JP2022184107A - 樹脂シート、樹脂シートの製造方法、及び樹脂被覆方法 - Google Patents

樹脂シート、樹脂シートの製造方法、及び樹脂被覆方法 Download PDF

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芳国 右山
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Abstract

【課題】基板表面の凹凸を十分に吸収でき、かつ、剥離する際に基板に残りにくい樹脂シートを提供する。【解決手段】基板の表面を被覆して、該基板を保護する樹脂シートであって、外表面に設けられた可撓性を有する樹脂被膜層と、該樹脂被膜層に囲まれた液状樹脂層と、を有し、変形可能であるとともに、外部からエネルギーを付与することで硬化可能である。変形して基板の表面を被覆して該基板を保護可能であり、外部からエネルギーを付与することで硬化可能な樹脂シートの製造方法であって、該エネルギーを外部から付与することにより硬化可能な液状樹脂を平坦面上に配設する液状樹脂配設ステップと、該液状樹脂に全体が硬化しない強度の該エネルギーを外部から付与することにより該液状樹脂の外周表面のみを硬化して樹脂被膜層を形成し、該樹脂被膜層の内部に硬化されていない該液状樹脂を残す表面硬化ステップと、を有する。【選択図】図３

Description

本発明は、半導体ウェーハ等の基板の表面を保護するために該基板の該表面を被覆できる樹脂シートと、該樹脂シートの製造方法と、基板の表面に樹脂を被覆する方法と、に関する。
携帯電話やコンピュータ等の電子機器に使用されるデバイスチップは、複数のデバイスが表面に並べて配設された基板を裏面側から研削して薄化し、デバイス毎に該基板を分割することで形成される。基板の研削は、研削装置で実施される。研削装置では、裏面側を上方に露出させた状態で基板をチャックテーブルで保持し、円環軌道上を移動する研削砥石を該基板の裏面側に接触させて該基板を研削する。このとき、基板の表面側を保護するために、基板の表面には基材層及び糊層が積層された保護部材が予め貼着される。
基板の表面側には、デバイスや配線を構成するパターン等が配設されている。また、基板の表面側には、デバイスの電極となるバンプが予め形成される場合がある。すなわち、基板の表面には、各種のパターンやバンプ等の凹凸形状が形成される。
基板の表面の凹凸の高低差が大きい場合、基板の表面に保護部材が貼着されたときに糊層に凹凸が十分に吸収されず、保護部材の固定が不安定となる。また、保護部材の基材層側の面が平坦にならず、研削装置のチャックテーブルで基板が均一に支持されない。この状態で基板を研削すると、基板の裏面が平坦とはならない。
そこで、シート上に液状樹脂を供給し、基板の表面側を下方に向けた状態で基板を液状樹脂に載せ、基板を上方から押圧して該液状樹脂を基板の凹凸に浸入させ、該液状樹脂を硬化することで保護部材を形成する方法が開発された（特許文献１、特許文献２参照）。
特開２０１３－１７５６４７号公報 特開２０１７－５０５３６号公報
例えば、液状樹脂が紫外線硬化樹脂である場合、液状樹脂を硬化させる際に紫外線を過剰に液状樹脂に照射してしまうと該液状樹脂の粘着力が低下し、形成される樹脂層が剥離しやすくなる。その一方で、紫外線の照射量が少なすぎると液状樹脂が十分に硬化しない。そのため、紫外線は適切な照射条件で液状樹脂に照射されることが望まれる。
しかしながら、特に基板の表面に大きな凹凸が形成されている場合、該表面の全域で均一かつ適度に液状樹脂を硬化させるのは容易ではなく、基板の表面に接する液状樹脂に未硬化な領域が残りやすい。この場合、基板の加工した後、基板の表面に配設された樹脂を剥離させる際に一部の樹脂が該表面に残りやすい。その一方で、基板の表面に接する液状樹脂の全域が十分に硬化するように紫外線を照射すると、樹脂の一部が過剰に硬化され、基板の加工中に樹脂の剥離が生じやすくなる。
