JP2023037354A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】封止体の一面にかかる熱ストレスの抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】一方向に並ぶ第１半導体素子３０Ｌおよび第２半導体素子３０Ｈと、出力端子７３を有し、第１半導体素子に接続された第１中間導体部４１Ｌと、第１電源端子７１を有し、第１中間導体部とは反対の面で第１半導体素子に接続された第１電源導体部５１Ｌと、第２半導体素子に接続され、一方向および縦方向において第１電源導体部と並んで配置された第２中間導体部５１Ｈと、第２電源端子７２を有し、第２中間導体部とは反対の面で第２半導体素子に接続された、第１電源導体部よりも熱容量の大きい第２電源導体部４１Ｈと、継手部と、これらを封止する封止体２０と、を備え、封止体の一面２０ｃから出力端子、第１電源端子、および、第２電源端子が突出し、封止体からの突出部位が、一方向において出力端子、第２電源端子、第１電源端子の順に並んでいる。【選択図】図３

Description

本明細書に記載の開示は、第１半導体素子と第２半導体素子を有する半導体装置に関するものである。

特許文献１には、半導体装置が開示されている。この半導体装置において、上アームを構成する半導体素子が２つヒートシンクの間に設けられている。下アームを構成する半導体素子が別の２つのヒートシンクの間に設けられている。上アームを構成する半導体素子の設けられるヒートシンクの１つと下アームを構成する半導体素子の設けられるヒートシンクの１つが継手によって接続されている。

特開２０２１－６１３９３号公報

上アーム側の半導体素子の設けられるヒートシンクの１つにはＰ端子が接続されている。下アーム側の半導体素子に設けられるヒートシンクの１つにはＯ端子が接続されている。下アーム側の半導体素子の設けられるヒートシンクの別の１つにはＮ端子が接続されている。これらが封止樹脂体に一体的に封止されている。

３つの端子それぞれの一部が封止樹脂体の一面から露出されている。これらは上アームを構成する半導体素子と下アームを構成する半導体素子の並ぶ方向において、Ｏ端子、Ｎ端子、Ｐ端子の順に並んでいる。

そのために、下アーム側の半導体素子の設けられるヒートシンクとＮ端子の間の継手部の長さが短くなる。下アーム側の半導体素子の設けられるヒートシンクの１つと継手部とＮ端子を併せた部位の熱容量が小さくなりやすくなる。Ｎ端子にかかる熱によって封止樹脂体の一面にかかる熱ストレスが大きくなる虞があった。

そこで本開示の目的は、封止体の一面にかかる熱ストレスの抑制された半導体装置を提供することである。

本開示の一態様による半導体装置は、
第１電極（３２）と第２電極（３１）とを有し、一方向に並ぶ第１半導体素子（３０Ｌ）および第２半導体素子（３０Ｈ）と、
出力端子（７３）を有し、第１半導体素子の第１電極に接続された第１中間導体部（４１Ｌ）と、
第１電源端子（７１）を有し、第１中間導体部とは反対の面で第１半導体素子の第２電極に接続された第１電源導体部（５１Ｌ）と、
第２半導体素子の第２電極に接続され、一方向および一方向に直交する縦方向において第１電源導体部と並んで配置された第２中間導体部（５１Ｈ）と、
第２電源端子（７２）を有し、第２中間導体部とは反対の面で第２半導体素子の第１電極に接続された、第１電源導体部よりも熱容量の大きい第２電源導体部（４１Ｈ）と、
第１中間導体部と第２中間導体部とを電気的に接続する継手部（６０）と、
第１半導体素子、第２半導体素子、第１中間導体部、第１電源導体部、第２中間導体部、第２電源導体部、および、継手部を封止する封止体（２０）と、を備え、
封止体の一面（２０ｃ）から出力端子、第１電源端子、および、第２電源端子が突出し、
封止体からの突出部位が、一方向において出力端子、第２電源端子、第１電源端子の順に並んでいる。

これによれば、第１電源導体部（５１Ｌ）における第１半導体素子（３０Ｌ）の設けられる部位と第１電源端子（７１）の間の部位の長さが長くなっている。その分、第１電源導体部（５１Ｌ）の熱容量が大きくなっている。第１電源端子（７１）にかかる熱によって封止体（２０）の一面（２０ｃ）にかかる熱ストレスが抑制されやすくなっている。

なお、上記の括弧内の参照番号は、後述の実施形態に記載の構成との対応関係を示すものに過ぎず、技術的範囲を何ら制限するものではない。

第１実施形態に係る半導体装置が適用される電力変換装置の回路図である。 半導体装置の平面図である。 半導体装置から封止樹脂体を除いた平面図である。 図２に示すＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。 図２に示すＶ－Ｖ線に沿う断面図である。 エミッタ電極側の放熱部を省略した平面図である。 エミッタ電極側の放熱部の平面図である。 コレクタ電極側の放熱部にＤＢＣ基板が採用された半導体装置の平面図である。 図８に示すＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。 図８に示すＸ－Ｘ線に沿う断面図である。 コレクタ電極側の放熱部の平面図である。 エミッタ電極側の放熱部にＤＢＣ基板が採用された半導体装置の平面図である。 図１２に示すＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１２に示すＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図である。 エミッタ電極側の放熱部の平面図である。 コレクタ電極側の放熱部とエミッタ電極側の放熱部それぞれにＤＢＣ基板が採用された断面図である。 コレクタ電極側の放熱部とエミッタ電極側の放熱部それぞれにＤＢＣ基板が採用された断面図である。 変形例を説明する断面図である。 変形例を説明する断面図である。 変形例を説明する断面図である。 変形例を説明する平面図である。 変形例を説明する平面図である。

以下、図面を参照しながら本開示を実施するための複数の形態を説明する。各形態において先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を適用することができる。

また、各実施形態で組み合わせが可能であることを明示している部分同士の組み合わせばかりではなく、特に組み合わせに支障が生じなければ、明示していなくても実施形態同士、実施形態と変形例、および、変形例同士を部分的に組み合せることも可能である。

（第１実施形態）
先ず、図１に基づき、半導体装置１０が適用される電力変換装置１について説明する。

＜電力変換装置＞
図１に示す電力変換装置１は、たとえば電気自動車やハイブリッド自動車に搭載される。電力変換装置１は、直流電源２とモータジェネレータ３との間で電力変換を行う。電力変換装置１は、直流電源２およびモータジェネレータ３とともに、車両の駆動システムを構成する。

