JP2015148541A - 光伝導アンテナ、カメラ、イメージング装置、および計測装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】テラヘルツ波の発散の開始位置を、光軸の下流に下げることができる光伝導アンテナを提供する。【解決手段】本発明に係る光伝導アンテナ100は、光パルスPが照射されてテラヘルツ波Tを発生する光伝導アンテナ100であって、光パルスPが照射されてキャリアCを形成するキャリア発生層10と、キャリア発生層10の上方に位置し、キャリア発生層10に電圧を印加する第1電極20および第2電極30と、を含み、キャリア発生層10は、光パルスPが照射される突出部14を有する。【選択図】図1
Description
本発明は、光伝導アンテナ、カメラ、イメージング装置、および計測装置に関する。
近年、100GHz以上30THz以下の周波数を有する電磁波であるテラヘルツ波が注目されている。テラヘルツ波は、例えば、イメージング、分光計測等の各種計測、非破壊検査等に用いることができる。
このテラヘルツ波を発生させるテラヘルツ波発生装置は、例えば、サブピコ秒(数百フェムト秒)程度のパルス幅をもつ光パルスを発生させる光パルス発生装置と、光パルス発生装置で発生した光パルスが照射されることによりテラヘルツ波を発生させる光伝導アンテナ(Photo Conductive Antenna:PCA)と、を有している。
例えば特許文献1には、半絶縁性GaAs基板と、半絶縁性GaAs基板上に低温MBE(分子線エピタキシー)法によって形成されたGaAs(LT−GaAs)層と、LT−GaAs層の上面に形成された一対の電極と、を備えた光伝導アンテナが記載されている。さらに、特許文献1には、LT−GaAs層で励起された自由キャリアがバイアス電圧による電場で加速されて電流が流れ、この電流の変化によって、テラヘルツ波が発生することが記載されている。
しかしながら、特許文献1に記載の光伝導アンテナでは、LT−GaAs層(キャリア発生層)は、平坦な層構造であるため、一対の電極間にパルス光が照射されて発生したテラヘルツ波は、例えば、光パルスが照射されたLT−GaAs層の上面から、半絶縁性GaAs基板まで発散する。そのため、後段の光学系(例えばレンズ)の配置位置によっては、光伝導アンテナから発生したテラヘルツ波の一部は、光学系に入射できず、利用効率が低下する場合がある。
本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、利用効率を高くすることができる光伝導アンテナを提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、上記の光伝導アンテナを含むカメラ、イメージング装置、および計測装置を提供することにある。
本発明に係る光伝導アンテナは、
光パルスが照射されてテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナであって、
前記光パルスが照射されてキャリアを形成するキャリア発生層と、
前記キャリア発生層の上方に位置し、前記キャリア発生層に電圧を印加する第1電極および第2電極と、
を含み、
前記キャリア発生層は、前記光パルスが照射される突出部を有する。
光パルスが照射されてテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナであって、
前記光パルスが照射されてキャリアを形成するキャリア発生層と、
前記キャリア発生層の上方に位置し、前記キャリア発生層に電圧を印加する第1電極および第2電極と、
を含み、
前記キャリア発生層は、前記光パルスが照射される突出部を有する。
このような光伝導アンテナでは、突出部において発生したテラヘルツ波は、突出部の側面において反射した後、外部に射出されることができる。したがって、突出部において発生したテラヘルツ波は、突出部の側面に至ってから、突出部を抜けるまでの間、発散しない。よって、このような光伝導アンテナでは、テラヘルツ波の分布する面積を小さくすることができ、光の利用効率を高くすることができる。
なお、本発明に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定のもの(以下、「A」という)の「上方」に他の特定のもの(以下、「B」という)を形成する」などと用いる場合に、A上に直接Bを形成するような場合と、A上に他のものを介してBを形成するような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。
本発明に係る光伝導アンテナにおいて、
前記第1電極および前記第2電極は、前記突出部の上方に位置していてもよい。
前記第1電極および前記第2電極は、前記突出部の上方に位置していてもよい。
このような光伝導アンテナでは、第1電極と第2電極との間の距離は、突出部の上面において最も小さい。そのため、このような光伝導アンテナでは、突出部の深さ方向において、上面近傍の電界強度が最も大きくなり、上面近傍を走行するキャリアの走行速度が大きくなる。したがって、このような光伝導アンテナでは、効率よくテラヘルツ波を発生させることができる(詳細は後述)。
本発明に係る光伝導アンテナは、
前記第1電極および前記第2電極は、前記突出部の側面に設けられていてもよい。
前記第1電極および前記第2電極は、前記突出部の側面に設けられていてもよい。
このような光伝導アンテナでは、例えば、突出部と第1電極との界面、および突出部と第2電極との界面において、テラヘルツ波を反射させることができる。
本発明に係る光伝導アンテナは、
前記突出部の側面に設けられた絶縁層を含んでもよい。
前記突出部の側面に設けられた絶縁層を含んでもよい。
このような光伝導アンテナでは、第1電極および第2電極は、段差の小さい形状を有することができる。これにより、このような光伝導アンテナでは、第1電極および第2電極の断線を防止することができる。
本発明に係る光伝導アンテナは、
前記絶縁層は、前記突出部の上面に設けられていてもよい。
前記絶縁層は、前記突出部の上面に設けられていてもよい。
このような光伝導アンテナでは、第1電極と第2電極との間にリーク電流が流れることを抑制することができ、耐圧の向上を図ることができる。
本発明に係る光伝導アンテナは、
前記突出部の平面形状は、円形であってもよい。
前記突出部の平面形状は、円形であってもよい。
このような光伝導アンテナでは、例えば、光伝導アンテナから射出されるテラヘルツ波の断面形状を、円形にすることができる。これにより、後段の光学系(レンズ)の設計を容易にすることができる。
本発明に係る光伝導アンテナは、
前記キャリア発生層は、半絶縁層基板からなってもよい。
前記キャリア発生層は、半絶縁層基板からなってもよい。
このような光伝導アンテナンでは、キャリア発生層がLT−GaAs層からなる場合に比べて、高いキャリア移動度を有することができる。
本発明に係るテラヘルツ波発生装置は、
前記光パルスを発生する光パルス発生装置と、
前記光パルスが照射されて前記テラヘルツ波を発生する本発明に係る光伝導アンテナと、
を含む。
前記光パルスを発生する光パルス発生装置と、
前記光パルスが照射されて前記テラヘルツ波を発生する本発明に係る光伝導アンテナと、
を含む。
このようなテラヘルツ波発生装置では、本発明に係る光伝導アンテナを含むため、高出力化を図ることができる。
本発明に係るカメラは、
前記光パルスを発生する光パルス発生装置と、
前記光パルスが照射されて前記テラヘルツ波を発生する本発明に係る光伝導アンテナと、
前記光伝導アンテナから射出され、対象物を透過した前記テラヘルツ波または対象物で反射された前記テラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、
前記テラヘルツ波検出部の検出結果を記憶する記憶部と、
を含む。
前記光パルスを発生する光パルス発生装置と、
前記光パルスが照射されて前記テラヘルツ波を発生する本発明に係る光伝導アンテナと、
前記光伝導アンテナから射出され、対象物を透過した前記テラヘルツ波または対象物で反射された前記テラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、
前記テラヘルツ波検出部の検出結果を記憶する記憶部と、
を含む。