基板の表面の凹凸形状に沿うように樹脂シートを予め該表面に配設し、樹脂シートを介して液状樹脂を基板の表面に接触させ、基板を上方から押圧し、液状樹脂を硬化させる方法も考えられる。この場合、基板の表面に液状樹脂が直接接触しないため、樹脂を基板の表面から剥離させたときに樹脂が該表面に残ることはない。しかしながら、樹脂シートを準備するコストと、該樹脂シートを基板の表面の凹凸形状に沿うように配設する技術及び手間と、が必要となる。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、凹凸を有する基板に配設されたときに凹凸を十分に吸収でき、かつ、剥離する際に基板に残りにくい樹脂シート、及び該樹脂シートの製造方法、樹脂被覆方法を提供することである。
本発明の一態様によれば、基板の表面を被覆して、該基板を保護する樹脂シートであって、外表面に設けられた可撓性を有する樹脂被膜層と、該樹脂被膜層に囲まれた液状樹脂層と、を有し、変形可能であるとともに、外部からエネルギーを付与することで硬化可能であることを特徴とする樹脂シートが提供される。
好ましくは、該樹脂被膜層は、硬化された第１の樹脂材料を有し、該液状樹脂層は、硬化されていない該第１の樹脂材料を有する。
また、好ましくは、該エネルギーは、紫外線または熱である。
本発明の他の一態様によれば、変形して基板の表面を被覆して該基板を保護可能であり、外部からエネルギーを付与することで硬化可能な樹脂シートの製造方法であって、該エネルギーを外部から付与することにより硬化可能な液状樹脂を平坦面上に配設する液状樹脂配設ステップと、該液状樹脂に全体が硬化しない強度の該エネルギーを外部から付与することにより該液状樹脂の外周表面のみを硬化して樹脂被膜層を形成し、該樹脂被膜層の内部に硬化されていない該液状樹脂を残す表面硬化ステップと、を有することを特徴とする樹脂シートの製造方法が提供される。
好ましくは、該液状樹脂は、紫外線硬化樹脂または熱硬化性樹脂である。
本発明のさらに他の一態様によれば、凹凸を有する基板の表面を樹脂シートで覆う該基板への樹脂被覆方法であって、液体の樹脂に該樹脂全体が硬化しない強度のエネルギーを外部から付与し該樹脂の内部に液体状態の該樹脂を残し外周表面のみを硬化させることで形成された樹脂シートを準備する樹脂シート準備ステップと、該樹脂シート準備ステップにて準備された該樹脂シートを該基板の該凹凸に倣わせ、該樹脂シートで該基板の表面を被覆する樹脂被覆ステップと、該樹脂被覆ステップ後、該基板に被覆された該樹脂シートに該エネルギーを外部から付与し、該樹脂シートの全体を硬化させる樹脂硬化ステップと、を備えることを特徴とする樹脂被覆方法が提供される。
好ましくは、該樹脂被覆ステップ後、該基板の裏面を加工する加工ステップと、該基板に被覆して硬化した該樹脂シートを該基板から剥離する剥離ステップと、を更に備える。
また、好ましくは、該加工ステップでは、研削砥石を備える研削ホイールを使用して該基板の該裏面を研削する。
また、好ましくは、該樹脂は、紫外線硬化樹脂または熱硬化性樹脂である。
本発明の一態様に係る樹脂シート、樹脂シートの製造方法、及び樹脂被覆方法では、該樹脂シートは、外表面の樹脂被膜層と、該樹脂被膜層に囲まれた液状樹脂層と、を有するように形成され、凹凸を有する基板上に載せられる。基板上に載せられた樹脂シートを上方から押圧すると、樹脂シートが変形して該凹凸形状に追従するように変形する。樹脂シートは自由に変形できる液状樹脂層を内部に有するため、基板の表面の凹凸形状を十分に吸収できるように変形できる。
そして、この状態で該樹脂シートの液状樹脂層を硬化させるように外部からエネルギーを付与すると、樹脂シートの全体が適度に硬化し、該樹脂シートが保護部材として機能するようになる。
基板上に樹脂シートが載せられる前に樹脂シートの外表面は硬化しているため、基板の凹凸形状と接する樹脂シートの全領域に未硬化の領域はない。そのため、最終的に基板から樹脂シートを剥離する際に、基板の表面に樹脂が残ることはない。また、予め樹脂シートの外表面が硬化されているため、基板の凹凸形状に入り込んだ樹脂シートを硬化させるために紫外線等のエネルギーを過剰に照射する必要がない。そのため、樹脂が過剰に硬化されることはなく、基板の加工中の樹脂の剥離が生じにくい。
