JP2022048759A - Processing method of primitive wafer and grinding wheel - Google Patents

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Abstract

To provide a processing method of a primitive wafer capable of efficiently processing the primitive wafer.SOLUTION: A processing method of a primitive wafer includes a first grinding process of causing a grinding means 4 which holds the primitive wafer such that an outer circumference of the primitive wafer swells out from an outer circumference of a chuck table 61 being provided with a holding surface for holding an object to be processed, being rotatable and having a diameter smaller than a diameter of the primitive wafer 10, and is provided with a grinding wheel 45 made by annularly arranging a grinding stone 452 opposite to the holding surface, so as to be rotatable, to move in close to the chuck table 61 and grinding one side surface 10a of the primitive wafer, a second grinding process of holding the ground one side surface onto the chuck table and grinding the other side surface 10b of the primitive wafer, and a chamfering process of chamfering the outer circumference 10c of the primitive wafer by using the grinding wheel 45. Therein, on the chamfering process, the outer circumference of the primitive wafer is ground and a chamfering part 11 is formed by using a chamfering grinding part 453 which is arranged on an outer circumference 45c of the grinding wheel and is formed of a ring-shaped groove 46.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本発明は、インゴットから生成された原始ウエーハの加工方法、及び研削ホイールに関する。 The present invention relates to a method for processing a primitive wafer generated from an ingot and a grinding wheel.

ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されシリコン基板の上面に形成されたウエーハは、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。 A wafer formed on the upper surface of a silicon substrate in which a plurality of devices such as ICs and LSIs are divided by a planned division line is divided into individual device chips by a dicing device and a laser processing device, and is used for electric devices such as mobile phones and personal computers. It will be used.

また、デバイスが表面に形成される前のいわゆる原始ウエーハは、内周刃、ワイヤーソー等を備えた切断装置によってシリコン（Ｓｉ）等のインゴットが１ｍｍ程度の厚みにスライスされて生成される（例えば特許文献１を参照）。そして、インゴットから生成された原始ウエーハの両面を研削加工し、その後、専用の装置を使用して外周角部に面取り加工を施すことで、上面にデバイスを形成するのに好適な状態に加工される。 Further, the so-called primitive wafer before the device is formed on the surface is generated by slicing an ingot such as silicon (Si) to a thickness of about 1 mm by a cutting device equipped with an inner peripheral blade, a wire saw, or the like (for example). See Patent Document 1). Then, by grinding both sides of the primitive wafer generated from the ingot and then chamfering the outer peripheral corners using a dedicated device, it is processed into a state suitable for forming a device on the upper surface. To.

特開平０８－１５５９４８号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 08-155948

従来技術における原始ウエーハの加工方法では、その表面にデバイスが形成される状態となるまでに、研削加工を実施した後、専用の装置や、別途用意された治具を使用して面取り加工等の複数の工程を実施する必要があるため、生産性が悪いという問題がある。 In the method of processing a primitive wafer in the prior art, after grinding is performed until the device is formed on the surface, chamfering is performed using a dedicated device or a jig prepared separately. Since it is necessary to carry out a plurality of processes, there is a problem that productivity is poor.

本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、原始ウエーハを効率よく加工することができる原始ウエーハの加工方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above facts, and a main technical problem thereof is to provide a processing method for a primitive wafer capable of efficiently processing a primitive wafer.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、インゴットから生成された原始ウエーハを加工する原始ウエーハの加工方法であって、被加工物を保持する保持面を備え回転可能で原始ウエーハの直径より小さい直径のチャックテーブルの外周から原始ウエーハの外周がはみ出るように原始ウエーハの一方の面を上方に向けて該チャックテーブルに保持する原始ウエーハ保持工程と、該保持面に対向して研削砥石を環状に配設した研削ホイールを回転可能に備えた研削手段を該チャックテーブルに接近させ、該チャックテーブルに保持された原始ウエーハの回転中心を該研削砥石が通過するように該研削ホイールを回転させて原始ウエーハの一方の面を研削する第一の研削工程と、研削済みの一方の面を該チャックテーブルに保持し、該チャックテーブルに保持された原始ウエーハの回転中心を該研削砥石が通過するように該研削ホイールを回転させて原始ウエーハの他方の面を研削する第二の研削工程と、該研削ホイールで原始ウエーハの外周に面取り加工を施す面取り加工工程と、を含み、該面取り加工工程は、該チャックテーブルと該研削手段とを相対的に移動させて、該研削ホイールの外周に配設されリング状の溝が形成された面取り砥石を、原始ウエーハの外周に位置付け、該チャックテーブルの中心と、該研削ホイールの中心とを接近させて該原始ウエーハの外周を研削して面取り部を形成する原始ウエーハの加工方法が提供される。 In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, it is a processing method of a primitive wafer for processing a primitive wafer generated from an ingot, which has a holding surface for holding a work piece and is rotatable and primitive wafer. A primordial wafer holding step of holding one surface of the primordial wafer upward on the chuck table so that the outer periphery of the primordial wafer protrudes from the outer circumference of the chuck table having a diameter smaller than the diameter, and a grinding wheel facing the holding surface. A grinding means provided with a rotatably arranged grinding wheel in an annular shape is brought close to the chuck table, and the grinding wheel is rotated so that the grinding wheel passes through the rotation center of the primitive wafer held on the chuck table. The grinding grind passes through the first grinding step of grinding one surface of the primitive wafer and the rotation center of the primitive wafer held on the chuck table by holding the ground one surface on the chuck table. The chamfering process includes a second grinding step of rotating the grinding wheel to grind the other surface of the primitive wafer, and a chamfering process of chamfering the outer periphery of the primitive wafer with the grinding wheel. In the process, the chuck table and the grinding means are relatively moved, and a chamfering grindstone arranged on the outer periphery of the grinding wheel and having a ring-shaped groove formed is positioned on the outer periphery of the primitive wafer, and the chuck table is formed. A method for processing a primitive wafer is provided, in which the center of the wafer is brought close to the center of the grinding wheel and the outer periphery of the primitive wafer is ground to form a chamfered portion.