このようなカメラでは、本発明に係る光伝導アンテナを含むため、高い検出感度を有することができる。
本発明に係るイメージング装置は、
前記光パルスを発生する光パルス発生装置と、
前記光パルスが照射されて前記テラヘルツ波を発生する本発明に係る光伝導アンテナと、
前記光伝導アンテナから射出され、対象物を透過した前記テラヘルツ波または対象物で反射された前記テラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、
前記テラヘルツ波検出部の検出結果に基づいて、前記対象物の画像を生成する画像形成部と、
を含む。
前記光パルスを発生する光パルス発生装置と、
前記光パルスが照射されて前記テラヘルツ波を発生する本発明に係る光伝導アンテナと、
前記光伝導アンテナから射出され、対象物を透過した前記テラヘルツ波または対象物で反射された前記テラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、
前記テラヘルツ波検出部の検出結果に基づいて、前記対象物の画像を生成する画像形成部と、
を含む。
このようなイメージング装置では、本発明に係る光伝導アンテナを含むため、高い検出感度を有することができる。
本発明に係る計測装置は、
前記光パルスを発生する光パルス発生装置と、
前記光パルスが照射されて前記テラヘルツ波を発生する本発明に係る光伝導アンテナと、
前記光伝導アンテナから射出され、対象物を透過した前記テラヘルツ波または対象物で反射された前記テラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、
前記テラヘルツ波検出部の検出結果に基づいて、前記対象物を計測する計測部と、
を含む。
前記光パルスを発生する光パルス発生装置と、
前記光パルスが照射されて前記テラヘルツ波を発生する本発明に係る光伝導アンテナと、
前記光伝導アンテナから射出され、対象物を透過した前記テラヘルツ波または対象物で反射された前記テラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、
前記テラヘルツ波検出部の検出結果に基づいて、前記対象物を計測する計測部と、
を含む。
このような計測装置では、本発明に係る光伝導アンテナを含むため、高い検出感度を有することができる。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
1. 第1実施形態
1.1. 光伝導アンテナ
まず、第1実施形態に係る光伝導アンテナについて、図面を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係る光伝導アンテナ100を模式的に示す断面図である。図2および図3は、第1実施形態に係る光伝導アンテナ100を模式的に示す平面図である。なお、図1は、図2のI−I線断面図である。また、図2は、図3に示す領域IIの拡大図である。
1.1. 光伝導アンテナ
まず、第1実施形態に係る光伝導アンテナについて、図面を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係る光伝導アンテナ100を模式的に示す断面図である。図2および図3は、第1実施形態に係る光伝導アンテナ100を模式的に示す平面図である。なお、図1は、図2のI−I線断面図である。また、図2は、図3に示す領域IIの拡大図である。
光伝導アンテナ100は、図1〜図3に示すように、キャリア発生層10と、第1電極20と、第2電極30と、を含む。光伝導アンテナ100は、光パルスPが照射されてテラヘルツ波Tを発生する。
なお、光パルスとは、短時間に急峻に強度が変化する光をいう。光パルスのパルス幅(半値全幅FWHM)は、特に限定されないが、例えば、1fs(フェムト秒)以上800fs以下である。また、テラヘルツ波とは、周波数が、100GHz以上30THz以下の電磁波、特に、300GHz以上3THz以下の電磁波をいう。
キャリア発生層10は、例えば、半絶縁性基板からなる。ここで、半絶縁性基板とは、化合物半導体によって構成される基板であって、高抵抗(例えば、比抵抗が107Ω・cm以上)な基板のことをいう。具体的には、キャリア発生層10を構成する半絶縁性基板は、不純物を含まない(ドーピングされていない)GaAs基板である。キャリア発生層
10を構成するGaAsは、ストイキオメトリーな状態であってもよい。すなわち、キャリア発生層10を構成するGaとAsとは、1:1の割合で存在していてもよい。なお、キャリア発生層10を構成する半絶縁性基板は、InP基板やInAs基板、InSb基板であってもよい。
10を構成するGaAsは、ストイキオメトリーな状態であってもよい。すなわち、キャリア発生層10を構成するGaとAsとは、1:1の割合で存在していてもよい。なお、キャリア発生層10を構成する半絶縁性基板は、InP基板やInAs基板、InSb基板であってもよい。
キャリア発生層10は、光パルスPが照射されてキャリアCを形成する。具体的には、キャリア発生層10は、複数の(多数の)キャリアCを形成する。キャリア発生層10が半絶縁性GaAs基板からなる場合、キャリア発生層10のキャリア移動度(電子移動度)は、例えば、3000cm2/Vs以上8500cm2/Vs以下である。
なお、キャリア移動度とは、キャリア(電子および正孔)が固体の物質中を移動するとき、単位電界強度の下で単位時間当たりに移動する距離のことであり、固体の物質中でのキャリアの移動のしやすさをいう。
キャリア発生層10は、基部12と、突出部14と、を有している。基部12および突出部14は、一体に形成されている。具体的には、GaAs基板をドライエッチングすることにより、基部12および突出部14を一体に形成することができる。
突出部14は、基部12の上面13から上方に突出している。図1に示す例では、突出部14は、第1電極20および第2電極30に挟まれている。図2に示す例では、突出部14の平面形状(例えば基部12の上面13の垂線方向から見た形状)は、矩形である。
突出部14は、上面15および側面16を有している。言い換えれば、突出部14は、キャリア発生層10の突出部14を除いた部分よりも、厚さが大きい部分である。側面16は、基部12の上面13と突出部14の上面15とを接続している。側面16は、例えば、基部12の上面13と直交している。図示の例では、側面16は、第1電極20が設けられている第1面16aと、第2電極30が設けられている第2面16bと、面16a,16bと直交し互いに対向している第3面16cおよび第4面16dと、によって構成されている。
突出部14には、光パルスPが照射される。光パルスPは、突出部14の上面15の一部に照射されてもよいし、上面15の全面に照射されてもよい。突出部14は、光パルスPが照射されてテラヘルツ波Tを発生する。
突出部14の側面16は、突出部14において発生するテラヘルツ波Tを、少なくとも一回反射させる。すなわち、突出部14は、側面16においてテラヘルツ波Tが少なくとも一回反射する程度の厚さを有している。具体的には、突出部14の幅Wを5μmとし、突出部14の中心に光パルスPが照射される(平面視において突出部14の中心と光パルスPのスポットの中心とが一致するように光パルスPが照射される)とし、テラヘルツ波Tの放射角θを120°とすると、突出部14の厚さAは1.45μm以上となる。
なお、突出部14の幅Wが大きくなる場合は、突出部14の厚さAの最小値は、上記の値よりも大きくなる。また、テラヘルツ波Tの放射角θが大きくなる場合は、突出部14の厚さAの最小値は、上記の値よりも小さくなる。
突出部14において発生するテラヘルツ波Tは、例えば、側面16を構成する面16a,16b,16c,16dの全てにおいて反射する。図示の例では、面16aには第1電極20が設けられ、面16bには第2電極30が設けられているため、テラヘルツ波Tは、面16a,16bにおいて(面16a,16bと電極20,30との界面において)反射する。面16c,16dには、電極等の金属部材は設けられていないが、突出部14の
屈折率は空気の屈折率よりも大きいため(例えばGaAsの屈折率は3.8)、テラヘルツ波Tは、面16c,16dにおいて(面16c,16dと空気との界面において)反射する。
屈折率は空気の屈折率よりも大きいため(例えばGaAsの屈折率は3.8)、テラヘルツ波Tは、面16c,16dにおいて(面16c,16dと空気との界面において)反射する。