したがって、本発明の一態様によると、凹凸を有する基板に配設されたときに凹凸を十分に吸収でき、かつ、剥離する際に基板に残りにくい樹脂シート、及び該樹脂シートの製造方法、樹脂被覆方法が提供される。
図１（Ａ）は、液状樹脂配設ステップを模式的に示す断面図であり、図１（Ｂ）は、表面硬化ステップを模式的に示す断面図である。 図２（Ａ）は、外表面に硬化した樹脂被膜層を有する樹脂シートを模式的に示す断面図であり、図２（Ｂ）は、凹凸を有する基板に載せられた樹脂シートを模式的に示す断面図である。 図３（Ａ）は、樹脂被覆ステップを模式的に示す断面図であり、図３（Ｂ）は、樹脂硬化ステップを模式的に示す断面図である。 図４（Ａ）は、加工ステップを模式的に示す断面図であり、図４（Ｂ）は、剥離ステップを模式的に示す断面図である。 図５（Ａ）は、樹脂シートの製造方法の各ステップの流れを示すフローチャートであり、図５（Ｂ）は、樹脂被膜方法の各ステップの流れを示すフローチャートである。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係る樹脂シート、樹脂シートの製造方法、及び樹脂被覆方法では、該樹脂シートは、外表面に硬化された樹脂被膜層を有する。樹脂被膜層の内部には、硬化されていない液状樹脂が収容されている。そして、該樹脂シートは、表面に凹凸を有する基板に載せられ、上方から押圧され、エネルギーが付与されて硬化されて、該基板の保護部材となる。まず、樹脂シートが保護部材として配設される基板について説明する。
図２（Ｂ）等には、基板５を模式的に示す断面図が含まれている。基板５は、例えば、Ｓｉ（シリコン）、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、ＧａＮ（ガリウムナイトライド）、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）、若しくは、その他の半導体等の材料から形成されるウェーハである。または、基板５は、サファイア、ガラス、石英等の材料からなる略円板状の基板等である。
基板５の表面５ａには、互いに交差する複数の分割予定ラインが設定される。分割予定ラインで区画された各領域には、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ(Large Scale Integration)等のデバイス７が形成されている。基板５を裏面５ｂ側から研削して薄化し、分割予定ラインに沿って基板５を分割すると、個々のデバイスチップを形成できる。
基板５の表面５ａには、金属で形成された複数のバンプ（不図示）と呼ばれる凸部が設けられることがある。バンプは、それぞれ、デバイス７に電気的に接続されており、基板５が分割されてデバイスチップが形成されたとき、デバイス７に電気信号を入出力する際の電極として機能する。バンプは、例えば、金、銀、銅、又はアルミニウム等の金属材料で形成される。ただし、基板５の表面５ａには必ずしもバンプが設けられていなくても良い。
なお、表面５ａが樹脂で被覆される基板５はこれに限定されない。例えば、平面上に並べられた複数のデバイスが封止樹脂により封止されて形成されるパッケージ基板でもよい。パッケージ基板の裏面側の封止樹脂を研削することでパッケージ基板を薄化し、該パッケージ基板をデバイス毎に分割すると、封止樹脂で封止された所定の厚さの個々のデバイスチップを形成できる。パッケージ基板の表面には個々のデバイスの電極となるバンプが形成されるため、パッケージ基板の表面も平坦ではなく凹凸を備える。
基板５を裏面５ｂ側から研削する際には、表面５ａ側を保護するために予め保護部材が表面５ａ側に貼着される。従来、基板５の表面５ａの凹凸が小さい場合、基材層と、糊層と、が積層されたテープ状の保護部材が基板５の表面５ａに貼着されていた。基板５に貼着された保護部材の露出面（基材層側の面）は平坦であり、該露出面を下向きに向けて基板５を支持テーブル（チャックテーブル）に載せると、基板５が適切に支持される。
