JP2022046901A - 同時２軸延伸装置 - Google Patents

Abstract

【課題】クリップリンクの走行負荷を低減しながら、延伸条件を自由に設定することができる同時２軸延伸装置を提供する。
【解決手段】同時２軸延伸装置において、制御部は、光電センサ（第１の検出部）が、メインステム（クリップリンク）の端部に設置された永久磁石（磁性体）が電磁石から第１の距離の位置を通過したことを検出した場合に、電磁石の励磁状態を、電磁石の近傍にあるメインステムに設置された永久磁石が電磁石から反発される第１の状態に制御する。また、制御部は、近接センサ（第２の検出部）が、メインステムに設置された永久磁石が電磁石から第２の距離の位置を通過したことを検出した場合に、電磁石の励磁状態を、メインステムに設置された永久磁石が電磁石に吸引される第２の状態に制御する。
【選択図】図５

Description

本発明は、シートやフィルム等の薄膜状の延伸対象物を延伸させる同時２軸延伸装置に関する。

従来、同時２軸延伸装置として、無端に連結されたチェーンリンクにシートやフィルム等の薄膜状の延伸対象物を把持するクリップを、平面視で左右対称に配置して、当該クリップのクリップ間距離を、ガイドレールによって徐々に拡大して、レールを横切る方向に横延伸を行うと同時に、リンクを伸縮させて、レールの進行方向にクリップ間距離を広げることによって縦延伸を行う装置が知られている。

このような同時２軸延伸装置は、パンタグラフ状のリンク機構を有するため、走行抵抗や延伸負荷によるリンクテンションによって、クリップの軌道用の走行ベアリングとレールとの間、およびクリップ間隔をコントロールする走行ベアリングとレールとの間には、リンクテンションに応じた押付力が発生する。この押付力は、それに比例した走行抵抗となるため、隣接するリンクには、走行抵抗が加算されたリンクテンションが掛かることになる。リンク式の同時２軸延伸装置は、多数のリンクを連結しているため、駆動スプロケットに近い部分のリンクには、過大なリンクテンションが掛かり、当該リンクテンションを超える大きな駆動力が必要になっていた。

このような課題に対して、例えば、特許文献１では、駆動スプロケットとは別の駆動スプロケットや駆動チェーンを設けて、補助的な駆動力を与えることによって、走行経路におけるクリップリンクの走行負荷を低減させていた。

特開平０４－１４１４０９号公報

しかしながら、特許文献１では、固定ピッチの駆動スプロケットや駆動チェーンを用いるため、必要となるクリップ間隔に合わせた駆動スプロケットや駆動チェーンを用意する必要があった。そのため、走行経路におけるクリップリンクの走行負荷を低減しながら、同時２軸延伸装置の延伸条件を自由に設定することができないという問題があった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、クリップリンクの走行負荷を低減しながら、延伸条件を自由に設定することができる同時２軸延伸装置を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る同時２軸延伸装置は、延伸対象物の幅方向両端をクリップで把持する、連接した一対の把持機構を、一対の無端ループで形成された移動経路にガイドされたローラによって移動させながら、対向及び隣接する前記クリップの間隔を変更して、前記延伸対象物を、前記幅方向及び前記移動経路方向に延伸させるクリップリンクを備える同時２軸延伸装置において、前記クリップリンクの端部に設置された磁性体と、前記クリップリンクが移動する際に、前記クリップリンクの端部と対向する位置に設置された電磁石と、前記クリップリンクが、前記電磁石から第１の距離の位置を通過したことを検出する第１の検出部と、前記クリップリンクが、前記電磁石から第２の距離の位置を通過したことを検出する第２の検出部と、前記第１の検出部が前記クリップリンクの通過を検出した場合に、前記電磁石の励磁状態を、前記電磁石の近傍のクリップリンクに設置された前記磁性体が、前記電磁石から反発される、または前記磁性体と前記電磁石との間に力が働かない第１の状態に制御して、前記第２の検出部が前記クリップリンクの通過を検出した場合に、前記電磁石の励磁状態を、前記電磁石の近傍のクリップリンクに設置された前記磁性体が、前記電磁石に吸引される第２の状態に制御する制御部と、を備えることを特徴とする。

本発明に係る同時２軸延伸装置は、クリップリンクの走行負荷を低減しながら、延伸条件を自由に設定することができるという効果を奏する。

図１は、第１の実施形態の同時２軸延伸装置の全体概要図である。 図２は、第１の実施形態の同時２軸延伸装置に用いられるクリップの概略構造の一例を示す側面図である。 図３は、同時２軸延伸装置に用いられるクリップリンク機構の上面図である。 図４は、図３のＡ－Ａ断面図である。 図５は、第１の実施形態の同時２軸延伸装置が備える光電センサと近接センサと電磁石の配置状態を示す概要図である。 図６は、図５のＢ－Ｂ矢視図である。 図７は、図５のＣ－Ｃ矢視図である。 図８は、図５のＤ－Ｄ矢視図である。 図９は、電磁石の動作を説明する図である。 図１０は、第１の実施形態の同時２軸延伸装置が備えるセンサの設置位置を説明する図である。 図１１は、第１の実施形態の同時２軸延伸装置が備える電磁石の励磁状態を制御するタイミングチャートの一例を示す図である。 図１２は、第１の実施形態の変形例の同時２軸延伸装置が備えるセンサの設置位置を説明する図である。 図１３は、第１の実施形態の変形例の同時２軸延伸装置が備える電磁石の励磁状態を制御するタイミングチャートの一例を示す図である。 図１４は、第２の実施形態の同時２軸延伸装置が備える第１の検出部と第２の検出部と電磁石の配置状態を示す概要図である。 図１５は、第３の実施形態の同時２軸延伸装置が備える第１の検出部と第２の検出部と電磁石の配置状態を示す概要図である。

以下に、本開示に係る同時２軸延伸装置の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が置換可能、且つ、容易に想到できるもの、或いは実質的に同一のものが含まれる。

（第１の実施形態）
［同時２軸延伸装置の概略構成の説明］
まず、図１を用いて第１の実施形態における同時２軸延伸装置１０ａの全体構成について説明する。図１は、第１の実施形態の同時２軸延伸装置の全体概要図である。

同時２軸延伸装置１０ａは、平面視で、左右両側に、シート状部材Ｓを把持する多数のクリップ２０を有する無端ループ１０Ｒと無端ループ１０Ｌとを左右対称に有する。延伸対象のシート状部材Ｓは、入口１ａから送り込まれて、延伸した状態で出口１ｂから排出される。なお、延伸対象のシート・フィルムの入口１ａ側から見て右側の無端ループを右側無端ループ１０Ｒ、左側の無端ループを左側無端ループ１０Ｌと呼ぶことにする。なお、シート状部材Ｓは、例えば、熱可塑性を有する樹脂フィルム等である。