なお、テラヘルツ波Tは、面16a,16b,16c,16dの少なくともいずれか1つにおいて反射してもよい。また、面16a,16b,16c,16dにおけるテラヘルツ波Tの反射回数は、互いに同じであってもよいし、互いに異なってもよい。テラヘルツ波Tが反射される面や反射回数は、光パルスPが照射される位置や、突出部14の平面形状、テラヘルツ波Tの放射角θによって決定される。
第1電極20および第2電極30は、キャリア発生層10上に位置している。図1に示す例では、電極20,30は、突出部14の側面16に設けられ、さらに、突出部14上に設けられている。電極20,30は、キャリア発生層10に電圧を印加する電極である。電極20,30は、キャリア発生層10に直流(DC)電圧を印加してもよいし、交流(AC)電圧を印加してもよい。電極20,30は、キャリア発生層10とオーミックコンタクトしていてもよい。
第1電極20および第2電極30は、例えば、Au層、Pt層、Ti層、Al層、Cu層、Cr層、またはこれらの積層体である。電極20,30としてAu層とCr層との積層体を用いた場合、Cr層は、キャリア発生層10とAu層との密着性を向上させることができる。
第1電極20は、第1電圧印加部22と、第1パッド部24と、第1ライン部26と、を有している。第2電極30は、第2電圧印加部32と、第2パッド部34と、第2ライン部36と、を有している。
第1電圧印加部22および第2電圧印加部32は、キャリア発生層10に電圧を印加する部分である。図示の例では、電圧印加部22,32は、突出部14上に位置している。具体的には、第1電圧印加部22は、基部12の上面13、突出部14の面16a、および突出部14の上面15に設けられている。第2電圧印加部32は、基部12の上面13、突出部14の面16b、および突出部14の上面15に設けられている。平面視において(例えば基部12の上面13の垂線方向から見て)、第1電圧印加部22の一部および第2電圧印加部32の一部は、突出部14と重なっている。
第1電圧印加部22と第2電圧印加部32との間の距離は、例えば、1μm以上100μm以下であり、より具体的には、5μm程度である。図示の例では、電圧印加部22,32の平面形状は、矩形である。すなわち、光伝導アンテナ100は、ダイポール型のPCAである。
なお、図示はしないが、第1電圧印加部22は、第2電圧印加部32側に向かうについて幅が狭くなる台形の平面形状を有していてもよい。同様に、第2電圧印加部32は、第1電圧印加部22側に向かうについて幅が狭くなる台形の平面形状を有していてもよい。すなわち、光伝導アンテナ100は、ボウタイ型のPCAであってもよい。
第1パッド部24および第2パッド部34は、外部配線(図示せず)と接続される部分である。図示の例では、パッド部24,34の平面形状は、矩形である。第1パッド部24は、例えば、2つ設けられている。第2パッド部34は、例えば、2つ設けられている。
第1ライン部26は、第1電圧印加部22と第1パッド部24とを接続している。第2
ライン部36は、第2電圧印加部32と第2パッド部34とを接続している。ライン部26,36は、平面視において、帯状の形状を有しており、ライン部26,36の長手方向は、例えば、平行である。第1電圧印加部22は、第1ライン部26から、第1ライン部26の長手方向と直交する方向に突出している。第1電圧印加部22は、第1ライン部26から、第2電極30側に突出している。第2電圧印加部32は、第2ライン部36から、第2ライン部36の長手方向と直交する方向に突出している。第2電圧印加部32は、第2ライン部36から、第1電極20側に突出している。
ライン部36は、第2電圧印加部32と第2パッド部34とを接続している。ライン部26,36は、平面視において、帯状の形状を有しており、ライン部26,36の長手方向は、例えば、平行である。第1電圧印加部22は、第1ライン部26から、第1ライン部26の長手方向と直交する方向に突出している。第1電圧印加部22は、第1ライン部26から、第2電極30側に突出している。第2電圧印加部32は、第2ライン部36から、第2ライン部36の長手方向と直交する方向に突出している。第2電圧印加部32は、第2ライン部36から、第1電極20側に突出している。
次に、光伝導アンテナ100の動作について説明する。電極20,30によりキャリア発生層10に電圧を印加した状態で、平面視において電極20,30間に(電圧印加部22,32間に)位置する突出部14に、光パルスPを照射する。
光パルスPの照射によって、突出部14中にキャリア(例えば電子)Cが瞬時に生成する。キャリアCは、電極20,30により印加された電圧によって加速されて突出部14中を移動し(走行し)、突出部14中に瞬間的に電流(光電流)が流れる。そして、光電流の時間変化に比例した強度を有するテラヘルツ波Tが発生する。光電流の時間変化は、突出部14のキャリア移動度に比例する。したがって、光伝導アンテナ100には、キャリア発生層10のキャリア移動度に比例した強度を有するテラヘルツ波Tが発生する。
光パルスPは、波長にもよるが、突出部14の深さ方向(上面15から下面11に向かう方向)において、上面15近傍で最も吸収される。そのため、突出部14の深さ方向においてテラヘルツ波Tが発生する割合は、上面15近傍が高くなる。特に、光伝導アンテナ100では、突出部14の上面15に電極20,30が設けられているため、電極20,30間の距離は、突出部14の上面15において最も小さい。そのため、光伝導アンテナ100では、突出部14の深さ方向において、上面15近傍の電界強度が最も大きくなり、上面15近傍を走行するキャリアの走行速度が大きくなる。なお、光パルスの波長は、例えば、800nm程度である。
図1に示す例では、突出部14の上面15近傍の発生位置Qで発生したテラヘルツ波Tは、突出部14の側面16において一回反射した後、基部12の下面11から光伝導アンテナ100外部に射出される。
なお、図示の例では、キャリアCは、第1電極20側から第2電極30側に向けて移動しているが、第2電極30側から第1電極20側に向けて移動していてもよい。
また、光パルスPが照射される位置や面積は、光パルスPによって突出部14が照射されれば、特に限定されない。
光伝導アンテナ100は、例えば、以下の特徴を有する。
光伝導アンテナ100では、光パルスPが照射されてキャリアCを形成するキャリア発生層10を含み、キャリア発生層10は、光パルスPが照射される突出部14を有する。そのため、突出部14において発生したテラヘルツ波Tは、突出部14の側面16において反射した後、光伝導アンテナ100の外部に射出されることができる。したがって、突出部14において発生したテラヘルツ波Tは、突出部14の側面16に至ってから、突出部14を抜けるまでの間(基部12に至るまでの間)、発散しない。よって、光伝導アンテナ100では、テラヘルツ波Tの分布する面積を小さくすることができ(すなわち、エネルギー密度を高くすることができ)、光の利用効率を高くすることができる。その結果、高出力のテラヘルツ波発生装置を実現することができる。以下、具体的に説明する。
図4は、光伝導アンテナ100から射出されたテラヘルツ波Tを説明するための図である。図5は、従来の光伝導アンテナ(突出部を有していない光伝導アンテナ)10000から射出されたテラヘルツ波Tを説明するための図である。なお、図4および図5では、光伝導アンテナ100,10000を簡略化して図示している。
光伝導アンテナ100から射出されたテラヘルツ波Tは、図4に示すように、レンズ102,104,106,108を介して、検出器110において検出される。光伝導アンテナ100では、突出部14において発生したテラヘルツ波Tは、突出部14の側面16において反射した後、発散してレンズ(コリメートレンズ)104に至る。そのため、上記のように、テラヘルツ波Tの分布する面積(光軸Lと直交するテラヘルツ波Tの断面積)を小さくすることができ、突出部14において発生したテラヘルツ波Tの全ては、例えば、レンズ104に至ることができる。その結果、光伝導アンテナ100は、光の利用効率を高くすることができる。さらに、光伝導アンテナ100では、検出器110に集光できる光量を増大させることができる。