しかし、基板５の表面５ａ側の凹凸が大きくなると、保護部材の糊層で該凹凸を十分吸収できずに、基板５に貼着された保護部材が変形し、基材層側の露出面が平坦とはならなくなる。この場合、研削装置に基板５を搬入すると支持テーブルに基板５が適切に支持されなくなり、基板５を裏面５ｂ側から研削したときに基板５の裏面５ｂが平坦とはならない。そこで、基板５の表面５ａ上に液状樹脂を供給し、該液状樹脂を硬化させて保護部材を形成することが考えられる。
例えば、シートの上に液状樹脂を供給し、基板５の表面５ａを該液状樹脂に向け、該液状樹脂の上に基板５を載せ、基板５を上方から押圧し、その後、該液状樹脂を硬化させる。液状樹脂に紫外線硬化樹脂を採用すると、紫外線で該液状樹脂を硬化できる。ただし、紫外線を過剰に液状樹脂に照射してしまうと該液状樹脂の粘着力が低下し、形成される樹脂層が剥離しやすくなる。その一方で、紫外線の照射量が少なすぎると液状樹脂が十分に硬化しない。
特に表面５ａに凹凸形状を有する基板５の該表面５ａに接する領域において、凹部に入り込んだ液状樹脂を十分に硬化させるのは容易ではない。基板５の表面５ａに未硬化な液状樹脂が残ると、最終的に保護部材を基板５から剥離する際に、樹脂が表面５ａに残りやすくなる。その一方で、凹部に入り込んだ液状樹脂が十分に硬化するように紫外線を液状樹脂に照射すると、液状樹脂が部分的に過剰に硬化され、基板５の加工中に保護部材が剥離しやすくなる。
そこで、以下に説明する本実施形態に係る樹脂シートが使用される。図２（Ａ）等には、本実施形態に係る樹脂シート３を模式的に示す断面図が含まれている。樹脂シート３は、外表面に設けられた可撓性を有する樹脂被膜層３ａと、該樹脂被膜層３ａに囲まれた液状樹脂層３ｂと、を有する。該樹脂シート３は、変形可能であるとともに、外部からエネルギーを付与することで硬化可能である。樹脂シート３は、基板５の表面５ａを被覆して、該基板５を保護する機能を有する。
次に、樹脂シート３の製造方法の各ステップについて説明する。図５（Ａ）は、樹脂シート３の製造方法の各ステップの流れを示すフローチャートである。まず、液状樹脂配設ステップＳ１１を実施する。図１（Ａ）は、液状樹脂配設ステップＳ１１を模式的に示す断面図である。液状樹脂配設ステップＳ１１では、エネルギーを外部から付与することにより硬化可能な液状樹脂１を平坦面２ａ上に配設する。
液状樹脂１は、例えば、紫外線硬化樹脂または熱硬化性樹脂である。ただし、液状樹脂１はこれに限定されず、外部から付与される他のエネルギーにより硬化可能な樹脂材料により形成されてもよい。以下、液状樹脂１が紫外線硬化樹脂である場合を例に、本実施形態に係る樹脂シート３及びその製造方法等について説明する。
液状樹脂配設ステップＳ１１では、上面が平坦なプレート２を準備する。プレート２は、液状樹脂１を硬化できるエネルギーを透過可能な部材で形成されることが好ましい。液状樹脂１が紫外線硬化樹脂である場合、プレート２は、紫外線を透過できる部材で形成されることが好ましい。プレート２は、例えば、ポリオレフィン、アクリルやガラス等の材料で形成される。
プレート２の平坦面２ａへの液状樹脂１の供給は、例えば、供給ノズル４を備える樹脂供給装置で実施される。液状樹脂１は、例えば、アクリレート系、エポキシ系、ポリエン‐ポリチオール系の紫外線硬化樹脂である。
液状樹脂１は、紫外線を受けるまでは液状樹脂として流動性を有し、所定の条件で紫外線の照射を受けると硬化する。平坦面２ａの上方に供給ノズル４を位置付け、供給ノズル４から液状樹脂１を平坦面２ａに滴下すると、平坦面２ａ上で液状樹脂１が四方八方に広がる。
次に、表面硬化ステップＳ１２を実施する。図１（Ｂ）は、表面硬化ステップＳ１２を模式的に示す断面図である。図２（Ａ）は、表面硬化ステップＳ１２により形成された樹脂シート３を模式的に示す断面図が含まれている。表面硬化ステップＳ１２では、液状樹脂１に全体が硬化しない強度のエネルギー（紫外線）を外部から付与する。これにより該液状樹脂１の外周表面のみを硬化して樹脂被膜層３ａを形成し、該樹脂被膜層３ａの内部に硬化されていない該液状樹脂１（液状樹脂層３ｂ）を残す。