直流電源２は、リチウムイオン電池やニッケル水素電池などの充放電可能な二次電池である。モータジェネレータ３は、三相交流方式の回転電機である。モータジェネレータ３は、車両の走行駆動源、すなわち電動機として機能する。モータジェネレータ３は、回生時に発電機として機能する。

電力変換装置１は、平滑コンデンサ４と、電力変換器であるインバータ５を備えている。平滑コンデンサ４の正極側端子は、直流電源２の高電位側の電極である正極に接続され、負極側端子は、直流電源２の低電位側の電極である負極に接続されている。インバータ５は、入力された直流電力を所定周波数の三相交流に変換し、モータジェネレータ３に出力する。インバータ５は、モータジェネレータ３により発電された交流電力を、直流電力に変換する。インバータ５は、ＤＣ－ＡＣ変換部である。

インバータ５は、三相分の上下アーム回路６を備えて構成されている。上下アーム回路６は、レグと称されることがある。各相の上下アーム回路６は、正極側の電源ラインである高電位電源バスバ７と、負極側の電源ラインである低電位電源バスバ８の間で、上アーム６Ｈと下アーム６Ｌが直列に接続されてなる。各相の上下アーム回路６において、上アーム６Ｈと下アーム６Ｌの接続点は、モータジェネレータ３への出力ラインである出力バスバ９に接続されている。

本実施形態では、各アームを構成するスイッチング素子として、ｎチャネル型の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ６ｉ（以下、ＩＧＢＴ６ｉと示す）を採用している。ＩＧＢＴ６ｉのそれぞれには、還流用のダイオードであるＦＷＤ６ｄが逆並列に接続されている。一相分の上下アーム回路６は、２つのＩＧＢＴ６ｉを有している。上アーム６Ｈにおいて、ＩＧＢＴ６ｉのコレクタ電極３２が、高電位電源バスバ７に接続されている。下アーム６Ｌにおいて、ＩＧＢＴ６ｉのエミッタ電極３１が、低電位電源バスバ８に接続されている。そして、上アーム６ＨにおけるＩＧＢＴ６ｉのエミッタ電極３１と、下アーム６ＬにおけるＩＧＢＴ６ｉのコレクタ電極３２が相互に接続されている。

電力変換装置１は、上記した平滑コンデンサ４およびインバータ５に加えて、インバータ５とは別の電力変換器であるコンバータ、インバータ５やコンバータを構成するスイッチング素子の駆動回路、フィルタコンデンサなどを備えてもよい。コンバータは、直流電圧を異なる値の直流電圧に変換するＤＣ－ＤＣ変換部である。コンバータは、直流電源２と平滑コンデンサ４との間に設けられる。フィルタコンデンサは、直流電源２に並列に接続される。フィルタコンデンサは、たとえば直流電源２からの電源ノイズを除去する。

＜半導体装置＞
次に、図２～図７に基づき、半導体装置１０の一例について説明する。図３は図２から封止体２０を省略した図である。図４、図５は、図３のＩＶ－ＩＶ線、Ｖ－Ｖ線に沿う断面図である。図６は図３に対してエミッタ電極３１側の放熱部５０を省略した平面図である。図７はエミッタ電極３１側の放熱部５０を示す平面図である。なお、便宜上、図３には図２に付与した断面線と、封止体２０を一点鎖線で示している。

また半導体装置１０を構成する要素の一部について、符号末尾に上アーム６Ｈ側を示す「Ｈ」を付与し、下アーム６Ｌ側を示す「Ｌ」を付与している。要素の他の一部について、便宜上、上アーム６Ｈと下アーム６Ｌとで共通の符号を付与している。

以下では、半導体素子３０の板厚方向をｚ方向、ｚ方向に直交する一つの方向、具体的には２つの半導体素子３０の並び方向をｘ方向と示す。また、ｚ方向およびｘ方向の両方向に直交する方向をｙ方向と示す。

なお、ｘ方向は一方向に相当する。ｙ方向は縦方向に相当する。ｚ方向は高さ方向に相当する。また、特に断りのない限り、ｚ方向から平面視した形状、換言すればｘ方向およびｙ方向により規定されるｘｙ面に沿う形状を平面形状とする。また、ｚ方向からの平面視を単に平面視と示す。

図２～図７のように半導体装置１０は、封止体２０、半導体素子３０、コレクタ電極３２側の放熱部４０、エミッタ電極３１側の放熱部５０、ターミナル５５、継手部６０、主端子７０、および、はんだ８１～８７を備えている。半導体装置１０は、上記した一相分の上下アーム回路６を構成する。

封止体２０は、半導体装置１０を構成する構成要素の一部を封止している。構成要素の残りの部分は封止体２０の外に露出されている。封止体２０は、たとえばエポキシ系樹脂を材料とする。封止体２０は、たとえばトランスファモールド法により成形されている。図２～図５に示すように、封止体２０は平面略矩形状をなしている。封止体２０は、封止表面２０ａと、ｚ方向において封止表面２０ａとは反対の封止裏面２０ｂを有している。封止表面２０ａおよび封止裏面２０ｂは、たとえば平坦面となっている。

半導体素子３０は、シリコン（Ｓｉ）、シリコンよりもバンドギャップが広いワイドバンドギャップ半導体などを材料とする半導体基板に、素子が形成されてなる。ワイドバンドギャップ半導体としては、たとえばシリコンカーバイド（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、ダイヤモンドがある。半導体素子３０は、半導体チップと称されることがある。

素子は、ｚ方向に主電流が流れるように縦型構造をなしている。縦型素子として、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ、ダイオードなどを採用することができる。本実施形態では、縦型素子として、１つのアームを構成するＩＧＢＴ６ｉおよびＦＷＤ６ｄが形成されている。縦型素子は、ＲＣ（Reverse Conducting）－ＩＧＢＴである。半導体素子３０は、図示しないゲート電極を有している。ゲート電極は、たとえばトレンチ構造をなしている。半導体素子３０は、自身の板厚方向、すなわちｚ方向における両面に、素子の主電極を有している。

具体的には、主電極として、封止表面２０ａ側にエミッタ電極３１を有し、封止裏面２０ｂ側にコレクタ電極３２を有している。エミッタ電極３１は、ＦＷＤ６ｄのアノード電極を兼ねている。コレクタ電極３２は、ＦＷＤ６ｄのカソード電極を兼ねている。なお、エミッタ電極３１が第２電極に相当する。コレクタ電極３２が第１電極に相当する。

