-3の夫々の形状が異なるという点で異なっている。第2実施例のテラヘルツ波発生素子110-2のその他の構成要件は、第1実施例のテラヘルツ波発生素子110-1のその他の構成要件と同一であってもよい。
具体的には、XY平面(つまり、ポンプ光LB1の入射方向に交わる平面)上での光伝導層112の形状は、楕円形(或いは、円形)となる。このように光伝導層112の形状を楕円形に設定する理由は、XY平面上でのポンプ光LB1のビーム形状が円形であるためである。
光伝導層112の形状が楕円形となることに合わせて、XY平面内上での第3電極層113及び114の夫々の形状は、光伝導層112に向かって凹となる円弧形状となる。従って、表面112aと裏面112bとの間の領域内のある位置での電極間隔は、当該ある位置がZ軸方向に沿って所定位置(焦点位置)に近づくほど且つ当該ある位置がY軸方向に沿って光伝導層112の中心から遠ざかるほど小さくなる。例えば、図5(b)及び図5(c)に示すように、光伝導層112の中心から相対的に遠いXZ平面に沿った断面内の所定位置での電極間隔d2(図5(c)参照)は、光伝導層112の中心に相対的に近いXZ平面に沿った断面内の所定位置での電極間隔d1(図5(b)参照)よりも小さくなる。
その結果、XY平面上での光伝導層112の形状が矩形(長方形又は正方形)となる場合と比較して、電極間隔がより小さくなる。従って、テラヘルツ波THzの発生効率がより一層向上する。
(2-3)第3実施例のテラヘルツ波発生素子110-3の構成
続いて、図6(a)から図6(b)を参照しながら、第3実施例のテラヘルツ波発生素子110(以降、便宜上、“テラヘルツ波発生素子110-3”と称する)の構成について説明する。図6(a)は、第3実施例のテラヘルツ波発生素子110-3の上面を示す上面図である。図6(b)は、図6(a)に示すテラヘルツ波発生素子110-3のVI-VI’断面を示す断面図である。
続いて、図6(a)から図6(b)を参照しながら、第3実施例のテラヘルツ波発生素子110(以降、便宜上、“テラヘルツ波発生素子110-3”と称する)の構成について説明する。図6(a)は、第3実施例のテラヘルツ波発生素子110-3の上面を示す上面図である。図6(b)は、図6(a)に示すテラヘルツ波発生素子110-3のVI-VI’断面を示す断面図である。
図6(a)から図6(b)に示すように、第3実施例のテラヘルツ波発生素子110-3は、第1実施例のテラヘルツ波発生素子110-1と比較して、光伝導層112並びに第3電極部113-3及び114-3の夫々の形状が異なるという点で異なっている。第3実施例のテラヘルツ波発生素子110-3のその他の構成要件は、第1実施例のテラヘルツ波発生素子110-1のその他の構成要件と同一であってもよい。
具体的には、上述した第1実施例では、第3電極部113-3がポンプ光LB1の光路の外縁に沿って分布する形状を有しているがゆえに、XZ平面に沿ったある断面内において、第3電極部113-3が全体として、第3電極部114-3に向かって凸状に突き出している(図2(b)参照)。一方で、第3実施例では、図6(b)に示すように、XZ平面に沿ったある断面内において、第3電極部113-3のうちの一部である第1部分113-31が、第3電極部114-3に向かって突き出している(例えば、凸状に突き出している、以下同じ)。XZ平面に沿ったある断面内において、第3電極部113-3のうちの他の一部である第2部分113-32は、第3電極部114-3に向かって突き出していない。言い換えれば、XZ平面に沿ったある断面内において、側面113-3aのうちの一部である第1側面部分113-31aが、側面114-3aに向かって突き出している。XZ平面に沿ったある断面内において、側面113-3aのうちの他の一部である第2側面部分113-32aが、側面114-3aに向かって突き出していない。
更に、上述した第1実施例では、第3電極部114-3がポンプ光LB1の光路の外縁に沿って分布する形状を有しているがゆえに、XZ平面に沿ったある断面内において、第3電極部114-3が全体として、第3電極部113-3に向かって凸状に突き出している(図2(b)参照)。一方で、第3実施例では、図6(b)に示すように、XZ平面に沿ったある断面内において、第3電極部114-3のうちの一部である第1部分114-31が、第3電極部113-3に向かって突き出している。XZ平面に沿ったある断面内において、第3電極部114-3のうちの他の一部である第2部分114-32は、第3電極部113-3に向かって突き出していない。言い換えれば、XZ平面に沿ったある断面内において、側面114-3aのうちの一部である第1側面部分114-31aが、側面113-3aに向かって突き出している。XZ平面に沿ったある断面内において、側面114-3aのうちの他の一部である第2側面部分114-32aが、側面113-3aに向かって突き出していない。
その結果、XZ平面に沿ったある断面内において第3電極部113-3の全体が第3電極部114-3に向かって凸状に突き出し且つ第3電極部114-3の全体が第3電極部113-3に向かって凸状に突き出すテラヘルツ波発生素子と比較して、電極間隔が必要以上に狭くなることがない。従って、第3電極部113-3と第3電極部114-3との間の寄生容量が相対的に小さくなる。
(2-4)第4実施例のテラヘルツ波発生素子110-3の構成