一方、キャリア発生層が突出部を有していない光伝導アンテナ10000では、例えば、光伝導アンテナ10000において発生するテラヘルツ波Tは、テラヘルツ波Tの発生位置Qから発散する。そのため、レンズ104の入射面104aの位置におけるテラヘルツ波Tの分布する面積は、光伝導アンテナ100の場合に比べて大きくなる。これにより、図5に示すように、光伝導アンテナから射出したテラヘルツ波の一部は、レンズ104に至らない(レンズ104を照射しない)。そのため、光の利用効率が低下する場合がある。
なお、図4に示した例および図5に示した例おいて、テラヘルツ波Tの発生位置Qとレンズ102との間の距離は、互いに同じであり、テラヘルツ波Tの発生位置Qとレンズ104との間の距離は、互いに同じである。
光伝導アンテナ100では、第1電極20および第2電極30は、突出部14の上方に位置している。具体的には、電極20,30は、突出部14の上面15に設けられている。そのため、光伝導アンテナ100では、電極20,30間の距離は、突出部14の上面15において最も小さい。これにより、光伝導アンテナ100では、突出部14の深さ方向において、上面15近傍の電界強度が最も大きくなり、上面15近傍を走行するキャリアの走行速度が大きくなる。したがって、光伝導アンテナ100では、効率よくテラヘルツ波Tを発生させることができる。
例えば電極が、突出部の上面に設けられておらず、突出部の側面に設けられている形態では、効率よくテラヘルツ波Tを発生させることができない場合がある。このような形態では、2つの電極間の距離は、2つの側面の間が最小となり、上記の光伝導アンテナ100に比べて、突出部の上面近傍を走行するキャリアの数は少なくなる。ここで、突出部は、例えばドライエッチングによって形成されるため、突出部の側面には、多くの未結合手(ダングリングボンド)が存在する。そのため、突出部の上面に電極が設けられていない形態では、側面の未結合手にキャリアがトラップされてしまい、走行できないキャリアの数が増える場合がある。その結果、効率よくテラヘルツ波を発生できない場合がある。
さらに、電極が、突出部の上面に設けられておらず、突出部の側面に設けられている形態では、2つの電極間の距離(最小の距離)は、突出部を形成するためのパターニングによって決定される。突出部の厚さは、例えば電極の厚さよりも大きいため、突出部は、高い精度でパターニングされることが困難な場合がある。これに対し、光伝導アンテナ100では、電極20,30は、突出部14の上面15に設けられているため、2つの電極20,30間の距離(最小の距離)は、電極20,30を形成するためのパターニングによ
って決定される。電極20,30の厚さは、例えば突出部14の厚さよりも小さいため、電極20,30は、高い精度でパターニングされることができる。そのため、光伝導アンテナ100では、電極20,30間の距離を、高い精度で決定することができる。
って決定される。電極20,30の厚さは、例えば突出部14の厚さよりも小さいため、電極20,30は、高い精度でパターニングされることができる。そのため、光伝導アンテナ100では、電極20,30間の距離を、高い精度で決定することができる。
光伝導アンテナ100では、第1電極20および第2電極30は、突出部14の側面16に設けられている。そのため、光伝導アンテナ100では、例えば、突出部14と第1電極20との界面、および突出部14と第2電極30との界面において、テラヘルツ波Tを反射させることができる。
光伝導アンテナ100では、キャリア発生層10は、半絶縁性基板からなる。具体的には、キャリア発生層10は、半絶縁性のGaAs基板からなる。そのため、光伝導アンテナ100では、キャリア発生層がLT−GaAs層からなる場合に比べて、高いキャリア移動度を有することができる。光伝導アンテナにおいて発生するテラヘルツ波の強度は、光伝導アンテナにおいてキャリアが移動する(走行する)層のキャリア移動度に依存する。したがって、光伝導アンテナ100では、射出されるテラヘルツ波の強度を大きくし、高出力化を図ることができる。
光伝導アンテナ100では、キャリア発生層10は、基部12と、基部12の上面13から上方に突出する突出部14と、を有し、基部12および突出部14は、一体に形成されている。例えば、基部と突出部とが別部材(別々の層)で形成されている形態では、基部と突出部との界面においてテラヘルツ波が反射し、テラヘルツ波の強度が低下するという問題が生じる場合がある。光伝導アンテナ100では、このような問題を回避することができる。
1.2. 光伝導アンテナの製造方法
次に、第1実施形態に係る光伝導アンテナ100の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図6は、第1実施形態に係る光伝導アンテナ100の製造工程を模式的に示す断面図であって、図1に対応している。
次に、第1実施形態に係る光伝導アンテナ100の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図6は、第1実施形態に係る光伝導アンテナ100の製造工程を模式的に示す断面図であって、図1に対応している。
図6に示すように、GaAs基板(図示せず)をパターニングして、基部12および突出部14を有するキャリア発生層10を形成する。基部12および突出部14は、一体に形成される。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびドライエッチングによって行われる。
図1に示すように、キャリア発生層10上に、第1電極20および第2電極30を形成する。電極20,30は、例えば、真空蒸着法およびリフトオフ法の組合せなどにより形成される。
以上の工程により、光伝導アンテナ100を製造することができる。
1.3. 光伝導アンテナの変形例
1.3.1. 第1変形例
次に、第1実施形態の第1変形例に係る光伝導アンテナについて、図面を参照しながら説明する。図7は、第1実施形態の第1変形例に係る光伝導アンテナ200を模式的に示す平面図である。以下、光伝導アンテナ200において、上述した光伝導アンテナ100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
1.3.1. 第1変形例
次に、第1実施形態の第1変形例に係る光伝導アンテナについて、図面を参照しながら説明する。図7は、第1実施形態の第1変形例に係る光伝導アンテナ200を模式的に示す平面図である。以下、光伝導アンテナ200において、上述した光伝導アンテナ100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上述した光伝導アンテナ100では、図2に示すように、突出部14の平面形状は、矩形であった。これに対し、光伝導アンテナ200では、図7に示すように、突出部14の
平面形状は、円形である。
平面形状は、円形である。
光伝導アンテナ200では、平面視において突出部14の中心Oに、光パルスPのスポットの中心が位置するように、光パルスPが照射された場合、光伝導アンテナ200から射出されるテラヘルツ波Tの断面形状を、円形にすることができる。これにより、後段の光学系(レンズ)の設計を容易にすることができる。
1.3.2. 第2変形例
次に、第1実施形態の第2変形例に係る光伝導アンテナについて、図面を参照しながら説明する。図8は、第1実施形態の第1変形例に係る光伝導アンテナ210を模式的に示す断面図であって、図1に対応している。以下、光伝導アンテナ210において、上述した光伝導アンテナ100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
次に、第1実施形態の第2変形例に係る光伝導アンテナについて、図面を参照しながら説明する。図8は、第1実施形態の第1変形例に係る光伝導アンテナ210を模式的に示す断面図であって、図1に対応している。以下、光伝導アンテナ210において、上述した光伝導アンテナ100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上述した光伝導アンテナ100では、図1に示すように、突出部14の側面16は、基部12の上面13と直交していた。これに対し、光伝導アンテナ210では、図8に示すように、突出部14の側面16は、基部12の上面13の法線方向に対して傾斜している。図示の例では、上面15から下面11に向けて突出部14の幅が大きくなるように、側面16は上面13の法線方向に対して傾斜している。言い換えると、突出部14は、テーパー形状である。
