JP2022532558A

JP2022532558A - フラットワイヤ銅垂直送出マイクロ波相互接続法

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Publication number: JP2022532558A
Application number: JP2021566153A
Authority: JP
Inventors: イー．ベネディクト，ジェームズ; エー．ダネロ，ポール; ケー．ハーンドン，メアリー; ヴイ．シキナ，トーマス; アール．サウスワース，アンドリュー; ワイルダー，ケヴィン
Original assignee: Raytheon Co
Current assignee: Raytheon Co
Priority date: 2019-05-14
Filing date: 2019-05-14
Publication date: 2022-07-15
Also published as: KR20210151967A; US20200367357A1; WO2020231406A1; TW202107957A; EP3970456A1

Abstract

【要約】回路構造は、その上に形成された信号トレースを有する信号基板と、信号基板の上方に配置されたマイクロストリップ基板とを有する。マイクロストリップ基板は、その上に形成されたマイクロストリップ・トレースと、マイクロストリップ基板を通過する孔とを含む。回路構造はまた、マイクロストリップ基板を通過する孔を通過し、実質的に充填し、信号基板上の信号トレースと電気的に接触する導体と、マイクロストリップ・トレースを導体の第１端部に電気的に接続するフラットワイヤコネクタとを含む。フラットワイヤコネクタは、当該フラットワイヤコネクタとマイクロストリップ基板の頂部表面との間にギャップが形成されるように配置される。

Description

本開示は、高周波プリント回路基板回路に関し、特に、フラットワイヤ銅垂直送出方法を利用して、高周波回路に使用できる多層回路構造を形成することに関する。

生産努力において、よりコンパクトで、高周波（RF）及び電磁回路を、従来のプリント回路基板プロセスを用いて製造することができる。いくつかのRF回路及び電磁回路は、いくつかの層を含むことができ、かくして、異なる層上に配置された導体間の電気的接続を必要とする。このような層間接続を表すために一般的に使用される用語は、「ビア」である。

従来のPCB製造プロセスが、層間に電気伝導を提供するためにビアを形成することができる。これらのプロセスは、危険物質中の浴槽を含む複数の異なる工程を含み、複数回の反復、大規模な労働などを必要とすることがあり、これらは全て、より高いコストとより遅いターンアラウンド時間をもたらす。

さらに、バイアを形成することができる従来の方法は、サイズによって制限される。すなわち、従来の方法は、小さな特徴を形成することには適さない。このサイズ下限は、このような装置によってサポートされ得る最も高い周波数信号の範囲を制限してしまう。

一実施形態によれば、回路構造が、信号トレース(110)をその上に形成した信号基板(120)と、マイクロストリップ基板(140)とを含む。マイクロストリップ基板は、信号基板の上に形成され、その上にマイクロストリップ・トレース(102)を形成し、マイクロストリップ・トレースを通過する孔(220)を含む。回路構造はまた、前記マイクロストリップ基板を通過し、該マイクロストリップ基板を通過する前記孔を実質的に満たし、該信号基板上の前記信号トレースに電気的に接触する導体(112)；及び前記マイクロストリップ・トレースを前記導体の第１端部に電気的に接続するフラットワイヤコネクタ(150)であって、当該フラットワイヤコネクタと前記マイクロストリップ基板の頂部表面との間にギャップが形成されるように配置される、フラットワイヤコネクタ；を含む。

回路構造の任意の上記実施形態によれば、前記フラットワイヤコネクタは、前記マイクロストリップ・トレース及び前記導体の頂部にハンダ付けされる。

回路構造の任意の上記実施形態によれば、前記導体は中実ワイヤである。

回路構造の任意の上記実施形態によれば、前記導体の第２端部は、前記信号トレースにハンダ付け(202)される。

回路構造の任意の上記実施形態によれば、前記導体の頂部は、前記マイクロストリップ基板の前記頂部表面よりも上方に延在する。

回路構造の任意の上記実施形態によれば、前記信号基板と前記マイクロストリップ基板との間に配置される中間基板(130)をさらに含み、前記中間基板は、その中に形成された孔(204)を含み、該孔が前記マイクロストリップ基板を通過する前記孔(220)と整列する。

回路構造の任意の上記実施形態によれば、前記導体は、前記マイクロストリップ基板を通過する前記孔(220)と、前記中間基板内に形成された前記孔(204)との両方を通過する。