半導体装置１０は、２つの半導体素子３０を備えている。具体的には、上アーム６Ｈを構成する半導体素子３０Ｈと、下アーム６Ｌを構成する半導体素子３０Ｌを備えている。半導体素子３０Ｈ、３０Ｌは、互いに同様の構成を有している。半導体素子３０Ｈ、３０Ｌは、ｘ方向に並んでいる。半導体素子３０Ｈ、３０Ｌは、ｚ方向において互いにほぼ同じ位置に配置されている。なお、半導体素子３０Ｈは第２半導体素子に相当する。半導体素子３０Ｌは第１半導体素子に相当する。

放熱部４０は、はんだ８１を介して、コレクタ電極３２と電気的に接続された配線部材である。はんだ８１は、放熱部４０とコレクタ電極３２とを接続（接合）している。放熱部４０は、半導体素子３０との対向面である実装面４０ａと、実装面４０ａとは反対の面である実装裏面４０ｂを有している。放熱部４０の実装面４０ａと半導体素子３０のコレクタ電極３２との間にはんだ８１が介在し、はんだ接合部が形成されている。さらに放熱部４０は、半導体素子３０の熱を外部に放熱する機能を有している。実装裏面４０ｂから半導体素子３０の熱が外部に放熱されている。

また放熱部４０の表面にはＮｉやＡｕなどの薄膜９０が備えられる。薄膜９０によって放熱部４０が被覆されている。本実施形態において、放熱部４０は、Ｃｕを材料とする金属板である。放熱部４０は、放熱部材、ヒートシンク、リードフレームと称されることがある。なお薄膜９０の記載について図面では一部省略している。

半導体装置１０は、２つの放熱部４０を備えている。具体的には、上アーム６Ｈを構成する第２放熱部４０Ｈと、下アーム６Ｌを構成する第３放熱部４０Ｌを備えている。

図４および図６に示すように、第２放熱部４０Ｈと第３放熱部４０Ｌはｘ方向に並んでいる。図４および図５に示すように、第２放熱部４０Ｈと第３放熱部４０Ｌは、互いにほぼ同じ厚みを有している。第２放熱部４０Ｈの実装面４０ａと半導体素子３０Ｈのコレクタ電極３２との間、および、第３放熱部４０Ｌの実装面４０ａと半導体素子３０Ｌのコレクタ電極３２との間のそれぞれに、はんだ接合部が形成されている。

第２放熱部４０Ｈと第３放熱部４０Ｌは、ｚ方向からの平面視において、対応する半導体素子３０を内包している。第２放熱部４０Ｈと第３放熱部４０Ｌの実装裏面４０ｂは、封止体２０の封止裏面２０ｂから露出している。第２放熱部４０Ｈと第３放熱部４０Ｌの実装裏面４０ｂから半導体素子３０Ｈと半導体素子３０Ｌの熱が放熱されている。なお、実装裏面４０ｂは、放熱面、露出面と称されることがある。実装裏面４０ｂは、封止体２０の封止裏面２０ｂと略面一である。第２放熱部４０Ｈと第３放熱部４０Ｌの実装裏面４０ｂは、ｘ方向に並んでいる。第２放熱部４０Ｈと第３放熱部４０Ｌの具体的な形態については後で詳説する。

放熱部５０およびターミナル５５は、ｚ方向において半導体素子３０の封止表面２０ａ側に配置され、はんだ８２、８３を介して、エミッタ電極３１と電気的に接続された配線部材である。ターミナル５５は、ｚ方向において半導体素子３０と放熱部５０との間に介在している。はんだ８２は、ターミナル５５とエミッタ電極３１とを接続（接合）している。はんだ８３は、放熱部５０とターミナル５５とを接続（接合）している。放熱部５０については後で詳説する。

ターミナル５５は、半導体素子３０との対向面である第１端面５５ａと、第１端面５５ａとは反対の面である第２端面５５ｂを有している。放熱部５０は、第２端面５５ｂとの対向面である実装面５０ａと、実装面５０ａとは反対の面である実装裏面５０ｂを有している。実装面５０ａは、放熱部５０において半導体素子３０側の面である。ターミナル５５の第１端面５５ａと半導体素子３０のエミッタ電極３１との間にはんだ８２が介在し、はんだ接合部が形成されている。ターミナル５５の第２端面５５ｂと放熱部５０の実装面５０ａとの間にはんだ８３が介在し、はんだ接合部が形成されている。

ターミナル５５は、半導体素子３０（エミッタ電極３１）と放熱部５０との電気伝導、熱伝導経路の途中に位置する。ターミナル５５は、Ｃｕ、Ｃｕ合金などの金属材料を含んでいる。表面に、薄膜９０を備えてもよい。薄膜９０によってターミナル５５が被覆されている。ターミナル５５Ｈ、５５Ｌは、平面視においてエミッタ電極３１とほぼ同じ大きさを有する平面略矩形状の柱状体である。ターミナル５５は、金属ブロック体、中継部材と称されることがある。

半導体装置１０は、２つのターミナル５５を備えている。具体的には、上アーム６Ｈを構成するターミナル５５Ｈと、下アーム６Ｌを構成するターミナル５５Ｌを備えている。ターミナル５５Ｈの第１端面５５ａと半導体素子３０Ｈのエミッタ電極３１との間、および、ターミナル５５Ｌの第１端面５５ａと半導体素子３０Ｌのエミッタ電極３１との間に、はんだ接合部がそれぞれ形成されている。

放熱部５０は、半導体素子３０の熱を外部に放熱する。放熱部５０の表面に、ＮｉやＡｕなどの薄膜９０が備えられる。薄膜９０によって放熱部５０が被覆されている。本実施形態において、放熱部５０は、Ｃｕを材料とする金属板である。放熱部５０は、放熱部材、ヒートシンク、リードフレームと称されることがある。

半導体装置１０は、２つの放熱部５０を備えている。具体的には、上アーム６Ｈを構成する第４放熱部５０Ｈと、下アーム６Ｌを構成する第１放熱部５０Ｌを備えている。

図４および図７に示すように、第１放熱部５０Ｌの一部と第４放熱部５０Ｈがｘ方向に並んでいる。第１放熱部５０Ｌの残りと第４放熱部５０Ｈがｙ方向に並んでいる。図４および図５に示すように、第１放熱部５０Ｌと第４放熱部５０Ｈは、互いにほぼ同じ厚みを有している。第１放熱部５０Ｌの実装面５０ａとターミナル５５Ｌの第２端面５５ｂとの間、および、第４放熱部５０Ｈの実装面５０ａとターミナル５５Ｈの第２端面５５ｂとの間それぞれに、はんだ８３が介在し、はんだ接合部が形成されている。