光伝導アンテナ210では、例えば、テーパー形状のレジストをマスクとしてGaAs基板をエッチングすることにより、テーパー形状の突出部14を形成することができる。
光伝導アンテナ210では、突出部14の厚さが、例えば光伝導アンテナ100の突出部14より小さくても、集光効率を大きくすることができ、光の利用効率を高くすることができる。さらに、光伝導アンテナ210では、突出部14の側面16と基部12の上面13とがなす角度を変えることにより、光伝導アンテナ210から射出されるテラヘルツ波Tの分布を調整することができる。
1.3.3. 第3変形例
次に、第1実施形態の第3変形例に係る光伝導アンテナについて、図面を参照しながら説明する。図9は、第1実施形態の第3変形例に係る光伝導アンテナ220を模式的に示す断面図であって、図1に対応している。以下、光伝導アンテナ220において、上述した光伝導アンテナ100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
次に、第1実施形態の第3変形例に係る光伝導アンテナについて、図面を参照しながら説明する。図9は、第1実施形態の第3変形例に係る光伝導アンテナ220を模式的に示す断面図であって、図1に対応している。以下、光伝導アンテナ220において、上述した光伝導アンテナ100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上述した光伝導アンテナ100では、図1に示すように、突出部14の側面16は、平坦な面であった。これに対し、光伝導アンテナ220では、図9に示すように、突出部14の側面16は、曲面である。断面視において、側面16の外縁(面16a,16b)の外縁は、例えば、二次曲線である。なお、図示はしないが、断面視において、突出部14の外縁は放物線であってもよい。また、図示はしないが、突出部14の形状は紡錘型であってもよい。
光伝導アンテナ220では、例えば、プロキシミティ露光を用いることにより、曲面である側面16を有する突出部14を、形成することができる。
光伝導アンテナ220では、例えば光伝導アンテナ100に比べて集光効率をさらに向上させることができ、光の利用効率を高くすることができる。さらに、光伝導アンテナ220では、曲面である側面16の曲率を変えることにより、光伝導アンテナ220から射
出されるテラヘルツ波Tの分布を調整することができる。
出されるテラヘルツ波Tの分布を調整することができる。
2. 第2実施形態
2.1. 光伝導アンテナ
次に、第2実施形態に係る光伝導アンテナについて、図面を参照しながら説明する。図10は、第2実施形態に係る光伝導アンテナ300を模式的に示す断面図である。図11は、第2実施形態に係る光伝導アンテナ300を模式的に示す平面図である。なお、図10は、図11のX−X線断面図である。以下、光伝導アンテナ300において、上述した光伝導アンテナ100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
2.1. 光伝導アンテナ
次に、第2実施形態に係る光伝導アンテナについて、図面を参照しながら説明する。図10は、第2実施形態に係る光伝導アンテナ300を模式的に示す断面図である。図11は、第2実施形態に係る光伝導アンテナ300を模式的に示す平面図である。なお、図10は、図11のX−X線断面図である。以下、光伝導アンテナ300において、上述した光伝導アンテナ100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上述した光伝導アンテナ100では、図1および図2に示すように、突出部14の側面16には電極20,30が設けられていた。これに対し、光伝導アンテナ300では、図10および図11に示すように、突出部14の側面16に設けられた絶縁層40を含む。
絶縁層40は、キャリア発生層10上に設けられている。図11に示す例では、絶縁層40は、突出部14を取り囲んで設けられている。具体的には、絶縁層40は、突出部14の面16a,16b,16c,16dに接している。電極20,30は、絶縁層40上に設けられている。
なお、絶縁層40は、平面視において、突出部14を取り囲んでいなくてもよい。すなわち、絶縁層40は、突出部14の面16c,16dと離間して設けられていてもよい。
絶縁層40の上面42は、例えば、突出部14の上面15と面一である。電極20,30は、突出部14上および絶縁層40上に設けられている。
絶縁層40は、例えば、SiO2層、SiN層である。絶縁層40の屈折率は、突出部14の屈折率よりも小さい。これにより、突出部14の側面16において(側面16と絶縁層40との界面において)、テラヘルツ波Tを反射させることができる。例えば、SiO2層からなる絶縁層40の屈折率は、1.4である。
光伝導アンテナ300では、突出部14の側面16に設けられた絶縁層40を含む。そのため、電極20,30は、段差のないまたは段差の小さい形状を有することができる。これにより、光伝導アンテナ300では、電極20,30の断線を防止することができる。その結果、光伝導アンテナ300は、高い信頼性を有し、歩留りを向上させることができる。
なお、図示はしないが、光伝導アンテナ200と光伝導アンテナ300とを組み合わせてもよい。すなわち、円形の平面形状を有する突出部14の側面16に、絶縁層40を設けてもよい。
2.2. 光伝導アンテナの製造方法
次に、第2実施形態に係る光伝導アンテナ300の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
次に、第2実施形態に係る光伝導アンテナ300の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
光伝導アンテナ300の製造方法では、図11に示すように、基部12および突出部14を有するキャリア発生層10を形成した後、突出部14の側面に絶縁層40を形成する。具体的には、まず、CVD(Chemical Vapor Deposition)法や塗布法などにより、キャリア発生層10の上方(突出部14上を含む)に絶縁層(図示せず)を成膜する。次に、絶縁層をエッチングして、突出部14の上面15を露出させ
る。以上の工程により、絶縁層40を形成することができる。
る。以上の工程により、絶縁層40を形成することができる。
上記のこと以外は、光伝導アンテナ300の製造方法は、上述した光伝導アンテナ100の製造方法と、基本的に同じである。よって、その詳細な説明を省略する。
2.3. 光伝導アンテナの変形例
次に、第2実施形態の変形例に係る光伝導アンテナについて、図面を参照しながら説明する。図12は、第2実施形態の変形例に係る光伝導アンテナ400を模式的に示す断面図である。以下、光伝導アンテナ400において、上述した光伝導アンテナ100,300の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
次に、第2実施形態の変形例に係る光伝導アンテナについて、図面を参照しながら説明する。図12は、第2実施形態の変形例に係る光伝導アンテナ400を模式的に示す断面図である。以下、光伝導アンテナ400において、上述した光伝導アンテナ100,300の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上述した光伝導アンテナ300では、突出部14の上面15は、露出していた。これに対し、光伝導アンテナ400では、図12に示すように、突出部14の上面15には、絶縁層40が設けられている。
絶縁層40の突出部14上における厚さは、電極20,30によって、突出部14に電圧を印加できる程度の厚さである。光パルスPは、絶縁層40を透過することができる。電極20,30は、絶縁層40上に設けられている。
光伝導アンテナ400の製造方法では、キャリア発生層10の上方(突出部14上を含む)に絶縁層(図示せず)を成膜した後、突出部14の上面15を露出させるための絶縁層のエッチングを行わない。
上記のこと以外は、光伝導アンテナ400の製造方法は、上述した光伝導アンテナ300の製造方法と、基本的に同じである。よって、その詳細な説明を省略する。
光伝導アンテナ400では、絶縁層40は、突出部14の上面15に設けられている。そのため、光伝導アンテナ400では、電極20,30間にリーク電流が流れることを抑制することができ、耐圧の向上を図ることができる。その結果、光伝導アンテナ400は、高い信頼性を有し、歩留りを向上させることができる。さらに、消費電力を低減することができる。
