JP2021521656A - ドアオープナ、輸送チャンバ、及び半導体処理デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
輸送チャンバのチャンバ壁と移動可能に突き合わされ、且つ移載インターフェースとウェハカセットのウェハ移載ポートとが開放可能又は閉鎖可能であるようにチャンバ壁がウェハカセットのウェハ移載ポートと突き合わされた移載インターフェースの周位置に位置するように構成されたハウジング部と、ここにおいて、第1の開口部が、ウェハカセットに面するハウジング部の側面上に設けられ、
第1の開口部に設けられ、密閉ドアと突き合わされ、且つハウジング部が移載インターフェース及びウェハ移載ポートを閉じるための位置にあるときにウェハカセットから密閉ドアを分離するように構成された突き合わせアセンブリと、ここにおいて、密閉ドア又は突き合わせアセンブリは、ハウジング部内に密閉空間を形成するために、第1の開口部と密閉嵌合状態にある、
を含む。
突き合わせ板と、
ハウジング部中に設けられ、突き合わせ板が密閉ドアと突き合わせることが可能である第1の位置に移動するように突き合わせ板を駆動し、且つ突き合わせ板が密閉ドアと突き合わされた後に密閉ドア又は突き合わせ板が第1の開口部と密閉嵌合状態にある第2の位置に移動するように突き合わせ板を駆動するように構成された駆動機構と
を含む。
カバーの開口部の端面が、円環部の第1の端面と突き合わされ、第2の密閉部材が、それらの間に設けられ、
円環部の穴が、第1の開口部として使用され、第1の端面から離れている円環部の第2の端面が、ウェハカセットから離れている突き合わせ板の表面又は密閉ドアの表面と突き合わされるように構成され、第1の密閉部材は、それらの間に設けられる。
ハウジング部に接続され、全体として移動するようにハウジング部及びその中の突き合わせアセンブリを駆動するように構成されたハウジング駆動機構を更に含む。
ハウジング部がウェハ移載ポートを閉じるための位置にあり、且つ密閉ドアがウェハカセットから分離されているとき、ウェハカセットにパージガスを導き、それと同時に、ウェハカセットからガスを排出するように構成されたパージ機構を更に含む。
ウェハカセットに面するハウジング部の側面上に設けられ、ウェハカセットにパージガスを送り込むように構成されたパージノズルと、
パージノズルとガス源とにそれぞれ接続され、ガス源によって提供されたパージガスをパージノズルに伝達するように構成されたガス流入路と、
ウェハカセット中のガスをハウジング部の外側に排出するように構成されたガス排出路と
を含む。
ウェハカセットのウェハ移載ポートと突き合わせるための移載インターフェースを設けられたチャンバ本体と、
チャンバ本体の内部がウェハカセットの内部と連通状態にあるか又はそれから分離されるように、ウェハ移載ポート及び移載インターフェースがそれによって同時に開かれる又は閉じられる、請求項1〜10のうちのいずれか一項に記載のドアオープナと
を含む。
ガス流入路は、チャンバ本体中に設けられたガス流入チャネルであり、それは、チャンバ本体の外側に開かれ、ガス源に接続されるように構成された流入口を有し、チャンバ本体の内側に開かれ、ハウジング部がウェハ移載ポートを閉じるための位置にあるときにパージノズルの流入口と突き合わされ、且つそれと連通状態にあるように構成された排出口を有し、
ガス排出路は、ウェハカセットの本体の内側に開かれたガス排出チャネルであり、それは、ウェハカセットの内部と連通状態にある流入口を有し、ウェハカセットの本体の外側に開かれた排出口を有する。
反応チャンバと、
請求項11〜13のうちのいずれか一項に記載の輸送チャンバと、
ウェハを搬送するように構成され、反応チャンバと輸送チャンバとの間で移動可能なウェハキャリアと、
輸送チャンバ中に設けられ、ハウジング部がウェハ移載ポートを開くための位置にあり、且つウェハキャリアが輸送チャンバ中にあるときに、ウェハカセットとウェハキャリアとの間でウェハを移載するように構成されたマニピュレータと
を含む。
Claims (15)
- ウェハカセットの密閉ドアを開く又は閉じるためのドアオープナであって、前記ドアオープナは、
輸送チャンバのチャンバ壁と移動可能に突き合わされ、且つ移載インターフェースと前記ウェハカセットのウェハ移載ポートとが開放可能又は閉鎖可能であるように前記チャンバ壁が前記ウェハカセットの前記ウェハ移載ポートと突き合わされた前記移載インターフェースの周位置に位置するように構成されたハウジング部と、ここにおいて、第1の開口部が、前記ウェハカセットに面する前記ハウジング部の側面上に設けられ、
前記第1の開口部に設けられ、前記密閉ドアと突き合わされ、且つ前記ハウジング部が前記移載インターフェース及び前記ウェハ移載ポートを閉じるための位置にあるときに前記ウェハカセットから前記密閉ドアを分離するように構成された突き合わせアセンブリと、ここにおいて、前記密閉ドア又は前記突き合わせアセンブリは、前記ハウジング部内に密閉空間を形成するために、前記第1の開口部と密閉嵌合状態にある、
を備えることを特徴とする、ドアオープナ。 - 前記突き合わせアセンブリは、
突き合わせ板と、