第１放熱部５０Ｌと第４放熱部５０Ｈは、ｚ方向からの平面視において、対応する半導体素子３０およびターミナル５５を内包している。第１放熱部５０Ｌと第４放熱部５０Ｈの実装裏面５０ｂは、封止体２０の封止表面２０ａから露出している。第１放熱部５０Ｌと第４放熱部５０Ｈの実装裏面５０ｂから半導体素子３０Ｈと半導体素子３０Ｌの熱が放熱されている。実装裏面５０ｂは、放熱面、露出面と称されることがある。実装裏面５０ｂは、封止体２０の封止表面２０ａと略面一である。第１放熱部５０Ｌの一部と第４放熱部５０Ｈそれぞれの実装裏面５０ｂがｘ方向に並んでいる。第１放熱部５０Ｌの残りと第４放熱部５０Ｈの実装裏面５０ｂがｙ方向に並んでいる。第１放熱部５０Ｌと第４放熱部５０Ｈの具体的な形態については後で詳説する。

継手部６０は、上下アーム回路６を構成する要素間をつないでいる。継手部６０は、半導体装置１０を構成する要素間をつないでいる。図４に示すように、継手部６０は、第３放熱部４０Ｌに連なっている。継手部６０は、はんだ８４を介して第４放熱部５０Ｈの実装面５０ａに電気的および機械的に接続されている。継手部６０は封止体２０によって覆われている。なお、継手部６０は、第３放熱部４０Ｌに対して一体的に設けられることで連なってもよいし、別部材として設けられ、接合により連なってもよい。

主端子７０は外部接続端子である。主端子７０は第１電源端子７１と第２電源端子７２と出力端子７３を有する。第１電源端子７１は低電位電源バスバ８に電気的に接続される。第１電源端子７１はＮ端子と称されることがある。第２電源端子７２は高電位電源バスバ７に電気的に接続される。第２電源端子７２はＰ端子と称されることがある。出力端子７３は出力バスバ９に接続される端子のことである。主端子７０はリードフレームの一部から切り出されている。主端子７０の表面には放熱部４０、５０と同様の薄膜９０が形成されている。薄膜９０によって主端子７０が被覆されている。

＜放熱部と主端子＞
図７に示すように第１放熱部５０Ｌは基部５２と延長部５３を有する。基部５２は略矩形形状を成している。基部５２における第４放熱部５０Ｈと隣接する端部に延長部５３が一体的に連結されている。延長部５３は第４放熱部５０Ｈに沿うようにしてｘ方向に延びている。延長部５３における基部５２からｘ方向で離間した端部５４に第１電源端子７１がはんだ８５を介して接続されている。延長部５３と第１電源端子７１との間にはんだ接合部が形成されている。基部５２の実装面５０ａに半導体素子３０Ｌが設けられている。以下、第１放熱部５０Ｌと第１電源端子７１を併せた部位を第１電源導体部５１Ｌと示す。なお、第１電源導体部５１Ｌには第１放熱部５０Ｌと第１電源端子７１を接合するはんだ８５が含まれている。

図６に示すように第２放熱部４０Ｈは略矩形形状を成している。第２放熱部４０Ｈにおける第３放熱部４０Ｌ側の端部に第２電源端子７２が一体的に連結されている。図６に示すように第２電源端子７２の一部がｘ方向とｙ方向で第３放熱部４０Ｌと並んでいる。

また第２電源端子７２は第２放熱部４０Ｈから遠ざかるようにしてｙ方向に延びている。第２放熱部４０Ｈの実装面４０ａに半導体素子３０Ｈが設けられている。以下第２放熱部４０Ｈと第２電源端子７２を併せた部位を第２電源導体部４１Ｈと示す。

上記したように第１放熱部５０Ｌは第１電源端子７１とはんだ８５を介して接続されている。第２放熱部４０Ｈは第２電源端子７２と一体的に連結されている。それに伴って第１電源導体部５１Ｌの熱容量は第２電源導体部４１Ｈの熱容量よりも小さくなっている。言い換えれば第２電源導体部４１Ｈの熱容量は第１電源導体部５１Ｌの熱容量よりも大きくなっている。

第１電源導体部５１Ｌは第２電源導体部４１Ｈよりも温度上昇しやすくなっている。第２電源導体部４１Ｈは第１電源導体部５１Ｌよりも温度上昇しにくくなっている。

また第３放熱部４０Ｌにおけるｘ方向で第２放熱部４０Ｈから離間した側の端部に出力端子７３が一体的に連結されている。出力端子７３は第３放熱部４０Ｌから遠ざかるようにしてｙ方向に延びている。第３放熱部４０Ｌの実装面４０ａに半導体素子３０Ｌが設けられている。第３放熱部４０Ｌと出力端子７３を併せた部位を第１中間導体部４１Ｌと示す。

図７に示すように第４放熱部５０Ｈは略矩形形状を成している。第４放熱部５０Ｈの実装面５０ａに半導体素子３０Ｈが設けられている。図７に示すように第４放熱部５０Ｈは第１放熱部５０Ｌとｘ方向で並ぶとともにｙ方向で並んでいる。第４放熱部５０Ｈは基部５２とｘ方向で並ぶとともに延長部５３とｙ方向で並んでいる。以下、第４放熱部５０Ｈを、文脈に応じて適宜、第２中間導体部５１Ｈと示す。すなわち第２中間導体部５１Ｈは第４放熱部５０Ｈを兼ねている。

図４～図７に示すように第１中間導体部４１Ｌと第１電源導体部５１Ｌがｚ方向に離間して配置されている。第１中間導体部４１Ｌと第１電源導体部５１Ｌの間に半導体素子３０Ｌが設けられている。

また第２電源導体部４１Ｈと第２中間導体部５１Ｈがｚ方向に離間して配置されている。第２電源導体部４１Ｈと第２中間導体部５１Ｈの間に半導体素子３０Ｈが設けられている。

上記したように封止体２０には、複数の半導体素子３０、放熱部４０の一部、放熱部５０の一部、ターミナル５５、継手部６０、主端子７０の一部を一体的に封止している。

図３～図５に示すように封止体２０の封止表面２０ａから第１放熱部５０Ｌの実装裏面５０ｂと第４放熱部５０Ｈの実装裏面５０ｂが露出されている。封止体２０の封止裏面２０ｂから第３放熱部４０Ｌの実装裏面４０ｂと第２放熱部４０Ｈの実装裏面４０ｂが露出されている。これら放熱部４０、５０を介して半導体素子３０の熱が外部に放熱されやすくなっている。

また封止体２０における封止表面２０ａと封止裏面２０ｂを連結するｙ方向の端の一面２０ｃから第１電源端子７１、第２電源端子７２、および、出力端子７３それぞれの一部が突出している。これらはｘ方向において半導体素子３０Ｌから半導体素子３０Ｈに向かって出力端子７３、第２電源端子７２、第１電源端子７１の順に並んでいる。