続いて、図7(a)から図7(c)を参照しながら、第4実施例のテラヘルツ波発生素子110(以降、便宜上、“テラヘルツ波発生素子110-4”と称する)の構成について説明する。図7(a)は、第4実施例のテラヘルツ波発生素子110-4のXY平面に沿った断面を示す断面図である。図7(b)は、第4実施例のテラヘルツ波発生素子110-4の断面(図7(a)中のVII(1)-VII(1)’断面に相当)を示す断面図である。図7(c)は、第4実施例のテラヘルツ波発生素子110-4の断面(図7(a)中のVII(2)-VII(2)’断面に相当)を示す断面図である。
続いて、図7(a)から図7(c)を参照しながら、第4実施例のテラヘルツ波発生素子110(以降、便宜上、“テラヘルツ波発生素子110-4”と称する)の構成について説明する。図7(a)は、第4実施例のテラヘルツ波発生素子110-4のXY平面に沿った断面を示す断面図である。図7(b)は、第4実施例のテラヘルツ波発生素子110-4の断面(図7(a)中のVII(1)-VII(1)’断面に相当)を示す断面図である。図7(c)は、第4実施例のテラヘルツ波発生素子110-4の断面(図7(a)中のVII(2)-VII(2)’断面に相当)を示す断面図である。
図7(a)から図7(c)に示すように、第4実施例のテラヘルツ波発生素子110-4は、第1実施例のテラヘルツ波発生素子110-1と比較して、光伝導層112並びに第3電極部113-3及び114-3の夫々の形状が異なるという点で異なっている。第4実施例のテラヘルツ波発生素子110-4のその他の構成要件は、第1実施例のテラヘルツ波発生素子110-1のその他の構成要件と同一であってもよい。
具体的には、第4実施例では、図7(a)に示すように、XY平面に沿ったある断面内において、第3電極部113-3及び114-3のうちX軸方向に沿ってポンプ光LB1を挟み込む一対の第3部分113-33及び114-33の間の間隔は、第3電極部113-3及び114-3のうちX軸方向に沿ってポンプ光LB1を挟み込まない一対の第4部分113-34及び114-34の間の間隔よりも小さくなる。或いは、XY平面に沿ったある断面内において、第3電極部113-3及び114-3のうちX軸方向に沿って所定強度以上のポンプ光LB1を挟み込む一対の第3部分113-33及び114-33の間の間隔は、第3電極部113-3及び114-3のうちX軸方向に沿って所定強度以上のポンプ光LB1を挟み込まない一対の第4部分113-34及び114-34の間の間隔よりも小さくなる。例えば、図7(b)は、XY平面に沿ったある断面内において、第3電極部113-3及び114-3のうちX軸方向に沿ってポンプ光LB1を挟み込む一対の第3部分113-33及び114-33の間の所定位置における間隔がd3であることを示す。例えば、図7(b)は、XY平面に沿ったある断面内において、第3電極部113-3及び114-3のうちX軸方向に沿ってポンプ光LB1を挟み込まない一対の第4部分113-34及び114-34の間の所定位置における間隔がd4(但し、d4>d3)であることを示す。
その結果、第3電極部113-3及び114-3がポンプ光LB1を挟み込まない領域(つまり、キャリアが発生しない又は発生しにくい領域)において電極間隔が必要以上に狭くなることがない。従って、第3電極部113-3と第3電極部114-3との間の寄生容量が相対的に小さくなる。
尚、上述の説明では、テラヘルツ波発生素子110及びテラヘルツ波検出素子130を用いて説明を進めた。しかしながら、テラヘルツ波とは異なる任意の電磁波を発生する(言い換えれば、出射する)任意の電磁波発生素子が、上述したテラヘルツ波発生素子110と同様の構造を有していてもよい。テラヘルツ波とは異なる任意の電磁波を検出する任意の電磁波検出素子が、上述したテラヘルツ波検出素子130と同様の構造を有していてもよい。この場合であっても、任意の電磁波発生素子及び任意の電磁波検出素子の夫々は、上述したテラヘルツ波発生素子110又はテラヘルツ波検出素子130が享受可能な効果と同様の効果を好適に享受することができる。
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う光伝導素子及び計測装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
10 試料
100 テラヘルツ波計測装置
101 パルスレーザ装置
110 テラヘルツ波発生素子
111 基板
112 光伝導層
113、114 電極層
115 ギャップ部
120 光学遅延機構
130 テラヘルツ波検出素子
150 制御部
151 ロックイン検出部
152 信号処理部
LB1 ポンプ光
LB2 プローブ光
THz テラヘルツ波
100 テラヘルツ波計測装置
101 パルスレーザ装置
110 テラヘルツ波発生素子
111 基板
112 光伝導層
113、114 電極層
115 ギャップ部
120 光学遅延機構
130 テラヘルツ波検出素子
150 制御部
151 ロックイン検出部
152 信号処理部
LB1 ポンプ光
LB2 プローブ光
THz テラヘルツ波
Claims (1)
- 表面に励起光が入射する光伝導層と、前記励起光の入射方向に交わる所定方向に沿って前記光伝導層を挟み込む一対の電極とを備え、
前記一対の電極の夫々の前記入射方向に交わる平面上での形状は、前記光伝導層内を透過する前記励起光の光路の外縁に沿って分布する円弧形状である
ことを特徴とする光伝導素子。
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