なお、図示はしないが、光伝導アンテナ200と光伝導アンテナ400とを組み合わせてもよい。すなわち、円形の平面形状を有する突出部14の上面15および側面16に、絶縁層40を設けてもよい。
3. 第3実施形態
次に、第3実施形態に係るテラヘルツ波発生装置1000について、図面を参照しながら説明する。図13は、第3実施形態に係るテラヘルツ波発生装置1000の構成を示す図である。
次に、第3実施形態に係るテラヘルツ波発生装置1000について、図面を参照しながら説明する。図13は、第3実施形態に係るテラヘルツ波発生装置1000の構成を示す図である。
テラヘルツ波発生装置1000は、図13に示すように、光パルス発生装置1010と、本発明に係る光伝導アンテナと、を含む。以下では、本発明に係る光伝導アンテナとして、光伝導アンテナ100を用いた例について説明する。
光パルス発生装置1010は、励起光である光パルス(例えば図1に示す光パルスP)を発生する。光パルス発生装置1010は、光伝導アンテナ100を照射する。光パルス発生装置1010が発生させる光パルスの幅は、例えば、1fs以上800fs以下である。光パルス発生装置1010としては、例えば、フェムト秒ファイバーレーザー、チタ
ンサファイヤレーザーを用いる。
ンサファイヤレーザーを用いる。
光伝導アンテナ100は、上記のとおり、光パルスが照射されて、テラヘルツ波を発生することができる。
テラヘルツ波発生装置1000は、光伝導アンテナ100を含むため、高出力化を図ることができる。
4. 第4実施形態
次に、第4実施形態に係るイメージング装置1100について、図面を参照しながら説明する。図14は、第4実施形態に係るイメージング装置1100を示すブロック図である。図15は、第4実施形態に係るイメージング装置1100のテラヘルツ波検出部1120を模式的に示す平面図である。図16は、対象物のテラヘルツ帯でのスペクトルを示すグラフである。図17は、対象物の物質A、BおよびCの分布を示す画像の図である。
次に、第4実施形態に係るイメージング装置1100について、図面を参照しながら説明する。図14は、第4実施形態に係るイメージング装置1100を示すブロック図である。図15は、第4実施形態に係るイメージング装置1100のテラヘルツ波検出部1120を模式的に示す平面図である。図16は、対象物のテラヘルツ帯でのスペクトルを示すグラフである。図17は、対象物の物質A、BおよびCの分布を示す画像の図である。
イメージング装置1100は、図14に示すように、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生部1110と、テラヘルツ波発生部1110から射出され、対象物Oを透過したテラヘルツ波または対象物Oで反射されたテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部1120と、テラヘルツ波検出部1120の検出結果に基づいて、対象物Oの画像、すなわち、画像データを生成する画像形成部1130と、を含む。
テラヘルツ波発生部1110としては、本発明に係るテラヘルツ波発生装置を用いることができる。ここでは、本発明に係るテラヘルツ波発生装置として、テラヘルツ波発生装置1000を用いた場合について説明する。
テラヘルツ波検出部1120としては、図15に示すように、目的の波長のテラヘルツ波を通過させるフィルター80と、フィルター80を通過した前記目的の波長のテラヘルツ波を検出する検出部84と、を備えたものを用いる。また、検出部84としては、例えば、テラヘルツ波を熱に変換して検出するもの、すなわち、テラヘルツ波を熱に変換し、そのテラヘルツ波のエネルギー(強度)を検出し得るものを用いる。このような検出部としては、例えば、焦電センサー、ボロメーター等が挙げられる。なお、テラヘルツ波検出部1120の構成は、前記の構成に限定されない。
また、フィルター80は、2次元的に配置された複数の画素(単位フィルター部)82を有している。すなわち、各画素82は、行列状に配置されている。
また、各画素82は、互いに異なる波長のテラヘルツ波を通過させる複数の領域、すなわち、通過させるテラヘルツ波の波長(以下、「通過波長」とも言う)が互いに異なる複数の領域を有している。なお、図示の構成では、各画素82は、第1の領域821、第2の領域822、第3の領域823、および第4の領域824を有している。
また、検出部84は、フィルター80の各画素82の第1の領域821、第2の領域822、第3の領域823、および第4の領域824に対応してそれぞれ設けられた第1の単位検出部841、第2の単位検出部842、第3の単位検出部843、および第4の単位検出部844を有している。各第1の単位検出部841、各第2の単位検出部842、各第3の単位検出部843、および各第4の単位検出部844は、それぞれ、各画素82の第1の領域821、第2の領域822、第3の領域823、および第4の領域824を通過したテラヘルツ波を熱に変換して検出する。これにより、各画素82のそれぞれにおいて、4つの目的の波長のテラヘルツ波をそれぞれ確実に検出することができる。
次に、イメージング装置1100の使用例について説明する。
まず、分光イメージングの対象となる対象物Oが、3つの物質A、BおよびCで構成されているとする。イメージング装置1100は、この対象物Oの分光イメージングを行う。また、ここでは、一例として、テラヘルツ波検出部1120は、対象物Oで反射されたテラヘルツ波を検出することとする。
また、テラヘルツ波検出部1120のフィルター80の各画素82においては、第1の領域821および第2の領域822を使用する。第1の領域821の通過波長をλ1、第2の領域822の通過波長をλ2とし、対象物Oで反射されたテラヘルツ波の波長λ1の成分の強度をα1、波長λ2の成分の強度をα2としたとき、その強度α2と強度α1との差分(α2−α1)が、物質Aと物質Bと物質Cとで、互いに顕著に区別できるように、第1の領域821の通過波長λ1および第2の領域822の通過波長λ2が設定されている。
図16に示すように、物質Aにおいては、対象物Oで反射したテラヘルツ波の波長λ2の成分の強度α2と波長λ1の成分の強度α1との差分(α2−α1)は、正値となる。また、物質Bにおいては、強度α2と強度α1との差分(α2−α1)は、零となる。また、物質Cにおいては、強度α2と強度α1との差分(α2−α1)は、負値となる。
イメージング装置1100により、対象物Oの分光イメージングを行う際は、まず、テラヘルツ波発生部1110により、テラヘルツ波を発生し、そのテラヘルツ波を対象物Oに照射する。そして、対象物Oで反射されたテラヘルツ波をテラヘルツ波検出部1120で、α1およびα2として検出する。この検出結果は、画像形成部1130に送出される。なお、この対象物Oへのテラヘルツ波の照射および対象物Oで反射したテラヘルツ波の検出は、対象物Oの全体に対して行う。
画像形成部1130においては、前記検出結果に基づいて、フィルター80の第2の領域822を通過したテラヘルツ波の波長λ2の成分の強度α2と、第1の領域821を通過したテラヘルツ波の波長λ1の成分の強度α1と、の差分(α2−α1)を求める。そして、対象物Oのうち、前記差分が正値となる部位を物質A、前記差分が零となる部位を物質B、前記差分が負値となる部位を物質Cと判断し、特定する。
また、画像形成部1130では、図17に示すように、対象物Oの物質A、BおよびCの分布を示す画像の画像データを作成する。この画像データは、画像形成部1130から図示しないモニターに送出され、そのモニターにおいて、対象物Oの物質A、BおよびCの分布を示す画像が表示される。この場合、例えば、対象物Oの物質Aの分布する領域は黒色、物質Bの分布する領域は灰色、物質Cの分布する領域は白色に色分けして表示される。このイメージング装置1100では、以上のように、対象物Oを構成する各物質の同定と、その各部質の分布測定とを同時に行うことができる。
なお、イメージング装置1100の用途は、前記のものに限らず、例えば、人物に対してテラヘルツ波を照射し、その人物を透過または反射したテラヘルツ波を検出し、画像形成部1130において処理を行うことにより、その人物が、拳銃、ナイフ、違法な薬物等を所持しているか否かを判別することもできる。