上記したように第１電源端子７１は延長部５３における基部５２からｘ方向で離間した端部５４にはんだ８５を介して接続されている。第２電源端子７２は第２放熱部４０Ｈにおける第３放熱部４０Ｌ側の端部に一体的に連結されている。

図３に示すように一面２０ｃと第１電源端子７１における一面２０ｃから離間した端面７１ａの間の距離が、一面２０ｃと第２電源端子７２における一面２０ｃから離間した端面７２ａの間の距離よりも長くなっている。第１電源端子７１の一面２０ｃから突出した突出部位の長さが、第２電源端子７２の一面２０ｃから突出した突出部位の長さよりも長くなっている。

一面２０ｃと端面７１ａの間の距離が、一面２０ｃと出力端子７３における一面２０ｃから離間した端面７３ａの間の距離よりも長くなっている。第１電源端子７１の一面２０ｃから突出した突出部位の長さが、出力端子７３の一面２０ｃから突出した突出部位の長さよりも長くなっている。

また図３に示すように第１電源端子７１の端面７１ａ側の先端７４に低電位電源バスバ８が接続されている。第２電源端子７２の端面７２ａ側の先端７５に高電位電源バスバ７が接続されている。出力端子７３の端面７３ａ側の先端７６に出力バスバ９が接続されている。

第１電源端子７１における低電位電源バスバ８との接続部位と一面２０ｃの間の距離が、第２電源端子７２における高電位電源バスバ７との接続部位と一面２０ｃの間の距離よりも長くなっている。第１電源端子７１における低電位電源バスバ８との接続部位と一面２０ｃの間の距離が、出力端子７３における出力バスバ９との接続部位と一面２０ｃの間の距離よりも長くなっている。これら主端子７０は高電位電源バスバ７、低電位電源バスバ８、出力バスバ９それぞれに例えば溶接によって接続されている。

なお、一面２０ｃと端面７２ａの間の距離と、一面２０ｃと端面７３ａの間の距離の大小関係は限定されない。第２電源端子７２における高電位電源バスバ７との接続部位と一面２０ｃの間の距離と、出力端子７３における出力バスバ９との接続部位と一面２０ｃの間の距離の大小関係は限定されない。

＜熱ストレス＞
一相分の上下アーム回路６を構成する所謂２ｉｎ１パッケージを構成する半導体装置１０において、第１電源端子７１が第１放熱部５０Ｌにはんだ８５を介して接続されると、はんだ接続部で熱抵抗が高まりやすくなる。そのために第１電源端子７１にかかる熱が第１放熱部５０Ｌに伝熱されにくくなる。それに伴って第１電源端子７１と第１放熱部５０Ｌを含む第１電源導体部５１Ｌの熱容量が、第２電源端子７２と第２放熱部４０Ｈを含みはんだ接続部を含まない第２電源導体部４１Ｈの熱容量よりも小さくなりやすくなっている。第１電源導体部５１Ｌが第２電源導体部４１Ｈよりも温度上昇しやすくなっている。

さらに本実施形態とは異なり、第１電源端子７１が出力端子７３と第２電源端子７２の間にある構成では、第１電源端子７１と本実施形態で言う延長部５３に相当する部分の長さが短くなっている。そのために第１電源端子７１と本実施形態で言う第１放熱部５０Ｌに相当する部分を併せた部位の熱容量が小さくなりやすくなる。第１電源端子７１における封止体２０から突出した部位にかかる熱によって封止体２０の一面２０ｃに熱ストレスがかかる虞があった。

＜作用効果＞
本実施形態では第１電源導体部５１Ｌの熱容量が第２電源導体部４１Ｈの熱容量よりも小さくなっている構成において、ｘ方向において半導体素子３０Ｌから半導体素子３０Ｈに向かって出力端子７３、第２電源端子７２、第１電源端子７１の順に並んでいる。

そして第１放熱部５０Ｌの基部５２からｘ方向に延長した延長部５３の端部５４にはんだ８５を介して第１電源端子７１が接続されている。

これによれば延長部５３の長さが長くなっている。その分、第１電源導体部５１Ｌの熱容量が大きくなっている。その分、第１電源導体部５１Ｌの温度が上昇しにくくなっている。そのために第１電源端子７１における封止体２０から突出した部位にかかる熱によって封止体２０の一面２０ｃにかかる熱ストレスが抑制されやすくなっている。

これまでに説明したように第１電源端子７１の一面２０ｃから突出した突出部位の長さが、第２電源端子７２の一面２０ｃから突出した突出部位の長さよりも長くなっている。これによれば第１電源端子７１の突出部位熱容量が第２電源端子７２の突出部位の熱容量よりも大きくなっている。それに伴って第１電源導体部５１Ｌの熱容量が大きくなりやすくなっている。

これまでに説明したように第１電源端子７１における低電位電源バスバ８との接続部位と一面２０ｃの間の距離が、第２電源端子７２における高電位電源バスバ７との接続部位と一面２０ｃの間の距離よりも長くなっている。それに伴い、第１電源端子７１における低電位電源バスバ８との接続部位と一面２０ｃの間の熱抵抗が、第２電源端子７２における高電位電源バスバ７との接続部位と一面２０ｃの間の熱抵抗よりも高くなっている。これによれば、第１電源端子７１における低電位電源バスバ８との接続部位にかかる熱によって一面２０ｃにかかる熱ストレスが抑制されやすくなっている。

これまでに説明したように第２電源端子７２が第２放熱部４０Ｈに一体的に連結されている。出力端子７３が第３放熱部４０Ｌに一体的に連結されている。これによれば第２電源端子７２と第２放熱部４０Ｈを連結する連結部材が必要なくなる。出力端子７３と第３放熱部４０Ｌを連結する連結部材が必要なくなる。すなわち半導体装置１０の部品点数が削減される。低コスト化につながりやすくなっている。

（第２実施形態）
第１実施形態では放熱部４０と放熱部５０それぞれがＣｕを材料とするリードフレームと呼ばれる金属板で形成されている構成について説明した。しかしながら放熱部４０と放熱部５０それぞれがリードフレームに限定されていなくてもよい。例えば、図８～図１１に示すように絶縁基材１４２に放熱部４０が設けられる形態などを採用することができる。