さらに開示される回路構造を製造する方法は、信号基板(120)上に信号トレース(110)を形成するステップ；前記信号基板上に直接的又は間接的にマイクロストリップ基板(140)をボンディングするステップ；前記マイクロストリップ基板内に孔(220)を形成するステップ；導体(112)を、前記孔を通過させて、前記マイクロストリップ基板を通過する孔を実質的に満たし、信号基板上の信号トレースに電気的に接触させるステップ；フラットワイヤコネクタ(150)を、前記マイクロストリップ基板及び前記導体の第１端部に電気的に接続して、当該フラットワイヤコネクタと前記マイクロストリップ基板の頂部表面との間にギャップを形成するステップ；を含む。

任意の上記方法によれば、前記孔に前記導体を通す前に、前記信号トレース上にハンダボールを形成するステップをさらに含む。

任意の上記方法によれば、前記導体に熱を印加して、前記ハンダボールをリフローさせるステップをさらに含む。

任意の上記方法によれば、前記孔を通過させる前に、前記導体の第２端部にハンダボールを形成するステップ；及び前記導体が前記孔を通過した後、前記導体に熱を印加して前記ハンダボールをリフローさせるステップ；をさらに含む。

任意の上記方法によれば、前記フラットワイヤコネクタを前記マイクロストリップ及び前記導体の前記第１端部に電気的に接続するステップは、前記フラットワイヤコネクタを前記マイクロストリップにハンダ付けし、前記フラットワイヤコネクタを前記導体の前記第１端部にハンダ付けするステップを含む。

任意の上記方法によれば、前記導体は中実ワイヤである。

任意の上記方法によれば、前記信号基板上方に前記マイクロストリップ基板を接合する前に、中間基板を前記信号基板に接合するステップ；前記中間基板を貫通する孔を形成するステップ；を含む。

任意の上記方法によれば、前記導体を前記マイクロストリップ基板内の前記孔に通過させるステップは、前記導体を前記中間基板内に形成された前記孔を通過させるステップを含む。

一実施形態では同一平面導波回路が開示される。該同一平面導波回路は、基板であり、当該基板の頂部表面上に形成された第１マイクロストリップ接地トレース及び第２マイクロストリップ接地トレースを含み、当該基板の前記頂部表面上に形成されかつ前記第１マイクロストリップ接地トレースと前記第２マイクロストリップ接地トレースとの間に形成された信号マイクロストリップを含む基板；前記基板の底部表面上に配置された接地平面；前記基板を通過し、前記基板を通過する第１孔を実質的に満たし、前記接地平面に電気的に接触する第１導体；及び前記第１マイクロストリップ接地トレースを前記第１導体の第１端部に電気的に接続する第１フラットワイヤコネクタであり、当該第１フラットワイヤコネクタと前記基板の頂部表面との間に第１ギャップが形成されるように構成される、第１フラットワイヤコネクタ；を含む。

該同一平面導波回路はさらに、前記基板を通過し、前記基板を通過する第２孔を実質的に満たし、前記接地平面に電気的に接触する第２導体；及び前記第２マイクロストリップ接地トレースを前記第２導体の第１端部に電気的に接続する第２フラットワイヤコネクタであり、当該第２フラットワイヤコネクタと前記基板の頂部表面との間に第２ギャップが形成されるように構成される、第２フラットワイヤコネクタ；を含む。

追加の特徴及び利点は、本発明の技術によって実現される。本発明の他の実施形態及び態様は、本明細書に詳細に記載されており、請求項に係る発明の一部とみなされる。

本開示をより完全に理解するために、添付の図面及び詳細な説明に関連して、以下の簡単な説明を参照する。ここで、同様の参照番号は同様の部分を表す。

一実施形態に従った回路構造を示す。図１の回路構造を形成するために使用され得る種々のプロセスステップを示す。図１の回路構造を形成するために使用され得る種々のプロセスステップを示す。図１の回路構造を形成するために使用され得る種々のプロセスステップを示す。図１の回路構造を形成するために使用され得る種々のプロセスステップを示す。図１の回路構造を形成するために使用され得る種々のプロセスステップを示す。一実施形態に従って、フラットワイヤコネクタがマイクロストリップを図１の導体に接続する方法の詳細な図を示す。２つの垂直送出構造を含む同一平面導波路の例を示す。

