JP2021141288A - 配線基板及び部品内蔵配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板及び部品内蔵配線基板の品質向上。【解決手段】実施形態の配線基板は、コア基板の第１面上に積層されている第１ビルドアップ部１を備えている。第１ビルドアップ部１は、第１樹脂絶縁層１２ａと、第１樹脂絶縁層１２ａ上に形成されている第１導体層１１ａと、第１導体層１１ａの上に積層されている第２樹脂絶縁層１２ｂと、第２樹脂絶縁層１２ｂを貫通して第１導体層１１ａの一部を底面に露出させる凹部４と、を含んでいる。第１導体層１１ａは、電子部品Ｅを載置されるべき部品搭載領域Ａを含んでいて凹部４の底面を構成する導体パッド５を含み、第１ビルドアップ部１に含まれる複数の樹脂絶縁層１２は無機フィラー８を含んでおり、第１樹脂絶縁層１２ａの無機フィラー含有率は、第１ビルドアップ部１に含まれる第１樹脂絶縁層１２ａ以外の樹脂絶縁層１２の無機フィラー含有率よりも低い。【選択図】図２

Description

本発明は、配線基板及び部品内蔵配線基板に関する。

特許文献１には、電子部品内蔵用キャビティ付きのビルドアップ配線板が開示されている。ビルドアップ層中の導体層に含まれるベタ状のプレーン層によってキャビティの底面全体が構成されている。

特願２０１６−３９２１４号公報

特許文献１に開示されているようなキャビティ付きの配線板では、キャビティの底面の上下で熱膨張率が異なると考えられる。そのため、キャビティの周囲において応力の集中箇所が生じることがある。その結果、応力集中による不具合が発生することがある。

本発明の配線基板は、第１面と前記第１面の反対側の第２面とを有するコア基板と、前記第１面上に積層されていて複数の樹脂絶縁層を含む第１ビルドアップ部と、前記第２面上に積層されている第２ビルドアップ部と、を備えている。前記第１ビルドアップ部は、第１樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層上に形成されている第１導体層と、前記第１樹脂絶縁層及び前記第１導体層の上に積層されている第２樹脂絶縁層と、前記第２樹脂絶縁層を貫通して前記第１導体層の一部を底面に露出させる凹部と、を含み、前記第１導体層は、電子部品を載置されるべき部品搭載領域を含んでいて前記凹部の底面を構成する導体パッドを含み、前記第１ビルドアップ部に含まれる前記複数の樹脂絶縁層の全て、又は前記複数の樹脂絶縁層のうちの前記第１樹脂絶縁層以外の全ては無機フィラーを含んでおり、前記第１樹脂絶縁層の無機フィラー含有率は、前記第１ビルドアップ部に含まれる前記第１樹脂絶縁層以外の樹脂絶縁層の無機フィラー含有率よりも低い。

本発明の部品内蔵配線基板は、実施形態の配線基板と、前記導体パッド上の前記部品搭載領域に載置されている電子部品と、前記第２樹脂絶縁層における前記第１導体層と反対側に積層されていて前記電子部品を封止する第４樹脂絶縁層と、を含んでいる。

本発明の実施形態によれば、部品搭載用キャビティの下層の樹脂絶縁層においてクラックなどの不具合が生じ難いと考えられる配線基板及び部品内蔵配線基板を提供することができる。

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 図１の配線基板の凹部及びその下層部分の拡大図。 本発明の一実施形態の配線基板の他の例における図２の部分の断面図。 本発明の一実施形態の配線基板のさらに他の例における図２の部分の断面図。 本発明の他の実施形態の部品内蔵配線基板の一例を示す断面図。 図４の部品内蔵配線基板における電子部品及びその下層部分の拡大図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の他の実施形態の部品内蔵配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の他の実施形態の部品内蔵配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の他の実施形態の部品内蔵配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１は一実施形態の配線基板の一例である配線基板１００を示す断面図であり、図２には、図１のII部の拡大図が示されている。

図１に示されるように、配線基板１００は、その厚さ方向において対向する２つの主面（第１面３ａ及び第１面３ａの反対面である第２面３ｂ）を有するコア基板３と、コア基板３の第１面３ａ上に積層されている第１ビルドアップ部１と、コア基板３の第２面３ｂ上に積層されている第２ビルドアップ部２と、を含んでいる。コア基板３は、樹脂絶縁層３２（コア基板絶縁層）と、樹脂絶縁層３２の第１ビルドアップ部１側及び第２ビルドアップ部２側それぞれに積層されている導体層３１（コア基板導体層）とを含んでいる。第１ビルドアップ部１側の導体層３１の露出面と、樹脂絶縁層３２の第１ビルドアップ部１側の表面の露出部分とによって第１面３ａが構成される。第２ビルドアップ部２側の導体層３１の露出面と、樹脂絶縁層３２の第２ビルドアップ部２側の表面の露出部分とによって第２面３ｂが構成される。樹脂絶縁層３２は、樹脂絶縁層３２を貫通し、第１面３ａ側の導体層３１と第２面３ｂ側の導体層３１とを接続するスルーホール導体３ｃを含んでいる。

第１ビルドアップ部１及び第２ビルドアップ部２は、それぞれ、複数の樹脂絶縁層１２及び複数の導体層１１を含んでいる。第１及び第２のビルドアップ部１、２それぞれにおいて、複数の樹脂絶縁層１２及び複数の導体層１１が交互に積層されている。図１の配線基板１００では、第１ビルドアップ部１は５つの導体層１１と６つの樹脂絶縁層１２とを含んでいる。同様に、第２ビルドアップ部２は５つの導体層１１と６つの樹脂絶縁層１２とを含んでいる。第１ビルドアップ部１及び第２ビルドアップ部２は、各樹脂絶縁層１２を貫通し、各樹脂絶縁層１２を介して隣接する導体層１１同士を接続するビア導体１５を含んでいる。

なお、各実施形態の説明では、配線基板の厚さ方向において樹脂絶縁層３２から遠い側は「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、樹脂絶縁層３２に近い側は「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各樹脂絶縁層において、樹脂絶縁層３２と反対側を向く表面は「上面」とも称され、樹脂絶縁層３２側を向く表面は「下面」とも称される。従って、例えば第１ビルドアップ部１及び第２ビルドアップ部２の説明では、コア基板３から遠い側が「上側」、「上方」、「上層側」又は単に「上」とも称され、コア基板３に近い側が「下側」、「下方」、「下層側」又は単に「下」とも称される。

