JP2022123611A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】主電極の寿命が向上された半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置は、一面及び裏面のそれぞれに形成された主電極を有するＩＧＢＴと、ＩＧＢＴを挟むように配置された第１ヒートシンク，第２ヒートシンクと、ターミナル１６と、第１ヒートシンクの少なくとも一部、第２ヒートシンクの少なくとも一部、ターミナル、及びＩＧＢＴを一体的に封止する封止樹脂体１３と、を備えている。ターミナルは、裏面側の主電極と対向配置される電極対向面Ｓ１と、第２ヒートシンクと対向配置されるヒートシンク対向面Ｓ２と、環状のターミナル側面Ｓ３とを有し、裏面側の主電極と第２ヒートシンクとを電気的に接続している。また、ターミナル１６は、ターミナル側面Ｓ３における電極対向面Ｓ１から所定範囲離れた位置とヒートシンク対向面Ｓ２から所定範囲離れた位置との間に凹凸１６０を備えている。【選択図】図１

Description

本開示は、半導体装置に関する。

特許文献１に開示された半導体装置がある。半導体装置は、両面に主電極を有するＩＧＢＴ、ＩＧＢＴを挟むように配置され、一面側の主電極と電気的に接続された第１ヒートシンク、及び、裏面側の主電極と電気的に接続された第２ヒートシンク、封止樹脂体とを備えている。また、半導体装置は、裏面側の主電極と第２ヒートシンクとに間に設けられたターミナルを備えている。

特開２０１９－１７６０５８号公報

ところで、半導体装置では、裏面側の主電極における、さらなる寿命向上が求められている。

開示される一つの目的は、主電極の寿命が向上された半導体装置を提供することである。

ここに開示された半導体装置は、
一面及び一面と反対の裏面のそれぞれに形成された主電極（１１ｃ，１１ｅ）を有する少なくとも１つの半導体素子（１１Ｈ，１１Ｌ）と、
半導体素子を挟むように配置された放熱部であり、一面側の主電極と対向配置されて電気的に接続された第１放熱部（１４Ｈ，１４Ｌ）、及び、裏面側の主電極と対向配置されて電気的に接続された第２放熱部（１８Ｈ，１８Ｌ）と、
裏面側の主電極と対向配置される第１対向面（Ｓ１）と、第２放熱部と対向配置される第２対向面（Ｓ２）と、第１対向面と第２対向面に連なる環状の側面（Ｓ３）とを有し、はんだ（１７，１９）を介して裏面側の主電極と第２放熱部とを電気的に接続しているターミナル（１６）と、
第１放熱部の少なくとも一部、第２放熱部の少なくとも一部、ターミナル、及び半導体素子を一体的に封止する封止樹脂体（１３）と、を備え、
ターミナルは、側面における第１対向面から所定範囲離れた位置と第２対向面から所定範囲離れた位置との間に、はんだの濡れ性を低下させるとともに封止樹脂体との密着力を向上させる凹凸部（１６０）を備えている。

ここに開示された半導体装置によると、凹凸部における封止樹脂体とターミナルとの密着力を向上できる。よって、半導体装置は、裏面側の主電極に印加される応力を抑制できる。また、凹凸部は、第１対向面から所定範囲離れた位置と第２対向面から所定範囲離れた位置との間に形成されている。つまり、半導体装置は、側面における第１対向面及び第２対向面から凹凸部までの所定範囲におけるはんだ濡れ性の低下が抑制されている。このため、半導体装置は、ターミナルの側面における濡れ性の低下が抑制されている領域に、はんだフィレットが形成されやすい。以上により、半導体装置は、裏面側の主電極における寿命を向上できる。

この明細書において開示された複数の態様は、それぞれの目的を達成するために、互いに異なる技術的手段を採用する。請求の範囲及びこの項に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態の部分との対応関係を例示的に示すものであって、技術的範囲を限定することを意図するものではない。この明細書に開示される目的、特徴、及び効果は、後続の詳細な説明、及び添付の図面を参照することによってより明確になる。

第１実施形態の半導体装置が適用される電力変換装置の概略構成を示す図である。 半導体装置を示す斜視図である。 半導体装置を示す平面図である。 図３のIV-IV線に沿う断面図である。 図３のV-V線に沿う断面図である。 リードフレームを示す斜視図である。 半導体素子及びターミナルを実装した状態を示す斜視図である。 半導体素子及びターミナルを実装した状態を示す平面図である。 図８の領域IXを拡大した図である。 第２ヒートシンクを実装した状態を示す斜視図である。 封止樹脂体を形成した状態を示す斜視図である。 切削後の状態を示す斜視図である。 ターミナルを示す平面図である。 図１３のXIV矢印方向からの側面図である。 図１３のXV-XV線に沿う断面図である。 変形例１のターミナルを示す側面図である。 変形例２のターミナルを示す側面図である。

以下において、図面を参照しながら、本開示を実施するための複数の形態を説明する。各形態において、先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において、構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を参照し適用することができる。

以下において、半導体素子（ＩＧＢＴ）の厚み方向をＺ方向、Ｚ方向に直交し、半導体素子の並び方向をＸ方向と示す。また、Ｚ方向及びＸ方向の両方向に直交する方向をＹ方向と示す。特に断わりのない限り、ＸＹ面視したときの形状（ＸＹ平面に沿う形状）を平面形状とする。ＸＹ面視は、Ｚ方向の投影視ともいえる。Ｚ方向が積層方向に相当し、Ｙ方向が一方向又は第１方向に相当する。Ｘ方向が第２方向に相当する。

（実施形態）
以下において、符号末尾のＨは、上下アームのうち、上アーム側の要素であることを示している。一方、末尾のＬは、下アーム側の要素であることを示している。要素の一部には、上アーム及び下アームを明確にするために末尾にＨ，Ｌを付与し、別の一部については、上アームと下アームとで共通符号としている。

（電力変換装置の概略構成）
図１に示す電力変換装置１は、たとえば電気自動車やハイブリッド自動車に搭載される。電力変換装置１は、車両に搭載された直流電源２から供給される直流電圧を、三相交流に変換して、三相交流方式のモータ３に出力するように構成されている。モータ３は、車両の走行駆動源として機能する。電力変換装置１は、モータ３により発電された電力を、直流に変換して直流電源２に充電することもできる。このように、電力変換装置１は、双方向の電力変換が可能となっている。