クリップ２０は、各々、長方形状のメインステム３０の長手方向の一端部（入口１ａと出口１ｂとの間で、互いに向かい合う位置）に取り付けられる。すなわち、向かい合う一対のクリップ２０が、シート状部材Ｓの幅方向両端に配置されて、延伸対象物であるシート状部材Ｓを把持する把持装置として機能する。即ち、シート状部材Ｓは、本開示における延伸対象物の一例である。また、メインステム３０は、本開示におけるクリップリンクの一例である。

メインステム３０は、基準レール１００に案内されてループ状に巡回移動する。右側無端ループ１０Ｒは時計廻りに巡回移動し、左側無端ループ１０Ｌは反時計廻りに巡回移動する。具体的には、メインステム３０が備える駆動ローラ２８（図４参照）が、駆動用スプロケット１１、１２に選択的に係合し、各メインステム３０を巡回経路に沿って走行させる。つまり、駆動用スプロケット１１、１２は、各メインステム３０の駆動ローラ２８と選択的に係合し、電動モータによって回転駆動されて、各メインステム３０を巡回経路に沿って走行させる。具体的には、駆動用スプロケット１２は、非図示の減速機によって減速された、電動モータ１４の回転駆動力によって駆動される。２個の駆動用スプロケット１１は、非図示の電動モータの回転駆動力を、非図示の２台の減速機で、それぞれ逆方向に減速した回転駆動力によって駆動される。

右側無端ループ１０Ｒの基準レール１００と、左側無端ループ１０Ｌの基準レール１００との間隔が大きくなると、シート状部材Ｓは横方向（Ｘ軸方向）に延伸される。

隣接するメインステム３０同士は、複数のリンクで構成されたクリップリンク機構９０によって接続される。クリップリンク機構９０は、ピッチ設定レール１２０に案内されて、メインステム３０を連れ添ってループ状に巡回移動する。

クリップリンク機構９０は、基準レール１００とピッチ設定レール１２０との間隔に応じて、隣接するメインステム３０の間隔（以下、クリップ間隔と呼ぶ）を設定する。クリップ間隔が大きくなるほど、シート状部材Ｓは、幅方向と直交する方向、すなわち、メインステム３０の移動方向である縦方向（Ｙ軸方向）に延伸される。なお、図１は、入口１ａから送り込まれたシート状部材Ｓが、縦横２軸方向に延伸される様子を示している。図面をわかり易くするため、シート状部材Ｓを不連続に描いているが、実際は、シート状部材Ｓは、入口１ａから出口１ｂに亘って連続している。

同時２軸延伸装置１０ａは、シート状部材Ｓの入口１ａ側から出口１ｂ側へ向けて、予熱ゾーンＡと、延伸ゾーンＢと、熱処理ゾーンＣとを備える。

予熱ゾーンＡでは、左側無端ループ１０Ｌと右側無端ループ１０Ｒの基準レール１００同士の間隔（離間距離）が横延伸初期幅相当に設定されて、全域に亘って左側無端ループ１０Ｌと右側無端ループ１０Ｒとが互いに平行に配置される。なお、左側無端ループ１０Ｌと右側無端ループ１０Ｒにおいて、基準レール１００とピッチ設定レール１２０との間隔は、縦延伸初期ピッチ相当である。

延伸ゾーンＢでは、予熱ゾーンＡの側から熱処理ゾーンＣに向かうに従って左側無端ループ１０Ｌと右側無端ループ１０Ｒの離間距離が徐々に拡大され、左側無端ループ１０Ｌと右側無端ループ１０Ｒとが非平行に配置される。延伸ゾーンＢにおける左側無端ループ１０Ｌと右側無端ループ１０Ｒの離間距離は、延伸開始端（予熱ゾーンＡとの接続端）では横延伸初期幅相当になっており、延伸終了端（熱処理ゾーンＣとの接続端）では横延伸最終幅相当に設定されている。すなわち、延伸ゾーンＢでは、予熱ゾーンＡの側から熱処理ゾーンＣに向かうに従って、左側無端ループ１０Ｌの基準レール１００と、右側無端ループ１０Ｒの基準レール１００との間隔が徐々に拡大される。各基準レール１００の間隔は、延伸開始端（予熱ゾーンＡとの接続端）では横延伸の初期幅相当になっており、延伸終了端（熱処理ゾーンＣとの接続端）では横延伸の最終幅相当になっている。

さらに、延伸ゾーンＢでは、予熱ゾーンＡの側から熱処理ゾーンＣに向かうに従って、左側無端ループ１０Ｌにおける基準レール１００とピッチ設定レール１２０との間隔が徐々に縮小される。そして、右側無端ループ１０Ｒにおける基準レール１００とピッチ設定レール１２０との間隔も同様に、徐々に縮小される。基準レール１００とピッチ設定レール１２０との間隔は、延伸開始端（予熱ゾーンＡとの接続端）では縦延伸初期ピッチ相当になっており、延伸終了端（熱処理ゾーンＣとの接続端）では縦延伸最終ピッチ相当になっている。すなわち、同時２軸延伸装置１０は、延伸ゾーンＢにおいて、シート状部材Ｓに対して、縦延伸と横延伸とを同時に行う。

熱処理ゾーンＣでは、左側無端ループ１０Ｌと右側無端ループ１０Ｒの離間距離が横延伸最終幅相当に設定されて、全域に亘って左側無端ループ１０Ｌと右側無端ループ１０Ｒとが互いに平行に配置される。また、基準レール１００とピッチ設定レール１２０との間隔は、縦延伸最終ピッチ相当に設定されて、全域に亘って基準レール１００とピッチ設定レール１２０とは互いに平行な配置になっている。

［クリップの構造の説明］
次に、図２を用いて、クリップ２０の概略構造を説明する。図２は、第１の実施形態の同時２軸延伸装置に用いられるクリップの概略構造の一例を示す側面図である。左側無端ループ１０Ｌと右側無端ループ１０Ｒが備える複数のクリップ２０は、各々、メインステム３０の長手方向の一端部に取り付けられる。クリップ２０は、シート状部材Ｓを係脱可能に把持するものであり、ヨーク形状のクリップ本体２１と、クリップ本体２１に固定装着された下側固定クリップ部材２２と、ピン２３によってクリップ本体２１に回動可能に取り付けられた可動レバー２４と、可動レバー２４の下端にピン２５によって揺動可能に取り付けられた上側可動クリップ部材２６とを有し、下側固定クリップ部材２２と上側可動クリップ部材２６とで、シート状部材Ｓの側縁を挟み込んで把持する。これにより、クリップ２０は、シート状部材Ｓを挟んで支持したり、その支持状態を解放させたりすることが可能となる。