前記ハウジング部中に設けられ、前記突き合わせ板が前記密閉ドアと突き合わせることが可能である第1の位置に移動するように前記突き合わせ板を駆動し、且つ前記突き合わせ板が前記密閉ドアと突き合わされた後に前記密閉ドア又は前記突き合わせ板が前記第1の開口部と密閉嵌合状態にある第2の位置に移動するように前記突き合わせ板を駆動するように構成された駆動機構と
を備えることを特徴とする、請求項1に記載のドアオープナ。 - 吸着構造が、前記突き合わせ板上に設けられ、前記突き合わせ板が前記第1の位置にあるときに吸着によって前記密閉ドアを固定するように構成されることを特徴とする、請求項2に記載のドアオープナ。
- 第1の密閉部材が、前記第1の開口部の周辺に対応する前記突き合わせ板若しくは前記密閉ドアの位置に、及び/又は前記第1の開口部の周辺の前記ハウジング部上の位置に設けられ、前記突き合わせ板が前記第2の位置にあるときに前記第1の開口部を密閉するように構成されることを特徴とする、請求項2に記載のドアオープナ。
- 前記ハウジング部は、円環部及びカバーを備え、
前記カバーの開口部の端面が、前記円環部の第1の端面と突き合わされ、第2の密閉部材が、それらの間に設けられ、
前記円環部の穴が、前記第1の開口部として使用され、前記第1の端面から離れている前記円環部の第2の端面が、前記ウェハカセットから離れている前記突き合わせ板の表面又は前記密閉ドアの表面と突き合わされるように構成され、前記第1の密閉部材は、それらの間に設けられることを特徴とする、請求項4に記載のドアオープナ。 - 前記ドアオープナは、
前記ハウジング部に接続され、全体として移動するように前記ハウジング部及びその中の前記突き合わせアセンブリを駆動するように構成されたハウジング駆動機構を更に備えることを特徴とする、請求項1〜5のうちのいずれか一項に記載のドアオープナ。 - 第3の密閉部材が、前記移載インターフェースの周辺に対応する前記ハウジング部の位置に、及び/又は前記移載インターフェースの前記周辺の前記輸送チャンバの前記チャンバ壁上の位置に設けられ、前記ハウジング部が前記移載インターフェース及び前記ウェハ移載ポートを閉じるための位置にあるときに前記移載インターフェース及び前記ウェハ移載ポートを密閉するように構成されることを特徴とする、請求項1〜5のうちのいずれか一項に記載のドアオープナ。
- 前記ドアオープナは、
前記ハウジング部が前記ウェハ移載ポートを閉じるための位置にあり、且つ前記密閉ドアが前記ウェハカセットから分離されているとき、前記ウェハカセットにパージガスを導き、それと同時に、前記ウェハカセットからガスを排出するように構成されたパージ機構を更に備えることを特徴とする、請求項1〜5のうちのいずれか一項に記載のドアオープナ。 - 前記パージ機構は、
前記ウェハカセットに面する前記ハウジング部の側面上に設けられ、前記ウェハカセットに前記パージガスを送り込むように構成されたパージノズルと、
前記パージノズルとガス源とにそれぞれ接続され、前記ガス源によって提供された前記パージガスを前記パージノズルに伝達するように構成されたガス流入路と、
前記ウェハカセット中の前記ガスを前記ハウジング部の外側に排出するように構成されたガス排出路と
を備えることを特徴とする、請求項8に記載のドアオープナ。 - 前記ハウジング部は、前記ハウジング部中のガスを前記ハウジング部の外側に放出するための放出構造を設けられることを特徴とする、請求項1に記載のドアオープナ。
- 輸送チャンバであって、
ウェハカセットのウェハ移載ポートと突き合わせるための移載インターフェースを設けられたチャンバ本体と、
前記チャンバ本体の内部が前記ウェハカセットの内部と連通状態にあるか又はそれから分離されるように、前記ウェハ移載ポート及び前記移載インターフェースがそれによって同時に開かれる又は閉じられる、請求項1〜10のうちのいずれか一項に記載の前記ドアオープナと
を備えることを特徴とする、輸送チャンバ。 - 請求項9に記載された前記ドアオープナを備え、
前記ガス流入路は、前記チャンバ本体中に設けられたガス流入チャネルであり、前記ガス流入チャネルは、前記チャンバ本体の外側に開かれ、前記ガス源に接続されるように構成された流入口を有し、前記チャンバ本体の内側に開かれ、前記ハウジング部が前記ウェハ移載ポートを閉じるための位置にあるときに前記パージノズルの流入口と突き合わされ、且つそれと連通状態にあるように構成された排出口を有し、
前記ガス排出路は、前記ウェハカセットの本体の内側に開かれたガス排出チャネルであり、前記ガス排出チャネルは、前記ウェハカセットの内部と連通状態にある流入口を有し、前記ウェハカセットの前記本体の外側に開かれた排出口を有することを特徴とする、請求項11に記載の輸送チャンバ。 - ブラケットが、前記移載インターフェースにおける前記チャンバ本体の側壁の外側に設けられ、前記ウェハカセットの前記ウェハ移載ポートが前記移載インターフェースと突き合わされるときに前記ウェハカセットを支持するように構成されることを特徴とする、請求項11に記載の輸送チャンバ。
- 半導体処理デバイスであって、
反応チャンバと、
請求項11〜13のうちのいずれか一項に記載の前記輸送チャンバと、
ウェハを搬送するように構成され、前記反応チャンバと前記輸送チャンバとの間で移動可能なウェハキャリアと、
前記輸送チャンバ中に設けられ、前記ハウジング部が前記ウェハ移載ポートを開くための位置にあり、且つ前記ウェハキャリアが前記輸送チャンバ中にあるときに、前記ウェハカセットと前記ウェハキャリアとの間で前記ウェハを移載するように構成されたマニピュレータと