図１は、一実施形態に従って形成された電磁回路構造１００を示す概略断面図である。回路は、例えば、RF周波数送信機又は受信機であってもよい。一実施形態では、回路１００は、本明細書の後述するプロセスによって形成することができる。本明細書に記載されるこのような製造プロセスは、適切な減算（例えば、粉砕、孔あけ）及び加算（例えば、３D印刷、充填）製造装置を使用して、例えば、８～７５GHz以上、及び３００GHz以上の範囲の電磁信号をサポートすることができる小さな回路特徴を有するこのような回路構造の製造に特に適している。本明細書に記載されるシステム及び方法に従う電磁回路は、ミリ波通信、センシング（sensing）、レンジング（ranging）などを含む２８～７０GHzシステムでの適用に特に適している。記載される態様及び実施形態はまた、Ｓバンド（２～４GHz）、Ｘバンド（８～１２GHz）、又は他のもののような、より低周波数の用途にも適している。

本明細書に記載されているものに従った電磁回路及び製造方法は、従来の回路及び方法よりも、低プロファイルで、低コストで、低サイクル時間で、及び低設計リスクで、より高い周波数を取り扱うことが可能な電磁回路及び部品を製造するための、種々の加法的及び減法的製造技術を含む。技術の例としては、基板の表面から導電性材料を機械加工（例えば、ミリング）して、信号トレース（例えば、信号導体、ストリップ線）又は開口を形成し、これは、従来のPCBプロセスによって許容される寸法よりもかなり小さくすることができ、１つ以上の基板を機械加工して、トレンチを形成し、印刷された導電性インクをトレンチに堆積させて、連続電気バリア（例えば、ファラデー壁）（例えば、最小間隔を必要とする一連のグラウンドビアとは対照的に）を形成し、基板の一部を通る孔を機械加工（例えば、ミリング、ドリリング、又はパンチ）して、ワイヤが配置された（及び／又は、導電性インクが印刷された）信号トレースに電気的に接触させることによって形成される「垂直送出」信号経路を使用して、印刷された抵抗性インクを堆積させて、抵抗性成分を形成する３次元印刷技術を使用することが挙げられる。

上記の例示的な技術及び／又は他の技術（例えば、ハンダ付け及び／又はハンダリフロー）のいずれかを組み合わせて、種々の電磁構成要素及び／又は回路を作製してもよい。このような技術の態様及び例は、電磁回路の層に沿って一次元で、かつ別の次元で回路の他の層を通って垂直に電磁信号を封じ込め、かつ伝達するための無線周波数相互接続に関して本明細書に記載され、図示されている。ここに記載される技術は、種々の電磁構成要素、コネクタ、回路、アセンブリ、及びシステムを形成するために使用され得る。

図１を参照すると、回路１００は、伝送線路又はアンテナ構造のようなマイクロストリップ・トレース１０２を含む。マイクロストリップ・トレース１０２は、導体１１２によって給電線又は信号線などの内部信号トレース（又はストリップ線路トレース）１１０に電気的に接続される。導体１１２は、本明細書では垂直送出構造（vertical launch structure）と呼ぶことができる。

１つ以上の基板層が、マイクロストリップ・トレース１０２と内部信号トレース１１０との間に配置される。示されるように、２つの基板層１３０、１４０は、マイクロストリップ・トレース１０２と内部信号トレース１１０との間に形成される。これは、限定的であることを意味するものではなく、例として提供される。基板層の数は、少数であってもよく、又は２つより多くてもよく、例えば、３、４、....１００であってもよい。

マイクロストリップ・トレース１０２には、内部信号トレース１１０によって提供される信号が、導体１１２によって供給され得る。あるいは、マイクロストリップ・トレース１０２は、別のソースから信号を受信し、その信号を導体１１２を介して内部信号トレース１１０へと提供することができる。一実施形態では、導体１１２は、マイクロストリップ・トレース１０２と内部信号トレース１１０との間で同時に（例えば、双方向に）１つ以上の信号を両方向に伝達することができる。