半導体装置１０は絶縁基材１４２を有する。この構成では、絶縁基材１４２の基材表面１４２ａに第３放熱部４０Ｌの一部と第２放熱部４０Ｈの一部が設けられている。絶縁基材１４２の基材裏面１４２ｂに第３放熱部４０Ｌの残りと第２放熱部４０Ｈの残りが設けられている。以下、説明を簡便とするために基材表面１４２ａ設けられる第３放熱部４０Ｌの一部と第２放熱部４０Ｈの一部を金属体１４３と示す。基材裏面１４２ｂに設けられる第３放熱部４０Ｌの残りと第２放熱部４０Ｈの残りを金属体１４４と示す。

絶縁基材１４２は、セラミックを材料として形成された板状の部材である。絶縁基材１４２は、セラミック基板と称されることがある。セラミックとしては、熱伝導性が良好な、酸化物系セラミック、窒化物系セラミックを採用することができる。より詳しくは、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化シリコン（シリコンナイトライド）などを採用することができる。絶縁基材１４２は、平面略矩形状をなしている。なお、絶縁基材１４２は第１電極側基材に相当する。

図９および図１０に示すように絶縁基材１４２と金属体１４３、１４４はｚ方向において、半導体素子３０のコレクタ電極３２側に配置されている。上記したように絶縁基材１４２は、半導体素子３０の一面と対向する側の面である基材表面１４２ａと、ｚ方向において基材表面１４２ａとは反対の面である基材裏面１４２ｂを有している。絶縁基材１４２の基材表面１４２ａに金属体１４３が設けられ、基材裏面１４２ｂに金属体１４４が設けられている。なお、基材表面１４２ａは第１電極側基材の備える表面に相当する。基材裏面１４２ｂは第１電極側基材の備える裏面に相当する。

金属体１４３、１４４は、銅（Ｃｕ）板、または、銅箔として提供される。金属体１４３、１４４のそれぞれは、絶縁基材１４２（たとえばアルミナ）に直接接合されている。放熱部４０は例えば厚銅基板である。

金属体１４３は配線機能を有している。金属体１４３は下アーム６Ｌを構成する第１金属体１４３Ｌと、上アーム６Ｈを構成する第２金属体１４３Ｈを有している。図９および図１１に示すように第１金属体１４３Ｌと第２金属体１４３Ｈはｘ方向に離間して並んでいる。

第１金属体１４３Ｌには半導体素子３０Ｌが配置されている。第１金属体１４３Ｌは、平面視において半導体素子３０Ｌを内包するように設けられている。

第１金属体１４３Ｌは配線機能を有している。第１金属体１４３Ｌはコレクタ電極３２に接続されておりコレクタ配線部として機能する。第１金属体１４３Ｌははんだ接合部を介してコレクタ電極３２に接続されている。また第１金属体１４３Ｌには、はんだ８６を介して出力端子７３が接続されている。なお第１金属体１４３Ｌと出力端子７３との接続形態ははんだ８６に限定されない。第１金属体１４３Ｌと出力端子７３とが電気的に接続されていればよい。

また第１金属体１４３Ｌには継手部６０が接続されている。継手部６０を介して第１金属体１４３Ｌと第４放熱部５０Ｈとが電気的に接続されている。

第２金属体１４３Ｈには半導体素子３０Ｈが配置されている。第２金属体１４３Ｈは、平面視において半導体素子３０Ｈを内包するように設けられている。

第２金属体１４３Ｈは配線機能を有している。第２金属体１４３Ｈはコレクタ電極３２に接続されており、コレクタ配線部として機能する第２金属体１４３Ｈは、はんだ接合部を介してコレクタ電極３２に接続されている。また第２金属体１４３Ｈには、はんだ８７を介して第２電源端子７２が接続されている。なお第２金属体１４３Ｈと第２電源端子７２との接続形態ははんだ８７に限定されない。第２金属体１４３Ｈと第２電源端子７２とが電気的に接続されていればよい。

金属体１４４は、絶縁基材１４２によって、金属体１４３とは電気的に分離されている。金属体１４４は、放熱板（ヒートシンク）として機能する。金属体１４４は、平面視において、金属体１４３とほぼ一致するように設けられている。金属体１４４は下アーム６Ｌを構成する第３金属体１４４Ｌと上アーム６Ｈを構成する第４金属体１４４Ｈを有している。

第３金属体１４４Ｌと第４金属体１４４Ｈにおける絶縁基材１４２との接合面との反対側の面は、封止裏面２０ｂと略面一の状態で封止体２０から露出している。第３金属体１４４Ｌと第４金属体１４４Ｈは放熱機能を有している。熱が外部に効果的に放熱されやすくなっている。

また金属体１４３と金属体１４４の間に絶縁基材１４２が介在されているので、例えば図示しない金属製の積層冷却器の２つ中継管の間にセラミックなどの絶縁物を介さずに半導体装置１０を配置することができるようになっている。

（第３実施形態）
第２実施形態では絶縁基材１４２に放熱部４０が設けられる形態について説明したが、図１２～図１５に示すように絶縁基材１５２に放熱部５０が設けられる形態が採用されていてもよい。

半導体装置１０は絶縁基材１５２を有する。この構成では、基材表面１５２ａに第１放熱部５０Ｌの一部と第４放熱部５０Ｈの一部が設けられている。基材裏面１５２ｂに第１放熱部５０Ｌの残りと第４放熱部５０Ｈの残りが設けられている。以下、説明を簡便とするために基材表面１５２ａ設けられる第１放熱部５０Ｌの一部と第４放熱部５０Ｈの一部を金属体１５３と示す。基材裏面１５２ｂに設けられる第１放熱部５０Ｌの残りと第４放熱部５０Ｈの残りを金属体１４４と示す。

絶縁基材１５２は、セラミックを材料として形成された板状の部材である。絶縁基材１５２は、セラミック基板と称されることがある。絶縁基材１５２は、平面略矩形状をなしている。なお、絶縁基材１５２は第２電極側基材に相当する。

図１３および図１４に示すように絶縁基材１５２と金属体１５３、１５４はｚ方向において、半導体素子３０のエミッタ電極３１側に配置されている。上記したように絶縁基材１５２は、半導体素子３０の一面と対向する側の面である基材表面１５２ａと、ｚ方向において基材表面１５２ａとは反対の面である基材裏面１５２ｂを有している。絶縁基材１５２の基材表面１５２ａに金属体１５３が設けられ、基材裏面１５２ｂに金属体１５４が設けられている。なお、基材表面１５２ａは第２電極側絶縁基材の備える表面に相当する。基材裏面１５２ｂは第２電極側絶縁基材の備える裏面に相当する。