［クリップリンク機構の説明］
次に、図３と図４を用いて、本実施形態に係る同時２軸延伸装置１０ａのクリップリンク機構９０の詳細構造について説明する。図３は、同時２軸延伸装置に用いられるクリップリンク機構の上面図である。図４は、図３のＡ－Ａ断面図である。なお、図３に示すクリップリンク機構９０は、右側無端ループ１０Ｒ側に備えられるものである。左側無端ループ１０Ｌ側が備えるクリップリンク機構９０は、図３の左右を反転した構造を有する。以後の説明は、簡単のために、右側無端ループ１０Ｒが備えるクリップリンク機構９０についてのみ行う。

図３に示すように、クリップリンク機構９０は、最小の構成要素として、メインステム３０と、第１のリンク部材３４ａと、第２のリンク部材３４ｂとを備える。そして、クリップリンク機構９０は、複数のメインステム３０と、第１のリンク部材３４ａと、第２のリンク部材３４ｂとが、クリップ間隔Ｈを変更可能に接続されている。

メインステム３０のＸ軸正側の端部には、本開示における磁性体の一例である永久磁石４０が設置される。永久磁石４０の機能については後述する。

第１のリンク部材３４ａの一方の端部は、メインステム３０の第１の軸部材３２ａに回動可能に接続される。そして、第１のリンク部材３４ａの他方の端部は、隣接するメインステム３０に形成された長孔３１にスライド可能に設置されたスライダ３３に、第２の軸部材３２ｂによって回動可能に接続される。

第２のリンク部材３４ｂの一方の端部は、第１のリンク部材３４ａの中央付近に、第３の軸部材３２ｃによって回動可能に接続される。そして、第２のリンク部材３４ｂの他方の端部は、メインステム３０の第１の軸部材３２ａに回動可能に接続される。

図４に示すように、メインステム３０は、Ｘ軸方向正側の端部に、自重受ローラ３７ａを備える。自重受ローラ３７ａは、第３の軸部材３５ａによって、ＹＺ平面上で回転可能に軸支される。また、メインステム３０は、Ｘ軸方向負側の端部に自重受ローラ３７ｂを備える。自重受ローラ３７ｂは、第４の軸部材３５ｂによって、ＹＺ平面上で回転可能に軸支される。

自重受ローラ３７ａは、クリップリンク機構９０の自重を支えて、基台１１０の上部を転動しながら移動する。また自重受ローラ３７ｂは、クリップリンク機構９０の自重を支えて、基台１１０の上部を転動しながら移動する。

第１の軸部材３２ａの上端には、前記した駆動用スプロケット１１、１２と係合することによって、クリップリンク機構９０に駆動力を与える駆動ローラ２８が設置される。

また、第１の軸部材３２ａの下端には、案内ローラ３６ａが設置される。案内ローラ３６ａは、第１の軸部材３２ａに回動可能に設置される。案内ローラ３６ａは、クリップリンク機構９０が移動する際に、基準レール１００に沿って移動する。

第２の軸部材３２ｂの下端には、案内ローラ３６ｂが設置される。案内ローラ３６ｂは、第２の軸部材３２ｂに回動可能に設置される。案内ローラ３６ｂは、クリップリンク機構９０が移動する際に、ピッチ設定レール１２０に沿って移動する。

［メインステムの位置検出機構の説明］
次に、図５，図６，図７を用いて、本実施形態に係る同時２軸延伸装置１０ａが、メインステム３０の位置を検出する機構を説明する。図５は、第１の実施形態の同時２軸延伸装置が備える光電センサと近接センサと電磁石の配置状態を示す概要図である。図６は、図５のＢ－Ｂ矢視図である。図７は、図５のＣ－Ｃ矢視図である。

図５は、図３に示したクリップリンク機構９０が、同時２軸延伸装置１０ａに備えられた様子を示している。なお、図面を簡単にするため、図３に示した第１のリンク部材３４ａと第２のリンク部材３４ｂは、記載を簡略化している。

図５に示すように、同時２軸延伸装置１０ａは、隣接するメインステム３０のクリップ間隔Ｈが等しい区間、即ち、シート状部材Ｓの縦延伸を行わない区間に、メインステム３０の通過を検出する光電センサ８０と近接センサ８２、および電磁石８４が、それぞれ１組設置される。また、同時２軸延伸装置１０ａは、光電センサ８０と近接センサ８２の出力に基づいて、電磁石８４の励磁状態を制御する制御部８９ａを備える。

光電センサ８０は、投光部８０ａから照射された赤外光や可視光を、受光部８０ｂで検出する。そして、投光部８０ａから照射された光が受光部８０ｂで検出されないこと、即ち、光が遮断されたことを検出することによって、投光部８０ａと受光部８０ｂとの間に、遮光性のある物体が存在することを検出する。

近接センサ８２は、物体に接触することなく、当該物体が近接センサ８２に接近したことを検出する。近接センサ８２には、物体とセンサとの間の静電容量の変化を検出する静電容量型のセンサや、センサが備えるコイルに交流磁界を発生させて、検出物体（金属）に生じる渦電流によるインピーダンスの変化を検出する誘導型のセンサが知られている。

図５の例では、光電センサ８０によって、メインステム３０（３０ａ）に備えられた駆動ローラ２８が、電磁石８４から距離Ｄ１の位置を通過したことが検出される（図６参照）。また、近接センサ８２によって、メインステム３０（３０ｂ）が、電磁石８４から距離Ｄ２の位置を通過したことが検出される。なお、光電センサ８０は、本開示における第１の検出部の一例であり、距離Ｄ１は、本開示における第１の距離の一例である。また、近接センサ８２は、本開示における第２の検出部の一例であり、距離Ｄ２は、本開示における第２の距離の一例である。

制御部８９ａは、光電センサ８０（第１の検出部）がメインステム３０ａの通過を検出した場合に、電磁石８４の励磁状態を、電磁石８４の近傍のメインステム３０ｂに設置された永久磁石４０が、電磁石８４から反発される状態（第１の状態）に制御する。また、制御部８９ａは、近接センサ８２（第２の検出部）がメインステム３０ｂの通過を検出した場合に、電磁石８４の励磁状態を、消磁状態、即ち電磁石８４の近傍のメインステム３０ａに設置された永久磁石４０が電磁石８４に吸引される状態（第２の状態）に制御する。即ち、本実施形態の場合、制御部８９ａは、永久磁石４０と電磁石８４との間に反発力が働く第１の状態と、永久磁石４０と電磁石８４との間に吸引力が働く、第１の状態とは異なる第２の状態とを交互に切り替える。