樹脂絶縁層３２及び樹脂絶縁層１２は、任意の絶縁性樹脂によって形成される。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などが例示される。図１の例では、樹脂絶縁層３２は、ガラス繊維やアラミド繊維で形成される芯材（補強材）３２ａを含んでいる。図１には示されていないが、任意の樹脂絶縁層１２がガラス繊維などからなる芯材を含み得る。

樹脂絶縁層３２及び樹脂絶縁層１２は、さらに、無機フィラーを含んでいてもよい。各樹脂絶縁層に含まれる無機フィラーとしては、シリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、又はムライトなどからなる微粒子が例示される。図１の例の配線基板１００では、全ての樹脂絶縁層１２が無機フィラー８（図２参照）を含んでいる。そして、後述されるように本実施形態では、一部の樹脂絶縁層１２（第１樹脂絶縁層）の無機フィラー含有率は、その他の樹脂絶縁層１２の無機フィラー含有率よりも低い。

導体層３１及び導体層１１、並びに、スルーホール導体３ｃ及びビア導体１５は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。図１の例において、導体層３１は、金属箔３１１、金属膜３１２、及びめっき膜３１３を含んでいる。スルーホール導体３ｃは、金属膜３１２及びめっき膜３１３によって構成されている。また、導体層１１及びビア導体１５は、金属膜１１２及びめっき膜１１３を含んでいる。金属箔３１１としては、銅箔又はニッケル箔が例示される。めっき膜３１３、１１３は、例えば電解めっき膜である。金属膜３１２、１１２は、例えば無電解めっき膜又はスパッタリング膜であり、それぞれ、めっき膜３１３、１１３を電解めっきで形成する際の給電層として機能する。

本実施形態の配線基板１００は、凹部４を有している。凹部４は、配線基板１００における第１ビルドアップ部１側の表面１００ａ（第３面）から下層側（コア基板３側）に向かって凹んでいる部分である。従って第１ビルドアップ部１は凹部４を含んでいる。凹部４は、配線基板１００に実装される電子部品Ｅを収容するキャビティを構成する。凹部４は、電子部品Ｅを載置されるべき領域である部品搭載領域Ａを含んでいる。

凹部４は、第１ビルドアップ部１内の任意の導体層１１に含まれる導体パターンを底面に露出させる。図１の例では、凹部４は、第１ビルドアップ部１側の表面１００ａから２つめの導体層１１に含まれる導体パッド５を露出させている。

以下の説明では、図２に示されるように、凹部４の底面に露出する導体パッド５を含む導体層（導体層１１）は第１導体層１１ａとも称される。また、第１導体層１１ａの直ぐ下の樹脂絶縁層（樹脂絶縁層１２）は第１樹脂絶縁層１２ａとも称される。第１導体層１１ａは第１樹脂絶縁層１２ａにおけるコア基板３と反対側の表面１２ａａ上に形成されている。さらに、第１樹脂絶縁層１２ａの表面１２ａａ及び第１導体層１１ａの上に積層されている樹脂絶縁層（樹脂絶縁層１２）は第２樹脂絶縁層１２ｂとも称される。第１ビルドアップ部１は、第１樹脂絶縁層１２ａと第１導体層１１ａと第２樹脂絶縁層１２ｂとを少なくとも含んでいる。凹部４は第２樹脂絶縁層１２ｂを貫通している。

図１及び図２の例において、第１ビルドアップ部１は、第２樹脂絶縁層１２ｂにおける第１導体層１１ａと反対側の表面１２ｂａ上にも導体層を備えている。図２に示されるように、表面１２ｂａ上の導体層は第２導体層１１ｂとも称される。第２導体層１１ｂは、所定の導体パターン（例えば導体パターン１１ｂａ）を含んでいる。導体パターン１１ｂａなどの第２導体層１１ｂの導体パターンと凹部４とは、平面視において離間している。すなわち、凹部４は、第２導体層１１ｂなどの第１導体層１１ａよりも上層側の導体層において、平面視で導体パターンが設けられていない領域に形成されている。なお「平面視」は、配線基板１００をその厚さ方向に沿った視線で見ることを意味する。

図１及び図２の例において、第１ビルドアップ部１は、第２樹脂絶縁層１２ｂ及び第２導体層１１ｂを覆う樹脂絶縁層を備えている。第２樹脂絶縁層１２ｂ及び第２導体層１１ｂを覆う樹脂絶縁層は、第３樹脂絶縁層１２ｃとも称される。第３樹脂絶縁層１２ｃは、第２導体層１１ｂの保護層として機能し得る。層間樹脂絶縁層である第１樹脂絶縁層１２ａなどの他の樹脂絶縁層１２の機能と第３樹脂絶縁層１２ｃの機能とは異なるため、第３樹脂絶縁層１２ｃの厚さは、第１樹脂絶縁層１２ａ及び第２樹脂絶縁層１２ｂなどの他の樹脂絶縁層１２の厚さよりも薄くてもよい。

凹部４は第３樹脂絶縁層１２ｃも貫通している。すなわち、凹部４は、少なくとも第２樹脂絶縁層１２ｂを貫通し、第２樹脂絶縁層１２ｂ上にさらに樹脂絶縁層（例えば第３樹脂絶縁層１２ｃ）が形成されている場合は、その第２樹脂絶縁層１２ｂ上の樹脂絶縁層も貫通する。

凹部４は、第１導体層１１ａの一部である導体パッド５を底面に露出させている。導体パッド５によって凹部４の底面が構成されている。導体パッド５は、第１樹脂絶縁層１２ａの表面１２ａａに沿って全方位に延在する所謂ベタパターンである。或いは、導体パッド５は、所定の領域全体に広がる平面状の導体パターンである。導体パッド５によって第１樹脂絶縁層１２ａの表面１２ａａの所定の領域が占有される。導体パッド５は、平面視で、配線基板１００において凹部４が設けられる領域（具体的には、凹部４の底面が占める領域）全体と重なるように形成される。従って、導体パッド５の輪郭によって囲まれる領域は、凹部４の底面の面積以上の面積を有している。