電力変換装置１は、平滑コンデンサ４及びインバータ５を備えている。平滑コンデンサ４の正極側の端子は、直流電源２の高電位側の電極である正極に接続され、負極側の端子は、直流電源２の低電位側の電極である負極に接続されている。インバータ５は、入力された直流電力を所定周波数の三相交流に変換し、モータ３に出力する。インバータ５は、モータ３により発電された交流電力を、直流電力に変換する。

インバータ５は、６つのアームよりなる。インバータ５は、三相分の上下アームにより構成されている。各相の上下アームは、正極側の電源ラインである正極側ライン６と、負極側の電源ラインである負極側ライン７との間で、２つのアームが直列に接続されてなる。正極側ライン６は高電位電源ライン、負極側ライン７は低電位電源ラインとも称される。各相の上下アームにおいて、上アームと下アームとの接続点は、モータ３への出力ライン８に接続されている。

本実施形態では、各アームを構成する半導体素子として、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（以下、ＩＧＢＴと示す）を採用している。半導体装置１０は、直列接続された２つのＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌを備えている。ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌのそれぞれには、還流用のダイオードであるＦＷＤ１２Ｈ，１２Ｌが逆並列に接続されている。このように、一相分の上下アームは、２つのＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌを有して構成されている。図１に示す符号１１ｇは、ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌのゲート電極である。このように、半導体素子はゲート電極１１ｇを有している。

また、ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌとしてｎチャネル型を採用している。上アームを構成するＩＧＢＴ１１Ｈのコレクタ電極１１ｃが、正極側ライン６と電気的に接続されている。下アームを構成するＩＧＢＴ１１Ｌのエミッタ電極１１ｅが、負極側ライン７と電気的に接続されている。そして、上アーム側のＩＧＢＴ１１Ｈのエミッタ電極１１ｅと、下アーム側のＩＧＢＴ１１Ｌのコレクタ電極１１ｃが相互に接続されている。

電力変換装置１は、上記した平滑コンデンサ４及びインバータ５に加えて、直流電源２から供給される直流電圧を昇圧する昇圧コンバータ、インバータ５や昇圧コンバータを構成する半導体素子の動作を制御するゲート駆動回路などを備えてもよい。

（半導体装置の概略構成）
図２～図１２に示すように、半導体装置１０は、ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌ、封止樹脂体１３、第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌ、ターミナル１６、第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌ、継手部２０、電源端子２２、出力端子２３、及び信号端子２４を備えている。図４～図１１では、便宜上、後述する凹凸酸化膜３０（粗化部）を省略している。

半導体素子としてのＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌは、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＮなどの半導体基板に構成されている。本実施形態では、上記したようにＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌがいずれもｎチャネル型とされている。ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌには、ＦＷＤ１２Ｈ，１２Ｌも一体的に形成されている。詳しくは、ＩＧＢＴ１１ＨにＦＷＤ１２Ｈが形成され、ＩＧＢＴ１１ＬにＦＷＤ１２Ｌが形成されている。このように、ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌとして、ＲＣ（Reverse Conducting）－ＩＧＢＴを採用している。ＩＧＢＴ１１Ｈが上アーム素子に相当し、ＩＧＢＴ１１Ｌが下アーム素子に相当する。

ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌは、Ｚ方向に電流が流れるように縦型構造をなしている。ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌには、上記したゲート電極１１ｇもそれぞれ形成されている。ゲート電極１１ｇは、トレンチ構造をなしている。図４及び図５に示すように、ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌの厚み方向、すなわちＺ方向において、ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌの一面にコレクタ電極１１ｃがそれぞれ形成され、一面と反対の裏面にエミッタ電極１１ｅがそれぞれ形成されている。コレクタ電極１１ｃは、ＦＷＤ１２Ｈ，１２Ｌのカソード電極も兼ねている。エミッタ電極１１ｅは、ＦＷＤ１２Ｈ，１２Ｌのアノード電極も兼ねている。コレクタ電極１１ｃは、一面側の主電極に相当する。エミッタ電極１１ｅは、裏面側の主電極に相当する。

ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌは、互いにほぼ同じ平面形状をなしている。詳しくは、ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌは、互いに平面略矩形状をなすとともに、互いにほぼ同じ大きさとほぼ同じ厚みを有している。ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌは、互いに同じ構成となっている。ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌは、お互いのコレクタ電極１１ｃがＺ方向における同じ側となり、お互いのエミッタ電極１１ｅがＺ方向における同じ側となるように配置されている。ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌは、Ｚ方向においてほぼ同じ高さに位置するとともに、Ｘ方向に横並びで配置されている。

図９に示すように、ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌの裏面、すなわちエミッタ電極形成面には、信号用の電極であるパッド１１ｐが形成されている。パッド１１ｐは、エミッタ電極１１ｅとは別の位置に形成されている。パッド１１ｐは、エミッタ電極１１ｅと電気的に分離されている。パッド１１ｐは、Ｙ方向において、エミッタ電極１１ｅの形成領域とは反対側の端部に形成されている。

本実施形態では、各ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌが、それぞれ６つのパッド１１ｐを有している。詳しくは、６つのパッド１１ｐとして、ゲート電極１１ｇ用、ダミーゲート電極用、エミッタ電極１１ｅの電位を検出するケルビンエミッタ用、電流センス用、ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌの温度を検出する温度センサ（感温ダイオード）のアノード電位用、同じくカソード電位用を有している。６つのパッドは、平面略矩形状のＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌにおいて、Ｙ方向の一端側にまとめて形成されるとともに、Ｘ方向に並んで形成されている。なお、ダミーゲート電極とは、反転層（チャネル）の発生に寄与しないゲート電極である。

封止樹脂体１３は、ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌを封止している。封止樹脂体１３は、たとえばエポキシ系樹脂からなる。封止樹脂体１３は、たとえばトランスファモールド法により成形されている。封止樹脂体１３は、Ｚ方向に直交する一面１３ａと、一面１３ａと反対の裏面１３ｂと、一面１３ａと裏面１３ｂとをつなぐ側面を有している。一面１３ａ及び裏面１３ｂは、たとえば平坦面となっている。