導体１１２を含む回路のいくつかの他の例では、マイクロストリップ・トレース１０２は、導体１１２の上に直接接続される。しかしながら、導体１１２は、基板（例えば、基板１２０、１３０、１４０）とは異なる熱膨張係数を有し得るので、このような構成は、マイクロストリップ・トレース１０２を導いて導体から切り離してしまうことがある。本明細書の実施形態では、フラットワイヤの垂直送出の概念が導入される。そのような実施形態では、マイクロストリップ・トレース１０２と導体１１２との間の接続は、フラットワイヤコネクタ１５０によって行われる。フラットワイヤコネクタ１５０は、マイクロストリップ・トレース１０２をその上に形成しているか、或いは他の方法でその上に配置させている基板とは接触せず、かつコネクタ１５０の長さの少なくとも一部分について基板からずれている。図１に示すように、フラットワイヤコネクタ１５０と基板１４０の上方表面との間には、ギャップgが存在する。この場合、基板１４０は、「頂部」基板又は「マイクロストリップ」基板と称することができる。コネクタ及び基板群が熱に曝され、異なる速度で膨張する場合、フラットワイヤコネクタ１５０によってもたらされるマイクロストリップ・トレース１０２の導体１１２への接続は、導体１１２とマイクロストリップ・トレース１０２との間の電気的接続を切断することなく、相対的な移動が可能となる。言い換えると、フラットワイヤコネクタ１５０を提供することによって、長い垂直送出相互接続のための歪み解放が達成される。これは、例えば、０.０９０インチを超える垂直送出接続（例えば、基板１２０及び１４０の頂部間の距離）を可能にする。

様々な実施形態では、導体１１２は、回路１００の１つ又は複数の基板及び／又は層の開口部に挿入され、製造プロセスのある時点でハンダリフロー動作に続いて、１つ又は複数の位置又は表面で内部信号トレース１１０にハンダバンプを適用するなどして、ハンダ接合によってマイクロストリップ・トレース１０２に物理的及び電気的に固定されてもよい。従って、導体１１２は、開口部（孔）の内側に圧縮嵌合又は力嵌合する必要はなく、開口部の壁に対して緩い嵌合を有してもよい。

導体１１２を収容するための基板１２０、１３０、１４０の開口部は、導体１１２を収容するために適切なサイズの孔をフライス削り又はドリル加工することによって形成することができる。導体１１２は、中実、中空、一本鎖、又は多本鎖であってもよい、銅又は他の導体ワイヤのようなワイヤであってもよい。様々な実施形態では、導体１１２のミリングされた孔及び／又は直径は、直径が約５ミル（０.００５インチ）程度、又は好適な機械加工装置では約２又は３ミル程度であってもよい。

図１において、回路は、頂部基板又はマイクロストリップ基板１４０と、図示された中央又は中間基板１３０との間の接地面１１４のような他の任意の素子を含む。図１に示される例は、底面基板又は信号搬送基板１２０の対向面上に形成される第２の接地面１１６をさらに含む。それにより、内部信号トレース１１０に一対の接地面１１４、１１６が提供される。接地面１１６、１１４は、それぞれの基板の１つ以上の表面に配置された、銅のような電気めっきされた材料によって形成することができる。

図２Ａ～２Ｅは、フラットワイヤの垂直送出を含む、図１に示される回路のような回路を形成するビルドアッププロセスを示す。最初に、底部基板又は信号を搬送する基板１２０が提供される。導電性材料が、上部に堆積され（内部信号トレース１１０）、任意に、信号搬送基板１２０の底部に設けることもできる（第２の接地面１１６）。内部信号トレース１１０は、内部信号トレース１１０を形成するために、余分な導電性材料をミリングすることによって、導電性材料の面のうちの少なくとも１つから形成され得る。

内部信号トレース１１０（及び図１のマイクロストリップ１０２）又は基板上に形成され、或いは他の方法で担持される他の電気接続は、特定の信号タイプに対して適当な幅にミリングすることができ、特定の信号タイプは、トレース又は使用可能な周波数の範囲に部分的に基づいてもよい。また、信号基板１２０の厚さ及び材料が都合良く選択されて、任意の第２の接地面１１６と組み合わせて、内部信号トレース１１０によって伝達される信号について特性インピーダンスが維持され得るようにすることができる。

ハンダ又は他の金属バンプ（ハンダバンプ２０２）が、内部信号トレース１１０に適用される。図示のように、ハンダバンプ２０２は、信号トレースの端部又はその近傍にあるが、他の位置にあってもよい。

図２Ｂに示されるように、次いで、別の基板（中間基板１３０）が、任意に、種々のタイプの接着フィルム２１０（例えば、接着剤）及び接着方法を介して、信号又は底部基板１２０に接着され得る。しかしながら、そのような中間層１３０を含まない実施形態は、本発明の範囲内にあり、信号基板１２０及びマイクロストリップ基板１４０（図１）のみを含む。また、図２Ｂ～Ｅにボンディングフィルム層が図に示されているが、層を接合する他の方法としては必要とされない。

