JP2022529451A - 連続チョクラルスキー法を用いる単結晶シリコンインゴットの成長方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2019年4月18日付けで出願された米国仮出願第62/835,735号の優先権を主張し、その全体が記載されるかのように、その開示を出典明示して本願明細書の一部とみなす。
本開示の分野は、連続チョクラルスキー法を用いる結晶シリコンインゴットの成長方法に関する。
半導体電子部品の製作の大部分のプロセスについての出発物質である単結晶シリコンは、一般的にチョクラルスキー(「Cz」)法によって製造される。この方法において、多結晶シリコン(「ポリシリコン」)は、ルツボに投入し溶融され、種結晶を溶融シリコンと接触させて、単結晶は緩徐抽出(または、スロー取出し;slow extraction)によって成長(または、育成;grawn)させる。ネックの形成が完了した後、結晶の直径は、例えば、所望または目標の直径に到達するまで引上速度(pulling rate)および/または溶融温度を減少させることにより拡張される。次いで、およそ一定の直径を有する結晶の円筒状本体は、溶融レベルの減少を補いつつ、引上速度(pull rate)および溶融温度をコントロールすることにより成長させる。溶融シリコンにつき成長プロセスの終わり付近だか、ルツボが空になる前に、結晶直径を典型的に徐々に低下させて、エンドコーン(end-cone)の形態にてテール端(tail end)を形成させる。エンドコーンは、通常、結晶引上速度およびルツボに供給された熱量を増加させることにより形成される。次いで、直径が十分に小さくなった場合、結晶は融液(または融解物、または融成物;melt)から分離される。
それらが存在するインゴットの部分の温度が第2の閾値温度(すなわち、「拡散閾値」)を超えて維持される限り、固有点欠陥はシリコン格子を介して拡散し続けるであろう。この「拡散閾値」温度未満で、固有点欠陥は、商業上の実際的な期間内でもはや移動的ではない。
カスタマー適用デバイスノードが収縮したので、許容できる欠陥性についての工業規格は、光ポイント散乱(LLS)およびゲート酸化膜強度(GOI)の許容レベルの点からこの時間枠上で発展してきた。例えば、工業用COPフリーの仕様(または、スペック;specification)は、かつては0.12umサイズ未満にて数百未満であり得た。より現在の基準は、完全シリコンとして適格とするために0.026umサイズ以下で20未満のCOPを要求する。もう一つの例として、MOS型トランジスター中のGOIについての過去の基準は、≦8MV(Bモード)にて95%であった。現在、仕様は10~12MV(Dモード)にて99%まで移っている。この要求の上に、BMD密度(バルクの微小欠陥)およびBMDサイズ分布によって伝統的に測定されたウェーハを横切る改善された半径方向の酸素析出の必要性が、デバイス・リソグラフィ中にパターン形成されたオーバーレイに衝撃を与え得る加工またはゆがめ(processing or warp)中に基板スリップを回避するために、デバイスノードが収縮するので、必要とされる。これらの仕様(LLS、GOI、BMD均一性等)が厳しくなったので、欠陥およびCOPフリーシリコン成長のためのコントロール・ウィンドウはかなり収縮し、プロセスの結晶の処理量をかなり低下させてきた。これは、許容できるバンド構造(これはオペレーションのプロセス・ウィンドウに直接的に翻訳できる)が、仕様で経時的に変わったためである。
本開示の1つの態様は、連続チョクラルスキー法による単結晶シリコンインゴットの製造方法に指向される。前記方法は、多結晶シリコンの初期投入量(または、初期装填量;initial charge)をルツボに加えること;前記多結晶シリコンの初期投入量を含むルツボを加熱して、シリコン融液をルツボにて形成させること、ここでは、前記シリコン融液は、溶融シリコンの初期ボリューム(または、量、または体積;volume)を含み、かつ初期の融液高さレベル(melt elevation level)を有する;シリコン種結晶をシリコン融液と接触させること;前記シリコン種結晶を引いて(または、引き上げて;withdraw)、ネック部を成長させること、ここでは、前記シリコン種結晶は前記ネック部の成長中にネック部引上速度にて引かれる;前記シリコン種結晶を引いて、前記ネック部に隣接する外側に広がる(または、外側にフレアを有する;outwardly flaring)種コーン(seed-cone)を成長させること、ここでは、前記シリコン種結晶は、前記外側に広がる種コーンの成長中に種コーン引上速度にて引かれる;および前記シリコン種結晶を引いて、外側に広がる種コーンに隣接する前記単結晶シリコンインゴットの本体(または、メインボディ;main body)を成長させること、ここでは、前記シリコン融液は、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長中に、あるボリュームの溶融シリコンおよび融液高さレベルを含む、を含み、前記単結晶シリコンインゴットの本体は、初期の可変的な(variable)本体引上速度および一定の本体引上速度にて成長させ、前記単結晶シリコンインゴットの本体は、前記単結晶シリコンインゴットの本体長さの約20%未満について、初期の可変的な本体引上速度で成長され、かつ、前記単結晶シリコンインゴットの本体長さの少なくとも約30%の成長について、一定の本体引上速度で成長される;および、さらに、多結晶をルツボへと連続供給し、それにより、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長中に、ルツボにおいて溶融シリコンのボリュームおよび融液高さレベルを補充する。