図１（Ｂ）に示す通り、表面硬化ステップＳ１２では、平坦面２ａ上に液状樹脂１が配設されたプレート２の上方と、プレート２の下方と、にエネルギー付与ユニットとして、紫外線源６ａ，６ｂを配設する。紫外線源６ａ，６ｂは、例えば、紫外線蛍光灯または紫外線ＬＥＤである。紫外線源６ａを作動させると、液状樹脂１の上面側から紫外線が該液状樹脂１に照射される。紫外線源６ｂを作動させると、プレート２を通して紫外線が液状樹脂１の下面側から照射される。
表面硬化ステップＳ１２では、後述の樹脂硬化ステップＳ２３で樹脂シート３に照射される紫外線よりも弱い照射条件で紫外線が液状樹脂１に照射されるとよい。詳細については後述する。紫外線の照度や照射時間を増すと、液状樹脂１の硬化がより内部にまで進行する。すなわち、形成される樹脂被膜層３ａの厚みは、紫外線照射条件により決定される。
また、形成される樹脂シート３の厚みや面積は、液状樹脂配設ステップＳ１１でプレート２に供給される液状樹脂１の粘度等の性質や、液状樹脂１の供給量等により決定される。樹脂シート３の面積は、該樹脂シート３が配設される基板５の面積と同程度なるように決定されるとよい。また、樹脂シート３の厚みは、基板５の表面５ａの凹凸形状を十分に吸収できる厚みとされるとよい。
例えば、形成される樹脂シート３の総厚みは、５ｍｍ程度とされることが好ましい。また、樹脂被膜層３ａの厚みは、０．５ｍｍ程度とされるとよい。ただし、形成される樹脂シート３はこれに限定されず、用途に応じて樹脂シート３の厚みや面積等が適宜決定されるとよい。
このように形成された樹脂シート３について端的に説明すると、液状樹脂１の外表面のみが硬化して樹脂被膜層３ａとなり、硬化に至らない液状樹脂１が樹脂被膜層３ａに囲まれて液状樹脂層３ｂとなる。換言すると、樹脂シート３の樹脂被膜層３ａは、硬化された第１の樹脂材料を有し、内部の液状樹脂層３ｂは、硬化されていない該第１の樹脂材料を有する。
なお、樹脂シート３の樹脂被膜層３ａと、液状樹脂層３ｂと、の境界は必ずしも明確であるとは限らない。また、液状樹脂１の外表面に近接した領域と、該外表面から遠い領域と、では紫外線の照射強度が異なるため、樹脂被膜層３ａが均質に形成されるとは限らない。液状樹脂１の少しでも変質した領域をすべて樹脂被膜層３ａと呼ぶこともできる。または、液状樹脂１の最も変質した領域のみを樹脂被膜層３ａと呼ぶこともできる。複数の変質の程度の異なる複数の層を有する樹脂被膜層３ａと捉えることもできる。
この樹脂シート３の樹脂被膜層３ａは、外力の付与による変形が可能であり、所定の限度内において拡張が可能である。液状樹脂層３ｂは流動性を維持しているため、樹脂被膜層３ａが変形すると、内部の液状樹脂層３ｂも該樹脂被膜層３ａの変形に追従して変形する。すなわち、樹脂シート３は、変形可能である。また、樹脂シート３にさらに外部から紫外線等のエネルギーを付与することで内部の液状樹脂層３ｂの硬化が可能であり、全体を硬化できる。
製造された樹脂シート３を使用すると、例えば、凹凸を有する基板５の表面５ａを被覆でき、該表面５ａを保護する保護部材を形成できる。次に、製造された樹脂シート３の使用方法として、基板への樹脂被覆方法について説明する。図５（Ｂ）は、該樹脂被覆方法の各ステップの流れを示すフローチャートである。
該樹脂被覆方法では、まず、樹脂シート準備ステップＳ２１を実施する。この樹脂シート準備ステップＳ２１では、樹脂被膜層３ａと、液状樹脂層３ｂと、を備える樹脂シート３を準備する。または、樹脂シート準備ステップＳ２１では、上述の樹脂シート３の製造方法を実施する。すなわち、樹脂シート準備ステップＳ２１では、液体の樹脂（液状樹脂１）に該樹脂全体が硬化しない強度のエネルギー（紫外線）を外部から付与し、該樹脂の内部に液体状態の樹脂を残し外周表面のみを硬化させ、樹脂シート３を得る。
該樹脂被覆方法では、次に、樹脂シート準備ステップＳ２１にて準備された樹脂シート３で基板５の表面５ａを被覆する樹脂被覆ステップＳ２２が実施される。樹脂被覆ステップＳ２２では、第１段階として、樹脂シート３を基板５の表面５ａ上に載せる。第２段階として、基板５に載せられた樹脂シート３を上方から押圧する。図２（Ｂ）は、表面５ａ上に樹脂シート３が載せられた基板５を模式的に示す断面図である。図３（Ａ）は、基板５に載せられた樹脂シート３が上方から押圧される様子を模式的に示す断面図である。