イメージング装置1100では、高出力化を図ることができる光伝導アンテナ100を含む。そのため、イメージング装置1100は、高い検出感度を有することができる。
5. 第5実施形態
次に、第5実施形態に係る計測装置1200について、図面を参照しながら説明する。図18は、第5実施形態に係る計測装置1200を示すブロック図である。以下で説明する第5実施形態に係る計測装置1200において、上述したイメージング装置1100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
次に、第5実施形態に係る計測装置1200について、図面を参照しながら説明する。図18は、第5実施形態に係る計測装置1200を示すブロック図である。以下で説明する第5実施形態に係る計測装置1200において、上述したイメージング装置1100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
計測装置1200は、図18に示すように、テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生部1110と、テラヘルツ波発生部1110から射出され、対象物Oを透過するテラヘルツ波または対象物Oで反射されたテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部1120と、テラヘルツ波検出部1120の検出結果に基づいて、対象物Oを計測する計測部1210と、を含む。
次に、計測装置1200の使用例について説明する。計測装置1200により、対象物Oの分光計測を行う際は、まず、テラヘルツ波発生部1110により、テラヘルツ波を発生させ、そのテラヘルツ波を対象物Oに照射する。そして、対象物Oを透過したテラヘルツ波または対象物Oで反射されたテラヘルツ波をテラヘルツ波検出部1120で検出する。この検出結果は、計測部1210に送出される。なお、この対象物Oへのテラヘルツ波の照射および対象物Oを透過したテラヘルツ波または対象物Oで反射されたテラヘルツ波の検出は、対象物Oの全体に対して行う。
計測部1210においては、前記検出結果から、フィルター80の各画素82の第1の領域821、第2の領域822、第3の領域823、および第4の領域824を通過したテラヘルツ波のそれぞれの強度を把握し、対象物Oの成分およびその分布の分析等を行う。
計測装置1200では、高出力化を図ることができる光伝導アンテナ100を含む。そのため、計測装置1200は、高い検出感度を有することができる。
6. 第6実施形態
次に、第6実施形態に係るカメラ1300について、図面を参照しながら説明する。図19は、第6実施形態に係るカメラ1300を示すブロック図である。図20は、第6実施形態に係るカメラ1300を模式的に示す斜視図である。以下で説明する第6実施形態に係るカメラ1300において、上述したイメージング装置1100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
次に、第6実施形態に係るカメラ1300について、図面を参照しながら説明する。図19は、第6実施形態に係るカメラ1300を示すブロック図である。図20は、第6実施形態に係るカメラ1300を模式的に示す斜視図である。以下で説明する第6実施形態に係るカメラ1300において、上述したイメージング装置1100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
カメラ1300は、図19および図20に示すように、テラヘルツ波を発生させるテラヘルツ波発生部1110と、テラヘルツ波発生部1110から射出され、対象物Oを透過したテラヘルツ波または対象物Oで反射されたテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部1120と、記憶部1301と、を含む。そして、これらの各部1110,1120,1301はカメラ1300の筐体1310に収められている。また、カメラ1300は、対象物Oで反射したテラヘルツ波をテラヘルツ波検出部1120に収束(結像)させるレンズ(光学系)1320と、テラヘルツ波発生部1110で発生したテラヘルツ波を筐体1310の外部へ射出させるための窓部1330と、を備える。レンズ1320や窓部1330はテラヘルツ波を透過・屈折させるシリコン、石英、ポリエチレンなどの部材によって構成されている。なお、窓部1330は、スリットのように単に開口が設けられている構成としてもよい。
次に、カメラ1300の使用例について説明する。カメラ1300により、対象物Oを撮像する際は、まず、テラヘルツ波発生部1110により、テラヘルツ波を発生させ、そのテラヘルツ波を対象物Oに照射する。そして、対象物Oで反射されたテラヘルツ波をレ
ンズ1320によってテラヘルツ波検出部1120に収束(結像させて)検出する。この検出結果は、記憶部1301に送出され、記憶される。なお、この対象物Oへのテラヘルツ波の照射および対象物Oで反射されたテラヘルツ波の検出は、対象物Oの全体に対して行う。また、前記検出結果は、例えば、パーソナルコンピューター等の外部装置に送信することもできる。パーソナルコンピューターでは、前記検出結果に基づいて、各処理を行うことができる。
ンズ1320によってテラヘルツ波検出部1120に収束(結像させて)検出する。この検出結果は、記憶部1301に送出され、記憶される。なお、この対象物Oへのテラヘルツ波の照射および対象物Oで反射されたテラヘルツ波の検出は、対象物Oの全体に対して行う。また、前記検出結果は、例えば、パーソナルコンピューター等の外部装置に送信することもできる。パーソナルコンピューターでは、前記検出結果に基づいて、各処理を行うことができる。
カメラ1300では、高出力化を図ることができる光伝導アンテナ100を含む。そのため、カメラ1300は、高い検出感度を有することができる。
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
10…キャリア発生層、11…下面、12…基部、13…上面、14…突出部、15…上面、16…側面、16a,16b,16c,16d…面、20…第1電極、22…第1電圧印加部、24…第1パッド部、26…第1ライン部、30…第2電極、32…第2電圧印加部、34…第2パッド部、36…第2ライン部、40…絶縁層、42…上面、80…フィルター、82…画素、84…検出部、100…光伝導アンテナ、102…レンズ、104…レンズ、104a…入射面、106,108…レンズ、110…検出器、200,210,220,300,400…光伝導アンテナ、821…第1の領域、822…第2の領域、823…第3の領域、824…第4の領域、841…第1の単位検出部、842…第2の単位検出部、843…第3の単位検出部、844…第4の単位検出部、1000…テラヘルツ波発生装置、1010…光パルス発生装置、1100…イメージング装置、1110…テラヘルツ波発生部、1120…テラヘルツ波検出部、1130…画像形成部、1200…計測装置、1210…計測部、1300…カメラ、1301…記憶部、1310…筐体、1320…レンズ、1330…窓部、10000…光伝導アンテナ
Claims (11)
- 光パルスが照射されてテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナであって、
前記光パルスが照射されてキャリアを形成するキャリア発生層と、
前記キャリア発生層の上方に位置し、前記キャリア発生層に電圧を印加する第1電極および第2電極と、
を含み、
前記キャリア発生層は、前記光パルスが照射される突出部を有する、ことを特徴とする光伝導アンテナ。 - 前記第1電極および前記第2電極は、前記突出部の上方に位置している、ことを特徴とする請求項1に記載の光伝導アンテナ。
- 前記第1電極および前記第2電極は、前記突出部の側面に設けられている、ことを特徴とする請求項2に記載の光伝導アンテナ。
- 前記突出部の側面に設けられた絶縁層を含む、ことを特徴とする請求項2に記載の光伝導アンテナ。
- 前記絶縁層は、前記突出部の上面に設けられている、ことを特徴とする請求項4に記載の光伝導アンテナ。
- 前記突出部の平面形状は、円形である、ことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の光伝導アンテナ。