なお、光電センサ８０は、図６に示すように、基台１１０のＸ軸方向両端に設置されたブラケット８１に、Ｘ軸に沿って取り付けられる。より具体的には、投光部８０ａはブラケット８１ａに設置されて、受光部８０ｂはブラケット８１ｂに設置される。なお、投光部８０ａと受光部８０ｂは、駆動ローラ２８と同じＺ軸方向の高さ位置に設置される。

また、図７に示すように、近接センサ８２は、基台１１０のＸ軸方向正側の端部付近に設置されたブラケット８３に、Ｚ軸方向負側に向けて取り付けられる。そして、近接センサ８２の先端は、メインステム３０の上面と近接する位置に保持される。

光電センサ８０と近接センサ８２は、いずれを用いてもよい。即ち、第１の検出部として近接センサ８２を用いてもよく、第２の検出部として光電センサ８０を用いてもよい。これらのセンサを設置するためには、クリップリンク機構９０の移動経路にセンサを設置するスペースが必要であるため、クリップリンク機構９０のサイズやセンサの設置に必要なスペースの大きさ等に応じて、使用するセンサを選定すればよい。

なお、第１の検出部および第２の検出部の具体的な設置位置については後述する。

［電磁石の機能の説明］
次に、図８と図９を用いて、電磁石８４の機能を説明する。図８は、図５のＤ－Ｄ矢視図である。図９は、電磁石の動作を説明する図である。

同時２軸延伸装置１０ａは、図８に示すように、メインステム３０ｂのＸ軸正側端部に設置された永久磁石４０と対向する位置に、電磁石８４を備える。電磁石８４は、所定のタイミングで直流電流を流すことによって励磁されて、永久磁石４０を反発させる反発力を発生する。また、電磁石８４は、所定のタイミングで直流電流を停止することによって消磁されて、永久磁石４０を引き寄せる吸引力を発生する。また、後述する変形例として、電磁石８４は、所定のタイミングで、前記したのと逆方向の直流電流を流すことによって前記とは逆方向に励磁されて、永久磁石４０を引き寄せる吸引力を発生する。

電磁石８４は、基台１１０のＸ軸方向正側の端部付近に設置されたブラケット８５に、Ｘ軸に沿って取り付けられる。

図９（ａ）に示すように、電磁石８４は、鉄心８６にコイル８７が巻回されて構成される。そして、直流電源８８によってコイル８７に電流ｉを流すことによって、鉄心８６のＸ軸方向負側がＮ極、Ｘ軸正方向側がＳ極になるように励磁された状態になる。このように励磁された電磁石８４のＮ極の近傍に、Ｙ軸正方向に向かって移動しているメインステム３０の端部に設置された永久磁石４０が接近すると、永久磁石４０には、電磁石８４から反発される反発力Ｆａが発生する。なお、永久磁石４０は、電磁石８４側がＮ極、メインステム３０側がＳ極になるように磁極配置されているものとする。そして、この反発力Ｆａによって、メインステム３０は、Ｙ軸正方向に移動する駆動力を得る。

図９（ｂ）に示すように、直流電源８８を切断して、コイル８７に流れる電流ｉを停止すると、電磁石８４は、励磁されていない消磁状態となる。このとき、電磁石８４に、Ｙ軸正方向に向かって移動しているメインステム３０の端部に設置された永久磁石４０が接近すると、永久磁石４０には、電磁石８４に吸引される吸引力Ｆｂが発生する。この吸引力Ｆｂによって、メインステム３０は、Ｙ軸正方向に移動する駆動力を得る。

そして、同時２軸延伸装置１０ａは、図９（ｂ）の状態と、図９（ａ）の状態とを交互に発生させることによって、メインステム３０は、Ｙ軸正方向に移動する駆動力を得る。

なお、永久磁石４０の磁極配置は、図９に示す方向に限定されない。即ち、永久磁石４０を、電磁石８４側がＳ極、メインステム３０側がＮ極になるように励磁してもよい。なお、この場合、図９に示すのと同じ向きの反発力Ｆａを得るためには、電磁石８４に流す電流ｉの向きを逆転させればよい。

図９（ｃ）は、電磁石８４を逆方向に励磁した状態を示す図であるが、詳しくは、第１の実施形態の変形例で説明する。

［センサの設置位置の説明］
次に、図１０と図１１を用いて、光電センサ８０と近接センサ８２の設置位置について説明する。図１０は、第１の実施形態の同時２軸延伸装置が備えるセンサの設置位置を説明する図である。図１１は、第１の実施形態の同時２軸延伸装置が備える電磁石の励磁状態を制御するタイミングチャートの一例を示す図である。

図１０に示すように、光電センサ８０（８０ａ，８０ｂ）は、電磁石８４の中心位置から、クリップリンク機構９０の移動方向の上流側に距離Ｄ１だけ離れた位置に設置される。また、近接センサ８２は、電磁石８４の中心位置から、クリップリンク機構９０の移動方向の下流側に距離Ｄ２だけ離れた位置に設置される。

メインステム３０ｂが移動して、消磁状態の電磁石８４に接近すると、メインステム３０ｂのＸ軸正側端部に設置された永久磁石４０が、電磁石８４の鉄心８６（図９参照）に引き付けられる。これにより、クリップリンク機構９０には、永久磁石の吸引力による駆動力が加えられる。

そして、光電センサ８０がメインステム３０ａの通過を検出した際に、メインステム３０ａの下流側に隣接するメインステム３０ｂは、電磁石８４の中心位置から、距離ΔＤ１だけ、クリップリンク機構９０の移動方向の上流側に位置する。この状態にあるとき、同時２軸延伸装置１０ａの制御部８９ａは、図９（ａ）に示すように電磁石８４に直流電流を流して励磁する。

これにより、永久磁石４０は、電磁石８４から反発力を受ける。この反発力により、クリップリンク機構９０には、クリップリンク機構９０の移動方向に沿う駆動力が加えられる。

そして、近接センサ８２がメインステム３０ｂの接近を検出すると、同時２軸延伸装置１０ａの制御部８９ａは、図９（ｂ）に示すように電磁石８４を消磁状態に制御する。

第１の検出部である光電センサ８０の具体的な設置位置、即ち距離Ｄ１は、同時２軸延伸装置１０ａの仕様、即ちメインステム３０の長さ、クリップ間隔Ｈ、永久磁石４０と電磁石８４の性能とサイズ等に基づいて決められる。また、第２の検出部である近接センサ８２の具体的な設置位置、即ち距離Ｄ２は、電磁石８４が永久磁石４０を反発しきった位置から、光電センサ８０が次のメインステム３０を検出するまでの間に、反発された永久磁石４０を備えるメインステム３０が近接センサ８２を通過するように決められる。