金属体１５３、１５４は、銅（Ｃｕ）板、または、銅箔として提供される。金属体１５３、１５４のそれぞれは、絶縁基材１５２（たとえばアルミナ）に直接接合されている。放熱部５０は、例えば厚銅基板である。

金属体１５３は配線機能を有している。金属体１５３は下アーム６Ｌを構成する第５金属体１５３Ｌと上アーム６Ｈを構成する第６金属体１５３Ｈを有している。

図１２～図１５に示すように第６金属体１５３Ｈが第５金属体１５３Ｌの一部とｘ方向に離間して並んでいる。第６金属体１５３Ｈが第５金属体１５３Ｌの一部とｙ方向に離間して並んでいる。

第５金属体１５３Ｌには半導体素子３０Ｌが配置されている。第５金属体１５３Ｌは、平面視において半導体素子３０Ｌを内包するように設けられている。

第５金属体１５３Ｌは配線機能を有している。第５金属体１５３Ｌはエミッタ電極３１に接続されておりエミッタ配線部として機能する。第５金属体１５３Ｌははんだ接合部を介してエミッタ電極３１に接続されている。第５金属体１５３Ｌは、はんだ８５を介して第１電源端子７１に接続されている。なお第５金属体１５３Ｌと第１電源端子７１との接続形態ははんだ８５に限定されない第５金属体１５３Ｌと第１電源端子７１とが電気的に接続されていればよい。

第６金属体１５３Ｈには半導体素子３０Ｈが配置されている。第６金属体１５３Ｈは、平面視において半導体素子３０Ｈを内包するように設けられている。

第６金属体１５３Ｈは配線機能を有している。第６金属体１５３Ｈはエミッタ電極３１に接続されており、エミッタ配線部として機能する。第６金属体１５３Ｈははんだ接合部を介してエミッタ電極３１に接続されている。また第６金属体１５３Ｈには継手部６０が接続されている。継手部６０を介して第６金属体１５３Ｈと第３放熱部４０Ｌとが電気的に接続されている。

金属体１５４は、絶縁基材１５２によって、金属体１５３とは電気的に分離されている。金属体１５４は、放熱板（ヒートシンク）として機能する。金属体１５４は、平面視において、金属体１５３とほぼ一致するように設けられている。金属体１５４は下アーム６Ｌを構成する第７金属体１５４Ｌと上アーム６Ｈを構成する第８金属体１５４Ｈを有している。

第７金属体１５４Ｌと第８金属体１５４Ｈにおける絶縁基材１５２との接合面との反対側の面は、封止表面２０ａと略面一の状態で封止体２０から露出している。第７金属体１５４Ｌと第８金属体１５４Ｈは放熱機能を有している。熱が外部に効果的に放熱されやすくなっている。

また金属体１５３と金属体１５４の間に絶縁基材１５２が介在されているので、例えば図示しない金属製の積層冷却器の２つ中継管の間にセラミックなどの絶縁物を介さずに半導体装置１０を配置することができるようになっている。

（第４実施形態）
図１６および図１７に示すように、半導体装置１０が絶縁基材１４２と絶縁基材１５２を有していてもよい。その場合、基材表面１４２ａに金属体１４３が設けられている。基材裏面１４２ｂに金属体１４４が設けられている。基材表面１５２ａに金属体１５３が設けられている。基材裏面１５２ｂに金属体１５４が設けられている。詳しい形態については上記と同等であるために説明を省略する。

（変形例１）
また図１８～図２０に示すように主端子７０のｚ方向の厚さは不均一になっていてもよい。例えば図１８に示すように主端子７０における封止体２０に封止される部位のｚ方向の厚さが、主端子７０における封止体２０から突出する部位のｚ方向の厚さよりも厚くなっていてもよい。

図１８で基づいて言えば、第２電源端子７２における封止体２０に封止される部位のｚ方向の厚さが、第２電源端子７２における封止体２０から突出する部位のｚ方向の厚さよりも厚くなっている。これによれば、第２電源端子７２の熱容量が大きくなりやすくなっている。第２電源端子７２の温度上昇が抑制されやすくなっている。

図１８においては第２電源端子７２のｚ方向の厚さが均一でない場合について説明したが、第２電源端子７２に限定されない。例えば第１電源端子７１における封止体２０に封止される部位のｚ方向の厚さが、第１電源端子７１における封止体２０から突出する部位のｚ方向の厚さよりも厚くなっていてもよい。出力端子７３における封止体２０に封止される部位のｚ方向の厚さが、出力端子７３における封止体２０から突出する部位のｚ方向の厚さよりも厚くなっていてもよい。

特に第１電源端子７１に適用される場合においては、第１電源端子７１の熱容量が大きくなりやすく温度上昇が抑制されやすいので、封止体２０の一面２０ｃに熱ストレスがかかることが抑制されやすくなっている。

（変形例２）
他にも図１９に示すように第２電源端子７２における封止体２０から突出する部位のｚ方向の厚さが、第２電源端子７２における封止体２０に封止される部位のｚ方向の厚さより厚くなっていてもよい。これによれば、第２電源端子７２の熱容量が大きくなりやすくなっている。なお図１９においてはこの形態が第２電源端子７２に適用される形態について説明したが、この形態が第１電源端子７１や出力端子７３に適用されていてもよい。

（変形例３）
さらに図２０に示すように、第２電源端子７２における封止体２０から突出する部位のｚ方向の厚さが、第２電源端子７２における封止体２０に封止される部位のｚ方向の厚さより厚く、さらにその表面に凹凸が形成されていてもよい。これによれば第２電源端子７２の熱容量が大きくなりやすくなるとともに第２電源端子７２が外部の空気に放熱されやすくなっている。なお、図２０においてはこの形態が第２電源端子７２に適用される形態について説明したが、この形態が第１電源端子７１や出力端子７３に適用されていてもよい。主端子７０の少なくとも一つにこれまでに変形例１～３で説明した形態が適用されていればよい。

（変形例４）
第１実施形態では主端子７０の表面に放熱部４０、５０と同様の薄膜９０が形成されている構成について説明したが、図２１および図２２に示すように主端子７０におけるバスバの接続される部位に薄膜９０が設けられていなくても良い。なお、図２１と図２２においては、薄膜９０の形成されている部位と形成されていない部位との境界を一点鎖線で示すとともに、薄膜９０の形成されている部位を分かりやすくするためにハッチングを付している。

これによれば主端子７０に薄膜９０を溶融するための熱がかかることを抑制できる。そのために主端子７０にかかる熱が抑制されやすくなっている。

図２１に示すように第１電源端子７１における低電位電源バスバ８に接続される先端が尖るように一部が欠けていても良い。これによれば第１電源端子７１が溶融されやすくなっている。第１電源端子７１にかかる熱が抑制されやすくなっている。