基板５は、デバイス７や図示しないバンプ等で形成された凹凸形状を表面５ａに有している。そのため、樹脂シート３は、表面５ａに載せられただけではこの凹凸形状に十分に接触しない。そこで、樹脂シート３をこの凹凸形状に追従させて変形させ十分に広い領域で樹脂シート３を表面５ａに接触させるために、樹脂シート３を上方から押圧する。
樹脂被覆ステップＳ２２では、基板５に載せられた樹脂シート３を上方から押圧できる押圧装置８が使用されるとよい。そして、基板５は、押圧装置８の平坦なテーブル１０ａに予め載せられるとよい。押圧装置８は、テーブル１０ａの上面と平行な底面を有し、該テーブル１０ａに向けて下降できる押圧板１０ｂを備える。
図２（Ｂ）に示す通り、樹脂被覆ステップＳ２２の第１段階では、基板５の表面５ａの全面を覆うように樹脂シート３を基板５の上に載せる。そして、図３（Ａ）に示す通り、樹脂被覆ステップＳ２２の第２段階では、押圧板１０ｂを下降させ、押圧板１０ｂで樹脂シート３を上方から押圧する。すると、樹脂シート３が基板５の表面５ａに押し付けられ、表面５ａと接触する領域で樹脂シート３が基板５の表面５ａの凹凸に倣うように変形する。
より詳細には、このとき、樹脂シート３の樹脂被膜層３ａは該凹凸に倣うように部分的に拡張または収縮し、液状樹脂層３ｂは樹脂被膜層３ａの変形に合わせて樹脂シート３の内部で流動する。ここで、樹脂シート３の樹脂被膜層３ａの厚みは、基板５の表面５ａの凹凸形状に倣って樹脂シート３が変形したときに破損の生じない範囲で決定されることが好ましい。
樹脂シート３は、樹脂被膜層３ａの耐久性の許す範囲で変形が可能であり、樹脂シート３の内部に液状樹脂層３ｂが存在しない場合と比較して内部に液状樹脂層３ｂが存在する本実施形態に係る樹脂シート３の変形余地は大きい。液状樹脂層３ｂが存在しない場合、樹脂シート３を局所的に変形させたとき、生じる復元力が大きくなることや大きな内部応力が生じて樹脂シート３が局所的に破損することがある。すなわち、本実施形態に係る樹脂シート３は比較的容易に変形可能である。
樹脂被覆ステップＳ２２の後、樹脂シート３の全体を硬化させる樹脂硬化ステップＳ２３を実施する。図３（Ｂ）は、樹脂硬化ステップＳ２３を模式的に示す断面図である。樹脂硬化ステップＳ２３では、基板５に被覆された樹脂シート３にエネルギーを外部から付与し、該樹脂シート３の全体を硬化させる。例えば、樹脂シート３を構成する樹脂が紫外線硬化樹脂である場合、樹脂硬化ステップＳ２３では樹脂シート３に紫外線を照射する。
ここで、押圧板１０ｂを通して樹脂シート３に紫外線を照射できるように、押圧板１０ｂは紫外線を透過できる部材で形成されるとよい。例えば、押圧板１０ｂは、ポリオレフィン、アクリルやガラス等の材料で形成される。また、押圧装置８は、エネルギー付与ユニットとして、紫外線源１２を備える。紫外線源１２は、例えば、紫外線蛍光灯または紫外線ＬＥＤである。紫外線源１２を作動させると、押圧板１０ｂを通して樹脂シート３に紫外線が照射される。
樹脂硬化ステップＳ２３では、樹脂シート３の液状樹脂層３ｂをすべて硬化できるように、表面硬化ステップＳ１２で液状樹脂１に照射された紫外線よりも強い照射条件で紫外線が樹脂シート３に照射されるとよい。
樹脂シート３の全域を硬化させると、樹脂で形成された保護部材９が基板５の表面５ａに配設される。保護部材９は、基板５が裏面５ｂ側から加工される際に表面５ａを保護する機能を有する。後述の通り、裏面５ｂが加工される際に基板５が保護部材９を介して支持される。そこで、加工される基板５の傾斜を抑制するために、樹脂硬化ステップＳ２３で使用される押圧装置８では、保護部材９の上面を規定する押圧板１０ｂの底面が裏面５ｂに平行となるように高精度に向きが調整されている必要がある。
保護部材９が表面５ａに配設された基板５は、その後、裏面５ｂから加工される。次に、樹脂硬化ステップＳ２３の後に実施される加工ステップＳ２４について説明する。図４（Ａ）は、加工ステップＳ２４を模式的に示す断面図である。加工ステップＳ２４では、例えば、基板５は裏面５ｂ側から研削されて薄化される。
基板５の研削を実施する研削装置１６は、保護部材９を介して基板５を吸引保持できるチャックテーブル１４と、チャックテーブル１４で吸引保持された基板５を研削する研削ホイール２２と、を備える。