なお、図１０では、電磁石８４に対して、クリップリンク機構９０の移動方向の上流側に光電センサ８０を設置して、電磁石８４に対して、クリップリンク機構９０の移動方向の下流側に近接センサ８２を設置する例を説明したが、各センサの設置位置は、これに限定されるものではない。即ち、距離Ｄ１，Ｄ２を保った状態であれば、クリップリンク機構９０の移動方向の上流側に近接センサ８２を設置してもよい。また、クリップリンク機構９０の移動方向の下流側に光電センサ８０を設置してもよい。なお、光電センサ８０の代わりに近接センサ８２を使用してもよく、近接センサ８２の代わりに光電センサ８０を使用してもよいことは、前記した通りである。

前記した処理の流れをタイミングチャートで表すと、図１１のようになる。即ち、同時２軸延伸装置１０ａの制御部８９ａは、光電センサ８０がメインステム３０ａを検出した時刻ｔ１，ｔ３において、電磁石８４に電流ｉを流して励磁する。このとき、電磁石８４の近傍にあるメインステム３０ｂが備える永久磁石４０は、電磁石８４から反発力を受けて、Ｙ軸正方向に向かって反発される（第１の状態）。そして、同時２軸延伸装置１０ａの制御部８９ａは、近接センサ８２がメインステム３０ｂを検出した時刻ｔ２，ｔ４において、電磁石８４に流していた電流ｉを止めて消磁する。このとき、電磁石８４に接近しているメインステム３０ａが備える永久磁石４０は、電磁石８４の鉄心８６に吸引される（第２の状態）。したがって、メインステム３０ａは、Ｙ軸正方向に向かう力を受ける。以後、同時２軸延伸装置１０ａは、同じ処理を繰り返す。これによって、クリップリンク機構９０は、Ｙ軸正方向に向かう補助駆動力を得る。

以上説明したように、第１の実施形態の同時２軸延伸装置１０ａにおいて、制御部８９ａは、光電センサ８０（第１の検出部）が、メインステム３０ａ（クリップリンク）の端部に設置された永久磁石４０（磁性体）が、電磁石８４から距離Ｄ１（第１の距離）の位置を通過したことを検出した場合に、電磁石８４の励磁状態を、電磁石８４の近傍にあるメインステム３０ｂに設置された永久磁石４０が電磁石８４から反発される第１の状態に制御する。また、制御部８９ａは、近接センサ８２（第２の検出部）が、メインステム３０ｂに設置された永久磁石４０が、電磁石８４から距離Ｄ２（第２の距離）の位置を通過したことを検出した場合に、電磁石８４の励磁状態を、メインステム３０ａに設置された永久磁石４０が、電磁石８４に吸引される第２の状態に制御する。したがって、電磁石８４と永久磁石４０との間に発生する磁力によって、クリップリンク機構９０を移動させる補助駆動力が得られるため、クリップリンク機構９０の走行負荷を低減することができる。そして、同時２軸延伸装置１０ａは、クリップ間隔Ｈが一定の区間において補助駆動力を得るため、得られた補助駆動力によって、クリップ間隔Ｈが一定でない区間においても、クリップリンク機構９０の走行負荷を低減することができる。これによって、シート状部材Ｓの延伸条件を自由に設定することができる。

また、第１の実施形態の同時２軸延伸装置１０ａにおいて、メインステム３０（クリップリンク）の端部に設置される磁性体は、永久磁石４０である。したがって、メインステム３０と電磁石８４との間に、より大きな反発力を発生させることができる。

また、第１の実施形態の同時２軸延伸装置１０ａにおいて、制御部８９ａは、光電センサ８０（第１の検出部）がメインステム３０の通過を検出した場合に、電磁石８４の励磁状態を、永久磁石４０（磁性体）が電磁石８４から反発されるように制御して、近接センサ８２（第２の検出部）がメインステム３０の通過を検出した場合に、電磁石８４を消磁状態に制御する。したがって、永久磁石４０を電磁石８４に吸引する場合には、電磁石８４を励磁する必要がないため、電磁石８４の消費電力を低減することができる。

また、第１の実施形態の同時２軸延伸装置１０ａにおいて、第１の検出部および第２の検出部は、光電センサ８０または近接センサ８２で構成される。したがって、同時２軸延伸装置１０ａのメインステム３０の位置検出等のために従来から使用されていたセンサを、そのまま流用することができる。

（第１の実施形態の変形例）
次に、図１２と図１３を用いて、第１の実施形態の変形例を説明する。図１２は、第１の実施形態の変形例の同時２軸延伸装置が備えるセンサの設置位置を説明する図である。図１３は、第１の実施形態の変形例の同時２軸延伸装置が備える電磁石の励磁状態を制御するタイミングチャートの一例を示す図である。

第１の実施形態の変形例の同時２軸延伸装置１０ａは、制御部８９ａが、電磁石８４に流す電流ｉの方向を、時刻とともに逆転させることによって、励磁方向を切り替える。即ち、図９（ａ）の状態と図９（ｃ）の状態とを交互に生成する。これにより、メインステム３０は、電磁石８４を消磁した場合に電磁石８４の鉄心８６が永久磁石４０を吸引する吸引力と比較して、より大きい吸引力を得る。なお、励磁方向を切り替えるために、電磁石８４に電力を供給する電源には、交流電源を用いる。

図１２に示すように、第１の実施形態の変形例の同時２軸延伸装置１０ａにおいて、光電センサ８０（８０ａ，８０ｂ）は、電磁石８４の中心位置から、クリップリンク機構９０の移動方向の上流側に距離Ｄ３だけ離れた位置に設置される。また、近接センサ８２は、電磁石８４の中心位置から、クリップリンク機構９０の移動方向の下流側に距離Ｄ４だけ離れた位置に設置される。なお、距離Ｄ３は、本開示における第１の距離の一例である。また、距離Ｄ４は、本開示における第２の距離の一例である。なお、光電センサ８０がメインステム３０ａの通過を検出した際に、メインステム３０ａの下流側に隣接するメインステム３０ｂは、電磁石８４の中心位置から、距離ΔＤ２だけ、クリップリンク機構９０の移動方向の上流側に位置しているものとする。なお、距離Ｄ３，Ｄ４，ΔＤ２は、同時２軸延伸装置１０ａの仕様、即ちメインステム３０の長さ、クリップ間隔Ｈ、永久磁石４０と電磁石８４の性能とサイズ等に基づいて決められる。

クリップリンク機構９０が移動して、光電センサ８０がメインステム３０ａを検出すると、制御部８９ａは、電磁石８４の励磁方向を逆転させる。これにより、メインステム３０ｂが備える永久磁石４０は、電磁石８４から反発される向きの力を受ける。