を備えることを特徴とする、半導体処理デバイス。 - 前記半導体処理デバイスは、縦型熱処理デバイスであることを特徴とする、請求項14に記載の半導体処理デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810453171.8A CN110473819B (zh) | 2018-05-11 | 2018-05-11 | 一种开门装置、传输腔室和半导体处理设备 |
CN201810453171.8 | 2018-05-11 | ||
PCT/CN2019/085678 WO2019214578A1 (zh) | 2018-05-11 | 2019-05-06 | 开门装置、传输腔室和半导体处理设备 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021521656A true JP2021521656A (ja) | 2021-08-26 |
JP7223123B2 JP7223123B2 (ja) | 2023-02-15 |
Family
ID=68466897
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021512986A Active JP7223123B2 (ja) | 2018-05-11 | 2019-05-06 | ドアオープナ、輸送チャンバ、及び半導体処理デバイス |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7223123B2 (ja) |
KR (1) | KR102583239B1 (ja) |
CN (1) | CN110473819B (ja) |
SG (1) | SG11202010920WA (ja) |
TW (1) | TWI704638B (ja) |
WO (1) | WO2019214578A1 (ja) |
Families Citing this family (181)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
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US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
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US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
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US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
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US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
CN111344522B (zh) | 2017-11-27 | 2022-04-12 | 阿斯莫Ip控股公司 | 包括洁净迷你环境的装置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
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- 2019-05-06 WO PCT/CN2019/085678 patent/WO2019214578A1/zh active Application Filing
- 2019-05-06 TW TW108115639A patent/TWI704638B/zh active
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WO2019214578A1 (zh) | 2019-11-14 |
TW201947695A (zh) | 2019-12-16 |
KR20200139797A (ko) | 2020-12-14 |
SG11202010920WA (en) | 2020-12-30 |
KR102583239B1 (ko) | 2023-09-26 |
TWI704638B (zh) | 2020-09-11 |
CN110473819B (zh) | 2020-12-08 |
CN110473819A (zh) | 2019-11-19 |
JP7223123B2 (ja) | 2023-02-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A02 | Decision of refusal |
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|
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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