中間基板１３０は、信号トレース１１０（及びハンダバンプ２０２）の末端へのアクセスを提供するために、その中に形成された孔２０４を含む。孔２０４は、中間基板１３０が信号基板又は底部基板１２０に接合される前に、又はその後に、ミリングされてもよい。しかし、もし後であれば、ハンダバンプ２０２が接合中にホール２０４内でリフローできるように、孔が接合フィルム２１０を通過する必要がある。

図２Ｃに示されるように、次いで、別の基板マイクロストリップ基板１４０が、種々のタイプの接着フィルム２３０（例えば、接着剤）及び接着方法を介して、中間基板１３０に接着され得る。中間基板１３０と同様に、マイクロストリップ基板は、ハンダバンプ２０２にアクセスするためにその中に形成された孔２２０を含む。孔２２０は、マイクロストリップ基板１４０が中間基板に接合される前に、又はその後にミリングされてもよい。しかし、もし後であれば、孔はボンディングフィルム２３０を通過する必要がある。マイクロストリップ基板内の孔２２０は、中間基板内の孔２０４と整列され、導体１１２が両方を通過し、ハンダバンプ２０２に接触することを可能にする。一実施形態では、マイクロストリップ・トレース１０２は、中間基板１３０に接合される前にマイクロストリップ基板１４０上に形成される。例えば、マイクロストリップは、マイクロストリップ基板１４０の表面に配置された、例えば、適切な信号を供給されたときに電磁エネルギを放射するように構成された直線状又は螺旋状の信号トレースのような、様々な形状のいずれかを有するラジエータ（放射器）であってもよい。

この例では、任意の数の中間基板を含むことができ、それらのいくつか又は全ては、その上に形成された接地面又はトレースを含むことができる。

マイクロストリップ基板１４０が中間基板１３０に接着された後、ドリル又は他の器具が孔２０４／２２０に挿入されて、それらに流入した可能性のある接着膜を除去することができる。穿孔プロセスは、少なくともハンダバンプ２０２に接触するまで下方に継続する。次いで、孔２２０、２０４は基板１４０、１３０を通して実質的に連続した開口を形成し、ハンダバンプ２０２、したがって内部信号トレース１１０へのアクセスを可能にする。

図２Ｄに示すように、導体１１２は、ハンダバンプ２０２と接触するように、孔２０４／２２０（明確にするために図示せず）に挿入することができる。上述の実施例に加えて、導体１１２は、一実施形態では、直径５ミルの中実の銅シリンダであることにも留意されたい。導体１１２は、一実施形態では、孔２０４／２２０を実質的に満たす。

ハンダ付けガン又は熱源を導体の一端に印加して、ハンダバンプ２０２をリフローさせ、導体１１２の一端と内部信号トレース１１０との間に安全な電気接続を形成することができる。

しかしながら、一実施形態では、ハンダボールは、上述のように内部信号トレース１１０に適用されないことがあることが理解されるべきである。このような場合、ボールは、孔２０４／２２０に挿入される導体１１２の端部に配置され得る。次いで、導体を加熱してハンダボールをリフローさせることができる。

図２Ｅに示すように、フラットワイヤコネクタ１５０は、マイクロストリップ・トレース１０２及び導体１１２に電気的に結合されて、２つの素子を一緒に電気的に結合することができる。

図３は、フラットワイヤコネクタ１５０をマイクロストリップ・トレース１０２及び導体１１２に電気的に結合することができる１つの方法を示す。特に、第１ハンダバンプ３０５をフラットワイヤコネクタ１５０上の上面にリフローして、マイクロストリップ・トレース１０２に物理的に結合し、電気的に結合することができる。同様に、フラットワイヤコネクタ１５０は、導体１１２の上部に第２のハンダバンプ３１５をリフローすることによって、導体１１２に物理的及び電気的に結合される。

図示されるように、導体は、高さhによって示されるように、マイクロストリップ基板の頂部表面上に延びる。この高さは、一実施形態では２ミルより大きい。高さhは、ギャップgが、フラットワイヤコネクタ１５０とマイクロストリップ基板１４０の上方表面３２０との間に形成されることを保証する。