第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌは、対応するＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌの熱を半導体装置１０の外部に放熱する機能を果たす。第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌは、配線としての機能も果たす。このため、熱伝導性及び電気伝導性を確保すべく、少なくとも金属材料を用いて形成されている。本実施形態では、第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌが、Ｚ方向からの投影視において、対応するＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌを内包するように設けられている。第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌは、対応するＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌに対して、封止樹脂体１３の一面１３ａ側に配置されている。

第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌは、対応するＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌのコレクタ電極１１ｃと、はんだ１５を介して接続されている。第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌが、第１放熱部に相当する。第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌそれぞれの大部分は封止樹脂体１３によって覆われている。第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌの表面のうち、実装面１４ａにはんだ１５が接続され、実装面１４ａとは反対の放熱面１４ｂが、封止樹脂体１３から露出されている。放熱面１４ｂは、一面１３ａと略面一となっている。第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌの表面のうち、実装面１４ａの一部及び放熱面１４ｂを除く部分は、封止樹脂体１３によって覆われている。

詳しくは、第１ヒートシンク１４Ｈの実装面１４ａに、ＩＧＢＴ１１Ｈのコレクタ電極１１ｃが、はんだ１５を介して接続されている。第１ヒートシンク１４Ｌの実装面１４ａに、ＩＧＢＴ１１Ｌのコレクタ電極１１ｃが、はんだ１５を介して接続されている。第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌは、Ｘ方向に並んで配置されるとともに、Ｚ方向においてほぼ同じ位置に配置されている。第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌの放熱面１４ｂは、封止樹脂体１３の一面１３ａから露出されるとともに、互いにＸ方向に並んでいる。

ターミナル１６は、対応するＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌと第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌとの間に介在している。ターミナル１６は、ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌごとに設けられている。よって、半導体装置１０は、二つのターミナル１６を備えている。

ターミナル１６は、各エミッタ電極１１ｅと各第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌとを電気的に接続している。ターミナル１６は、ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌと第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌとの熱伝導、電気伝導経路の途中に位置するため、熱伝導性及び電気伝導性を確保すべく、少なくとも金属材料を用いて形成されている。

ターミナル１６は、各エミッタ電極１１ｅに対向配置され、はんだ１７を介して各エミッタ電極１１ｅと接続されている。また、ターミナル１６は、各第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌに対向配置され、はんだ１９を介して第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌと接続されている。なお、ターミナル１６に関しては、後ほど詳しく説明する。

第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌも、第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌ同様、対応するＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌの熱を半導体装置１０の外部に放熱する機能を果たす。第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌは、配線としての機能も果たす。本実施形態では、第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌが、Ｚ方向からの投影視において、対応するＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌを内包するように設けられている。第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌは、Ｚ方向において、対応するＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌに対し、封止樹脂体１３の裏面１３ｂ側に配置されている。

第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌは、対応するＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌのエミッタ電極１１ｅと電気的に接続されている。詳しくは、第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌは、対応するエミッタ電極１１ｅと、はんだ１７、ターミナル１６、及びはんだ１９を介して、電気的に接続されている。第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌが、第２放熱部に相当する。第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌの大部分は、封止樹脂体１３によって覆われている。第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌの表面のうち、実装面１８ａにはんだ１９が接続されており、実装面１８ａとは、反対の放熱面１８ｂが封止樹脂体１３から露出されている。放熱面１８ｂは、裏面１３ｂと略面一となっている。第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌの表面のうち、実装面１８ａの一部及び放熱面１８ｂを除く部分は、封止樹脂体１３によって覆われている。

詳しくは、第２ヒートシンク１８Ｈの実装面１８ａに、ＩＧＢＴ１１Ｈに対応するターミナル１６が、はんだ１９を介して接続されている。第２ヒートシンク１８Ｌの実装面１８ａに、ＩＧＢＴ１１Ｌに対応するターミナル１６が、はんだ１９を介して接続されている。それぞれの実装面１８ａには、溢れたはんだ１９を吸収するための溝１８ｃが形成されている。溝１８ｃは、Ｚ方向からの投影視において、エミッタ電極１１ｅ、すなわちターミナル１６を取り囲むように環状に形成されている。

第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌは、Ｘ方向に並んで配置されるとともに、Ｚ方向においてほぼ同じ位置に配置されている。そして、第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌの放熱面１８ｂが、封止樹脂体１３の裏面１３ｂから露出されるとともに、互いにＸ方向に並んでいる。本実施形態では、第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌを共通部材としており、第２ヒートシンク１８Ｈと第２ヒートシンク１８Ｌとの配置はＺ軸を回転軸とする２回対称となっている。

第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌは、Ｙ方向の側面１８ｄ，１８ｅを有している。第２ヒートシンク１８Ｈにおいて側面１８ｄが側面１４ｃに対応しており、第２ヒートシンク１８Ｌにおいて側面１８ｅが側面１４ｃに対応している。このため、第２ヒートシンク１８Ｈの側面１８ｄ及び第２ヒートシンク１８Ｌの側面１８ｅが、第２側面に相当する。第２ヒートシンク１８Ｈの側面１８ｄ及び第２ヒートシンク１８Ｌの側面１８ｅは、Ｙ方向において側面１４ｃと同じ側の面であり、Ｙ方向に延びる部材が連なっていない。

継手部２０は、第１継手部２０ａ、第２継手部２０ｂ、及び第３継手部２０ｃを有している。第１継手部２０ａ及び第３継手部２０ｃは、上アーム側の第２ヒートシンク１８Ｈと、下アーム側の第１ヒートシンク１４Ｌとを電気的に接続している。図５及び図１０に示すように、第２継手部２０ｂは、下アーム側の第２ヒートシンク１８Ｌと負極端子２２ｎとを電気的に接続している。

本実施形態において、第１継手部２０ａは、同一の金属板を加工することで第２ヒートシンク１８Ｈと一体的に設けられている。また、第２継手部２０ｂは、同一の金属板を加工することで第２ヒートシンク１８Ｌと一体的に設けられている。第１継手部２０ａを含む第２ヒートシンク１８Ｈと、第２継手部２０ｂを含む第２ヒートシンク１８Ｌとを共通部材としており、半導体装置１０においてこれらの配置は、Ｚ軸を回転軸とする２回対称となっている。