また、本発明によれば、研削装置に装着される研削ホイールであって、環状基台と、該環状基台の自由端部に環状に配設された複数の研削砥石と、該環状基台の外周に配設されリング状の溝が形成された面取り砥石と、を備えた研削ホイールが提供される。 Further, according to the present invention, the grinding wheel mounted on the grinding apparatus includes an annular base, a plurality of grinding wheels arranged in an annular shape at the free end of the annular base, and the annular base. A grinding wheel comprising a chamfering grindstone disposed on the outer periphery of the wheel and having a ring-shaped groove formed therein is provided.

本発明の原始ウエーハの加工方法は、インゴットから生成された原始ウエーハを加工する原始ウエーハの加工方法であって、被加工物を保持する保持面を備え回転可能で原始ウエーハの直径より小さい直径のチャックテーブルの外周から原始ウエーハの外周がはみ出るように原始ウエーハの一方の面を上方に向けて該チャックテーブルに保持する原始ウエーハ保持工程と、該保持面に対向して研削砥石を環状に配設した研削ホイールを回転可能に備えた研削手段を該チャックテーブルに接近させ、該チャックテーブルに保持された原始ウエーハの回転中心を該研削砥石が通過するように該研削ホイールを回転させて原始ウエーハの一方の面を研削する第一の研削工程と、研削済みの一方の面を該チャックテーブルに保持し、該チャックテーブルに保持された原始ウエーハの回転中心を該研削砥石が通過するように該研削ホイールを回転させて原始ウエーハの他方の面を研削する第二の研削工程と、該研削ホイールで原始ウエーハの外周に面取り加工を施す面取り加工工程と、を含み、該面取り加工工程は、該チャックテーブルと該研削手段とを相対的に移動させて、該研削ホイールの外周に配設されリング状の溝が形成された面取り砥石を、原始ウエーハの外周に位置付け、該チャックテーブルの中心と、該研削ホイールの中心とを接近させて該原始ウエーハの外周を研削して面取り部を形成することから、加工装置を変えたり、加工治具の交換等をしたりすることなく研削加工工程と面取り加工工程とを、連続して実施することができ、生産性が向上する。 The method for processing a primitive waha of the present invention is a method for processing a primitive waha generated from an ingot, which has a holding surface for holding a workpiece and is rotatable and has a diameter smaller than the diameter of the primitive waha. A primitive waha holding step of holding one surface of the primordial waha upward on the chuck table so that the outer periphery of the primordial waha protrudes from the outer periphery of the chuck table, and a grinding grind is arranged in an annular shape facing the holding surface. A grinding means provided with a rotatable grinding wheel is brought close to the chuck table, and the grinding wheel is rotated so that the grinding wheel passes through the rotation center of the primitive waha held on the chuck table. The first grinding step of grinding one surface and the grinding of one surface that has been ground are held on the chuck table so that the grinding grind passes through the rotation center of the primitive waha held on the chuck table. The chamfering step includes a second grinding step of rotating a wheel to grind the other surface of the primitive waha and a chamfering step of chamfering the outer periphery of the primitive waha with the grinding wheel. By relatively moving the table and the grinding means, a chamfering grindstone arranged on the outer periphery of the grinding wheel and having a ring-shaped groove formed is positioned on the outer periphery of the primitive wafer, and the center of the chuck table and the chuck table are located. Since the center of the grinding wheel is brought close to the center and the outer circumference of the primitive wafer is ground to form a chamfering portion, the grinding process and chamfering without changing the processing equipment or exchanging the processing jig. The process can be carried out continuously, and the productivity is improved.

また、本発明の研削ホイールは、環状基台と、該環状基台の自由端部に環状に配設された複数の研削砥石と、該環状基台の外周に配設されリング状の溝が形成された面取り砥石と、を備えていることから、加工治具の交換等をしたりすることなく研削加工工程と面取り加工工程とを、連続して実施することができ、生産性が向上する。 Further, the grinding wheel of the present invention has an annular base, a plurality of grinding wheels arranged in an annular shape at the free end of the annular base, and a ring-shaped groove arranged on the outer periphery of the annular base. Since the chamfered grindstone is provided, the grinding process and the chamfering process can be continuously performed without exchanging the processing jig, and the productivity is improved. ..

本実施形態の加工方法を実施可能な研削装置の全体斜視図である。It is an overall perspective view of the grinding apparatus which can carry out the processing method of this embodiment. （ａ）本実施形態のホイールマウント及び研削ホイールの分解斜視図、（ｂ）（ａ）のＡ－Ａ断面図である。(A) An exploded perspective view of the wheel mount and the grinding wheel of the present embodiment, and (b) (a) are cross-sectional views taken along the line AA. 原始ウエーハ保持工程の実施態様を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the embodiment of the primitive wafer holding process. 第一の研削工程の実施態様を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the embodiment of the 1st grinding process. 第二の研削工程の実施態様を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the embodiment of the 2nd grinding process. （ａ）面取り加工工程の実施態様を示す斜視図、（ｂ）（ａ）の実施態様における面取り加工領域の一部拡大断面図である。(A) is a perspective view showing an embodiment of a chamfering process, and (b) is a partially enlarged cross-sectional view of a chamfering region in the embodiment of (a).