チャックテーブル１４は、基板５の径と同程度の径を有する円板状の多孔質部材（不図示）を上面中央に備え、この多孔質部材には図示しない吸引路を介して吸引源（不図示）が接続されている。表面５ａ側を下方に向けて保護部材９を介して基板５をチャックテーブル１４に載せ、該吸引源を作動させると、該吸引路と、該多孔質部材と、を介して基板５に負圧が作用し、基板５がチャックテーブル１４に吸引保持される。チャックテーブル１４の該多孔質部材の上面は、保持面１４ａとして機能する。
研削ホイール２２は、円環状のホイール基台２４を有する。ホイール基台２４は、アルミニウム等の金属で形成され、被加工物となる基板５の径に対応する径とされる。ホイール基台２４の下面（底面）側の外周部には、環状に配列された複数の研削砥石２６が設けられている。各研削砥石２６は、例えば、ビトリファイドやレジノイド等の結合材に、ダイヤモンドやｃＢＮ（cubic boron nitride）等の砥粒を混合し、混合体を焼結することで形成される。
研削ホイール２２は、回転軸を構成するスピンドル１８の下端に接続されたホイールマウント２０の下面に固定される。スピンドル１８の上端には、該スピンドル１８を保持面１４ａに略垂直な方向に沿った該回転軸の周りに回転させるモーター等の回転駆動源が接続されている。また、チャックテーブル１４は、保持面１４ａに垂直な軸の周りに回転可能である。
基板５を研削する際には、チャックテーブル１４を回転させるとともにスピンドル１８を回転させ、スピンドル１８を下降させ、環状軌道上を移動する研削砥石２６を基板５の裏面５ｂに接触させる。すると、基板５が研削され、徐々に薄化される。その後、基板５が所定の厚みとなったときにスピンドル１８の下降を停止し、基板５の研削を終了する。この間、基板５の表面５ａ側は、保護部材９により保護される。その後、チャックテーブル１４による基板５の吸引保持が解除され、研削装置１６から基板５搬出される。
なお、加工ステップＳ２４で実施される基板５の加工は研削に限定されない。基板５は、例えば、裏面５ｂ側から研磨されてもよく、デバイス７毎に分割されてもよい。加工ステップＳ２４が実施された後、基板５の表面５ａに被覆する樹脂シート３（保護部材９）を基板５から剥離する剥離ステップＳ２５を実施する。図４（Ｂ）は、剥離ステップＳ２５を模式的に示す断面図である。
剥離ステップＳ２５を実施する際には、保護部材９を剥離しやすくするために、予め保護部材９に強度の高い紫外線を照射して硬化させてもよい。または、保護部材９を加熱して該保護部材９を軟化させてもよい。剥離ステップＳ２５を実施すると、加工された基板５が得られる。
以上に説明する通り、本実施形態に係る樹脂被覆方法では、予め外表面が硬化した樹脂シート３が基板５の表面５ａに配設される。すなわち、表面５ａの凹部には、すでに硬化した樹脂（樹脂被膜層３ａ）が入り込む。そのため、樹脂シート３に過剰に紫外線を照射する必要はなく、剥離の生じにくい保護部材９を基板５の表面５ａに配設できるとともに、基板５の加工の終了時に保護部材９を基板５から剥離させる際には樹脂が表面５ａに残りにくくなる。
すなわち、樹脂シート３を利用すると、表面５ａの凹凸を十分に吸収しつつ基板５の該表面５ａを樹脂（保護部材９）で被覆できる。その後、基板５から樹脂（保護部材９）を剥離する際に、該表面５ａに樹脂が残りにくい。
なお、上記実施形態では、液状樹脂１（樹脂シート３等）が紫外線により硬化する紫外線硬化樹脂により構成されている場合を例に説明した。しかしながら、エネルギーが付与されて硬化する液状樹脂１（樹脂シート３等）は、紫外線以外のエネルギーが外部から付与されることで硬化してもよい。
例えば、液状樹脂１は、加熱されることで硬化する熱硬化性の樹脂でもよい。この場合においても、液状樹脂１の外表面のみが硬化して内部が硬化しない加熱条件で液状樹脂１を加熱すると、樹脂被膜層３ａ及び液状樹脂層３ｂを備える樹脂シート３を製造できる。すなわち、表面硬化ステップＳ１２では、ヒーターや赤外線ランプ等の熱源を使用してエネルギーとして熱を液状樹脂１に与えることで該液状樹脂１の外周表面のみを硬化させる。