第１継手部２０ａは、封止樹脂体１３に被覆されるように、第２ヒートシンク１８Ｈよりも薄く設けられている。第１継手部２０ａは、第２ヒートシンク１８Ｈの実装面１８ａと略面一となるように、第２ヒートシンク１８Ｈに連なっている。第１継手部２０ａは、薄板状をなしており、第２ヒートシンク１８Ｈにおける第２ヒートシンク１８Ｌ側の側面からＸ方向に延びている。第１継手部２０ａ及び第２ヒートシンク１８Ｈを有する部材において、第２ヒートシンク１８Ｈは、エミッタ電極１１ｅと接続され、放熱機能を果たす厚肉部に相当する。第１継手部２０ａは、厚肉部よりも薄くされ、電気的な中継機能を果たす薄肉部に相当する。薄肉部である第１継手部２０ａは、厚肉部である第２ヒートシンク１８Ｈの側面からＸ方向に延設されており、Ｙ方向に延設されていない。第１継手部２０ａにおいて、第２ヒートシンク１８Ｈの実装面１８ａに連なる面には、はんだ２１を介して第３継手部２０ｃが接続されている。

第２継手部２０ｂも、封止樹脂体１３に被覆されるように、第２ヒートシンク１８Ｌよりも薄く設けられている。第２継手部２０ｂは、第２ヒートシンク１８Ｌの実装面１８ａと略面一となるように、第２ヒートシンク１８Ｌに連なっている。第２継手部２０ｂは、薄板状をなしており、第２ヒートシンク１８Ｌにおける第２ヒートシンク１８Ｌ側の側面からＸ方向に延びている。

第２継手部２０ｂ及び第２ヒートシンク１８Ｌを有する部材において、第２ヒートシンク１８Ｌは、エミッタ電極１１ｅと接続され、放熱機能を果たす厚肉部に相当し、第２継手部２０ｂは、厚肉部よりも薄くされ、電気的な中継機能を果たす薄肉部に相当する。薄肉部である第２継手部２０ｂは、厚肉部である第２ヒートシンク１８Ｌの側面からＸ方向に延設されており、Ｙ方向に延設されていない。第２継手部２０ｂにおいて、第２ヒートシンク１８Ｌの実装面１８ａに連なる面には、はんだ２１を介して負極端子２２ｎが接続されている。

第１継手部２０ａ及び第２継手部２０ｂそれぞれの実装面１８ａに連なる面には、溢れたはんだ２１を吸収するための溝２０ｄが形成されている。溝２０ｄは、環状に形成されている。以下において、第１継手部２０ａ及び第２継手部２０ｂを、単に継手部２０ａ，２０ｂとも称する。

本実施形態では、はんだ１５，１７，１９，２１として、Ｎｉボール入りのはんだを採用している。Ｎｉボールとしては、超音波探傷装置（SAT：Scanning Acoustic Tomograph）での検査が可能なはんだ厚を確保できる直径、たとえば４０μｍ以上を有していればよい。これにより、はんだ１５，１７，１９，２１のいずれについても、たとえばボイドの検出が可能となる。

第３継手部２０ｃも、同一の金属板を加工することで第１ヒートシンク１４Ｌと一体的に設けられている。第３継手部２０ｃは、封止樹脂体１３に被覆されるように、第１ヒートシンク１４Ｌよりも薄く設けられている。第３継手部２０ｃは、第１ヒートシンク１４Ｌの実装面１４ａに略面一で連なっている。第３継手部２０ｃは、第１ヒートシンク１４Ｌにおける第１ヒートシンク１４Ｈ側の側面から、第２ヒートシンク１８Ｈに向けて延設されている。

第３継手部２０ｃは、Ｚ方向からの平面視において、Ｘ方向に延設されている。本実施形態では、図４に示すように、第３継手部２０ｃが屈曲部を２箇所有している。第３継手部２０ｃの先端部分は、Ｚ方向からの投影視において、第１継手部２０ａと重なっている。そして、第３継手部２０ｃと第１継手部２０ａとが、はんだ２１を介して接続されている。第３継手部２０ｃは、Ｙ方向において、第２継手部２０ｂと横並びとなるように設けられている。

なお、第１継手部２０ａを、第２ヒートシンク１８Ｈとは別部材とし、第２ヒートシンク１８Ｈに接続することで第２ヒートシンク１８Ｈに連なる構成としてもよい。第２継手部２０ｂを、第２ヒートシンク１８Ｌとは別部材とし、第２ヒートシンク１８Ｌに接続することで第２ヒートシンク１８Ｌに連なる構成としてもよい。また、第３継手部２０ｃを、第１ヒートシンク１４Ｌとは別部材とし、第１ヒートシンク１４Ｌに接続することで第１ヒートシンク１４Ｌに連なる構成としてもよい。第１継手部２０ａ及び第３継手部２０ｃの一方のみにより、上アームと下アームとを電気的に接続することもできる。

電源端子２２は、正極端子２２ｐ及び負極端子２２ｎを有している。正極端子２２ｐは、平滑コンデンサ４の正極側の端子と電気的に接続される。正極端子２２ｐは、正極側ライン６と電気的に接続される。正極端子２２ｐは、主電流が流れる主端子である。正極端子２２ｐは、高電位電源端子、Ｐ端子とも称される。正極端子２２ｐは、第１ヒートシンク１４Ｈに連なっており、第１ヒートシンク１４Ｈの側面のうち、Ｙ方向において信号端子２４側の面とは反対の側面１４ｃからＹ方向に延設されている。正極端子２２ｐが延設部又は第１主端子に相当し、側面１４ｃが第１側面に相当する。

本実施形態では、同一の金属板を加工することで、正極端子２２ｐが第１ヒートシンク１４Ｈと一体的に設けられている。正極端子２２ｐは、第１ヒートシンク１４ＨにおけるＹ方向の一端に連なっている。正極端子２２ｐは、Ｙ方向に延設され、図３に示すように、封止樹脂体１３の側面１３ｃから外部に突出している。