上記の実施例では、導体１１２は、マイクロストリップ・トレースを内部信号トレース（例えば、ストリップ線トレース）に接続した。ここでの教示は、マイクロストリップ接地トレースを同一平面導波路内の接地面に接続するために適用することができることを理解されたい。

例えば、図４に示すように、１つ又は複数の導体１１２a、１１２bが、第１及び第２のマイクロストリップ接地トレース４０２a、４０２bを、基板４０８を通して接地面４０６に接続することができる。信号マイクロストリップ・トレース４２０が、マイクロストリップ接地トレース４０２a、４０２bの間に配置される。

より詳細には、マイクロストリップ接地トレース４０２a、４０２bは、基板４０８の頂部表面４３０上にあり、接地面は、基板４０８の底部表面４３２上にある。基板４０８は、基板４０８を通過する第１孔４４０aと、基板４０８を通過する第２孔４４０bとを含む。第１導体１１２aは、第１孔４４０aを通過して実質的に満たし、接地面４０６に電気的に接触する。第１導体１１２aと接地面４０６との接続は、第１ハンダバンプ４４２aによって行うことができる。

上記と同様に、第１フラットワイヤコネクタ１５０aが、第１マイクロストリップ接地トレース４０２aを第１導体１１２aの第１端部に電気的に接続する。これにより、第１導体１１２aは、第１マイクロストリップ接地トレース４０２aを接地面４０６に電気的に接続する。第１フラットワイヤコネクタ１５０aは、第１のフラットワイヤ１５０aと基板４０８の頂部表面４３０との間にギャップ（g１）が形成されるように配置される。

第２フラットワイヤコネクタ１５０bが、第２マイクロストリップ接地トレース４０２bを第２導体１１２bの第１端部に電気的に接続する。これにより、第２導体１１２aは、第２マイクロストリップ接地トレース４０２bを接地面４０６に電気的に接続する。上記と同様に、第２フラットワイヤコネクタ１５０bは、第２フラットワイヤ１５０bと基板４０８の頂部表面４３０との間にギャップ（g２）が形成されるように配置される。

空間的に相対的な用語、例えば、「下側」、「下」、「下方」、「上」、「上方」などが、説明を容易にするために、本明細書では、図に示されているように、あるエレメント又は特徴と別のエレメント又は特徴との関係を説明するために使用することができる。空間的に相対的な用語は、図に示されている配向に加えて、使用中又は動作中の装置の異なる配向を包含するように意図されていることが理解されよう。例えば、図中の装置が反転されると、「下」又は「下方」に記載されている他のエレメント又は特徴は、他のエレメント又は特徴の「上方」に配向され、従って、「下方」の用語は、上方及び下方の両方の配向を包含し得る。デバイスは、他の方向（９０度回転するか、又は他の方向）にすることができ、本明細書で使用される空間的に相対的な記述子は、それに従って解釈される。

特許請求の範囲に記載した機能要素に加え全ての手段又はステップの対応する構造、材料、行為等は、特許請求の範囲に規定された他の構成要件との結合において当該機能を発揮する任意の構造、材料又は行為を含むものである。本発明の説明は、例示及び説明の目的で提示されたが、開示された形態の本発明を網羅的に又は限定することを意図したものではない。本発明の範囲及び精神から逸脱することなく、当業者には多くの修正及び変形が明らかであろう。実施形態は、本発明の原理及び実際の用途を最もよく説明し、当業者が、意図される特定の用途に適した種々の修正を施した種々の実施形態について本発明を理解することを可能にするために選択され、説明された。

本発明の好ましい実施形態を説明してきたが、当業者は、現在及び将来とも、以下の特許請求の範囲の範囲内にある種々の改善及び強化を行うことができることが理解されるであろう。これらのクレームは、最初に記載された発明に対する適切な保護を維持すると解釈されるべきである。