以下、本発明に基づいて構成される原始ウエーハの加工方法、及び研削ホイールに係る実施形態について添付図面を参照しながら、詳細に説明する。 Hereinafter, a method for processing a primitive wafer configured based on the present invention and an embodiment relating to a grinding wheel will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図１には、本実施形態の原始ウエーハの加工方法を実施するのに好適な研削装置１の全体斜視図が示されている。図１に示す研削装置１は、略直方体形状の装置ハウジング２と、装置ハウジング２の後端部側に立設された直立壁３と、被加工物を研削する研削手段４と、被加工物を保持するチャックテーブル機構６と、を備えている。 FIG. 1 shows an overall perspective view of the grinding apparatus 1 suitable for carrying out the processing method of the primitive wafer of the present embodiment. The grinding device 1 shown in FIG. 1 includes a device housing 2 having a substantially rectangular parallelepiped shape, an upright wall 3 erected on the rear end side of the device housing 2, a grinding means 4 for grinding a workpiece, and a workpiece. It is provided with a chuck table mechanism 6 for holding the above.

チャックテーブル機構６は、図示されたように円板形状の吸着チャック６１ａ及び吸着チャック６１ａを囲繞する枠体６１ｂを備え図示しない回転駆動源によって回転可能に構成されたチャックテーブル６１と、チャックテーブル６１を上方に突出させると共にチャックテーブル６１の周囲をカバーするカバー板６２とを備えている。吸着チャック６１ａは通気性を有するポーラス部材で形成されており、図示しない吸引源に接続され、該吸引源を作動させることで、吸着チャック６１ａの保持面６３に負圧が供給されて、保持面６３上に載置される被加工物を吸引保持することができる。 As shown in the figure, the chuck table mechanism 6 includes a disc-shaped suction chuck 61a and a frame body 61b surrounding the suction chuck 61a, and is configured to be rotatable by a rotation drive source (not shown), and a chuck table 61. Is provided with a cover plate 62 that projects upward and covers the periphery of the chuck table 61. The suction chuck 61a is formed of a porous member having air permeability, is connected to a suction source (not shown), and by operating the suction source, a negative pressure is supplied to the holding surface 63 of the suction chuck 61a to supply the holding surface. The workpiece placed on 63 can be sucked and held.

装置ハウジング２の内部には、チャックテーブル機構６を、図中Ｙ軸方向で示す方向に移動させる移動手段（図示は省略する）が収容されている。該移動手段を作動させることにより、チャックテーブル機構６を未加工の被加工物をチャックテーブル６１上に載置する図中手前側（矢印Ｙ１で示す方向）の搬出入領域と、チャックテーブル６１に保持された被加工物に対して研削手段４により研削加工が施される図中奥側（矢印Ｙ２で示す方向）の加工領域との間で移動させることができる。 Inside the device housing 2, a moving means (not shown) for moving the chuck table mechanism 6 in the direction shown in the Y-axis direction in the drawing is housed. By operating the moving means, the chuck table mechanism 6 is placed on the chuck table 61 and the loading / unloading region on the front side (direction indicated by the arrow Y1) in the drawing in which the unprocessed workpiece is placed on the chuck table 61. It can be moved to and from the processing region on the inner side (direction indicated by the arrow Y2) in the drawing in which the held workpiece is ground by the grinding means 4.

研削手段４は、直立壁３の前面に配設されている。研削手段４は、移動基台４ａに装着されており、移動基台４ａは、後面側で装置ハウジング２の直立壁３に配設された一対の案内レール３１、３１と係合し、案内レール３１、３１に対して図中Ｚ軸方向（上下方向）に摺動可能に装着されている。 The grinding means 4 is arranged on the front surface of the upright wall 3. The grinding means 4 is mounted on the moving base 4a, and the moving base 4a engages with a pair of guide rails 31 and 31 arranged on the upright wall 3 of the device housing 2 on the rear surface side, and the guide rails 4 are engaged with each other. It is slidably mounted in the Z-axis direction (vertical direction) in the figure with respect to 31 and 31.

研削手段４は、移動基台４ａと一体に形成された支持部４ｂに支持されたスピンドルハウジング４２と、スピンドルハウジング４２に回転可能に保持された回転スピンドル４３と、回転スピンドル４３の回転駆動手段として配設された電動モータ４１と、を備えている。回転スピンドル４３の下端部は、スピンドルハウジング４２の下端側に突出しており、その下端部にはホイールマウント４４が配設されている。ホイールマウント４４の下面には研削ホイール４５が装着されている。図示を省略する研削水供給手段から供給される研削水Ｌは、回転スピンドル４３の上端部４３ａから導入され、回転スピンドル４３内の通路を介して研削ホイール４５の下端面の中央から排出されて、該加工領域に供給される。 The grinding means 4 includes a spindle housing 42 supported by a support portion 4b integrally formed with the moving base 4a, a rotary spindle 43 rotatably held by the spindle housing 42, and rotary drive means for the rotary spindle 43. It is provided with an arranged electric motor 41. The lower end portion of the rotary spindle 43 projects toward the lower end side of the spindle housing 42, and a wheel mount 44 is arranged at the lower end portion thereof. A grinding wheel 45 is mounted on the lower surface of the wheel mount 44. The grinding water L supplied from the grinding water supply means (not shown) is introduced from the upper end portion 43a of the rotary spindle 43 and discharged from the center of the lower end surface of the grinding wheel 45 through the passage in the rotary spindle 43. It is supplied to the processing area.