そして、クリップリンク機構９０がさらに移動して、近接センサ８２がメインステム３０ｂを検出すると、制御部８９ａは、電磁石８４の励磁方向を逆転させる。これにより、メインステム３０ａが備える永久磁石４０は、電磁石８４に吸引される向きの力を受ける。

前記した処理の流れをタイミングチャートで表すと、図１３のようになる。即ち、同時２軸延伸装置１０ａは、光電センサ８０がメインステム３０ａを検出した時刻ｔ５，ｔ７，ｔ９において、電磁石８４に電流ｉを流して励磁する。このとき、電磁石８４の近傍にあるメインステム３０ｂが備える永久磁石４０は、電磁石８４から反発力を受けて、Ｙ軸正方向に向かって反発される（第１の状態）。そして、同時２軸延伸装置１０ａは、近接センサ８２がメインステム３０ｂを検出した時刻ｔ６，ｔ８において、電磁石８４に流していた電流ｉの向きを逆転させる。このとき、電磁石８４に接近しているメインステム３０ａが備える永久磁石４０は、電磁石８４から吸引力を受けて、Ｙ軸正方向に向かって吸引される（第２の状態）。したがって、メインステム３０ａは、Ｙ軸正方向に向かう力を受ける。以後、同時２軸延伸装置１０ａは、同じ処理を繰り返す。これによって、クリップリンク機構９０は、Ｙ軸正方向に向かう補助駆動力を得る。

以上説明したように、第１の実施形態の変形例の同時２軸延伸装置１０ａにおいて、制御部８９ａは、光電センサ８０（第１の検出部）がメインステム３０（クリップリンク）の通過を検出した場合と、近接センサ８２（第２の検出部）がメインステム３０の通過を検出した場合とで、電磁石８４の励磁方向を逆転させる。したがって、メインステム３０は、電磁石８４を消磁した場合に電磁石８４の鉄心８６が永久磁石４０を吸引する吸引力と比較して、より大きい吸引力を得ることができる。これにより、クリップリンク機構９０は、例えば第１の実施形態に対して、より大きい補助駆動力を得ることができる。

（第２の実施形態）
次に、図１４を用いて、第２の実施形態の同時２軸延伸装置１０ｂについて説明する。図１４は、第２の実施形態の同時２軸延伸装置が備える第１の検出部と第２の検出部と電磁石の配置状態を示す概要図である。

図１４に示すように、同時２軸延伸装置１０ｂは、隣接するメインステム３０のクリップ間隔Ｈが等しい区間、即ち、シート状部材Ｓの縦延伸を行わない区間に、メインステム３０の通過を検出する光電センサ８０と近接センサ８２、および複数の電磁石８４（８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄ）が、それぞれ設置される。また、同時２軸延伸装置１０ｂは、光電センサ８０と近接センサ８２の出力に基づいて、電磁石８４の励磁状態を制御する制御部８９ｂを備える。

光電センサ８０および近接センサ８２の作用は、第１の実施形態で説明した通りである。そして、制御部８９ｂは、光電センサ８０または近接センサ８２がメインステム３０の通過を検出した際に、複数の電磁石８４（８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄ）の励磁状態を同時に制御する。

より具体的には、制御部８９ｂは、光電センサ８０（第１の検出部）がメインステム３０の通過を検出した場合に、電磁石８４（８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄ）の励磁状態を、永久磁石４０が電磁石８４から反発される状態（第１の状態）に制御する。また、制御部８９ｂは、近接センサ８２（第２の検出部）がメインステム３０の通過を検出した場合に、電磁石８４（８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄ）の励磁状態を、消磁状態、即ち永久磁石４０が電磁石８４（鉄心８６）に吸引される状態（第２の状態）に制御する。

このように、第２の実施形態の同時２軸延伸装置１０ｂの制御部８９ｂは、複数の電磁石８４（８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄ）を同じタイミングで等しい励磁状態に制御する。したがって、クリップリンク機構９０は、第１の実施形態の同時２軸延伸装置１０ａに対して、より大きい補助駆動力を得る。

以上説明したように、第２の実施形態の変形例の同時２軸延伸装置１０ｂにおいて、制御部８９ｂは、一つの光電センサ８０（第１の検出部）が検出したメインステム３０（クリップリンク）の通過タイミングで、隣接するクリップ間隔Ｈが同一である区間に設置された複数の電磁石８４（８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄ）の励磁状態を、同時に、永久磁石４０（磁性体）が電磁石８４から反発される状態（第１の状態）に制御する。また、制御部８９ｂは、一つの近接センサ８２（第２の検出部）が検出したメインステム３０の通過タイミングで、隣接するクリップ間隔Ｈが同一である区間に設置された複数の電磁石８４（８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄ）の励磁状態を、同時に、永久磁石４０が電磁石８４に吸引される状態（第２の状態）に制御する。したがって、同時２軸延伸装置１０ｂは、第１の実施形態の同時２軸延伸装置１０ａに対して、より大きい補助駆動力を得ることができる。

（第３の実施形態）
次に、図１５を用いて、第３の実施形態の同時２軸延伸装置１０ｃについて説明する。図１５は、第３の実施形態の同時２軸延伸装置が備える第１の検出部と第２の検出部と電磁石の配置状態を示す概要図である。

図１５に示すように、同時２軸延伸装置１０ｃは、隣接するメインステム３０のクリップ間隔Ｈが異なる区間、即ち、シート状部材Ｓの縦延伸を行う区間に、メインステム３０の通過を検出する１組の光電センサ８０Ａ（投光部８０ａ－１，受光部８０ｂ－１）と１個の近接センサ８２（８２ａ）、および１個の電磁石８４（８４ａ）の組が複数組設置される。

より具体的には、図１５に示す同時２軸延伸装置１０ｃは、光電センサ８０と近接センサ８２と電磁石８４の組を４組備えている。

即ち、同時２軸延伸装置１０ｃは、光電センサ８０Ａと近接センサ８２ａと電磁石８４ａの組を備える。また、同時２軸延伸装置１０ｃは、光電センサ８０Ｂ（投光部８０ａ－２，受光部８０ｂ－２）と近接センサ８２ｂと電磁石８４ｂの組を備える。また、同時２軸延伸装置１０ｃは、光電センサ８０Ｃ（投光部８０ａ－３，受光部８０ｂ－３）と近接センサ８２ｃと電磁石８４ｃの組を備える。そして、同時２軸延伸装置１０ｃは、光電センサ８０Ｄ（投光部８０ａ－４，受光部８０ｂ－４）と近接センサ８２ｄと電磁石８４ｄの組を備える。