Claims

回路構造であって：
その上に信号トレースを形成した信号基板;
前記信号基板の上方に配置されたマイクロストリップ基板であって、その上に形成されたマイクロストリップ・トレースと、それを通過する孔とを含むマイクロストリップ基板；
前記マイクロストリップ基板を通過し、該マイクロストリップ基板を通過する前記孔を実質的に満たし、該信号基板上の前記信号トレースに電気的に接触する導体；及び
前記マイクロストリップ・トレースを前記導体の第１端部に電気的に接続するフラットワイヤコネクタであって、当該フラットワイヤコネクタと前記マイクロストリップ基板の頂部表面との間にギャップが形成されるように配置される、フラットワイヤコネクタ；
を含む回路構造。
前記フラットワイヤコネクタは、前記マイクロストリップ・トレース及び前記導体の頂部にハンダ付けされる、請求項１に記載の回路構造。
前記導体は中実ワイヤである、請求項１に記載の回路構造。
前記導体の第２端部は、前記信号トレースにハンダ付けされる、請求項１に記載の回路構造。
前記導体の頂部は、前記マイクロストリップ基板の前記頂部表面よりも上方に延在する、請求項１に記載の回路構造。
前記信号基板と前記マイクロストリップ基板との間に配置される中間基板をさらに含み、前記中間基板は、その中に形成された孔を含み、該孔が前記マイクロストリップ基板を通過する前記孔(220)と整列する、請求項１に記載の回路構造。
前記導体は、前記マイクロストリップ基板を通過する前記孔と、前記中間基板内に形成された前記孔との両方を通過する、請求項６に記載の回路構造。
回路構造を製造する方法であって：
信号基板上に信号トレースを形成するステップ；
前記信号基板上に直接的又は間接的にマイクロストリップ基板をボンディングするステップ；
前記マイクロストリップ基板内に孔を形成するステップ；
導体を、前記孔を通過させて、前記マイクロストリップ基板を通過する孔を実質的に満たし、信号基板上の信号トレースに電気的に接触させるステップ；
フラットワイヤコネクタを、前記マイクロストリップ基板及び前記導体の第１端部に電気的に接続して、当該フラットワイヤコネクタと前記マイクロストリップ基板の頂部表面との間にギャップを形成するステップ；
を含む方法。
請求項８記載の方法であって：
前記孔に前記導体を通す前に、前記信号トレース上にハンダボールを形成するするステップ；
をさらに含む方法。
請求項９記載の方法であって：
前記導体に熱を印加して、前記ハンダボールをリフローさせるステップ；
をさらに含む方法。
請求項８記載の方法であって：
前記孔を通過させる前に、前記導体の第２端部にハンダボールを形成するステップ；及び
前記導体が前記孔を通過した後、前記導体に熱を印加して前記ハンダボールをリフローさせるステップ；
をさらに含む方法。
前記フラットワイヤコネクタを前記マイクロストリップ及び前記導体の前記第１端部に電気的に接続するステップは、前記フラットワイヤコネクタを前記マイクロストリップにハンダ付けし、前記フラットワイヤコネクタを前記導体の前記第１端部にハンダ付けするステップを含む、請求項８に記載の方法。
前記導体は中実ワイヤである、請求項８に記載の方法。
請求項８記載の方法であって：
前記信号基板上方に前記マイクロストリップ基板を接合する前に、中間基板を前記信号基板に接合するステップ；
前記中間基板を貫通する孔を形成するステップ；
を含む方法。
前記導体を前記マイクロストリップ基板内の前記孔に通過させるステップは、前記導体を前記中間基板内に形成された前記孔を通過させるステップを含む、請求項１４に記載の方法。
同一平面導波回路であって：
基板であり、当該基板の頂部表面上に形成された第１マイクロストリップ接地トレース及び第２マイクロストリップ接地トレースを含み、当該基板の前記頂部表面上に形成されかつ前記第１マイクロストリップ接地トレースと前記第２マイクロストリップ接地トレースとの間に形成された信号マイクロストリップを含む基板；
前記基板の底部表面上に配置された接地平面；
前記基板を通過し、前記基板を通過する第１孔を実質的に満たし、前記接地平面に電気的に接触する第１導体；及び
前記第１マイクロストリップ接地トレースを前記第１導体の第１端部に電気的に接続する第１フラットワイヤコネクタであり、当該第１フラットワイヤコネクタと前記基板の頂部表面との間に第１ギャップが形成されるように構成される、第１フラットワイヤコネクタ；
を含む同一平面導波回路。
請求項１６に記載の同一平面導波回路であって、
前記基板を通過し、前記基板を通過する第２孔を実質的に満たし、前記接地平面に電気的に接触する第２導体；及び
前記第２マイクロストリップ接地トレースを前記第２導体の第１端部に電気的に接続する第２フラットワイヤコネクタであり、当該第２フラットワイヤコネクタと前記基板の頂部表面との間に第２ギャップが形成されるように構成される、第２フラットワイヤコネクタ；
を含む同一平面導波回路。