図２を参照しながら、本実施形態の研削ホイール４５についてさらに詳細に説明する。図２（ａ）は、ホイールマウント４４と研削ホイール４５とを分解した分解斜視図である。図２（ａ）に示すように、研削ホイール４５は、ホイールマウント４４の下面側に装着される環状基台４５１と、環状基台４５１の自由端部を構成する下面４５ｂに環状に配設され研削手段４の直下の加工領域にチャックテーブル６１が位置付けられた際に、チャックテーブル６１の保持面６３に対向するように環状に配設された複数の研削砥石４５２と、環状基台４５１の外周４５ｃに全周に渡って環状に配設された面取り砥石４５３と、を備えている。図２（ａ）のＡ－Ａ断面を示す図２（ｂ）から理解されるように、面取り砥石４５３には、研削ホイール４５の外周４５ｃの全周にわたり面取り砥石４５３に沿って形成されたリング状の溝４６が形成されている。また、研削ホイール４５を構成する環状基台４５１の内部には研削ホイール４５の外周４５ｃに向けて上記した研削水Ｌを導くための研削水連通路４５ｅが形成されている。研削水連通路４５ｅは、環状基台４５１の内部に放射状に複数形成され、回転スピンドル４３の下端部から放射状に供給される研削水Ｌを、面取り砥石４５３に沿って形成されたリング状の溝４６に導くために形成されたものである（追って説明する）。研削ホイール４５をホイールマウント４４に装着する際には、研削ホイール４５の上面４５ａをホイールマウント４４の下面側に当接させ、環状基台４５１の上面４５ａに形成されたねじ孔４５ｄに対してボルト５を締結し両者を固定する。なお、本実施形態の面取り砥石４５３は、例えば、レジンボンドやメタルボンド等でダイヤモンド砥粒等が固着されて成形されたものであり、前記した研削砥石４５２と同様の素材で形成されているが、別の素材を使用することもできる。 The grinding wheel 45 of the present embodiment will be described in more detail with reference to FIG. FIG. 2A is an exploded perspective view of the wheel mount 44 and the grinding wheel 45. As shown in FIG. 2A, the grinding wheel 45 is annularly arranged on the annular base 451 mounted on the lower surface side of the wheel mount 44 and the lower surface 45b constituting the free end portion of the annular base 451. When the chuck table 61 is positioned in the machining area directly below the grinding means 4, a plurality of grinding wheels 452 arranged in an annular shape so as to face the holding surface 63 of the chuck table 61, and the outer periphery of the annular base 451. The 45c is provided with a chamfering grindstone 453 arranged in an annular shape over the entire circumference. As can be seen from FIG. 2B showing the AA cross section of FIG. 2A, the chamfering wheel 453 has a ring formed along the chamfering wheel 453 over the entire circumference of the outer circumference 45c of the grinding wheel 45. A groove 46 is formed. Further, inside the annular base 451 constituting the grinding wheel 45, a grinding water communication passage 45e for guiding the above-mentioned grinding water L toward the outer circumference 45c of the grinding wheel 45 is formed. A plurality of grinding water passages 45e are formed radially inside the annular base 451 and ring-shaped grooves formed along the chamfering grindstone 453 with the grinding water L radially supplied from the lower end of the rotary spindle 43. It was formed to lead to 46 (described later). When mounting the grinding wheel 45 on the wheel mount 44, the upper surface 45a of the grinding wheel 45 is brought into contact with the lower surface side of the wheel mount 44, and bolts are provided to the screw holes 45d formed in the upper surface 45a of the annular base 451. Fasten 5 and fix both. The chamfering grindstone 453 of the present embodiment is formed by fixing diamond abrasive grains or the like with, for example, a resin bond or a metal bond, and is made of the same material as the grinding grindstone 452 described above. , You can also use different materials.

図１に戻り説明を続けると、研削装置１は、研削手段４を上記一対の案内レール３１、３１に沿ってＺ軸方向（チャックテーブル６１の保持面６３と垂直な方向）に移動させる研削送り手段７を備えている。この研削送り手段７は、直立壁３の前面側に配設され上下方向に延びる雄ねじロッド７１と、雄ねじロッド７１を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ７２とを備えている。この雄ねじロッド７１は、その上端部及び下端部が直立壁３に回転自在に支持され、雄ねじロッド７１の上側端部にパルスモータ７２の出力軸が連結されている。移動基台４ａの後面には、ねじ連結部（図示は省略する）が形成されており、該連結部には上下方向に延びる雌ねじ穴が形成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじロッド７１が螺合させられる。このようなねじ機構からなる研削送り手段７は、パルスモータ７２を正転させて移動基台４ａと共に研削手段４を下降させ、パルスモータ７２を逆転させて移動基台４ａと共に研削手段４を上昇させることができる。 Returning to FIG. 1 and continuing the description, the grinding apparatus 1 moves the grinding means 4 along the pair of guide rails 31 and 31 in the Z-axis direction (direction perpendicular to the holding surface 63 of the chuck table 61). The means 7 is provided. The grinding feed means 7 includes a male screw rod 71 arranged on the front surface side of the upright wall 3 and extending in the vertical direction, and a pulse motor 72 as a drive source for rotationally driving the male screw rod 71. The upper end and the lower end of the male screw rod 71 are rotatably supported by the upright wall 3, and the output shaft of the pulse motor 72 is connected to the upper end of the male screw rod 71. A screw connecting portion (not shown) is formed on the rear surface of the moving base 4a, and a female screw hole extending in the vertical direction is formed in the connecting portion, and the male screw rod 71 is placed in the female screw hole. Be screwed. The grinding feed means 7 having such a screw mechanism rotates the pulse motor 72 in the normal direction to lower the grinding means 4 together with the moving base 4a, reverses the pulse motor 72, and raises the grinding means 4 together with the moving base 4a. Can be made to.

研削装置１は、図示を省略する制御手段を備え、該制御手段には、研削手段４、研削送り手段７、該移動手段（図示は省略）等が接続され、任意の制御プログラムに基づいて各手段が精密に制御される。 The grinding device 1 includes a control means (not shown), to which a grinding means 4, a grinding feeding means 7, a moving means (not shown) and the like are connected, and each of them is based on an arbitrary control program. The means are precisely controlled.