導体パッド５は、部品搭載領域Ａを含んでおり、電子部品Ｅを安定して配線基板１００に搭載するための実装パッドとして機能する。また、導体パッド５は、電子部品Ｅの裏面（配線基板１００への実装時に導体パッド５に向けられる面）を所定の電位に設定するための電極としても機能し得る。

配線基板１００では、図２に示されるように、第１ビルドアップ部１に含まれる複数の樹脂絶縁層１２の全てが無機フィラー８を含んでいる。そして、第１樹脂絶縁層１２ａの無機フィラー含有率は、第１ビルドアップ部１に含まれる第１樹脂絶縁層１２ａ以外の樹脂絶縁層１２の無機フィラー含有率より低い。例えば、第１樹脂絶縁層１２ａの無機フィラー含有率は、第２及び第３の樹脂絶縁層１２ｂ、１２ｃそれぞれの無機フィラー含有率よりも低い。第１樹脂絶縁層１２ａの無機フィラー含有率は、第１ビルドアップ部１に含まれる樹脂絶縁層１２及び第２ビルドアップ部２に含まれる樹脂絶縁層１２のいずれの無機フィラー含有率よりも低くてもよい。第１樹脂絶縁層１２ａの無機フィラー含有率が、第１樹脂絶縁層１２ａ以外の樹脂絶縁層１２の無機フィラー含有率よりも低いことの利点が、以下に説明される。なお、図２、並びに、後に参照される図３Ａ、図３Ｂ、及び図５において示される無機フィラー８は概念的に示されているに過ぎず、これら各図面によって無機フィラー８の具体的な形状、大きさ、及び含有率を示すことは意図されていない。

図２に示されるように、第１樹脂絶縁層１２ａの表面１２ａａ上には、所定の領域に広がる導体パッド５が設けられている。部品搭載領域Ａを含む導体パッド５には電子部品Ｅが搭載される。一方、導体パッド５の下層側（凹部４側と反対側）は、第１樹脂絶縁層１２ａなどの１以上の樹脂絶縁層１２が設けられており、各樹脂絶縁層１２はエポキシ樹脂などによって形成される。従って、導体パッド５と第１樹脂絶縁層１２ａとの界面には、導体パッド５の上側の熱膨張率と下側の熱膨張率との違いなどによる応力が生じると考えられる。そして、そのような応力は導体パッド５の縁部Ｐ付近に集中し易く、そのため、第１樹脂縁層１２ａでは、縁部Ｐを起点とするクラックが生じることがある。

一方、第１樹脂絶縁層１２ａのような樹脂絶縁層１２を構成する材料のうち、エポキシなどの樹脂と無機フィラー８とでは、一般的にエポキシなどの樹脂の方が無機フィラー８よりも高い弾性や粘性を有している。従って、エポキシなどの樹脂を多く含む樹脂絶縁層１２の方が、樹脂の含有量が少ない樹脂絶縁層１２よりも靭性が高く、従って、クラックなどに対する耐性も高いと考えられる。

この点に関し、本実施形態では、第１樹脂絶縁層１２ａは、第１ビルドアップ部１に含まれる他の樹脂絶縁層１２よりも低い無機フィラー含有率を有している。第１樹脂絶縁層１２ａは、好ましくは配線基板１００に含まれる他の全ての樹脂絶縁層１２よりも低い無機フィラー含有率を有している。すなわち、本実施形態において第１樹脂絶縁層１２ａは、第１ビルドアップ部１内又は配線基板１００内の他の樹脂絶縁層１２よりも、エポキシなどの樹脂材料に関して高い含有率を有し得る。そのため、第１樹脂絶縁層１２ａと導体パッド５との界面で前述した応力が生じても、第１樹脂絶縁層１２ａでは破断やクラックが生じ難いと考えられる。さらに縁部Ｐにおいて応力が集中しても、破断やクラックが生じ難いと考えられる。

一方、第１樹脂絶縁層１２ａ以外の樹脂絶縁層１２は、無機フィラー８に関して第１樹脂絶縁層１２ａよりも高い含有率を有し得る。無機フィラー８を多く含むことによって、熱膨張率を好適な大きさに調整できたり、放熱性を向上できたりすることがある。第１樹脂絶縁層１２ａ以外の樹脂絶縁層１２は、導体パッド５と全く接触しないか僅かに接触するだけである。従って、第１樹脂絶縁層１２ａ以外の樹脂絶縁層１２では、前述したようなクラックに対する耐性よりも、むしろ最適な熱膨張率の実現や放熱性の向上を求められることがある。本実施形態では、第１樹脂絶縁層１２ａだけが、第１ビルドアップ部１内又は配線基板１００内の樹脂絶縁層１２の中で相対的に無機フィラー含有率が低い。そのため、第１樹脂絶縁層１２ａ以外の樹脂絶縁層１２では、無機フィラーの添加により意図される所望の特性を得ることができると考えられる。

このように本実施形態によれば、配線基板１００の部品搭載用キャビティ（凹部４）の下層の樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層１２ａ）における破断やクラックの発生を抑制することができ、しかも他の樹脂絶縁層１２において所望の特性が得られることがある。

第１樹脂絶縁層１２ａの無機フィラー８の含有率は、例えば、２０質量％以上、４５質量％以下である。一方、配線基板１００内の第１樹脂絶縁層１２ａ以外の樹脂絶縁層１２の無機フィラー８の含有率は、例えば、５０質量％以上、７５質量％以下である。そして、第１樹脂絶縁層１２ａの無機フィラー８の含有率と、第１ビルドアップ部１（又は配線基板１００）に含まれる第１樹脂絶縁層１２ａ以外の樹脂絶縁層１２の無機フィラー８の含有率との差は、例えば、５質量％以上、５５質量％以下である。これら例示の無機フィラー含有率は、第１樹脂絶縁層１２ａ及びその他の各樹脂絶縁層１２がエポキシ樹脂と、シリカを含む無機フィラー８とを含む場合に特に有効である。第１樹脂絶縁層１２ａ及びその他の各樹脂絶縁層１２が、上記例示の範囲の含有率で無機フィラー８を含む場合、第１樹脂絶縁層１２ａでのクラックなどの抑制作用と、配線基板１００内の各樹脂絶縁層１２における所望の性能の実現とが両立し易いと考えられる。