光電センサ８０と近接センサ８２と電磁石８４の組は、予め決められた位置関係で設置されている。即ち、光電センサ８０Ａ（投光部８０ａ－１，受光部８０ｂ－１）は、電磁石８４ａから、クリップリンク機構９０の移動方向の上流側に距離Ｄ１ａ離れた位置に設置される。また近接センサ８２ａは、電磁石８４ａから、クリップリンク機構９０の移動方向の下流側に距離Ｄ２ａ離れた位置に設置される。

また、光電センサ８０Ｂ（投光部８０ａ－２，受光部８０ｂ－２）は、電磁石８４ｂから、クリップリンク機構９０の移動方向の上流側に距離Ｄ１ｂ離れた位置に設置される。また近接センサ８２ｂは、電磁石８４ｂから、クリップリンク機構９０の移動方向の下流側に距離Ｄ２ｂ離れた位置に設置される。

そして、光電センサ８０Ｃ（投光部８０ａ－３，受光部８０ｂ－３）は、電磁石８４ｃから、クリップリンク機構９０の移動方向の上流側に距離Ｄ１ｃ離れた位置に設置される。また近接センサ８２ｃは、電磁石８４ｃから、クリップリンク機構９０の移動方向の下流側に距離Ｄ２ｃ離れた位置に設置される。

さらに、光電センサ８０Ｄ（投光部８０ａ－４，受光部８０ｂ－４）は、電磁石８４ｄから、クリップリンク機構９０の移動方向の上流側に距離Ｄ１ｄ離れた位置に設置される。また近接センサ８２ｄは、電磁石８４ｄから、クリップリンク機構９０の移動方向の下流側に距離Ｄ２ｄ離れた位置に設置される。

なお、図１５において、クリップリンク機構９０は、移動方向の下流側ほど、クリップ間隔が広くなっている。即ち、図１５において、クリップ間隔Ｈ１＜クリップ間隔Ｈ２＜クリップ間隔Ｈ３＜クリップ間隔Ｈ４＜クリップ間隔Ｈ５になっている。なお、各クリップ間隔は、基準レール１００とピッチ設定レール１２０との間隔に応じた値に設定される。

また、同時２軸延伸装置１０ｃは、光電センサ８０と近接センサ８２の出力に基づいて、電磁石８４の励磁状態を制御する制御部８９ｃ（非図示）を備える。

光電センサ８０および近接センサ８２の作用は、第１の実施形態で説明した通りである。そして、制御部８９ｃは、光電センサ８０または近接センサ８２がメインステム３０の通過を検出した際に、当該光電センサ８０または近接センサ８２と関連付けられた電磁石８４、即ち、光電センサ８０および近接センサ８２と組をなす電磁石８４の励磁状態を制御する。

より具体的には、制御部８９ｃは、光電センサ８０Ａ（第１の検出部）がメインステム３０の通過を検出した場合に、電磁石８４ａの励磁状態を、永久磁石４０と電磁石８４ａとの間に反発力が働く状態（第１の状態）に制御する。また、制御部８９ｃは、近接センサ８２ａ（第２の検出部）がメインステム３０の通過を検出した場合に、電磁石８４の励磁状態を消磁状態、即ち永久磁石４０と電磁石８４ａ（鉄心８６）との間に吸引力が働く状態（第２の状態）に制御する。

このように、第３の実施形態の同時２軸延伸装置１０ｃの制御部８９ｃは、光電センサ８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃ，８０Ｄおよび近接センサ８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄと、それぞれ関連付けられた電磁石８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄの励磁状態をそれぞれ制御する。したがって、異なるクリップ間隔Ｈの区間にそれぞれ設置された光電センサと近接センサと電磁石の組によって、クリップリンク機構９０に対して補助駆動力を与えることができる。

以上説明したように、第３の実施形態の変形例の同時２軸延伸装置１０ｃにおいて、制御部８９ｃは、複数の光電センサ８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃ，８０Ｄ（第１の検出部）がそれぞれ検出したメインステム３０（クリップリンク）の通過タイミングで、各光電センサ８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃ，８０Ｄとそれぞれ関連付けられた、隣接するメインステム３０のクリップ間隔Ｈが異なる区間に設置された複数の電磁石８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄの励磁状態を、永久磁石４０が電磁石８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄから反発される状態（第１の状態）に制御する。また、制御部８９ｃは、複数の近接センサ８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄ（第２の検出部）がそれぞれ検出したメインステム３０の通過タイミングで、各近接センサ８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄとそれぞれ関連付けられた、隣接するメインステム３０のクリップ間隔Ｈが異なる区間に設置された複数の電磁石８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄの励磁状態を、消磁状態、即ち永久磁石４０と電磁石８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄ（鉄心８６）との間に吸引力が働く状態（第２の状態）に制御する。したがって、クリップ間隔Ｈが異なる区間において、クリップリンク機構９０に対して補助駆動力を与えることができる。

（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態の同時２軸延伸装置１０ｄ（非図示）について説明する。第４の実施形態の同時２軸延伸装置１０ａは、第１の実施形態の同時２軸延伸装置１０ａにおいて、各メインステム３０の端部に設置された永久磁石４０を、一時磁石４１（非図示）としたものである。なお、一時磁石４１とは、磁場の中にあるときのみ磁気を帯びる物質である。具体的には、鉄、ニッケル等の磁石に引きつけられる物質が一時磁石４１である。

同時２軸延伸装置１０ｄは、同時２軸延伸装置１０ａ（図５参照）において、永久磁石４０を一時磁石４１に置き換えた構成を有する。そして、制御部８９ａの機能は、同時２軸延伸装置１０ａと同じである。

具体的には、制御部８９ａは、光電センサ８０（第１の検出部）がメインステム３０の通過を検出した場合に、電磁石８４の励磁状態を、消磁状態（第１の状態）に制御する。また、制御部８９ａは、近接センサ８２（第２の検出部）がメインステム３０の通過を検出した場合に、電磁石８４の励磁状態を、一時磁石４１が電磁石８４に吸引される状態（第２の状態）に制御する。即ち、本実施形態の場合、制御部８９ａは、一時磁石４１と電磁石８４との間に力が働かない第１の状態と、一時磁石４１と電磁石８４との間に吸引力が働く、第１の状態とは異なる第２の状態とを交互に切り替える。

なお、第１の状態、即ち電磁石８４が消磁された状態にあるとき、一時磁石４１と電磁石８４との間には力が働かないため、クリップリンク機構９０は補助駆動力を得ない。しかし、第２の状態に切り替わったタイミングで、一時磁石４１には電磁石８４に吸引される吸引力が働くため、クリップリンク機構９０は、図５のＹ軸正方向に向かって移動する補助駆動力を得る。

以上説明したように、第４の実施形態の同時２軸延伸装置１０ｄ（非図示）において、メインステム３０（クリップリンク）の端部に設置される磁性体は、一時磁石４１である。したがって、一時磁石４１と電磁石８４との間に吸引力を発生させることができるため、この吸引力によって、クリップリンク機構９０は補助駆動力を得ることができる。