図１に示す研削装置１は、概ね上記したとおりの構成を備えており、以下に、研削装置１を使用して実施される本実施形態の原始ウエーハの加工方法について説明する。 The grinding device 1 shown in FIG. 1 has substantially the same configuration as described above, and the method for processing the primitive wafer of the present embodiment, which is carried out using the grinding device 1, will be described below.

図３には、本実施形態の被加工物である、シリコン（Ｓｉ）の原始ウエーハ１０、及びチャックテーブル６１の斜視図が示されている。原始ウエーハ１０は、例えば、円柱状の単結晶インゴット（図示は省略する）をスライスすることにより約１ｍｍの厚みで切り出された直径が約１００ｍｍの円形板状のウエーハであって、表面、裏面いずれにもデバイス等が形成されていないウエーハである。 FIG. 3 shows a perspective view of a silicon (Si) primitive wafer 10 and a chuck table 61, which are workpieces of the present embodiment. The primitive wafer 10 is, for example, a circular plate-shaped wafer having a thickness of about 1 mm and having a diameter of about 100 mm cut out by slicing a columnar single crystal ingot (not shown), and has either a front surface or a back surface. It is a wafer in which no device or the like is formed.

本実施形態の原始ウエーハの加工方法を実施するに際し、図３に示すように、前記搬出入領域に位置付けられたチャックテーブル６１の外周から原始ウエーハ１０のウエーハ外周１０ｃがはみ出るように原始ウエーハ１０の一方の面１０ａを上方に向け、他方の面１０ｂを下方に向けて載置して保持する（原始ウエーハ保持工程）。この際、原始ウエーハ１０は、原始ウエーハ１０の中心Ｏと、チャックテーブル６１の中心Ｏ１とが一致するように載置され、図示を省略する吸引源が作動されて保持面６３に負圧が供給され、でチャックテーブル６１の保持面６３に吸引保持される。ここで、本実施形態のチャックテーブル６１を構成する枠体６１ｂの外径は、原始ウエーハ１０の直径（１００ｍｍ）よりも小さく、例えば９０ｍｍに設定されている。これにより、原始ウエーハ１０がチャックテーブル６１に載置され吸引保持された際に、ウエーハ外周１０ｃがチャックテーブル６１の外周より外側にはみ出るようになっている。ウエーハ外周１０ｃがチャックテーブル６１からはみ出る量は任意に設定されるが、少なくとも後述する面取り加工工程において面取り部が形成される領域が、確実にチャックテーブル６１の外側にはみ出るように設定される。なお、本実施形態の原始ウエーハ１０は、該インゴットから切り出された後、表面、裏面のいずれにも加工が施されておらず、表面、裏面の区別がない状態であるが、説明の都合上、最初に上方に向けられて載置される面を「一方の面」と称し、その反対側の面を「他方の面」と称する。 When the method for processing the primitive wafer of the present embodiment is carried out, as shown in FIG. 3, the primitive wafer 10 is provided so that the wafer outer circumference 10c of the primitive wafer 10 protrudes from the outer periphery of the chuck table 61 positioned in the carry-in / out area. One surface 10a is directed upward and the other surface 10b is placed and held downward (primitive wafer holding step). At this time, the primitive wafer 10 is placed so that the center O of the primitive wafer 10 and the center O1 of the chuck table 61 coincide with each other, and a suction source (not shown) is operated to supply a negative pressure to the holding surface 63. Then, it is sucked and held on the holding surface 63 of the chuck table 61. Here, the outer diameter of the frame body 61b constituting the chuck table 61 of the present embodiment is smaller than the diameter (100 mm) of the primitive wafer 10, and is set to, for example, 90 mm. As a result, when the primitive wafer 10 is placed on the chuck table 61 and sucked and held, the outer circumference 10c of the wafer protrudes outside the outer circumference of the chuck table 61. The amount of the wafer outer peripheral 10c protruding from the chuck table 61 is arbitrarily set, but at least the region where the chamfered portion is formed in the chamfering process described later is set so as to surely protrude to the outside of the chuck table 61. In the primitive wafer 10 of the present embodiment, after being cut out from the ingot, neither the front surface nor the back surface is processed, and there is no distinction between the front surface and the back surface. However, for convenience of explanation. The surface that is first placed facing upward is referred to as "one surface", and the surface on the opposite side is referred to as "the other surface".

上記した原始ウエーハ保持工程を実施したならば、該移動手段を作動してチャックテーブル６１を図１に矢印Ｙ２で示す方向の加工領域に移動し、研削送り手段７を作動して、研削手段４をチャックテーブル６１に接近させる。次いで、図４に示すように、チャックテーブル６１に保持された原始ウエーハ１０の回転中心Ｏを研削砥石４５２が通過するように研削ホイール４５を位置付ける。そして、研削手段４の電動モータ４１を作動して研削ホイール４５を矢印Ｒ１で示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させると共に、チャックテーブル６１を矢印Ｒ２で示す方向に例えば３００ｒｐｍの回転速度で回転させ、さらに、前記した研削送り手段７を作動して研削手段４を矢印Ｒ３で示す方向に例えば１．０μｍ／秒の下降速度で原始ウエーハ１０の一方の面１０ａに当接させて、原始ウエーハ１０の一方の面１０ａを所定の量だけ研削する（第一の研削工程）。なお、該第一の研削工程を実施する際には、図示を省略する厚み検出手段を用いて、研削する量を検出しながら実施することが好ましい。 When the above-mentioned primitive wafer holding step is performed, the moving means is operated to move the chuck table 61 to the machining region in the direction indicated by the arrow Y2 in FIG. 1, and the grinding feed means 7 is operated to operate the grinding means 4. Is brought closer to the chuck table 61. Next, as shown in FIG. 4, the grinding wheel 45 is positioned so that the grinding wheel 452 passes through the rotation center O of the primitive wafer 10 held on the chuck table 61. Then, the electric motor 41 of the grinding means 4 is operated to rotate the grinding wheel 45 in the direction indicated by the arrow R1 at, for example, 6000 rpm, and the chuck table 61 is rotated in the direction indicated by the arrow R2 at a rotation speed of, for example, 300 rpm. , The above-mentioned grinding feed means 7 is operated to bring the grinding means 4 into contact with one surface 10a of the primitive waha 10 in the direction indicated by the arrow R3 at a descending speed of, for example, 1.0 μm / sec, and one of the primitive waha 10 is brought into contact with the surface 10a. Surface 10a is ground by a predetermined amount (first grinding step). When carrying out the first grinding step, it is preferable to carry out the first grinding step while detecting the amount of grinding by using a thickness detecting means (not shown).