本発明の文脈において、「完全シリコン」は、Perfect Silicon(登録商標)(SunEdison Semiconductor,Ltd.)のその基準を満たすかまたは超える条件下で成長されたチョクラルスキーで成長した単結晶シリコンインゴットからスライスされた単結晶シリコンウェーハをいう。これらの基準は、凝集した欠陥、DSOD(直接表面酸化物欠陥)、COP(結晶起因ピットまたは粒子)、D欠陥およびI欠陥等についての工業仕様を満たすかまたは超えるインゴットを含む。例えば、「完全シリコン」ウェーハは、検出できないFPD(Seccoエッチング技術によるフローパターン欠陥)およびDSOD(電気的ブレークダウン後の直接表面酸化物欠陥粒子カウント)、およびSeccoエッチング技術によるゼロI欠陥(A欠陥)により特徴付けされ得る。Seccoエッチ(または、エッチング;etch)は、シリコンの様々な結晶学的(100)、(111)および(110)平面中の転位および他の格子欠陥を適切に明らかにするために、アルカリ二クロム酸塩およびフッ化水素酸の希釈水溶液を適用することを含む。エッチは系統(小傾角粒界(low angle grain boundaries))および滑り線の双方をもたらす。本発明方法は、単結晶シリコンインゴットの本体長さの少なくとも約70%にわたる、例えば、単結晶シリコンインゴットの本体長さの少なくとも約80%にわたる、または単結晶シリコンインゴットの本体長さの少なくとも約90%さえにわたる完全シリコンを含む単結晶シリコンインゴットの成長を可能にする。いくつかの具体例において、単結晶シリコンインゴットの本体長さの少なくとも約70%にわたり、例えば、単結晶シリコンインゴットの本体長さの少なくとも約80%にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体長さの少なくとも約90%さえにわたり成長されたインゴットからスライスされたウェーハは、検出できないFPD(Seccoエッチング技術によるフローパターン欠陥)およびDSOD(電気的ブレークダウン後の直接表面酸化物欠陥粒子カウント)およびSeccoエッチングの技術によるゼロI欠陥(A欠陥)により特徴付けられる。いくつかの具体例において、単結晶シリコンインゴットの本体長さの少なくとも約70%にわたり、例えば、単結晶シリコンインゴットの本体長さの少なくとも約80%にわたり、または単結晶シリコンインゴットの本体長さの少なくとも約90%さえにわたり成長されたインゴットからスライスされたウェーハは、≦8MV(Bモード)にて95%での、好ましくは10~12MV(Dモード)にて99%でのMOS型トランジスター中のGOIにより特徴付けられる。
図4に示されるごとく、一定の引上速度は、単結晶シリコンインゴットの本体部分の成長の実質的部分にわたり維持される。三角形(---▲---)によって規定された線は、臨界v/G値を達成する臨界引上速度であり、これは、単結晶シリコンインゴットの本体部分の成長の実質的部分にわたり、初期変化領域(initial varying region)に続いて、一定の引上速度の領域を有する。引上速度は、正方形(---■---)により示される上部の臨界引上速度(「UCL」)、および菱形(---◆---)により示される下部の臨界引上速度(「LCL」)内で変化し、依然として許容できる欠陥性コントロールを達成し得る。単結晶シリコンインゴットの断面積中の固有点欠陥および凝集した点欠陥の領域は、実質的に図2の記載において上記されるものと同じである。
Claims (25)
- 連続チョクラルスキー法による単結晶シリコンインゴットの製造方法であって、
多結晶シリコンの初期投入量をルツボに加えること;
前記多結晶シリコンの初期投入量を含むルツボを加熱して、シリコン融液をルツボにて形成させること、ここでは、前記シリコン融液は、溶融シリコンの初期ボリュームを含み、かつ初期の融液高さレベルを有する;
シリコン種結晶をシリコン融液と接触させること;
前記シリコン種結晶を引いて、ネック部を成長させること、ここでは、前記シリコン種結晶は前記ネック部の成長中にネック部引上速度にて引かれる;
前記シリコン種結晶を引いて、前記ネック部に隣接する外側に広がる種コーンを成長させること、ここでは、前記シリコン種結晶は前記外側に広がる種コーンの成長中に種コーン引上速度にて引かれる;および
前記シリコン種結晶を引いて、外側に広がる種コーンに隣接する前記単結晶シリコンインゴットの本体を成長させること、ここでは、前記シリコン融液は、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長中に、あるボリュームの溶融シリコンおよび融液高さレベルを含む、
を含み、
前記単結晶シリコンインゴットの本体は、初期の可変的な本体引上速度および一定の本体引上速度にて成長させ、前記単結晶シリコンインゴットの本体は、前記単結晶シリコンインゴットの本体長さの約20%未満について、初期の可変的な本体引上速度で成長され、かつ、前記単結晶シリコンインゴットの本体長さの少なくとも約30%の成長について、一定の本体引上速度で成長される;および
さらに、多結晶をルツボへと連続供給し、それにより、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長中に、ルツボにおいて溶融シリコンのボリュームおよび融液高さレベルを補充する、前記製造方法。 - 磁界が、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長中に前記シリコン融液に印加される、請求項1記載の製造方法。