第１ヒートシンク１４Ｈ及び正極端子２２ｐを構成する金属板として異形条を採用しており、正極端子２２ｐは薄板状をなしている。正極端子２２ｐ及び第１ヒートシンク１４Ｈを有する部材において、第１ヒートシンク１４Ｈは、コレクタ電極１１ｃと接続され、放熱機能を果たす厚肉部に相当する。正極端子２２ｐは、厚肉部よりも薄くされ、電気的な中継機能を果たす薄肉部に相当する。薄肉部である正極端子２２ｐは、厚肉部である第１ヒートシンク１４Ｈの側面１４ｃからＹ方向に延設され、封止樹脂体１３の側面１３ｃから突出している。

負極端子２２ｎは、平滑コンデンサ４の負極側の端子と電気的に接続される。負極端子２２ｎは、負極側ライン７と電気的に接続される。負極端子２２ｎは、主電流が流れる主端子である。負極端子２２ｎは、低電位電源端子、Ｎ端子とも称される。負極端子２２ｎは、その一部が、Ｚ方向からの投影視において第３継手部２０ｃと重なるように配置されている。負極端子２２ｎは、Ｚ方向において、第３継手部２０ｃよりもＩＧＢＴ１１Ｌに近い位置に配置されている。負極端子２２ｎと第３継手部２０ｃも、はんだ２１を介して接続されている。

負極端子２２ｎは、Ｙ方向に延設されて、正極端子２２ｐと同じ側面１３ｃから外部に突出している。図５及び図６などに示すように、負極端子２２ｎのうち、第２継手部２０ｂとの接続部分の厚みは、他の部分の厚み、たとえば封止樹脂体１３から外に突出した部分の厚みよりも厚くされている。

出力端子２３は、上下アームの接続点と電気的に接続される。出力端子２３は、主電流が流れる主端子である。出力端子２３は、モータ３の対応する相のコイル（固定子巻線）と電気的に接続される。出力端子２３は、交流端子、Ｏ端子とも称される。出力端子２３は、第１ヒートシンク１４Ｌに連なっており、第１ヒートシンク１４Ｌの側面のうち、Ｙ方向において信号端子２４側の面とは反対の側面１４ｃから、Ｙ方向であって正極端子２２ｐと同じ側に延設されている。出力端子２３が延設部又は第２主端子に相当し、第１ヒートシンク１４Ｌの側面１４ｃが第１側面に相当する。

本実施形態では、同一の金属板を加工することで、出力端子２３が第１ヒートシンク１４Ｌと一体的に設けられている。出力端子２３は、第１ヒートシンク１４ＬにおけるＹ方向の一端に連なっている。出力端子２３は、Ｙ方向に延設されて、正極端子２２ｐ及び負極端子２２ｎと同じ側面１３ｃから外部に突出している。

第１ヒートシンク１４Ｌ及び出力端子２３を構成する金属板として異形条を採用しており、出力端子２３は薄板状をなしている。出力端子２３及び第１ヒートシンク１４Ｌを有する部材において、第１ヒートシンク１４Ｌは、コレクタ電極１１ｃと接続され、放熱機能を果たす厚肉部に相当し、出力端子２３は、厚肉部よりも薄くされ、電気的な中継機能を果たす薄肉部に相当する。薄肉部である出力端子２３は、厚肉部である第１ヒートシンク１４Ｌの側面１４ｃからＹ方向に延設され、封止樹脂体１３の側面１３ｃから突出している。

正極端子２２ｐ、負極端子２２ｎ、及び出力端子２３それぞれの封止樹脂体１３からの突出部分は、Ｚ方向において互いにほぼ同じ位置に配置されている。また、Ｘ方向において、正極端子２２ｐ、負極端子２２ｎ、及び出力端子２３の順に並んで配置されている。このように、正極端子２２ｐの隣りに、負極端子２２ｎが配置されている。

正極端子２２ｐ、負極端子２２ｎ、及び出力端子２３は、少なくとも封止樹脂体１３から突出部分において略平板状とされ、Ｚ方向の厚みが互いに略等しくされている。よって、正極端子２２ｐ、負極端子２２ｎ、及び出力端子２３それぞれの突出部分の厚みが、互いに略等しくされている。また、正極端子２２ｐ、負極端子２２ｎ、及び出力端子２３それぞれの突出部分の幅が、互いに略等しくされている。ここで、幅とは、側面１３ｃからの突出方向であるＹ方向及び板厚方向であるＺ方向の両方向に直交する方向、すなわちＸ方向の長さである。

また、正極端子２２ｐの突出長さが、負極端子２２ｎの突出長さよりも短くされている。ここで、突出長さとは、封止樹脂体１３の側面１３ｃを位置の基準として、外部に延設された長さである。本実施形態では、出力端子２３の突出長さが、負極端子２２ｎの突出長さよりも長くされている。すなわち、突出長さは、正極端子２２ｐが最も短くされ、出力端子２３が最も長くされている。負極端子２２ｎの突出長さは、中間の長さとされている。

なお、正極端子２２ｐを、第１ヒートシンク１４Ｈとは別部材とし、第１ヒートシンク１４Ｈに接続することで第１ヒートシンク１４Ｈに連なる構成としてもよい。負極端子２２ｎを、第３継手部２０ｃ、ひいては第２ヒートシンク１８Ｌと同一の金属板から構成してもよい。出力端子２３を、第１ヒートシンク１４Ｌとは別部材とし、第１ヒートシンク１４Ｌに接続することで第１ヒートシンク１４Ｌに連なる構成としてもよい。

電源端子２２及び出力端子２３には、後述する冷却器との積層状態で、図示しないバスバーがそれぞれ接続される。バスバーは、正極側ライン６、負極側ライン７、出力ライン８を構成する。バスバーは、たとえばレーザ溶接により、対応する電源端子２２、出力端子２３と接続される。

信号端子２４は、図７～図９に示すように、対応するＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌのパッド１１ｐに、ボンディングワイヤ２５を介して電気的に接続されている。本実施形態では、アルミニウム系のボンディングワイヤ２５を採用している。信号端子２４は、Ｙ方向に延設されており、図３に示すように、封止樹脂体１３において側面１３ｃとは反対の側面１３ｄから外部に突出している。