なお、上記の通り本実施形態では第１樹脂絶縁層１２ａの無機フィラー含有率が他の樹脂絶縁層１２の無機フィラー含有率よりも低い。そのため、第１樹脂絶縁層１２ａを構成する樹脂と、第２樹脂絶縁層１２ｂなどの他の樹脂絶縁層１２を構成する樹脂とが同じ熱膨張率を有していると、第１樹脂絶縁層１２ａの熱膨張率と、その他の樹脂絶縁層１２の熱膨張率とが異なり得る。このような熱膨張率の差異を縮小すべく、第１樹脂絶縁層１２ａが、その他の樹脂絶縁層１２を構成する樹脂と異なる熱膨張率を有する樹脂を含んでいてもよい。例えば、第１樹脂絶縁層１２ａを構成する樹脂の熱膨張率が、第１樹脂絶縁層１２ａ以外の樹脂絶縁層１２（例えば第２樹脂絶縁層１２ｂ）を構成する樹脂の熱膨張率よりも小さくてもよい。無機フィラー８の熱膨張率が、第１及び第２の樹脂絶縁層１２ａ、１２ｂなどの各樹脂絶縁層１２を構成する樹脂の熱膨張率よりも小さい場合、第１樹脂絶縁層１２ａの熱膨張率とその他の樹脂絶縁層１２の熱膨張率との差を縮小し得ることがある。

なお、本実施形態において第１樹脂絶縁層１２ａは無機フィラー８を含んでいなくてもよい。例えば、第１ビルドアップ部１（又は配線基板１００）に含まれる複数の樹脂絶縁層１２のうちの第１樹脂絶縁層１２ａ以外の全てが無機フィラー８を含み、第１樹脂絶縁層１２ａだけが無機フィラー８を含まずに形成されていてもよい。この場合も、第１樹脂絶縁層１２ａの無機フィラー含有率は、その他の樹脂絶縁層１２の無機フィラー含有率よりも低い。すなわち「第１樹脂絶縁層１２ａの無機フィラー含有率が第１樹脂絶縁層１２ａ以外の樹脂絶縁層１２の無機フィラー含有率よりも低い」は、第１樹脂絶縁層１２ａには意図的に無機フィラーが含められておらず、第１樹脂絶縁層１２ａ以外の樹脂絶縁層１２には意図的に無機フィラーが含められていることも含んでいる。クラックの発生が特に懸念される場合には、無機フィラー８を略含まない、すなわちクラックの発生に対して特に高い耐性を有する第１樹脂絶縁層１２ａが適していることがある。

再度図１が参照され、第２ビルドアップ部２内の樹脂絶縁層１２が説明される。第２ビルドアップ部２に含まれる複数の樹脂絶縁層１２のうち、コア基板３側から数えて４つめの樹脂絶縁層１２は、第１樹脂絶縁層１２ａの無機フィラー含有率と略同じ無機フィラー含有率を有していてもよい。第２ビルドアップ部２におけるコア基板３から４つめの樹脂絶縁層１２（以下、この樹脂絶縁層は「第５樹脂絶縁層」とも称される）は、図１の例の配線基板１００において、コア基板３からの階数として第１樹脂絶縁層１２ａと同じ階数を有している。なお「階数」は、第１ビルドアップ部１及び第２ビルドアップ部２それぞれにおいて積層されている複数の樹脂絶縁層１２にコア基板３側から１ずつ増加する数を１から順に付与したときに各樹脂絶縁層１２に付与される数である。

第１樹脂絶縁層１２ａと同じ階数を有する第５樹脂絶縁層が第１樹脂絶縁層１２ａと略同じ無機フィラー含有率を有していると、配線基板１００に反りが生じ難いと考えられる。そのため、第２ビルドアップ部２において第１樹脂絶縁層１２ａと同じ階数を有する樹脂絶縁層１２（第５樹脂絶縁層）は、第２ビルドアップ部２に含まれる複数の樹脂絶縁層１２のうちで最も低い無機フィラー含有率を有していてもよい。

図３Ａ及び図３Ｂには、図１の配線基板１００の変形例が示されている。図３Ａ及び図３Ｂは、図２と同様に、各変形例における凹部４及びその下層側の部分を示している。なお、図３Ａ及び図３Ｂにおいて図２に示される各構成要素と同様の構成要素には、図２において用いられている符号と同じ符号が付され、その説明は省略される。

図３Ａには、第１樹脂絶縁層１２ａの厚さが第１樹脂絶縁層１２ａ以外の樹脂絶縁層１２の厚さよりも厚い例が示されている。第１樹脂絶縁層１２ａは、その他の樹脂絶縁層１２よりも低い無機フィラー含有率を有し、且つ、図３Ａの例のように、その他の樹脂絶縁層１２よりも厚くてもよい。図３Ａの例では、第１樹脂絶縁層１２ａの厚さがその他の樹脂絶縁層１２の厚さよりも厚いので、第１樹脂絶縁層１２ａの機械的強度はその他の樹脂絶縁層１２よりも高いと考えられる。また、仮に導体パッド５の縁部Ｐを起点にクラックが発生しても、そのクラックは第１樹脂絶縁層１２ａの厚さ方向全体には伸展し難く、実質的な不具合はもたらされ難いと考えられる。例えば、第１樹脂絶縁層１２ａは、第１ビルドアップ部１に含まれる樹脂絶縁層１２のうちで最も厚くてもよく、配線基板１００に含まれる樹脂絶縁層１２のうちで最も厚くてもよい。

図３Ｂには、第１樹脂絶縁層１２ａが芯材（補強材）１２１を含む例が示されている。図３Ｂの例のように第１樹脂絶縁層１２ａが芯材１２１を含んでいると、第１樹脂絶縁層１２ａの機械的強度が向上すると考えられる。第１樹脂絶縁層１２ａがその他の樹脂絶縁層１２よりも低い無機フィラー含有率を有し、且つ、芯材１２１を含んでいると、第１樹脂絶縁層１２ａにおいて破断やクラックが一層生じ難いと考えられる。第１ビルドアップ部１に含まれる樹脂絶縁層１２のうちで第１樹脂絶縁層１２ａだけが芯材１２１を含んでいてもよい。また、配線基板１００に含まれる樹脂絶縁層１２のうちで第１樹脂絶縁層１２ａだけが芯材１２１を含んでいてもよい。