（変形例５）
他にも図２２に示すように第１電源端子７１における低電位電源バスバ８に接続される先端にスリットが入るように一部が切り欠かれていても良い。これによれば上記と同様に第１電源端子７１にかかる熱が抑制されやすくなっている。

なお、第１電源端子７１と低電位電源バスバ８との接続部位、第２電源端子７２と高電位電源バスバ７との接続部位、出力端子７３と出力バスバ９との接続部位の少なくとも１つに適用されていればよい。

（その他の変形例）
本実施形態では、ｘ方向において半導体素子３０Ｌから半導体素子３０Ｈに向かって、すなわち図面左方から右方に向かって出力端子７３、第２電源端子７２、第１電源端子７１の順に並んでいる構成について説明した。これに代えて半導体装置１０の構成要素が本実施形態の構成とは対称に配置されることで、半導体素子３０Ｈから半導体素子３０Ｌに向かって、すなわち図面左方から右方に向かって第１電源端子７１、第２電源端子７２、出力端子７３の順に並んでいても良い。

本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態が本開示に示されているが、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範ちゅうや思想範囲に入るものである。

７…高電位電源バスバ、８…高電位電源バスバ、９…出力バスバ、２０…封止体、２０ｃ…一面、３０Ｈ…半導体素子、３０Ｌ…半導体素子、３１…エミッタ電極、３２…コレクタ電極、４０Ｈ…第２放熱部、４０Ｌ…第３放熱部、４１Ｈ…第２電源導体部、４１Ｌ…第１中間導体部、５０Ｈ…第４放熱部、５０Ｌ…第１放熱部、５１Ｈ…第２中間導体部、５１Ｌ…第１電源導体部、６０…継手部、７１…第１電源端子、７２…第２電源端子、７３…出力端子、７４…先端、７５…先端、７６…先端、９０…薄膜、１４２…絶縁基材、１４２ａ…基材表面、１４２ｂ…基材裏面、１５２…絶縁基材、１５２ａ…基材表面、１５２ｂ…基材裏面

Claims (9)

1. 第１電極（３２）と第２電極（３１）とを有し、一方向に並ぶ第１半導体素子（３０Ｌ）および第２半導体素子（３０Ｈ）と、
   出力端子（７３）を有し、前記第１半導体素子の前記第１電極に接続された第１中間導体部（４１Ｌ）と、
   第１電源端子（７１）を有し、前記第１中間導体部とは反対の面で前記第１半導体素子の前記第２電極に接続された第１電源導体部（５１Ｌ）と、
   前記第２半導体素子の前記第２電極に接続され、前記一方向および前記一方向に直交する縦方向において前記第１電源導体部と並んで配置された第２中間導体部（５１Ｈ）と、
   第２電源端子（７２）を有し、前記第２中間導体部とは反対の面で前記第２半導体素子の前記第１電極に接続された、前記第１電源導体部よりも熱容量の大きい第２電源導体部（４１Ｈ）と、
   前記第１中間導体部と前記第２中間導体部とを電気的に接続する継手部（６０）と、
   前記第１半導体素子、前記第２半導体素子、前記第１中間導体部、前記第１電源導体部、前記第２中間導体部、前記第２電源導体部、および、前記継手部を封止する封止体（２０）と、を備え、
   前記封止体の一面（２０ｃ）から前記出力端子、前記第１電源端子、および、前記第２電源端子が突出し、
   前記封止体からの突出部位が、前記一方向において前記出力端子、前記第２電源端子、前記第１電源端子の順に並んでいる半導体装置。
2. 前記第１電源端子における前記一面から突出する部位の長さが、前記第２電源端子における前記一面から突出する部位の長さよりも長くなっている請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１電源導体部は前記第１電源端子の他に、前記第１半導体素子の熱を放熱する第１放熱部（５０Ｌ）を有し、
   前記第２電源導体部は前記第２電源端子の他に、前記第２半導体素子の熱を放熱する第２放熱部（４０Ｈ）を有し、
   前記第１中間導体部は前記出力端子の他に、前記第１半導体素子の熱を放熱する第３放熱部（４０Ｌ）を有し、
   前記第２中間導体部が前記第１半導体素子の熱を放熱する第４放熱部（５０Ｈ）を兼ねている請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記第２放熱部と前記第２電源端子が一体的に連結され、
   前記第３放熱部と前記出力端子が一体的に連結されている請求項３に記載の半導体装置。
5. 前記第２電極よりも前記第１電極側に配置される第１電極側基材（１４２）を有し、
   前記第１電極側基材の備える表面（１４２ａ）に前記第２半導体素子との配線機能を担う前記第２放熱部の一部と、前記第１半導体素子との配線機能を担う前記第３放熱部の一部が設けられ、
   前記第１電極側基材の備える裏面（１４２ｂ）に前記第２半導体素子から放熱される熱の放熱機能を担う前記第２放熱部の残りと、前記第１半導体素子から放熱される熱の放熱機能を担う前記第３放熱部の残りが設けられている請求項３または４に記載の半導体装置。
6. 前記第１電極よりも前記第２電極側に配置される第２電極側基材（１５２）を有し、
   前記第２電極側基材の備える表面（１５２ａ）に前記第２半導体素子との配線機能を担う前記第４放熱部の一部と、前記第１半導体素子との配線機能を担う前記第１放熱部の一部が設けられ、
   前記第２電極側基材の備える裏面（１５２ｂ）に前記第２半導体素子から放熱される熱の放熱機能を担う前記第４放熱部の残りと、前記第１半導体素子から放熱される熱の放熱機能を担う前記第１放熱部の残りが設けられている請求項３～５のいずれか１項に記載の半導体装置。
7. 前記第１電源端子における前記一面から離間した先端（７４）、前記第２電源端子における前記一面から離間した先端（７５）、および、前記出力端子における前記一面から離間した先端（７６）それぞれに外部のバスバ（７、８、９）が接続される請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体装置。
8. 前記第１電源端子、前記第２電源端子、および、前記出力端子それぞれを被覆する薄膜（９０）を有し、
   前記第１電源端子、前記第２電源端子、および、前記出力端子のうちの少なくとも１つの外部の前記バスバとの接続部位が前記薄膜から露出される請求項７に記載の半導体装置。
9. 前記一方向と前記縦方向に直交する高さ方向において、前記第１電源端子、前記第２電源端子、および、前記出力端子のうちの少なくとも１つの厚さが不均一になっている請求項１～８のいずれか１項に記載の半導体装置。

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