半導体装置１０は、ＩＧＢＴ１１Ｈ用に５本の信号端子２４を有し、ＩＧＢＴ１１Ｌ用に５本の信号端子２４を有している。それぞれの５本の信号端子２４のうち、１本の信号端子２４ａは、残りの信号端子２４ｂよりもボンディングワイヤ２５が接続される領域のＸ方向の幅が広くされている。信号端子２４ａには、エミッタ電極１１ｅの電位を検出するケルビンエミッタ用のパッド１１ｐとダミーゲート電極用のパッド１１ｐが、それぞれボンディングワイヤ２５を介して接続されている。これにより、ダミーゲート電極がエミッタ電位に固定されている。ゲート電極１１ｇ用、電流センス用、温度センサのアノード電位用、カソード電位用のパッド１１ｐについては、互いに異なる信号端子２４ｂに接続されている。

図６などに示すように、本実施形態では、第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌ、第３継手部２０ｃ、正極端子２２ｐ、負極端子２２ｎ、出力端子２３、及び信号端子２４が、同一の金属板であるリードフレーム２６から構成されている。リードフレーム２６は、上記以外にも、外枠２６ａ、吊りリード２６ｂ、及びタイバー２６ｃなどを有している。リードフレーム２６において、第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌ及び負極端子２２ｎの一部分が厚肉部とされており、それ以外の部分は厚肉部よりも厚みの薄い薄肉部とされている。

Ｙ方向において、第１ヒートシンク１４Ｈは、側面１４ｃから延設された正極端子２２ｐを介して外枠２６ａに連結されている。第１ヒートシンク１４Ｌも、側面１４ｃから延設された出力端子２３を介して外枠２６ａに連結されている。また、第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌにおける側面１４ｃと反対の側面１４ｄには、吊りリード２６ｂが連なっている。吊りリード２６ｂは、側面１４ｄからＹ方向に延設され、外枠２６ａに連結されている。

主端子である正極端子２２ｐ、負極端子２２ｎ、及び出力端子２３は、Ｙ方向においてそれぞれの一端が外枠２６ａに連なっている。また、Ｘ方向に延びるタイバー２６ｃにより、相互に連結されている。信号端子２４は、タイバー２６ｃにより、外枠２６ａ及び吊りリード２６ｂに連結されている。信号端子２４において、ボンディングワイヤ２５が接続される端部とは反対の端部は、外枠２６ａに連結されておらず、フリーとなっている。

以上のように構成される半導体装置１０では、封止樹脂体１３により、ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌ、第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌそれぞれの一部が、一体的に封止されている。さらに、半導体装置１０では、封止樹脂体１３によって、これらに加えて、ターミナル１６、第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌそれぞれの一部、電源端子２２それぞれの一部、出力端子２３の一部、及び信号端子２４の一部が、一体的に封止されている。半導体装置１０では、封止樹脂体１３によって、一相分の上下アームを構成する２つのＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌが封止されている。このため、半導体装置１０は、２ｉｎ１パッケージとも称される。

第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌそれぞれの放熱面１４ｂは、同一面内に位置するとともに、封止樹脂体１３の一面１３ａと略面一となっている。同じく、第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌそれぞれの放熱面１８ｂは、同一面内に位置するとともに、封止樹脂体１３の裏面１３ｂと略面一となっている。このように、半導体装置１０は、放熱面１４ｂ，１８ｂがともに封止樹脂体１３から露出された両面放熱構造をなしている。

（半導体装置１０の製造方法）
製造方法の概略について説明する。先ず、半導体装置１０を構成する各要素を準備する。たとえば図６に示すリードフレーム２６を準備する。また、ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌ、ターミナル１６、第１継手部２０ａを含む第２ヒートシンク１８Ｈ、第２継手部２０ｂを含む第２ヒートシンク１８Ｌをそれぞれ準備する。第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌは、上記したように共通部材である。

次いで、リードフレーム２６における第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌの実装面１４ａ上に、はんだ１５を介して、対応するＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌを配置する。その際、コレクタ電極１１ｃが実装面１４ａと対向するように、ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌを配置する。次に、たとえば予め両面にはんだ１７，１９が迎えはんだとして配置されたターミナル１６を、はんだ１７がＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌ側となるように配置する。はんだ１９については、半導体装置１０における高さばらつきを吸収可能な量、配置しておく。また、第３継手部２０ｃ及び負極端子２２ｎ上にはんだ２１を配置しておく。

そして、この積層状態で、はんだの１ｓｔリフローを実施する。これにより、はんだ１５を介して、ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌのコレクタ電極１１ｃと対応する第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌとが接続される。また、はんだ１７を介して、ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌのエミッタ電極１１ｅと対応するターミナル１６とが接続される。すなわち、リードフレーム２６、ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌ、及びターミナル１６が一体化された接続体を得ることができる。リフロー後、ＩＧＢＴ１１Ｈ，１１Ｌのパッド１１ｐと信号端子２４を、ボンディングワイヤ２５により接続する。図７、図８、図９は、ボンディング後の接続体を示している。

次いで、実装面１８ａが上になるようにして第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌを図示しない台座上に配置する。そして、ターミナル１６が第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌに対向するように、接続体を第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌ上に配置し、はんだの２ｎｄリフローを実施する。２ｎｄリフローでは、第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌ側から荷重を加えることで、半導体装置１０の高さが所定高さとなるようにする。詳しくは、図示しないスペーサを、第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌと台座との間に配置し、スペーサを、第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌと台座の両方に接触させる。このようにして、半導体装置１０の高さが所定高さとなるようにする。図１０は、２ｎｄリフロー後の状態を示している。

次いで、トランスファモールド法により封止樹脂体１３の成形を行う。本実施形態では、第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌ及び第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌが完全に被覆されるように、封止樹脂体１３を成形する。図１１は、成形後の状態を示している。

次いで、成形した封止樹脂体１３を第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌの一部ごと切削することにより、第１ヒートシンク１４Ｈ，１４Ｌの放熱面１４ｂを露出させる。これにより、放熱面１４ｂは一面１３ａと略面一となる。同じく、封止樹脂体１３を第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌの一部ごと切削することにより、第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌの放熱面１８ｂを露出させる。これにより、放熱面１８ｂは裏面１３ｂと略面一となる。

図１２は、切削後の状態を示している。なお、放熱面１４ｂ，１８ｂを成形金型のキャビティ壁面に押し当て、密着させた状態で、封止樹脂体１３を成形してもよい。この場合、封止樹脂体１３を成形した時点で、放熱面１４ｂ，１８ｂが封止樹脂体１３から露出される。このため、成形後の切削が不要となる。