芯材１２１としては、ガラス繊維やアラミド繊維などが例示される。芯材１２１を構成するこれらの繊維は、織布又は不織布の形態を有し得る。また、芯材１２１を構成するこれらの繊維は、布状の形態ではなく、図３Ｂの例のように個別の繊維片（繊維チップ）として第１樹脂絶縁層１２ａ中に分散していてもよい。芯材１２１が布状の形態の繊維によって構成される場合と比べて、第１樹脂絶縁層１２ａと、第１導体層１１ａを構成する金属膜１１２との密着性が高いことがある。

つぎに、図４及び図５を参照して本発明の他の実施形態である部品内蔵配線基板が説明される。図４には、他の実施形態の一例である部品内蔵配線基板２００の断面図が示されている。図５は、図４のＶ部の拡大図である。

図４に示されるように、本実施形態の部品内蔵配線基板２００は、前述した一実施形態の配線基板を含んでいる。図４の例の部品内蔵配線基板２００は、図１に例示される配線基板１００を含んでいる。部品内蔵配線基板２００は、さらに、電子部品Ｅと、電子部品Ｅを封止する第４樹脂絶縁層１４とを含んでいる。電子部品Ｅは、凹部４内に収容され、接着剤６を用いて導体パッド５に接合されている。凹部４は第４樹脂絶縁層１４の構成材料で充填されている。

電子部品Ｅは、電子部品Ｅと外部回路との接続に用いられる電極Ｅ１を含んでいる。電子部品Ｅとしては、半導体装置などの能動部品や、抵抗体のような受動部品が例示される。電子部品Ｅは、半導体基板上に形成された微細配線を含む配線材であってもよい。

図４の部品内蔵配線基板２００は、さらに第４樹脂絶縁層１４上に形成されている第３導体層１３と、第４樹脂絶縁層１４及び第３導体層１３を覆うソルダーレジスト層７と、ビア導体１５１及びビア導体１５２とを含んでいる。第３導体層１３は、外部回路との接続に用いられる接続パッド１３１、１３２を含んでいる。ソルダーレジスト層７は、接続パッド１３１、１３２を露出させる開口を有している。ビア導体１５１は、第４樹脂絶縁層１４及び第３樹脂絶縁層１２ｃを貫通し、第３導体層１３と第２導体層１１ｂとを接続している。ビア導体１５２は、電子部品Ｅ上の第４樹脂絶縁層１４を貫通して、電子部品Ｅの電極Ｅ１と第３導体層１３とを接続している。

なお、配線基板１００における第２ビルドアップ部２側の表面上には、樹脂絶縁層１４０、導体層１３０、ソルダーレジスト層７０、及びビア導体１５３が、それぞれ形成されている。

第４樹脂絶縁層１４及び樹脂絶縁層１４０は、樹脂絶縁層１２と同様の材料を用いて樹脂絶縁層１２と同様の方法で形成され得る。第３導体層１３及び導体層１３０、並びにビア導体１５１〜１５３は、導体層１１及びビア導体１５と同様の材料を用いて形成され、これらと同様の構造を有し得る。ソルダーレジスト層７、７０は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの任意の絶縁性材料を用いて形成される。

図５に示されるように、電子部品Ｅは、導体パッド５上の部品搭載領域Ａに載置されている。電子部品Ｅを凹部４内に封入する第４樹脂絶縁層１４は、第２樹脂絶縁層１２ｂにおける第１導体層１１ａと反対側に積層されている。ビア導体１５２は、第４樹脂絶縁層１４において電極Ｅ１上に穿孔された孔１４ａ内に形成されている。ビア導体１５２は、第３導体層１３と一体的に形成されている。ビア導体１５２は、例えば電解めっきによって形成されるめっき膜１１３と、めっき膜１１３の形成時に給電層として用いられる金属膜１１２とによって構成されている。ビア導体１５２は、具体的には、電極Ｅ１と接続パッド１３２とを接続している。接続パッド１３２は、平面視で凹部４と重ならない領域に設けられている接続パッド１３１よりも小さくてもよく、接続パッド１３１よりも狭いピッチで配置されていてもよい。

接着剤６には、任意の材料が用いられ得る。接着剤６としては、はんだ、金、もしくは銅などの金属、銀などの任意の導電性粒子を含む導電性接着剤、並びに、単にエポキシ樹脂などで構成される絶縁性接着剤などが例示される。

本実施形態の部品内蔵配線基板２００は、図１に配線基板１００として例示される一実施形態の配線基板を含んでいる。そのため、導体パッド５に下層側で隣接する第１樹脂絶縁層１２ａの無機フィラー８の含有率が、第１ビルドアップ部１（又は配線基板１００）に含まれる第１樹脂絶縁層１２ａ以外の樹脂絶縁層１２の無機フィラー８の含有率よりも低い。従って、部品内蔵配線基板２００においても、電子部品Ｅが配置されるキャビティ（凹部４）の底面に隣接する樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層１２ａ）における破断やクラックが少ないと考えられる。すなわち本実施形態によれば、樹脂絶縁層のクラックなどに起因する不具合の少ない、従って良好な品質を有する部品内蔵配線基板が実現されると考えられる。

なお、第１樹脂絶縁層１２ａは、第４樹脂絶縁層１４及び樹脂絶縁層１４０それぞれの無機フィラー含有率よりも低い無機フィラー含有率を有していてもよい。すなわち、第４樹脂絶縁層１４及び樹脂絶縁層１４０それぞれは、第１樹脂絶縁層１２ａよりも高い無機フィラー含有率を有していてもよい。第１樹脂絶縁層１２ａにおけるクラックの発生を抑制しながら、第４樹脂絶縁層１４及び樹脂絶縁層１４０において、無機フィラーの添加により意図される所望の特性を得ることができると考えられる。