上記した第一の研削工程を実施したならば、該移動手段を作動して、チャックテーブル６１を搬出入領域に移動して該吸引源を停止し、原始ウエーハ１０をチャックテーブル６１の保持面６３から取り外して表裏を反転し、原始ウエーハ１０の他方の面１０ｂを上方に、研削済みの一方の面１０ａを下方に向けて、図３に基づき説明した原始ウエーハ保持工程と同様に、チャックテーブル６１の中心Ｏ１と原始ウエーハ１０の中心Ｏとが一致するようにチャックテーブル６１の保持面６３上に載置し、該吸引源を作動して原始ウエーハ１０をチャックテーブル６１に吸引保持する。次いで、該移動手段を作動して、チャックテーブル６１を図１に矢印Ｙ２で示す方向の加工領域に移動し、研削送り手段７を作動して、研削手段４をチャックテーブル６１に接近させて、図５に示すように、チャックテーブル６１に保持された原始ウエーハ１０の中心Ｏを研削砥石４５２が通過するように研削ホイール４５を位置付ける。そして、研削手段４の電動モータ４１を作動して研削ホイール４５を矢印Ｒ１で示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させると共に、チャックテーブル６１を矢印Ｒ２で示す方向に例えば３００ｒｐｍの回転速度で回転させ、さらに、前記した研削送り手段７を作動して研削手段４を矢印Ｒ３で示す方向に例えば１．０μｍ／秒の下降速度で原始ウエーハ１０の他方の面１０ｂに当接させて原始ウエーハ１０の他方の面１０ｂを所定の量だけ研削する（第二の研削工程）。 When the first grinding step described above is carried out, the moving means is operated, the chuck table 61 is moved to the carry-in / out area, the suction source is stopped, and the primitive wafer 10 is held on the holding surface 63 of the chuck table 61. The chuck table 61 is removed from the wafer and turned upside down, with the other surface 10b of the primitive wafer 10 facing upward and the ground one surface 10a facing downward, as in the primitive wafer holding step described with reference to FIG. It is placed on the holding surface 63 of the chuck table 61 so that the center O1 of the original wafer 10 and the center O of the primitive wafer 10 coincide with each other, and the suction source is operated to suck and hold the primitive wafer 10 on the chuck table 61. Next, the moving means is operated to move the chuck table 61 to the machining region in the direction indicated by the arrow Y2 in FIG. 1, and the grinding feed means 7 is operated to bring the grinding means 4 closer to the chuck table 61. As shown in FIG. 5, the grinding wheel 45 is positioned so that the grinding wheel 452 passes through the center O of the primitive waha 10 held by the chuck table 61. Then, the electric motor 41 of the grinding means 4 is operated to rotate the grinding wheel 45 in the direction indicated by the arrow R1 at, for example, 6000 rpm, and the chuck table 61 is rotated in the direction indicated by the arrow R2 at a rotation speed of, for example, 300 rpm. , The above-mentioned grinding feed means 7 is operated to bring the grinding means 4 into contact with the other surface 10b of the primitive waha 10 in the direction indicated by the arrow R3 at a descending speed of, for example, 1.0 μm / sec. The surface 10b is ground by a predetermined amount (second grinding step).

上記したように、第一の研削工程、第二の研削工程を実施したならば、研削ホイール４５を使用して、原始ウエーハ１０の外周１０ｃに面取り加工を施す面取り加工工程を実施する。より具体的には、まず、上記した第二の研削工程を実施した後、チャックテーブル６１と、研削手段４とを、第二の研削工程時の回転を維持したまま、チャックテーブル６１の保持面６３と平行な方向において相対的に移動させる。本実施形態において相対的に移動させる手段は、チャックテーブル６１を移動させる該移動手段（図示していない）であり、該移動手段を作動することにより、チャックテーブル６１を図１に矢印Ｙ１で示す方向に移動させ、平面視で見たとき、研削ホイール４５が原始ウエーハ１０の外周１０ｃよりも外側になるように位置付ける。 As described above, if the first grinding step and the second grinding step are carried out, the chamfering step of chamfering the outer peripheral portion 10c of the primitive wafer 10 is carried out by using the grinding wheel 45. More specifically, first, after performing the second grinding step described above, the holding surface of the chuck table 61 while maintaining the rotation of the chuck table 61 and the grinding means 4 during the second grinding step. It is moved relatively in the direction parallel to 63. The means for relatively moving the chuck table 61 in the present embodiment is the moving means (not shown) for moving the chuck table 61, and the chuck table 61 is shown by an arrow Y1 in FIG. 1 by operating the moving means. When it is moved in the direction and viewed in a plan view, the grinding wheel 45 is positioned so as to be outside the outer circumference 10c of the primitive wafer 10.