次いで、外枠２６ａ及びタイバー２６ｃなど、リードフレーム２６の不要部分を除去する。これにより、半導体装置１０を得ることができる。

（ターミナル）
ここで、図１３～図１５を用いて、ターミナル１６に関して詳しく説明する。ターミナル１６は、直方体形状をなしている。ターミナル１６は、電極対向面Ｓ１と、電極対向面Ｓ１の反対面であるヒートシンク対向面Ｓ２と、電極対向面Ｓ１とヒートシンク対向面Ｓ２とに連なる環状のターミナル側面Ｓ３とを有している。電極対向面Ｓ１は、第１対向面に相当する。ヒートシンク対向面Ｓ２は、第２対向面に相当する。ターミナル側面Ｓ３は、側面に相当する。

電極対向面Ｓ１は、エミッタ電極１１ｅと対向配置される。ヒートシンク対向面Ｓ２は、第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌと対向配置される。ターミナル１６は、はんだ１７を介して、電極対向面Ｓ１とエミッタ電極１１ｅとが接続されている。また、ターミナル１６は、はんだ１９を介して、ヒートシンク対向面Ｓ２と第２ヒートシンク１８Ｈ，１８Ｌとが接続されている。

電極対向面Ｓ１とヒートシンク対向面Ｓ２は、例えば平坦面であり、互いに平行に設けられている。また、電極対向面Ｓ１とヒートシンク対向面Ｓ２は、例えば矩形形状をなしている。電極対向面Ｓ１とヒートシンク対向面Ｓ２は、ＸＹ平面に沿う面である。ターミナル側面Ｓ３は、Ｚ方向に沿う面である。Ｚ方向は、ターミナル１６の厚み方向と一致する。本実施形態では、図１３に示すように、一例として、角が丸められた形状の電極対向面Ｓ１とヒートシンク対向面Ｓ２を採用している。

ターミナル１６は、例えば、打ち抜き加工によって形成することができる。このため、ターミナル１６は、図１５に示すように、電極対向面Ｓ１とターミナル側面Ｓ３との境にバリ部１６１が形成されている。バリ部１６１は、電極対向面Ｓ１からＺ方向に突出した部位といえる。また、ターミナル１６は、図１４に示すように、ヒートシンク対向面Ｓ２とターミナル側面Ｓ３との境にダレ面１６２が形成されている。ダレ面１６２は、ヒートシンク対向面Ｓ２の端部とターミナル側面Ｓ３の端部が丸められた部位といえる。バリ部１６１は、凸部に相当する。ダレ面１６２は、曲面に相当する。

しかしながら、本開示は、これに限定されない。本開示は、バリ部１６１が設けられていないターミナル１６であっても採用できる。また、本開示は、ダレ面１６２が設けられていないターミナル１６であっても採用できる。

図１４、図１５に示すように、ターミナル１６は、ターミナル側面Ｓ３に凹凸部１６０が形成されている。凹凸部１６０は、ターミナル側面Ｓ３における粗化された部位である。凹凸部１６０は、レーザ光を照射することで形成することができる。例えば、凹凸部１６０は、ターミナル１６を保持具に保持した状態で、ターミナル１６にレーザ光を照射して形成する。

凹凸部１６０は、ターミナル側面Ｓ３の全周にわたって設けられている。凹凸部１６０は、ターミナル側面Ｓ３における電極対向面Ｓ１から所定範囲離れた位置とヒートシンク対向面Ｓ２から所定範囲離れた位置との間に設けられている。つまり、ターミナル側面Ｓ３は、Ｚ方向において、電極対向面Ｓ１から凹凸部１６０までの範囲と、ヒートシンク対向面Ｓ２から凹凸部１６０までの範囲が平らな面となっている。凹凸部１６０は、はんだ濡れ性が周辺よりも低い。また、凹凸部１６０は、封止樹脂体１３との密着力が周辺よりも高い。

以上のように、半導体装置１０は、凹凸部１６０における封止樹脂体１３とターミナル１６との密着力を向上できる。よって、半導体装置１０は、エミッタ電極１１ｅに印加される応力を抑制できる。また、凹凸部１６０は、電極対向面Ｓ１から所定範囲離れた位置とヒートシンク対向面Ｓ２から所定範囲離れた位置との間に形成されている。つまり、半導体装置１０は、ターミナル側面Ｓ３における電極対向面Ｓ１及びヒートシンク対向面Ｓ２から凹凸部１６０までの所定範囲におけるはんだ濡れ性の低下が抑制されている。このため、半導体装置１０は、ターミナル側面Ｓ３における濡れ性の低下が抑制されている領域に、はんだフィレットが形成されやすい。したがって、半導体装置１０は、エミッタ電極１１ｅの寿命を向上できる。

特に、ターミナル１６は、ヒートシンク対向面Ｓ２からの所定範囲よりも電極対向面Ｓ１からの所定範囲の方が狭いと好ましい。ターミナル１６は、レーザ加工時にターミナル１６が削られて飛散物が発生する。ターミナル１６は、飛散物が電極対向面Ｓ１に付着すると、はんだ１７による電極対向面Ｓ１とエミッタ電極１１ｅとの接合力が低下する。しかしながら、ターミナル１６は、上記のように電極対向面Ｓ１側にバリ部１６１が設けられている。よって、ターミナル１６は、バリ部１６１が壁となり、被産物が電極対向面Ｓ１に付着することを抑制できる。このため、ターミナル１６は、電極対向面Ｓ１とエミッタ電極１１ｅとの接合力が低下することを抑制できる。さらに、ターミナル１６は、レーザ加工時の保持具の摩耗を抑制できる。

また、凹凸部１６０は、ターミナル側面Ｓ３における電極対向面Ｓ１とヒートシンク対向面Ｓ２との中央より電極対向面Ｓ１側に偏っており、電極対向面Ｓ１から少なくとも０．１４～０．５８ｍｍの領域に設けられていると好ましい。なお、ターミナル１６は、厚みの最小値が例えば１．１ｍｍのものを採用できる。シミュレーション結果によると、エミッタ電極１１ｅの歪みは、ターミナル側面Ｓ３の全面に凹凸部１６０が設けられている場合と比べて、０．１４～０．５８ｍｍに凹凸部１６０が設けられていれば抑制できることがわかった。つまり、ターミナル１６は、０．１４～０．５８ｍｍに凹凸部１６０が設けられていれば、エミッタ電極１１ｅの寿命低下を抑制できる。