- 水平磁界が、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長中に前記シリコン融液に印加される、請求項2記載の製造方法。
- 先端磁界が、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長中に前記シリコン融液に印加される、請求項2記載の製造方法。
- 印加された前記磁界が、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長の少なくとも約70%の間、実質的に一定の融液/固体界面プロファイルを維持する、請求項2記載の製造方法。
- 印加された前記磁界が、前記単結晶シリコンインゴットの本体の成長の約70%~約90%の間、実質的に一定の融液/固体界面プロファイルを維持する、請求項2記載の製造方法。
- 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、少なくとも約1000ミリメートル長、少なくとも1400ミリメートル長、または少なくとも1500ミリメートル長である、請求項1~6のいずれか1記載の製造方法。
- 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、少なくとも2000ミリメートル長、少なくとも2200ミリメートル長、少なくとも約3000ミリメートル長、または少なくとも約4000ミリメートル長である、請求項1~6のいずれか1記載の製造方法。
- 前記単結晶シリコンインゴットの本体の直径が、少なくとも約150ミリメートル、または少なくとも約200ミリメートルである、請求項1~8のいずれか1記載の製造方法。
- 前記単結晶シリコンインゴットの本体の直径が、少なくとも約300ミリメートル、または少なくとも約450ミリメートルである、請求項1~8のいずれか1記載の方法
- 前記一定の本体引上速度が、約0.4mm/分~約0.8mm/分、約0.4mm/分~約0.7mm/分、または約0.4mm/分~約0.65mm/分である、請求項1~10のいずれか1記載の製造方法。
- 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長さの約5%~約20%について、初期の可変的な本体引上速度で成長される、請求項1~11のいずれか1記載の製造方法。
- 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長さの少なくとも約50%の成長中に一定の本体引上速度で成長される、請求項1~12のいずれか1記載の製造方法。
- 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長さの少なくとも約70%の成長中に一定の本体引上速度で成長される、請求項1~12のいずれか1記載の製造方法。
- 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長さの少なくとも約80%の成長中に一定の本体引上速度で成長される、請求項1~12のいずれか1記載の製造方法。
- 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長さの少なくとも約90%の成長中に一定の本体引上速度で成長される、請求項1~12のいずれか1記載の製造方法。
- 前記本体引上速度が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長さの少なくとも70%にわたり、凝集した点欠陥を回避するのに十分な一定の臨界引上速度である、請求項1~16のいずれか1記載の製造方法。
- 前記本体引上速度が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長さの少なくとも90%にわたり、凝集した点欠陥を回避するのに十分な一定の臨界引上速度である、請求項1~16のいずれか1記載の製造方法。
- 溶融シリコンのボリュームが、前記単結晶シリコンインゴットの本体の少なくとも約90%の成長中に、約1.0体積%以下変化する、請求項1~18のいずれか1記載の製造方法。
- 溶融シリコンのボリュームが、前記単結晶シリコンインゴットの本体の少なくとも約90%の成長中に、約0.5体積%以下変化する、請求項1~18のいずれか1記載の製造方法。
- 溶融シリコンのボリュームが、前記単結晶シリコンインゴットの本体の少なくとも約90%の成長中に、約0.1体積%以下変化する、請求項1~18のいずれか1記載の製造方法。
- 前記融液高さレベルが、前記単結晶シリコンインゴットの本体の少なくとも約90%の成長中に、約+/-0.5ミリメートル未満変化する、請求項1~18のいずれか1記載の製造方法。
- 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長さの少なくとも約70%にわたる完全シリコンを含む、請求項1~22のいずれか1記載の製造方法。
- 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長さの少なくとも約80%にわたる完全シリコンを含む、請求項1~22のいずれか1記載の製造方法。
- 前記単結晶シリコンインゴットの本体が、前記単結晶シリコンインゴットの本体長さの少なくとも約90%にわたる完全シリコンを含む、請求項1~22のいずれか1記載の製造方法。
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