次いで、チャックテーブル６１と研削手段４とが垂直な方向で相対的に移動するように、すなわち、研削送り手段７を作動して、研削手段４を図６（ａ）において矢印Ｒ３で示す方向に下降させる。これにより、研削ホイール４５の外周に配設されリング状の溝４６が形成された面取り砥石４５３を、原始ウエーハ１０のウエーハ外周１０ｃと水平方向において対向する位置に位置付ける。このとき、図６（ｂ）に示すように、原始ウエーハ１０の厚み方向の中心Ｐ（一点鎖線で示す）が、面取り砥石４５３の溝４６の溝幅方向（上下方向）における中心と一致するように位置付ける。そして、チャックテーブル６１の中心と、研削ホイール４５の中心、すなわち、回転スピンドル４３の中心とを接近させる。より具体的には、該移動手段を作動させて、チャックテーブル６１を図６（ａ）、図６（ｂ）に矢印Ｙ２で示す方向に移動させて、原始ウエーハ１０のウエーハ外周１０ｃを溝４６に進入させる。 Next, the chuck table 61 and the grinding means 4 move relatively in the vertical direction, that is, the grinding feeding means 7 is operated to move the grinding means 4 in the direction indicated by the arrow R3 in FIG. 6A. Lower. As a result, the chamfering grindstone 453 arranged on the outer periphery of the grinding wheel 45 and having the ring-shaped groove 46 formed is positioned at a position horizontally facing the wafer outer circumference 10c of the primitive wafer 10. At this time, as shown in FIG. 6B, the center P (indicated by the alternate long and short dash line) in the thickness direction of the primitive wafer 10 coincides with the center in the groove width direction (vertical direction) of the groove 46 of the chamfering grindstone 453. Positioned in. Then, the center of the chuck table 61 and the center of the grinding wheel 45, that is, the center of the rotary spindle 43 are brought close to each other. More specifically, the moving means is operated to move the chuck table 61 in the direction indicated by the arrow Y2 in FIGS. 6 (a) and 6 (b), and the wafer outer circumference 10c of the primitive wafer 10 is grooved 46. To enter.

面取り砥石４５３の溝４６の上下方向の溝幅は、進入させる原始ウエーハ１０の厚みよりも大きい寸法に設定されており、原始ウエーハ１０のウエーハ外周１０ｃを溝４６に進入させることにより、原始ウエーハ１０のウエーハ外周１０ｃの角部が面取り砥石４５３の溝部４６の内壁に当接する。回転スピンドル４３の内部に形成された研削水通路４３ｂには、上記したように回転スピンドル４３の上端部４３ａから研削水Ｌが供給されており、回転スピンドル４３に導入された研削水Ｌは、回転スピンドル４３の下端部４３ｃに側方に向けて放射状に形成された複数の噴射孔４３ｄから、外方に向けて噴射される。噴射孔４３ｄから噴射された研削水Ｌは、研削ホイール４５の環状基台４５１に形成された研削水連通路４５ｅを介して面取り砥石４５３の溝４６に供給され、面取り加工工程が実施される際に使用される。ウエーハ外周１０ｃを面取り砥石４５３の内壁に当接させて研削する際の該移動手段の移動速度は、例えば、５～１０μｍ／秒である。上記したように、研削ホイール４５は６０００ｒｐｍで、チャックテーブル６１は３００ｒｐｍで回転しており、ウエーハ外周１０ｃにおける一方の面１０ａ及び他方の面１０ｂの角部が研削されて、面取り砥石４５３の溝部４６の内壁の形状に沿った面取り部１１がウエーハ外周１０ｃの端部から２～３ｍｍの範囲で形成される。 The vertical groove width of the groove 46 of the chamfering grindstone 453 is set to a dimension larger than the thickness of the primitive wafer 10 to be inserted, and by allowing the wafer outer circumference 10c of the primitive wafer 10 to enter the groove 46, the primitive wafer 10 is set. The corner portion of the outer circumference 10c of the wafer abuts on the inner wall of the groove portion 46 of the chamfering grindstone 453. As described above, the grinding water L is supplied from the upper end portion 43a of the rotating spindle 43 to the grinding water passage 43b formed inside the rotary spindle 43, and the grinding water L introduced into the rotary spindle 43 rotates. It is injected outward from a plurality of injection holes 43d formed radially toward the lower end portion 43c of the spindle 43. When the grinding water L injected from the injection hole 43d is supplied to the groove 46 of the chamfering grindstone 453 via the grinding water communication passage 45e formed in the annular base 451 of the grinding wheel 45, the chamfering process is performed. Used for. The moving speed of the moving means when the outer peripheral surface 10c of the wafer is brought into contact with the inner wall of the chamfering grindstone 453 for grinding is, for example, 5 to 10 μm / sec. As described above, the grinding wheel 45 rotates at 6000 rpm and the chuck table 61 rotates at 300 rpm, and the corners of one surface 10a and the other surface 10b on the outer peripheral surface 10c of the wafer are ground to grind the groove portion 46 of the chamfering grindstone 453. The chamfered portion 11 along the shape of the inner wall of the wafer is formed in a range of 2 to 3 mm from the end portion of the outer peripheral portion 10c of the wafer.

本実施形態によれば、原始ウエーハ１０の他方の面１０ｂを研削する第二の研削工程と原始ウエーハ１０の外周１０ｃに面取り加工を実施する面取り加工工程とを加工装置や治具を変えることなく、連続した工程で実施することができ、生産性が向上する。特に、本実施形態の研削ホイール４５には、チャックテーブル６１の保持面６３に対向するように環状基台４５１の下面４５ｂに環状に配設された複数の研削砥石４５２と共に、環状基台４５１の外周４５ｃにリング状の溝が形成された面取り砥石４５３が配設されていることから、本実施形態の原始ウエーハの加工方法が良好に実施される。 According to the present embodiment, the second grinding step of grinding the other surface 10b of the primitive wafer 10 and the chamfering process of performing chamfering on the outer peripheral surface 10c of the primitive wafer 10 can be performed without changing the processing apparatus or jig. , Can be carried out in a continuous process, improving productivity. In particular, the grinding wheel 45 of the present embodiment includes a plurality of grinding wheels 452 annularly arranged on the lower surface 45b of the annular base 451 so as to face the holding surface 63 of the chuck table 61, and the annular base 451. Since the chamfering grindstone 453 having a ring-shaped groove formed on the outer peripheral 45c is disposed, the method for processing the primitive wafer of the present embodiment is satisfactorily carried out.