この場合、形成された樹脂シート３で基板５の表面５ａを被覆し、上方から樹脂シート３を押圧して表面５ａに倣うように変形させた後、該樹脂シート３の全域が硬化する条件で該樹脂シート３を加熱すると、基板５の表面５ａが保護部材９により被覆される。すなわち、樹脂硬化ステップＳ２３では、ヒーターや赤外線ランプ等の熱源を使用してエネルギーとして熱を樹脂シート３に与えることで液状樹脂層３ｂを硬化させる。
その他、上記実施形態及び変形例に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
１ 液状樹脂
３ 樹脂シート
３ａ 樹脂被膜層
３ｂ 液状樹脂層
５ 基板
５ａ 表面
５ｂ 裏面
７ デバイス
９ 保護部材
２ プレート
２ａ 平坦面
４ 供給ノズル
６ａ，６ｂ 紫外線源
８ 押圧装置
１０ａ テーブル
１０ｂ 押圧板
１２ 紫外線源
１４ チャックテーブル
１４ａ 保持面
１６ 研削装置
１８ スピンドル
２０ ホイールマウント
２２ 研削ホイール
２４ ホイール基台
２６ 研削砥石

Claims (9)

  1. 基板の表面を被覆して、該基板を保護する樹脂シートであって、
    外表面に設けられた可撓性を有する樹脂被膜層と、
    該樹脂被膜層に囲まれた液状樹脂層と、を有し、
    変形可能であるとともに、外部からエネルギーを付与することで硬化可能であることを特徴とする樹脂シート。
  2. 該樹脂被膜層は、硬化された第１の樹脂材料を有し、
    該液状樹脂層は、硬化されていない該第１の樹脂材料を有することを特徴とする請求項１に記載の樹脂シート。
  3. 該エネルギーは、紫外線または熱であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の樹脂シート。
  4. 変形して基板の表面を被覆して該基板を保護可能であり、外部からエネルギーを付与することで硬化可能な樹脂シートの製造方法であって、
    該エネルギーを外部から付与することにより硬化可能な液状樹脂を平坦面上に配設する液状樹脂配設ステップと、
    該液状樹脂に全体が硬化しない強度の該エネルギーを外部から付与することにより該液状樹脂の外周表面のみを硬化して樹脂被膜層を形成し、該樹脂被膜層の内部に硬化されていない該液状樹脂を残す表面硬化ステップと、
    を有することを特徴とする樹脂シートの製造方法。
  5. 該液状樹脂は、紫外線硬化樹脂または熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項４に記載の樹脂シートの製造方法。
  6. 凹凸を有する基板の表面を樹脂シートで覆う該基板への樹脂被覆方法であって、
    液体の樹脂に該樹脂全体が硬化しない強度のエネルギーを外部から付与し該樹脂の内部に液体状態の該樹脂を残し外周表面のみを硬化させることで形成された樹脂シートを準備する樹脂シート準備ステップと、
    該樹脂シート準備ステップにて準備された該樹脂シートを該基板の該凹凸に倣わせ、該樹脂シートで該基板の表面を被覆する樹脂被覆ステップと、
    該樹脂被覆ステップ後、該基板に被覆された該樹脂シートに該エネルギーを外部から付与し、該樹脂シートの全体を硬化させる樹脂硬化ステップと、を備えることを特徴とする樹脂被覆方法。
  7. 該樹脂被覆ステップ後、該基板の裏面を加工する加工ステップと、
    該基板に被覆して硬化した該樹脂シートを該基板から剥離する剥離ステップと、を更に備えることを特徴とする請求項６に記載の樹脂被覆方法。
  8. 該加工ステップでは、研削砥石を備える研削ホイールを使用して該基板の該裏面を研削することを特徴とする請求項７に記載の樹脂被覆方法。
  9. 該樹脂は、紫外線硬化樹脂または熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか一つに記載の樹脂被覆方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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