- 前記キャリア発生層は、半絶縁層基板からなる、ことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の光伝導アンテナ。
- 前記光パルスを発生する光パルス発生装置と、
前記光パルスが照射されて前記テラヘルツ波を発生する請求項1ないし7のいずれか1項に記載の光伝導アンテナと、
を含む、ことを特徴とするテラヘルツ波発生装置。 - 前記光パルスを発生する光パルス発生装置と、
前記光パルスが照射されて前記テラヘルツ波を発生する請求項1ないし7のいずれか1項に記載の光伝導アンテナと、
前記光伝導アンテナから射出され、対象物を透過した前記テラヘルツ波または対象物で反射された前記テラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、
前記テラヘルツ波検出部の検出結果を記憶する記憶部と、
を含む、ことを特徴とするカメラ。 - 前記光パルスを発生する光パルス発生装置と、
前記光パルスが照射されて前記テラヘルツ波を発生する請求項1ないし7のいずれか1項に記載の光伝導アンテナと、
前記光伝導アンテナから射出され、対象物を透過した前記テラヘルツ波または対象物で反射された前記テラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、
前記テラヘルツ波検出部の検出結果に基づいて、前記対象物の画像を生成する画像形成部と、
を含む、ことを特徴とするイメージング装置。 - 前記光パルスを発生する光パルス発生装置と、
前記光パルスが照射されて前記テラヘルツ波を発生する請求項1ないし7のいずれか1項に記載の光伝導アンテナと、
前記光伝導アンテナから射出され、対象物を透過した前記テラヘルツ波または対象物で反射された前記テラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、
前記テラヘルツ波検出部の検出結果に基づいて、前記対象物を計測する計測部と、
を含む、ことを特徴とする計測装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017092141A (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | パイオニア株式会社 | 光伝導素子及び計測装置 |
JP2020036037A (ja) * | 2019-11-07 | 2020-03-05 | パイオニア株式会社 | 光伝導素子及び計測装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2015262B9 (en) * | 2015-08-04 | 2017-04-10 | Univ Delft Tech | Photoconductive antenna array. |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2392782B (en) * | 2002-09-04 | 2005-07-13 | Teraview Ltd | An Antenna |
CA2586112C (en) * | 2004-12-07 | 2014-07-22 | Picometrix, Llc | Photoconductive device |
JP5127430B2 (ja) * | 2007-12-25 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | レーザ素子 |
JP5365470B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2013-12-11 | 株式会社リコー | カメラボディ、撮像ユニット、撮像システム、その撮像ユニットのカメラボディに対する着脱方法、その撮像ユニットのカメラボディに対する装着方法、その撮像ユニットのカメラボディに対する抜き取り方法 |
WO2010129804A1 (en) * | 2009-05-07 | 2010-11-11 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Photoconductive switch package |
DE102010049658A1 (de) * | 2010-10-25 | 2012-04-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Effizienz-verbessertes fasergekoppeltes Terahertzsystem |
US8957441B2 (en) * | 2010-11-08 | 2015-02-17 | Intellectual Discovery Co., Ltd. | Integrated antenna device module for generating terahertz continuous wave and fabrication method thereof |
JP2012212870A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-11-01 | Canon Inc | 光伝導素子 |
JP6062640B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2017-01-18 | キヤノン株式会社 | 光伝導素子 |
JP2013002995A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Pioneer Electronic Corp | 光伝導基板およびこれを用いた電磁波発生検出装置 |
US8805148B2 (en) * | 2011-07-14 | 2014-08-12 | International Business Machines Corporation | Generation of terahertz electromagnetic waves in graphene by coherent photon-mixing |
JP5910064B2 (ja) * | 2011-12-20 | 2016-04-27 | セイコーエプソン株式会社 | 光伝導アンテナ、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 |
JP5998479B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2016-09-28 | セイコーエプソン株式会社 | 光伝導アンテナ、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 |
JP6003063B2 (ja) * | 2012-01-18 | 2016-10-05 | セイコーエプソン株式会社 | 光伝導アンテナ、テラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置 |
EP2839257B1 (en) * | 2012-04-20 | 2018-08-08 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Opto-electronic device and pulse processing method |
-
2014
- 2014-02-07 JP JP2014022242A patent/JP2015148541A/ja not_active Withdrawn
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- 2015-02-05 US US14/615,216 patent/US20150228840A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017092141A (ja) * | 2015-11-05 | 2017-05-25 | パイオニア株式会社 | 光伝導素子及び計測装置 |
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