１：研削装置
２：装置ハウジング
３：直立壁
３１：案内レール
４：研削手段
４ａ：移動基台
４ｂ：支持部
４１：電動モータ
４２：スピンドルハウジング
４３：回転スピンドル
４３ａ：上端部
４３ｂ：研削水通路
４３ｃ：下端部
４３ｄ：噴射孔
４４：ホイールマウント
４５：研削ホイール
４５ａ：上面
４５ｂ：下面（自由端部）
４５ｃ：外周
４５ｅ：研削水連通路
４５１：環状基台
４５２：研削砥石
４５３：面取り砥石
４６：溝
６：テーブル機構
６１：チャックテーブル
６１ａ：吸着チャック
６１ｂ：枠体
６２：カバーテーブル
６３：保持面
７：研削送り手段
７１：雄ねじロッド
７２：パルスモータ
１０：原始ウエーハ
１０ａ：一方の面
１０ｂ：他方の面
１０ｃ：ウエーハ外周
１１：面取り部 1: Grinding device 2: Equipment housing 3: Upright wall 31: Guide rail 4: Grinding means 4a: Moving base 4b: Support part 41: Electric motor 42: Spindle housing 43: Rotating spindle 43a: Upper end part 43b: Grinding water passage 43c: Lower end 43d: Injection hole 44: Wheel mount 45: Grinding wheel 45a: Upper surface 45b: Lower surface (free end)
45c: Outer circumference 45e: Grinding water chain passage 451: Circular base 452: Grinding wheel 453: Chamfering wheel 46: Groove 6: Table mechanism 61: Chuck table 61a: Suction chuck 61b: Frame body 62: Cover table 63: Holding surface 7 : Grinding feed means 71: Male screw rod 72: Pulse motor 10: Primitive waiha 10a: One surface 10b: The other surface 10c: waha outer circumference 11: Chamfered portion

Claims (2)

インゴットから生成された原始ウエーハを加工する原始ウエーハの加工方法であって、
被加工物を保持する保持面を備え回転可能で原始ウエーハの直径より小さい直径のチャックテーブルの外周から原始ウエーハの外周がはみ出るように原始ウエーハの一方の面を上方に向けて該チャックテーブルに保持する原始ウエーハ保持工程と、
該保持面に対向して研削砥石を環状に配設した研削ホイールを回転可能に備えた研削手段を該チャックテーブルに接近させ、該チャックテーブルに保持された原始ウエーハの回転中心を該研削砥石が通過するように該研削ホイールを回転させて原始ウエーハの一方の面を研削する第一の研削工程と、
研削済みの一方の面を該チャックテーブルに保持し、該チャックテーブルに保持された原始ウエーハの回転中心を該研削砥石が通過するように該研削ホイールを回転させて原始ウエーハの他方の面を研削する第二の研削工程と、
該研削ホイールで原始ウエーハの外周に面取り加工を施す面取り加工工程と、を含み、
該面取り加工工程は、該チャックテーブルと該研削手段とを相対的に移動させて、該研削ホイールの外周に配設されリング状の溝が形成された面取り砥石を、原始ウエーハの外周に位置付け、該チャックテーブルの中心と、該研削ホイールの中心とを接近させて該原始ウエーハの外周を研削して面取り部を形成する原始ウエーハの加工方法。 It is a processing method of a primitive wafer that processes a primitive wafer generated from an ingot.
Holds the chuck table with one surface of the primitive wafer facing upward so that the outer circumference of the primitive wafer protrudes from the outer circumference of the chuck table, which has a holding surface for holding the workpiece and is rotatable and has a diameter smaller than the diameter of the primitive wafer. Primitive wafer holding process and
A grinding means provided with a rotatable grinding wheel having a grinding wheel arranged in an annular shape facing the holding surface is brought close to the chuck table, and the grinding wheel is centered on the rotation center of the primitive waha held by the chuck table. The first grinding step of grinding one side of the primitive waher by rotating the grinding wheel to pass through,
One surface that has been ground is held on the chuck table, and the grinding wheel is rotated so that the grinding wheel passes through the rotation center of the primitive wafer held on the chuck table to grind the other surface of the primitive wafer. The second grinding process and
The grinding wheel includes a chamfering step of chamfering the outer periphery of the primitive wafer.
In the chamfering process, the chuck table and the grinding means are relatively moved, and the chamfering grindstone arranged on the outer periphery of the grinding wheel and having a ring-shaped groove is positioned on the outer periphery of the primitive wafer. A method for processing a primitive waher in which the center of the chuck table and the center of the grinding wheel are brought close to each other to grind the outer periphery of the primitive waher to form a chamfered portion. 研削装置に装着される研削ホイールであって、
環状基台と、該環状基台の自由端部に環状に配設された複数の研削砥石と、該環状基台の外周に配設されリング状の溝が形成された面取り砥石と、を備えた研削ホイール。 A grinding wheel mounted on a grinding device,
The annular base is provided with a plurality of grinding wheels arranged in an annular shape at the free end of the annular base, and a chamfering grindstone arranged on the outer periphery of the annular base and having a ring-shaped groove formed. Grinding wheel.
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