また、前述したように、配線基板１００に含まれる樹脂絶縁層１２のうち第１樹脂絶縁層１２ａは、第１樹脂絶縁層１２ａ以外の樹脂絶縁層１２（例えば第２樹脂絶縁層１２ｂ）を構成する樹脂よりも小さい熱膨張率を有する樹脂で構成され得る。これと同様に、第１樹脂絶縁層１２ａを構成する樹脂の熱膨張率は、第４樹脂絶縁層１４を構成する樹脂の熱膨張率よりも小さくてもよい。特に、凹部４内で第２樹脂絶縁層１２ｂと接触し得る第４樹脂絶縁層１４は、第２樹脂絶縁層１２ｂを構成する樹脂と同じ樹脂及び無機フィラーを含み、第２樹脂絶縁層１２ｂと略同じ無機フィラー含有率を有していてもよい。

なお、図４及び図５の例の部品内蔵配線基板２００は、図１に例示される配線基板１００そのものではなく、配線基板１００の説明において示された変形例を含んでいてもよい。

つぎに、一実施形態の配線基板の製造方法が、図１の配線基板１００を例に用いて図６Ａ〜図６Ｄを参照して説明される。

図６Ａに示されるように、コア基板３の樹脂絶縁層３２となる樹脂絶縁層と、この樹脂絶縁層の両表面にそれぞれ積層された金属箔を含む出発基板（例えば両面銅張積層板）が用意され、コア基板３の導体層３１及びスルーホール導体３ｃが形成される。例えばドリル加工又は炭酸ガスレーザー光の照射によってスルーホール導体３ｃの形成位置に貫通孔が穿孔され、その貫通孔内及び金属箔上に無電解めっき又はスパッタリングなどによって金属膜が形成される。そしてこの金属膜を給電層として用いる電解めっきによってめっき膜が形成される。その結果、３層構造の導体層３１、及びスルーホール導体３ｃが形成される。その後、サブトラクティブ法によって導体層３１をパターニングすることによって所定の導体パターンを備えるコア基板３が得られる。

図６Ｂに示されるように、コア基板３の第１面３ａ上に樹脂絶縁層１２及び導体層１１が交互に形成される。コア基板３の第２面３ｂ上にも樹脂絶縁層１２及び導体層１１が交互に形成される。図６Ｂにおいて第１面３ａ及び第２面３ｂの上にそれぞれ３組の樹脂絶縁層１２及び導体層１１が形成された後、第１面３ａ側にさらに樹脂絶縁層（第１樹脂絶縁層１２ａ）が形成され、第２面３ｂ側にもさらに樹脂絶縁層１２が形成される。第１樹脂絶縁層１２ａは、３組目の樹脂絶縁層１２及び導体層１１上に形成される。

第１樹脂絶縁層１２ａなどの各樹脂絶縁層１２の形成では、例えばフィルム状のエポキシ樹脂が、コア基板３の上、又は先に形成された樹脂絶縁層１２及び導体層１１の上に積層され、加熱及び加圧される。その結果、各樹脂絶縁層１２が形成される。第１樹脂絶縁層１２ａ以外の各樹脂絶縁層１２の形成には、無機フィラーを含む、例えばフィルム状の樹脂が用いられる。第１樹脂絶縁層１２ａの形成には、第１樹脂絶縁層１２ａ以外の各樹脂絶縁層１２の形成に用いられる樹脂よりも低い含有率で無機フィラーを含む、例えばフィルム状の樹脂が用いられる。第１樹脂絶縁層１２ａの形成には、無機フィラーを含まないフィルム状の樹脂が用いられてもよい。各樹脂絶縁層１２には、ビア導体１５を形成するための貫通孔が、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。

第１樹脂絶縁層１２ａの一面１２ａａ（コア基板３と反対側の面）上にさらに導体層（第１導体層１１ａ）が形成される。第２面３ｂ側の最も外側の樹脂絶縁層１２上にもさらに導体層１１が形成される。各導体層１１の形成と共にビア導体１５が形成される。

第１導体層１１ａなどの各導体層１１は、それぞれ、例えばセミアディティブ法によって形成される。すなわち、各導体層１１の下地となる樹脂絶縁層１２上の全面及びその樹脂絶縁層１２に穿孔された貫通孔内に無電解めっきやスパッタリングによって金属膜が形成される。その金属膜を給電層として用いる電解めっきを含むパターンめっきによってめっき膜が形成される。各樹脂絶縁層１２に穿孔された貫通孔内にはビア導体１５が形成される。その後、金属膜の不要部分が例えばエッチングなどで除去される。その結果、所定の導体パターンを含む２層構造の各導体層１１が形成される。第１導体層１１ａなどの各導体層１１は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。

第１導体層１１ａは、第１樹脂絶縁層１２ａの一面１２ａａに沿って所定の領域全体に広がる導体パッド５を含むように形成される。すなわち、前述したパターンめっきの際に、導体パッド５が形成されるべき領域に対応する領域に開口を有するめっきレジストが用いられる。導体パッド５は、配線基板１００において電子部品を載置されるべき領域（部品搭載領域Ａ）を含み、且つ、凹部４（図６Ｄ参照）の底面全体を構成し得る領域に形成される。導体パッド５は、平面視で、凹部４が形成されるべき領域を含む領域全体に渡って形成される。

図６Ｃに示されるように、第１樹脂絶縁層１２ａ及び第１導体層１１ａの上に第２樹脂絶縁層１２ｂが形成される。図６Ｃの例では、第２樹脂絶縁層１２ｂの上に、さらに第２導体層１１ｂが形成され、第２樹脂絶縁層１２ｂ及び第２導体層１１ｂ上に第３樹脂絶縁層１２ｃが形成されている。第２面３ｂ側にも同様に、図６Ｂの状態から、さらに２層の樹脂絶縁層１２と、その２層の樹脂絶縁層１２に挟まれる導体層１１が形成されている。