また、第４の実施形態の同時２軸延伸装置１０ｄ（非図示）において、制御部８９ａは、光電センサ８０（第１の検出部）がメインステム３０（クリップリンク）の通過を検出した場合に、一時磁石４１（磁性体）と電磁石８４との間に力が働かない第１の状態に制御する。そして、近接センサ８２（第２の検出部）がメインステム３０の通過を検出した場合に、電磁石８４の励磁状態を、一時磁石４１が電磁石８４に吸引される第２の状態に制御する。したがって、クリップリンク機構９０を移動させる補助駆動力が得られるため、クリップリンク機構９０の走行負荷を低減することができる。

１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ…同時２軸延伸装置、１０Ｌ…左側無端ループ、１０Ｒ…右側無端ループ、１１，１２…駆動用スプロケット、２０…クリップ、２８…駆動ローラ、３０，３０ａ，３０ｂ…メインステム（クリップリンク）、３１…長孔、３２ａ…第１の軸部材、３２ｂ…第２の軸部材、３２ｃ…第３の軸部材、３３…スライダ、３４ａ…第１のリンク部材、３４ｂ…第２のリンク部材、３５ａ…第３の軸部材、３５ｂ…第４の軸部材、３６ａ，３６ｂ…案内ローラ、３７ａ，３７ｂ…自重受ローラ、４０…永久磁石（磁性体）、４１…一時磁石（磁性体）、８０，８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃ，８０Ｄ…光電センサ（第１の検出部，第２の検出部）、８０ａ，８０ａ－１，８０ａ－２，８０ａ－３，８０ａ－４…投光部、８０ｂ，８０ｂ－１，８０ｂ－２，８０ｂ－３，８０ｂ－４…受光部、８１，８１ａ，８１ｂ，８３，８５…ブラケット、８２，８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄ…近接センサ（第１の検出部，第２の検出部）、８４，８４ａ，８４ｂ，８４ｃ，８４ｄ…電磁石、８６…鉄心、８７…コイル、８８…直流電源、８９ａ，８９ｂ，８９ｃ…制御部、９０…クリップリンク機構、１００…基準レール、１１０…基台、１２０…ピッチ設定レール、Ｄ１，Ｄ１ａ，Ｄ１ｂ，Ｄ１ｃ，Ｄ１ｄ，Ｄ３…距離（第１の距離）、Ｄ２，Ｄ２ａ，Ｄ２ｂ，Ｄ２ｃ，Ｄ２ｄ，Ｄ４…距離（第２の距離）、ΔＤ１，ΔＤ２…距離、Ｈ，Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４，Ｈ５…クリップ間隔、Ｓ…シート状部材（延伸対象物）

Claims (9)

1. 延伸対象物の幅方向両端をクリップで把持する、連接した一対の把持機構を、一対の無端ループで形成された移動経路にガイドされたローラによって移動させながら、対向及び隣接する前記クリップの間隔を変更して、前記延伸対象物を、前記幅方向及び前記移動経路方向に延伸させるクリップリンクを備える同時２軸延伸装置において、
   前記クリップリンクの端部に設置された磁性体と、
   前記クリップリンクが移動する際に、前記クリップリンクの端部と対向する位置に設置された電磁石と、
   前記クリップリンクが、前記電磁石から第１の距離の位置を通過したことを検出する第１の検出部と、
   前記クリップリンクが、前記電磁石から第２の距離の位置を通過したことを検出する第２の検出部と、
   前記第１の検出部が前記クリップリンクの通過を検出した場合に、前記電磁石の励磁状態を、前記電磁石の近傍のクリップリンクに設置された前記磁性体が、前記電磁石から反発される、または前記磁性体と前記電磁石との間に力が働かない第１の状態に制御して、前記第２の検出部が前記クリップリンクの通過を検出した場合に、前記電磁石の励磁状態を、前記電磁石の近傍のクリップリンクに設置された前記磁性体が、前記電磁石に吸引される第２の状態に制御する制御部と、を備える、
   同時２軸延伸装置。
2. 前記制御部は、一つの前記第１の検出部が検出した前記クリップリンクの通過タイミングで、隣接するクリップの間隔が同一である区間に設置された複数の前記電磁石の励磁状態を、同時に、前記第１の状態に制御して、
   一つの前記第２の検出部が検出した前記クリップリンクの通過タイミングで、隣接するクリップの間隔が同一である区間に設置された複数の前記電磁石の励磁状態を、同時に、前記第２の状態に制御する、
   請求項１に記載の同時２軸延伸装置。
3. 前記制御部は、複数の前記第１の検出部がそれぞれ検出した前記クリップリンクの通過タイミングで、隣接するクリップの間隔が異なる区間に設置された複数の前記電磁石のうち、前記第１の検出部と対応する電磁石の励磁状態を、前記第１の状態に制御して、
   複数の前記第２の検出部がそれぞれ検出した前記クリップリンクの通過タイミングで、隣接するクリップの間隔が異なる区間に設置された複数の前記電磁石のうち、前記第２の検出部と対応する電磁石の励磁状態を、前記第２の状態に制御する、
   請求項１に記載の同時２軸延伸装置。
4. 前記磁性体は、永久磁石である、
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の同時２軸延伸装置。
5. 前記制御部は、前記第１の検出部が前記クリップリンクの通過を検出した場合に、前記電磁石の励磁状態を、前記電磁石の近傍のクリップリンクに設置された前記磁性体が、前記電磁石に吸引されるように制御して、前記第２の検出部が前記クリップリンクの通過を検出した場合に、前記電磁石を消磁状態に制御する、
   請求項４に記載の同時２軸延伸装置。
6. 前記制御部は、前記第１の検出部が前記クリップリンクの通過を検出した場合と、前記第２の検出部が前記クリップリンクの通過を検出した場合とで、前記電磁石の励磁方向を逆転させる、
   請求項４に記載の同時２軸延伸装置。
7. 前記磁性体は、一時磁石である、
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の同時２軸延伸装置。
8. 前記制御部は、前記第１の検出部が前記クリップリンクの通過を検出した場合に、前記電磁石の励磁状態を、前記電磁石の近傍のクリップリンクに設置された前記磁性体と前記電磁石との間に力が働かない第１の状態に制御して、前記第２の検出部が前記クリップリンクの通過を検出した場合に、前記電磁石の励磁状態を、前記電磁石の近傍のクリップリンクに設置された前記磁性体が前記電磁石に吸引される第２の状態に制御する、
   請求項７に記載の同時２軸延伸装置。
9. 前記第１の検出部および前記第２の検出部は、光電センサまたは近接センサである、
   請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の同時２軸延伸装置。

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