以上、本開示の好ましい実施形態について説明した。しかしながら、本開示は、上記実施形態に何ら制限されることはなく、本開示の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。以下に、本開示のその他の形態として、変形例１、２に関して説明する。

（変形例１）
図１６に示すように、ターミナル１６は、目印部１６０ａを含む凹凸部１６０が形成された形状を有していてもよい。目印部１６０ａは、ターミナル１６における電極対向面Ｓ１とヒートシンク対向面Ｓ２の方向を示す部位である。つまり、目印部１６０ａは、ターミナル１６の外部から、エミッタ電極１１ｅ側とヒートシンク対向面Ｓ２側とを確認可能とするための印である。

目印部１６０ａは、凹凸部１６０の一部である。よって、目印部１６０ａは、レーザ光を照射することで形成することができる。本実施形態では、一例として、ターミナル側面Ｓ３において周辺よりもＺ方向に突出した形状の目印部１６０ａを採用している。これによって、半導体装置１０を製造する際に、電極対向面Ｓ１がエミッタ電極１１ｅと対向した状態で、ターミナル１６を配置しやすくなる。つまり、ヒートシンク対向面Ｓ２をエミッタ電極１１ｅに対向させた状態で、ターミナル１６を配置する間違いを抑制できる。当然ながら、半導体装置１０は、このターミナル１６を備えていても、上記実施形態の効果を奏することができる。

（変形例２）
図１７に示すように、凹凸部１６０は、ターミナル側面Ｓ３に部分的に設けられていてもよい。言い換えると、凹凸部１６０は、Ｚ方向にスリットが設けられていてもよい。このスリットは、レーザ加工されていない部位、すなわち凹凸となってない部位である。なお、スリットの幅は、特に限定されない。半導体装置１０は、このようなターミナル１６を備えていても、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。

本開示は、実施形態に準拠して記述されたが、本開示は当該実施形態や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態が本開示に示されているが、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範畴や思想範囲に入るものである。

１…電力変換装置、２…直流電源、３…モータ、４…平滑コンデンサ、５…インバータ、６…正極側ライン、７…負極側ライン、８…出力ライン、１０…半導体装置、１１Ｈ，１１Ｌ…ＩＧＢＴ、１１ｃ…コレクタ電極、１１ｅ…エミッタ電極、１１ｇ…ゲート電極、１１ｐ…パッド、１２Ｈ，１２Ｌ…ＦＷＤ、１３…封止樹脂体、１３ａ…一面、１３ｂ…裏面、１３ｃ，１３ｄ…側面、１４Ｈ，１４Ｌ…第１ヒートシンク、１４ａ…実装面、１４ｂ…放熱面、１４ｃ，１４ｄ…側面、１５…はんだ、１６…ターミナル、１６０…凹凸部、１６０ａ…目印部、１６１…バリ部、１６２…ダレ面、Ｓ１…電極対向面、Ｓ２…ヒートシンク対向面、Ｓ３…ターミナル側面、１７…はんだ、１８Ｈ，１８Ｌ…第２ヒートシンク、１８ａ…実装面、１８ｂ…放熱面、１８ｃ…溝、１８ｄ，１８ｅ…側面、１９…はんだ、２０…継手部、２０ａ…第１継手部、２０ｂ…第２継手部、２０ｃ…第３継手部、２０ｄ…溝、２１…はんだ、２２…電源端子、２２ｐ…正極端子、２２ｎ…負極端子、２３…出力端子、２４，２４ａ，２４ｂ…信号端子、２５…ボンディングワイヤ、２６…リードフレーム、２６ａ…外枠、２６ｂ…吊りリード、２６ｃ…タイバー

Claims (6)

1. 一面及び前記一面と反対の裏面のそれぞれに形成された主電極（１１ｃ，１１ｅ）を有する少なくとも１つの半導体素子（１１Ｈ，１１Ｌ）と、
   前記半導体素子を挟むように配置された放熱部であり、前記一面側の前記主電極と対向配置されて電気的に接続された第１放熱部（１４Ｈ，１４Ｌ）、及び、前記裏面側の前記主電極と対向配置されて電気的に接続された第２放熱部（１８Ｈ，１８Ｌ）と、
   前記裏面側の前記主電極と対向配置される第１対向面（Ｓ１）と、前記第２放熱部と対向配置される第２対向面（Ｓ２）と、前記第１対向面と前記第２対向面に連なる環状の側面（Ｓ３）とを有し、はんだ（１７，１９）を介して前記裏面側の前記主電極と前記第２放熱部とを電気的に接続しているターミナル（１６）と、
   前記第１放熱部の少なくとも一部、前記第２放熱部の少なくとも一部、前記ターミナル、及び前記半導体素子を一体的に封止する封止樹脂体（１３）と、を備え、
   前記ターミナルは、前記側面における前記第１対向面から所定範囲離れた位置と前記第２対向面から所定範囲離れた位置との間に、前記はんだの濡れ性を低下させるとともに前記封止樹脂体との密着力を向上させる凹凸部（１６０）を備えている半導体装置。
2. 前記ターミナルは、前記第２対向面からの所定範囲よりも前記第１対向面からの所定範囲の方が狭い請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記凹凸部は、前記側面における前記第１対向面と前記第２対向面との中央より前記第１対向面側に偏っており、前記第１対向面から少なくとも０．１４～０．５８ｍｍの領域に設けられている請求項１又は２に記載の半導体装置。
4. 前記ターミナルは、前記第１対向面と前記側面との境に凸部（１６１）が設けられている請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体装置。
5. 前記ターミナルは、前記第２対向面と前記側面との境に曲面（１６２）が設けられている請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体装置。
6. 前記凹凸部は、前記第１対向面と前記第２対向面の方向を示す目印部（１６０ａ）が形成された形状をなしている請求項１～５のいずれか１項に記載の半導体装置。

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