第２及び第３の樹脂絶縁層１２ｂ、１２ｃ並びに第２面３ｂ側にさらに形成される樹脂絶縁層１２は、図６Ｂの状態において形成されている樹脂絶縁層１２と同様の方法及び同様の材料で形成され得る。但し、第２及び第３の樹脂絶縁層１２ｂ、１２ｃの形成には、第１樹脂絶縁層１２ａの形成に用いられる樹脂よりも高い含有率で無機フィラーを含む、例えばフィルム状の樹脂が用いられる。第２面３ｂ側の樹脂絶縁層１２の形成にも、第１樹脂絶縁層１２ａの形成に用いられる樹脂よりも高い含有率で無機フィラーを含むフィルム状の樹脂が用いられてもよい。第２導体層１１ｂ及び第２面３ｂ側にさらに形成される導体層１１は、図６Ｂの状態において形成されている導体層１１と同様の方法及び同様の材料で形成され得る。

図６Ｄに示されるように、絶縁層１２ｂを貫通して第１導体層１１ａの一部を露出させる凹部４、すなわち電子部品が収容されるキャビティが形成される。図６Ｄには、凹部４及びその周辺部分だけが拡大して示されている。凹部４は、例えば、コア基板３の第１面３ａ側の表面から凹部４の形成領域全体に渡ってレーザー光Ｂをピッチ送りしながら照射することによって形成される。レーザー光Ｂとしては、炭酸ガスレーザー光が例示される。第１導体層１１ａが含む導体パッド５は、平面視で、凹部４の形成領域全体を含む領域全体に形成されている。従って、導体パッド５は、凹部４の形成時のレーザー光Ｂのストッパとして機能し得る。

凹部４を形成する方法は、レーザー光Ｂの照射に限定されず、例えば、ドリル加工によって凹部４が形成されてもよい。また、凹部４の底面となるべき第１導体層１１ａ上への剥離膜（図示せず）の配置、及びこの剥離膜上に積層された樹脂絶縁層（第２及び第３の樹脂絶縁層１２ｂ、１２ｃ）並びに第２導体層１１ｂの除去などによって凹部４が形成されてもよい。凹部４の形成後、好ましくは、凹部４内に残存する樹脂残渣（スミア）が、プラズマ処理、又は過マンガン酸塩などを含む薬液を用いた処理によって除去（デスミア処理）される。以上の工程を経ることによって図１に示される配線基板１００が完成する。

なお、先に参照した図３Ａに示される配線基板１００の変形例が製造される場合は、第１樹脂絶縁層１２ａの形成において、例えば、第１樹脂絶縁層１２ａ以外の樹脂絶縁層１２の形成に用いられるフィルム状樹脂よりも厚いフィルム状樹脂が用いられる。また、先に参照した図３Ｂに示される配線基板１００の変形例が製造される場合は、第１樹脂絶縁層１２ａの形成において、例えば、布状の形態や繊維片状の形態の芯材を含むフィルム状樹脂が用いられる。

つぎに、他の実施形態の部品内蔵配線基板の製造方法が、図４の部品内蔵配線基板２００を例に用いて図７Ａ〜図７Ｃを参照して説明される。

まず、部品実装用のキャビティを有する配線基板が用意される。例えば、図６Ａ〜図６Ｄを参照して説明された配線基板の製造方法を用いて、凹部４を有する配線基板１００が用意される。図７Ａには、用意された配線板１００の凹部４及びその周辺部分が拡大して示されている。好ましくは、用意された配線基板１００の凹部４内に露出する導体パッド５の表面がマイクロエッチング処理によって粗化される。この粗化処理によって、導体パッド５と、導体パッド５上に供給される接着剤６との密着強度が向上する。

図７Ａに示されるように、凹部４内に露出する導体パッド５内の部品搭載領域Ａに電子部品Ｅが載置される。例えば、はんだ若しくは銅などの金属ペレット、又は、導電性若しくは絶縁性のペーストが、マウンタやディスペンサを用いて接着剤６として導体パッド５上に供給され、さらに、電子部品Ｅがダイボンダなどによって載置される。電子部品Ｅは、前述したように、例えば、半導体装置などの能動部品、抵抗体のような受動部品、又は、微細配線を含む配線材などである。電子部品Ｅ及び接着剤６は、例えば、導体パッド５上で加熱及び加圧され、それによって接着剤６が硬化し、電子部品Ｅが導体パッド５に接合される。

電子部品Ｅの加熱及び加圧中に、周囲の雰囲気が減圧され、電子部品Ｅの載置時に電子部品Ｅの下に入り込んだ気泡が除去されてもよい。また、電子部品Ｅの実装後、電子部品Ｅと電子部品Ｅを覆う封止材との密着性を高めるべく、電子部品Ｅの表面が、マイクロエッチング処理によって粗化されてもよい。

図７Ｂに示されるように、電子部品Ｅを覆う第４樹脂絶縁層１４が形成され、第４樹脂絶縁層１４の材料で凹部４が充填される。その結果、凹部４内に電子部品Ｅが封止される。図７Ｂの例では、第４樹脂絶縁層１４は、第３樹脂絶縁層１２ｃの上に形成される。コア基板３に関して凹部４と反対側の最外の樹脂絶縁層１２上にも樹脂絶縁層１４０が形成される。第４樹脂絶縁層１４及び樹脂絶縁層１４０は、前述した樹脂絶縁層１２と同様に、例えば第１樹脂絶縁層１２ａが有する無機フィラー含有率よりも高い含有率で無機フィラーを含むフィルム状のエポキシ樹脂の積層、並びに加熱及び加圧によって形成され得る。

第４樹脂絶縁層１４の形成時に、第４樹脂絶縁層１４を構成すべく積層される、例えばフィルム状のエポキシ樹脂などが、加熱及び加圧によって軟化して凹部４内に流入する。そして、凹部４内が、第４樹脂絶縁層１４を構成する材料、例えばエポキシ樹脂で充填される。また、電子部品Ｅが、第４樹脂絶縁層１４を構成するエポキシ樹脂などで凹部４内に封止される。

図７Ｃに示されるように、外層導体層（第３導体層１３）、並びに、ビア導体１５１及びビア導体１５２が形成される。第３導体層１３は、第４樹脂絶縁層１４上に形成される。樹脂絶縁層１４０上にも、同様に、導体層１３０が形成される。また、樹脂絶縁層１４０を貫通するビア導体１５３が形成される。第３導体層１３には、外部回路との接続に用いられる接続パッド１３１、１３２が設けられる。導体層１３０にも接続パッド１３３が設けられる。第３導体層１３は、第４樹脂絶縁層１４及び第３樹脂絶縁層１２ｃを貫通するビア導体１５１によって第２導体層１１ｂと接続される。接続パッド１３２は、電子部品Ｅ上の第４樹脂絶縁層１４を貫通するビア導体１５２によって、電子部品Ｅの電極Ｅ１と接続される。

第３導体層１３及び導体層１３０、ビア導体１５１、１５３は、前述した、導体層１１及びビア導体１５の形成方法と同様の方法及び同様の材料を用いて形成され得る。ビア導体１５２の形成に関して、電子部品Ｅの電極Ｅ１に向かって、第４樹脂絶縁層１４の表面から例えば紫外線（ＵＶ）レーザー光を照射することによって電極Ｅ１を露出させる貫通孔が形成される。その貫通孔内に、第３導体層１３の形成と共にめっき膜を充填することによって、第３導体層１３（具体的には接続パッド１３２）と電極Ｅ１とを接続するビア導体１５２が形成される。

その後、第３導体層１３及び第４樹脂絶縁層１４上にソルダーレジスト層７（図４参照）が形成されると共に、導体層１３０及び樹脂絶縁層１４０上にはソルダーレジスト層７０（図４参照）が形成される。ソルダーレジスト層７には接続パッド１３１、１３２を露出させる開口が設けられ、ソルダーレジスト層７０には接続パッド１３３を露出させる開口が設けられる。ソルダーレジスト層７、７０、及び各ソルダーレジスト層の開口は、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像とによって形成される。

ソルダーレジスト層７、７０の開口に露出する接続パッド１３１〜１３３上には、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。以上の工程を経る事によって図４の例の部品内蔵配線基板２００が完成する。

実施形態の配線基板及び部品内蔵配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。実施形態の配線基板は、第１〜第４の樹脂絶縁層１２ａ〜１２ｃ及び１４、並びに第１〜第３の導体層１１ａ、１１ｂ、及び１３を、第１ビルドアップ部１においてコア基板３から任意の階数の層に備え得る。実施形態の配線基板及び部品内蔵配線基板は、任意の総数の導体層及び樹脂絶縁層を有し得る。

１００ 配線基板
２００ 部品内蔵配線基板
１ 第１ビルドアップ部
１１、１３０ 導体層
１１ａ 第１導体層
１１ｂ 第２導体層
１１ｂａ 導体パターン
１２、１４０ 樹脂絶縁層
１２ａ 第１樹脂絶縁層
１２ｂ 第２樹脂絶縁層
１２ｃ 第３樹脂絶縁層
１２１ 芯材
１３ 第３導体層
１４ 第４樹脂絶縁層
２ 第２ビルドアップ部
３ コア基板
３ａ 第１面
３ｂ 第２面
４ 凹部（キャビティ）
５ 導体パッド
８ 無機フィラー
Ａ 部品搭載領域

Claims (10)

1. 第１面と前記第１面の反対側の第２面とを有するコア基板と、
   前記第１面上に積層されていて複数の樹脂絶縁層を含む第１ビルドアップ部と、
   前記第２面上に積層されている第２ビルドアップ部と、
   を備える配線基板であって、
   前記第１ビルドアップ部は、
   第１樹脂絶縁層と、
   前記第１樹脂絶縁層上に形成されている第１導体層と、
   前記第１樹脂絶縁層及び前記第１導体層の上に積層されている第２樹脂絶縁層と、
   前記第２樹脂絶縁層を貫通して前記第１導体層の一部を底面に露出させる凹部と、
   を含み、
   前記第１導体層は、電子部品を載置されるべき部品搭載領域を含んでいて前記凹部の底面を構成する導体パッドを含み、
   前記第１ビルドアップ部に含まれる前記複数の樹脂絶縁層の全て、又は前記複数の樹脂絶縁層のうちの前記第１樹脂絶縁層以外の全ては無機フィラーを含んでおり、
   前記第１樹脂絶縁層の無機フィラー含有率は、前記第１ビルドアップ部に含まれる前記第１樹脂絶縁層以外の樹脂絶縁層の無機フィラー含有率よりも低い。
2. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記第１樹脂絶縁層の無機フィラー含有率と、前記第１ビルドアップ部に含まれる前記第１樹脂絶縁層以外の樹脂絶縁層の無機フィラー含有率との差が、５質量％以上、５５質量％以下である。
3. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１樹脂絶縁層の厚さが、前記第１ビルドアップ部に含まれる前記複数の樹脂絶縁層のうちで最も厚い。
4. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１樹脂絶縁層を構成する樹脂の熱膨張率は、前記第２樹脂絶縁層を構成する樹脂の熱膨張率よりも小さい。
5. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１樹脂絶縁層は芯材を含んでいる。
6. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１ビルドアップ部に含まれる前記複数の樹脂絶縁層のうち前記第１樹脂絶縁層だけが無機フィラーを含まずに形成されている。
7. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記第２ビルドアップ部は複数の樹脂絶縁層を含み、
   前記第２ビルドアップ部に含まれる前記複数の樹脂絶縁層のうち、前記コア基板からの階数として前記第１樹脂絶縁層と同じ階数を有する樹脂絶縁層は、前記第２ビルドアップ部に含まれる前記複数の樹脂絶縁層のうちで最も低い無機フィラー含有率を有する。
8. 請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第２樹脂絶縁層における前記第１導体層と反対側の表面上に、所定の導体パターンを含む第２導体層を備えており、
   前記凹部は、平面視において、前記第２導体層の前記所定の導体パターンと離間している。
9. 請求項８記載の配線基板であって、さらに、前記第２樹脂絶縁層及び前記第２導体層を覆う第３樹脂絶縁層を備えており、
   前記凹部は前記第３樹脂絶縁層を貫通しており、
   前記第３樹脂絶縁層の厚さは、前記第１樹脂絶縁層の厚さ及び前記第２樹脂絶縁層の厚さよりも薄い。
10. 請求項１記載の配線基板と、
    前記導体パッド上の前記部品搭載領域に載置されている電子部品と、
    前記第２樹脂絶縁層における前記第１導体層と反対側に積層されていて前記電子部品を封止する第４樹脂絶縁層と、
    を含んでいる、部品内蔵配線基板。

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